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JP3345381B2 - Information processing device - Google Patents
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JP3345381B2 - Information processing device - Google Patents

Information processing device

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JP3345381B2
JP3345381B2 JP32921799A JP32921799A JP3345381B2 JP 3345381 B2 JP3345381 B2 JP 3345381B2 JP 32921799 A JP32921799 A JP 32921799A JP 32921799 A JP32921799 A JP 32921799A JP 3345381 B2 JP3345381 B2 JP 3345381B2
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清 川畑
久芳 山中
哲哉 沖島
廣一 井原
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Hitachi Ltd
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    • G11C5/00Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/02Disposition of storage elements, e.g. in the form of a matrix array
    • G11C5/025Geometric lay-out considerations of storage- and peripheral-blocks in a semiconductor storage device

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  • Memory System (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は電子機器の小型化に
関し、特に宇宙用に最適な超小型計算機の構成に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to the miniaturization of electronic equipment, and more particularly to the construction of a micro computer optimal for space use.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、多くのコンピュータが種々の用途
に使用されるようになって、その小型軽量化が求められ
るようになってきている。特に宇宙で使用するコンピュ
ータには、打ち上げコストの低減,ペイロード(有償貨
物重量)の増加のために、より一層の小型軽量化が必要
である。
2. Description of the Related Art In recent years, many computers have been used for various purposes, and there has been a demand for smaller and lighter computers. In particular, computers used in space need to be further reduced in size and weight in order to reduce launch costs and increase payload (payload weight).

【0003】しかし、宇宙用コンピュータは文献1(五
家他「耐放射線性16ビットマイクロプロセッサLSI
の開発」第32回宇宙科学技術連合講演会予稿集、pp.
10−411)の写真1等に示すように高信頼で耐環境
性のある単一チップを単一パッケージに入れたディスク
リート(個別)部品で構成されていた。また、耐放射線
性特に宇宙線によるビット反転(SEU:Single Event
Upset)の発生を防ぐために、地上用よりもセルサイズ
を大きくしなければならず、元々チップサイズが大きい
ためにピン数増加によるパッケージサイズの増大もさほ
ど問題とならなかった。
However, a space computer is disclosed in Document 1 (Goya et al., "Radiation-resistant 16-bit microprocessor LSI").
Development of the 32nd Space Science and Technology Union Lecture Meeting, pp.
As shown in Photo 1 of 10-411) and the like, it was composed of discrete (individual) parts in which a single chip having high reliability and environmental resistance was put in a single package. In addition, radiation resistance, especially bit inversion by cosmic rays (SEU: Single Event
In order to prevent the occurrence of Upset, the cell size must be larger than that for the ground. Since the chip size was originally large, the increase in the package size due to the increase in the number of pins did not cause much problem.

【0004】一方、地上では1枚の配線基板上に複数の
ベアーチップを搭載するいわゆるマルチチップ搭載技術
が研究されている。従来は、文献2(日経マイクロデバ
イス、1989年12月号、pp.32−40)の図3
のようにダイボンディングパッドの外側にボンディング
パッドに接続する配線導体を引き出していた。
On the other hand, on the ground, a so-called multi-chip mounting technique for mounting a plurality of bare chips on one wiring board has been studied. Conventionally, FIG. 3 of Document 2 (Nikkei Microdevices, December 1989, pp. 32-40)
The wiring conductor connected to the bonding pad is drawn out of the die bonding pad as shown in FIG.

【0005】また、フォールトトレラントシステムに関
しては、文献3(土村他「フォールトトレラント水晶発
振用ICの試作とその評価」第24回FTC研究会資
料)等に見られるように誤りや故障を検出する検査部と
被検査部とを同一のチップに納めて小形化することが広
く行われている。特にASIC(Application Specifie
dIC)の普及にともなって、通常のMPUをコアにしてA
SIC技術によりMPUの検査回路を付加する試みが採
られている。
As for the fault-tolerant system, errors and failures are detected as described in Document 3 (Tsuchimura et al., "Trial Production and Evaluation of Fault-Tolerant Crystal Oscillation ICs", 24th FTC Study Group). 2. Description of the Related Art It is widely practiced to reduce the size of an inspection part and a part to be inspected by placing them on the same chip. In particular, ASIC (Application Specifie
With the spread of (dIC), A
Attempts have been made to add an MPU inspection circuit by SIC technology.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術のうち文
献1等に示されている個別部品で構成する方式は、コン
ピュータの小型軽量化について考慮がされていなかっ
た。
Among the above-mentioned prior arts, the system composed of individual parts disclosed in Document 1 and the like does not take into account reduction in the size and weight of a computer.

【0007】これに関して、発明者らによりすでに出願
されている特願平2−7022 号では、フォールトトレラン
ス(耐故障性)技術により、セルサイズの小さなLSI
すなわち、高集積LSIを用いた耐環境性コンピュータ
を提供している。従って、宇宙用コンピュータのチップ
サイズを大幅に小さくでき、従来さほど問題とならなか
ったピン数増加によるパッケージサイズの増大が、宇宙
用コンピュータを小型軽量化する上でのあい路となって
きている。小さなパッケージから多くのピンを引き出せ
るPGA(Pin Grid Array)は、目視検査が困難であ
り、ピンの熱伸縮により発生する機械的ストレスを逃が
せないことから宇宙での使用は適当でないため、パッケ
ージサイズの増大を覚悟の上で、他のタイプのパッケー
ジ(QFP,DIP等)を使用せざるをえない。以上の
ような点は、地上においても程度の差こそあれ問題とな
っている。本発明の目的の1つはピン数増加によるパッ
ケージサイズの増大をなくすことにある。
[0007] In this regard, Japanese Patent Application No. 2-7022, already filed by the inventors, discloses an LSI having a small cell size by using a fault-tolerant technique.
That is, an environment-resistant computer using a highly integrated LSI is provided. Accordingly, the chip size of the space computer can be significantly reduced, and the increase in the package size due to the increase in the number of pins, which has not been a problem in the past, has become a way to reduce the size and weight of the space computer. PGA (Pin Grid Array), which can pull out many pins from a small package, is not suitable for use in space because visual inspection is difficult and mechanical stress generated by thermal expansion and contraction of pins cannot be released. With the increase in mind, other types of packages (QFP, DIP, etc.) must be used. The above points are problematic to some extent even on the ground. An object of the present invention is to eliminate an increase in package size due to an increase in the number of pins.

【0008】文献2等のようにダイボンディングパッド
の外側にボンディングパッドに接続する配線導体を引き
出す方法は、配線密度の均等化について考慮されておら
ず、最外層、特にダイボンディングパッド周辺の配線密
度が極めて高くなっている。そのために効率的な配線が
できず、最外層の配線密度があい路となり、パッケージ
サイズを十分に小さくすることができなかった。特に多
層配線板では、上下の配線層を結ぶビアホール(Via Ho
le)が多くの面積を占めるために、最外層、特にダイボ
ンディングパッド周辺では、多くのビアホールが多くの
面積を占めてしまうことになる。本発明の他の目的は、
最外層、特にダイボンディングパッド周辺への配線密度
の集中を緩和し、パッケージサイズを小形化することに
ある。また、先に述べたようにビアホールは多くの面積
を占めるために、配線層間のビアホールによる接続箇所
が多いと配線に必要な配線基板の大きさが増大し、それ
にともなってパッケージサイズも大きなものとなる。配
線層間の接続箇所を減らし、パッケージサイズを小形化
することも本発明の目的の1つである。
The method of drawing out the wiring conductor connected to the bonding pad outside the die bonding pad as in Document 2 does not take into account the equalization of the wiring density, and does not consider the wiring density in the outermost layer, especially in the vicinity of the die bonding pad. Is extremely high. For this reason, efficient wiring could not be performed, and the wiring density of the outermost layer became a path, and the package size could not be sufficiently reduced. In particular, in a multilayer wiring board, a via hole (Via Ho) connecting the upper and lower wiring layers
Since le) occupies a large area, many via holes occupy a large area in the outermost layer, especially around the die bonding pad. Another object of the present invention is to
It is an object of the present invention to reduce the concentration of wiring density on the outermost layer, especially around the die bonding pad, and to reduce the package size. Also, as described above, the via hole occupies a large area, so if there are many connection points with via holes between the wiring layers, the size of the wiring board required for wiring increases, and the package size accordingly increases. Become. Another object of the present invention is to reduce the number of connection points between wiring layers and to reduce the package size.

