JP3337622B2 - 選択的エッチング液及びそのエッチング液を用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents
選択的エッチング液及びそのエッチング液を用いた半導体装置の製造方法Info
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- JP3337622B2 JP3337622B2 JP19117997A JP19117997A JP3337622B2 JP 3337622 B2 JP3337622 B2 JP 3337622B2 JP 19117997 A JP19117997 A JP 19117997A JP 19117997 A JP19117997 A JP 19117997A JP 3337622 B2 JP3337622 B2 JP 3337622B2
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の構成
材料として、最近、特に重要視されてきたチタン、チタ
ン酸化物、あるいはチタン酸化物を含む材料(以下、チ
タン系材料という)と、半導体プロセスで最も多用され
ているシリコン酸化膜に対し、それぞれを選択的又は等
速でエッチングするエッチング液、及び該エッチング液
を用いた半導体装置の製造方法に関するものである。
材料として、最近、特に重要視されてきたチタン、チタ
ン酸化物、あるいはチタン酸化物を含む材料(以下、チ
タン系材料という)と、半導体プロセスで最も多用され
ているシリコン酸化膜に対し、それぞれを選択的又は等
速でエッチングするエッチング液、及び該エッチング液
を用いた半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、チタンは、半導体集積回路におけ
る配線やシリサイド化などに使用される重要な金属材料
であると共に、その酸化物を含むセラミック材料は誘電
率が高く、メモリ用の高誘電率材料やＧaＡs高周波集積
回路のキャパシタとして用いられている。特に最近で
は、ＢaＳrＴiＯ3，ＳrＴiＯ3をはじめとする高誘電率
キャパシタ材料を集積化した集積回路の開発が精力的に
進められている。
る配線やシリサイド化などに使用される重要な金属材料
であると共に、その酸化物を含むセラミック材料は誘電
率が高く、メモリ用の高誘電率材料やＧaＡs高周波集積
回路のキャパシタとして用いられている。特に最近で
は、ＢaＳrＴiＯ3，ＳrＴiＯ3をはじめとする高誘電率
キャパシタ材料を集積化した集積回路の開発が精力的に
進められている。
【０００３】従来のチタン系材料に対するエッチングに
は、イオンミリングが一般に用いられている。図６は、
高誘電率キャパシタ材料をイオンミリングにより加工す
るプロセスを示したものである。図６において、１は半
導体基板、２は下部電極膜、３は高誘電率キャパシタ材
料膜、４は上部電極膜、５は上部電極形成用レジストマ
スク、６は下部電極形成用レジストマスクである。
は、イオンミリングが一般に用いられている。図６は、
高誘電率キャパシタ材料をイオンミリングにより加工す
るプロセスを示したものである。図６において、１は半
導体基板、２は下部電極膜、３は高誘電率キャパシタ材
料膜、４は上部電極膜、５は上部電極形成用レジストマ
スク、６は下部電極形成用レジストマスクである。
【０００４】まず最初に、半導体基板１上の全面に下部
電極膜２、高誘電率キャパシタ材料膜３、上部電極膜４
を順次積層し(a)、次に、上部電極形成用レジストマス
ク５を形成した後(b)、イオンミリング(標準的な条件は
加速電圧800Ｖ、ビーム電流200mＡ)により上部電極膜４
と高誘電率キャパシタ材料膜３をパターニングし、上部
電極形成用レジストマスク５を除去する(c)。次に、下
部電極形成用レジストマスク６を形成し(d)、イオンミ
リングにより下部電極膜２をパターニングする(e)。
電極膜２、高誘電率キャパシタ材料膜３、上部電極膜４
を順次積層し(a)、次に、上部電極形成用レジストマス
ク５を形成した後(b)、イオンミリング(標準的な条件は
