JP3353825B2 - 化学増幅ポジ型レジスト、およびそれを用いたパターン形成方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイス製
造におけるリソグラフィー工程に関し、特に波長が２２
０ｎｍ以下の遠紫外光を露光光とするリソグラフィ−に
好適なポジ型レジストおよびパターン形成方法に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスに代表されるハーフミク
ロンオーダーの微細加工を必要とする各種電子デバイス
製造の分野では、デバイスのより一層の高密度、高集積
化の要求が高まっている。そのため、微細パターン形成
のためのフォトリソグラフィー技術に対する要求がます
ます厳しくなっている。

【０００３】特に０．１８μｍ以下の加工技術を必要と
する１Ｇビット以上の集積度を持つＤＲＡＭの製造に
は、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）を用いたフォ
トリソグラフィーの利用が最近考えられている［ドナル
ド Ｃ. ホッファーら、ジャーナル・オブ・フォトポリ
マー・サイエンス・アンド・テクノロジー（Journal of
o Photopolymer Science and Technology)、９巻（３
号）、３８７〜３９７頁（１９９６年）］。

【０００４】このためＡｒＦ光を用いたフォトリソグラ
フィーに対応するレジスト材料の開発が望まれている。
このＡｒＦ露光用レジストの開発に際しては、レーザ発
振の原料であるガスの寿命が短いこと、レーザ装置自体
が高価であるなどなどから、レーザのコストパフォーマ
ンスの向上を満たす必要がある。このため、加工寸法の
微細化に対応する高解像性に加え、高感度化への要求が
高い。

【０００５】レジストの高感度化の方法として、感光剤
である光酸発生剤を利用した化学増幅型レジストがよく
知られている。例えば代表的な例としては、特公平２−
２７６６０号公報には、トリフェニルスルホニウム・ヘ
キサフルオロアーセナートとポリ（ｐ−ｔｅｒｔ−ブロ
キシカルボニルオキシ−α−メチルスチンレン）の組み
合わせからなるレジストが記載されている。このような
化学増幅型レジストは現在ＫｒＦエキシマレーザ用レジ
ストに広く用いられている［例えば、ヒロシイトー、
Ｃ．グラントウイルソン、アメリカン・ケミカル・ソサ
イアテイ・シンポジウム・シリーズ２４２巻、１１〜２
３頁（１９８４年）］。化学増幅型レジストの特徴は、
含有成分である光酸発生剤から光照射により発生したプ
ロトン酸が、露光後の加熱処理によりレジスト樹脂など
と酸触媒反応を起こすことである。このようにして光反
応効率（一光子あたりの反応）が１未満の従来のレジス
トに比べて飛躍的な高感度化を達成している。現在では
開発されるレジストの大半が化学増幅型である。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、ＡｒＦエキシ
マレーザに代表される２２０ｎｍ以下の短波長光を用い
たリソグラフィーの場合、微細パターンを形成するため
のレジストには従来の材料では満足できない新たな特
性、すなわち２２０ｎｍ以下の露光光に対する高透明性
とドライエッチング耐性が必要とされている。

【０００７】従来のｉ線（３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシ
マレーザ（２４８ｎｍ）用のフォトレジスト材料は主に
樹脂成分としてはノボラック樹脂あるいはポリ（ｐ−ビ
ニルフェノール）など構造単位中に芳香環を有する樹脂
が利用されており、この芳香環のドライエッチング耐性
により樹脂のエッチング耐性を維持することができてい
る。しかし、芳香環を有する樹脂は２２０ｎｍ以下の波
長の光に対する光吸収性が極めて強い。そのため、レジ
スト表面で大部分の露光光が吸収され、露光光が基板ま
で透過しないため、微細なレジストパターンの形成がで
きない。このため従来樹脂をそのまま２２０ｎｍ以下の
短波長光を用いたフォトリソグラフィーには適用できな
い。したがって、芳香環を含まずかつエッチング耐性を
有し、２２０ｎｍ以下の波長に対して透明なレジスト材
料が切望されている。

