JP3345779B2

JP3345779B2 - Ｓａｗチップ及びこれを利用したｓａｗデバイスの製造方法

Info

Publication number: JP3345779B2
Application number: JP2000217417A
Authority: JP
Inventors: 佳男前田; 真弓春日
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2000-07-18
Filing date: 2000-07-18
Publication date: 2002-11-18
Anticipated expiration: 2020-07-18
Also published as: JP2002033633A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、弾性表面波（ＳＡ
Ｗ）を利用したＳＡＷ（ＳｕｆａｃｅＡｃｏｕｓｔｉ
ｃＷａｖｅ）チップと、このＳＡＷチップを利用した
ＳＡＷデバイスの製造方法の改良に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】通信機器、コンピュータ、時計等の様々
な電子機器において、共振子、フィルタ等の電子部品と
してＳＡＷ（ＳｕｆａｃｅＡｃｏｕｓｔｉｃＷａｖ
ｅ）チップを利用したＳＡＷデバイスが使用されてい
る。このＳＡＷチップには、特に、温度特性が良くエッ
チングや機械加工等の形状加工を容易に行うことができ
る水晶が圧電材料として使用されている。

【０００３】図９はこのようなＳＡＷチップの製造方法
の一例を示す工程図であり、図１０は製造したＳＡＷチ
ップからＳＡＷデバイスを製造する方法の一例を示す工
程図である。

【０００４】図９（Ａ）において、水晶ウェハ２の表面
が洗浄され、図９（Ｂ）において、この水晶ウェハ２の
上にたとえばアルミニウム又はアルミニウム合金からな
る電極膜３が形成される。次に、図９（Ｃ）に示すよう
に、たとえば上記電極膜３の上に所定の電極パターンに
対応したフォトレジスト４が配置される。そして、後述
する理由により、反応性イオンエッチングやマイクロ波
プラズマエッチング等のドライエッチング技術により、
例えば、塩素ガスを用いて電極膜３がエッチングされ
る。この電極膜３は、図９（Ｄ）に示されるようにエッ
チングされ、フォトレジスト４が除去されると、水晶ウ
ェハ２上にたとえばすだれ状電極や反射器及び配線パタ
ーン等が形成されることとなる。

【０００５】その後、図９（Ｅ）に示すように、ＳＡＷ
チップ１のたとえば共振周波数やフィルタリング特性等
を調整するため、ＳＡＷチップ１の電極膜３がエッチン
グされる。ここで、電極膜３がエッチングされること
で、ＳＡＷチップ１の共振周波数を上昇させながら調整
が行われることとなる。

【０００６】この後で、水晶ウェハ２が各ＳＡＷチップ
１ごとになるようにダイシング（切断）されて（図示せ
ず）、各ＳＡＷチップ１ごとにその特性、外観が検査さ
れる。

【０００７】次に、図１０（Ａ）に示すようなベース１
０が用意され、図１０（Ｂ）に示すように、水晶チップ
であるＳＡＷチップ１が、パッケージ用のベース１０に
たとえば接着剤１１によって固定される。その後、図１
０（Ｃ）のように、ベース１０側とワイヤーボンディン
グが行われて、たとえばアルミニウムワイヤーからなる
ボンディング線１２によってＳＡＷチップ１とベース１
０が電気的に接続される。ここで、ＳＡＷチップ１にボ
ンディング線１２を介して駆動電圧を印加した場合に、
その周波数特性が所望のものよりも若干高くなるように
設定されている。

【０００８】そして、図１０（Ｄ）のように、後述する
周波数調整方法を用いてＳＡＷチップ１が、例えば、Ｃ
Ｆ４ガスを用いてプラズマエッチングされて、ＳＡＷ
チップ１が周波数を下げる方向に調整される。ここで、
ＣＦ４ガスを用いるのは、アルミニウムはエッチング
されずに、水晶のみがエッチングされるからである。こ
のため、結果的に、ＳＡＷチップ１の周波数を下げる方
向に調整されることとなる。

