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JP3344086B2 - Ion implanter - Google Patents
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JP3344086B2 - Ion implanter - Google Patents

Ion implanter

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JP3344086B2
JP3344086B2 JP14348994A JP14348994A JP3344086B2 JP 3344086 B2 JP3344086 B2 JP 3344086B2 JP 14348994 A JP14348994 A JP 14348994A JP 14348994 A JP14348994 A JP 14348994A JP 3344086 B2 JP3344086 B2 JP 3344086B2
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center
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貴雄 松本
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、設定された注入条件に
従ってビームの立上げをフルオートで行うイオン注入装
置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an ion implanter for starting a beam in a fully automatic manner according to set implantation conditions.

【0002】[0002]

【従来の技術】イオン注入装置は、拡散したい不純物を
イオン源でイオン化し、該イオン源から強電界によって
イオンを引き出してビームを形成した後、磁場を用いた
質量分析法により所望のイオンのみを選択的に取り出
し、この後、必要によってイオンビームの加速、整形、
偏向、走査等を行ってイオン照射対象物に照射すること
で、イオン照射対象物内に不純物を注入するものであ
り、半導体プロセスにおいてデバイスの特性を決定する
不純物を任意の量および深さに制御性良く注入できるこ
とから、現在の集積回路の製造に重要な装置になってい
る。
2. Description of the Related Art In an ion implantation apparatus, an impurity to be diffused is ionized by an ion source, ions are extracted from the ion source by a strong electric field to form a beam, and then only desired ions are subjected to mass spectrometry using a magnetic field. Selective extraction, then ion beam acceleration, shaping,
Impurities are implanted into the ion irradiation target by irradiating the ion irradiation target by performing deflection, scanning, etc., and the impurities that determine device characteristics in the semiconductor process are controlled to an arbitrary amount and depth. The ability to implant well has made it an important device in current integrated circuit manufacturing.

【0003】上記イオン注入装置には、イオンの質量数
(マス値)、ビーム電流、ビームエネルギーといった注
入条件を入力するだけで、コントローラが装置各部の動
作を制御してフルオートでビーム立上げを行うものがあ
る。
In the above-described ion implantation apparatus, a controller controls the operation of each part of the apparatus by fully inputting the implantation conditions such as the mass number (mass value) of the ions, the beam current, and the beam energy. There is something to do.

【0004】上記イオン注入装置のコントローラは、幾
つかの注入条件およびそれに対応する各種パラメータの
最適値が予め登録されたデータテーブルをマス値毎に有
しており、注入条件が与えられれば、通常、以下のよう
にしてビーム立上げ処理が実施される。
The controller of the ion implantation apparatus has a data table in which several implantation conditions and optimum values of various parameters corresponding to the implantation conditions are registered in advance for each mass value. The beam start-up process is performed as follows.

【0005】先ず、コントローラは、データテーブルか
ら、設定された注入条件に対する各種パラメータの初期
値を近似的に求める。
First, the controller approximately obtains initial values of various parameters for the set injection conditions from the data table.

【0006】次に、コントローラは、上記で得られた各
種パラメータの初期値に基づいてイオン源を制御し、イ
オン種をプラズマ化してイオンビームの引き出しを可能
にし、この後、引出電源を投入してイオン源と引出電極
との間に高電圧を印加し、イオン源からイオンを引き出
してビームを形成する。
Next, the controller controls the ion source based on the initial values of the various parameters obtained above, converts the ion species into plasma, enables extraction of the ion beam, and then turns on the extraction power supply. A high voltage is applied between the ion source and the extraction electrode to extract ions from the ion source and form a beam.

【0007】次に、コントローラは、加速電圧が初期値
になるように加速電源を制御し、ビームエネルギーを設
定する。さらに、コントローラは、質量分析部に与えら
れる分析マグネット電流を調整し、所望のイオンのみを
選択的に取り出すマスサーチを行う。
Next, the controller controls the acceleration power supply so that the acceleration voltage becomes the initial value, and sets the beam energy. Further, the controller adjusts an analysis magnet current supplied to the mass spectrometer and performs a mass search for selectively extracting only desired ions.

【0008】上記マスサーチ終了後、コントローラは、
図10のフローチャートに示すシーケンスでビーム電流
調整を行う。先ず、イオン種がBF3 等のガスイオン種
なのか、それともベーパライザを用いて蒸発させる必要
がある金属ヒ素等の固体イオン種なのかを判断し(S5
1)、ガスイオン種であればイオン源に供給されるガス
流量の制御を行う(S52)。次に、イオン源に関する
各種パラメータを調整するビームセットアップ処理を行
う(S53)。このビームセットアップ処理とは、フリ
ーマン型イオン源の場合、「アーク電流」、「フィラメ
ント電流」、「ソースマグネット電流」、「ガス流量」
等のパラメータを調整することであり、また、ECR
(Electron Cyclotron Resonance)イオン源等のマイク
ロ波型イオン源の場合、「ソースマグネット電流」、
「マイクロ波パワー」、「ガス流量」等のパラメータを
調整することである。コントローラは、注入室に設けら
れたビーム電流測定部にて測定されるビーム電流(いわ
ゆるターゲット電流)を監視しながら、ビーム電流の測
定値が設定値に近づくように、上記の各種パラメータを
調整する。
After the above mass search is completed, the controller
Beam current adjustment is performed in the sequence shown in the flowchart of FIG. First, it is determined whether the ion species is a gas ion species such as BF 3 or a solid ion species such as metal arsenic which needs to be evaporated using a vaporizer (S5).
1) If the gas ion species, control the flow rate of the gas supplied to the ion source (S52). Next, a beam setup process for adjusting various parameters related to the ion source is performed (S53). In the case of a Freeman-type ion source, this beam setup processing means “arc current”, “filament current”, “source magnet current”, “gas flow rate”
And adjusting the parameters such as ECR
(Electron Cyclotron Resonance) In the case of a microwave ion source such as an ion source, the "source magnet current"
This is to adjust parameters such as "microwave power" and "gas flow rate". The controller adjusts the above-mentioned various parameters so that the measured value of the beam current approaches the set value while monitoring the beam current (the so-called target current) measured by the beam current measuring unit provided in the injection chamber. .

【0009】上記のビームセットアップ処理によってビ
ーム電流が設定値に対して±10%の範囲(予め定めら
れた範囲)に入れば(S54)、引出電極の位置を調整
する引出電極制御を行う(S55)。図11に示すよう
に、引出電極51は、イオン源のプラズマチャンバ52
のビーム引出孔52aと対向して設けられており、図示
しない電極駆動機構に駆動されて矢印A方向および矢印
B方向に直線的に移動すると共に矢印C方向に回動す
る。もし、引出電極51のビーム通過孔51aとプラズ
マチャンバ52のビーム引出孔52aとがA方向にずれ
ていると、ビーム引出孔52aから引き出されたイオン
ビームが多量に引出電極51の電極面にあたってビーム
通過孔51aを通過するビームが減少してしまう。この
ような引出電極51のずれが生じていると、他のパラメ
ータを調整しても目的のビーム電流を得ることは困難で
ある。このため、従来では、ビーム電流が設定値に対し
て±10%の範囲に入った時点で、必ず、引出電極制御
を行うようになっている。
If the beam current falls within a range of ± 10% of the set value (predetermined range) by the above-described beam setup processing (S54), extraction electrode control for adjusting the position of the extraction electrode is performed (S55). ). As shown in FIG. 11, the extraction electrode 51 is connected to a plasma chamber 52 of an ion source.
And is linearly moved in the direction of arrow A and arrow B by being driven by an electrode driving mechanism (not shown), and is turned in the direction of arrow C. If the beam passage hole 51a of the extraction electrode 51 and the beam extraction hole 52a of the plasma chamber 52 are displaced in the direction A, a large amount of the ion beam extracted from the beam extraction hole 52a hits the electrode surface of the extraction electrode 51. The beam passing through the passage hole 51a is reduced. If such a displacement of the extraction electrode 51 occurs, it is difficult to obtain a target beam current even if other parameters are adjusted. For this reason, conventionally, the extraction electrode control is always performed when the beam current enters a range of ± 10% with respect to the set value.

【0010】上記の引出電極制御によって引出電極の位
置が変化すると、その下流にある質量分析部へ進入する
イオンビームの入射角度も変化するので、質量分析部の
分析管内の磁場強度(磁束密度)を微調整する必要があ
る。そこで、引出電極制御の後、分析マグネット電流を
微調整するマス追従制御を行う(図10中のS56)。
When the position of the extraction electrode changes due to the above-described extraction electrode control, the incident angle of the ion beam entering the mass analysis unit located downstream thereof also changes, so that the magnetic field intensity (magnetic flux density) in the analysis tube of the mass analysis unit is changed. Need to be fine-tuned. Therefore, after the extraction electrode control, mass tracking control for finely adjusting the analysis magnet current is performed (S56 in FIG. 10).