【０００８】ＡｒＦエキシマレーザ光（１９３ｎｍ）に
対し透明性を持ち、なおかつドライエッチング耐性を持
つ高分子化合物として、脂環族高分子であるアダマンチ
ルメタクリレート単位を持つ共重合体［武智ら、ジャー
ナル・オブ・フォトポリマー・サイエンス・アンド・テ
クノロジー（Journal of Photopolymer Science andTec
hnology) 、５巻（３号）、４３９〜４４６頁（１９９
２年）、および９巻（３号）、５０９〜５２２頁（１９
９６年）］やイソボルニルメタクリレート単位を持つ共
重合体［Ｒ．Ｄ．アレン（R.D. Allen) ら、ジャーナル
・オブ・フォトポリマー・サイエンス・アンド・テクノ
ロジー（Journal of Photopolymer Science and Techno
logy) 、８巻（４号）、６２３〜６３６頁（１９９５
年）、および９巻（３号）、４７５〜４８８頁（１９９
６年）］などが提案されている。しかし、前者の樹脂に
おいて用いられている脂環基を有する（メタ）アクリレ
ート誘導体は基板密着性を有する極性基（例えば、カル
ボキシル基、ヒドロキシル基など）を有していない。こ
のため脂環基を有するモノマーの単独重合体では、疎水
性が強く被加工基板（例えば、シリコン基板）との密着
性が悪く、均一な塗布膜を再現性よく形成することは困
難である。さらにドライエッチング耐性を有するアダマ
ンタン含有残基、またはイソボニル含有残基単位中に露
光前後での溶解度差を発現しうる残基を有していないた
め露光によりパターンを形成できない。そのため前者の
樹脂ではｔ−ブチルメタクリレートやメバロニックラク
トンメタクリレートなどの溶解度差を発揮し得るコモノ
マーやメタクリル酸のような基板密着性を持つコモノマ
ーとの共重合化体とすることにより初めてレジストの樹
脂成分として利用できる。しかし、コモノマー含有率は
約５０モル％必要であり、コモノマー単位のドライエッ
チング耐性が著しく低いため、脂環基によるドライエッ
チング耐性効果が著しく低下し、耐ドライエッチング性
樹脂としての実用性に乏しい。

【０００９】このため、２２０ｎｍ以下の光に対する光
透明性が高く、エッチング耐性が高く、かつ基板密着性
の向上した新しいレジスト用樹脂材料が切望されてい
る。

【００１０】

【課題を解決するための手段】発明者は上記の目的を達
成するため鋭意研究を行った結果、本発明を完成した。

【００１１】すなわち本発明は一般式（１）で表される
単位を有する重合体と露光により酸を発生する光酸発生
剤を少なくとも含有する化学増幅ポジ型レジストに関す
る。

【００１２】

【化３】 （上式において、Ｒ¹は水素原子、またはメチル基、Ｇ
は１，２−ジオール構造を持つ脂環族炭化水素基を表
す。） また、本発明は、上記レジストを被加工基板上に塗布す
る工程、露光を行う工程、ベークを行う工程、および現
像を行う工程を少なくとも含有することを特徴とするパ
ターン形成方法に関する。

【００１３】

【発明の実施の形態】一般式（１）において、Ｒ¹は水
素原子あるいはメチル基である。またＧは１，２−ジオ
ール構造を有する脂環族炭化水素基であり、具体的には
表１に示すような、２，３−ジヒドロキシノルボルニル
基、２，３−ジヒドロキシノルボルニルメチル基、２，
３−ジヒドロキシ−５−メチル−５−ノルボルニルメチ
ル基、３，４−ジヒドロキシトリシクロ［５．２．１．
０^2,6］デシル基、３，４−ジヒドロキシ−ジメチルト
リシクロ［５．２．１．０^2.6］デシル基、３，４−ジ
ヒドロキシ−トリシクロ［５．２．１．０^2,6］デシル
オキシエチル基、３，４−ジヒドロキシ−ジメチルトリ
シクロ［５．２．１．０^2,6］デシルオキシエチル基、
３，４−ジヒドロキシテトラシクロ［４．４．０．１
^2,5１．^7,10］ドデシルメチル基、３，４−ジヒドロキ
シ−８−メチル−８−テトラシクロ［４．４．０．１
^2,5．１^7,10]ドデシルメチル基などが挙げられるがこれ
らだけに限定されるものではない。

