JP3348915B2 - Developing device and developing method - Google Patents
Developing device and developing methodInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置を製造す
る際のフォトレジストを現像する現像装置および現像方
法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a developing device and a developing method for developing a photoresist when manufacturing a semiconductor device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、ＬＳＩ（Large Scale Integrated
Circuit）の高集積化や高密度化が進むにつれて、半導
体装置を製造する際、シリコン基板の上に形成される感
光性樹脂パタ−ン、即ちフォトレジストパタ−ンに要求
される性能は一段と厳しくなっている。具体的には、超
微細化が可能とされ且つ寸法制御性が優れたパタ−ンを
形成することが要求されている。2. Description of the Related Art In recent years, LSIs (Large Scale Integrated
As the integration and density of circuits increase, the performance required of the photosensitive resin pattern formed on the silicon substrate, that is, the photoresist pattern, when manufacturing semiconductor devices becomes even more severe. Has become. Specifically, it is required to form a pattern that can be made ultra-fine and has excellent dimensional controllability.
【０００３】従来、シリコン基板の上にフォトレジスト
パタ−ンを形成する際には、先ず、前記シリコン基板の
上にフォトレジスト膜が塗布される。次に、このフォト
レジスト膜は、所望の回路パタ−ンが形成されたマスク
膜をマスクとして光露光される。この後、前記フォトレ
ジスト膜には、露光部と未露光部とに対して溶解性の異
なる現像液が現像装置によって塗布される。この結果、
フォトレジスト膜が現像されることにより、フォトレジ
ストパタ−ンが形成される。Conventionally, when a photoresist pattern is formed on a silicon substrate, first, a photoresist film is applied on the silicon substrate. Next, this photoresist film is exposed to light using a mask film on which a desired circuit pattern is formed as a mask. Thereafter, a developing solution having different solubility between the exposed portion and the unexposed portion is applied to the photoresist film by a developing device. As a result,
The photoresist pattern is formed by developing the photoresist film.
【０００４】図５は、前記現像装置における現像液供給
ラインを示す構成図である。現像液タンク１には予め所
定の濃度に調整された現像液２が入れられており、前記
現像液タンク１は第１のライン１０ａを介してポンプ３
と接続されている。このポンプ３は第２のライン１０ｂ
を介して第１および第２のバルブ４ａ、４ｂと接続され
ている。前記第１のバルブ４ａは第３のライン１０ｃを
介して第１の現像液供給ライン部９ａと接続されてお
り、前記第２のバルブ４ｂは第４のライン１０ｄを介し
て第２、第３の現像液供給ライン部９ｂ、９ｃと接続さ
れている。FIG. 5 is a configuration diagram showing a developer supply line in the developing device. The developing solution tank 1 contains a developing solution 2 which has been adjusted to a predetermined concentration in advance, and the developing solution tank 1 is connected to a pump 3 via a first line 10a.
Is connected to This pump 3 has a second line 10b
Are connected to the first and second valves 4a and 4b via the. The first valve 4a is connected to a first developer supply line section 9a via a third line 10c, and the second valve 4b is connected to a second and third via a fourth line 10d. Are connected to the developer supply lines 9b and 9c.
【０００５】前記第１の現像液供給ライン部９ａにおい
て、レギュレ−タ５は前記第３のライン１０ｃを介して
前記第１のバルブ４ａと接続されており、前記レギュレ
−タ５は第５のライン１０ｅを介してフィルタ６と接続
されている。このフィルタ６は第６のライン１０ｆを介
して熱交換器７と接続されており、この熱交換器７は第
７のライン１０ｇを介して第３のバルブ４ｃと接続され
ている。この第３のバルブ４ｃは第８のライン１０ｈを
介して現像ノズル８と接続されている。In the first developer supply line section 9a, a regulator 5 is connected to the first valve 4a via the third line 10c, and the regulator 5 is connected to a fifth valve. It is connected to the filter 6 via a line 10e. The filter 6 is connected to a heat exchanger 7 via a sixth line 10f, and the heat exchanger 7 is connected to a third valve 4c via a seventh line 10g. The third valve 4c is connected to the developing nozzle 8 via an eighth line 10h.
【０００６】上記構成において、現像液２はポンプ３に
より現像液タンク１から第１のライン１０ａを通って、
第２のライン１０ｂに導かれる。この後、前記現像液２
は第１および第２のバルブ４ａ、４ｂを介して第１、第
２および第３の現像液供給ライン部９ａ〜９ｃそれぞれ
に供給される。In the above configuration, the developer 2 is supplied from the developer tank 1 by the pump 3 through the first line 10a.
It is led to the second line 10b. Thereafter, the developer 2
Is supplied to the first, second and third developer supply line portions 9a to 9c via the first and second valves 4a and 4b, respectively.
【０００７】次に、前記第１の現像液供給ライン部９ａ
において、現像液２は第３のライン１０ｃからレギュレ
−タ５を通って第５のライン１０ｅに導かれる。さら
に、現像液２はフィルタ６を通って熱交換器７により所
定の温度に調節され、第３のバルブ４ｃを介して現像ノ
ズル８から吐出される。これにより、図示せぬフォトレ
ジスト膜に現像液２が塗布される。Next, the first developer supply line section 9a
The developer 2 is guided from the third line 10c through the regulator 5 to the fifth line 10e. Further, the developing solution 2 is adjusted to a predetermined temperature by a heat exchanger 7 through a filter 6, and is discharged from a developing nozzle 8 through a third valve 4c. Thus, the developing solution 2 is applied to the photoresist film (not shown).
