JP3354191B2 - レーザ成膜装置及びレーザ成膜方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明はたとえば半導体ウエハ
にレ−ザＣＶＤ法によって金属配線を成膜するためのレ
−ザ成膜装置及びレーザ成膜方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】レ−ザＣＶＤ法による配線技術において
は、金属カルボニルをＡｒ⁺ レ−ザで局所的に熱分解す
る直描方式が一般によく用いられている。この方法は高
い膜質が得られ、ソ−スガスの安定性も高く、レ−ザ光
を導入するウインドの汚れも少ないという利点を有す
る。

【０００３】レ−ザＣＶＤの成膜結果は、ソ−スガスの
供給方法の影響を顕著に受ける。ソ−スガスの供給方法
には、真空雰囲気で成膜を行う減圧法と、大気圧環境下
での成膜が可能なキャリアガス法の２種類がある。上記
減圧法はリ−クタイトな真空容器が必要であるため、装
置コストの増大や真空排気時間によるスル−プットの低
下といった問題を有する。上記キャリアガス法は真空雰
囲気を必要としないため、作業性がよく、実用性が高
い。とくに、近年、レ−ザＣＶＤの適用対象である電子
デバイスは基板の大型化が進み、スル−プットと作業性
の点からキャリアガス法が広く用いられるようになって
きている。

【０００４】電子デバイスの配線を良好に接続するには
２つの条件が必要である。第１に、高い質の膜を形成
し、膜の電気抵抗を低くすること、第２にレ−ザ光の反
射率が高く、熱伝導度も高いため、成膜が困難なアルミ
ニウム上で良好に成膜を行い、コンタクト抵抗を低くす
ることであり、上記キャリアガス法ではガスの種類によ
る膜質や成膜性の差異が顕著である。

【０００５】還元作用を有する水素（Ｈ₂ ）をキャリア
ガスとして用いた場合、不純物（Ｃ、Ｏなど）のコンタ
ミネ−ションは抑制され、高い膜質が得られる。しか
し、同時に核形成も抑制されるため、成膜に必要なレ−
ザ出力を高くしなければならず、アルミニウムの配線が
熱的損傷を受けやすくなる。しかも、成膜性の低下によ
る、コンタクト抵抗の増加を招き、良好な接続の阻害要
因となる。

【０００６】水素キャリアの他の問題は、有機金属を劣
化させ、ソ−スガスを安定した品質で供給することがで
きないことである。水素キャリアで成膜を行っていく
と、有機金属が水素の還元作用を受けるため、成膜条件
を同一に設定しているにも係わらず、徐々に成膜が困難
となり、やがて膜が全く形成されなくなるという現象が
発生する。そのため、得られる膜質は高いものの、水素
は有機金属のキャリアガスとしては不適当である。

【０００７】Ａｒ、Ｈｅ、Ｎ₂ などの不活性ガスをキャ
リアガスに用いる場合、水素を用いた場合のような有機
金属の劣化を招くことはなく、長期間安定にソ−スガス
を供給することができ、またアルミニウム上への成膜は
核形成が容易になるため、良好に行うことが可能とな
る。しかし、成膜時に発生する分解生成物が不純物とし
て膜中に混入するため、膜質は低い。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】このように、従来の単
一のキャリアガスを用いる方法では、高い膜質と、良好
な成膜性を両立させることが困難であり、デバイス配線
を金属膜で低抵抗に接続することができなかった。

