JP3344028B2 - 磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は磁気記録再生装置等に用
いられる磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】従来ディスク装置の高性能化に伴い、そ
れに用いる薄膜磁気ヘッドにも種々の高性能化が要求さ
れている。その一環として、磁気抵抗効果型ヘッドの利
用がある。磁気抵抗効果型ヘッドは出力が周速に依存し
ないため、小径ディスク装置の容量増加に多大な効果を
与えるが、実用上はまだ多くの技術的課題を有してい
る。特に磁気抵抗効果型ヘッドの利点が大きく発揮され
る狭トラックヘッドに関して、磁気抵抗効果素子部から
電極を取り出すリード層の形状及びその製造方法におい
て大きな課題がある。

【０００３】以下、従来の磁気抵抗効果型ヘッドの製造
方法を用いて製造したハードディスクドライブ用の薄膜
磁気ヘッドの構成を、図４、図５を参照して説明する。
図４は従来の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法を用いて
製造した薄膜磁気ヘッドを示す斜視図、図５は図４のＡ
部の部分拡大断面図である。磁気抵抗効果型ヘッドは再
生専用のヘッドであり、通常の記録動作用のインダクテ
ィブヘッドと一体化された形で使用されるので、以下記
録ヘッドも含めて説明する。薄膜磁気ヘッドはセラミッ
ク基板上に薄膜形成技術を用いて素子を形成し、図４の
ような磁気ディスク装置用のスライダー１とした状態で
使用し、薄膜磁気ヘッドを装置に搭載する時は浮上レー
ル２に対して裏面側に平行にジンバルを接着して磁気ヘ
ッドアセンブリ状態として用いる。この浮上レール２は
用途に応じて種々の形態をとり、機械加工やイオンビー
ムエッチング等により２〜３本形成される。図４は機械
加工で３本の浮上レール２を形成した場合を示してい
る。薄膜磁気ヘッドは図４のスライダー１の手前側、動
作時には媒体の回転方向に対して後端面に形成されてお
り、図４中、３が上部絶縁層、４は上部磁性層、５が後
工程でワイヤーをボンディングするためのパッド部であ
る。

【０００４】ここでパッド部５が各々４ヶ所ずつあるの
は記録部及び再生部に少なくとも２ヶ所ずつの端子が必
要であるからである。

【０００５】次に図５を用いて、従来の磁気抵抗効果型
ヘッドの製造方法を説明する。まずスパッタ法により形
成したアルミナ等の絶縁物７で被覆されたセラミックか
らなる基板６上に、電気メッキ法あるいはスパッタ法に
よりパーマロイ、センダストあるいは鉄系の合金材料に
より下部シールド層８を形成し、次にスパッタ法により
アルミナ等の絶縁材料からなる下部シールドギャップ層
９を形成し、さらにその上に磁気抵抗効果素子部１０を
順次積層する。この磁気抵抗効果素子部１０は図５中単
層で示しているが、磁気抵抗効果素子部１０を駆動する
際のバイアス方式によって、２〜４層構成となることも
ある。

【０００６】次に金等の抵抗材料及び金とその上下各層
の密着力を強化するためのクロム、チタン、タンタル等
の密着強化層を用いてリード層１１を形成し、アルミナ
等の絶縁材料により上部シールドギャップ層１２を形成
し、電気メッキ法あるいはスパッタ法で形成したパーマ
ロイや鉄系合金を用いて上部シールド層１３を順次積層
して再生ヘッド部の作成が終了する。

【０００７】次に記録ヘッド部について、まず上部シー
ルド層１３上に記録部の下部磁性層１４を電気メッキ法
等により形成する。なお上部シールド層１３と下部磁性
層１４の磁気的結合を防止するため、この２層の間にア
ルミナ等の絶縁材料からなる分離層を入れる場合もあ
る。次に記録部のギャップ層１５を積層した後、図示し
ていないノボラック系あるいはポリイミド系等の樹脂か
らなる下部絶縁層、電気メッキ法等により形成した下部
コイル層、下部絶縁像と同様に上部絶縁層を順次積層
し、電気メッキ法等により上部磁性層１６を積層し、最
後にアルミナ等の保護層１７で保護した形とする。