【０００８】前記フォトレジスト膜として、以前にはゲ
ル化（架橋）を起こすイソプレン系のネガ型が用いら
れ、前記現像液としてはキシレン等の有機溶媒現像液が
使用されてきた。しかし、前記ネガ型のフォトレジスト
膜には現像時にレジストパタ−ンが膨潤するという問題
があるため、解像性を向上させるには限界があった。し
たがって、今日ではＬＳＩの製作において、フォトレジ
スト膜には非膨潤性のポジ型が用いられ、現像液にはア
ルカリ現像液が広範囲に使用されている。このアルカリ
現像液としては、半導体デバイスの特性に影響を及ぼさ
ない高純度の有機アルカリ、例えばテトラメチルアンモ
ニウムヒドロオキシド２．３８ｗｔ％の水溶液が一般に
使用されている。As the photoresist film, an isoprene-based negative type which causes gelation (crosslinking) has been used, and an organic solvent developer such as xylene has been used as the developer. However, the negative type photoresist film has a problem that the resist pattern swells during development, so that there is a limit to improving the resolution. Therefore, in the production of LSI today, a non-swelling positive type is used for a photoresist film, and an alkali developing solution is widely used as a developing solution. As the alkali developer, a high-purity organic alkali which does not affect the characteristics of the semiconductor device, for example, an aqueous solution of 2.38 wt% of tetramethylammonium hydroxide is generally used.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】ところで、ＬＳＩの製
作においては、一般に二種類以上のフォトレジスト膜を
使用している。このフォトレジスト膜を現像する際、フ
ォトレジスト膜の解像性能は、概して露光部と未露光部
との溶解選択性によって決まる。この溶解選択性から現
像液の最適な濃度が決まるものであり、この溶解選択性
はフォトレジスト膜の種類によって異なるものである。
これにより、フォトレジスト膜の解像性能を最大限に引
き出すための現像液の濃度の最適値は、フォトレジスト
膜の種類によって異なる。したがって、二種類以上のフ
ォトレジスト膜を使用する場合、各々のフォトレジスト
膜において最適な濃度の現像液を供給するには現像液の
濃度を変更する必要が生ずる。しかし、上記従来の現像
液供給ラインにおいては現像液の濃度を調整する機構を
有していないため、フォトレジスト膜は単一の濃度、例
えば２．３８ｗｔ％の現像液によって現像される。すな
わち、従来の現像装置では、それぞれのフォトレジスト
膜に最適な濃度の現像液を供給することができない。By the way, in the manufacture of LSI, generally two or more types of photoresist films are used. When developing this photoresist film, the resolution performance of the photoresist film is generally determined by the dissolution selectivity between an exposed portion and an unexposed portion. The optimum concentration of the developer is determined from the dissolution selectivity, and the dissolution selectivity differs depending on the type of the photoresist film.
Accordingly, the optimum value of the concentration of the developing solution for maximizing the resolution performance of the photoresist film differs depending on the type of the photoresist film. Therefore, when two or more types of photoresist films are used, it is necessary to change the concentration of the developing solution in order to supply a developing solution having an optimum concentration in each of the photoresist films. However, since the conventional developer supply line does not have a mechanism for adjusting the concentration of the developer, the photoresist film is developed with a single concentration of the developer, for example, 2.38 wt%. That is, the conventional developing device cannot supply a developing solution having an optimum concentration to each photoresist film.
【００１０】また、上記従来の現像装置では、濃度が
２．３８ｗｔ％の現像液が入れられた一つの現像液タン
ク１から各現像液供給ライン部９ａ〜９ｃへ現像液を供
給している。すなわち、現像液の濃度を調整する機構が
設けられていない。このため、前記現像液の濃度が微小
に変動することがある。この結果、フォトレジスト膜の
感度に影響を及ぼし、現像されたレジストパタ−ンに寸
法のばらつきが発生することがある。In the above conventional developing device, the developing solution is supplied from one developing solution tank 1 containing a developing solution having a concentration of 2.38 wt% to each of the developing solution supply lines 9a to 9c. That is, a mechanism for adjusting the concentration of the developer is not provided. Therefore, the concentration of the developer may fluctuate minutely. As a result, the sensitivity of the photoresist film is affected, and dimensional variations may occur in the developed resist pattern.
【００１１】この発明は上記のような事情を考慮してな
されたものであり、その目的は、最適な濃度の現像液を
フォトレジスト膜に供給するとともに、現像されたレジ
ストパタ−ンに寸法のばらつきが発生することのない現
像装置および現像方法を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to supply a developing solution having an optimum concentration to a photoresist film and to provide a developed resist pattern with dimensional variations. It is an object of the present invention to provide a developing device and a developing method which do not cause the generation of the image.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】この発明の現像装置は、
上記課題を解決するため、高濃度現像液を混合槽に供給
する第１の供給手段と、前記高濃度現像液を希釈する希
釈溶液を前記混合槽に供給する第２の供給手段と、前記
混合槽において前記高濃度現像液と前記希釈溶液とが混
合された現像液を所定の濃度に調整する調整手段と、前
記調整手段に含まれ前記混合槽内の前記現像液の濃度を
測定する第１の濃度センサと、前記混合槽から送出され
た前記現像液を再び前記混合槽に供給するラインと、前
記ラインの途中に設けられ、前記現像液の濃度を測定す
る第２の濃度センサと、前記ラインの途中に設けられ、
混合槽から送出される濃度が調整された前記現像液をフ
ォトレジスト膜に吐出するノズルとを具備し、前記第
１、第２の供給手段は、前記第１、第２の濃度センサの
測定データを用いて、前記高濃度現像液または前記希釈
溶液を前記混合槽に供給することを特徴としている。According to the present invention, there is provided a developing device comprising:
Supply high-concentration developer to mixing tank to solve the above problems
A first supply means for a second supply means for supplying a dilute solution for diluting the high concentration developer to said mixing tank, and the high concentration developer in the mixing tank and the diluting solution are mixed Adjusting means for adjusting the developer to a predetermined concentration, and adjusting the concentration of the developer in the mixing tank included in the adjusting means.
A first concentration sensor to be measured and
A line for supplying the developing solution to the mixing tank again,
Provided in the middle of the line to measure the concentration of the developer.
A second concentration sensor, provided in the middle of the line,
The developing solution sent from the mixing tank and having the adjusted concentration is flown.
A nozzle for discharging to a photoresist film;
The first and second supply means are provided for the first and second concentration sensors.
Using the measurement data, the high concentration developer or the dilution
A solution is supplied to the mixing tank .
【００１３】また、この発明の現像方法は、高濃度現像
液及び前記高濃度現像液を希釈する希釈溶液を混合槽に
供給し、前記混合槽内において前記高濃度現像液と前記
希釈溶液とを混合し、前記混合槽内及び前記混合槽から
送出される現像液の濃度を測定し、前記測定結果に応じ
て、前記混合槽内への前記高濃度現像液及び希釈溶液の
供給量を調整することにより前記現像液の濃度を調整
し、フォトレジスト膜に対して異なる濃度に調整された
数種類の濃度の現像液を供給し、この現像液によりフォ
トレジスト膜を現像することを特徴としている。また、
前記高濃度現像液は、テトラメチルアンモニウムヒドロ
オキシドであることを特徴としている。Further, in the developing method of the present invention, a high-concentration developer and a diluting solution for diluting the high-concentration developer are supplied to a mixing tank, and the high-concentration developing solution and the diluting solution are mixed in the mixing tank. Mixing , from the mixing tank and from the mixing tank
Measure the concentration of the developer sent out, and according to the measurement result,
The high-concentration developer and the dilute solution in the mixing tank.
