JP3348717B2 - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JP3348717B2 JP3348717B2 JP2000053761A JP2000053761A JP3348717B2 JP 3348717 B2 JP3348717 B2 JP 3348717B2 JP 2000053761 A JP2000053761 A JP 2000053761A JP 2000053761 A JP2000053761 A JP 2000053761A JP 3348717 B2 JP3348717 B2 JP 3348717B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数の発光部を備
えている半導体レーザおよびデータ再生装置ならびにデ
ータ記録装置に関する。
えている半導体レーザおよびデータ再生装置ならびにデ
ータ記録装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＣＤ（コンパクトディスク）やＤ
ＶＤ（デジタルビデオディスク）のような規格の異なる
メディアを１つの機器で再生（もしくは記録）する場合
には、各々の規格に合った別個の光学系が必要であっ
た。このため、機器の大型化、コストアップ等が問題と
なっていた。
ＶＤ（デジタルビデオディスク）のような規格の異なる
メディアを１つの機器で再生（もしくは記録）する場合
には、各々の規格に合った別個の光学系が必要であっ
た。このため、機器の大型化、コストアップ等が問題と
なっていた。
【０００３】これに対し、現在、発振波長の異なる２つ
のレーザ光を出射できる半導体レーザ（いわゆる、２波
長レーザ）の開発が盛んになってきており、部品の小型
化を図るとともに、光学系を１つで済ませることができ
るようになってきている。
のレーザ光を出射できる半導体レーザ（いわゆる、２波
長レーザ）の開発が盛んになってきており、部品の小型
化を図るとともに、光学系を１つで済ませることができ
るようになってきている。
【０００４】このような２波長レーザには種々の形態が
あるが、一般に２つのレーザ発光部を１つの基板上に搭
載して、より部品の小型化を図るという点では共通す
る。ここで、２つのレーザ発光部は、互いにレーザ出射
位置が接近するように設計される。すなわち、光学系を
共通化するために、それぞれのレーザの光軸が同じ光学
系の光軸に接近していることが望ましいからである。
あるが、一般に２つのレーザ発光部を１つの基板上に搭
載して、より部品の小型化を図るという点では共通す
る。ここで、２つのレーザ発光部は、互いにレーザ出射
位置が接近するように設計される。すなわち、光学系を
共通化するために、それぞれのレーザの光軸が同じ光学
系の光軸に接近していることが望ましいからである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、実際に
は、２つのレーザのうち、例えばＤＶＤ用レーザである
６５０ｎｍ帯のレーザの光軸を光学系の光軸に合わせて
配置することになる。これは、ＤＶＤの規格がＣＤの規
格に対して厳しく、光軸合わせに対する許容範囲が小さ
いからである。
は、２つのレーザのうち、例えばＤＶＤ用レーザである
６５０ｎｍ帯のレーザの光軸を光学系の光軸に合わせて
配置することになる。これは、ＤＶＤの規格がＣＤの規
格に対して厳しく、光軸合わせに対する許容範囲が小さ
いからである。
【０００６】このため、ＤＶＤを再生／記録する場合に
は問題ないが、ＣＤを再生／記録する場合にはＣＤ用レ
ーザである７８０ｎｍ帯のレーザの光軸を光学系の光軸
と合わせるために光学系もしくはレーザを移動させる必
要が生じる。つまり、２波長レーザを用いる場合、各波
長のレーザの光軸を１つの光学系の光軸と合わせて用い
る必要があるため、例えば光学系を移動して光軸を合わ
せる場合、この移動によって本来光学系が行うフォーカ
ス合わせやトラッキング制御のための可動範囲の一部を
使うことになり、データの再生／記録時の制御のための
可動範囲すなわち制御範囲を狭くしてしまうという問題
が生じる。
は問題ないが、ＣＤを再生／記録する場合にはＣＤ用レ
ーザである７８０ｎｍ帯のレーザの光軸を光学系の光軸