加速電圧800Ｖ、ビーム電流200mＡ)により上部電極膜４
と高誘電率キャパシタ材料膜３をパターニングし、上部
電極形成用レジストマスク５を除去する(c)。次に、下
部電極形成用レジストマスク６を形成し(d)、イオンミ
リングにより下部電極膜２をパターニングする(e)。
【０００５】その外には、ＰＬＺＴをウェットでエッチ
ングする方法として、ＨＣlとＦイオン供与物質からな
る溶液に浸した後、硝酸又は酢酸に浸す２ステップのエ
ッチングがある(ＵＳ Ｐatent Ｎo. 4759823)。
ングする方法として、ＨＣlとＦイオン供与物質からな
る溶液に浸した後、硝酸又は酢酸に浸す２ステップのエ
ッチングがある(ＵＳ Ｐatent Ｎo. 4759823)。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】チタン系材料を加工す
るために、イオンミリングを用いると、高エネルギーの
Ａrイオンのために半導体デバイスにダメージを与える
ことがある。また、イオンミリングではミリングすべき
材料とその下地材料との組合せが制限されるという問題
がある。一方、従来のウェットエッチング液を用いる場
合も、エッチングすべき材料とその下地のシリコン酸化
膜などの材料との選択性が大きく制限されるという問題
があった。
るために、イオンミリングを用いると、高エネルギーの
Ａrイオンのために半導体デバイスにダメージを与える
ことがある。また、イオンミリングではミリングすべき
材料とその下地材料との組合せが制限されるという問題
がある。一方、従来のウェットエッチング液を用いる場
合も、エッチングすべき材料とその下地のシリコン酸化
膜などの材料との選択性が大きく制限されるという問題
があった。
【０００７】本発明は、上記従来技術の問題点を解決す
るもので、チタン系材料膜とシリコン酸化膜の一方を選
択的にエッチングし、あるいはその両方を等速でエッチ
ングするエッチング液及びそのエッチング液を用いた半
導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
るもので、チタン系材料膜とシリコン酸化膜の一方を選
択的にエッチングし、あるいはその両方を等速でエッチ
ングするエッチング液及びそのエッチング液を用いた半
導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の選択的エッチング液は、Ｓrを含むチタン
酸化膜とシリコン酸化膜とを選択的にエッチングする選
択的エッチング液であって、ＨＣl，ＮＨ４Ｆ及びＨ２
Ｏの混合液からなることを特徴とする。また本発明の半
導体装置の製造方法は、ＨＣl，ＮＨ４Ｆ及びＨ２Ｏの
混合液からなり、Ｓrを含むチタン酸化膜とシリコン酸
化膜とを選択的にエッチングする選択的エッチング液を
用いた半導体装置の製造方法であって、ＮＨ４ＦのＨＣ
lに対するモル比が１以下となるように調製した選択的
エッチング液を用いて、シリコン酸化膜上に堆積された
Ｓrを含むチタン酸化膜をエッチングすることを特徴と
する。また、ＮＨ４ＦのＨＣlに対するモル比が１以上
となるように調製した選択的エッチング液を用いて、Ｓ
rを含むチタン酸化膜上に堆積されたシリコン酸化膜を
エッチングすることを特徴とする。また、ＮＨ４ＦとＨ
Ｃlのモル濃度が等しくなるように調製した選択的エッ
チング液を用いて、Ｓrを含むチタン酸化膜とシリコン
酸化膜の積層膜をエッチングすることを特徴とする。
に、本発明の選択的エッチング液は、Ｓrを含むチタン
酸化膜とシリコン酸化膜とを選択的にエッチングする選
択的エッチング液であって、ＨＣl，ＮＨ４Ｆ及びＨ２
Ｏの混合液からなることを特徴とする。また本発明の半
導体装置の製造方法は、ＨＣl，ＮＨ４Ｆ及びＨ２Ｏの
混合液からなり、Ｓrを含むチタン酸化膜とシリコン酸
化膜とを選択的にエッチングする選択的エッチング液を
用いた半導体装置の製造方法であって、ＮＨ４ＦのＨＣ
lに対するモル比が１以下となるように調製した選択的
エッチング液を用いて、シリコン酸化膜上に堆積された
Ｓrを含むチタン酸化膜をエッチングすることを特徴と
する。また、ＮＨ４ＦのＨＣlに対するモル比が１以上