【０００８】図６は図５の磁気抵抗効果素子部を模式的
に示した部分拡大平面図、図７は図６の磁気抵抗効果素
子部のＢ−Ｂ断面図である。磁気抵抗効果素子部１０は
磁束応答型再生ヘッドであるため、媒体の速度に依存し
ない再生出力が得られるが、その出力は磁気抵抗効果素
子部１０の高さＨが低いほど、薄厚ｔが薄いほど大きく
なる。通常リード層１１の幅Ｌ及び薄厚Ｔは、磁気抵抗
効果素子部１０の高さ（幅）Ｈ及び薄厚ｔより大きく、
Ｌが数十μｍ、Ｔが１０００〜２０００Åに対してＨが
１〜３μｍ、ｔがバイアス層を含めて５００〜１０００
Åである。磁気抵抗効果型ヘッドのうち、構造上最も電
気抵抗が大きい領域は磁気抵抗効果素子部１０である。

【０００９】次に媒体対向面から見た磁気抵抗効果素子
部１０とリード層１１の接合部を図７を参照しながら説
明する。さて、リード層１１の端面の形状は理想的には
磁気抵抗効果素子部１０に対して直角であることがよい
が、形成プロセスにおいて下層に位置する磁性抵抗効果
素子部１０にダメージを与えたくないとか、磁気抵抗効
果素子部１０と上部シールド層１３との間隔を狭くした
い等の理由から、リード層１１は通常、リフトオフ法を
用いて作成される。リフトオフ法はフォトレジスト等に
よりパターンを形成した後、スパッタや蒸着法により膜
を付着し、フォトレジスト等のパターン上に付着した膜
をフォトレジスト等と同時に除去して必要とする材料の
パターンを得る方法であるため以下の性質がある。即
ち、図８に示すように、スパッタや蒸着法によりある直
立したパターン１８の近傍に膜をつけようとする場合、
パターン１８の近傍への粒子の付着確率が減少するた
め、膜厚はパターン１８に近づくにつれて徐々に減少す
る。この傾向はパターンの高さＵが高い程顕著となり、
一定膜厚になるまでの幅Ｓも大きくなっていく。上記の
理由から、図７に示したようにリード層１１の端面の断
面形状は、磁気抵抗効果素子部１０に対して鋭角であっ
て、磁気抵抗効果素子部１０との接合点Ｃから一定膜厚
になる位置までの幅Ｓの間徐々に膜厚が変化することと
なる。ここで、磁気抵抗効果素子部１０の再生トラック
幅は、リード層１１と磁気抵抗効果素子部１０の接合点
Ｃとの間の距離Ｔ．Ｗ．で規定されるが、このような形
状のリード層１１の端面ではリード層１１と磁気抵抗効
果素子部１０が接合していても、磁気抵抗効果素子部１
０の抵抗に比べてリード層１１の抵抗があまり小さくな
い領域が幅Ｓの間に存在する。そのような領域の磁気抵
抗効果素子部１０は外部磁界による抵抗変化を、リード
層１１の端子間の電圧の変化としてしまうため、実効的
には再生トラック幅が広くなってしまう。この際、磁気
抵抗変化は、リード層１１と磁気抵抗効果素子部１０の
接合部において、リード層１１が厚くなる方向でリード
端子間の電圧変化に寄与する抵抗変化が徐々に減少する
ため、再生トラック幅の終点がぼやけてしまい、磁気抵
抗効果型ヘッド駆動時のオフトラック特性が劣化すると
いう問題点を生じる。また、徐々にリード層１１の膜厚
が薄くなる領域（幅Ｓ）は当然抵抗が高くなってしま
う。元来磁気抵抗効果素子部１０の電気抵抗は高いが、
再生出力を向上するため、磁気抵抗効果素子部１０の高
さＨを低くしたり、膜厚ｔを薄くしたりすると、磁気抵
抗効果素子部１０の電気抵抗が増々増加するためこの影
響が顕著となる。磁気抵抗効果型ヘッドを駆動する際
は、磁気抵抗効果素子部１０に一定の直流電流を流す
が、磁気抵抗効果素子部１０の電気抵抗が増加するとそ
の磁気抵抗効果素子部１０の温度は抵抗値の２乗と電流
値の積に比例して増加するため、素子抵抗の増加に伴い
磁気抵抗効果素子部１０の温度が急激に上昇する。その
ため磁気抵抗効果素子部１０の温度の上昇に伴って、再
生信号への熱ノイズの影響が顕著となると共に、交換バ
イアスを用いる際は、反強磁性膜が熱的に不安定なた
め、そのバイアスの不安定さを招きバルクハウゼンノイ
ズを発生させるという問題を生ずる。上記の問題は、幅
Ｓが広いほどさらにトラック幅が狭くなるほど深刻にな
る。従って所望の実効的な再生トラック幅及び安定した
低抵抗の磁気抵抗効果素子部１０を得るためには幅Ｓを
極力狭くする必要がある。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】幅Ｓを狭くするために
は図８で示したリフトオフ材料の膜厚を薄くすることが
考えられるが、この手段によると、以下の問題点があ
る。