と合わせるために光学系もしくはレーザを移動させる必
要が生じる。つまり、２波長レーザを用いる場合、各波
長のレーザの光軸を１つの光学系の光軸と合わせて用い
る必要があるため、例えば光学系を移動して光軸を合わ
せる場合、この移動によって本来光学系が行うフォーカ
ス合わせやトラッキング制御のための可動範囲の一部を
使うことになり、データの再生／記録時の制御のための
可動範囲すなわち制御範囲を狭くしてしまうという問題
が生じる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような課
題を解決するために成されたものである。すなわち、本
発明は、複数の発光部を備えている半導体レーザにおい
て、一の発光部における光軸に対して他の発光部におけ
る光軸が傾斜角を持っており、しかもこの複数の発光部
のうち少なくとも１つに対応するレーザストライプが、
そのレーザストライプの共振方向中心軸を境に左右非対
称の形状になっているものである。
題を解決するために成されたものである。すなわち、本
発明は、複数の発光部を備えている半導体レーザにおい
て、一の発光部における光軸に対して他の発光部におけ
る光軸が傾斜角を持っており、しかもこの複数の発光部
のうち少なくとも１つに対応するレーザストライプが、
そのレーザストライプの共振方向中心軸を境に左右非対
称の形状になっているものである。
【０００８】このような本発明では、半導体レーザにお
ける一の発光部の光軸に対して他の発光部の光軸が傾斜
角を持っていることから、各発光部からのレーザ光の間
隔が出射後に狭くもしくは広くなり、各レーザ光と後段
の光学系との光軸合わせを容易に行うことができるよう
になる。また、複数の発光部のうち少なくとも１つに対
応するレーザストライプが、そのレーザストライプの共
振方向中心軸を境に左右非対称の形状になっているた
め、その左右非対称の形状に応じた出射光の光軸を得る
ことができるようになる。
ける一の発光部の光軸に対して他の発光部の光軸が傾斜
角を持っていることから、各発光部からのレーザ光の間
隔が出射後に狭くもしくは広くなり、各レーザ光と後段
の光学系との光軸合わせを容易に行うことができるよう
になる。また、複数の発光部のうち少なくとも１つに対
応するレーザストライプが、そのレーザストライプの共
振方向中心軸を境に左右非対称の形状になっているた
め、その左右非対称の形状に応じた出射光の光軸を得る
ことができるようになる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
基づいて説明する。図１は、本実施形態に係る半導体レ
ーザを説明する模式図である。この半導体レーザ１は、
主としてＣＤ（コンパクトディスク）やＤＶＤ（デジタ
ルビデオディスク）等のディスクＤに対する再生／記録
を行う装置に適用されるもので、１つの半導体レーザ１
で複数のレーザ発光部を備えたものである。
基づいて説明する。図１は、本実施形態に係る半導体レ
ーザを説明する模式図である。この半導体レーザ１は、
主としてＣＤ（コンパクトディスク）やＤＶＤ（デジタ
ルビデオディスク）等のディスクＤに対する再生／記録
を行う装置に適用されるもので、１つの半導体レーザ１
で複数のレーザ発光部を備えたものである。
【００１０】特に、本実施形態の半導体レーザ１は、一
のレーザ発光部における光軸に対して他のレーザ発光部
における光軸が傾斜角を持つ点に特徴がある。
のレーザ発光部における光軸に対して他のレーザ発光部
における光軸が傾斜角を持つ点に特徴がある。
【００１１】なお、本実施形態では、説明を簡単にする
ため、１つの半導体レーザ１に２つのレーザ発光部を持
つものを例とする。
ため、１つの半導体レーザ１に２つのレーザ発光部を持
つものを例とする。
【００１２】図１に示す半導体レーザ１では、一のレー
ザ発光部から出射されるレーザ光Ｐ１の光軸に対して、
他のレーザ発光部から出射されるレーザ光Ｐ２の光軸が
傾斜角を持っており、レーザ光Ｐ２の光軸が出射後にレ
ーザ光Ｐ１の光軸に近づくようになっている。
ザ発光部から出射されるレーザ光Ｐ１の光軸に対して、
他のレーザ発光部から出射されるレーザ光Ｐ２の光軸が
傾斜角を持っており、レーザ光Ｐ２の光軸が出射後にレ
ーザ光Ｐ１の光軸に近づくようになっている。
【００１３】ここで、一のレーザ発光部から出射される