【０００９】この発明は上記事情を考慮してなされたも
のであり、その目的とするところは、作業性の高い大気
圧下でレーザ光によって高い膜質の成膜を形成できるよ
うにしたレーザ成膜装置及びレーザ成膜方法を提供する
ことにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、成膜
対象物を配置するためのテーブルと、透光性の窓部材を
一部に備え、前記テーブルに離間対向して配置されるカ
バー体と、このカバー体と前記テーブルとの間の空間に
第１のガスを供給するための第１の管路と、前記カバー
体と前記テーブルとの間であって、前記第１のガスが供
給される空間よりも外側の空間に第２のガスを供給する
ための第２の管路と、前記成膜対象物に対して、前記窓
部材を透過させてレーザ光を照射するためのレーザ照射
手段とを備えることを特徴とするレーザ成膜装置にあ
る。請求項２の発明は、前記テーブルは、ＸＹテーブル
であることを特徴とする請求項１記載のレーザ成膜装置
にある。請求項３の発明は、前記カバー体は、円盤状の
基部と、この基部の周辺部に前記テーブル側を向いて突
設された環状壁とを備えることを特徴とする請求項１記
載のレーザ成膜装置にある。請求項４の発明は、前記カ
バー体は、円盤状の基部と、この基部の下面側となる一
側面中央部に突設された第１の環状壁と、この第１の環
状壁の外側で、前記基部の周辺部に突設された第２の環
状壁とを備えることを特徴とする請求項１記載のレーザ
成膜装置。請求項５の発明は、前記第１の環状壁よりも
前記第２の環状壁の方が高さ寸法が大きく形成されてい
ることを特徴とする請求項４記載のレーザ成膜装置にあ
る。請求項６の発明は、前記第１の管路の少なくとも一
部は、前記空間に連通するノズル孔であることを特徴と
する請求項１記載のレーザ成膜装置にある。請求項７の
発明は、前記ノズル孔は、周方向に所定間隔で複数形成
されている ことを特徴とする請求項６記載のレーザ成膜
装置にある。請求項８の発明は、前記第２の管路の少な
くとも一部は、前記空間に連通するノズル孔であること
を特徴とする請求項１記載のレーザ成膜装置にある。請
求項９の発明は、前記ノズル孔は、周方向に所定間隔で
複数形成されていることを特徴とする請求項８記載のレ
ーザ成膜装置にある。請求項１０の発明は、透光性の窓
部材を一部に備えるカバー体を成膜対象物に離間対向し
て配置した状態で、このカバー体と前記成膜対象物との
間の空間部に原料ガスを供給すると同時に、前記カバー
体と前記成膜対象物との間であって、前記原料ガスが供
給される空間よりも外側の空間に第２のガスを供給しつ
つ、前記窓部材越しに前記レーザ光を前記成膜対象物に
照射して成膜を行うことを特徴とするレーザ成膜方法に
ある。請求項１１の発明は、前記成膜対象物は、電子デ
バイスであることを特徴とする請求項１０記載のレーザ
成膜方法にある。請求項１２の発明は、前記原料ガス
は、有機金属を含んでいることを特徴とする請求項１０
記載のレーザ成膜方法にある。請求項１３の発明は、前
記原料ガスは、カルボニルを含んでいることを特徴とす
る請求項１０記載のレーザ成膜方法にある。請求項１４
の発明は、前記レーザ光は、可視光であることを特徴と
する請求項１０記載のレーザ成膜方法にある。請求項１
５の発明は、前記レーザ光は、アルゴンイオンレーザで
あることを特徴とする請求項１０記載のレーザ成膜方法
にある。請求項１６の発明は、上記成膜により、アルミ
ニウム配線を接続することを特徴とする請求項１０記載
のレーザ成膜方法にある。

【００１１】

【００１２】

【００１３】

【作用】第２のガスを供給しながらの成膜時には第２の
ガスの流れによって外気が成膜部位へ流入するのが抑制
される。

【００１４】

【実施例】以下、この発明の実施例を図面を参照して説
明する。

【００１５】図１乃至図３はこの発明の第１の実施例を
示し、図１に示すレ−ザ成膜装置はアルゴンイオンレ−
ザなどの可視レ−ザ光Ｌを出力するレ−ザ発振器１１を
備えている。このレ−ザ発振器１１から出力されたレ−
ザ光Ｌはミラ−１２で反射し対物レンズ１３で集束され
て反応容器１４の内部へその上面に形成された窓１５か
ら入射する。この反応容器１４の内部にはＸＹテ−ブル
１６が設けられ、このＸＹテ−ブル１６上には成膜対象
物としての半導体ウエハなどの電子デバイス１７が配置
されている。それによって、上記対物レンズ１３で集束
されたレ−ザ光Ｌが上記電子デバイス１７の上面を照射
するようになっている。

【００１６】上記ＸＹテ−ブル１６は駆動部１８によっ
てＸＹ方向に駆動され、それによって上記レ−ザ光Ｌを
上記電子デバイス１７上で走査させることができるよう
になっている。上記駆動部１８は制御装置１９からの駆
動信号によって駆動制御されるようになっている。