となるように調製した選択的エッチング液を用いて、Ｓ
rを含むチタン酸化膜上に堆積されたシリコン酸化膜を
エッチングすることを特徴とする。また、ＮＨ４ＦとＨ
Ｃlのモル濃度が等しくなるように調製した選択的エッ
チング液を用いて、Ｓrを含むチタン酸化膜とシリコン
酸化膜の積層膜をエッチングすることを特徴とする。
【０００９】図１は、ＮＨ4Ｆ／ＨＣlモル比に対する、
チタン酸化物を含む代表的な材料であるＳrＴiＯ3及び
シリコン酸化膜の各エッチング速度の関係を示したもの
である。ＮＨ4Ｆ／ＨＣlモル比が１の点で、シリコン酸
化膜のエッチング速度とＳrＴiＯ3のエッチング速度は
交差する。この関係は、ＢaXＳr(1-X)ＴiＯ3(Xは混晶
比)の場合でも単純なチタン、チタン酸化物の場合でも
略同じとなる。このことから、ＮＨ4Ｆ／ＨＣlモル比が
１を境にして、チタン系材料膜とシリコン酸化膜のエッ
チングの選択性を制御することができる。
チタン酸化物を含む代表的な材料であるＳrＴiＯ3及び
シリコン酸化膜の各エッチング速度の関係を示したもの
である。ＮＨ4Ｆ／ＨＣlモル比が１の点で、シリコン酸
化膜のエッチング速度とＳrＴiＯ3のエッチング速度は
交差する。この関係は、ＢaXＳr(1-X)ＴiＯ3(Xは混晶
比)の場合でも単純なチタン、チタン酸化物の場合でも
略同じとなる。このことから、ＮＨ4Ｆ／ＨＣlモル比が
１を境にして、チタン系材料膜とシリコン酸化膜のエッ
チングの選択性を制御することができる。
【００１０】図２は、本発明のＨＣl，ＮＨ4Ｆ及びＨ2
Ｏの混合液からなるエッチング液中でのＳrＴiＯ3とシ
リコン酸化膜の反応モデル図である。(1)はＨＣlの電離
式、(2)はＮＨ4Ｆの電離式、(3)はＨイオンとＦイオン
の反応式、(4)はＳrＴiＯ3のエッチングモデル、(5)は
ＳiＯ2のエッチングモデルである。
Ｏの混合液からなるエッチング液中でのＳrＴiＯ3とシ
リコン酸化膜の反応モデル図である。(1)はＨＣlの電離
式、(2)はＮＨ4Ｆの電離式、(3)はＨイオンとＦイオン
の反応式、(4)はＳrＴiＯ3のエッチングモデル、(5)は
ＳiＯ2のエッチングモデルである。
【００１１】ＨＣl，ＮＨ4Ｆは電離式(1)，(2)のように
電離する。また、生成したＨイオンとＦイオンは反応式
(3)のように反応し、ＨＦ2イオンを生成する。ＳrＴiＯ
3は反応式(4)のようにＨＦ2イオンとＨイオンに反応し
てエッチングされる。一方、シリコン酸化膜は反応式
(5)のように反応してエッチングされる。
電離する。また、生成したＨイオンとＦイオンは反応式
(3)のように反応し、ＨＦ2イオンを生成する。ＳrＴiＯ
3は反応式(4)のようにＨＦ2イオンとＨイオンに反応し
てエッチングされる。一方、シリコン酸化膜は反応式
(5)のように反応してエッチングされる。
【００１２】なお、図２では、ＳrＴiＯ3のエッチング
を例として説明したが、チタンあるいはチタン酸化物に
対しても同様にエッチングすることができる。さらに、
チタン酸化物には多くの価数のものが存在するが、いず
れの価数のチタン酸化物に対してもエッチングが可能で
ある。
を例として説明したが、チタンあるいはチタン酸化物に
対しても同様にエッチングすることができる。さらに、
チタン酸化物には多くの価数のものが存在するが、いず
れの価数のチタン酸化物に対してもエッチングが可能で
ある。
【００１３】そして、上記エッチング液の特性を、半導
体装置の製造に有効に利用し、工程の簡略化、加工精度
の向上を図ることが可能になる。
体装置の製造に有効に利用し、工程の簡略化、加工精度
の向上を図ることが可能になる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、図面を参照して詳細に説明する。 (実施の形態１)図３は、本発明の実施の形態１における
半導体装置の製造方法を示したものである。なお、図６
と同一符号のものは同一のものを表しており、また７は
シリコン酸化膜、８はレジストマスクである。
て、図面を参照して詳細に説明する。 (実施の形態１)図３は、本発明の実施の形態１における
半導体装置の製造方法を示したものである。なお、図６