レーザ光Ｐ１は、例えばＤＶＤに対する再生／記録を行
うための発振波長６５０ｎｍ帯のものであり、他のレー
ザ発光部から出射されるレーザ光Ｐ２は、例えばＣＤに
対する再生／記録を行うための発振波長７８０ｎｍ帯の
ものである。
レーザ光Ｐ１は、例えばＤＶＤに対する再生／記録を行
うための発振波長６５０ｎｍ帯のものであり、他のレー
ザ発光部から出射されるレーザ光Ｐ２は、例えばＣＤに
対する再生／記録を行うための発振波長７８０ｎｍ帯の
ものである。
【００１４】本実施形態では、ＤＶＤ用のレーザ光Ｐ１
の光軸が半導体レーザ１の出射端面に対して略垂直にな
っていおり、後段のコリメートレンズＬ１とオブジェク
トレンズＬ２との光軸とほぼ一致するように配置されて
いる。これは、ＣＤに比べてＤＶＤの方が規格が厳しい
ため、ＤＶＤ用のレーザ光Ｐ１を基準にすることで規格
への対応を容易にするためである。
の光軸が半導体レーザ１の出射端面に対して略垂直にな
っていおり、後段のコリメートレンズＬ１とオブジェク
トレンズＬ２との光軸とほぼ一致するように配置されて
いる。これは、ＣＤに比べてＤＶＤの方が規格が厳しい
ため、ＤＶＤ用のレーザ光Ｐ１を基準にすることで規格
への対応を容易にするためである。
【００１５】本実施形態で適用されるデータ再生／記録
装置では、ＣＤやＤＶＤ等のディスクＤに対するレーザ
光Ｐ１、Ｐ２のフォーカス制御、トラッキング制御等の
ためにオブジェクトレンズＬ２が移動（シフト）できる
ようになっている。
装置では、ＣＤやＤＶＤ等のディスクＤに対するレーザ
光Ｐ１、Ｐ２のフォーカス制御、トラッキング制御等の
ためにオブジェクトレンズＬ２が移動（シフト）できる
ようになっている。
【００１６】従来、ＣＤ、ＤＶＤ用の２波長のレーザ光
を出射する半導体レーザでは、各レーザ光の出射位置
（間隔）が１２０μｍ程度あることから、オブジェクト
レンズＬ２をこの間隔に合わせてシフトする必要があ
る。つまり、出射位置（間隔）のずれをなくすために、
フォーカス制御やトラッキング制御等で用いるオブジェ
クトレンズＬ２の移動範囲の一部を使ってしまうことか
ら、本来の制御範囲が狭くなってしまうことになる。
を出射する半導体レーザでは、各レーザ光の出射位置
（間隔）が１２０μｍ程度あることから、オブジェクト
レンズＬ２をこの間隔に合わせてシフトする必要があ
る。つまり、出射位置（間隔）のずれをなくすために、
フォーカス制御やトラッキング制御等で用いるオブジェ
クトレンズＬ２の移動範囲の一部を使ってしまうことか
ら、本来の制御範囲が狭くなってしまうことになる。
【００１７】これに対し、本実施形態の半導体レーザ１
では、ＤＶＤ用のレーザ光Ｐ１の光軸を基準として、Ｃ
Ｄ用のレーザ光Ｐ２の光軸に傾斜角を設けていることか
ら、２つのレーザ光Ｐ１、Ｐ２の出射位置がずれていて
も、出射後の光軸が近づくようになり、光学系の光軸と
の位置合わせが容易となる。
では、ＤＶＤ用のレーザ光Ｐ１の光軸を基準として、Ｃ
Ｄ用のレーザ光Ｐ２の光軸に傾斜角を設けていることか
ら、２つのレーザ光Ｐ１、Ｐ２の出射位置がずれていて
も、出射後の光軸が近づくようになり、光学系の光軸と
の位置合わせが容易となる。
【００１８】図２は、本実施形態の半導体レーザを説明
する模式図である。先に説明したように、本実施形態の
半導体レーザ１では、ＤＶＤ用のレーザ光Ｐ１の光軸に
対してＣＤ用のレーザ光Ｐ２の光軸が出射後に近づくよ
う傾斜角が設けられている。具体的には、レーザ光Ｐ１
に対応する活性層の電流狭窄構造であるレーザストライ
プＳ１に対して、レーザ光Ｐ２に対応する活性層の電流
狭先構造であるレーザストライプＳ２に傾斜角θを設け
ている。
する模式図である。先に説明したように、本実施形態の
半導体レーザ１では、ＤＶＤ用のレーザ光Ｐ１の光軸に
対してＣＤ用のレーザ光Ｐ２の光軸が出射後に近づくよ
う傾斜角が設けられている。具体的には、レーザ光Ｐ１
に対応する活性層の電流狭窄構造であるレーザストライ
プＳ１に対して、レーザ光Ｐ２に対応する活性層の電流
狭先構造であるレーザストライプＳ２に傾斜角θを設け
ている。
【００１９】この傾斜角θとしては、コリメートレンズ
Ｌ１やオブジェクトレンズＬ２の開口数（ＮＡ）にもよ
るが、コリメートレンズＬ１のＮＡに対するオブジェク
トレンズＬ２のＮＡが約７倍になる光学系では、０．１