【００１７】上記反応容器１４には、先端を上記電子デ
バイス１７の上記可視レ−ザ光Ｌによって照射される部
位（成膜部位）に対向させた第１の供給管路２１の一端
部が接続されている。この第１の供給管路２１の中途部
にはリザ−バ２２と、第１のマスフロ−コントロ−ラ２
３とが順次接続され、他端はたとえば窒素（Ｎ₂ ）など
の図示しない不活性ガスの供給源に連通している。上記
リザ−バ２２には金属カルボニルなどの有機金属２４が
収容され、その有機金属２４はヒ−タ２５によって加熱
されるようになっている。上記第１のマスフロ−コント
ロ−ラ２３を通過した一定量の不活性ガスは上記リサ−
バ２２で有機金属２４の蒸気と混合して原料ガス（ソ−
スガス）となり、上記反応容器１４に流入するようにな
っている。

【００１８】上記第１の供給管路２１の上記リザ−バ２
２よりも下流側の箇所には第２の供給管路２６の一端が
接続されている。この第２の供給管路２６の中途部には
制御弁２７と第２のマスフロ−コントロ−ラ２８とが順
次設けられ、また他端は図示しない還元性ガスとしての
水素（Ｈ₂ ）の供給源に連通している。上記制御弁２７
が開放されることで、上記第１の供給管路２１を流れる
原料ガスに水素を混入させることができ、その量は上記
第２のマスフロ−コントロ−ラ２８によって制御できる
ようになっている。

【００１９】上記第１のマスフロ−コントロ−ラ２３と
上記第２のマスフロ−コントロ−ラ２８とは上記制御装
置１９からの制御信号によって制御される。それによっ
て、不活性ガスの流量と、水素の流量とがそれぞれ設定
される。同じく上記制御弁２７は上記制御装置１９から
の制御信号によって開閉制御される。それによって、上
記第１の供給管路２１を流れる原料ガスに水素を適時に
混入することができる。

【００２０】この実施例において、原料ガスに水素を混
入する上記制御弁２７の開閉時期はつぎのように設定さ
れる。つまり、図２（ａ）、（ｂ）は上記電子デバイス
１７の斜視図と断面図を示す。同図中１７ａはＳｉＯ₂
からなる基板で、この基板１７ａには第１のアルミニウ
ム配線１７ｂと第２のアルミニウム配線１７ｃとが不連
続に形成されている。

【００２１】上記第１、第２のアルミニウム配線１７
ｂ、１７ｃを図２（ａ）に示す金属膜２０を成膜して接
続する場合には、第１のアルミニウム配線１７ｂ上の位
置Ａ（成膜の開始位置）、第１のアルミニウム配線１７
ｂと基板１７ａとの境界の位置Ｂ、第２のアルミニウム
配線１７ｃと基板１７ａとの境界の位置Ｃおよび第２の
アルミニウム配線１７ｃ上の位置Ｄ（成膜終了の位置）
をそれぞれ位置デ−タとして上記制御装置１９に予め入
力しておく。そして、可視レ−ザ光Ｌを同図（ａ）に矢
印Ｘで示す方向に走査させるとすると、上記制御弁２７
は、上記制御装置１９によって位置Ａから位置Ｂの間で
は閉じられ、位置Ｂから位置Ｃでは開かれ、さらに位置
Ｃから位置Ｄの間では閉じられるよう、開閉制御される
ようになっている。

【００２２】つぎに、上記構成の成膜装置を用いて電子
デバイス１７の第１、第２のアルミニウム配線１７ｂ、
１７ｃ間に成膜する手順を説明する。まず、レ−ザ光Ｌ
の照射位置が電子デバイス１７上における位置Ａになる
よう、位置決めしたならば、上記レ−ザ光Ｌが図２
（ａ）に矢印Ｘで示す方向に走査するよう、ＸＹテ−ブ
ル１６を駆動する。レ−ザ光Ｌが電子デバイス１７上の
位置Ａから位置Ｂの間では、上記制御弁２７は閉じられ
ている。したがって、反応容器１４内には原料ガスだけ
が供給され、水素が供給されることがない。つまり、第
１のアルミニウム配線１７ｂに成膜するときには、還元
作用を有する水素が供給されず、成膜の核形成が抑制さ
れることがないから、レ−ザ光によって過剰に入熱する
ことなく、上記第１のアルミニウム配線１７ｂ上に金属
膜２０を成膜することができる。それによって、第１の
アルミニウム配線１７ｂに熱的損傷を与えることがな
く、抵抗の増大を招くこともない。