【００１４】

【表１】 また、一般式（１）で示される単位を有する重合体とし
ては、具体的には一般式（２）で示される重合体が挙げ
られる。

【００１５】

【化４】 一般式（２）において、Ｒ¹は水素原子またはメチル
基、Ｇは１，２−ジオール構造を有する脂環族炭化水素
基、（具体的には、表１に示される脂環族炭化水素基が
挙げられるがそれらだけに限定されるものではな
い。）、Ｒ²，Ｒ⁴は水素原子またはメチル基、Ｒ³は酸
により分解する基または酸により分解する基を有する炭
素数７〜１３の有橋環式炭化水素基（酸により分解する
基の具体的な例は、ｔ−ブチル基、テトラヒドロピラン
−２−イル基、テトラヒドロフラン−２−イル基、４−
メトキシテトラヒドロピラン−４−イル基、１−エトキ
シエチル基、１−ブトキシエチル基、１−プロポキシエ
チル基、３−オキソシクロヘキシル基、２−メチル−２
−アダマンチル基、２−エチル−２−アダマンチル基、
８−メチル−８−トリシクロ［５．２．１．０^2,6］デ
シル基、あるいは１，２，７，７−テトラメチル−２−
ノルボルニル基、２−アセトキシメンチル基、２−ヒド
ロキシメンチル基、１−メチル−１−シクロヘキシルエ
チル基などが挙げられるがこれらだけに限定されるもの
ではない。また酸により分解する基を有する炭素数７〜
１３の有橋環式炭化水素基の具体的な例は、表２に示す
ようなエステル基を有するトリシクロ［５．２．１．０
^2,6］デシルメチル基、トリシクロ［５．２．１．
０^2,6］デシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、
メチルノルボルニル基、イソボルニル基、テトラシクロ
［４．４．０．１^2,5．１^7,10］ドデシル基、メチルテ
トラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］ドデシル基
などが挙げられるが、これらだけに限定されるものでは
ない（ただし表２中のＲ⁶は酸により分解する基であ
り、具体的な例は、ｔ−ブチル基、テトラヒドロピラン
−２−イル基、テトラヒドロフラン−２−イル基、４−
メトキシテトラヒドロピラン−４−イル基、１−エトキ
シエチル基、１−ブトキシエチル基、１−プロポキシエ
チル基、３−オキソシクロヘキシル基、２−メチル−２
−アダマンチル基、２−エチル−２−アダマンチル基、
８−メチル−８−トリシクロ［５．２．１．０^2,6］デ
シル基、あるいは１，２，７，７−テトラメチル−２−
ノルボルニル基、２−アセトキシメンチル基、２−ヒド
ロキシメンチル基、１−メチル−１−シクロヘキシルエ
チル基などが挙げられるがこれらだけに限定されるもの
ではない。）、Ｒ⁵は水素原子または炭素数１〜１２の
炭化水素基、ラクトン構造を有する基であり、具体的に
は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピ
ル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、シ
クロヘキシル基、ジメチルシクロヘキシル基、トリシク
ロ［５．２．１．０^2,6］デシル基、アダマンチル基、
ノルボニル基、イソボルニル基、テトラシクロ［４．
４．０．１^2,5．１^7,10］ドデシル基、γ−ブチロラク
トン−α−イル基、６−ヒドロキシノルボルナン−２−
カルボキシリック−６−ラクトン−２−イル基などが挙
げられるが、これらだけに限定されるものではない。ま
た、ｘ，ｙ，ｚはそれぞれｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０＜ｘ＜
１，０＜ｙ＜１，０≦ｚ＜１を満たす任意の数である。
また重合体の重量平均分子量は２０００〜２０００００
であり、好ましくは３０００〜１０００００である。