°から２．０°、好ましくは０．５°から１．０°程度
である。
Ｌ１やオブジェクトレンズＬ２の開口数（ＮＡ）にもよ
るが、コリメートレンズＬ１のＮＡに対するオブジェク
トレンズＬ２のＮＡが約７倍になる光学系では、０．１
°から２．０°、好ましくは０．５°から１．０°程度
である。
【００２０】このような傾斜角θを設けることで、レー
ザ光Ｐ１の光軸に対してレーザ光Ｐ２の光軸が傾くこと
になる。これにより、ＤＶＤを再生／記録する場合と、
ＣＤを再生／記録する場合で、図１に示す光学系のオブ
ジェクトレンズＬ２の移動量（シフト量）を少なくする
ことができる。また、傾斜角θの最適化により、オブジ
ェクトレンズＬ２の移動量をなくすこともできる。
ザ光Ｐ１の光軸に対してレーザ光Ｐ２の光軸が傾くこと
になる。これにより、ＤＶＤを再生／記録する場合と、
ＣＤを再生／記録する場合で、図１に示す光学系のオブ
ジェクトレンズＬ２の移動量（シフト量）を少なくする
ことができる。また、傾斜角θの最適化により、オブジ
ェクトレンズＬ２の移動量をなくすこともできる。
【００２１】すなわち、本実施形態の半導体レーザ１で
は、ＤＶＤの再生／記録を行う場合とＣＤの再生／記録
を行う場合とで各々異なる波長のレーザ光Ｐ１、Ｐ２を
切り替えて使用するにあたり、オブジェクトレンズＬ２
の移動量を少なくすることができ、オブジェクトレンズ
Ｌ２に与えられた本来の制御範囲を十分に確保できるよ
うになる。
は、ＤＶＤの再生／記録を行う場合とＣＤの再生／記録
を行う場合とで各々異なる波長のレーザ光Ｐ１、Ｐ２を
切り替えて使用するにあたり、オブジェクトレンズＬ２
の移動量を少なくすることができ、オブジェクトレンズ
Ｌ２に与えられた本来の制御範囲を十分に確保できるよ
うになる。
【００２２】なお、傾斜角θを設けたレーザストライプ
Ｓ２では、レーザ光Ｐ２の発光効率は多少低下するもの
の、ＤＶＤ用に比べて規格の緩いＣＤ用のレーザ光Ｐ２
であるため、実用上の問題はない。
Ｓ２では、レーザ光Ｐ２の発光効率は多少低下するもの
の、ＤＶＤ用に比べて規格の緩いＣＤ用のレーザ光Ｐ２
であるため、実用上の問題はない。
【００２３】本実施形態のようなレーザストライプＳ２
が傾斜した構造の半導体レーザ１を製造するには、同一
基板上にＤＶＤ用レーザ（例えば、４元化合物半導体を
積層したもの）とＣＤ用レーザ（例えば、３元化合物半
導体を積層したもの）とを形成するいわゆるモノリシッ
ク型では、製造プロセスのフォトリソグラフィにおける
マスクを変更するだけで対応できる。
が傾斜した構造の半導体レーザ１を製造するには、同一
基板上にＤＶＤ用レーザ（例えば、４元化合物半導体を
積層したもの）とＣＤ用レーザ（例えば、３元化合物半
導体を積層したもの）とを形成するいわゆるモノリシッ
ク型では、製造プロセスのフォトリソグラフィにおける
マスクを変更するだけで対応できる。
【００２４】以下、本実施形態の半導体レーザ１におけ
る製造方法を図３〜図６の断面図に基づき説明する。先
ず、図３（ａ）に示すように、例えば有機金属気相エピ
タキシャル成長法（ＭＯＣＶＤ）などのエピタキシャル
成長法により、例えばｎ−ＧａＡｓからなる基板１０上
に、例えばｎ−ＧａＡｓからなるバッファ層２ａ、例え
ばｎ−ＡｌＧａＡｓからなるｎ−クラッド層３ａ、例え
ばＧａＡｓ層を含む多重量子井戸構造の活性層４ａ、例
えばｐ−ＡｌＧａＡｓからなるｐ−クラッド層５ａ、例
えばｐ−ＧａＡｓからなるキャップ層６ａを順に積層さ
せる。
る製造方法を図３〜図６の断面図に基づき説明する。先
ず、図３（ａ）に示すように、例えば有機金属気相エピ
タキシャル成長法（ＭＯＣＶＤ）などのエピタキシャル
成長法により、例えばｎ−ＧａＡｓからなる基板１０上
に、例えばｎ−ＧａＡｓからなるバッファ層２ａ、例え
ばｎ−ＡｌＧａＡｓからなるｎ−クラッド層３ａ、例え
ばＧａＡｓ層を含む多重量子井戸構造の活性層４ａ、例
えばｐ−ＡｌＧａＡｓからなるｐ−クラッド層５ａ、例
えばｐ−ＧａＡｓからなるキャップ層６ａを順に積層さ
せる。
【００２５】次いで、図３（ｂ）に示すように、Ａ’で
示すレーザダイオード部分をレジスト（図示せず）によ
り保護し、硫酸系の溶液を用いた無選択エッチング、お
よびフッ酸系の溶液を用いたＡｌＧａＡｓに対する選択
エッチング等のウェットエッチングを行う。このエッチ