【０００９】その後、図１０（Ｅ）に示すように、ベー
ス１０にキャップ１３をたとえばシーム溶接すること
で、ＳＡＷチップ１がたとえば窒素雰囲気で封止され
る。そして、ＳＡＷチップ１が封止後に熱処理されて、
ＳＡＷチップ１の特性及びリーク検査が行われ、ＳＡＷ
デバイス１Ａが完成する。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うに、ＳＡＷチップ１を形成するための水晶基板に櫛歯
状の電極等を形成する電極形成工程（図９（Ｃ）、図９
（Ｄ））では、ドライエッチングの手法が用いられてい
る。

【００１１】これは次の理由による。

【００１２】ＳＡＷデバイスは、その振動出力の周波数
が高くなるほど、水晶基板２上に形成される電極パター
ンの幅はより微小になり、電極加工精度も高くしなけれ
ばならない。たとえば４３３ＭＨｚのＳＡＷ共振子で
は、その櫛歯状電極の幅が１．８μｍであるが、たとえ
ば８６８ＭＨｚのＳＡＷ共振子ではその櫛歯状電極の幅
が０．９μｍとなる。このため、電極形成のため、従来
行われていたように、リン酸を用いたウエットエッチン
グ法を用いると、レジスト４と電極３との界面にエッチ
ング液がしみ込んで、微細な幅の電極の加工を精度よく
行うことができないからである。

【００１３】このため、図９で説明したようなドライエ
ッチング法を用いると、図１０で説明した後の工程にお
いて、異常な周波数変動を生じるというあらたな問題が
生じる。そこで本発明は上記課題を解決し、ＳＡＷチッ
プをベースに組み込む工程においても異常な周波数変動
を生じることなく、信頼性の高いＳＡＷチップとこれを
利用したＳＡＷデバイスの製造方法を提供することを目
的としている。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記目的は、請求項１の
発明によれば、圧電基板にドライエッチングにより電極
パターンを形成するＳＡＷチップの製造方法であって、
圧電基板上にアルミニウムまたはアルミニウム合金によ
り電極膜を形成する電極膜形成工程と、前記電極膜を所
定の電極パターンとなるように、圧電基板表面が露出す
るまでドライエッチングを行うドライエッチング工程
と、前記露出された圧電基板表面の残留アルミニウムを
除去するためのリン酸を洗浄液として使用する洗浄工程
とを含んでいるＳＡＷチップの製造方法により、達成さ
れる。

【００１５】請求項１の構成によれば、以下の作用があ
る。圧電基板上への電極形成後の加工工程において、異
常な周波数変動を生じる原因は、本発明者等の研究によ
れば、ドライエッチングにより電極を形成する工程にお
いて、プラズマ等により削られたアルミニウムが圧電基
板の表面に残留してしまう。

【００１６】このようなアルミニウムが圧電基板の表面
に残ったままのＳＡＷチップをパッケージのベースに組
み込んで、例えば、よく使用されるＣＦ４ガス等のフ
ッ素系ガスを使用してプラズマエッチングにより周波数
調整を行うと、化学反応により、先ずフッ化アルミニウ
ムが生成され、このフッ化アルミニウムが、さらに空気
中の酸素と反応し、徐々にＡｌ２Ｏ３が形成されて
しまう。すなわち、このような変化が圧電基板表面で起
こると、弾性表面波の伝搬特性が変化してしまい、周波
数が異常に変動することが本発明者等により解明され
た。

【００１７】したがって、ＳＡＷデバイスを形成する場
合に、ベースにＳＡＷチップを組み込んで周波数調整す
る前に、このＳＡＷチップの形成工程において、アルミ
ニウムもしくはアルミニウム合金による電極膜をドライ
エッチングで形成する場合には、先ず、圧電基板表面が
露出するまで、ドライエッチングし、この露出した圧電
基板表面に対して、残留アルミニウムを除去する洗浄を
おこなうようにしたものである。これにより、ＳＡＷチ
ップの圧電基板表面には、アルミニウムが残留しない状
態で、ベースへの組み込みが行われ、周波数調整が行わ
れるので、この周波数調整でフッ素系ガスを用いても、
化学反応により、残留アルミニウムが空気中のフッ素、
さらに酸素と結びついて、Ａｌ２Ｏ３が形成される
ことがなく、これを原因とする弾性表面波の伝搬特性の
変化も防止できる。