【００２３】レ−ザ光Ｌの照射位置が図２における位置
Ｂから位置Ｃの間、つまり電子デバイス１７の基板１７
ａ上に成膜するときには、制御装置１９からの制御信号
によって上記制御弁２７が開放される。制御弁２７が開
放されれば、第１の供給管路２１を流れる有機金属ガス
に水素が所定の割合で混入される。水素は還元作用を有
する。そのため、炭素や酸素などによるコンタミネ−シ
ョンが抑制されるから、金属膜２０を高い膜質で成膜す
ることができる。しかも、水素によって核形成が抑制さ
れても、基板１７ａの部分はレ−ザ光Ｌを吸収し易いた
め、成膜性の低下を招くことがないから、コンタクト抵
抗の増大を招くこともない。

【００２４】ついで、レ−ザ光Ｌが位置Ｃから位置Ｄの
間、つまり第２のアルミニウム配線１７ｃを照射すると
きには、上記制御弁２７は閉じられる。それによって、
反応容器１４に供給される原料ガスに水素が混入するの
が阻止されるから、第１のアルミニウム配線１７ｂに成
膜する場合と同様、レ−ザ出力を必要以上に高くしなく
とも、良好に成膜することができる。

【００２５】また、水素を供給する第２の供給管路２６
を、リザ−バ２３の下流側に接続することで、原料ガス
に水素を適時に混入させるようにしたから、水素がリザ
−バ２３内を流れることがない。そのため、リザ−バ２
３内の有機金属２４が水素の還元作用を受けて変化する
ということがないから、同一の成膜条件下で成膜してい
るにも係わらず、成膜が徐々に困難になるということが
ない。

【００２６】図３はレ−ザ出力と水素の混合比を変えた
場合に、成膜状態がどうであるかということと、その場
合の膜の抵抗値を測定したグラフである。このグラフに
おいて、×は成膜ができない場合であり、白丸は良好に
成膜できた場合であり、黒丸は成膜ができたものの、ダ
メ−ジがあり、空間分解能が不良の場合ある。白丸およ
び黒丸の横に記載された数字は抵抗値（Ω）である。な
お、不活性ガスとしては窒素ガスを用い、流量は100 cc
m （一定）とし、またレ−ザ光Ｌの走査速度は２μｍ／
ｓとした。

【００２７】この測定結果からつぎのことが明らかとな
った。つまり、レ−ザ出力は３０ｍＷと、４０ｍＷのと
きに良好な成膜結果が得られ、各レ−ザ出力において水
素の混合比が２０％のときに膜の抵抗値が最も低くなる
ことが確認された。したがって、位置Ｂから位置Ｃの間
を成膜するために水素を供給する場合、その供給量が原
料ガスの流量に対して２０％となるよう設定すれば、抵
抗値の低い膜形成が可能となる。

【００２８】図４はこの発明の第２の実施例を示す。こ
の実施例はレ−ザ発振器１１から出力されたレ−ザ光Ｌ
をハ−フミラ−１２ａで反射させて反応容器１４に導入
するとともに、電子デバイス１７からの反射光Ｌ´の強
度を光検出器４１で検出し、その検出信号を制御装置１
９に入力させる。光検出器４１が検出する反射光Ｌ´の
強度は、電子デバイス１７の照射部位によって異なる。
つまり、基板１７ａからの反射光に比べて第１、第２の
アルミニウム配線１７ｂ、１７ｃからの反射光の強度の
方が強いから、その強度変化に応じて制御弁２７を開閉
制御すれば、上記第１の実施例と同様、水素を適時に原
料ガスに混入することができる。

【００２９】図５と図６はこの発明の第３の実施例を示
す。第１の実施例と同一部分には同一記号を付して説明
を省略する。この実施例は、第１の実施例に示された反
応容器１４に代わり、カバ−体３１が用いられている。
このカバ−体３１は円盤状の基部３２と、この基部３２
の下面側となる一側面中央部に突設された第１の環状壁
３３と、この第１の環状壁３３の外側で、上記基部３２
の周辺部に突設された第２の環状壁３４とを有する。こ
のカバ−体３１はＸＹテ−ブル１６の上方に、上記電子
デバイス１７の上面と所定の間隔で離間対向して配置さ
れている。

【００３０】上記第１の環状壁３３はその内周面によっ
て第１の空間部３５を形成し、上記第２の環状壁３４は
その内周面と上記第１の環状壁３３の外周面とで第２の
空間部３６を形成している。第１の環状壁３３の突出寸
法、つまり高さ寸法をＨ1 、第２の環状壁３４の高さ寸
法をＨ2 とすると、Ｈ1 ＜Ｈ2 に設定されている。