ングにより、図中Ｂ’で示すレーザダイオード部分に形
成されたｎ−クラッド層３ａから上の積層体を除去す
る。
示すレーザダイオード部分をレジスト（図示せず）によ
り保護し、硫酸系の溶液を用いた無選択エッチング、お
よびフッ酸系の溶液を用いたＡｌＧａＡｓに対する選択
エッチング等のウェットエッチングを行う。このエッチ
ングにより、図中Ｂ’で示すレーザダイオード部分に形
成されたｎ−クラッド層３ａから上の積層体を除去す
る。
【００２６】続いて、図４（ａ）に示すように、例えば
有機金属気相エピタキシャル成長法などのエピタキシャ
ル成長法により、図中Ｂ’で示すレーザダイオード部分
のバッファ層２ａ上およびそれ以外の領域のキャップ層
６ａ上に、例えばｎ−ＩｎＧａＰからなるバッファ層２
ｂを形成する。さらにその上層に、例えばｎ−ＡｌＧａ
ＩｎＰからなるｎ−クラッド層３ｂと、例えばＧａＩｎ
Ｐ層を含む多重量子井戸構造の活性層４ｂと、例えばｐ
−ＡｌＧａＩｎＰからなるｐ−クラッドそう５ｂと、ｐ
−ＧａＡｓからなるキャップ層６ｂとを順に積層させ
る。
有機金属気相エピタキシャル成長法などのエピタキシャ
ル成長法により、図中Ｂ’で示すレーザダイオード部分
のバッファ層２ａ上およびそれ以外の領域のキャップ層
６ａ上に、例えばｎ−ＩｎＧａＰからなるバッファ層２
ｂを形成する。さらにその上層に、例えばｎ−ＡｌＧａ
ＩｎＰからなるｎ−クラッド層３ｂと、例えばＧａＩｎ
Ｐ層を含む多重量子井戸構造の活性層４ｂと、例えばｐ
−ＡｌＧａＩｎＰからなるｐ−クラッドそう５ｂと、ｐ
−ＧａＡｓからなるキャップ層６ｂとを順に積層させ
る。
【００２７】次に、図４（ｂ）に示すように、Ｂ’’で
示すレーザダイオード部分をレジスト（図示せず）によ
り保護してから、例えば硫酸系の溶液を用いたウェット
エッチングを行い、Ｂ’’部分以外のキャップ層６ｂを
除去する。さらに、例えばリン酸／塩酸系の溶液を用い
たウェットエッチングを行い、Ｂ’’部分以外のｐ−ク
ラッド層５ｂ、活性層４ｂ、ｎ−クラッド層３ｂおよび
バッファ層２ｂを除去する。その後、例えば塩酸系の溶
液を用いたウェットエッチングを行い、バッファ層２ａ
に達するトレンチを形成する。これにより、レーザダイ
オード間が分離される。
示すレーザダイオード部分をレジスト（図示せず）によ
り保護してから、例えば硫酸系の溶液を用いたウェット
エッチングを行い、Ｂ’’部分以外のキャップ層６ｂを
除去する。さらに、例えばリン酸／塩酸系の溶液を用い
たウェットエッチングを行い、Ｂ’’部分以外のｐ−ク
ラッド層５ｂ、活性層４ｂ、ｎ−クラッド層３ｂおよび
バッファ層２ｂを除去する。その後、例えば塩酸系の溶
液を用いたウェットエッチングを行い、バッファ層２ａ
に達するトレンチを形成する。これにより、レーザダイ
オード間が分離される。
【００２８】次に、図５（ａ）に示すように、各レーザ
ダイオードの電流注入領域となる部分をレジスト（図示
せず）により保護し、ｐ−クラッド層５ａ、５ｂの表面
に不純物をイオン注入する。これにより、イオン注入さ
れた領域に高抵抗層７ａ、７ｂが形成され、ゲインガイ
ド型の電流狭窄構造となる。
ダイオードの電流注入領域となる部分をレジスト（図示
せず）により保護し、ｐ−クラッド層５ａ、５ｂの表面
に不純物をイオン注入する。これにより、イオン注入さ
れた領域に高抵抗層７ａ、７ｂが形成され、ゲインガイ
ド型の電流狭窄構造となる。
【００２９】本実施形態では、この電流狭窄構造を形成
するにあたり、レジストでの保護領域にレーザストライ
プと対応する傾斜角をつけておく。これにより、レーザ
ストライプが傾斜した構造を実現できる。
するにあたり、レジストでの保護領域にレーザストライ
プと対応する傾斜角をつけておく。これにより、レーザ
ストライプが傾斜した構造を実現できる。
【００３０】次いで、図５（ｂ）に示すように、キャッ
プ層６ａ、６ｂの上部に例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕの積層
膜をスパッタリングにより成膜し、レーザダイオード
Ａ、Ｂにそれぞれｐ型電極８ａ、８ｂを形成する。ま
た、基板１０のレーザダイオードＡ、Ｂが形成された側
と反対側の面に、例えばＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕの積層膜