【0009】文献3などのように検査部と被検査部とを
同一のチップに納める方法は、チップ全体にわたる障害
や故障について考慮がされておらず、検査部と被検査部
とが同時に故障した場合に、異常を検出できない畏れが
ある。異常の検出漏れの少ない、検査機能付き電子機器
の小型軽量化も本発明の1つである。更にプログラム開
発の容易な超小型電子機器を提供することも本発明の目
的の一つである。
In the method of placing the inspection unit and the inspection target on the same chip as in Reference 3, the failure and the failure over the entire chip are not considered, and the inspection unit and the inspection target fail at the same time. In some cases, there is fear that an abnormality cannot be detected. One of the aspects of the present invention is to reduce the size and weight of an electronic device with an inspection function, which has less omission in detection of abnormality. Another object of the present invention is to provide an ultra-small electronic device in which program development is easy.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明では、以下のような手段を取る。
In order to achieve the above object, the present invention takes the following measures.

【0011】<ピンネックの解消>ピン数増加によるパ
ッケージサイズの増大を解消するために本発明では、バ
ス線で接続する半導体チップを全て配線基板上にベアチ
ップ実装し、ベアチップと配線基板の間をワイヤボンデ
ィングにより接続する。
<Elimination of Pin Neck> In order to eliminate an increase in package size due to an increase in the number of pins, according to the present invention, all semiconductor chips connected by bus lines are mounted on a wiring board with bare chips, and a wire is connected between the bare chip and the wiring board. Connected by bonding.

【0012】しかし、配線基板の大きさには熱応力など
により限界があるため、現在製造可能な大きさの配線基
板では、従来の方法ではバス線で接続する半導体チップ
を全て配線基板上にベアチップ実装することは不可能で
あった。そこで、限られた大きさの配線基板上に多くの
ベアチップを実装する為に以下のような手段を採る。 <配線密度の均等化>多層配線板の最外層のダイボンデ
ィングランド近くの配線密度集中を避けるために本発明
では、最外層の配線導体の上面に絶縁層と部分形成し、
その上面にダイボンディングランドを形成することによ
り、ダイボンディングランドの下にもワイヤボンディン
グパッドからの引出線およびビアホールを形成する。
However, since the size of the wiring board is limited due to thermal stress and the like, in a wiring board of a size that can be manufactured at present, according to the conventional method, all the semiconductor chips connected by bus lines are bare chips on the wiring board. Impossible to implement. In order to mount many bare chips on a wiring board having a limited size, the following measures are taken. <Equalization of wiring density> In order to avoid concentration of wiring density near the die bonding land of the outermost layer of the multilayer wiring board, in the present invention, an insulating layer and a part are formed on the upper surface of the outermost wiring conductor,
By forming a die bonding land on the upper surface, a lead line from a wire bonding pad and a via hole are also formed below the die bonding land.

【0013】<ビアホール数の削減>配線層間の接続箇
所を削減するために本発明では、データバスを構成する
データ信号線を2つのグループに分け、配線基板の片方
の面には一方のグループの信号線に接続する記憶素子を
実装し、もう片方の面には、もう一方のグループの信号
線に接続する記憶素子を実装する。
<Reduction of the number of via holes> In order to reduce the number of connection points between wiring layers, in the present invention, data signal lines constituting a data bus are divided into two groups, and one group of the wiring board is provided on one surface. The storage element connected to the signal line is mounted, and the storage element connected to the other group of signal lines is mounted on the other surface.

【0014】<検出漏れの低減>異常の検出漏れの少な
い、検査機能付き超小型電子機器を実現するために本発
明では、検査部と被検査部とを異なるチップの中に構成
し、それぞれのチップを配線基板上にベアチップ実装
し、ベアチップと配線基板の間をワイヤボンディングに
より接続する。
<Reduction of Detection Leakage> In order to realize an ultra-small electronic device with an inspection function with less detection omission of abnormality, in the present invention, the inspection section and the inspection target section are configured in different chips, and The chip is mounted on a wiring board with a bare chip, and the bare chip and the wiring board are connected by wire bonding.

【0015】<プログラム開発の容易化>プログラム開
発を容易化するために本発明では、パッケージ内のRO
Mなどの記憶素子に接続する信号線はパッケージ外へも
引き出し、開発用に機器では、パッケージ内のROMの
実装,ワイヤボンディングはせずにパッケージの外部に
接続したROMで動作させる。プログラム開発が終了し
た後には、実際に使用する機器では、パッケージ内のR
OMで動作させる。
<Easy Program Development> In order to facilitate program development, the present invention uses the RO
The signal line connected to the storage element such as M is also drawn out of the package, and the device for development is operated with the ROM connected outside the package without mounting the ROM in the package and wire bonding. After the program development is completed, the R
Operate with OM.

【0016】<ピンネックの解消>コンピュータなどに
代表される電子機器は、通常複数の半導体チップが多く
の信号線からなるバスで結ばれていることが多い。従っ
て、従来のような個別部品による構成では、バスに接続
する信号線がパッケージの内外を結んでいるために、膨
大な数のピンが必要となる。本発明では、バスに接続し
ている全ての半導体チップを単一のパッケージにまとめ
ているので、パッケージの内外を結ぶ信号線が大幅に減
少する。
<Elimination of Pin Neck> In electronic equipment such as a computer, a plurality of semiconductor chips are usually connected by a bus composed of many signal lines. Therefore, in a conventional configuration using individual components, an enormous number of pins are required because the signal line connected to the bus connects the inside and outside of the package. In the present invention, since all the semiconductor chips connected to the bus are combined into a single package, the number of signal lines connecting the inside and outside of the package is greatly reduced.

【0017】<配線密度の均等化>本発明では、ワイヤ
ボンディングパッドの上(外側)の層にダイボンディン
グランドを設けているので、ワイヤボンディングパッド
から引き出した配線導体をダイボンディングランドの内
側の層にも形成しているので、ワイヤボンディングパッ
ド部分の面積をワイヤボンディングパッドからの配線引
き出し、更に内側の層へのビアホール形成に利用するこ
とができ、ワイヤボンディングパッド付近の配線密度の
集中を緩和することができる。従って、各配線層の配線
密度を均等化し、面積を有効に使用することができる。
<Equalization of Wiring Density> In the present invention, the die bonding lands are provided on the layer above (outside) the wire bonding pads. In this case, the area of the wire bonding pad portion can be used for drawing out the wiring from the wire bonding pad and forming a via hole in an inner layer, thereby alleviating the concentration of the wiring density near the wire bonding pad. be able to. Therefore, the wiring density of each wiring layer can be equalized, and the area can be used effectively.

【0018】<ビアホール数の削減>MPU(Microproc
essing Unit)に接続するデータ線はMPUの品種により
4,8,16,32,64ビット幅などがある。一方、
ROM(Read Only Memory)やRAM (Random Access Me
mory) 等の記憶素子に接続するデータ線は品種により
1,4,8ビット幅などがある。つまり、多くの場合に
は記憶素子のデータ幅はMPUのデータ幅よりも狭い。
従って、図14に示すようにMPU101からのデータバス1
00には、複数のRAM102−1〜102−NやROM103−1
〜103−N等の記憶素子がビットスライスして接続さ
れる。
<Reduction of the number of via holes> MPU (Microproc
The data line connected to the ESS unit has a 4, 8, 16, 32, or 64 bit width depending on the type of MPU. on the other hand,
ROM (Read Only Memory) and RAM (Random Access Me
The data lines connected to the storage elements such as mory) have a 1, 4 or 8 bit width depending on the type. That is, in many cases, the data width of the storage element is smaller than the data width of the MPU.
Therefore, as shown in FIG.
00 contains a plurality of RAMs 102-1 to 102-N and a ROM 103-1.
Storage elements such as to 103 to N are bit-sliced and connected.

【0019】本発明では、記憶素子に接続する幅をもと
にデータ線をグループ分けして、同一のグループのデー
タ線に接続する記憶素子は配線基板の同一の面に実装す
ることにより、配線層間の接続(ビアホール)箇所を減
らし、ビアホールが占める面積を削減するために、配線
基板の大きさを小さくすることができる。
According to the present invention, the data lines are divided into groups based on the widths connected to the storage elements, and the storage elements connected to the same group of data lines are mounted on the same surface of the wiring board, so that the wiring The size of the wiring substrate can be reduced in order to reduce the number of connections (via holes) between the layers and reduce the area occupied by the via holes.