Adjust the concentration of the developer by adjusting the supply amount
Then, a plurality of types of developing solutions adjusted to different concentrations are supplied to the photoresist film, and the photoresist film is developed with the developing solutions . Also,
The high-concentration developer is tetramethylammonium hydroxide.
【００１４】[0014]
【作用】この発明は、第１の供給手段により高濃度現像
液を混合槽に供給し、第２の供給手段により希釈溶液を
前記混合槽に供給し、前記混合槽において前記高濃度現
像液と前記希釈溶液とを混合する。この混合された現像
液を調整手段により所定の濃度に調整している。このた
め、最適な濃度の現像液をフォトレジスト膜に供給する
ことができる。この結果、前記現像液によりフォトレジ
スト膜を現像した際、現像されたレジストパタ−ンに寸
法のばらつきが発生することがない。According to the present invention, a high-concentration developer is supplied to a mixing tank by a first supply means, and a diluting solution is supplied to the mixing tank by a second supply means. Mix with the dilute solution. The mixed developer is adjusted to a predetermined concentration by adjusting means. Therefore, it is possible to supply a developing solution having an optimum concentration to the photoresist film. As a result, when the photoresist film is developed with the developing solution, the developed resist pattern does not have dimensional variations.
【００１５】[0015]
【実施例】以下、図面を参照してこの発明を実施例によ
り説明する。図１は、この発明の第１の実施例による現
像装置における現像液供給ラインを示す構成図である。
図示せぬＮ2 ボンベはＮ2 圧送ライン１１の一端と接続
されており、このＮ2 圧送ライン１１の他端は第１のバ
ルブ１２ａを介して現像液タンク１３と接続されてい
る。この現像液タンク１３は第２のバルブ１２ｂを介し
て第１のエア抜きライン１４ａと接続されている。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a configuration diagram showing a developer supply line in a developing device according to a first embodiment of the present invention.
N 2 gas cylinder (not shown) is connected to one end of the N 2 feeding lines 11, the other end of the N 2 feeding line 11 is connected to the developer tank 13 through the first valve 12a. The developer tank 13 is connected to a first air vent line 14a via a second valve 12b.
【００１６】前記現像液タンク１３には高濃度現像液１
５が入れられている。この高濃度現像液１５は第１の高
濃度現像液ライン２０ａの一端と接続されており、この
高濃度現像液ライン２０ａの他端は第３のバルブ１２ｃ
を介してレギュレ−タ１６と接続されている。このレギ
ュレ−タ１６は第２の高濃度現像液ライン２０ｂの一端
と接続されており、この高濃度現像液ライン２０ｂの他
端はフィルタ１７を介して第１のポンプ１８と接続され
ている。この第１のポンプ１８は、流量をコントロ−ル
して高濃度現像液１５を現像液タンク１３から吸い上げ
るものである。このポンプ１８は第３の高濃度現像液ラ
イン２０ｃの一端と接続されており、この高濃度現像液
ライン２０ｃの他端は第４のバルブ１２ｄを介して混合
槽１９と接続されている。この混合槽１９は第５のバル
ブ１２ｅを介して第２のエア抜きライン１４ｂと接続さ
れている。この混合槽１９には撹拌手段２１および第１
の濃度センサ２２が設けられている。The developer tank 13 contains a high concentration developer 1
5 is inserted. The high-concentration developer 15 is connected to one end of a first high-concentration developer line 20a, and the other end of the high-concentration developer line 20a is connected to a third valve 12c.
Is connected to the regulator 16 via the. The regulator 16 is connected to one end of a second high concentration developer line 20b, and the other end of the high concentration developer line 20b is connected to a first pump 18 via a filter 17. The first pump 18 controls the flow rate and draws up the high concentration developer 15 from the developer tank 13. The pump 18 is connected to one end of a third high-concentration developer line 20c, and the other end of the high-concentration developer line 20c is connected to a mixing tank 19 via a fourth valve 12d. This mixing tank 19 is connected to a second air vent line 14b via a fifth valve 12e. In the mixing tank 19, the stirring means 21 and the first
Is provided.
【００１７】前記混合槽１９は第１の純水ライン２４ａ
の一端と接続されており、この純水ライン２４ａの他端
は第６のバルブ１２ｆを介して第２のポンプ２３と接続
されている。このポンプ２３は第２の純水ライン２４ｂ
と接続されている。The mixing tank 19 is provided with a first pure water line 24a.
The other end of the pure water line 24a is connected to the second pump 23 via the sixth valve 12f. This pump 23 has a second pure water line 24b.
Is connected to
【００１８】前記混合槽１９は第１の現像液ライン２５
ａの一端と接続されており、この現像液ライン２５ａの
他端は第７のバルブ１２ｇを介して熱交換器２６と接続
されている。この熱交換器２６は第２の現像液ライン２
５ｂの一端と接続されており、この現像液ライン２５ｂ
の他端は第８のバルブ１２ｈを介して現像ノズル２７と
接続されている。前記第８のバルブ１２ｈは第３の現像
液ライン２５ｃの一端と接続されており、この現像液ラ
イン２５ｃの他端は第２の濃度センサ２８を介して混合
槽１９と接続されている。The mixing tank 19 has a first developer line 25.
The other end of the developer line 25a is connected to the heat exchanger 26 via the seventh valve 12g. This heat exchanger 26 is connected to the second developer line 2
5b is connected to one end of the developer line 25b.
Is connected to the developing nozzle 27 via an eighth valve 12h. The eighth valve 12h is connected to one end of a third developer line 25c, and the other end of the developer line 25c is connected to the mixing tank 19 via a second density sensor 28.
【００１９】前記混合槽１９は第９のバルブ１２ｉを介
してドレイン３０と接続されている。上記構成におい
て、Ｎ2 圧送ライン１１によってＮ2 が圧送されること
により、高濃度現像液１５、例えば濃度が４０ｗｔ％の
テトラメチルアンモニウムヒドロオキシド水溶液は第１
の高濃度現像液ライン２０ａに導かれる。この後、前記
高濃度現像液１５は、レギュレ−タ１６、フィルタ１
７、第１のポンプ１８および第４のバルブ１２ｄを通っ
て混合槽１９に供給される。この際、前記混合槽１９に
おける現像液が例えば濃度が２．３８ｗｔ％のテトラメ
チルアンモニウムヒドロオキシド水溶液１５ａとなるよ
うに、前記レギュレ−タ１６により高濃度現像液１５の
流量が調整される。The mixing tank 19 is connected to a drain 30 via a ninth valve 12i. In the above configuration, N 2 is pumped through the N 2 pumping line 11, so that the high-concentration developer 15, for example, an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide having a concentration of 40 wt% is first.