【００１６】

【表２】 また本発明に用いる光酸発生剤は、４００ｎｍ以下、好
ましくは１８０ｎｍ〜２２０ｎｍの範囲の光照射により
酸を発生する光酸発生剤であることが望ましく、なおか
つ先に示した本発明における高分子化合物などとの混合
物が有機溶媒に充分に溶解し、かつその溶液がスピンコ
ートなどの製膜法で均一な塗布膜が形成可能なものであ
れば、いかなる光酸発生剤でもよい。また、単独でも、
２種以上を混合して用いてもよい。使用可能な光酸発生
剤の例としては、例えば、ジャーナル・オブ・ジ・オー
ガニック・ケミストリー（Journal of the Organic Che
mistry) ４３巻、１５号、３０５５〜３０５８頁（１９
７８年）に記載されているＪ．Ｖ．クリベロ（J.V.Criv
ello) らのトリフェニルスルホニウム塩誘導体、および
それに代表される他のオニウム塩（例えば、スルホニウ
ム塩、ヨードニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム
塩、アンモニウム塩などの化合物）や、２，６−ジニト
ロベンジルエステル類［Ｏ．ナラマス（O.Nalamasu)
ら、ＳＰＩＥプロシーディング、１２６２巻、３２頁
（１９９０年）］、１，２，３−トリ（メタンスルホニ
ルオキシ）ベンゼン［タクミ ウエノら、プロシーデイ
ング・オブ・ＰＭＥ’８９、講談社、４１３〜４２４頁
（１９９０年）］、特開平５−１３４４１６号公報で開
示されたスルホサクシンイミドなどがある。

【００１７】光酸発生剤の含有率は、それ自身を含む全
構成成分１００重量部に対して通常０．２〜３０重量
部、好ましくは１〜１５重量部である。この含有率が
０．２重量部以上で充分な感度が得られ、パターンの形
成が容易となる。また３０重量部以下であると、均一な
塗布膜の形成が容易になり、さらに現像後には残渣（ス
カム）が発生しにくくなる。

【００１８】本発明のポジ型レジストは、使用に際して
全構成成分の濃度が５〜４０重量％となるように溶剤に
溶解した後、フィルターで濾過することにより調製され
る。用いる溶剤として好ましいものは、樹脂と光酸発生
剤からなる成分が充分に溶解し、かつその溶液がスピン
コート法などの方法で均一な塗布膜が形成可能な有機溶
媒であればいかなる溶媒でもよい。また、単独でも２種
類以上を混合して用いてもよい。具体的には、ｎ−プロ
ピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチル
アルコール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、メチルセロ
ソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、プロ
ピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸
メチル、乳酸エチル、酢酸２−メトキシブチル、酢酸２
−エトキシエチル、ピルピン酸メチル、ピルピン酸エチ
ル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプ
ロピオン酸エチル、Ｎ−メチオル−２−ピロリジノン、
シクロヘキサノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノ
ール、メチルエチルケトン、１，４−ジオキサン、エチ
レングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコー
ルモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコール
モノエチルエーテル、エチレングリコールモノイソプロ
ピルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールジメチルエーテルなどが挙げ
られるが、もちろんこれらだけに限定されるものではな
い。

【００１９】また、本発明のポジ型レジストの「基本的
な」構成成分は、上記の樹脂と光酸発生剤、溶剤である
が、必要に応じて界面活性剤、色素、安定剤、塗布性改
良剤、染料などの他の成分を添加しても構わない。

【００２０】

【実施例】次に、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれらの例によって何ら制限される
ものではない。

【００２１】合成例１ 下記構造の重合体（一般式（２）において、Ｇが３，４
−ジヒドロキシトリシクロ［５．２．１．０^2,6］デシ
ル基、Ｒ¹，Ｒ²が水素原子、Ｒ³がｔ−ブトキシカルボ
ニルテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］ドデ
シル基、ｘ＝０．６５、ｙ＝０．３５、ｚ＝０）

【００２２】

【化５】 還流管を付けた１００ｍｌナス型フラスコ中、３，４−
ジヒドロキシ−トリシクロデシルアクリレート４ｇとｔ
−ブトキシカルボニルテトラシクロドデシルアクリレー
ト３ｇを乾燥テトラヒドロフラン３８ｍｌに溶解し、そ
こにＡＩＢＮ１８９ｍｇ（３０ｍｍｏｌ・１^-1）を加
え、アルゴン雰囲気下、６０〜６５℃で攪拌する。２時
間後放冷し、反応混合物をリグロイン／エーテル（１／
１）４００ｍｌに注ぎ、析出した沈澱を濾別する。さら
にもう一度再沈精製を行うことにより目的物を３．３６
ｇ得た（収率４８％）。また、このときの共重合比は ¹
Ｈ−ＮＭＲの積分比から６５：３５であった（ｘ＝０．
６５、ｙ＝０．３５）。またＧＰＣ分析により重量平均
分子量（Ｍｗ）は１５７００（ポリスチレン換算）、分
散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．８６であった。