【0020】<検出漏れの低減>半導体素子の故障の多
くはトランジスタ(ゲート)単位で発生するものである
が、障害の範囲が素子(チップ)全体に波及するような
故障もある。この様なチップ全体に波及する故障は、被
検査部と検査部とを同一チップ収納した電子機器では、
検出することができず、検査部を付加した意義が薄れる
ことになる。
<Reduction of Omission of Detection> Most of the failures of semiconductor elements occur on a transistor (gate) basis, but there are also failures in which the range of the failure extends to the entire element (chip). Such a failure that affects the entire chip is caused by an electronic device in which the inspected part and the inspection part are housed in the same chip.
It cannot be detected, and the significance of adding the inspection unit is diminished.

【0021】かと言って被検査部と検査部とを個別パッ
ケージからなる個別チップで構成していては、検査用の
信号線をパッケージ間に設けなければならず、電子機器
の大きさが大きくなってしまう。
However, if the inspected portion and the inspected portion are formed of individual chips formed of individual packages, signal lines for inspection must be provided between the packages, which increases the size of electronic equipment. Would.

【0022】そこで本発明では、被検査部と検査部とを
別チップに分け、同一の配線基板上にベアーチップ実装
し、ワイヤボンディングにより配線基板とベアーチップ
を接続して単一パッケージとする。このことにより、チ
ップ全体に波及する故障の検出漏れを無くし、しかも小
型軽量な電子機器を提供する。
Therefore, in the present invention, the inspected part and the inspected part are divided into separate chips, mounted on the same wiring board with a bare chip, and the wiring board and the bare chip are connected by wire bonding to form a single package. As a result, it is possible to provide a small and lightweight electronic device that eliminates failure to detect a failure that affects the entire chip.

【0023】<プログラム開発の容易化>プログラムを
格納した記憶素子(ROM)を他の半導体素子と同様に
同一の配線基板上にベアーチップ実装し、同一パッケー
ジ内に内蔵すれば電子機器を大幅に小型軽量化できる。
しかし、ROMをパッケージ内に内蔵してしまうとプロ
グラミング、およびその消去のために工夫を要する。EE
PROM(ElectricallyErasable Programable ROM)を使
用すれば、容易にプログラミング、およびその消去が可
能であり、UVEPROM(Ultra-Violet Erasable Programabl
e ROM) を使用する場合でもパッケージに消去用の紫
外線を透過する窓をつけておけばプログラミング、およ
びその消去は可能である。
<Easy Program Development> A storage element (ROM) storing a program is mounted on the same wiring board as a semiconductor chip in the form of a bare chip, and if it is incorporated in the same package, the electronic equipment can be greatly reduced. Compact and lightweight.
However, if the ROM is incorporated in the package, a device is required for programming and erasing the program. EE
If a PROM (Electrically Erasable Programmable ROM) is used, it can be easily programmed and erased, and UVEPROM (Ultra-Violet Erasable Programmable ROM)
Even when an e-ROM is used, programming and erasing can be performed by providing a window for transmitting ultraviolet light for erasing in the package.

【0024】しかし、宇宙線などに曝される宇宙用電子
機器にEPROMを使用する場合には、書き込んだ宇宙
線でデータが消去されることもある。また、電子の熱運
動により書き込んだデータが時間と共に消去されるため
に何十年という長期間に渡って使用される電子機器には
EPROMすることができない。従ってこれらの用途に
は、マスクROMもしくはヒューズROMを使用しなけ
ればならない。
However, when an EPROM is used in a space electronic device exposed to cosmic rays or the like, data may be erased by the written cosmic rays. Also, since data written by the thermal motion of electrons is erased with time, EPROM cannot be used for electronic equipment used for a long period of decades. Therefore, a mask ROM or a fuse ROM must be used for these applications.

【0025】プログラムの開発のためには、何度もプロ
グラムを修正し、書きなおすことが必要なため、マスク
ROMもしくはヒューズROMを使用していては効率的
なプログラム開発ができない。
In order to develop a program, it is necessary to modify and rewrite the program many times, so that efficient program development cannot be performed using a mask ROM or a fuse ROM.

【0026】そこで本発明では、パッケージ内にマスク
ROMもしくはヒューズROMを内蔵すると共に、RO
Mへの接続線をパッケージ外部にも引き出し、パッケー
ジ外部のROMでも動作を可能にしている。従って、開
発用にはパッケージ内のROMにワイヤボンディングを施
さないようにし、外部にプログラミング、およびその消
去の容易なEPROMを接続すれば、本番用と同一の配
線パターンの配線基板を用いて、プログラムを開発する
ことができる。
Therefore, according to the present invention, a mask ROM or a fuse ROM is built in a package,
The connection line to M is drawn out of the package, and operation is possible even with a ROM outside the package. Therefore, wire bonding is not performed on the ROM in the package for development, and if an EPROM that can be easily programmed and erased is connected to the outside, the program can be programmed using the same wiring pattern as the production one. Can be developed.

【0027】[0027]

【発明の実施の形態】以下図に従い、本発明の実施例を
説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0028】図1は本発明が提供する電子機器内部の構
成の一例である。本実施例では、MPU101,RAM102,ROM1
03,FPU(Floating-point Proccessing Unit) 10
4,DMAC(Direct Memory Access Controller)10
5,インタフェース回路106が配線基板(パッケージ)
10の内部でバス100により接続されている。本実施
例で特に注目すべき点は、バス100が配線基板(パッ
ケージ)10の外側に引き出されておらず、外部とのイ
ンタフェース線150のみが配線基板(パッケージ)1
0の外側に引き出されている点である。従来は図13に
示すように配線基板(パッケージ)10の外側にバス1
00が引き出されているためにピン数の増加にともなっ
てパッケージの寸法が大きくなっていた。しかし、本実
施例ではバス100に接続する半導体チップは全て配線
基板(パッケージ)10上に実装している。本実施例に
よれば、配線基板(パッケージ)10の外にバス100
が引き出していないので、内外を接続する信号線を大幅
に減らすことができる。従って、配線基板(パッケー
ジ)10の内外の信号線を結ぶピンの数を削減すること
ができ、ピンの数が配線基板(パッケージ)10の小型
軽量化を妨げることをなくしている。
FIG. 1 shows an example of the internal configuration of an electronic device provided by the present invention. In this embodiment, the MPU 101, the RAM 102, the ROM 1
03, FPU (Floating-point Proccessing Unit) 10
4, DMAC (Direct Memory Access Controller) 10
5, The interface circuit 106 is a wiring board (package)
10 are connected by a bus 100. In this embodiment, it should be noted that the bus 100 is not drawn out of the wiring board (package) 10 and only the interface line 150 with the outside is connected to the wiring board (package) 1.
It is a point that is drawn out of 0. Conventionally, a bus 1 is provided outside a wiring board (package) 10 as shown in FIG.
Since the number of pins was increased, the size of the package was increased with an increase in the number of pins. However, in this embodiment, all the semiconductor chips connected to the bus 100 are mounted on the wiring board (package) 10. According to the present embodiment, the bus 100 is provided outside the wiring board (package) 10.
Are not drawn out, so that the number of signal lines connecting inside and outside can be greatly reduced. Therefore, the number of pins connecting signal lines inside and outside the wiring board (package) 10 can be reduced, and the number of pins does not prevent the wiring board (package) 10 from being reduced in size and weight.