【００１１】まず、下部シールド層８、下部シールドギ
ャップ層９及び磁気抵抗効果素子部１０を形成した後、
図９（ａ）のごとくリード層１１をリフトオフするため
のフォトレジストパターン１９を形成する。ここで、フ
ォトレジストの粘度および塗布時の基板回転数を調整す
ることにより、リードパターンを形成する領域に必要と
するフォトレジスト膜厚Ｖを得ることができるが、下層
で形成される段差、特に下部シールド層８で形成された
段差の影響によりその近傍にはフォトレジストが充分塗
布され得ない領域Ｗが発生する。これは、膜厚の大小関
係及び段差近傍の粘性流体の性質から決まってしまう問
題であり、現状の下部シールド層８は２μｍ前後、フォ
トレジスト膜厚Ｖは１μｍ以下という組合せにおいて
は、上記の問題が極めて発生しやすい。このようにして
形成したフォトレジストパターン１９を用い、図９
（ｂ）にて蒸着やスパッタによる膜２０を形成し、図９
（ｃ）にてリフトオフを行うと、フォトレジストパター
ン１９が塗布されていなかった下部シールド層８にて形
成された段差近傍に膜残り２１ができてしまう。この膜
残り２１は下部シールド層８のパターン端部全周にわた
って発生するため、この膜残り２１によりリード層１１
の両端子間のショート、あるいはその上層の上部シール
ド層１３とリード層１１の間のショートまたは絶縁不良
が生じ、また磁気抵抗効果素子部１０と同一面に露出し
た場合には信頼性の劣化を招く。さらに、膜残り２１が
著しい場合はリフトオフ不能となり磁気抵抗効果素子部
１０としての機能を果たさないものとなってしまう。

【００１２】本発明は、上述した問題点に鑑み、特性、
信頼性に優れた磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法を提供
することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は、下部シールド
層の周囲をほぼ平坦にした上で、磁気抵抗効果素子部及
びリード層を形成するものである。

【００１４】

【作用】上記手段により、下部シールド層の周囲を平坦
にすることにより、膜残りをなくし、安定した実効再生
トラック幅及び低い抵抗を有する磁気抵抗効果型ヘッド
を得るため製造上必要な、リード層形成用の薄いフォト
レジストパターンを形成することができる。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に加工
前下部シールド層を形成し、加工前下部シールド層の上
に加工前ギャップ層を形成し、加工前ギャップ層の上に
磁気抵抗効果素子部を形成し、磁気抵抗効果素子部上と
加工前ギャップ層上であって磁気抵抗効果素子部の両側
方に間隔を開けて第１のマスクを形成し、第１のマスク
を介して導電膜を積層させて第１のマスクを取り除くこ
とで磁気抵抗効果素子部及び加工前ギャップ層上にリー
ド層を形成し、リード層を形成した後の工程において、
加工前ギャップ層及び加工前下部シールド層を所定の形
状となるように加工する第２のマスクを形成し、第２の
マスクを介してエッチングすることで、加工前ギャップ
層と加工前下部シールド層を所定形状に加工してギャッ
プ層及び下部シールド層を形成する。

【００１６】（実施例１）図１（ａ）〜（ｅ）は本発明
の第１の実施例における磁気抵抗効果型ヘッドの製造方
法のリード層形成時の製造工程図であり、これは磁気抵
抗効果素子部１０付近を媒体対向面からみて拡大断面と
して示している。