【0011】この後、ビーム電流が設定値に対して±3
%の範囲(予め定められた範囲)に入るまで、上述のビ
ームセットアップ処理を実行し(S58)、ビーム電流
が上記の適正範囲に入れば(S57においてYES)、
ビーム監視動作に移行する(S59)。このビーム監視
動作とは、予め定められた時間、ビーム電流を監視して
ビームの安定性を確認するものである。
Thereafter, the beam current is set to ± 3 with respect to the set value.
The above-described beam setup process is executed until the beam current falls within the range (predetermined range) (S58). If the beam current falls within the appropriate range (YES in S57),
The process proceeds to the beam monitoring operation (S59). This beam monitoring operation is to monitor the beam current for a predetermined time to confirm the stability of the beam.

【0012】以上の処理により、装置立上げモードが完
了し、次の注入処理モードに移行する。
With the above processing, the apparatus start-up mode is completed, and the process shifts to the next injection processing mode.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】上記の引出電極制御や
マス追従制御は、フルオートビーム立上げ動作の中でも
かなり時間のかかる制御であり、これらの制御に長時間
を要するため、ビーム電流調整の実行時間が長くなり、
ビームの立上げ時間が長くなっている。
The above-described extraction electrode control and mass follow-up control are quite time-consuming controls in the full-automatic beam start-up operation. Since these controls take a long time, the beam current adjustment must be performed. The execution time will be longer,
Beam start-up time is longer.

【0014】従来のイオン注入装置では、引出電極制御
やマス追従制御の実行の必要性を判断する判断基準がな
いため、ビーム電流調整の際、必ず、引出電極制御およ
びマス追従制御を行っている。即ち、従来では、引出電
極制御やマス追従制御を実行する必要がない状態でも、
その状態を認識できないために不必要な制御を行うこと
になり、毎回、ビーム立上げ時のビーム電流調整に長時
間を要するという問題がある。
In the conventional ion implantation apparatus, since there is no criterion for judging the necessity of executing the extraction electrode control and the mass tracking control, the extraction electrode control and the mass tracking control are always performed when adjusting the beam current. . That is, conventionally, even in a state where it is not necessary to execute the extraction electrode control and the mass following control,
Unnecessary control is performed because the state cannot be recognized, and there is a problem that it takes a long time to adjust the beam current at the time of starting the beam every time.

【0015】本発明は、上記に鑑みなされたものであ
り、その目的は、ビーム電流調整時間の短縮化を図るこ
とができるイオン注入装置を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to provide an ion implantation apparatus capable of shortening a beam current adjustment time.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】本発明のイオン注入装置
は、イオンを生成するイオン源に形成されたビーム引出
孔と対向して配され、該ビーム引出孔からイオンを引き
出すための引出電極と、上記引出電極のイオン源に対す
る位置を変える引出電極駆動手段と、上記引出電極に形
成されたビーム通過孔を通過したイオンビームから、磁
場を用いた質量分析法により特定の質量のイオンのみを
選択的に取り出す質量分析手段と、上記質量分析手段を
通過してターゲットに到達するイオンビームの電流が、
設定値になるように各種パラメータを制御してビーム電
流調整を行うビーム電流調整手段とを備えているもので
あって、上記の課題を解決するために、以下の手段が講
じられていることを特徴とするものである。
According to the present invention, there is provided an ion implantation apparatus which is disposed opposite to a beam extraction hole formed in an ion source for generating ions, and includes an extraction electrode for extracting ions from the beam extraction hole. Extracting electrode driving means for changing the position of the extracting electrode with respect to the ion source, and selecting only ions of a specific mass by a mass spectrometry using a magnetic field from an ion beam passing through a beam passage hole formed in the extracting electrode. Mass extraction means, and the current of the ion beam reaching the target through the mass analysis means,
Beam current adjusting means for controlling various parameters so as to be set values and performing beam current adjustment, and in order to solve the above-mentioned problems, the following means are taken. It is a feature.

【0017】即ち、上記イオン注入装置は、ターゲット
に到達するイオンビームの重心位置を検出するビーム重
心位置検出手段と、イオン源から引き出されたイオンビ
ームが上記引出電極の電極面にあたって発生するロス電
流を検出するロス電流検出手段とを備えている。そし
て、上記ビーム電流調整手段は、上記イオンビームの重
心位置が予め定められた適正範囲内にあるか否かを判断
する重心位置ずれ判断手段と、上記ロス電流が予め定め
られた適正範囲内にあるか否かを判断し、適正範囲から
外れているとき引出電極のイオン源に対する位置にずれ
があると判断する引出電極ずれ判断手段と、上記重心位
置ずれ判断手段および引出電極ずれ判断手段の判断結果
に基づいて、上記引出電極駆動手段を制御して引出電極
のイオン源に対する位置を調整する引出電極制御処理と
上記質量分析手段の磁場強度を調整する質量分析手段制
御処理との実行の要否を判断する制御実行要否判断手段
とを備えている。
That is, the ion implantation apparatus includes a beam center-of-gravity position detecting means for detecting a center of gravity of the ion beam reaching the target, and a loss current generated when the ion beam extracted from the ion source strikes the electrode surface of the extraction electrode. And a loss current detecting means for detecting the loss current. Then, the beam current adjusting means includes a center-of-gravity position shift determining means for determining whether the center of gravity of the ion beam is within a predetermined proper range, and the loss current is within a predetermined proper range. And determining whether there is a shift in the position of the extraction electrode with respect to the ion source when the extraction electrode is out of the proper range, and determining the center-of-gravity position deviation determination means and the extraction electrode deviation determination means. Based on the result, it is necessary to execute extraction electrode control processing for controlling the extraction electrode driving means to adjust the position of the extraction electrode with respect to the ion source and mass analysis means control processing for adjusting the magnetic field strength of the mass analysis means. Control execution necessity judging means for judging.

【0018】[0018]

【作用】上記の構成によれば、ターゲットに到達するイ
オンビームの重心位置を検出し、重心位置が予め定めら
れた適正範囲内にあるか否かを判断している。さらに、
イオン源から引き出されたイオンビームが引出電極の電
極面にあたって発生するロス電流を検出し、このロス電
流が予め定められた適正範囲内にあるか否かを判断して
いる。そして、これらを、引出電極制御処理と質量分析
手段制御処理との実行の要否を判断する判断基準として
いる。
According to the above arrangement, the position of the center of gravity of the ion beam reaching the target is detected, and it is determined whether or not the position of the center of gravity is within a predetermined appropriate range. further,
The loss current generated by the ion beam extracted from the ion source on the electrode surface of the extraction electrode is detected, and it is determined whether or not the loss current is within a predetermined appropriate range. These are used as criteria for judging the necessity of executing the extraction electrode control process and the mass spectrometer control process.

【0019】引出電極が適正位置からずれている場合、
イオン源からビームが真っ直ぐに引き出されないため、
イオンビームの軌道にずれが生じてターゲットにおける
ビームの重心位置がずれる。また、質量分析手段の磁場
強度が適正でなければ、所望イオンの偏向角度にずれを
生じ、やはり、ターゲットにおけるビームの重心位置が
ずれる。したがって、ビームの重心位置ずれがあれば、
引出電極制御処理と質量分析手段制御処理との内の少な
くとも一方を実行する必要がある。
When the extraction electrode is displaced from the proper position,
Because the beam is not extracted straight from the ion source,
The trajectory of the ion beam shifts, and the center of gravity of the beam on the target shifts. If the magnetic field intensity of the mass spectrometer is not appropriate, a deviation occurs in the deflection angle of the desired ion, and the center of gravity of the beam on the target also shifts. Therefore, if there is a displacement of the center of gravity of the beam,
It is necessary to execute at least one of the extraction electrode control processing and the mass analysis means control processing.

【0020】尚、引出電極が適正位置からずれており、
且つ、質量分析手段の磁場強度も適正値からずれている
場合でも、両者が互いのずれを矯正し合うような条件に
なっている場合には、ビームの重心位置にずれが生じな
い。したがって、ビームの重心位置にずれがないからと
いっても引出電極制御処理および質量分析手段制御処理
が不必要とは限らない。
Incidentally, the extraction electrode is shifted from the proper position,
Even if the magnetic field intensity of the mass spectrometer also deviates from an appropriate value, no deviation occurs in the position of the center of gravity of the beam if the conditions are such that the deviations are corrected. Therefore, even if there is no deviation in the position of the center of gravity of the beam, the extraction electrode control processing and the mass analysis means control processing are not necessarily unnecessary.

【0021】引出電極が適正位置からずれていると、イ
オン源から引き出されたイオンビームが引出電極のビー
ム通過孔を通過せずに電極面にあたり、引出電極にロス
電流が流れる。したがって、上記ロス電流の大きさか
ら、引出電極のずれの有無を判断することが可能であ
り、ロス電流が適正範囲内にある場合、引出電極制御処
理を行う必要がない。
When the extraction electrode is displaced from the proper position, the ion beam extracted from the ion source hits the electrode surface without passing through the beam passage hole of the extraction electrode, and a loss current flows through the extraction electrode. Accordingly, it is possible to determine the presence or absence of a shift of the extraction electrode from the magnitude of the loss current, and it is not necessary to perform the extraction electrode control process when the loss current is within an appropriate range.