【0029】図2は本発明による配線基板のダイボンデ
ィング部の断面図である。配線基板10の外側(上)に
ワイヤボンディングパッド11およびこれより引き出し
た配線導体14の外側(上)に絶縁層16を部分形成
し、絶縁層16の外側(上)にダイボンディングランド1
5を形成し、半導体チップ20をダイボンディングし、
半導体チップ20上のワイヤボンディングパッド21と
配線基板10上のワイヤボンディングパッド11の間を
ボンディングワイヤ30で接続する。本実施例によれ
ば、図3に示すようにダイボンディングランド15の周
囲のビアホール13だけでなくダイボンディングランド
15の内側にもビアホール13′を形成することができ
る。従って従来利用されていなかった最外層のダイボン
ディングランド15の下の部分も本実施例によれば、配
線領域やビアホール領域として活用することができ、配
線基板で半導体チップの占める面積に比べた配線やビア
ホール領域の占める面積を著しく低減することができ
る。
FIG. 2 is a sectional view of a die bonding portion of a wiring board according to the present invention. An insulating layer 16 is partially formed on the outside (upper) of the wire bonding pad 11 and the wiring conductor 14 drawn out from the wiring board 10, and the die bonding land 1 is formed on the outer (upper) of the insulating layer 16.
5 is formed, and the semiconductor chip 20 is die-bonded,
The bonding wires 30 are connected between the wire bonding pads 21 on the semiconductor chip 20 and the wire bonding pads 11 on the wiring board 10. According to the present embodiment, as shown in FIG. 3, not only the via hole 13 around the die bonding land 15 but also the via hole 13 'can be formed inside the die bonding land 15. Therefore, according to the present embodiment, the portion under the outermost layer die bonding land 15 which has not been conventionally used can also be used as a wiring region or a via hole region, and the wiring compared with the area occupied by the semiconductor chip in the wiring substrate is reduced. And the area occupied by the via hole region can be significantly reduced.

【0030】図4はMPU101に接続するデータバス100
の信号線をビットごとに100−1,100−2の2つ
にグループ分けして、データバス100−1に接続する
RAM102−1〜102−k,ROM103−1〜103−kをB
面に、データバス100−2に接続するRAM102−(k+
1)〜102−N,ROM103−(k+1)〜103−Nを
A面に実装した実施例である。本実施例によれば、A面
B面間のデータバスの接続が不要で、広い面積を占める
ベアホールの数を少なくすることができる。従って、配
線基板の半導体チップの占める面積に比べた配線やビア
ホール領域の占める面積を著しく低減することができ、
電子機器を小型軽量化することができる。
FIG. 4 shows a data bus 100 connected to the MPU 101.
Are divided into two groups of 100-1 and 100-2 for each bit and connected to the data bus 100-1.
RAM 102-1 to 102-k and ROM 103-1 to 103-k are B
The RAM 102- (k +) connected to the data bus 100-2
This is an embodiment in which 1) to 102-N and ROM 103- (k + 1) to 103-N are mounted on the A surface. According to the present embodiment, the connection of the data bus between the side A and the side B is unnecessary, and the number of bare holes occupying a large area can be reduced. Therefore, the area occupied by the wiring and the via hole area can be significantly reduced as compared with the area occupied by the semiconductor chip on the wiring board,
Electronic devices can be reduced in size and weight.

【0031】図5は、図4に示す実施例においてMPU101
に接続するデータバス100が32ビット幅で、RO
M,RAMに接続するデータバスが8ビット幅である場
合の実施例である。データバス100を構成するデータ
線D0〜D31のうちD0〜D15をデータバス100
−1に、D16〜D31をデータバス100−2にそれ
ぞれグループ分けする。データバス100−1の内D0
〜D7をRAM102−1およびROM103−1に接続しD8〜D
15をRAM102−2およびROM103−2に接続している。ま
た、データバス100−2の内D15〜D23をRAM102
−3およびROM103−3に接続しD24〜D31をRAM102
−4およびROM103−4に接続している。本実施例によれ
ば、図4に示す実施例と同様に電子機器を小型軽量化す
ることができる。
FIG. 5 shows the MPU 101 in the embodiment shown in FIG.
Is 32 bits wide, and the RO
This is an embodiment in the case where the data bus connected to M and RAM has an 8-bit width. Of the data lines D0 to D31 constituting the data bus 100, D0 to D15 are connected to the data bus 100.
-1 and D16 to D31 are grouped into the data bus 100-2. D0 of the data bus 100-1
To D7 are connected to the RAM 102-1 and the ROM 103-1 and D8 to D
15 is connected to the RAM 102-2 and the ROM 103-2. Also, D15 to D23 of the data bus 100-2 are connected to the RAM 102.
-3 and the ROM 103-3, and connect D24 to D31 to the RAM 102.
-4 and ROM 103-4. According to this embodiment, it is possible to reduce the size and weight of the electronic device as in the embodiment shown in FIG.

【0032】図6はMPU101とMPU101の検査回路111を
配線基板10上にベアチップ実装した実施例である。MP
U101と検査回路111はそれぞれ別個のベアチップで、
配線基板10にワイヤボンディングにより接続されてい
る。なお簡単のため、図中ボンディングワイヤは省略し
てある。検査回路111としては種々な方式が従来から
提案されている。
FIG. 6 shows an embodiment in which the MPU 101 and the inspection circuit 111 of the MPU 101 are mounted on a wiring board 10 with a bare chip. MP
U101 and inspection circuit 111 are separate bare chips, respectively.
It is connected to the wiring board 10 by wire bonding. For simplicity, the bonding wires are omitted in the figure. Various methods have been conventionally proposed for the inspection circuit 111.

【0033】例えば、 (1) 一定期間内にMPU101からのアクセスがない場合には
MPU101の暴走とみなしてMPU101をリセットするウォッチ
ドッグタイマ。
For example, (1) when there is no access from the MPU 101 within a certain period
A watchdog timer that resets the MPU101 as if it were a runaway of the MPU101.

【0034】(2) 検査回路111内部に参照用MPU
(図中では図示しない)を有し、該参照用MPUの出力信
号とMPU101の出力信号とを比較し、不一致が見られた場
合に該参照用MPUまたはMPU101の異常とみなす方式。
(2) MPU for reference inside inspection circuit 111
(Not shown in the figure), the output signal of the reference MPU is compared with the output signal of the MPU 101, and when a mismatch is found, the reference MPU or the MPU 101 is regarded as abnormal.

【0035】等がある。And the like.

【0036】従来のMPU101と検査回路111とを別パッ
ケージとする方法では、パッケージの数,配線の数が増
え、電子機器の寸法が大きなものとなる。また、最近採
られている、MPU101と検査回路111とを同一チップと
する方法では、チップ全体にわたる故障が発生した場合
には、検査回路111も機能しなくなるために、故障を
完全に検出することができない。
In the conventional method in which the MPU 101 and the inspection circuit 111 are provided in separate packages, the number of packages and the number of wirings increase, and the size of the electronic device increases. In addition, in the method adopted recently, in which the MPU 101 and the test circuit 111 are on the same chip, if a failure occurs on the entire chip, the test circuit 111 also stops functioning. Can not.

【0037】本実施例によれば、パッケージの数,配線
の数が増えることなく、チップ全体にわたる故障も検出
することができる検査回路111付きMPU101を提供する
ことができる。従って、小型軽量かつ高信頼の電子機器
を提供することができる。
According to this embodiment, it is possible to provide the MPU 101 with the inspection circuit 111 that can detect a failure over the entire chip without increasing the number of packages and the number of wirings. Therefore, a small, lightweight, and highly reliable electronic device can be provided.

【0038】図7はRAM102と誤り訂正符号符号化復号化
回路112とを別チップとし、配線基板10上にベアチ
ップ実装した実施例である。RAM102と誤り訂正符号符号
化復号化回路112はそれぞれ別個のベアチップで、配
線基板10にワイヤボンディングにより接続されてい
る。なお簡単のため、図中ボンディングワイヤは省略し
てある。
FIG. 7 shows an embodiment in which the RAM 102 and the error correction code encoding / decoding circuit 112 are provided as separate chips, and are mounted on the wiring board 10 with bare chips. The RAM 102 and the error correction code encoding / decoding circuit 112 are separate bare chips, and are connected to the wiring board 10 by wire bonding. For simplicity, the bonding wires are omitted in the figure.