【００１８】

【００１９】請求項２の発明は、請求項１の構成におい
て、前記洗浄工程の後で、前記電極パターンの表面に陽
極酸化膜を形成する陽極酸化膜形成工程を有することを
特徴とする。

【００２０】請求項２の構成によれば、電極パターンの
表面に陽極酸化膜が形成されていれば、電極パターンの
表面が硬い酸化膜に保護される。このため、後の周波数
調整工程にて、フッ素系ガスを用いたプラズマエッチン
グを行っても、これにより生じたフッ素ラジカル等の反
応性フッ素により電極パターン表面が侵されることがな
い。

【００２１】また、上記目的は、請求項３の発明によれ
ば、圧電基板にドライエッチングにより電極パターンを
形成するＳＡＷチップを使用したＳＡＷデバイスの製造
方法であって、圧電基板上にアルミニウムにより電極膜
を形成する電極膜形成工程と、前記電極膜を所定の電極
パターンとなるように、圧電基板表面が露出するまでド
ライエッチングを行うドライエッチング工程と、前記露
出された圧電基板表面の残留アルミニウムを除去するた
めの洗浄工程と、この洗浄工程の後で、前記電極パター
ンの表面に陽極酸化膜を形成する陽極酸化膜形成工程
と、陽極酸化膜が形成されたＳＡＷチップを所定のパッ
ケージのベースに固定する工程と、ベースに固定された
ＳＡＷチップまたは固定前のＳＡＷチップに対して、フ
ッ素系ガスを用いてプラズマエッチングすることにより
周波数調整する工程とを含んでいる、ＳＡＷデバイスの
製造方法により、達成される。

【００２２】請求項４の発明は、請求項３の構成におい
て、前記洗浄工程では、リン酸を洗浄液として使用する
ことを特徴とする。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を添付図面に基づいて詳細に説明する。

【００２４】図１は本発明のＳＡＷチップの好ましい実
施の形態を示す斜視図であり、図１を参照して先ずＳＡ
Ｗデバイス１００について説明する。図１のＳＡＷデバ
イス１００はたとえばＳＡＷ共振子であって、ＳＡＷチ
ップ１１０、ベース１２０、キャップ１３０等からなっ
ている。

【００２５】ＳＡＷチップ１１０は、圧電基板１１１、
電極であるすだれ状電極（以下、「ＩＤＴ：Ｉｎｔｅｒ
ｄｉｇｉｔａｌＴｒａｎｓｄｕｃｅｒ」という）１１
２、反射器１１３等を有している。

【００２６】圧電基板１１１は、例えば、水晶，ＬｉＴ
ａＯ３，ＬｉＮｂＯ３等の圧電材料により形成され
た基板であり、この実施形態では、水晶基板１１１が使
用されている。

【００２７】すだれ状電極１１２及び反射器１１３は、
たとえばアルミニウム又はアルミニウムと銅等の合金か
らなっていて、圧電基板１１１の上に後述するドライエ
ッチング工程により形成されている。

【００２８】すなわち、本実施形態のＳＡＷ共振子１０
０は、その出力周波数が高く、例えば８６８ＭＨｚ以上
の周波数である。このため、ＳＡＷ共振子１００では、
このすだれ状電極１１２及び反射器１１３を形成する電
極は細く、その幅が０．９μｍ程度とされている。この
ような細い電極を形成する工程に対応して、ドライエッ
チングの手法が採用されている。