To the high concentration developer line 20a. Thereafter, the high-concentration developer 15 is supplied to the regulator 16 and the filter 1.
7, is supplied to the mixing tank 19 through the first pump 18 and the fourth valve 12d. At this time, the flow rate of the high concentration developer 15 is adjusted by the regulator 16 so that the developer in the mixing tank 19 becomes, for example, an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide 15a having a concentration of 2.38 wt%.
【００２０】次に、図示せぬ純水は、第２のポンプ２３
により第２の純水ライン２４ｂに導かれ、第６のバルブ
１２ｆを介して混合槽１９に供給される。この際、前記
混合槽１９における現像液が例えば濃度が２．３８ｗｔ
％のテトラメチルアンモニウムヒドロオキシド水溶液１
５ａとなるように、前記第２のポンプ２３により前記純
水の流量が調整される。Next, pure water (not shown) is supplied to the second pump 23.
Is supplied to the second pure water line 24b, and is supplied to the mixing tank 19 via the sixth valve 12f. At this time, the concentration of the developer in the mixing tank 19 is, for example, 2.38 wt.
% Tetramethylammonium hydroxide aqueous solution 1
The flow rate of the pure water is adjusted by the second pump 23 so as to be 5a.
【００２１】この後、前記混合槽１９内において、テト
ラメチルアンモニウムヒドロオキシド水溶液１５ａは、
撹拌手段２１により撹拌される。この際、第１の濃度セ
ンサ２２により水溶液１５ａの濃度がリアルタイムでモ
ニタ−される。次に、この水溶液１５ａは、第７のバル
ブ１２ｇを介して前記熱交換器２６に導かれ、この熱交
換器２６により前記水溶液１５ａの温度が調節される。
この後、水溶液１５ａは、第８のバルブ１２ｈを介して
第３の現像液ライン２５ｃに導かれ、再び混合槽１９に
供給される。この際、第２の濃度センサ２８により水溶
液１５ａの濃度がリアルタイムでモニタ−される。Thereafter, in the mixing tank 19, the aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide 15a is
It is stirred by the stirring means 21. At this time, the concentration of the aqueous solution 15a is monitored in real time by the first concentration sensor 22. Next, the aqueous solution 15a is guided to the heat exchanger 26 via the seventh valve 12g, and the temperature of the aqueous solution 15a is adjusted by the heat exchanger 26.
Thereafter, the aqueous solution 15a is guided to the third developer line 25c via the eighth valve 12h, and is again supplied to the mixing tank 19. At this time, the concentration of the aqueous solution 15a is monitored in real time by the second concentration sensor 28.
【００２２】次に、前記第１および第２の濃度センサ２
２、２８により測定された濃度のデ−タを用いて、前記
水溶液１５の濃度は微調整される。すなわち、水溶液１
５の濃度を例えば２．３８±０．００３ｗｔ％とする場
合、この濃度となるように前記第１乃至第３の高濃度現
像液ライン２０ａ〜２０ｃにおける高濃度現像液１５と
前記第１、第２の純水ライン２４ａ、２４ｂにおける純
水とが必要に応じて混合槽１９に供給される。Next, the first and second density sensors 2
The concentration of the aqueous solution 15 is finely adjusted using the data of the concentrations measured in Steps 2 and 28. That is, aqueous solution 1
When the concentration of No. 5 is 2.38 ± 0.003 wt%, for example, the high-concentration developer 15 in the first to third high-concentration developer lines 20a to 20c and the first and the The pure water in the second pure water lines 24a and 24b is supplied to the mixing tank 19 as needed.
【００２３】この後、上述したように濃度が調整された
水溶液１５ａは、第８のバルブ１２ｈを介して現像液ノ
ズル２７に送られ、この現像液ノズル２７から吐出され
る。これにより、図示せぬフォトレジスト膜の上に水溶
液１５ａが塗布される。Thereafter, the aqueous solution 15a whose concentration has been adjusted as described above is sent to the developing solution nozzle 27 via the eighth valve 12h, and is discharged from the developing solution nozzle 27. Thereby, the aqueous solution 15a is applied on the photoresist film (not shown).
【００２４】上記実施例によれば、高濃度現像液１５を
第１のポンプ１８により混合槽１９に供給し、純水を第
２のポンプ２３により混合槽１９に供給している。この
際、前記高濃度現像液１５および純水それぞれの供給量
を調整することにより、現像液の濃度を自由に変えるこ
とができる。このため、二種類以上のフォトレジスト膜
を使用した場合、異なる種類のフォトレジスト膜それぞ
れに対して最適な濃度の現像液を供給することができ
る。この結果、前記フォトレジスト膜の特性、いわゆる
解像性能を最大限に引き出すことができる。これによ
り、ＬＳＩの微細化およびＬＳＩの歩留りそれぞれを向
上させることができる。According to the above embodiment, the high-concentration developer 15 is supplied to the mixing tank 19 by the first pump 18 and the pure water is supplied to the mixing tank 19 by the second pump 23. At this time, the concentration of the developer can be freely changed by adjusting the supply amounts of the high-concentration developer 15 and the pure water. Therefore, when two or more types of photoresist films are used, it is possible to supply a developer having an optimum concentration to each of the different types of photoresist films. As a result, the characteristics of the photoresist film, so-called resolution performance, can be maximized. Thereby, the miniaturization of the LSI and the yield of the LSI can be improved.
【００２５】また、混合槽１９内におけるテトラメチル
アンモニウムヒドロオキシド水溶液１５ａの濃度を第１
の濃度センサ２２により測定し、さらに、第３の現像液
ライン２５ｃにおいて前記水溶液１５ａの濃度を第２の
濃度センサ２８により測定し、これらの測定デ−タを用
いて、前記水溶液１５ａの濃度を微調整している。これ
により、前記水溶液１５ａの濃度が微小に変動すること
を防止できる。この結果、前記濃度の微小変動によっ
て、フォトレジスト膜の感度に影響を及ぼすことにより
レジストパタ−ンの寸法のばらつきが発生することを防
止できる。The concentration of the aqueous solution 15a of tetramethylammonium hydroxide in the mixing tank 19 is adjusted to the first value.