【００１７】まず図１（ａ）にて、スパッタ法により形
成したアルミナ等の絶縁物７で被覆されたセラミックか
らなる基板６上に電気メッキ法あるいはスパッタ法によ
りほぼ基板６全体あるいは所望の形状より大きくパーマ
ロイ、センダストあるいは鉄系の合金材料により下部シ
ールド層８を形成する。ここで、磁気抵抗効果型ヘッド
を磁気ヘッドスライダ形状に加工する際、加工に用いる
マーカは通常磁気抵抗効果素子部１０を利用するため、
後に下部シールド層８を所望の形状に加工する際ダメー
ジを受けないように、加工マーカを形成する領域には下
部シールド層８を残さないようにする。同様に他の層を
形成する際に用いるフォトマスク重ね合わせマーカに関
しても、同じ理由から形成領域に下部シールド層８を残
さないようにする必要がある。

【００１８】次にスパッタ法により形成したアルミナ等
の絶縁材料からなる下部シールドギャップ層９を形成
し、さらにその上に磁気抵抗効果素子部１０を順次積層
する。この磁気抵抗効果素子部１０は図中では単層で示
しているが磁気抵抗効果素子部１０を駆動する際のバイ
アス方式によって、２〜４層構成となることは上述の通
りである。

【００１９】次に図１（ｂ）にてリード層１１形成用の
リフトオフ用のフォトレジストパターン１９を薄く形成
する。このフォトレジストパターン１９は１μｍ以下で
リード層の膜厚より厚い範囲で形成する。リフトオフを
簡易に行うためにはフォトレジストパターン１９は逆テ
ーパ形状となっていることが望ましく、かつパターン制
御を高精度に行う必要があるため、通常このレジストに
はノボラック系樹脂からなるイメージリバーサルレジス
トを用いる。同じ目的で通常のノボラック系樹脂からな
るポジ型レジストをアミン系の溶媒で処理してパターン
を反転させたり、モノクロルベンゼン等の溶剤で表面処
理をして表層の現像速度を低下してオーバーハング形状
を作成してもよい。また逆テーパ形状を形成するという
点からは、環化ゴム系等のネガ型レジストを用いること
もできる。さらには後のリード層１１の形成を蒸着を用
いて行うという前提で、垂直に近いパターン断面を得ら
れれば通常のポジ型レジストをそのまま用いることもで
きる。上記のように下部シールド層８がほぼ基板６の全
面にわたって存在しているため、従来のように下部シー
ルド層８の段差の影響で薄いフォトレジストパターン１
９が極端に薄くなったり、レジストがつかないといった
領域が、必要なパターンを形成する領域の近傍になく、
後にリード層１１を形成する際に発生していた従来の問
題を回避することができる。

【００２０】次に図１（ｃ）にて金等の低抵抗材料を用
いて形成するリード層１１、２０をスパッタや蒸着法等
により基板６の全体に付着する。金の付着力を向上する
ため金の上下にチタン、クロム、タンタルあるいはタン
グステン等の材料を同時に付着形成し、図１（ｄ）にて
リフトオフを行い、フォトレジストパターン１９及び不
要部のリード材料を同時に除去し、リード層１１の形成
を終了する。このリフトオフの際は不要なリード材料は
完全に除去されるため、リード層１１の両端子間のショ
ート、リード層１１と後に形成する上部シールド層１３
とのショートまたは絶縁不良が発生することはない。

【００２１】次に図１（ｅ）にて下部シールド層８を必
要な形状に加工するため、フォトレジストパターンを形
成した後イオンミリング等のエッチング加工を行う。磁
気抵抗効果型ヘッドを形成する領域からかなり離れた位
置に膜残りが発生していたとしても、上記エッチング加
工の際に全て除去することが可能である。上記のように
下部シールド層８を所望の形状に加工した後、図示はし
ていないが、アルミナ等の絶縁材料により形成した上部
シールドギャップ層１２、電気メッキ法あるいはスパッ
タ法で形成したパーマロイや鉄系合金を用いて形成した
上部シールド層１３を順次積層して再生ヘッド部の作成
が終了する。交換バイアスあるいはハードバイアスを利
用する場合は磁気抵抗効果素子部１０に直接接触する形
に磁気抵抗効果素子部１０の上、あるいはリード層１１
の最下部に鉄とマンガンの合金あるいはコバルト系の合
金を用いて形成する。次に記録部の作成を行うが、これ
は従来例と同様であるため説明は省略する。