【００２９】上記ＩＤＴ１１２はたとえば駆動電圧の供
給により、弾性表面波を励振し、所定の周波数の振動を
出力する機能を有している。反射器１１３、１１３はＩ
ＤＴ１１２を挟むように形成されていて、ＩＤＴ１１２
によって励振された弾性表面波を反射して、反射器１１
３、１１３内に弾性表面波を閉じこめるものである。ベ
ース１２０はその中央部分に中空部１２１が形成され
た、例えばセラミック製の箱状のものであり、この中空
部１２１にＳＡＷチップ１１０がたとえば接着剤等によ
り固定されている。また、ベース１２０には、その中空
部１２１から外周底面１２２まで図示しない配線部が形
成されていて、ＳＡＷチップ１１０と外部との電気的接
続が図れるようになっている。そして、ベース１２０の
電極部分はボンディング線１４０、１４０によりＩＤＴ
１１２と電気的に接続されている。キャップ１３０は、
板状の蓋であり、ＳＡＷチップ１１０を真空封止もしく
は窒素雰囲気で封止するため、ベース１２０の上部にた
とえばシーム溶接等により固定されている。尚、ベース
１２０とキャップ１３０によりパッケージが構成され
る。

【００３０】ここで、図１に示すようなＳＡＷデバイス
１００を製造する際、最終的なＳＡＷチップ１１０の周
波数の調整は、例えば、後述するようにＳＡＷチップ１
１０へのボンディング線１４０、１４０の接続後であっ
て、キャップ１３０による封止前に、フッ素系ガスを用
いたプラズマエッチングにより行われる。

【００３１】図２は、このようなＳＡＷデバイス１００
を製造するための製造工程を簡単に示すフローチャート
であり、図３は、ＳＡＷデバイス１００に収容されるＳ
ＡＷチップ１１０の製造方法の一例を示す工程図であ
る。

【００３２】図２によれば、先ず水晶表面にアルミニウ
ムによる電極膜を形成する（ＳＴ１）。このステップ
は、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示されている。

【００３３】すなわち、電極パターンの形成工程は、図
３（Ａ）に示すように、水晶ウェハ２２の表面を純水に
より洗浄し、図３（Ｂ）において、この水晶ウェハ２２
の上にたとえばアルミニウム又はアルミニウム合金から
なる電極膜２３を蒸着法もしくはスパッタリング法によ
り形成される。

【００３４】次に、ＳＴ２に移り、電極膜２３をエッチ
ングによって削って電極パターン２６を形成する。この
ステップを実行するため、先ず、図３（Ｃ）に示すよう
に、たとえば上記電極膜２３の上に所定の電極パターン
に対応したフォトレジスト２４が配置される。

【００３５】次いで、例えば、塩素（Ｃｌ）ガス、例え
ば、ＢＣｌ３とＣｌ２及びＮ２の混合ガスを用い
て、平行平板型装置による反応性イオンエッチングによ
り、電極膜２３をドライエッチングする。

【００３６】すなわち、上述したように、この実施形態
のＳＡＷデバイス１００は、電極パターンの幅が非常に
狭く、線幅０．９μｍ程度、膜厚０．１μｍ程度であ
る。このため、従来行われていたように、リン酸を用い
たウエットエッチング法を用いると、レジスト２４と電
極膜２３との界面にエッチング液がしみ込んで、微細な
幅の電極の加工を精度よく行うことができないことか
ら、このドライエッチング工程が行われる。そして、電
極膜２３は、水晶基板２２の表面が露出するまで、エッ
チングされたら、図２のＳＴ３におけるＡｌ除去洗浄を
行う（ＳＴ３）。

【００３７】このＳＴ３は、図３（Ｃ）のように、まだ
レジスト２４が除去される前に行われる。すなわち、こ
の状態で、水晶基板２２は、処理漕に搬入されて、所定
の洗浄液，例えば、リン酸に浸漬されることにより、Ａ
ｌ除去洗浄が行われる。このＡｌ除去洗浄の条件は、摂
氏２５度の温度条件下で、５パーセントのリン酸水素ア
ンモニウムの水溶液中で３分間洗浄し、その後、１０分
間の純水リンスをした後、スピンさせて乾燥させる。こ
の洗浄液としてリン酸だけでなく、ＫＯＨ，ＮａＯＨ，
ＬｉＯＨ，水酸化テトラメチルアンモニウム，アンモニ
ア等の水溶液や塩素酸系のエッチング能を有する水溶液
を使用してもよい。