【0039】誤り訂正符号は、メモリ内に記憶するデー
タに誤り検出訂正用の冗長ビットを付加し、符号間のハ
ミング距離を4以上にすることにより誤りの検出,訂正
を可能にしている。符号間のハミング距離を4とした場
合には1ビット誤りの訂正が可能で、2ビット誤りは検
出のみが可能であるのでSECDED (Single-ErrorCrrectio
n, Double-Error Detection)コードと呼ばれている。例
えば、16ビットのデータについてSECDEDを実現するた
めには6ビットの検出訂正用の冗長ビットを付加すれば
よい。なお、本発明の目的は誤り訂正符号を提供するこ
とではないので、誤り訂正符号についての詳しい説明は
省略する。
The error correction code enables detection and correction of errors by adding redundant bits for error detection and correction to data stored in the memory and making the Hamming distance between the codes four or more. When the Hamming distance between codes is 4, a 1-bit error can be corrected, and a 2-bit error can only be detected. Therefore, SECDED (Single-ErrorCrrectio
n, Double-Error Detection) code. For example, in order to realize SECDED for 16-bit data, 6-bit redundant bits for detection and correction may be added. Since the object of the present invention is not to provide an error correction code, a detailed description of the error correction code will be omitted.

【0040】従来のRAM102と誤り訂正符号符号化復号化
回路112とを別パッケージとする方法では、パッケー
ジの数,配線の数が増え、電子機器の寸法が大きなもの
となる。また、最近採られている、RAM102と誤り訂正符
号符号化復号化回路112とを同一チップとする方法で
は、チップ全体にわたる故障が発生した場合には、誤り
訂正符号符号化復号化回路112も機能しなくなるため
に、故障を完全に検出することができない。
In the conventional method in which the RAM 102 and the error correction code encoding / decoding circuit 112 are packaged separately, the number of packages and the number of wirings increase, and the size of the electronic device becomes large. Further, in a method adopted recently, in which the RAM 102 and the error correction code encoding / decoding circuit 112 are on the same chip, when a failure occurs over the entire chip, the error correction code encoding / decoding circuit 112 also functions. Therefore, the failure cannot be completely detected.

【0041】本実施例によれば、パッケージの数,配線
の数が増えることなく、チップ全体にわたる故障も検出
することができる誤り訂正符号符号化復号化回路112
付きRAM102を提供することができる。従って、小型軽量
かつ高信頼の電子機器を提供することができる。
According to the present embodiment, the error correction coding / decoding circuit 112 can detect a failure over the entire chip without increasing the number of packages and the number of wirings.
Attached RAM 102 can be provided. Therefore, a small, lightweight, and highly reliable electronic device can be provided.

【0042】図8は、配線基板(パッケージ)10の内部
のROMでも外側に接続したROMでも動作できるよう
にした実施例である。配線基板(パッケージ)10の内
部ではMPU101にRAM102,ROM103がバス100に接続して
いる。また、アドレスデコーダ107によりRAM102,RO
M103選択信号CS#が生成されている。図中ではアクテ
ィブローの信号には信号線名の上に線をつけているが、
本明細書中では記述の都合上信号線名のあとに「#」記
号をつけて記述する。アドレスデコーダ107はバス1
00に出力されているアドレス信号のうち上位側ビット
をデコードし、アドレス信号がRAM102またはROM103のア
ドレスを示している場合には、RAM102またはROM103へそ
れぞれの選択信号CS#を出力する。RAM102またはROM1
03では、選択信号CS#がアクティブな場合には下位側
ビットに従って所定のアドレスのデータをリードまたは
ライトする。
FIG. 8 shows an embodiment in which both the ROM inside the wiring board (package) 10 and the ROM connected outside can be operated. Inside the wiring board (package) 10, the RAM 102 and the ROM 103 are connected to the MPU 101 and the bus 100. In addition, the RAM 102, RO
An M103 selection signal CS # has been generated. In the figure, active-low signals are marked with a line above the signal line name,
In this specification, for convenience of description, a signal line name is described with a "#" symbol. Address decoder 107 is connected to bus 1
The high-order bits of the address signal output to 00 are decoded, and when the address signal indicates the address of the RAM 102 or the ROM 103, the respective selection signals CS # are output to the RAM 102 or the ROM 103. RAM102 or ROM1
In 03, when the selection signal CS # is active, data at a predetermined address is read or written according to the lower bits.

【0043】本実施例では、ROM103の選択信号CS#1
08を配線基板(パッケージ)10の外側へも出力して
いる。従って、配線基板(パッケージ)10内のROM103
の換わりに配線基板(パッケージ)10の外側のROM10
3′を用いて動作することが可能である。また、ROM10
3′へ接続するアドレス線はアドレスバスの信号のうち
の一部である下位側ビットで済むので、配線基板(パッ
ケージ)10の外側への引出線の増加も抑えられる。プ
ログラム開発のためには配線基板(パッケージ)10内の
ROM103は実装せずに、配線基板(パッケージ)10の外
側のROM103′にプログラムを書き込めば良いので、プロ
グラムのROMへの書き込み,消去が容易にでき、効率
的なプログラム開発が可能である。また、プログラム開
発後の実機には配線基板(パッケージ)10内のROM103
としてマスクROMやヒューズROMを使用すれば、RO
M103内部のデータの消去の畏れが無く、長期間の使用に
耐える電子機器を提供することができる。
In this embodiment, the selection signal CS # 1 of the ROM 103
08 is also output to the outside of the wiring board (package) 10. Therefore, the ROM 103 in the wiring board (package) 10
Instead of the ROM 10 outside the wiring board (package) 10
It is possible to work with 3 '. Also, ROM10
Since the address line connected to 3 'is sufficient for the lower bits which are a part of the signal of the address bus, an increase in the number of lead lines to the outside of the wiring board (package) 10 can be suppressed. In order to develop the program, the wiring board (package) 10
Since the program may be written in the ROM 103 'outside the wiring board (package) 10 without mounting the ROM 103, the program can be easily written to and erased from the ROM, and efficient program development can be performed. In addition, after the program is developed, the ROM 103 in the wiring board (package) 10
If a mask ROM or fuse ROM is used as
An electronic device that can withstand long-term use without fear of erasing data in the M103 can be provided.

【0044】図9は本発明による実施例の回路の例であ
る。配線基板10上にMPU101,RAM102,ROM103,FPU10
4,DMAC105 ,ゲートアレイ110をベアチップ搭載し
ている。RAM102,ROM103はメモリ容量,ビット幅に応じ
て複数のチップから構成されているが、図中では簡単の
ためにまとめて1つとして表している。ゲートアレイ1
10内部には、MPUの暴走を検出するウォッチドッグ
タイマ等からなる検査回路111,RAM102のデータ反転
を訂正する誤り訂正符号符号化復号化回路112,アド
レスデコーダ107,外部とのインタフェース回路10
6などが内蔵されている。(ゲートアレイ110内部の
これらの回路は図示していない。)この様にMPU101の周
辺回路をゲートアレイ化することによりチップ数を大幅
に削減することができる。
FIG. 9 shows an example of a circuit according to an embodiment of the present invention. MPU 101, RAM 102, ROM 103, FPU 10
4. The DMAC 105 and the gate array 110 are mounted on a bare chip. The RAM 102 and the ROM 103 are composed of a plurality of chips according to the memory capacity and the bit width, but are collectively represented as one in the figure for simplicity. Gate array 1
10, an inspection circuit 111 including a watchdog timer for detecting runaway of the MPU, an error correction code encoding / decoding circuit 112 for correcting data inversion of the RAM 102, an address decoder 107, and an external interface circuit 10
6 are built in. (These circuits inside the gate array 110 are not shown.) By forming the peripheral circuits of the MPU 101 into a gate array, the number of chips can be significantly reduced.

【0045】また、検査回路111,誤り訂正符号符号
化復号化回路112をそれぞれMPU101,RAM102とは別個
のチップであるゲートアレイ110に収納しているため
に、チップ全体に及ぶ故障の検出もれを防止することが
できる。
Further, since the inspection circuit 111 and the error correction code encoding / decoding circuit 112 are housed in the gate array 110 which is a separate chip from the MPU 101 and the RAM 102, respectively, it is possible to detect a failure over the entire chip. Can be prevented.