【００２３】合成例２−６ 一般式（２）において、Ｇ，Ｒ¹〜Ｒ⁵が表３に示す構造
の重合体を、合成例１と同様にして合成した。

【００２４】

【表３】 実施例１ 重合体のエッチング耐性の評価 合成例１で得た樹脂２ｇを乳酸エチル１０ｇに溶解し、
次いで０．２μｍのテフロンフィルターを用いて濾過し
た。次に３インチシリコン基板上にスピンコート塗布
し、９０℃、６０秒間ホットプレート上でベーキングを
行い、膜厚０．７μｍの薄膜を形成した。得られた膜を
日電アネルバ製ＤＥＭ４５１リアクティブイオンエッチ
ング（ＲＩＥ）装置を用いてＣＦ₄ガスに対するエッチ
ング速度を測定した（エッチング条件：Ｐｏｗｅｒ＝１
００Ｗ、圧力＝５Ｐａ、ガス流量＝３０ｓｃｃｍ）。そ
の結果を表４に示す。同様にして、合成例４と合成例６
で得た樹脂についてもエッチング速度を測定した。比較
例としてノボラックレジスト（住友化学社製ＰＦＩ−１
５Ａ）、ＫｒＦレジストのベース樹脂として使用されて
いるポリ（ｐ−ビニルフェノール）、および分子構造に
有橋環式炭化水素基を持たない樹脂であるポリ（メチル
メタクリレート）塗布膜の結果も示す。なおエッチング
速度はノボラックレジストに対して規格化した。

【００２５】

【表４】 上記の結果から、本発明で用いた樹脂はＣＦ₄ガスに対
するエッチング速度が有橋環式炭化水素基を持たないポ
リ（メチルメタクリレート）より遅く、またＫｒＦレジ
ストのベース樹脂であるポリ（ｐ−ビニルフェノール）
と同等のエッチング速度を有しており、ドライエッチン
グ耐性に優れていることが示された。

【００２６】実施例２ 重合体の透明性の評価 合成例１で得た樹脂２．５ｇを乳酸エチル１０ｇに溶解
し、次いで０．２μｍのテフロンフィルターを用い濾過
した。次に３インチ石英基板上にスピンコート塗布し、
９０℃、６０秒間ホットプレート上でベーキングを行
い、膜厚１μｍの薄膜を形成した。この薄膜について、
紫外可視分光光度計を用いてＡｒＦエキシマレーザ光の
中心波長である１９３．４ｎｍにおける透過率を測定し
た。同様にして、合成例４と合成例６で得た樹脂につい
ても測定した。

【００２７】その結果、透過率は合成例１で得た重合体
が５４％／μｍ、合成例４の重合体が５７％／μｍ、合
成例６の重合体が６０％／μｍであった。この結果か
ら、本発明の重合体は、単層レジストとして利用可能な
透明性を示すことを確認できた。

【００２８】実施例３ 重合体を用いたレジストのパターニング評価 下記の組成からなるレジストを調製した。

【００２９】（ａ）重合体（合成例１）：２ｇ （ｂ）光酸発生剤（トリフェニルスルホニウムトリフレ
ート（ＴＰＳ））：０．０２ｇ （ｃ）プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ート：１１．５ｇ 上記混合物を０．２μｍのテフロンフィルターを用いて
濾過し、レジストを調製した。４インチシリコン基板上
に上記レジストをスピンコート塗布し、１２０℃１分間
ホットプレート上でベークし、膜厚０．４５μｍの薄膜
を形成した。そして窒素で充分パージされた密着型露光
実験機中に成膜したウェハーを静置した。石英板上にク
ロムでパターンを描いたマスクをレジスト膜上に密着さ
せ、そのマスクを通してＡｒＦエキシマレーザ光を照射
した。その後すぐさま９５℃、６０秒間ホットプレート
上でベークし、液温２３℃の２．３８％ＴＭＡＨ水溶液
で６０秒間浸漬法による現像を行い、続けて６０秒間純
水でリンス処理をそれぞれ行った。この結果、レジスト
膜の露光部分のみが現像液に溶解除去され、ポジ型のパ
ターンが得られた。同様にして合成例４と合成例６で得
た重合体を用いたレジストについても評価した。表５に
感度、および解像度の結果を示す。