【００３８】これにより、水晶基板２２の表面に上記ド
ライエッチング時に付着した残留Ａｌがリン酸で洗い流
されることで、除去される。次いで、レジスト２４を除
去して、図３（Ｄ）に示されるように、水晶基板２２上
にたとえばすだれ状電極１１２や反射器１１３及び配線
パターン等を構成する電極パターン２６が形成されるこ
ととなる。

【００３９】ここで、上記Ａｌ除去洗浄は、レジスト２
４を除去した後で行うようにすることもできる。そし
て、この場合の洗浄条件は、例えば、摂氏３５度の温度
条件下で、８５重量パーセントのリン酸で１分間洗浄
し、その後、１０分間の純水リンスをした後、スピンさ
せて乾燥させるようにする。

【００４０】次に、図２のＳＴ４にて、電極パターン２
６上に電気化学的表面反応等により、陽極酸化膜２５を
被膜する。この状態は、図３（Ｅ）に示されている。

【００４１】次に、図２のＳＴ５に移り、周波数調整を
行う。すなわち、図３（Ｅ）までの状態では、ＳＡＷチ
ップ１１０に駆動電圧を印加した場合に、その周波数特
性が所望のものよりも若干高くなるように設定されてい
る。

【００４２】そこで、ＳＴ５でＳＡＷチップ１１０が、
フッ素系ガスを用いてプラズマエッチングされて、ＳＡ
Ｗチップ１１０が周波数を下げる方向に調整される。こ
こで、フッ素系ガスを用いるのは、これを用いるとアル
ミニウムはエッチングされずに、水晶のみがエッチング
されるからである。このため、結果的にＳＡＷチップ１
１０の周波数を下げる方向に調整されることとなる。

【００４３】この周波数調整で用いられるフッ素系ガス
は、上記したＣＦ４の他、ＣＨＦ３，Ｆ２，ＮＦ
３ＣＣｌＦ３，Ｃ２Ｆ６，ＣＢｒＦ３，ＣＨ
２Ｆ２，ＣＨＣｌＦ２，Ｃ３Ｆ８，ＣＣｌ２
Ｆ２，Ｃ４Ｆ８，ＣＨＣｌ２Ｆ２，Ｃ４Ｆ
８ＣＨＣｌ２Ｆ，ＣＢｒ２Ｆ２，ＣＣｌ３Ｆの
うちの少なくとも１種を含むものが使用される。そし
て、この周波数調整は、Ａｌ除去洗浄の後で、図４で説
明するベースへのＳＡＷチップ１１０の固定の前に行っ
てもよく、また、後述するように、ベースへのＳＡＷチ
ップ１１０の固定後に行ってもよい。そして、上述のよ
うに、電極膜２３に酸化膜２５を形成しておけば、この
周波数調整工程（ＳＴ５）にて、フッ素系ガスを用いた
プラズマエッチングを行っても、これにより生じたフッ
素ラジカル等の反応性フッ素により電極パターン表面が
侵されることがない。

【００４４】図３（Ｅ）に示されているように、電極パ
ターン２６上に陽極酸化膜２５を被膜した後は、図３
（Ｆ）に示すように、Ｃの位置でダイシング（切断）し
て、ひとつひとつのＳＡＷチップ１１０になるように切
りわける。

【００４５】完成したＳＡＷチップ１１０は、図４に示
すように、ベース１２０に組み込まれる。

【００４６】先ず、図４（Ａ）に示すようなベース１２
０が用意され、図４（Ｂ）に示すように、ＳＡＷチップ
１１０がベース１２０にたとえば接着剤１１によって固
定される。その後、図４（Ｃ）のように、ベース１２０
側とワイヤーボンディングが行われて、たとえばアルミ
ニウムワイヤーからなるボンディング線１４０によって
ＳＡＷチップ１１０とベース１２０が電気的に接続され
る。