【0046】MPU101,FPU104,DMAC105 は種々の品種の
ものを使用することができるが、ここでは、GMICRO/2
00(H32/200)シリーズの使用を想定して図示
している。従って、各種制御信号線の名称は、GMICRO/
200(H32/200)シリーズの仕様に従って示し
ている。本発明は特定の製品シリーズのみにより実施さ
れるものではないので、本発明に特に関連のない信号名
については説明を省略するが、詳細は、文献(「H32
/200ハードウェアマニュアル」、(株)日立製作所)
等に記載されている。なお、アドレス,データ線等のビ
ット位置はビッグエンディアン表示となっているので、
上位ビットの方が小さい数字で表している。例えば、ア
ドレス線のA0は最上位ビットを表し、A29は最下位
ビットを表している。
The MPU 101, FPU 104 and DMAC 105 can be of various types, but here, GMICRO / 2
The illustration is based on the use of the 00 (H32 / 200) series. Therefore, the names of various control signal lines are GMICRO /
It is shown according to the specifications of the 200 (H32 / 200) series. Since the present invention is not embodied only by a specific product series, a description of signal names not particularly related to the present invention will be omitted.
/ 200 Hardware Manual ", Hitachi, Ltd.)
And so on. Since the bit positions of the address and data lines are displayed in big endian,
The upper bits are represented by smaller numbers. For example, A0 of the address line represents the most significant bit, and A29 represents the least significant bit.

【0047】本実施例で、配線基板(パッケージ)10外
部に引き出されているバス信号線はアドレス線A13〜
A29,データ線D0〜D31,アドレスストローブAS
1#,AS2#,バイトコントロール信号BC0#〜B
C2#,リードライト切り換え信号R/W#,データ転
送終了信号DC#のみとなっている。従ってバス信号線
の一部しか配線基板(パッケージ)10外部に引き出し
ていないのでパッケージの外側に付くピン数を減らすこ
とができ、パッケージサイズを小さくすることができ
る。さらに配線基板(パッケージ)10外部のROM等
を使用しないようにすれば、これらのバス信号線を全く
引き出さなくとも済むようになり、大幅にピン数を削減
することができる。
In this embodiment, the bus signal lines led out of the wiring board (package) 10 are the address lines A13 to A13.
A29, data lines D0 to D31, address strobe AS
1 #, AS2 #, byte control signals BC0 # -B
Only C2 #, read / write switching signal R / W #, and data transfer end signal DC #. Therefore, since only a part of the bus signal line is drawn out of the wiring board (package) 10, the number of pins attached to the outside of the package can be reduced, and the package size can be reduced. Furthermore, if a ROM or the like outside the wiring board (package) 10 is not used, it is not necessary to draw out these bus signal lines at all, and the number of pins can be greatly reduced.

【0048】ゲートアレイ110内部の図示しないアド
レスデコーダ107はアドレス線A0〜A12に基づき
ROM選択信号ROCS#108,RAM選択信号RACE0
#〜RACE3#,外部素子選択信号XCS#を生成す
る。
An address decoder 107 (not shown) in the gate array 110 has a ROM selection signal ROCS # 108 and a RAM selection signal RACE0 based on the address lines A0 to A12.
# To RACE3 # and an external element selection signal XCS #.

【0049】これらの信号線のうちROM選択信号RO
CS#108は配線基板(パッケージ)10内部のROM1
03に接続しているとともに配線基板(パッケージ)10
の外部に引き出されている。本実施例によれば、配線基
板(パッケージ)10内のROM103の換わりに配線基板
(パッケージ)10の外側に図示しないROM103′を接続
して動作することが可能である。また、ROM103′へ接続
するアドレス線はアドレスバスの信号のうちの一部であ
る下位側ビットのA13〜A29で済むので、配線基板
(パッケージ)10の外側への引出線の増加も抑えられ
る。プログラム開発のためには配線基板(パッケージ)
10内のROM103は実装せずに、配線基板(パッケージ)
10の外側のROM103′にプログラムを書き込めば良いの
で、プログラムのROMへの書き込み,消去が容易にで
き、効率的なプログラム開発が可能である。また、プロ
グラム開発後の実機には配線基板(パッケージ)10内
のROM103としてマスクROMやヒューズROMを使用す
れば、ROM103内部のデータの消去の畏れが無く、長期間
の使用に耐える電子機器を提供することができる。RA
M選択信号RACE0#〜RACE3#のうちRACE
0#〜RACE1# は配線基板(パッケージ)10内部のRAM
102に接続され、RACE2#〜RACE3#は配線基板(パ
ッケージ)10外部に引き出されている。本実施例によ
れば、配線基板(パッケージ)10外部に引き出された
RACE2#〜RACE3#,バイトコントロール信号
BC0#〜BC2#,リードライト切り換え信号R/W
#,アドレス線A13〜A29、およびデータ線D0〜
D31を図示しない配線基板(パッケージ)10外部の
RAM102′に接続すれば、RAM102にRAM102′を加えて記憶
容量を増やすことができる。
Of these signal lines, the ROM selection signal RO
CS # 108 is ROM1 inside the wiring board (package) 10.
03 and wiring board (package) 10
Has been pulled out to the outside. According to the present embodiment, it is possible to operate by connecting a ROM 103 ′ (not shown) outside the wiring board (package) 10 instead of the ROM 103 in the wiring board (package) 10. Also, since the address lines connected to the ROM 103 'need only be lower bits A13 to A29, which are part of the address bus signal, an increase in the number of lead lines to the outside of the wiring board (package) 10 can be suppressed. Wiring board (package) for program development
Wiring board (package) without mounting ROM103 in 10
Since the program only needs to be written in the ROM 103 'outside the ROM 10, the program can be easily written to and erased from the ROM, and efficient program development is possible. In addition, if a mask ROM or a fuse ROM is used as the ROM 103 in the wiring board (package) 10 in the actual device after the program development, there is no fear of erasing the data in the ROM 103, and an electronic device that can be used for a long time is provided. can do. RA
RACE among M selection signals RACE0 # to RACE3 #
0 # to RACE1 # are the RAM inside the wiring board (package) 10.
RACE2 # to RACE3 # are connected to the outside of the wiring board (package) 10. According to the present embodiment, RACE2 # to RACE3 #, byte control signals BC0 # to BC2 #, and read / write switching signal R / W drawn out of the wiring board (package) 10.
#, Address lines A13 to A29, and data lines D0 to
D31 outside the wiring board (package) 10 not shown
If connected to the RAM 102 ', the storage capacity can be increased by adding the RAM 102' to the RAM 102.

【0050】外部素子選択信号XCS#は配線基板(パ
ッケージ)10外部に引き出されており、図示しない外
部素子に外部素子選択信号XCS#,バイトコントロー
ル信号BC0#〜BC2#,リードライト切り換え信号
R/W#,アドレスストローブAS1#,AS2#,デ
ータ転送終了信号DC#,アドレス線A13〜A29、
およびデータ線D0〜D31を接続すれば外部素子を使
用することが可能となりシステムの拡張性を向上させる
ことができる。
The external element selection signal XCS # is led out of the wiring board (package) 10, and is supplied to external elements (not shown) such as the external element selection signal XCS #, byte control signals BC0 # to BC2 #, and read / write switching signal R / W #, address strobes AS1 #, AS2 #, data transfer end signal DC #, address lines A13 to A29,
If the data lines D0 to D31 are connected, external elements can be used, and the expandability of the system can be improved.

【0051】配線基板(パッケージ)10外部のRAM
102′,外部素子を接続しない場合にはRAM選択信
号RACE2#〜RACE3#,外部素子選択信号XC
S#,バイトコントロール信号BC0#〜BC2#,リ
ードライト切り換え信号R/W#,アドレスストローブ
AS1#,AS2#,データ転送終了信号DC#,アド
レス線A13〜A29、およびデータ線D0〜D31を
配線基板(パッケージ)10外部に引き出さなくとも良い
ので、大幅にピン数を削減することができる。ゲートア
レイ110内部にはこの他に、外部とのインタフェース
回路106を組み込むことも可能である。信号線MIL
−1553Bは、MIL−1553Bと呼ばれる通信規
格の通信のための信号線である。また、信号線CELLCOMC
NTR は配線基板(パッケージ)10からなる複数のコン
ピュータユニット間を結ぶ通信路である。必要な数の配
線基板(パッケージ)10を用意し、通信線CELLCOMCNTR
同士を接続すれば、マルチプロセッサシステムあるい
は、フォールトトレランスのための多重化コンピュータ
システムの構築が容易に可能である。
RAM outside wiring board (package) 10
102 ', RAM selection signals RACE2 # to RACE3 # when no external element is connected, external element selection signal XC
S #, byte control signals BC0 # to BC2 #, read / write switching signal R / W #, address strobes AS1 #, AS2 #, data transfer end signal DC #, address lines A13 to A29, and data lines D0 to D31 Since it is not necessary to pull out to the outside of the substrate (package) 10, the number of pins can be significantly reduced. In addition, the gate interface 110 can also incorporate an external interface circuit 106. Signal line MIL
-1553B is a signal line for communication of a communication standard called MIL-1553B. Also, the signal line CELLCOMC
NTR is a communication path connecting a plurality of computer units each including a wiring board (package) 10. Prepare the required number of wiring boards (packages) 10 and connect the communication lines CELLCOMCNTR.
If they are connected to each other, a multiprocessor system or a multiplexed computer system for fault tolerance can be easily constructed.