The concentration of the aqueous solution 15a is measured by a second concentration sensor 28 in a third developer line 25c, and the concentration of the aqueous solution 15a is measured using these measurement data. Fine tune. This can prevent the concentration of the aqueous solution 15a from fluctuating minutely. As a result, it is possible to prevent the variation in the size of the resist pattern from occurring due to the influence of the minute change in the concentration on the sensitivity of the photoresist film.
【００２６】また、現像装置に高濃度現像液１５が入れ
られる現像液タンク１３を設け、この現像液タンク１３
から混合槽１９に高濃度現像液１５を供給し、この混合
槽１９において純水と混合して、所定の濃度の現像液を
現像ノズル２７に送っている。このため、従来の現像装
置のように一つの現像液タンクから各現像液供給ライン
部へ現像液を供給する現像液集中供給システムが不要と
なる。したがって、現像液のデリバリ−コストが低減で
きる結果、大幅な現像液のコストダウンが達成できる。Further, the developing device is provided with a developer tank 13 in which the high-concentration developer 15 is stored.
Supplies a high-concentration developer 15 to a mixing tank 19, and mixes the high-concentration developer 15 with pure water in the mixing tank 19 to send a developer having a predetermined concentration to a developing nozzle 27. This eliminates the need for a centralized developer supply system that supplies a developer from one developer tank to each developer supply line as in a conventional developing device. Therefore, as a result of reducing the delivery cost of the developing solution, a significant cost reduction of the developing solution can be achieved.
【００２７】尚、上記実施例では、現像液としてテトラ
メチルアンモニウムヒドロオキシド水溶液１５ａを用い
ているが、現像液としてはアルカリ水溶液であれば種々
変更可能である。In the above embodiment, the aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide 15a is used as the developing solution. However, various changes can be made as long as the developing solution is an aqueous alkaline solution.
【００２８】また、高濃度現像液１５および純水を混合
槽１９に供給した後、この混合槽１９内において前記高
濃度現像液１５および純水を撹拌手段２１により撹拌し
ているが、高濃度現像液１５および純水を混合槽１９に
供給し、この混合槽１９内に界面活性剤等の添加剤を添
加した後、混合槽１９内において前記高濃度現像液１５
および純水を撹拌手段２１により撹拌することも可能で
ある。After the high-concentration developer 15 and pure water are supplied to the mixing tank 19, the high-concentration developer 15 and pure water are stirred in the mixing tank 19 by the stirring means 21. The developer 15 and pure water are supplied to a mixing tank 19, and an additive such as a surfactant is added to the mixing tank 19.
It is also possible to stir the pure water with the stirring means 21.
【００２９】図２は、この発明の第２の実施例による現
像装置における現像液供給ラインを示す構成図であり、
図１と同一部分には同一符号を付す。現像液タンク１３
には高濃度現像液１５が入れられている。この高濃度現
像液１５は第１の高濃度現像液ライン２０ａの一端と接
続されており、この高濃度現像液ライン２０ａの他端は
第１のポンプ１８と接続されている。このポンプ１８は
第２の高濃度現像液ライン２０ｂの一端と接続されてお
り、この高濃度現像液ライン２０ｂの他端は第１のバル
ブ３１ａを介して現像液ライン２５と接続されている。FIG. 2 is a configuration diagram showing a developer supply line in a developing device according to a second embodiment of the present invention.
1 are given the same reference numerals. Developer tank 13
Contains a high concentration developer 15. The high concentration developer 15 is connected to one end of a first high concentration developer line 20 a, and the other end of the high concentration developer line 20 a is connected to a first pump 18. The pump 18 is connected to one end of a second high-concentration developer line 20b, and the other end of the high-concentration developer line 20b is connected to a developer line 25 via a first valve 31a.
【００３０】図示せぬ純水は第１の純水ライン２４ａの
一端と接続されており、この純水ライン２４ａの他端は
第２のポンプ２３と接続されている。このポンプ２３は
第２の純水ライン２４ｂの一端と接続されており、この
純水ライン２４ｂの他端は第２のバルブ３１ｂを介して
現像液ライン２５の一端と接続されている。この現像液
ライン２５の他端は第３のバルブ３１ｃを介して現像液
ノズル２７と接続されている。前記現像液ライン２５は
前記第３のバルブ３１ｃを介してドレイン３０と接続さ
れている。The pure water (not shown) is connected to one end of a first pure water line 24a, and the other end of the pure water line 24a is connected to a second pump 23. The pump 23 is connected to one end of a second pure water line 24b, and the other end of the pure water line 24b is connected to one end of a developer line 25 via a second valve 31b. The other end of the developer line 25 is connected to a developer nozzle 27 via a third valve 31c. The developer line 25 is connected to the drain 30 via the third valve 31c.
【００３１】上記構成において、高濃度現像液１５は、
第１のポンプ１８により第１の高濃度現像液ライン２０
ａに導かれ、第１のバルブ３１ａを介して現像液ライン
２５に供給される。この際、前記現像液ライン２５にお
ける現像液が所定の濃度となるように、前記高濃度現像
液１５の流量が調整される。In the above configuration, the high concentration developer 15 is
A first high-concentration developer line 20 is supplied by a first pump 18.
and supplied to the developer line 25 via the first valve 31a. At this time, the flow rate of the high-concentration developer 15 is adjusted so that the developer in the developer line 25 has a predetermined concentration.
【００３２】この後、図示せぬ純水は、第２のポンプ２
３により第１の純水ライン２４ａに導かれ、第２のバル
ブ３１ｂを介して現像液ライン２５に供給される。この
際、前記現像液ライン２５における現像液が所定の濃度
となるように、前記純水の流量が調整される。Thereafter, pure water (not shown) is supplied to the second pump 2
3, the liquid is led to the first pure water line 24a, and supplied to the developer line 25 via the second valve 31b. At this time, the flow rate of the pure water is adjusted so that the developer in the developer line 25 has a predetermined concentration.