【００３１】上記基部３２の上記第１の空間部３５に対
応する中央部には厚さ方向に貫通する通孔３７が形成さ
れ、この通孔３７には透光性の窓部材３８が設けられて
いる。上記通孔３７の周囲には第１の環状通路３９が形
成されている。この第１の環状通路３９には上記第１の
空間部３５に連通する第１のノズル孔４１が周方向に所
定間隔で形成されている。そして、上記第１の環状通路
３９にはリザ−バ２２からの原料ガスを供給するための
第１の供給管路２１が接続されている。

【００３２】上記基部３２の上記第２の空間部３６に対
応する部分には第２の環状通路４２が形成されている。
この第２の環状通路４２には上記第２の空間部３６に連
通する第２のノズル孔４３が周方向に所定間隔で形成さ
れている。そして、上記第２の環状通路４２には還元性
ガスである水素を供給するための第２の供給管路２６が
接続されている。

【００３３】上記構成のカバ−体３１を用いて成膜する
場合には、第１の環状壁３３によって形成された第１の
空間部３５が電子デバイス１７の成膜部位に対向するよ
う、この電子デバイス１７が位置決めされる。その状態
で図２（ａ）に示す位置Ａと位置Ｂとの間に成膜すると
きには第１の供給管路２１から第１の空間部３５へ原料
ガスが供給される。また、第２の供給管路２６に設けら
れた制御弁２７は閉じられて水素の供給は停止される。

【００３４】一方、電子デバイス１７は矢印Ｘ方向に駆
動されるとともに、原料ガスは窓部材３８を透過して上
記位置Ａを照射したレ−ザ光Ｌによって熱分解される。
したがって、第１のアルミニウム配線１７ｂ上における
位置Ａ−Ｂ間に金属膜２０が生成される。

【００３５】位置Ｂと位置Ｃとの間に成膜するときに
は、制御弁２７が開かれて第２の供給管路２６から第２
の空間部３６へ水素が供給される。第２の空間部３６へ
流出した水素ガスは図５に矢印で示すように第１の環状
壁３３の下端面と基板１７ａの上面との間のすき間を通
って第１の空間部３５へ流入し、一部波外部へ流出す
る。そのため、水素の還元性によって炭素や酸素などに
よるコンタミネ−ションが抑制され、高い膜質での成膜
が行われる。

【００３６】水素は第２の空間部３６から流出して第１
の空間部３５へ流入することで原料ガスに混合される。
つまり、成膜部位の近傍で原料ガスに混合される。その
ため、原料ガス中の有機金属が成膜部位に供給される前
に還元性ガスによって品質が劣化するということがなく
なるから、品質の高い膜質で上記成膜部位に成膜するこ
とができる。

【００３７】位置Ｃと位置Ｄとの間に成膜するときに
は、制御弁２７が閉じられて水素ガスの供給が停止さ
れ、原料ガスだけが供給されて位置Ａ−Ｂ間と同様に成
膜が行われる。

【００３８】上記カバ−体３１は第１の環状壁３３と第
２の環状壁３４との二重構造をなし、しかも内方に設け
られた第１の環状壁３３よりも、外方に設けられた第２
の環状壁３４の方が高さ寸法の方が大きく形成されてい
る。そのため、図５にｄで示すカバ−体３１の最下端と
なる第２の環状壁３４の下端面と電子デバイス１７の上
面との間隔を、たとえば２mm程度まで大きくしても、外
気が成膜部位に到達しにくい。とくに、第２の空間部３
６に水素ガスを供給しながらの成膜時には水素ガスの流
れによって外気が第１の空間部３５、つまり成膜部位へ
流入するのを阻止することができる。その結果、電子デ
バイス１７のハンドリング性の向上が計れる。

【００３９】上記カバ−体３１と電子デバイス１７との
間隔ｄを大きくすることができると、電子デバイス１７
の表面が凹凸状であっても、電子デバイス１７を移動さ
せても、カバ−体３１の下端面にぶつかるのをなくすこ
とができる。そのため、成膜時に上記電子デバイス１７
をカバ−体３１によって損傷させるのを防止できる。

【００４０】なお、上記各実施例では第１、第２の供給
管路を反応容器あるいはカバ−体に接続して原料ガスお
よび還元性ガスを供給するようにしたが、これら管路に
よって上記原料ガスおよび還元性ガスを成膜部位に直接
供給するようにしてもよく、要は成膜部位に原料ガスを
供給することができ、しかも還元性ガスを適時に供給す
ることができる構成であればよい。