【0022】したがって、ビーム重心位置ずれおよび引
出電極ずれが何れも生じていない場合、引出電極制御処
理および質量分析手段制御処理を何れも実行する必要は
ない。ビーム重心位置ずれはないが引出電極ずれが有る
場合、上記の両制御処理を実行する必要がある。ビーム
重心位置ずれは有るが引出電極ずれがない場合、引出電
極制御処理を実行する必要はない。本発明のビーム電流
調整手段は、上記の各種判断を行う手段(重心位置ずれ
判断手段、引出電極ずれ判断手段、制御実行要否判断手
段)を備えている。
Therefore, when neither the displacement of the center of gravity of the beam nor the displacement of the extraction electrode occurs, it is not necessary to execute both the extraction electrode control processing and the mass analysis means control processing. If there is no displacement of the center of gravity of the beam but there is a displacement of the extraction electrode, it is necessary to execute both of the above control processes. If there is a displacement of the center of gravity of the beam but no displacement of the extraction electrode, there is no need to execute the extraction electrode control processing. The beam current adjusting means of the present invention is provided with means for performing the above-mentioned various determinations (gravity center position deviation determining means, extraction electrode deviation determining means, control execution necessity determining means).

【0023】これにより、引出電極制御処理および/ま
たは質量分析手段制御処理が不必要な状態のときには、
不必要な制御処理を省略してビーム電流調整を行うこと
ができるので、ビーム電流調整時間の短縮化が図れる。
Thus, when the extraction electrode control processing and / or the mass analysis means control processing is unnecessary,
Since beam current adjustment can be performed without unnecessary control processing, the beam current adjustment time can be shortened.

【0024】[0024]

【実施例】本発明の一実施例について図1ないし図8に
基づいて説明すれば、以下の通りである。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.

【0025】本実施例に係るイオン注入装置は、図2に
示すように、イオン種をイオン化するイオン源1と、こ
のイオン源1からイオンを引き出すための引出電極部2
と、磁場を用いた質量分析法により所望のイオンのみを
選択的に取り出す質量分析部3(質量分析手段)と、ウ
エハをセットし注入処理を行う注入室4とを備えてい
る。
As shown in FIG. 2, the ion implantation apparatus according to the present embodiment has an ion source 1 for ionizing ion species and an extraction electrode unit 2 for extracting ions from the ion source 1.
A mass spectrometer 3 (mass spectrometer) for selectively extracting only desired ions by mass spectrometry using a magnetic field; and an injection chamber 4 for setting a wafer and performing an injection process.

【0026】上記イオン源1には、BF3 等のガスイオ
ン種をプラズマチャンバ内に供給するガスボックス5が
接続されている。また、イオン源1には、固体イオン種
を蒸発させてプラズマチャンバ内に導入するためのベー
パライザ(図示せず)も接続されている。上記イオン源
1としては、例えばフリーマン型イオン源やECRイオ
ン源等の既知のものを用いることができる。
A gas box 5 for supplying gaseous ion species such as BF 3 into the plasma chamber is connected to the ion source 1. The ion source 1 is also connected to a vaporizer (not shown) for evaporating solid ion species and introducing the same into the plasma chamber. As the ion source 1, for example, a known source such as a Freeman type ion source or an ECR ion source can be used.

【0027】また、イオン注入装置は、上記イオン源1
の各部(フリーマン型イオン源であればソースマグネッ
トやフィラメント等、ECRイオン源であればソースマ
グネットやマグネトロン等)に電力を供給するためのイ
オン源電源6、および、上記質量分析部3の分析マグネ
ットに電力を供給するための分析マグネット電源9を備
えている。
Further, the ion implantation apparatus is provided with the ion source 1 described above.
(An ion source power supply 6 for supplying power to each part (source magnet or filament for a Freeman type ion source, source magnet or magnetron for an ECR ion source), and an analysis magnet of the mass spectrometer 3 And an analysis magnet power supply 9 for supplying power to the power supply.

【0028】上記引出電極部2は、図3に示すように、
引出電極21と接地電極22と図示しない電極駆動機構
とから構成されている。上記イオン源1のプラズマチャ
ンバ11には、チャンバ内で生成されたプラズマからイ
オンを放出するためのスリット状のビーム引出孔11a
が形成されており、上記引出電極21は、上記ビーム引
出孔11aと対向する位置に配されている。また、上記
接地電極22は引出電極21の下流側に該引出電極21
と対向して配置されている。
As shown in FIG. 3, the extraction electrode section 2
It comprises an extraction electrode 21, a ground electrode 22, and an electrode drive mechanism (not shown). The plasma chamber 11 of the ion source 1 has a slit-shaped beam extraction hole 11a for emitting ions from plasma generated in the chamber.
Are formed, and the extraction electrode 21 is disposed at a position facing the beam extraction hole 11a. The ground electrode 22 is located downstream of the extraction electrode 21.
And it is arranged facing.

【0029】上記接地電極22は接地されて基準電位
に、そして、引出電極21は接地電極22よりも負電位
になるように、減速電源8より負の電圧Vd が印加され
ている。そして、上記プラズマチャンバ11には引出電
源7の正極端子が接続されており、この引出電源7より
高電圧の引出電圧Ve が印加されるようになっている。
これにより、プラズマチャンバ11と引出電極21との
間に電位差(引出電圧Ve +減速電圧Vd )が生じて強
い外部電界が形成され、この外部電界により、プラズマ
チャンバ11内で生成されたプラズマ中の正イオンが、
イオン引出孔11aから引き出され、イオンビームが形
成されるようになっている。上記のように、引出電極2
1を接地電極22よりも負電位にすることにより、引出
電極部2よりも下流で発生した電子の逆流(電子がプラ
ズマチャンバ11内に流れ込む現象)を防ぐことができ
るようになっている。
[0029] the ground electrode 22 is grounded reference potential, and lead electrodes 21, as a negative potential than the ground electrode 22, a negative voltage V d is applied from the deceleration power supply 8. Then, in the above plasma chamber 11 so that the positive terminal of the extraction power supply 7 is connected, the extraction voltage V e of the high voltage from the extraction power supply 7 is applied.
As a result, a potential difference (extraction voltage V e + deceleration voltage V d ) is generated between the plasma chamber 11 and the extraction electrode 21 to form a strong external electric field, and the plasma generated in the plasma chamber 11 by the external electric field is generated. The positive ions in the
The ion beam is extracted from the ion extraction hole 11a, and an ion beam is formed. As described above, the extraction electrode 2
By setting 1 to a potential lower than that of the ground electrode 22, it is possible to prevent backflow of electrons generated downstream of the extraction electrode unit 2 (a phenomenon in which electrons flow into the plasma chamber 11).

【0030】上記引出電極21および接地電極22は、
電極駆動機構に駆動されて矢印A方向および矢印B方向
に直線的に移動すると共に矢印C方向に回動する。これ
らの電極21・22をA方向(水平方向であり且つ電極
面と平行な方向)に駆動することにより、電極ずれ(プ
ラズマチャンバ11のイオン引出孔11aと電極21・
22のビーム通過孔21a・22aとのずれ)を調整で
きる。また、電極21・22をB方向(水平方向であり
且つ電極面と直交する方向)に駆動することにより、プ
ラズマチャンバ11との間のギャップを調整できる。ま
た、電極21・22をC方向に回動させることによっ
て、ビームに対する電極面の角度を調整できる。尚、引
出電極21および接地電極22は共通のフレームに取り
付けられて一体化されており、両電極21・22は電極
駆動機構によって一体的に駆動される。
The extraction electrode 21 and the ground electrode 22 are
Driven by the electrode driving mechanism, the actuator linearly moves in the directions of arrows A and B and rotates in the direction of arrow C. By driving these electrodes 21 and 22 in the direction A (the direction that is horizontal and parallel to the electrode surface), the electrode displacement (the ion extraction hole 11a of the plasma chamber 11 and the electrode 21.
22 with respect to the beam passage holes 21a and 22a) can be adjusted. Further, by driving the electrodes 21 and 22 in the direction B (the direction that is horizontal and perpendicular to the electrode surface), the gap between the electrodes 21 and 22 and the plasma chamber 11 can be adjusted. By rotating the electrodes 21 and 22 in the C direction, the angle of the electrode surface with respect to the beam can be adjusted. The extraction electrode 21 and the ground electrode 22 are mounted on a common frame and integrated, and both electrodes 21 and 22 are integrally driven by an electrode driving mechanism.