【００３３】次に、前記現像液ライン２５内において、
前記高濃度現像液１５および純水は混合され、所定の濃
度の現像液となる。この後、この現像液は、第３のバル
ブ３１ｃを介して現像ノズル２７に送られ、この現像液
ノズル２７から吐出される。これにより、図示せぬフォ
トレジスト膜の上に現像液が塗布される。Next, in the developer line 25,
The high-concentration developer 15 and pure water are mixed to form a developer having a predetermined concentration. Thereafter, the developing solution is sent to the developing nozzle 27 via the third valve 31c, and is discharged from the developing solution nozzle 27. As a result, the developer is applied on the photoresist film (not shown).
【００３４】尚、第１の高濃度現像液ライン２０ａにお
いて、現像液タンク１３と第１のポンプ１８との間にフ
ィルタおよび熱交換器等を必要に応じて設置しても良
い。上記第２の実施例においても第１の実施例と同様の
効果を得ることができる。In the first high-concentration developer line 20a, a filter and a heat exchanger may be provided between the developer tank 13 and the first pump 18 as necessary. In the second embodiment, the same effects as in the first embodiment can be obtained.
【００３５】尚、上記の実施例では、高濃度現像液１５
を所定の濃度に希釈する希釈溶液として純水を用いてい
るが、純水に限定されることなく、希釈溶液としては水
に可溶性のものであれば良く、例えば有機アミン、アル
コ−ル等を用いることも可能である。In the above embodiment, the high-concentration developer 15
Although pure water is used as a diluting solution for diluting to a predetermined concentration, the diluting solution is not limited to pure water, and any diluting solution may be used as long as it is soluble in water. It is also possible to use.
【００３６】以下、第１の実施例による現像装置を用い
てフォトレジスト膜を現像した第１の応用例について説
明する。現像液タンク１３にはＴＭＡＨ（テトラメチル
アンモニウムヒドロオキシド）が入れられており、この
ＴＭＡＨは混合槽１９に供給される。この混合槽１９内
において、前記ＴＭＡＨは純水と混合される。次に、こ
の混合されたＴＭＡＨ水溶液は、現像ノズル２７から吐
出され、クレゾ−ルボラック樹脂とナフトキノニジアジ
ド系感光剤からなるフォトレジスト膜の上に塗布され
る。これにより、前記フォトレジスト膜は現像される。Hereinafter, a first application example in which a photoresist film is developed using the developing apparatus according to the first embodiment will be described. The developer tank 13 contains TMAH (tetramethylammonium hydroxide), and this TMAH is supplied to the mixing tank 19. In the mixing tank 19, the TMAH is mixed with pure water. Next, the mixed TMAH aqueous solution is discharged from the developing nozzle 27, and is applied onto a photoresist film composed of a cresol volac resin and a naphthoquinonidiazide-based photosensitive agent. Thereby, the photoresist film is developed.
【００３７】上記のような手順により、フォトレジスト
膜は、０．１３〜０．３Ｎの範囲における数種類の濃度
のＴＭＡＨ水溶液により現像される。この後、フォトレ
ジスト膜の残膜の厚さが測定され、この厚さと露光エネ
ルギ−との関係である感度特性曲線からγ値が導出され
る。このγ値は感度特性曲線の傾きであり、この感度特
性曲線はレジストのコントラストの指標とされる。前記
γの最大値が得られるＴＭＡＨ水溶液の濃度は、このＴ
ＭＡＨ水溶液により現像した場合の最適なものである。
この最適な濃度のＴＭＡＨ水溶液により現像すると、良
好なレジストパタ−ンが得られる。According to the above procedure, the photoresist film is developed with an aqueous solution of TMAH having several concentrations in the range of 0.13 to 0.3N. Thereafter, the thickness of the remaining photoresist film is measured, and a γ value is derived from a sensitivity characteristic curve which is a relationship between the thickness and the exposure energy. This γ value is the slope of the sensitivity characteristic curve, and this sensitivity characteristic curve is used as an index of the contrast of the resist. The concentration of the TMAH aqueous solution at which the maximum value of γ is obtained is determined by this T
This is optimal when developed with an MAH aqueous solution.
By developing with the TMAH aqueous solution having the optimum concentration, a good resist pattern can be obtained.
【００３８】以下、第１の実施例による現像装置を用い
てフォトレジスト膜を現像した第２の応用例について説
明する。クレゾ−ルボラック樹脂とナフトキノニジアジ
ド系感光剤からなる第１および第２のフォトレジスト膜
は、パタ−ンの疎密が異なるマスクにより露光される。
具体的には、第１のフォトレジスト膜は露光面積が３％
となるマスクにより露光され、第２のフォトレジスト膜
は露光面積が５０％となるマスクにより露光される。こ
の後、前記第１および第２のフォトレジスト膜は、現像
液の消費量を低減できる静止パドル現像法によって所定
の濃度のＴＭＡＨ水溶液により現像される。次に、前記
第１および第２のフォトレジスト膜それぞれに形成され
たパタ−ンの寸法を測定した。この結果は、露光面積の
小さい第１のフォトレジスト膜のパタ−ンの寸法が、露
光面積の大きい第２のフォトレジスト膜のそれより小さ
かった。すなわち、同一の濃度の現像液により現像して
も、露光面積の大小によりパタ−ンに寸法差が生じると
いうことである。Hereinafter, a second application example in which a photoresist film is developed using the developing device according to the first embodiment will be described. The first and second photoresist films made of a cresol volak resin and a naphthoquinonidiazide-based photosensitizer are exposed by using masks having different patterns.
Specifically, the first photoresist film has an exposure area of 3%
The second photoresist film is exposed by a mask having an exposure area of 50%. Thereafter, the first and second photoresist films are developed with a predetermined concentration of a TMAH aqueous solution by a static paddle developing method capable of reducing the consumption of a developing solution. Next, the dimensions of the patterns formed on each of the first and second photoresist films were measured. As a result, the pattern size of the first photoresist film having a small exposure area was smaller than that of the second photoresist film having a large exposure area. In other words, even if the pattern is developed with the same concentration of the developing solution, the pattern has a dimensional difference depending on the size of the exposed area.
【００３９】上記の寸法差が生じる原因は、露光面積の
大小により現像液の実質的な消費量が異なるため、即ち
露光面積の大きい第２のフォトレジスト膜より露光面積
の小さい第１のフォトレジスト膜の方が実質的な現像液
の消費量が少ないためである。前記の原因を考慮して、
第１のフォトレジスト膜に用いるＴＭＡＨ水溶液の濃度
が第２のフォトレジスト膜に用いるそれより低くなるよ
うに、前記現像装置の現像液濃度を調整して現像すれ
ば、前記パタ−ンの寸法差が生じることを防止できる。The reason for the above dimensional difference is that the substantial consumption of the developer differs depending on the size of the exposure area, that is, the first photoresist having a smaller exposure area than the second photoresist film having a larger exposure area. This is because the film consumes substantially less developer. Considering the above causes,
If development is performed by adjusting the concentration of the developing solution in the developing device such that the concentration of the TMAH aqueous solution used for the first photoresist film is lower than that for the second photoresist film, the dimensional difference of the pattern can be improved. Can be prevented from occurring.