をスパッタリングにより成膜し、ｎ型電極９を形成す
る。
プ層６ａ、６ｂの上部に例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕの積層
膜をスパッタリングにより成膜し、レーザダイオード
Ａ、Ｂにそれぞれｐ型電極８ａ、８ｂを形成する。ま
た、基板１０のレーザダイオードＡ、Ｂが形成された側
と反対側の面に、例えばＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕの積層膜
をスパッタリングにより成膜し、ｎ型電極９を形成す
る。
【００３１】その後、ペレタイズ工程を経て、同一基板
１０上に発振波長の異なる２つのレーザダイオードＡ、
Ｂを有する図５（ｃ）に示す断面構造となる。
１０上に発振波長の異なる２つのレーザダイオードＡ、
Ｂを有する図５（ｃ）に示す断面構造となる。
【００３２】次に、本発明の他の実施形態を説明する。
図６は、他の実施形態を説明する模式図である。すなわ
ち、この半導体レーザ１では、一のレーザ光Ｐ１に対応
するレーザストライプＳ１と、他のレーザ光Ｐ２に対応
するレーザストライプＳ２とが、各々出射端面に対して
傾斜角を持ったものである。
図６は、他の実施形態を説明する模式図である。すなわ
ち、この半導体レーザ１では、一のレーザ光Ｐ１に対応
するレーザストライプＳ１と、他のレーザ光Ｐ２に対応
するレーザストライプＳ２とが、各々出射端面に対して
傾斜角を持ったものである。
【００３３】特に、この例では、半導体レーザ１の中心
に向けて各レーザ光Ｐ１、Ｐ２の光軸が向かうようにな
っており、半導体レーザ１の中心を後段の光学系（図示
せず）の光軸と合わせることで、各レーザ光Ｐ１、Ｐ２
の光軸と光学系の光軸とを容易に合わせることができる
ようになっている。
に向けて各レーザ光Ｐ１、Ｐ２の光軸が向かうようにな
っており、半導体レーザ１の中心を後段の光学系（図示
せず）の光軸と合わせることで、各レーザ光Ｐ１、Ｐ２
の光軸と光学系の光軸とを容易に合わせることができる
ようになっている。
【００３４】また、図７は他のレーザストライプの例を
示す模式図である。レーザストライプＳの形状によって
レーザ光Ｐの光軸に傾斜角を持たせるには、図７（ａ）
〜（ｃ）に示すような左右非対称のテーパストライプ構
造にしてもよい。
示す模式図である。レーザストライプＳの形状によって
レーザ光Ｐの光軸に傾斜角を持たせるには、図７（ａ）
〜（ｃ）に示すような左右非対称のテーパストライプ構
造にしてもよい。
【００３５】すなわち、レーザストライプＳの共振器方
向の中心軸に対して左右非対称となるようテーパストラ
イプを形成する。この場合、左右のテーパ角度の大きい
側へレーザ光Ｐが出射することになる。この左右のテー
パ角度を適宜設定することで、所望の方向の光軸を得る
ことができるようになる。
向の中心軸に対して左右非対称となるようテーパストラ
イプを形成する。この場合、左右のテーパ角度の大きい
側へレーザ光Ｐが出射することになる。この左右のテー
パ角度を適宜設定することで、所望の方向の光軸を得る
ことができるようになる。
【００３６】なお、図７に示す各例では、主要光である
レーザ光Ｐが出射する側以外に、反対側の端部もテーパ
ストライプになっているが、本発明では必ずしも必要で
はない。
レーザ光Ｐが出射する側以外に、反対側の端部もテーパ
ストライプになっているが、本発明では必ずしも必要で
はない。
【００３７】また、図８は更に他のレーザストライプの
例を示す模式図である。図８（ａ）、（ｂ）に示すレー
ザストライプＳは、レーザ光Ｐの出射端が広がっている
フレアストライプ構造のものである。
例を示す模式図である。図８（ａ）、（ｂ）に示すレー
ザストライプＳは、レーザ光Ｐの出射端が広がっている
フレアストライプ構造のものである。
【００３８】このようなフレアストライプ構造でレーザ
光Ｐの光軸に傾斜角を持たせるには、レーザストライプ
Ｓの共振器方向の中心軸に対して左右非対称となるフレ
アストライプを形成する。この場合、フレアの角度が大
きい側（開いている側）へレーザ光Ｐが出射することに
なる。この左右のフレアの角度を適宜設定することで、
所望の方向の光軸を得ることができるようになる。
光Ｐの光軸に傾斜角を持たせるには、レーザストライプ