【0031】上記注入室4には、図4に示すように、複
数のウエハ12…を保持し、矢印E方向に回転しながら
矢印D方向に進退移動するディスク13が設けられてい
る。注入処理中は、このディスク13が二点鎖線で示す
ようにファラデーカップ14内に進入してメカニカルス
キャン動作を行う。上記ディスク13の下流には、ビー
ムプロファイルモニタ用のビームキャッチプレート15
が設けられている。注入処理が行われていないとき、デ
ィスク13は実線で示す退避位置にあり、ファラデーカ
ップ14の外部に退いているため、イオンビームは上記
ビームキャッチプレート15に照射されるようになって
いる。
As shown in FIG. 4, the injection chamber 4 is provided with a disk 13 which holds a plurality of wafers 12 and moves in the direction of arrow D while rotating in the direction of arrow E. During the injection process, the disk 13 enters the Faraday cup 14 as shown by a two-dot chain line to perform a mechanical scan operation. Downstream of the disk 13 is a beam catch plate 15 for beam profile monitoring.
Is provided. When the implantation process is not performed, the disk 13 is at the retreat position shown by the solid line and retreats outside the Faraday cup 14, so that the ion beam is applied to the beam catch plate 15.

【0032】上記ビームキャッチプレート15のビーム
照射面には、図5に示すように、j×k個(X方向j
個、Y方向k個)のビームキャッチ部16…が他の部材
と絶縁されたフローティング状態で取り付けられてい
る。上記各ビームキャッチ部16は、X、Y座標の座標
点に対応する位置に等間隔で並べられている。各ビーム
キャッチ部16…からは個々にリード線16a…が延び
ており、各ビームキャッチ部16…にあたったイオンビ
ームの電荷が該リード線16a…を介してビーム計測部
17へ流れるようになっている。
As shown in FIG. 5, the beam irradiation surface of the beam catch plate 15 has j × k (j in the X direction).
, Beam catchers 16 in the Y direction) are attached in a floating state insulated from other members. The beam catchers 16 are arranged at regular intervals at positions corresponding to the coordinate points of the X and Y coordinates. Lead wires 16a individually extend from the beam catch portions 16 so that the electric charge of the ion beam hitting the beam catch portions 16 flows to the beam measuring portion 17 via the lead wires 16a. ing.

【0033】上記ビーム計測部17は、各ビームキャッ
チ部16でキャッチされたイオンビームの電流密度を求
める。即ち、ビーム計測部17は、各ビームキャッチ部
16…に流れる電流(瞬時値)を電圧に変換した後、さ
らにアナログ/ディジタル変換し、次の演算を行う。即
ち、各ビームキャッチ部16…に流れる電流をI、ビー
ムキャッチ部16…のビームキャッチ面の面積をSとす
ると、I/Sによって電流密度を求める。そして、上記
ビーム計測部17は、各ビームキャッチ部16…におけ
るビーム電流密度のデータを、図2に示すコントローラ
18(ビーム電流調整手段)へ送る。
The beam measuring section 17 obtains the current density of the ion beam caught by each beam catching section 16. That is, the beam measuring unit 17 converts the current (instantaneous value) flowing through each of the beam catching units 16 to a voltage, then performs analog / digital conversion, and performs the following calculation. That is, assuming that the current flowing through each of the beam catch portions 16 is I and the area of the beam catch surface of the beam catch portions 16 is S, the current density is obtained by I / S. Then, the beam measuring section 17 sends the data of the beam current density in each of the beam catch sections 16 to the controller 18 (beam current adjusting means) shown in FIG.

【0034】上記コントローラ18は、上記ビーム計測
部17から送られてくるビーム電流密度のデータによっ
てイオンビームの電流密度分布(いわゆるビームプロフ
ァイル)を認識し、イオンビームの重心位置を算出す
る。即ち、重心位置のX座標(Xcen とする)を下式
(1)により、また、重心位置のY座標(Ycen とす
る)を下式(2)により求める。
The controller 18 recognizes a current density distribution (a so-called beam profile) of the ion beam based on the beam current density data sent from the beam measuring unit 17 and calculates the position of the center of gravity of the ion beam. That is, the X coordinate (referred to as X cen ) of the position of the center of gravity is determined by the following equation (1), and the Y coordinate (referred to as Y cen ) of the position of the center of gravity is determined by the following equation (2).

【0035】[0035]

【数1】 (Equation 1)

【0036】[0036]

【数2】 (Equation 2)

【0037】ここで、Xn =1,2,…j、Yn =1,
2,…kである。また、Ixnは、Xnの行にある全ての
ビームキャッチ部16…のビーム電流密度を加算した値
であり、例えば、Ix1は、(1,1)、(1,2)、…
(1,k)の座標点にあるビームキャッチ部16…のビ
ーム電流密度を加算した値である。同様に、Iynは、Y
n の列にある全てのビームキャッチ部16…のビーム電
流密度を加算した値である。
Here, X n = 1, 2,... J, Y n = 1,
2,... K. Further, I xn is a value obtained by adding the beam current densities of all the beam catchers 16 in the row of X n . For example, I x1 is (1, 1), (1, 2),.
It is a value obtained by adding the beam current densities of the beam catchers 16 at the (1, k) coordinate point. Similarly, I yn is Y
It is a value obtained by adding the beam current densities of all the beam catch units 16 in the column of n .

【0038】上記コントローラ18は、上記の演算によ
って求めた重心位置(Xcen ,Yce n )が予め定められ
た適正範囲内にあるか否かを判断し、これを引出電極制
御やマス追従制御の必要性を判断するための判断基準と
している。
The controller 18 determines whether or not the position of the center of gravity (X cen , Y ce n ) obtained by the above calculation is within a predetermined appropriate range. It is used as a criterion for judging the necessity of.

【0039】図6に示すように、引出電極部2の引出電
極21および接地電極22が適正位置からずれている場
合(プラズマチャンバ11のイオン引出孔11aの中心
と電極21・22のビーム通過孔21a・22aの中心
とがずれている場合)、イオンビームの軌道(実線で示
す)は、適正なビーム軌道(二点鎖線で示す)から外
れ、ビームキャッチプレート15に照射されるビームの
重心位置にずれが生じる。
As shown in FIG. 6, when the extraction electrode 21 and the ground electrode 22 of the extraction electrode section 2 are displaced from the proper positions (the center of the ion extraction hole 11a of the plasma chamber 11 and the beam passage holes of the electrodes 21 and 22). 21a, 22a), the trajectory of the ion beam (shown by a solid line) deviates from an appropriate beam trajectory (shown by a two-dot chain line), and the center of gravity of the beam applied to the beam catch plate 15 Shift occurs.

【0040】また、図7に示すように、引出電極21お
よび接地電極22が適正位置にあっても、質量分析部3
の分析管内の磁場強度(磁束密度)が適正でなければ、
所望のイオンの偏向角度にずれを生じ、イオンビームの
軌道(実線で示す)は、適正なビーム軌道(二点鎖線で
示す)から外れ、やはり、ビームキャッチプレート15
に照射されるビームの重心位置にずれが生じる。
As shown in FIG. 7, even if the extraction electrode 21 and the ground electrode 22 are at appropriate positions, the mass spectrometer 3
If the magnetic field strength (magnetic flux density) in the analysis tube of
A deviation occurs in the deflection angle of a desired ion, and the trajectory of the ion beam (shown by a solid line) deviates from an appropriate beam trajectory (shown by a two-dot chain line).
Shift occurs in the center of gravity of the beam radiated to the surface.

【0041】以上のことから、ビームキャッチプレート
15に照射されるイオンビームの重心位置に許容範囲を
越えるずれがあれば、引出電極制御とマス追従制御との
内の少なくとも一方を実行する必要があることがわか
る。
As described above, if there is a deviation of the center of gravity of the ion beam irradiated on the beam catch plate 15 beyond an allowable range, it is necessary to execute at least one of the extraction electrode control and the mass tracking control. You can see that.

【0042】尚、図8に示すように、引出電極21およ
び接地電極22が適正位置からずれており、且つ、質量
分析部3の分析管内の磁場強度が適正でない場合であっ
て、両者が互いのずれを矯正し合うような条件になって
いる場合には、ビームキャッチプレート15に照射され
るビームの重心位置にずれが生じない。そこで、本実施
例では、ビームの重心位置のずれを検出すると共に、引
出電極21に流れるロス電流の大きさから、引出電極2
1および接地電極22のずれの有無を検出するようにな
っている。
As shown in FIG. 8, when the extraction electrode 21 and the ground electrode 22 are displaced from the proper positions and the magnetic field strength in the analysis tube of the mass spectrometer 3 is not proper, the two are mutually If the conditions are such that the deviations are corrected, no deviation occurs in the position of the center of gravity of the beam applied to the beam catch plate 15. Therefore, in this embodiment, the displacement of the center of gravity of the beam is detected, and the magnitude of the loss current flowing through the
1 and the presence / absence of displacement of the ground electrode 22 are detected.