【0052】図10,図11は本発明による図9の実施
例の配線基板10への実装方法である。図10に示す面
にはMPU101,FPU104,ROM103−1,103−2,RAM102−
1,102−2が搭載されている。この面には図5に示
すようにバス100−1に属すデータ線に接続する記憶
素子、ROM103−1,103−2,RAM102−1,102−
2が搭載されている。
FIGS. 10 and 11 show a method of mounting on the wiring board 10 of the embodiment of FIG. 9 according to the present invention. On the surface shown in FIG. 10, the MPU 101, FPU 104, ROM 103-1, 103-2, RAM 102-
1, 102-2 are mounted. On this surface, as shown in FIG. 5, storage elements connected to data lines belonging to the bus 100-1, ROMs 103-1 and 103-2, and RAMs 102-1 and 102-
2 is mounted.

【0053】図11にはDMAC105,ゲートアレイ11
0,ROM103−3,103−4,RAM102−3,102−4
が搭載されている。この面には図5に示すようにバス1
00−2に属すデータ線に接続する記憶素子、ROM103−
3,103−4,RAM102−3,102−4が搭載されて
いる。本実施例によれば、配線層間のビアホールの数を
減らすことができるので、配線基板10の大きさを小さ
くすることができる。また、チップサイズが大きく、入
出力信号線数の多いLSI,MPU101,FPU104,DMAC105
,ゲートアレイ110を両面に分けることにより、発
熱,配線の片面への集中が避けられる。なお、宇宙用な
どの信頼性の要求される用途には、熱抵抗,化学的安定
性などの点から配線基板10にはセラミック基板が適し
ている。
FIG. 11 shows the DMAC 105 and the gate array 11.
0, ROM 103-3, 103-4, RAM 102-3, 102-4
Is installed. On this surface, as shown in FIG.
A storage element connected to the data line belonging to 00-2;
3, 103-4 and RAMs 102-3 and 102-4. According to the present embodiment, the number of via holes between the wiring layers can be reduced, so that the size of the wiring board 10 can be reduced. LSI, MPU101, FPU104, DMAC105 with large chip size and large number of input / output signal lines
By dividing the gate array 110 on both sides, heat generation and concentration of wiring on one side can be avoided. For applications requiring reliability, such as space applications, a ceramic substrate is suitable for the wiring substrate 10 in terms of thermal resistance, chemical stability, and the like.

【0054】図12は本発明によるパッケージの実施例
である。MPU101等のベアチップを両面に搭載したセラミ
ック製の配線基板10の両面にセラミック製のキャップ
50をつけて気密封止する。気密封止したキャップ50
の内部は真空または窒素やヘリウムなどの不活性ガスを
封入する。特にヘリウムを封入した場合には封止部の気
密性検査の際にリークチェッカとしても利用できる。本
発明のように複数のチップを単一パッケージに納めよう
とすると、パッケージの大きさが大きくなりキャップ5
0内部の気体の体積も大きくなる。従って、セラミック
製の配線基板10の両面にセラミック製のキャップ50
をつけてはんだにより気密封止する場合、はんだづけ後
の冷却時に内外圧力差により溶融したはんだがキャップ
50内部に引き込まれたり外部に飛び出したりする。そ
のためにキャップ50に通気穴51をあけておき、気密
封止し、不活性気体を封入した後にふた52等で、通気
穴51を塞げば、大きなパッケージでも溶融したはんだ
がキャップ50内部に引き込まれたり外部に飛び出した
りすることを防止できる。
FIG. 12 shows an embodiment of the package according to the present invention. A ceramic cap 50 is attached to both sides of a ceramic wiring board 10 having bare chips such as the MPU 101 mounted on both sides, and hermetically sealed. Hermetically sealed cap 50
Is filled with a vacuum or an inert gas such as nitrogen or helium. In particular, when helium is sealed, it can also be used as a leak checker when checking the airtightness of the sealed portion. When a plurality of chips are packed in a single package as in the present invention, the size of the package becomes large, and
The volume of gas inside 0 also increases. Therefore, the ceramic caps 50 are provided on both sides of the ceramic wiring board 10.
In the case where airtight sealing is performed by adding solder, the molten solder is drawn into the cap 50 or jumps out due to the pressure difference between the inside and outside during cooling after soldering. For this purpose, a vent hole 51 is opened in the cap 50, air-tightly sealed, an inert gas is sealed, and then the vent hole 51 is closed with a lid 52 or the like. Even in a large package, the molten solder is drawn into the cap 50. Or jumping out.

【0055】[0055]

【発明の効果】本発明によれば、複数の半導体素子を単
一のパッケージ内に実装することができるうえ、パッケ
ージから外部に引き出す信号線を減少させることができ
るのでパッケージのサイズを小さくすることができ、小
型軽量な電子機器を実現することができる。
According to the present invention, a plurality of semiconductor elements can be mounted in a single package, and the number of signal lines extending from the package to the outside can be reduced, so that the size of the package can be reduced. Thus, a small and lightweight electronic device can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】システム構成。FIG. 1 is a system configuration.

【図2】本発明の断面図。FIG. 2 is a sectional view of the present invention.

【図3】ビアホールの配置。FIG. 3 shows the arrangement of via holes.

【図4】データバスのビットの分割。FIG. 4 shows division of bits of a data bus.

【図5】データバスのビットの分割。FIG. 5 shows division of bits of a data bus.

【図6】検査機能付きMPU。FIG. 6 is an MPU with an inspection function.

【図7】誤り訂正符号付RAM。FIG. 7 is a RAM with an error correction code.

【図8】外付けROM。FIG. 8 is an external ROM.

【図9】本発明の回路図。FIG. 9 is a circuit diagram of the present invention.

【図10】配線基板への半導体チップの実装。FIG. 10 shows mounting of a semiconductor chip on a wiring board.

【図11】配線基板への半導体チップの実装。FIG. 11 shows mounting of a semiconductor chip on a wiring board.

【図12】パッケージの断面。FIG. 12 is a cross section of a package.

【図13】従来方式。FIG. 13 shows a conventional method.

【図14】従来方式。FIG. 14 shows a conventional method.

【符号の説明】 10…配線基板、11…配線基板上のワイヤボンディン
グパッド、13…ビアホール、15…ダイボンディング
ランド、20…半導体チップ、21…半導体チップ上の
ワイヤボンディングパッド、30…ボンディングワイ
ヤ、100…バス、101…MPU、102…RAM、
103…ROM。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10: wiring board, 11: wire bonding pad on wiring board, 13: via hole, 15: die bonding land, 20: semiconductor chip, 21: wire bonding pad on semiconductor chip, 30: bonding wire, 100 bus, 101 MPU, 102 RAM,
103 ROM.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山中 久芳 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化 成工業株式会社 下館工場内 (72)発明者 沖島 哲哉 茨城県勝田市大字足崎字西原1380番地1 号 日立化成工業株式会社 石神工場内 (72)発明者 井原 廣一 東京都千代田区神田駿河台四丁目6番地 株式会社 日立製作所内 (72)発明者 秋山 雅胤 東京都千代田区神田駿河台四丁目6番地 株式会社 日立製作所内 (56)参考文献 特開 平2−289014(JP,A) 特開 平1−220498(JP,A) 特開 平1−258466(JP,A) 実開 昭62−162749(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G06F 1/18 G06F 12/06 H01L 25/18 - 25/07 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Hisayoshi Yamanaka 1500 Ogawa Ogawa, Shimodate City, Ibaraki Prefecture Inside the Shimodate Plant, Hitachi Chemical Co., Ltd. Hitachi Chemical Co., Ltd. Ishigami Plant (72) Inventor Koichi Ihara 4-6-6 Kanda Surugadai, Chiyoda-ku, Tokyo Hitachi, Ltd. (72) Masanori Akiyama 4-6-6 Kanda Surugadai, Chiyoda-ku, Tokyo Stock (56) References JP-A-2-289014 (JP, A) JP-A-1-220498 (JP, A) JP-A-1-258466 (JP, A) Jpn. , U) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) G06F 1/18 G06F 12/06 H01L 25/18-25/07