と同一符号のものは同一のものを表しており、また７は
シリコン酸化膜、８はレジストマスクである。
【００１５】製造方法は、まず、図３(a)に示したよう
に、半導体基板１上にシリコン酸化膜７を堆積し、パタ
ーニングする。続いて、図３(b)に示したように、下部
電極膜２を蒸着、リフトオフした後、高誘電率キャパシ
タ材料膜３を全面に形成する。次に、図３(c)に示した
ように、上部電極膜４を蒸着、リフトオフし、続いて高
誘電率キャパシタ材料膜３のエッチング用レジストマス
ク８を形成する。
に、半導体基板１上にシリコン酸化膜７を堆積し、パタ
ーニングする。続いて、図３(b)に示したように、下部
電極膜２を蒸着、リフトオフした後、高誘電率キャパシ
タ材料膜３を全面に形成する。次に、図３(c)に示した
ように、上部電極膜４を蒸着、リフトオフし、続いて高
誘電率キャパシタ材料膜３のエッチング用レジストマス
ク８を形成する。
【００１６】そこで、ＮＨ4ＦのＨＣlに対するモル比が
１以下となるように調製されたエッチング液を用いて、
図３(d)に示したように、高誘電率キャパシタ材料膜３
のみを選択的にエッチングし、次にレジストマスク８を
除去する。このとき、エッチング液のシリコン酸化膜７
に対するエッチング速度が遅いため、シリコン酸化膜７
のパターン寸法及び膜厚に影響を与えず、所期の加工が
完了する。
１以下となるように調製されたエッチング液を用いて、
図３(d)に示したように、高誘電率キャパシタ材料膜３
のみを選択的にエッチングし、次にレジストマスク８を
除去する。このとき、エッチング液のシリコン酸化膜７
に対するエッチング速度が遅いため、シリコン酸化膜７
のパターン寸法及び膜厚に影響を与えず、所期の加工が
完了する。
【００１７】(実施の形態２）図４は、本発明の実施の
形態２における半導体装置の製造方法を示したもので、
図３と同一のものには同一符号を付してあり、また９は
配線材料膜である。
形態２における半導体装置の製造方法を示したもので、
図３と同一のものには同一符号を付してあり、また９は
配線材料膜である。
【００１８】製造方法は、図４（ａ）に示したように、
半導体基板１上にシリコン酸化膜７aを堆積し、続いて
下部電極膜２と高誘電率キャパシタ材料膜３を順次形成
する。次に、図４(b)に示したように、シリコン酸化膜
７bを全面に堆積し、図４(c)に示したように、シリコン
酸化膜７bに配線接続用の窓を開けるためのレジストマ
スク８を形成する。
半導体基板１上にシリコン酸化膜７aを堆積し、続いて
下部電極膜２と高誘電率キャパシタ材料膜３を順次形成
する。次に、図４(b)に示したように、シリコン酸化膜
７bを全面に堆積し、図４(c)に示したように、シリコン
酸化膜７bに配線接続用の窓を開けるためのレジストマ
スク８を形成する。
【００１９】ここで、ＮＨ4ＦのＨＣlに対するモル比が
１以上となるように調製されたエッチング液を用いて、
図４(d)に示したように、シリコン酸化膜７bのみを選択
的にエッチングして窓を開ける。レジストマスク８を除
去した後、配線材料膜９を形成する。エッチング液は高
誘電率キャパシタ材料膜３に対するエッチング速度が遅
いため、シリコン酸化膜７bを選択的にエッチングする
際、高誘電率キャパシタ材料膜３はエッチングされな
い。高誘電率キャパシタ材料膜３上の窓の部分に形成さ
れた配線材料膜９は、上部電極としての機能を有するこ
とになる。
１以上となるように調製されたエッチング液を用いて、
図４(d)に示したように、シリコン酸化膜７bのみを選択
的にエッチングして窓を開ける。レジストマスク８を除
去した後、配線材料膜９を形成する。エッチング液は高
誘電率キャパシタ材料膜３に対するエッチング速度が遅
いため、シリコン酸化膜７bを選択的にエッチングする
際、高誘電率キャパシタ材料膜３はエッチングされな
い。高誘電率キャパシタ材料膜３上の窓の部分に形成さ
れた配線材料膜９は、上部電極としての機能を有するこ
とになる。
【００２０】(実施の形態３)図５は、本発明の実施の形
態３における半導体装置の製造方法を示したものであ
り、図４と同一のものには同一符号を付している。製造
方法は、まず、図５(a)に示したように、半導体基板１