【0043】即ち、図3に示すように、引出電極21が
適正位置からずれていると、イオン源1から引き出され
たイオンビームの多くが引出電極21のビーム通過孔2
1aを通過せずに電極面にあたり、ロス電流IL として
接地部へ流れてしまう。引出電極21のずれが大きい
程、引出電極21に流れるロス電流IL も大きくなる。
したがって、引出電極21に流れるロス電流IL の大き
さから、引出電極21のずれの有無を判断することが可
能である。
That is, as shown in FIG. 3, when the extraction electrode 21 is displaced from the proper position, most of the ion beam extracted from the ion source 1 is supplied to the beam passage hole 2 of the extraction electrode 21.
Upon the electrode surface without passing through the 1a, it will flow to the ground portion as a loss current I L. As deviation of the lead electrode 21, the greater the loss current I L flowing through the extraction electrode 21.
Thus, the magnitude of the loss current I L flowing through the extraction electrode 21, it is possible to determine the presence or absence of misalignment of the lead electrode 21.

【0044】本実施例では、引出電極21と接地部との
間に設けられる減速電源8の内部に、電流検出用抵抗等
からなるロス電流検出手段を設けている。上記ロス電流
検出手段で検出されたロス電流IL は、コントローラ1
8へ送られる(図2参照)。上記コントローラ18は、
上記のロス電流IL が予め定められた適正範囲内にある
か否かを判断し、これを引出電極制御の必要性を判断す
るための判断基準としている。
In this embodiment, a loss current detecting means such as a current detecting resistor is provided inside the deceleration power supply 8 provided between the extraction electrode 21 and the grounding portion. Ross current detected by the current loss detecting means I L, the controller 1
8 (see FIG. 2). The controller 18 includes:
It is determined whether or not the above-mentioned loss current IL is within a predetermined appropriate range, and this is used as a criterion for determining the necessity of the extraction electrode control.

【0045】上記のように、コントローラ18は、ビー
ムの重心位置と引出電極21に流れるロス電流IL との
2つの判断基準から、引出電極制御とマス追従制御との
必要性を判断する。上記の2つの判断基準から、基本的
には次のような判断ができる。ビームの重心位置とロス
電流IL とが何れも許容範囲内にある場合、引出電極制
御およびマス追従制御を実行する必要はない。また、ビ
ームの重心位置が許容範囲内にあるが、ロス電流IL
許容範囲から外れている場合、引出電極制御およびマス
追従制御を実行する必要がある。また、ビームの重心位
置が許容範囲から外れているが、ロス電流IL が許容範
囲内にある場合、引出電極制御を実行する必要はないが
マス追従制御は必要である。また、ビームの重心位置と
ロス電流IL とが何れも許容範囲から外れている場合、
少なくとも引出電極制御を行う必要があり、引出電極制
御の実行に伴ってマス追従制御の実行も必要となる。
[0045] As described above, the controller 18, the two criteria of a loss current I L flowing through the centroid position and the extraction electrode 21 of the beam, to determine the necessity of the extraction electrode control and mass following control. From the above two criteria, the following determinations can be basically made. If the center of gravity position and Ross current I L of the beam both within the acceptable range, it is not necessary to perform the extraction electrode control and mass follow-up control. Although the center of gravity of the beam is within the allowable range, if the loss current I L is out of the allowable range, it is necessary to perform the extraction electrode control and mass follow-up control. When the center of gravity of the beam is out of the allowable range but the loss current IL is in the allowable range, it is not necessary to execute the extraction electrode control, but the mass following control is necessary. Further, if neither the center of gravity position and Ross current I L of the beam is out of the allowable range,
It is necessary to perform at least the extraction electrode control, and it is necessary to execute the mass tracking control along with the execution of the extraction electrode control.

【0046】また、上記コントローラ18は、図2に示
すガスボックス5、イオン源電源6、引出電源7、減速
電源8、分析マグネット電源9、および図示しない電極
駆動機構等のイオン注入装置の各部を制御しながら各種
パラメータを調整し、ビームの自動立上げを行う。
The controller 18 controls the gas box 5, ion source power source 6, extraction power source 7, deceleration power source 8, analysis magnet power source 9, and other parts of the ion implantation apparatus such as an electrode driving mechanism (not shown) shown in FIG. Various parameters are adjusted while controlling, and the beam is automatically started.

【0047】上記コントローラ18は、CPU(Centra
l Processing Unit)、メモリ、および入出力部等を含む
マイクロコンピュータから構成されている。このコント
ローラ18のビーム電流調整処理のための機能モジュー
ル構成を示す機能ブロック図を図9に示す。同図に示す
ように、コントローラ18は、上式(1)(2)に従っ
てビーム重心位置を演算するビーム重心位置演算部18
aと、ビーム重心位置が予め定められた適正範囲内にあ
るか否かを判断する重心位置ずれ判断部18b(重心位
置ずれ判断手段)と、ロス電流IL が予め定められた適
正範囲内にあるか否かを判断して引出電極21のずれの
有無を判断する引出電極ずれ判断部18c(引出電極ず
れ判断手段)と、上記重心位置ずれ判断部18bおよび
引出電極ずれ判断部18cの判断結果に基づいて、引出
電極制御処理とマス追従制御処理(質量分析手段制御処
理)との実行の要否を判断する制御実行要否判断部18
d(制御実行要否判断手段)と、引出電極制御処理を行
う引出電極制御部18eと、マス追従制御処理を行うマ
ス追従制御部18fと、上記引出電極制御やマス追従制
御のパラメータ以外のパラメータを調整するビームセッ
トアップ処理を行うビームセットアップ処理部18gと
を有している。尚、上記ビームセットアップ処理で調整
されるパラメータは、フリーマン型イオン源の場合、
「アーク電流」、「フィラメント電流」、「ソースマグ
ネット電流」、「ガス流量」等のパラメータ、また、マ
イクロ波型イオン源の場合、「ソースマグネット電
流」、「マイクロ波パワー」、「ガス流量」等のパラメ
ータである。
The controller 18 has a CPU (Centra
l Processing Unit), a memory, and a microcomputer including an input / output unit and the like. FIG. 9 is a functional block diagram showing a functional module configuration for the beam current adjustment processing of the controller 18. As shown in the figure, the controller 18 calculates a beam center-of-gravity position calculating unit 18 that calculates a beam center-of-gravity position according to the above equations (1) and (2).
and a, center of gravity position shift judgment section 18b to determine whether in a proper range beam centroid position is predetermined (gravity position deviation determining means), within proper range loss current I L reaches a predetermined An extraction electrode displacement determining unit 18c (extraction electrode displacement determining means) that determines whether or not there is a displacement of the extraction electrode 21, and a determination result of the center-of-gravity position displacement determining unit 18b and the extraction electrode displacement determining unit 18c. Control execution necessity determining unit 18 that determines whether or not to execute the extraction electrode control processing and the mass tracking control processing (mass analysis means control processing) based on
d (control execution necessity determination means), an extraction electrode control unit 18e for performing extraction electrode control processing, a mass following control unit 18f for performing mass following control processing, and parameters other than the above-mentioned extraction electrode control and mass following control parameters And a beam setup processing unit 18g for performing a beam setup process for adjusting the distance. The parameters adjusted in the beam setup process are as follows in the case of the Freeman type ion source.
Parameters such as "arc current", "filament current", "source magnet current", and "gas flow rate". In the case of a microwave ion source, "source magnet current", "microwave power", "gas flow rate" And the like.

【0048】上記の構成において、コントローラ18に
よるビーム自動立上げ動作を以下に説明する。
In the above configuration, the automatic beam start-up operation by the controller 18 will be described below.

【0049】先ず、オペレータが図示しない入力操作部
を操作して、注入条件(マス値、ビーム電流、ビームエ
ネルギー)を設定することになる。そして、設定された
注入条件はコントローラ18に取り込まれる。上記コン
トローラ18の図示しない記憶装置には、幾つかのパタ
ーンの注入条件についての各種パラメータの最適値デー
タが登録されている。これらの登録データは、予めオペ
レータがマニュアルでイオン注入装置を最適状態に立上
げることにより採取したデータである。コントローラ1
8は、予め登録されているパラメータに基づいて、設定
された注入条件に対する各種パラメータの初期値を近似
的に求めるようになっている。
First, an operator operates an input operation unit (not shown) to set injection conditions (mass value, beam current, beam energy). Then, the set injection condition is taken into the controller 18. In a storage device (not shown) of the controller 18, optimal value data of various parameters for injection conditions of some patterns are registered. These registration data are data collected by the operator manually starting up the ion implantation apparatus in an optimum state in advance. Controller 1
Reference numeral 8 is such that initial values of various parameters with respect to set injection conditions are approximately obtained based on parameters registered in advance.

【0050】即ち、コントローラ18は、登録されてい
る数パターンの注入条件の中から、ビーム電流の設定値
に最も近い上下2つの注入条件を選び出し、これら2つ
の注入条件のパラメータの登録データから、線形一次補
間補正によって近似的にビーム電流に関するパラメータ
の初期値を割り出す。また、同様にして、ビームエネル
ギーに関するパラメータの初期値も求める。
That is, the controller 18 selects two upper and lower injection conditions closest to the set value of the beam current from among several registered injection conditions, and obtains the registered data of the parameters of these two injection conditions from the registered data. An initial value of a parameter relating to the beam current is approximately determined by linear primary interpolation correction. Similarly, an initial value of a parameter related to the beam energy is also obtained.