Claims (10)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】演算装置と、 複数のメモリモジュールと、前記演算装置と前記複数のメモリモジュールとの間でデ
ータが送られ、複数の第1のデータ線と複数の第2のデ
ータ線を有するデータ線と、 前記演算装置から送られる信号に基づいて複数の前記メ
モリモジュールを選択する選択信号を出力する選択回路
とを有し、 前記メモリモジュールは、前記複数の第1のデータ線に
接続され基板の一方の面に配置された複数の第1のメモ
リと、前記複数の第2のデータ線に接続され基板の他方
の面に配置された複数の第2のメモリとを有し、 前記第1のメモリから前記複数の第1のデータ線を介し
上位ビットのデータが、前記第2のメモリから前記複
数の第2のデータ線を介して下位ビットのデータが出力
される情報処理装置。
An arithmetic unit, a plurality of memory modules, and data between the arithmetic unit and the plurality of memory modules.
Data is sent to the plurality of first data lines and the plurality of second data lines.
A data line having over data lines, on the basis of the signal sent from the arithmetic unit have a selection circuit for outputting a selection signal for selecting a plurality of said memory modules, the memory modules of the plurality first Data line
Includes a plurality of first memory located on one side of the connected substrate and the plurality of second plurality of second disposed on the other surface of the connected board to the data lines of the memory, From the first memory via the plurality of first data lines
Data of the upper bits Te is the double of the second memory
An information processing device to which lower-order bit data is output via a number of second data lines .
【請求項2】請求項1の情報処理装置において、 前記第1,第2のメモリはRAMである情報処理装置。2. The information processing apparatus according to claim 1, wherein said first and second memories are RAMs. 【請求項3】請求項1の情報処理装置において、 前記選択回路は、前記演算装置から出力されたアドレス
信号を入力し、前記入力されたアドレス信号に基づいて
選択信号を出力する情報処理装置。
3. The information processing device according to claim 1, wherein the selection circuit inputs an address signal output from the arithmetic device and outputs a selection signal based on the input address signal.
【請求項4】nビット(nは整数)のデータを出力する
演算装置と、前記演算装置からnビットのデータが送れ、複数の第1
のデータ線と複数の第2のデータ線とを有するデータ線
と、 前記複数の第1のデータ線に接続され 基板の一方の面に
配置された複数の第1のメモリと、前記複数の第2のデ
ータ線に接続され基板の他方の面に配置された複数の第
2のメモリとを有し、前記複数の第1のメモリはmビッ
ト(mは整数)のデータを記憶し、前記複数の第2のメ
モリは(n−m)ビットのデータを記憶するメモリモジ
ュールと、を有する情報処理装置。
4. An arithmetic unit for outputting n-bit (n is an integer) data, and n-bit data can be sent from the arithmetic unit, and a plurality of first
Data line having one data line and a plurality of second data lines
And one of the surfaces of the substrate connected to the plurality of first data lines.
A plurality of first memories arranged and the plurality of second memories ;
And a plurality of second memory located on the other surface of the substrate is connected to the over data lines, wherein the plurality of first memory stores m-bit data (m is an integer), said plurality of the second memory is an information processing apparatus having a memory module for storing the (n-m) bit data.
【請求項5】請求項4の情報処理装置において、 前記第1,第2のメモリはRAMである情報処理装置。5. The information processing apparatus according to claim 4, wherein said first and second memories are RAMs. 【請求項6】nビット(nは整数)のデータを出力する
演算装置と、前記演算装置に接続され、nビットのデータ幅を有し、
複数の第1のデータ線と複数の第2のデータ線を有する
データ線と、 前記複数の第1のデータ線に接続され 基板の一方の面に
配置された複数の第1のメモリと、前記複数の第2のデ
ータ線に接続され基板の他方の面に配置された複数の第
2のメモリとを有し、前記複数の第1のメモリはmビッ
トのデータを記憶し、前記複数の第2のメモリは(n−
m)ビットのデータを記憶するメモリモジュール 前記演算装置から出力された信号に基づいて複数の前記
第1,第2のメモリからデータを書き込むメモリを選択
する選択回路とを有する情報処理装置。
6. An arithmetic unit for outputting data of n bits (n is an integer) , connected to the arithmetic unit and having a data width of n bits,
It has a plurality of first data lines and a plurality of second data lines
And the data lines, the one surface of the substrate being connected to said plurality of first data lines
A plurality of first memories arranged and the plurality of second memories ;
A plurality of second memories connected to the data lines and arranged on the other surface of the substrate , wherein the plurality of first memories have m bits.
And the second memories store (n-
and a memory module for storing data of m) bits, a plurality of the first on the basis of a signal output from the arithmetic unit, an information processing apparatus having a selection circuit for selecting a memory for writing data from the second memory.
【請求項7】請求項6の情報処理装置において、 記第1,第2のメモリのそれぞれはバイト単位でデー
タ書き込み及び読み出しが可能な情報処理装置。
7. The information processing apparatus according to claim 6, before Symbol first, second data writing and reading an information processing apparatus, respectively in bytes of memory.
【請求項8】算装置と、前記演算装置に接続され、nビット(nは整数)のデー
タ幅を有し、 mビットのデータが送られる第1のデータ
線と、(n−m)ビットのデータが送られる第2のデー
線とを有するデータ線と、 記第1のデータ線と接続され基板の一方の面に配置さ
れた複数の第1のメモリ及び第2のメモリと、前記第2
データ線と接続され基板の他方の面に配置された複数
の第3のメモリ及び第4のメモリとを有するメモリモジ
ュールと、を有する情報処理装置。
[8 claims] and arithmetic unit, connected to the computing device, data of n bits (n is an integer)
Has a data width, the second data where the first data <br/> line data of m bits are sent, the (n-m) bit data are sent
A data line and a data line, a pre-Symbol first plurality of first arranged on one side of the connected substrate and data lines of the memory and the second memory, the second
The information processing apparatus having a memory module, the having a data line and connected to the other third of the plurality disposed on a surface of the memory and the fourth memory of the substrate.
【請求項9】nビット(nは整数)のデータ及びアドレ
スを出力する演算装置と、 mビットのデータが送られる第1のデータ線と、 (n−m)ビットのデータが送られる第2のデータ
と、 記第1のデータ線と接続され基板の一方の面に配置さ
れた複数の第1のメモリ及び第2のメモリと、前記第2
データ線と接続され基板の他方の面に配置された複数
の第3のメモリ及び第4のメモリとを有するメモリモジ
ュールと、 前記演算装置から出力されたアドレスに基づいて複数の
前記第1のメモリ及び複数の前記第3のメモリ又は複数
の前記第2のメモリ及び複数の前記第4のメモリのいず
れかを選択する選択回路と、 前記演算装置と前記メモリモジュールとの間でnビット
のデータが送られる第3のデータ線とを有する情報処
理装置。
9. An arithmetic unit for outputting n-bit (n is an integer) data and address; a first data line to which m-bit data is sent; and a second data line to which (n-m) -bit data is sent . and the data lines, before Symbol first plurality of first arranged on one side of the connected substrate and data lines of the memory and the second memory, the second
A memory module having a plurality of third memories and a fourth memory connected to the data lines of the first and second substrates and arranged on the other surface of the substrate; and a plurality of the first modules based on an address output from the arithmetic unit. A selection circuit that selects one of a memory and a plurality of the third memories or a plurality of the second memories and a plurality of the fourth memories; and n-bit data between the arithmetic unit and the memory module. the information processing apparatus having a third data lines sent.
【請求項10】請求項9の情報処理装置において、 前記選択回路は、前記演算装置から出力されたアドレス
信号に基づいて複数の前記第1,第2,第3,第4のメ
モリのいずれか1つのメモリを選択する情報処理装置。
10. The information processing device according to claim 9, wherein the selection circuit is configured to select one of the plurality of first, second, third, and fourth memories based on an address signal output from the arithmetic device. An information processing device for selecting one memory.
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