【００３０】

【表５】 以上の結果から、本発明のポジ型レジストは優れた解像
特性を有することがわかった。またパターン剥れなどの
現象がなかったことから、基板密着性にも優れているこ
とが確認できた。

【００３１】

【発明の効果】以上に説明したことから明らかなよう
に、本発明のポジ型レジストはドライエッチング耐性、
透明性に優れ、さらに本発明のポジ型レジストは解像
度、基板密着性に優れており、半導体素子製造に必要な
微細パターン形成が可能である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平10−83076（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−252324（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−72738（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−292822（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G03F 7/00 - 7/42

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式（１）で示される単位を有する重
   合体、および露光により酸を発生する光酸発生剤を少な
   くとも含有することを特徴とする化学増幅ポジ型レジス
   ト。 【化１】 （上式において、Ｒ¹は水素原子またはメチル基、Ｇは
   １，２−ジオール構造を有する脂環族炭化水素基を表わ
   す。）
2. 【請求項２】 一般式（１）におけるＧが２，３−ジヒ
   ドロキシ−ノルボルニル基、または２，３−ジヒドロキ
   シ−ノルボルニルメチル基、２，３−ジヒドロキシ−５
   −メチル−５−ノルボルニルメチル基、３，４−ジヒド
   ロキシ−トリシクロ［５．２．１．０^2,6］デシル基、
   ３，４−ジヒドロキシ−ジメチルトリシクロ［５．２．
   １．０^2.6］デシル基、３，４−ジヒドロキシ−トリシ
   クロ［５．２．１．０^2,6］デシルオキシエチル基、
   ３，４−ジヒドロキシ−ジメチルトリシクロ［５．２．
   １．０^2,6］デシルオキシエチル基、３，４−ジヒドロ
   キシテトラシクロ［４．４．０．１^2,5１．^7,10］ドデ
   シルメチル基、３，４−ジヒドロキシ−８−メチル−８
   −テトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］ドデシ
   ルメチル基のうち少なくとも１種である請求項１記載の
   ポジ型レジスト。
3. 【請求項３】 重合体が一般式（２）である、請求項１
   記載のポジ型レジスト。 【化２】 （上式において、Ｒ¹は水素原子またはメチル基、Ｇは
   １，２−ジオール構造を有する脂環族炭化水素基、
   Ｒ²，Ｒ⁴は水素原子またはメチル基、Ｒ³は酸により分
   解する基または酸により分解する基を有する炭素数７〜
   １３の有橋環式炭化水素基、Ｒ⁵は水素原子または炭素
   数１〜１２の炭化水素基、ラクトン構造を有する基を表
   す。またｘ，ｙ，ｚはそれぞれｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０＜ｘ
   ＜１、０＜ｙ＜１、０≦ｚ＜１を満たす任意の数であ
   る。また重合体の重量平均分子量は２０００〜２０００
   ００）
4. 【請求項４】 一般式（２）におけるＧが２，３−ジヒ
   ドロキシ−ノルボルニル基、または２，３−ジヒドロキ
   シ−ノルボルニルメチル基、２，３−ジヒドロキシ−５
   −メチル−５−ノルボルニルメチル基、３，４−ジヒド
   ロキシ−トリシクロ［５．２．１．０^2,6］デシル基、
   ３，４−ジヒドロキシ−ジメチルトリシクロ［５．２．
   １．０^2,6］デシル基、３，４−ジヒドロキシ−トリシ
   クロ［５．２．１．０^2,6］デシルオキシエチル基、
   ３，４−ジヒドロキシ−ジメチルトリシクロ［５．２．
   １．０^2,6］デシルオキシエチル基、３，４−ジヒドロ
   キシテトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］ドデ
   シルメチル基、３，４−ジヒドロキシ−８−メチル−８
   −テトラシクロ［４．４．０．１^2,5．１^7,10］ドデシ
   ルメチル基のうち少なくとも１種である請求項３記載の
   ポジ型レジスト。
5. 【請求項５】 請求項１ないし４に記載のポジ型レジス
   トを被加工基板上に塗布する工程、１８０〜２２０ｎｍ
   の波長の光で露光する工程、ベークを行う工程、および
   現像を行う工程を少なくとも含有することを特徴とする
   パターン形成方法。
6. 【請求項６】 露光光がＡｒＦエキシマレーザ光である
   請求項５記載のパターン形成方法。