【００２２】上記のようにして形成した磁気抵抗効果型
ヘッドはリード層１１と磁気抵抗効果素子部１０の接合
部においてリード層１１が徐々に薄くなる幅を狭くし、
かつ膜残りをなくすことができるため、安定した実効再
生トラック幅及び低い素子抵抗を有し、簡易な製造方法
で信頼性の高いものとなる。

【００２３】以上本実施例はリード層１１を形成後、下
部シールド層８を所望の形状に加工する例を示したが、
本発明の主旨によればリード層１１を形成以後でありか
つ製造上支障がなければ、下部シールド層８の加工はい
つであってもよい。例えば、上部シールドギャップ層１
２の形成後に加工することも可能である。

【００２４】（実施例２）図２（ａ）〜（ｄ）は本発明
の第２の実施例における磁気抵抗効果型ヘッドの製造方
法のリード層形成時の製造工程図である。

【００２５】まず図２（ａ）にてスパッタ法により形成
したアルミナ等の絶縁物７で被覆されたセラミックの基
板６上に、電気メッキ法あるいはスパッタ法により基板
６の全体にパーマロイ、センダストあるいは鉄系の合金
材料により下部シールド層８を形成し、イオンビームエ
ッチング等により所望の形状に加工する。

【００２６】次に図２（ｂ）のように下部シールド層８
以外の領域をアルミナ等の絶縁物２２で覆い、下部シー
ルド層８と同一平面をつくり、下部シールド層８を埋め
込んだ形とする。この形は、下部シールド層８と同等以
上にアルミナ等の絶縁物をスパッタ法により基板６の全
面に付着した後、機械研磨により平坦にする方法、下部
シールド層８上に付着したアルミナをイオンビームエッ
チングにより除去する方法、アルミナを付着する前に下
部シールド層８と同等のフォトレジストパターンを形成
しておきアルミナスパッタ後アルミナをリフトオフ法に
より除去する方法等、種々の方法をとることができる。
上記のように下部シールド層８を絶縁物２２でフラット
に埋め込むことにより、下部シールド層８の段差をほぼ
なくすことができるので、後の工程では工夫することな
く、下部シールドギャップ層９、磁気抵抗効果素子部１
０、リード層１１を順次積層することができる。下部シ
ールド層８の段差がないため、図２（ｃ）のごとく簡単
にリード層１１のフォトレジストパターンを薄くするこ
とができ、かつ膜残りのないリフトオフを実現すること
ができる（図２（ｄ））。下部シールド層８の形成方法
以外はリード層１１の形成方法を含めて（実施例１）と
同様である。効果も同様であるが、本実施例では下部シ
ールド層８の段差がほとんど発生しないため、特に膜残
りが全く生じない安定した製造方法を得ることができ
る。また本実施例によれば、下部シールド層８をリード
層１１よりも小さい形状とするような設計上の寸法変更
も容易に可能となる。

【００２７】（実施例３）図３（ａ）〜（ｃ）は本発明
の第３の実施例における磁気抵抗効果型ヘッドの製造方
法のリード層形成時の製造工程図である。

【００２８】まず図３（ａ）にて基板６上にアルミナ等
の絶縁物７をスパッタ法により形成する。膜厚は通常の
膜厚に下部シールド層８の膜厚を付加した膜厚かそれよ
りやや厚い膜厚とする。次に図３（ｂ）にてイオンビー
ムエッチング等によりアルミナ等の絶縁物７に所望の下
部シールド層８と同一の形状の凹部２３を形成する。次
に図３（ｃ）にて電気メッキ法あるいはスパッタ法によ
りほぼ基板６全体にパーマロイ、センダストあるいは鉄
系の合金材料により下部シールド層８を形成した後、機
械研磨等により基板６の表面全体を平坦化加工する。以
下（実施例２）と同様に、図２（ｃ）〜（ｄ）に示すよ
うに各層を形成すれば同様の効果が得られる。