【0051】ここで、ビーム電流に関するパラメータと
は、ビーム電流を制御するのに大きく依存するパラメー
タであり、主にイオン源のパラメータ(フリーマン型イ
オン源の場合、「アーク電流」、「フィラメント電
流」、「ソースマグネット電流」、「ガス流量」等、ま
た、ECRイオン源等のマイクロ波型イオン源の場合、
「ソースマグネット電流」、「マイクロ波パワー」、
「ガス流量」等)をいう。また、ビームエネルギーに関
するパラメータとは、ビームエネルギーを制御するのに
大きく依存する「引出電圧」や「減速電圧」等のパラメ
ータをいう。
Here, the parameters relating to the beam current are parameters that largely depend on the control of the beam current, and mainly include the parameters of the ion source (in the case of the Freeman type ion source, “arc current” and “filament current”). , “Source magnet current”, “gas flow rate”, etc. In the case of a microwave ion source such as an ECR ion source,
"Source magnet current", "Microwave power",
"Gas flow" etc.). The parameters related to the beam energy refer to parameters such as “extraction voltage” and “deceleration voltage” that largely depend on controlling the beam energy.

【0052】その後、コントローラ18は、上記で求め
た各種パラメータの初期値に基づいてイオン源1の各部
を制御してプラズマチャンバ11内においてイオン種を
プラズマ化し、イオンビームの引き出しを可能にする。
次に、引出電源7および減速電源8をONにしてイオン
源1のプラズマチャンバ11とイオン源と引出電極との
間に高電圧を印加し、イオン源1からイオンを引き出し
てイオンビームを形成する。
Thereafter, the controller 18 controls each part of the ion source 1 based on the initial values of the various parameters obtained above to convert the ion species into plasma in the plasma chamber 11 and to extract the ion beam.
Next, the extraction power source 7 and the deceleration power source 8 are turned on, a high voltage is applied between the plasma chamber 11 of the ion source 1 and the ion source and the extraction electrode, and ions are extracted from the ion source 1 to form an ion beam. .

【0053】次に、コントローラ18は、分析マグネッ
ト電源9を制御して質量分析部3に供給される分析マグ
ネット電流を調整し、所望のイオンのみを選択的に取り
出すマスサーチを行う。
Next, the controller 18 controls the analysis magnet power supply 9 to adjust the analysis magnet current supplied to the mass spectrometer 3, and performs a mass search for selectively extracting only desired ions.

【0054】上記マスサーチ終了後、コントローラ18
は、図1のフローチャートに示すシーケンスでビーム電
流調整を行う。先ず、ビーム計測部17から送られてく
るビーム電流密度のデータによってイオンビームの重心
位置(Xcen ,Ycen )を算出し、その重心位置(X
cen ,Ycen )が予め定められた適正範囲内にあるか否
かを判断する(S1)。例えば、図5に示すビームキャ
ッチプレート15に17×17個(X方向17個、Y方
向17個)のビームキャッチ部16…が取り付けられて
いる場合、 8≦Xcen ≦10 8≦Ycen ≦10 のとき重心位置ずれがないと判断する。尚、重心位置ず
れの有無の判断基準となる上記適正範囲は任意に設定可
能である。
After completion of the mass search, the controller 18
Performs beam current adjustment in the sequence shown in the flowchart of FIG. First, the center of gravity (X cen , Y cen ) of the ion beam is calculated based on the beam current density data sent from the beam measuring unit 17, and the center of gravity (X cen ) is calculated.
cen , Y cen ) are determined to be within a predetermined appropriate range (S1). For example, when 17 × 17 (17 in the X direction and 17 in the Y direction) beam catch portions 16 are attached to the beam catch plate 15 shown in FIG. 5, 8 ≦ X cen ≦ 10 8 ≦ Y cen ≦ In the case of 10, it is determined that there is no displacement of the center of gravity. Note that the above-mentioned appropriate range, which serves as a criterion for determining the presence or absence of the displacement of the center of gravity, can be arbitrarily set.

【0055】上記S1において重心位置ずれありと判断
した場合、その重心位置ずれが水平方向(X方向)のず
れか否かを判断する(S2)。そして、S2においてY
ESの場合、減速電源8内のロス電流検出手段からのロ
ス電流IL が、予め定められた適正範囲内にあるか否か
を判断する(S3)。そして、例えば、IL <1.5mA
のとき引出電極21の水平方向のずれなし、IL ≧1.5
mAのとき水平方向のずれ有りと判断する。尚、電極ず
れの有無の判断基準となる上記適正範囲は、実験的に求
められるものであり、任意に設定可能である。当然、上
記適正範囲はイオン源1から引き出されるビームの電流
量によって変化するものであり、コントローラ18は、
注入条件が設定された際に、ビーム電流の設定値に応じ
て上記適正範囲を自動的に変更するようになっている。
If it is determined in S1 that there is a displacement of the center of gravity, it is determined whether the displacement of the center of gravity is a displacement in the horizontal direction (X direction) (S2). Then, in S2, Y
For ES, the loss current I L from the current loss detecting means in the deceleration power supply 8, it is determined whether it is within the proper range determined in advance (S3). And, for example, I L <1.5 mA
When there is no horizontal displacement of the extraction electrode 21, I L ≧ 1.5
When it is mA, it is determined that there is a deviation in the horizontal direction. The above-mentioned appropriate range, which is used as a criterion for determining the presence or absence of an electrode shift, is experimentally obtained and can be set arbitrarily. Naturally, the appropriate range varies depending on the amount of current of the beam extracted from the ion source 1.
When the implantation conditions are set, the appropriate range is automatically changed according to the set value of the beam current.

【0056】上記S3において引出電極21の水平方向
のずれ有りと判断した場合、電極駆動機構を介して引出
電極21の水平方向(図3のA方向)の位置制御を行う
(S4)。この引出電極水平制御とは、引出電極21を
一定の移動幅で徐々に水平方向に移動させ、ロス電流I
L が最小となる引出電極21の位置を検出するものであ
る。
If it is determined in step S3 that there is a horizontal displacement of the extraction electrode 21, the position of the extraction electrode 21 in the horizontal direction (direction A in FIG. 3) is controlled via an electrode driving mechanism (S4). The extraction electrode horizontal control means that the extraction electrode 21 is gradually moved in the horizontal direction with a constant movement width, and the loss current I
This is to detect the position of the extraction electrode 21 where L is minimum.

【0057】上記S2でNOの場合、上記S3でYES
の場合、或いは上記S4の実行後、重心位置ずれが垂直
方向(Y方向)のずれか否かを判断する(S5)。そし
て、S5においてYESの場合、電極駆動機構を介して
引出電極21のビームに対する電極面の角度の位置制御
を行う(S6)。即ち、引出電極21のビームに対する
電極面の角度が直角になっていないと、ビームの軌道が
垂直方向にずれてしまうので、引出電極角度制御が必要
となるのである。この引出電極角度制御とは、引出電極
21を図3のC方向に回動させ、ビームの垂直方向(Y
方向)の重心位置が適正範囲内に入るように制御するも
のである。
If NO in S2, YES in S3
In the case of or after execution of S4, it is determined whether the displacement of the center of gravity is a displacement in the vertical direction (Y direction) (S5). Then, in the case of YES in S5, the position of the angle of the electrode surface with respect to the beam of the extraction electrode 21 is controlled via the electrode driving mechanism (S6). That is, if the angle of the electrode surface with respect to the beam of the extraction electrode 21 is not a right angle, the trajectory of the beam will be shifted in the vertical direction, so that it is necessary to control the extraction electrode angle. The extraction electrode angle control means that the extraction electrode 21 is rotated in the direction C in FIG.
The control is performed such that the position of the center of gravity in the (direction) falls within an appropriate range.

【0058】上記S5でNOの場合、或いは上記S6の
実行後、分析マグネット電源9を制御して、分析マグネ
ット電流を微調整(質量分析部3の分析管内の磁場強度
を微調整)するマス追従制御を行う(S7)。
In the case of NO in S5 or after the execution of S6, the mass follower for controlling the analysis magnet power supply 9 to finely adjust the analysis magnet current (finely adjust the magnetic field intensity in the analysis tube of the mass analysis unit 3). Control is performed (S7).

【0059】また、上記S1において重心位置ずれなし
と判断した場合、ロス電流IL が予め定められた適正範
囲内(例えば、IL <1.5mA)にあるか否かを判断す
る(S8)。ここで、ロス電流IL が適正範囲から外れ
ていれば、引出電極水平制御を行い(S9)、その後S
7に移行してマス追従制御を行う。一方、S8において
ロス電流IL が適正範囲内にあれば、引出電極制御およ
びマス追従制御を実行する必要はないと判断し、次処理
に移行する。
[0059] Also, when it is determined that there is no center-of-gravity position shift in the S1, within the appropriate range for loss current I L reaches a predetermined (eg, I L <1.5 mA) to determine whether the (S8) . Here, if the loss current IL is out of the proper range, horizontal control of the extraction electrode is performed (S9), and then S
Then, the flow goes to 7 to perform mass tracking control. On the other hand, if the loss current I L in the proper range in S8, it is determined that there is no need to perform the extraction electrode control and mass follow-up control proceeds to the next process.