【００４０】以下、第１の実施例による現像装置を用い
てフォトレジスト膜を現像した第３の応用例について説
明する。図３は、従来の現像装置を用いて、以下のよう
に現像されたフォトレジスト膜を示す斜視図である。Ａ
ｌ膜４１の上にはクレゾ−ルボラック樹脂とナフトキノ
ニジアジド系感光剤からなるフォトレジスト膜４２が堆
積される。次に、このフォトレジスト膜４２は、図示せ
ぬ露光面積の大きなマスクにより露光される。この後、
前記フォトレジスト膜４２は、所定の濃度のＴＭＡＨ水
溶液により現像される。Hereinafter, a third application example in which a photoresist film is developed using the developing device according to the first embodiment will be described. FIG. 3 is a perspective view showing a photoresist film developed as follows using a conventional developing device. A
On the film 41, a photoresist film 42 made of a cresol volak resin and a naphthoquinonidiazide-based photosensitizer is deposited. Next, the photoresist film 42 is exposed using a mask (not shown) having a large exposure area. After this,
The photoresist film 42 is developed with a TMAH aqueous solution having a predetermined concentration.
【００４１】上述したように現像されたフォトレジスト
膜４２は、下地膜であるＡｌ膜４１の表面で、すそ引き
４２ａが生じる。この原因は、フォトレジスト膜４２の
上部が現像される現像の初期に比べ、フォトレジスト膜
４２の下部が現像される現像の末期には、ＴＭＡＨ水溶
液の濃度が低くなっているためである。The photoresist film 42 developed as described above has a tail 42a on the surface of the Al film 41 which is a base film. This is because the concentration of the TMAH aqueous solution is lower at the end of the development where the lower part of the photoresist film 42 is developed than at the beginning of the development where the upper part of the photoresist film 42 is developed.
【００４２】図４は、上記の原因を考慮して、第１の実
施例による現像装置を用いて現像されたフォトレジスト
膜を示す斜視図であり、図３と同一部分には同一符号を
付す。図示せぬ露光面積の大きなマスクにより露光され
たフォトレジスト膜４２は、ＴＭＡＨ水溶液により現像
される。この際、現像の初期に比べ、現像の末期でＴＭ
ＡＨ水溶液の濃度が低くならないように、前記現像装置
のＴＭＡＨ水溶液の濃度を調整して現像すれば、すそ切
れの良いレジストパタ−ンを得ることができる。FIG. 4 is a perspective view showing a photoresist film developed by using the developing device according to the first embodiment in consideration of the above-mentioned causes, and the same parts as those in FIG. 3 are denoted by the same reference numerals. . The photoresist film 42 exposed by a mask having a large exposure area (not shown) is developed by a TMAH aqueous solution. At this time, TM is at the end of development compared to the beginning of development.
If the concentration of the TMAH aqueous solution in the developing device is adjusted so as to prevent the concentration of the AH aqueous solution from being lowered, a resist pattern with a sharp edge can be obtained.
【００４３】以下、第１の実施例による現像装置を用い
てフォトレジスト膜を現像した第４の応用例について説
明する。Ａｌ膜の上にはクレゾ−ルボラック樹脂とナフ
トキノニジアジド系感光剤からなるフォトレジスト膜が
堆積される。次に、このフォトレジスト膜は露光されＴ
ＭＡＨ水溶液により現像されると、前記Ａｌ膜の上にお
いてフォトレジスト膜の剥がれが生じた。しかし、シリ
コン酸化膜の上にフォトレジスト膜が堆積され、このフ
ォトレジスト膜が露光されＴＭＡＨ水溶液により現像さ
れても、フォトレジスト膜の剥がれは生じなかった。こ
れは、フォトレジスト膜とＡｌ膜との付着力がフォトレ
ジスト膜とシリコン酸化膜とのそれより弱いためであ
る。これとともに、前記Ａｌ膜がＴＭＡＨ水溶液により
少し溶かされるためである。したがって、シリコン酸化
膜上のフォトレジスト膜を現像するＴＭＡＨ水溶液の濃
度より、Ａｌ膜上のフォトレジスト膜を現像するＴＭＡ
Ｈ水溶液のそれの方が低くるように、前記現像装置の現
像液濃度を調整して現像すれば、フォトレジスト膜の剥
がれを防止することができる。Hereinafter, a fourth application example in which the photoresist film is developed using the developing device according to the first embodiment will be described. On the Al film, a photoresist film composed of a cresol volak resin and a naphthoquinonidiazide-based photosensitizer is deposited. Next, this photoresist film is exposed and T
When developed with the MAH aqueous solution, the photoresist film peeled off on the Al film. However, even when a photoresist film was deposited on the silicon oxide film, and this photoresist film was exposed and developed with a TMAH aqueous solution, the photoresist film did not peel off. This is because the adhesion between the photoresist film and the Al film is weaker than that between the photoresist film and the silicon oxide film. At the same time, the Al film is slightly dissolved by the TMAH aqueous solution. Therefore, the concentration of the TMAH aqueous solution for developing the photoresist film on the silicon oxide film is higher than the concentration of the TMAH aqueous solution for developing the photoresist film on the Al film.
If the concentration of the developing solution in the developing device is adjusted so that the H aqueous solution is lower, the peeling of the photoresist film can be prevented.
【００４４】[0044]
【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
混合槽において高濃度現像液と希釈溶液とが混合された
現像液を調整手段により所定の濃度に調整している。し
たがって、最適な濃度の現像液をフォトレジスト膜に供
給することができるとともに、現像されたレジストパタ
−ンに寸法のばらつきが発生することを防止できる。As described above, according to the present invention,
In the mixing tank, a developing solution in which a high-concentration developing solution and a dilute solution are mixed is adjusted to a predetermined concentration by adjusting means. Therefore, it is possible to supply a developing solution having an optimum concentration to the photoresist film and to prevent the developed resist pattern from having a dimensional variation.
【図１】この発明の第１の実施例による現像装置におけ
る現像液供給ラインを示す構成図。FIG. 1 is a configuration diagram showing a developer supply line in a developing device according to a first embodiment of the present invention.