Ｓの共振器方向の中心軸に対して左右非対称となるフレ
アストライプを形成する。この場合、フレアの角度が大
きい側（開いている側）へレーザ光Ｐが出射することに
なる。この左右のフレアの角度を適宜設定することで、
所望の方向の光軸を得ることができるようになる。
【００３９】なお、上記説明した各実施形態において
は、半導体レーザ１として２つの発振波長から成るレー
ザ光を出射する例を示したが、３つ以上の発振波長から
成るレーザを出射する場合でも適用可能である。また、
各レーザ光が同じ発振波長であってもよい。また、一の
レーザ光の光軸に対して他のレーザ光の光軸が近づくよ
う傾斜角を持たせたが、反対に離れるよう傾斜角を持た
せてもよい。これにより、別の光学系を用いる際に互い
のレーザ光の干渉を防止できるようになる。さらに、発
振波長の例として、ＤＶＤ用の６５０ｎｍ帯およびＣＤ
用の７８０ｎｍ帯を用いたが、他の発振波長であっても
よい。
は、半導体レーザ１として２つの発振波長から成るレー
ザ光を出射する例を示したが、３つ以上の発振波長から
成るレーザを出射する場合でも適用可能である。また、
各レーザ光が同じ発振波長であってもよい。また、一の
レーザ光の光軸に対して他のレーザ光の光軸が近づくよ
う傾斜角を持たせたが、反対に離れるよう傾斜角を持た
せてもよい。これにより、別の光学系を用いる際に互い
のレーザ光の干渉を防止できるようになる。さらに、発
振波長の例として、ＤＶＤ用の６５０ｎｍ帯およびＣＤ
用の７８０ｎｍ帯を用いたが、他の発振波長であっても
よい。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば次
のような効果がある。すなわち、一の発光部の光軸に対
して他の発光部の光軸が傾斜角を持っていることから、
各発光部からのレーザ光の間隔が、出射後に狭くもしく
は広くなり、後段の光学系との光軸合わせを容易に行う
ことが可能となる。また、各レーザ光で同じ光学系を用
いる場合には、各々のレーザ光を用いる場合の光学系と
の光軸ずれを少なく、もしくはなくすことができ、光学
系の可動範囲の制限を減らして的確なデータ再生／記録
を行うことが可能となる。
のような効果がある。すなわち、一の発光部の光軸に対
して他の発光部の光軸が傾斜角を持っていることから、
各発光部からのレーザ光の間隔が、出射後に狭くもしく
は広くなり、後段の光学系との光軸合わせを容易に行う
ことが可能となる。また、各レーザ光で同じ光学系を用
いる場合には、各々のレーザ光を用いる場合の光学系と
の光軸ずれを少なく、もしくはなくすことができ、光学
系の可動範囲の制限を減らして的確なデータ再生／記録
を行うことが可能となる。
【図１】本実施形態に係る半導体レーザを説明する模式
図である。
図である。
【図２】本実施形態の半導体レーザを説明する模式図で
ある。
ある。
【図３】本実施形態の半導体レーザの製造方法を説明す
る断面図（その１）である。
る断面図（その１）である。
【図４】本実施形態の半導体レーザの製造方法を説明す
る断面図（その２）である。
る断面図（その２）である。
【図５】本実施形態の半導体レーザの製造方法を説明す
る断面図（その３）である。
る断面図（その３）である。
【図６】他の実施形態を説明する模式図である。
【図７】他のレーザストライプの例を示す模式図であ
る。
る。
【図８】更に他のレーザストライプの例を示す模式図で
ある。
ある。
１…半導体レーザ、Ｄ…ディスク、Ｌ１…コリメートレ
ンズ、Ｌ２…オブジェクトレンズ、Ｐ…レーザ光、Ｐ１
…レーザ光、Ｐ２…レーザ光、Ｓ…レーザストライプ、
Ｓ１…レーザストライプ、Ｓ２…レーザストライプ
ンズ、Ｌ２…オブジェクトレンズ、Ｐ…レーザ光、Ｐ１
…レーザ光、Ｐ２…レーザ光、Ｓ…レーザストライプ、
Ｓ１…レーザストライプ、Ｓ２…レーザストライプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開2001−68794（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−64903（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 5/00 - 5/50
Claims (3)
- 【請求項１】 複数の発光部を備えている半導体レーザ