【００４７】そして、図３で説明したレジスト２４の除
去後において、ＳＡＷチップ１１０のベース１２０への
組み込み前に周波数調整を行っていない場合には、この
段階でＳＡＷチップ１１０にボンディング線１４０を介
して駆動電圧を印加した場合に、その周波数特性が所望
のものよりも若干高くなるように設定されている。

【００４８】このため、図４（Ｄ）のように、所定の周
波数調整装置を用いてＳＡＷチップ１１０がフッ素系ガ
スによりプラズマエッチングされて、周波数を下げる方
向に調整される。この周波数調整におけるフッ素系ガス
の種類等は、上述した条件と同じである。

【００４９】その後、図４（Ｅ）に示すように、ベース
１２０にキャップ１３０をたとえばシーム溶接すること
で、ＳＡＷチップ１１０がたとえば窒素雰囲気で封止さ
れる。

【００５０】本実施形態は、以上のように構成されてお
り、以下のような利点がある。

【００５１】先ず、ＳＡＷチップ１１０の電極形成がド
ライエッチングによりなされているから、微細な加工が
可能で、周波数の高い高性能なＳＡＷデバイス１００を
作るのに適している。

【００５２】そして、ドライエッチング後の水晶表面上
の微量なＡｌ成分は、Ａｌ洗浄工程において、除去され
ているので、ＳＡＷチップ１１０の水晶表面にて、残留
Ａｌ成分が反応して変化することがなく、弾性表面波の
伝搬特性に悪影響を及ぼすことが防止されるので、製品
の周波数特性を異常に変化させることが有効に防止さ
れ、不良品の発生を防止できるので、製品の歩留りを向
上させることができる。

【００５３】図５は、横軸に加工工程を、縦軸には周波
数調整後の周波数を基準とした周波数変化を表したグラ
フである。上段に示すように、電極形成にドライエッチ
ングを用いただけの従来のＳＡＷデバイスでは、加工工
程Ａ（例えば封止工程）後、あるいは、これより後の工
程の加工工程Ｂ（例えばアニール処理）後で、周波数調
整後の周波数に対して、ばらつきとシフトが大きい。こ
れに対して、下段の本実施形態によるＡｌ洗浄をおこな
ったＳＡＷデバイスでは、時間の経過、あるいは加工履
歴が加わっても、ばらつきや周波数シフトは極端に少な
くなっている。

【００５４】さらに、周波数調整前にＳＡＷチップ１１
０の電極表面に陽極酸化膜を形成しておけば、周波数調
整時に使用されるフッ素系ガスの反応性のフッ素成分に
より電極表面が侵されることが防止される。

【００５５】図６は、電極表面での組成分析結果を示
し、横軸はＳｉＯ２スパッタエッチング速度換算に対
応した電極膜２３の深さを表し、縦軸に成分含有量（原
子パーセント）を表している。この図６は、電極２３表
面に陽極酸化膜２５を形成しないで、フッ素系ガスによ
るプラズマエッチングで周波数調整した後の電極膜２３
表面から深さ（ＳｉＯ２スパッタエッチング速度換
算）に対応した成分状態を示しており、図７は、電極２
３表面に陽極酸化膜２５を形成した後で、フッ素系ガス
によるプラズマエッチングで周波数調整した場合の様子
を示している。

【００５６】図６と図７を比較すると判明するように、
電極２３表面に陽極酸化膜２５を形成した場合には、電
極２３の表面付近のフッ素（Ｆ）の含有量が少ない。

【００５７】このため、図８に示されているように、電
極２３表面に陽極酸化膜２５を形成した後で、フッ素系
ガスによるプラズマエッチングで周波数調整した場合Ｅ
は、電極２３表面に陽極酸化膜２５を形成しないで、フ
ッ素系ガスによるプラズマエッチングで周波数調整した
場合Ｄと比べると、周波数調整後の放置時間に応じて周
波数がシフトする量が少なく、その性能が安定している
ことが分かる。