【0060】上記S8でYESの場合、或いは上記S7
の実行後、ビーム電流が設定値に対して±3%の範囲
(予め定められた範囲)に入るように、ビームセットア
ップ処理を行う(S11)。即ち、コントローラ18
は、注入位置におけるビーム電流(ターゲット電流)を
監視しながら、ターゲット電流が設定値に近づくよう
に、各種パラメータを調整する。
In the case of YES in S8 or in S7
After the execution, the beam setup process is performed so that the beam current falls within a range of ± 3% (predetermined range) with respect to the set value (S11). That is, the controller 18
Adjusts various parameters such that the target current approaches the set value while monitoring the beam current (target current) at the injection position.

【0061】上記ビームセットアップ処理によってビー
ム電流が上記の適正範囲に入れば(S10においてYE
S)、ビーム監視動作に移行する(S12)。このビー
ム監視動作とは、予め定められた時間、ビーム電流を監
視してビームの安定性を確認するものである。例えば、
イオン源1における放電が頻発する等によってビーム電
流が不安定になることがあり、コントローラ18は、ビ
ーム監視期間中にこのような状態を検出すれば、ビーム
異常表示や警報ブザーを作動させる等の警報動作を行っ
てオペレータにビームの異常を知らせる。上記ビーム監
視動作によってビームの安定性を確認すれば、ビーム立
上げモードを終了し、注入処理モードに移行する。
If the beam current falls within the appropriate range by the beam setup process (YE in S10)
S), the process proceeds to the beam monitoring operation (S12). This beam monitoring operation is to monitor the beam current for a predetermined time to confirm the stability of the beam. For example,
The beam current may become unstable due to frequent discharges in the ion source 1 or the like. If the controller 18 detects such a state during the beam monitoring period, the controller 18 may activate a beam abnormality display, activate an alarm buzzer, or the like. An alarm operation is performed to notify the operator of the beam abnormality. If the stability of the beam is confirmed by the beam monitoring operation, the beam start-up mode is terminated, and the mode is shifted to the injection processing mode.

【0062】以上のように、本実施例のイオン注入装置
は、イオン源1に形成されたビーム引出孔11aと対向
して配され、該ビーム引出孔11aからイオンを引き出
すための引出電極21と、上記引出電極21のイオン源
1に対する位置を変える引出電極駆動手段と、上記引出
電極21に形成されたビーム通過孔21aを通過したイ
オンビームから、磁場を用いた質量分析法により特定の
質量のイオンのみを選択的に取り出す質量分析部3と、
ターゲットに到達するイオンビームの重心位置を検出す
るビーム重心位置検出手段(ビームキャッチプレート1
5、ビーム計測部17、ビーム重心位置演算部18a)
と、イオン源1から引き出されたイオンビームが引出電
極21の電極面にあたって発生するロス電流IL を検出
するロス電流検出手段と、ターゲットに到達するイオン
ビームの電流が設定値になるように各種パラメータを制
御してビーム電流調整を行うコントローラ18とを備
え、上記コントローラ18は、上記イオンビームの重心
位置が予め定められた適正範囲内にあるか否かを判断す
る重心位置ずれ判断部18bと、上記ロス電流IL が予
め定められた適正範囲内にあるか否かを判断し、適正範
囲から外れているとき引出電極21のイオン源1に対す
る位置にずれがあると判断する引出電極ずれ判断部18
cと、上記の両判断部18b・18cの判断結果に基づ
いて、引出電極制御処理とマス追従制御処理との実行の
要否を判断する制御実行要否判断部18dとを備えてい
る構成である。
As described above, the ion implantation apparatus according to the present embodiment is provided so as to face the beam extraction hole 11a formed in the ion source 1 and to have the extraction electrode 21 for extracting ions from the beam extraction hole 11a. Extraction electrode driving means for changing the position of the extraction electrode 21 with respect to the ion source 1, and a specific mass of the ion beam passing through the beam passage hole 21 a formed in the extraction electrode 21 by a mass spectrometry using a magnetic field. A mass spectrometer 3 for selectively extracting only ions,
Beam centroid position detecting means (beam catch plate 1) for detecting the centroid position of the ion beam reaching the target
5. Beam measuring unit 17, beam center-of-gravity position calculating unit 18a)
When various as the loss current detecting means for detecting the loss current I L ion beam extracted from the ion source 1 generates when the electrode surface of the lead electrode 21, the current of the ion beam reaching the target reaches the set value A controller 18 that controls a parameter to adjust a beam current, wherein the controller 18 determines whether or not the center of gravity of the ion beam is within a predetermined appropriate range. It is determined whether or not the loss current IL is within a predetermined appropriate range. If the loss current IL is out of the appropriate range, it is determined that the position of the extraction electrode 21 with respect to the ion source 1 is shifted. Part 18
c, and a control execution necessity judging part 18d for judging the necessity of executing the extraction electrode control processing and the mass following control processing based on the judgment results of the two judgment parts 18b and 18c. is there.

【0063】これにより、引出電極制御処理および/ま
たはマス追従制御処理が不必要な状態のときには、不必
要な制御処理を省略してビーム電流調整を行うので、ビ
ーム電流調整時間の短縮化が図れ、短時間でのビームの
立上げが可能となる。
Thus, when the extraction electrode control processing and / or the mass tracking control processing is unnecessary, the unnecessary control processing is omitted and the beam current adjustment is performed, so that the beam current adjustment time can be shortened. Thus, the beam can be set up in a short time.

【0064】また、本実施例のイオン注入装置は、先
ず、引出電極制御処理およびマス追従制御処理の必要性
を判定し、制御処理が必要な場合にはそれを実行して引
出電極ずれや質量分析部3の不適正を解消し、その後、
ビームセットアップ処理を行うようになっているので、
安定した状態で正確なビームセットアップ処理が行え
る。例えば、引出電極21がずれた状態では、イオンビ
ームが引出電極21の電極面に多量にあたり、電極面か
ら多量の2次電子が放出されることになる。このため、
引出電極21とイオン源1との間の絶縁破壊を招来して
放電が発生し易く、正確なビームセットアップ処理が行
えない。本実施例では、上記のようにビームセットアッ
プ処理に先立って引出電極ずれが解消されているので、
正確なビームセットアップ処理が可能となっている。
Further, the ion implantation apparatus of this embodiment first determines the necessity of the extraction electrode control processing and the mass tracking control processing, and executes the control processing if necessary to execute the extraction electrode shift and mass shift. Eliminate the inadequacy of the analysis unit 3, and then
Since the beam setup process is performed,
Accurate beam setup processing can be performed in a stable state. For example, when the extraction electrode 21 is displaced, a large amount of the ion beam hits the electrode surface of the extraction electrode 21 and a large amount of secondary electrons are emitted from the electrode surface. For this reason,
Discharge is likely to occur due to dielectric breakdown between the extraction electrode 21 and the ion source 1, and accurate beam setup processing cannot be performed. In the present embodiment, as described above, since the extraction electrode displacement has been eliminated prior to the beam setup process,
Accurate beam setup processing is possible.

【0065】尚、上記実施例では、ビームキャッチプレ
ート15と、ビーム計測部17と、コントローラ18の
ビーム重心位置演算部18aとによってビーム重心位置
検出手段が構成されているが、ビーム計測部17がビー
ム重心位置を演算してその演算結果をコントローラ18
へ送るようにしてもよい。上記実施例は、あくまでも、
本発明の技術内容を明らかにするものであって、そのよ
うな具体例にのみ限定して狭義に解釈されるべきもので
はなく、本発明の精神と特許請求の範囲内で、いろいろ
と変更して実施することができるものである。
In this embodiment, the beam catch plate 15, the beam measuring unit 17, and the beam center position calculating unit 18a of the controller 18 constitute the beam center position detecting means. The position of the center of gravity of the beam is calculated, and the calculation result is sent to
You may send to. In the above embodiment,
It is intended to clarify the technical contents of the present invention, and should not be construed as being limited to such specific examples in a narrow sense. Various modifications may be made within the spirit of the present invention and the scope of the claims. Can be implemented.