【図２】この発明の第２の実施例による現像装置におけ
る現像液供給ラインを示す構成図。FIG. 2 is a configuration diagram showing a developer supply line in a developing device according to a second embodiment of the present invention.
【図３】従来の現像方法により従来の現像装置を用いて
現像されたフォトレジスト膜を示す斜視図。FIG. 3 is a perspective view showing a photoresist film developed by a conventional developing method using a conventional developing device.
【図４】この発明の現像方法により第１の実施例による
現像装置を用いて現像されたフォトレジスト膜を示す斜
視図。FIG. 4 is a perspective view showing a photoresist film developed using the developing device according to the first embodiment by the developing method of the present invention.
【図５】従来の現像装置における現像液供給ラインを示
す構成図。FIG. 5 is a configuration diagram showing a developer supply line in a conventional developing device.
11…Ｎ2 圧送ライン、12a …第１のバルブ、12b …第２
のバルブ、12c …第３のバルブ、12d …第４のバルブ、
12e …第５のバルブ、12f …第６のバルブ、12g …第７
のバルブ、12h …第８のバルブ、12i …第９のバルブ、
13…現像液タンク、14a …第１のエア抜きライン、14b
…第２のエア抜きライン、15…高濃度現像液、16…レギ
ュレ−タ、17…フィルタ、18…第１のポンプ、19…混合
槽、20a…第１の高濃度現像液ライン、20b …第２の高
濃度現像液ライン、20c …第３の高濃度現像液ライン、
21…撹拌手段、22…第１の濃度センサ、23…第２のポン
プ、24a …第１の純水ライン、24b …第２の純水ライ
ン、25…現像液ライン、２５ａ…第１の現像液ライン、
２５ｂ …第２の現像液ライン、25c …第３の現像液ラ
イン、26…熱交換器、27…現像ノズル、28…第２の濃度
センサ、30…ドレイン、31a…第１のバルブ、31b …第
２のバルブ、31c …第３のバルブ、41…Ａｌ膜、42…フ
ォトレジスト膜、42a …すそ引き11 ... N 2 pumping lines, 12a ... first valve, 12b ... second
Valve, 12c ... third valve, 12d ... fourth valve,
12e: Fifth valve, 12f: Sixth valve, 12g: Seventh
Valve, 12h ... eighth valve, 12i ... ninth valve,
13: developer tank, 14a: first air vent line, 14b
... second air vent line, 15 ... high concentration developer, 16 ... regulator, 17 ... filter, 18 ... first pump, 19 ... mixing tank, 20a ... first high concentration developer line, 20b ... A second high concentration developer line, 20c ... a third high concentration developer line,
21 agitating means, 22 first concentration sensor, 23 second pump, 24a first pure water line, 24b second pure water line, 25 developer line, 25a first development Liquid line,
25b ... second developer line, 25c ... third developer line, 26 ... heat exchanger, 27 ... developing nozzle, 28 ... second concentration sensor, 30 ... drain, 31a ... first valve, 31b ... Second valve, 31c: third valve, 41: Al film, 42: photoresist film, 42a: tail
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭64−27624（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−81026（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−283332（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−61136（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/30 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of front page (56) References JP-A-64-27624 (JP, A) JP-A-62-81026 (JP, A) JP-A-5-283332 (JP, A) JP-A-6-81026 61136 (JP, A) (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21/027 G03F 7/30
Claims (3)
供給手段と、 前記高濃度現像液を希釈する希釈溶液を前記混合槽に供
給する第２の供給手段と、 前記混合槽において前記高濃度現像液と前記希釈溶液と
が混合された現像液を所定の濃度に調整する調整手段
と、 前記調整手段に含まれ前記混合槽内の前記現像液の濃度
を測定する第１の濃度センサと、 前記混合槽から送出された前記現像液を再び前記混合槽
に供給するラインと、 前記ラインの途中に設けられ、前記現像液の濃度を測定
する第２の濃度センサと、 前記ラインの途中に設けられ、混合槽から送出される濃
度が調整された前記現像液をフォトレジスト膜に吐出す
るノズルとを具備し、 前記第１、第２の供給手段は、前記第１、第２の濃度セ
ンサの測定データを用いて、前記高濃度現像液または前
記希釈溶液を前記混合槽に供給することを特徴とする現
像装置。1. A first supply unit for supplying a high-concentration developer to a mixing tank, a second supply unit for supplying a diluting solution for diluting the high-concentration developer to the mixing tank, Adjusting means for adjusting the concentration of the developer obtained by mixing the high-concentration developer and the dilution solution to a predetermined concentration; and a first concentration included in the adjustment means for measuring the concentration of the developer in the mixing tank. A sensor, a line for supplying the developing solution sent from the mixing tank to the mixing tank again, a second concentration sensor provided in the middle of the line to measure the concentration of the developing solution, A nozzle that is provided on the way and discharges the developing solution whose concentration sent out from the mixing tank is adjusted to a photoresist film, wherein the first and second supply means are provided with the first and second supply units. Using the measurement data of the concentration sensor, Developing device and supplying the concentration developer or the diluting solution into the mixing vessel.
釈する希釈溶液を混合槽に供給し、 前記混合槽内において前記高濃度現像液と前記希釈溶液
とを混合し、 前記混合槽内及び前記混合槽から送出される現像液の濃
度を測定し、 前記測定結果に応じて、前記混合槽内への前記高濃度現
像液及び希釈溶液の供給量を調整することにより前記現
像液の濃度を調整し、 フォトレジスト膜に対して異なる濃度に調整された数種
類の濃度の現像液を供給し、この現像液によりフォトレ
ジスト膜を現像することを特徴とする現像方法。2. A high-concentration developer and a diluting solution for diluting the high-concentration developer are supplied to a mixing tank, and the high-concentration developer and the diluting solution are mixed in the mixing tank. And the concentration of the developer discharged from the mixing tank.
And measuring the high concentration current in the mixing tank according to the measurement result.
By adjusting the supply amounts of the image solution and the diluting solution,
A developing method , comprising: adjusting the concentration of an image liquid; supplying several types of developing solutions adjusted to different concentrations to the photoresist film; and developing the photoresist film with the developing solution .
モニウムヒドロオキシドであることを特徴とする請求項
１または２記載の現像装置及び現像方法。3. The developing device and method according to claim 1, wherein the high-concentration developer is tetramethylammonium hydroxide.
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