【００２９】

【発明の効果】以上のように本発明は、基板上に加工前
下部シールド層を形成し、加工前下部シールド層の上に
加工前ギャップ層を形成し、加工前ギャップ層の上に磁
気抵抗効果素子部を形成し、磁気抵抗効果素子部上と加
工前ギャップ層上であって磁気抵抗効果素子部の両側方
に間隔を開けて第１のマスクを形成し、第１のマスクを
介して導電膜を積層させて第１のマスクを取り除くこと
で磁気抵抗効果素子部及び加工前ギャップ層上にリード
層を形成し、リード層を形成した後の工程において、加
工前ギャップ層及び加工前下部シールド層を所定の形状
となるように加工する第２のマスクを形成し、第２のマ
スクを介してエッチングすることで、加工前ギャップ層
と加工前下部シールド層を所定形状に加工してギャップ
層及び下部シールド層を形成しているので、リード層と
磁気抵抗効果素子部の接合部においてリード層が徐々に
薄くなる幅を狭くし、かつ膜残りをなくすことができる
ため、安定した実効再生トラック幅及び低い素子抵抗を
有し、簡易な製造方法で信頼性の高い磁気抵抗効果型ヘ
ッドを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は本発明の第１の実施例における磁気抵
抗効果型ヘッドの製造方法のリード層形成時の製造工程
図 （ｂ）は本発明の第１の実施例における磁気抵抗効果型
ヘッドの製造方法のリード層形成時の製造工程図 （ｃ）は本発明の第１の実施例における磁気抵抗効果型
ヘッドの製造方法のリード層形成時の製造工程図 （ｄ）は本発明の第１の実施例における磁気抵抗効果型
ヘッドの製造方法のリード層形成時の製造工程図 （ｅ）は本発明の第１の実施例における磁気抵抗効果型
ヘッドの製造方法のリード層形成時の製造工程図

【図２】（ａ）は本発明の第２の実施例における磁気抵
抗効果型ヘッドの製造方法のリード層形成時の製造工程
図 （ｂ）は本発明の第２の実施例における磁気抵抗効果型
ヘッドの製造方法のリード層形成時の製造工程図 （ｃ）は本発明の第２の実施例における磁気抵抗効果型
ヘッドの製造方法のリード層形成時の製造工程図 （ｄ）は本発明の第２の実施例における磁気抵抗効果型
ヘッドの製造方法のリード層形成時の製造工程図

【図３】（ａ）は本発明の第３の実施例における磁気抵
抗効果型ヘッドの製造方法のリード層形成時の製造工程
図 （ｂ）は本発明の第３の実施例における磁気抵抗効果型
ヘッドの製造方法のリード層形成時の製造工程図 （ｃ）は本発明の第３の実施例における磁気抵抗効果型
ヘッドの製造方法のリード層形成時の製造工程図

【図４】従来の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法を用い
て製造した薄膜磁気ヘッドを示す斜視図

【図５】図４のＡ部の部分拡大断面図

【図６】図５の磁気抵抗効果素子部を模式的に示した部
分拡大平面図

【図７】図６の磁気抵抗効果素子部のＢ−Ｂ断面図

【図８】従来の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法のリー
ド層形成時の製造工程図

【図９】（ａ）は従来の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方
法のリード層形成時の製造工程図 （ｂ）は従来の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法のリー
ド層形成時の製造工程図 （ｃ）は従来の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法のリー
ド層形成時の製造工程図

【符号の説明】

８ 下部シールド層 １０ 磁気抵抗効果素子部 １１ リード層 １３ 上部シールド層 １５ ギャップ層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉中 秀樹 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平５−143940（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 5/39 G11B 5/31

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板上に加工前下部シールド層を形成し、
   前記加工前下部シールド層の上に加工前ギャップ層を形
   成し、前記加工前ギャップ層の上に磁気抵抗効果素子部
   を形成し、前記磁気抵抗効果素子部上と前記加工前ギャ
   ップ層上であって前記磁気抵抗効果素子部の両側方に間
   隔を開けて第１のマスクを形成し、前記第１のマスクを
   介して導電膜を積層させて前記第１のマスクを取り除く
   ことで前記磁気抵抗効果素子部及び前記加工前ギャップ
   層上にリード層を形成し、前記リード層を形成した後の
   工程において、前記加工前ギャップ層及び前記加工前下
   部シールド層を所定の形状となるように加工する第２の
   マスクを形成し、前記第２のマスクを介してエッチング
   することで、前記加工前ギャップ層と前記加工前下部シ
   ールド層を所定形状に加工してギャップ層及び下部シー
   ルド層を形成することを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッ
   ドの製造方法。