【0066】[0066]

【発明の効果】本発明のイオン注入装置は、以上のよう
に、ターゲットに到達するイオンビームの重心位置を検
出するビーム重心位置検出手段と、イオン源から引き出
されたイオンビームが引出電極の電極面にあたって発生
するロス電流を検出するロス電流検出手段と、ビーム電
流調整を行うビーム電流調整手段とを備え、上記ビーム
電流調整手段は、上記イオンビームの重心位置が予め定
められた適正範囲内にあるか否かを判断する重心位置ず
れ判断手段と、上記ロス電流が予め定められた適正範囲
内にあるか否かを判断し、適正範囲から外れているとき
引出電極のイオン源に対する位置にずれがあると判断す
る引出電極ずれ判断手段と、上記重心位置ずれ判断手段
および引出電極ずれ判断手段の判断結果に基づいて、引
出電極駆動手段を制御して引出電極のイオン源に対する
位置を調整する引出電極制御処理と質量分析手段の磁場
強度を調整する質量分析手段制御処理との実行の要否を
判断する制御実行要否判断手段とを備えている構成であ
る。
As described above, the ion implantation apparatus according to the present invention has a beam center of gravity detecting means for detecting the center of gravity of an ion beam reaching a target, and an ion beam extracted from an ion source. A loss current detecting means for detecting a loss current generated on the surface, and a beam current adjusting means for performing a beam current adjustment, wherein the beam current adjusting means sets a center of gravity of the ion beam within a predetermined appropriate range. A center-of-gravity displacement determining means for determining whether or not the extraction current is present, and determining whether or not the loss current is within a predetermined appropriate range. The extraction electrode shift determining means for determining that there is an output electrode driving means based on the determination results of the center of gravity position shift determination means and the extraction electrode shift determination means. Control execution necessity determining means for determining whether execution of the extraction electrode control processing for controlling the position of the extraction electrode with respect to the ion source and the mass analysis means for adjusting the magnetic field intensity of the mass analysis means is required. Configuration.

【0067】それゆえ、引出電極制御処理および/また
は質量分析手段制御処理が不必要な状態のときには、そ
れを的確に判断することができ、したがって、不必要な
制御処理を省略してビーム電流調整を行うことが可能と
なり、ビーム電流調整時間の短縮化を図ることができる
という効果を奏する。
Therefore, when the extraction electrode control processing and / or the mass analysis means control processing is unnecessary, it is possible to accurately judge the unnecessary processing. Therefore, the unnecessary control processing is omitted and the beam current adjustment is omitted. Can be performed, and the beam current adjustment time can be shortened.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例を示すものであり、イオン注
入装置のコントローラによるビーム電流調整動作を示す
フローチャートである。
FIG. 1, showing an embodiment of the present invention, is a flowchart illustrating a beam current adjusting operation by a controller of an ion implantation apparatus.

【図2】上記イオン注入装置の概略構成を示すブロック
図である。
FIG. 2 is a block diagram illustrating a schematic configuration of the ion implantation apparatus.

【図3】上記イオン注入装置におけるビームの引き出し
を説明するための要部断面図である。
FIG. 3 is a fragmentary cross-sectional view for explaining beam extraction in the ion implantation apparatus.

【図4】上記イオン注入装置の注入位置付近の構成を説
明するための説明図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram for explaining a configuration near an implantation position of the ion implantation apparatus.

【図5】上記イオン注入装置のビームキャッチプレート
の構成を説明するための説明図である。
FIG. 5 is an explanatory diagram for explaining a configuration of a beam catch plate of the ion implantation apparatus.

【図6】上記イオン注入装置において、引出電極ずれが
生じている場合のイオンビームの軌道を説明するための
説明図である。
FIG. 6 is an explanatory diagram for explaining the trajectory of the ion beam when the extraction electrode shifts in the ion implantation apparatus.

【図7】上記イオン注入装置において、質量分析部の磁
場強度が不適正である場合のイオンビームの軌道を説明
するための説明図である。
FIG. 7 is an explanatory diagram for explaining the trajectory of the ion beam when the magnetic field intensity of the mass analysis unit is inappropriate in the ion implantation apparatus.

【図8】上記イオン注入装置において、引出電極ずれが
生じており、且つ、質量分析部の磁場強度が不適正であ
るにも関わらず、ビームの重心位置にずれが生じない場
合のイオンビームの軌道を説明するための説明図であ
る。
FIG. 8 is a diagram showing an ion implantation apparatus in which the displacement of the extraction electrode occurs and the displacement of the center of gravity of the beam does not occur despite the improper magnetic field strength of the mass spectrometer. It is an explanatory view for explaining a track.

【図9】上記イオン注入装置のコントローラの機能モジ
ュール構成を示す機能ブロック図である。
FIG. 9 is a functional block diagram showing a functional module configuration of a controller of the ion implantation apparatus.

【図10】従来のイオン注入装置のコントローラによる
ビーム電流調整動作を示すフローチャートである。
FIG. 10 is a flowchart showing a beam current adjustment operation by a controller of a conventional ion implantation apparatus.

【図11】上記イオン注入装置におけるビームの引き出
しを説明するための要部断面図である。
FIG. 11 is a cross-sectional view of main parts for describing extraction of a beam in the ion implantation apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 イオン源 2 引出電極部 3 質量分析部(質量分析手段) 7 引出電源 8 減速電源 15 ビームキャッチプレート(ビーム重心位置検出
手段) 17 ビーム計測部(ビーム重心位置検出手段) 18 コントローラ(ビーム電流調整手段) 18a ビーム重心位置演算部(ビーム重心位置検出手
段) 18b 重心位置ずれ判断部(重心位置ずれ判断手段) 18c 引出電極ずれ判断部(引出電極ずれ判断手段) 18d 制御実行要否判断部(制御実行要否判断手段) 21 引出電極
REFERENCE SIGNS LIST 1 ion source 2 extraction electrode unit 3 mass analysis unit (mass analysis unit) 7 extraction power supply 8 deceleration power supply 15 beam catch plate (beam centroid position detection unit) 17 beam measurement unit (beam centroid position detection unit) 18 controller (beam current adjustment) Means 18a Beam center-of-gravity position calculating unit (beam center-of-gravity position detecting unit) 18b Center-of-gravity position shift determining unit (center-of-gravity position shift determining unit) 18c Leader electrode shift determining unit (leader electrode shift determining unit) 18d Control execution necessity determining unit (control) Execution necessity determination means) 21 extraction electrode

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01J 37/317 H01J 37/04 H01J 37/05 H01L 21/265 C23C 14/48 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01J 37/317 H01J 37/04 H01J 37/05 H01L 21/265 C23C 14/48

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】イオンを生成するイオン源に形成されたビ
ーム引出孔と対向して配され、該ビーム引出孔からイオ
ンを引き出すための引出電極と、 上記引出電極のイオン源に対する位置を変える引出電極
駆動手段と、 上記引出電極に形成されたビーム通過孔を通過したイオ
ンビームから、磁場を用いた質量分析法により特定の質
量のイオンのみを選択的に取り出す質量分析手段と、 上記質量分析手段を通過してターゲットに到達するイオ
ンビームの電流が設定値になるように各種パラメータを
制御してビーム電流調整を行うビーム電流調整手段とを
備えているイオン注入装置において、 ターゲットに到達するイオンビームの重心位置を検出す
るビーム重心位置検出手段と、 イオン源から引き出されたイオンビームが上記引出電極
の電極面にあたって発生するロス電流を検出するロス電
流検出手段とを備え、 上記ビーム電流調整手段は、 上記イオンビームの重心位置が予め定められた適正範囲
内にあるか否かを判断する重心位置ずれ判断手段と、 上記ロス電流が予め定められた適正範囲内にあるか否か
を判断し、適正範囲から外れているとき引出電極のイオ
ン源に対する位置にずれがあると判断する引出電極ずれ
判断手段と、 上記重心位置ずれ判断手段および引出電極ずれ判断手段
の判断結果に基づいて、上記引出電極駆動手段を制御し
て引出電極のイオン源に対する位置を調整する引出電極
制御処理と上記質量分析手段の磁場強度を調整する質量
分析手段制御処理との実行の要否を判断する制御実行要
否判断手段とを備えている。
1. An extraction electrode arranged to face a beam extraction hole formed in an ion source for generating ions, and an extraction electrode for extracting ions from the beam extraction hole, and an extraction electrode for changing a position of the extraction electrode with respect to the ion source. Electrode driving means, mass analysis means for selectively extracting only ions of a specific mass from the ion beam passing through the beam passage hole formed in the extraction electrode by mass spectrometry using a magnetic field, and the mass analysis means A beam current adjusting means for controlling various parameters so that the current of the ion beam reaching the target after passing through the ion beam reaches a set value. A beam center-of-gravity position detecting means for detecting the position of the center of gravity of the ion beam, and an ion beam extracted from the ion source is applied to the electrode surface of the extraction electrode. A loss current detecting means for detecting a loss current generated beforehand, wherein the beam current adjusting means determines whether or not the center of gravity of the ion beam is within a predetermined appropriate range. And extracting electrode displacement determining means for determining whether or not the loss current is within a predetermined appropriate range, and determining that there is a shift in the position of the extracting electrode with respect to the ion source when the loss current is out of the appropriate range, Extraction electrode control processing for controlling the extraction electrode driving means to adjust the position of the extraction electrode with respect to the ion source based on the judgment results of the center-of-gravity position deviation judgment means and the extraction electrode deviation judgment means, and the magnetic field strength of the mass analysis means Control execution necessity judging means for judging the necessity of execution with the mass spectrometry means control processing for adjusting the control.
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