【００４１】

【発明の効果】本発明によれば、好適な成膜を行うこと
が可能となり、かつ電子デバイスのハンドリング性の向
上を図ることが可能となる。

【００４２】

【００４３】

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１の実施例を示す装置全体の構成
図。

【図２】同じく（ａ）は電子デバイスの一部の拡大斜視
図、（ｂ）は金属膜を形成した状態の断面図。

【図３】同じく水素の混合比と成膜状態との関係を示す
グラフ。

【図４】この発明の第２の実施例を示す装置全体の構成
図。

【図５】この発明の第３の実施例を示す装置全体の構成
図。

【図６】同じくカバ−体を下面側から見た底面図。

【符号の説明】

１１…レ−ザ発振器、１４…反応容器、１６…電子デバ
イス（成膜対象物）、１９…制御装置、２１…第１の供
給管路、２３…リザ−バ、２４…有機金属、２６…第２
の供給管路、２７…制御弁、３１…カバ−体、３３…第
１の環状壁、３４…第２の環状壁、３５…第１の空間
部、３６…第２の空間部。

Claims (16)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 成膜対象物を配置するためのテーブル
   と、 透光性の窓部材を一部に備え、前記テーブルに離間対向
   して配置されるカバー体と、 このカバー体と前記テーブルとの間の空間に第１のガス
   を供給するための第１の管路と、 前記カバー体と前記テーブルとの間であって、前記第１
   のガスが供給される空間よりも外側の空間に第２のガス
   を供給するための第２の管路と、 前記成膜対象物に対して、前記窓部材を透過させてレー
   ザ光を照射するためのレーザ照射手段と を備えることを
   特徴とするレーザ成膜装置。
2. 【請求項２】 前記テーブルは、ＸＹテーブルであるこ
   とを特徴とする請求項１記載のレーザ成膜装置。
3. 【請求項３】 前記カバー体は、 円盤状の基部と、 この基部の周辺部に前記テーブル側を向いて突設された
   環状壁とを備えることを特徴とする請求項１記載のレー
   ザ成膜装置。
4. 【請求項４】 前記カバー体は、 円盤状の基部と、 この基部の下面側となる一側面中央部に突設された第１
   の環状壁と、 この第１の環状壁の外側で、前記基部の周辺部に突設さ
   れた第２の環状壁とを備えることを特徴とする請求項１
   記載のレーザ成膜装置。
5. 【請求項５】 前記第１の環状壁よりも前記第２の環状
   壁の方が高さ寸法が大きく形成されていることを特徴と
   する請求項４記載のレーザ成膜装置。
6. 【請求項６】 前記第１の管路の少なくとも一部は、前
   記空間に連通するノズル孔であることを特徴とする請求
   項１記載のレーザ成膜装置。
7. 【請求項７】 前記ノズル孔は、周方向に所定間隔で複
   数形成されていることを特徴とする請求項６記載のレー
   ザ成膜装置。
8. 【請求項８】 前記第２の管路の少なくとも一部は、前
   記空間に連通するノ ズル孔であることを特徴とする請求
   項１記載のレーザ成膜装置。
9. 【請求項９】 前記ノズル孔は、周方向に所定間隔で複
   数形成されていることを特徴とする請求項８記載のレー
   ザ成膜装置。
10. 【請求項１０】 透光性の窓部材を一部に備えるカバー
    体を成膜対象物に離間対向して配置した状態で、このカ
    バー体と前記成膜対象物との間の空間部に原料ガスを供
    給すると同時に、 前記カバー体と前記成膜対象物との間であって、前記原
    料ガスが供給される空間よりも外側の空間に第２のガス
    を供給しつつ、 前記窓部材越しに前記レーザ光を前記成膜対象物に照射
    して成膜を行うことを特徴とするレーザ成膜方法。
11. 【請求項１１】 前記成膜対象物は、電子デバイスであ
    ることを特徴とする請求項１０記載のレーザ成膜方法。
12. 【請求項１２】 前記原料ガスは、有機金属を含んでい
    ることを特徴とする請求項１０記載のレーザ成膜方法。
13. 【請求項１３】 前記原料ガスは、カルボニルを含んで
    いることを特徴とする請求項１０記載のレーザ成膜方
    法。
14. 【請求項１４】 前記レーザ光は、可視光であることを
    特徴とする請求項１０記載のレーザ成膜方法。
15. 【請求項１５】 前記レーザ光は、アルゴンイオンレー
    ザであることを特徴とする請求項１０記載のレーザ成膜
    方法。
16. 【請求項１６】 上記成膜により、アルミニウム配線を
    接続することを特徴とする請求項１０記載のレーザ成膜
    方法。