上にシリコン酸化膜７aを堆積し、下部電極膜２と高誘
電率キャパシタ材料膜３を順次形成する。次に、図５
(b)に示したように、上部電極膜４を蒸着、リフトオフ
し、続いてシリコン酸化膜７bを全面に堆積する。さら
に、図５(c)に示したように、シリコン酸化膜７b及び高
誘電率キャパシタ材料膜３のエッチング用レジストマス
ク８を形成する。
態３における半導体装置の製造方法を示したものであ
り、図４と同一のものには同一符号を付している。製造
方法は、まず、図５(a)に示したように、半導体基板１
上にシリコン酸化膜７aを堆積し、下部電極膜２と高誘
電率キャパシタ材料膜３を順次形成する。次に、図５
(b)に示したように、上部電極膜４を蒸着、リフトオフ
し、続いてシリコン酸化膜７bを全面に堆積する。さら
に、図５(c)に示したように、シリコン酸化膜７b及び高
誘電率キャパシタ材料膜３のエッチング用レジストマス
ク８を形成する。
【００２１】ここで、ＮＨ4ＦとＨＣlのモル濃度が等し
くなるように調製されたエッチング液を用いて、図５
(d)に示したように、露出されたシリコン酸化膜７b及び
その下の高誘電率キャパシタ材料膜３の両方を同時にエ
ッチングして窓を開け、次にレジストマスク８を除去す
る。このとき、エッチング液のシリコン酸化膜７bに対
するエッチング速度と高誘電率キャパシタ材料膜３に対
するエッチング速度が同一であるため、上部電極膜４と
下部電極膜２に対するコンタクト窓を同時に開けること
ができる。なお、ＮＨ4Ｆ／ＨＣlモル比の製造工程上の
許容差は±20％程度であり、その範囲で略問題なく、等
速エッチングとみなすことが可能である。
くなるように調製されたエッチング液を用いて、図５
(d)に示したように、露出されたシリコン酸化膜７b及び
その下の高誘電率キャパシタ材料膜３の両方を同時にエ
ッチングして窓を開け、次にレジストマスク８を除去す
る。このとき、エッチング液のシリコン酸化膜７bに対
するエッチング速度と高誘電率キャパシタ材料膜３に対
するエッチング速度が同一であるため、上部電極膜４と
下部電極膜２に対するコンタクト窓を同時に開けること
ができる。なお、ＮＨ4Ｆ／ＨＣlモル比の製造工程上の
許容差は±20％程度であり、その範囲で略問題なく、等
速エッチングとみなすことが可能である。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のエッチン
グ液によれば、ＮＨ4Ｆ／ＨＣlモル比を適宜設定するこ
とにより、チタン系材料膜とシリコン酸化膜のいずれか
一方を選択的にエッチングし、あるいはその両方を同時
にエッチングすることが可能になり、そして、このエッ
チング液の特性を半導体装置の製造に有効に利用するこ
とによって、工程の簡略化、加工精度の向上を図ること
ができるという効果を奏する。
グ液によれば、ＮＨ4Ｆ／ＨＣlモル比を適宜設定するこ
とにより、チタン系材料膜とシリコン酸化膜のいずれか
一方を選択的にエッチングし、あるいはその両方を同時
にエッチングすることが可能になり、そして、このエッ
チング液の特性を半導体装置の製造に有効に利用するこ
とによって、工程の簡略化、加工精度の向上を図ること
ができるという効果を奏する。
【図１】本発明のエッチング液におけるＮＨ4Ｆ／ＨＣl
モル比と、ＳrＴiＯ3及びシリコン酸化膜の各エッチン
グ速度との関係を示す図である。
モル比と、ＳrＴiＯ3及びシリコン酸化膜の各エッチン
グ速度との関係を示す図である。
【図２】本発明のエッチング液における反応モデル図で
ある。
ある。
【図３】本発明の実施の形態１における半導体装置の製
造方法を示す図である。
造方法を示す図である。
【図４】本発明の実施の形態２における半導体装置の製
造方法を示す図である。
造方法を示す図である。
【図５】本発明の実施の形態３における半導体装置の製
造方法を示す図である。
造方法を示す図である。
【図６】従来例における半導体装置の製造方法を示す図
である。
である。
１…半導体基板、 ２…下部電極膜、 ３…高誘電率キ
ャパシタ材料膜、 ４…上部電極膜、 ７,７a,７b…シ
リコン酸化膜、 ８…レジストマスク、 ９…配線材料
膜。