において、 一の発光部における光軸に対して他の発光部における光
軸が傾斜角を持っており、この複数の発光部のうち少な
くとも１つに対応するレーザストライプが、そのレーザ
ストライプの共振方向中心軸を境に左右非対称の形状に
なっていることを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項２】 複数の発光部を備えている半導体レーザ
において、 一の発光部における光軸に対して他の発光部における光
軸が傾斜角を持っており、この傾斜角として、一の発光
部における主要光出射側の光軸と、他の発光部における
主要光出射側の光軸とが近づくような角度で設けられて
おり、 この複数の発光部のうち少なくとも１つに対応するレー
ザストライプが、そのレーザストライプの共振方向中心
軸を境に左右非対称の形状になっている ことを特徴とす
る半導体レーザ。 - 【請求項３】 複数の発光部を備えている半導体レーザ
において、 一の発光部における光軸に対して他の発光部における光
軸が傾斜角を持っており、この傾斜角として、一の発光
部における主要光出射側の光軸と、他の発光部における
主要光出射側の光軸とが離れるような角度で設けられて
おり、 この複数の発光部のうち少なくとも１つに対応するレー
ザストライプが、そのレーザストライプの共振方向中心
軸を境に左右非対称の形状になっている ことを特徴とす
る半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000053761A JP3348717B2 (ja) | 2000-02-29 | 2000-02-29 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000053761A JP3348717B2 (ja) | 2000-02-29 | 2000-02-29 | 半導体レーザ |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002180962A Division JP2003067960A (ja) | 2002-06-21 | 2002-06-21 | データ再生装置ならびにデータ記録装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001244565A JP2001244565A (ja) | 2001-09-07 |
| JP3348717B2 true JP3348717B2 (ja) | 2002-11-20 |
Family
ID=18575096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000053761A Expired - Fee Related JP3348717B2 (ja) | 2000-02-29 | 2000-02-29 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3348717B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7800187B2 (ja) * | 2022-02-16 | 2026-01-16 | ウシオ電機株式会社 | レーザ装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0864903A (ja) * | 1994-08-25 | 1996-03-08 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体多波長レーザアレイの製造方法 |
| JP4590660B2 (ja) * | 1999-08-26 | 2010-12-01 | 日本ビクター株式会社 | 光ピックアップ装置 |
-
2000
- 2000-02-29 JP JP2000053761A patent/JP3348717B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001244565A (ja) | 2001-09-07 |
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