【００５８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ＳＡＷチップをベースに組み込む工程においても異常な
周波数変動を生じることなく、信頼性の高いＳＡＷチッ
プとこれを利用したＳＡＷデバイスの製造方法を提供す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のＳＡＷデバイスの好ましい実施の形態
を示す概略斜視図。

【図２】図１のＳＡＷデバイスに使用するＳＡＷチップ
の製造工程を簡単に示すフローチャート。

【図３】図１のＳＡＷデバイスに使用するＳＡＷチップ
の製造工程を簡単に示す概略工程図。

【図４】図１のＳＡＷデバイスに使用するＳＡＷチップ
をベースに固定する工程を簡単に示す概略工程図。

【図５】図１のＳＡＷデバイスと従来のＳＡＷデバイス
における加工工程に対応した周波数変化の様子を説明す
る図。

【図６】ＳＡＷチップの電極表面に陽極酸化膜を形成し
ない場合の電極膜のフッ素の含有状態を示す図。

【図７】本実施形態のＳＡＷチップの電極表面に陽極酸
化膜を形成した場合の電極膜のフッ素の含有状態を示す
図。

【図８】図１のＳＡＷデバイスと従来のＳＡＷデバイス
における周波数シフトの様子を比較して示す図。

【図９】従来のＳＡＷデバイスに使用するＳＡＷチップ
の製造工程を簡単に示す概略工程図。

【図１０】図９のＳＡＷデバイスに使用するＳＡＷチッ
プをベースに固定する工程を簡単に示す概略工程図。

【符号の説明】

１００・・・ＳＡＷデバイス１１０・・・ＳＡＷチップ１１１・・・圧電基板（水晶基板）１１２・・・電極１２０・・・ベース１３０・・・キャップ１４０・・・ボンディング線

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開平２−94911（ＪＰ，Ａ) 特開平10−135759（ＪＰ，Ａ) 特開昭63−285011（ＪＰ，Ａ) 特開平５−283970（ＪＰ，Ａ) 特開平11−36086（ＪＰ，Ａ) 特開平８−46474（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H03H 3/10 H01L 21/304 647 H01L 21/3065 H03H 9/145

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】圧電基板にドライエッチングにより電極パ
ターンを形成するＳＡＷチップの製造方法であって、圧電基板上にアルミニウムまたはアルミニウム合金によ
り電極膜を形成する電極膜形成工程と、前記電極膜を所定の電極パターンとなるように、圧電基
板表面が露出するまでドライエッチングを行うドライエ
ッチング工程と、前記露出された圧電基板表面の残留アルミニウムを除去
するためのリン酸を洗浄液として使用する洗浄工程とを
含んでいることを特徴とするＳＡＷチップの製造方法。
【請求項２】前記洗浄工程の後で、前記電極パターンの
表面に陽極酸化膜を形成する陽極酸化膜形成工程を有す
ることを特徴とする請求項１に記載のＳＡＷチップの製
造方法。
【請求項３】圧電基板にドライエッチングにより電極パ
ターンを形成するＳＡＷチップを使用したＳＡＷデバイ
スの製造方法であって、圧電基板上にアルミニウムにより電極膜を形成する電極
膜形成工程と、前記電極膜を所定の電極パターンとなるように、圧電基
板表面が露出するまでドライエッチングを行うドライエ
ッチング工程と、前記露出された圧電基板表面の残留アルミニウムを除去
するための洗浄工程と、この洗浄工程の後で、前記電極パターンの表面に陽極酸
化膜を形成する陽極酸化膜形成工程と、陽極酸化膜が形成されたＳＡＷチップを所定のパッケー
ジのベースに固定する工程と、ベースに固定されたＳＡＷチップまたは固定前のＳＡＷ
チップに対して、フッ素系ガスを用いて、プラズマエッ
チングすることにより周波数調整する工程とを含んでい
ることを特徴とする、ＳＡＷデバイスの製造方法。
【請求項４】前記洗浄工程では、リン酸を洗浄液として
使用することを特徴とする、請求項３に記載のＳＡＷデ
バイスの製造方法。