ャパシタ材料膜、 ４…上部電極膜、 ７,７a,７b…シ
リコン酸化膜、 ８…レジストマスク、 ９…配線材料
膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平８−310887（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−19373（ＪＰ，Ａ) 米国特許4759823（ＵＳ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/306,21/308
Claims (4)
- 【請求項１】 Ｓrを含むチタン酸化膜とシリコン酸化
膜とを選択的にエッチングする選択的エッチング液であ
って、ＨＣl，ＮＨ４Ｆ及びＨ２Ｏの混合液からなるこ
とを特徴とする選択的エッチング液。 - 【請求項２】 ＨＣl，ＮＨ４Ｆ及びＨ２Ｏの混合液か
らなり、Ｓrを含むチタン酸化膜とシリコン酸化膜とを
選択的にエッチングする選択的エッチング液を用いた半
導体装置の製造方法であって、ＮＨ４ＦのＨＣlに対す
るモル比が１以下となるように調製した選択的エッチン
グ液を用いて、シリコン酸化膜上に堆積されたＳrを含
むチタン酸化膜をエッチングすることを特徴とする半導
体装置の製造方法。 - 【請求項３】 ＨＣl，ＮＨ４Ｆ及びＨ２Ｏの混合液か
らなり、Ｓrを含むチタン酸化膜とシリコン酸化膜とを
選択的にエッチングする選択的エッチング液を用いた半
導体装置の製造方法であって、ＮＨ４ＦのＨＣlに対す
るモル比が１以上となるように調製した選択的エッチン
グ液を用いて、Ｓrを含むチタン酸化膜上に堆積された
シリコン酸化膜をエッチングすることを特徴とする半導
体装置の製造方法。 - 【請求項４】 ＨＣl，ＮＨ４Ｆ及びＨ２Ｏの混合液か
らなり、Ｓrを含むチタン酸化膜とシリコン酸化膜とを
選択的にエッチングする選択的エッチング液を用いた半
導体装置の製造方法であって、ＮＨ４ＦとＨＣlのモル
濃度が等しくなるように調製した選択的エッチング液を
用いて、Ｓrを含むチタン酸化膜とシリコン酸化膜の積
層膜をエッチングすることを特徴とする半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19117997A JP3337622B2 (ja) | 1997-07-16 | 1997-07-16 | 選択的エッチング液及びそのエッチング液を用いた半導体装置の製造方法 |
| CNB981028764A CN1155061C (zh) | 1997-07-16 | 1998-07-16 | 腐蚀剂及使用其制做半导体装置的方法 |
| US09/484,473 US6620738B2 (en) | 1997-07-16 | 2000-01-18 | Etchant and method for fabricating a semiconductor device using the same |
| US10/293,154 US20030089880A1 (en) | 1997-07-16 | 2002-11-13 | Etchant and method for fabricating a semiconductor device using the same |
| US10/686,893 US20040077168A1 (en) | 1997-07-16 | 2003-10-16 | Etchant and method for fabricating a semiconductor device using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19117997A JP3337622B2 (ja) | 1997-07-16 | 1997-07-16 | 選択的エッチング液及びそのエッチング液を用いた半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1140550A JPH1140550A (ja) | 1999-02-12 |
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