JP3355877B2 - Physical quantity sensor, input device and torque sensor - Google Patents
Physical quantity sensor, input device and torque sensorInfo
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- Measurement Of Force In General (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Surface Heating Bodies (AREA)
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、高強度絶縁層上に設け
た歪抵抗素子を応用した力学量センサ、入力装置および
トルクセンサに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a dynamic quantity sensor, an input device and a torque sensor to which a strain resistance element provided on a high strength insulating layer is applied.
【0002】[0002]
【従来の技術】パソコン等のGUI(グラフィカル・ユ
ーザー・インターフェース)操作入力装置として、近年
マウスやトラックボールの代わりにポインティングデバ
イスが提案されている。このポインティングデバイス
は、例えば、特開平5−18702号公報に開示されて
いるように、可動レバーとこの可動レバーを支持する薄
板部とこの薄板部を支持する保持部とがシリコン基板よ
り一体形成されたものであり、前記可動レバーの変位を
薄板部に形成したピエゾ抵抗素子の抵抗値変化で検出す
るものが知られている。2. Description of the Related Art In recent years, a pointing device has been proposed as a GUI (graphical user interface) operation input device for a personal computer or the like instead of a mouse or a trackball. In this pointing device, for example, as disclosed in JP-A-5-18702, a movable lever, a thin plate supporting the movable lever, and a holding portion supporting the thin plate are integrally formed from a silicon substrate. There is also known a method in which the displacement of the movable lever is detected by a change in the resistance value of a piezoresistive element formed in a thin plate portion.
【0003】また、可動レバーとこの可動レバーを支持
する薄板部とがAl2O3等のセラミックスで形成され、
このAl2O3等のセラミックスからなる薄板部の上に厚
膜抵抗体が印刷、焼成され、これが固定保持されてお
り、前記可動レバーの変位を薄板部に形成した厚膜抵抗
体の抵抗値変化で検出するものが知られている。Further, a movable lever and a thin plate supporting the movable lever are formed of ceramics such as Al 2 O 3 ,
A thick film resistor is printed and fired on the thin plate portion made of ceramics such as Al 2 O 3 , and is fixed and held. The displacement of the movable lever changes the resistance value of the thick film resistor formed on the thin plate portion. What detects by change is known.
【0004】また、可動レバーとこの可動レバーを支持
するステンレスホーロー薄板部で形成され、このステン
レスホーロー薄板部の上に厚膜抵抗体が印刷、焼成さ
れ、これが固定保持されており、前記可動レバーの変位
を薄板部に形成した厚膜抵抗体の抵抗値変化で検出する
ものが知られている。A movable lever and a stainless steel enameled thin plate supporting the movable lever are formed. A thick film resistor is printed and fired on the stainless enameled thin plate, and is fixed and held. Is known in which the displacement of the thick film resistor formed on the thin plate portion is detected by a change in the resistance value.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】前記した特開平5−1
8702号公報に開示されたポインティングデバイス
は、薄板部と薄板部を支持する保持部がシリコン基板で
形成されているため、ゲージ率(GF)=抵抗変化率
(ΔR/R)/歪み(ε)は大きいものの、基本的に強
い力による可動レバーの操作や衝撃力に対して極めて弱
く、強い力を回避するためのストッパーが必要になる。
従って、これらのストッパーによる価格上昇が伴うばか
りか、ストッパーと可動レバーの隙間を管理する煩雑な
調整工程も必要になるという課題を有していた。SUMMARY OF THE INVENTION The above-mentioned Japanese Patent Laid-Open No. 5-1
In the pointing device disclosed in Japanese Patent No. 8702, since the thin plate portion and the holding portion supporting the thin plate portion are formed of a silicon substrate, the gauge factor (GF) = the rate of resistance change (ΔR / R) / strain (ε). Although it is large, it is basically extremely weak against the operation of the movable lever and the impact force due to a strong force, and a stopper for avoiding a strong force is required.
Therefore, there has been a problem that not only the price increase due to these stoppers accompanies, but also a complicated adjustment process for managing the gap between the stopper and the movable lever is required.
【0006】また、可動レバーと可動レバーを支持する
薄板部とがAl2O3等のセラミックスで形成され、Al
2O3等のセラミックスからなる薄板部の上に厚膜抵抗体
が印刷、焼成されたタイプのポインティングデバイス
は、前述のシリコン基板を用いたポインティングデバイ
スに比べてGFに関しては小さいもののセンサ信号のノ
イズが少ない利点はある。しかし、前述のシリコン基板
を用いたポインティングデバイスと同様、強い力による
可動レバーの操作や衝撃力に極めて弱い。従って、同様
の価格上昇発生と同様の対策が必要になるという課題を
有していた。The movable lever and the thin plate supporting the movable lever are formed of ceramics such as Al 2 O 3.
A pointing device of the type in which a thick-film resistor is printed and fired on a thin plate portion made of ceramics such as 2 O 3 has a smaller GF than the above-mentioned pointing device using a silicon substrate, but has a smaller sensor signal noise. There are fewer advantages. However, similarly to the above-described pointing device using a silicon substrate, it is extremely weak in operation of a movable lever by a strong force and an impact force. Therefore, there has been a problem that the same countermeasure is required when a similar price increase occurs.
【0007】また、可動レバーと可動レバーを支持する
ステンレスホーロー薄板部で形成され、ステンレスホー
ロー薄板部の上に厚膜抵抗体が印刷、焼成されたタイプ
のポインティングデバイスは、前述の2つのタイプのポ
インティングデバイスに比べてGF、センサ信号のノイ
ズに関して劣るものの、強度的にはやや有利である。A pointing device of a type formed of a movable lever and a stainless steel enamel thin plate supporting the movable lever, on which a thick film resistor is printed and fired on the stainless enamel thin plate, is provided by the above two types. Although it is inferior to the GF and the noise of the sensor signal as compared with the pointing device, it is somewhat advantageous in strength.
【0008】しかし、強い力を回避するためのストッパ
ーが不要になるほどの強度保証は困難であるという課題
を有していた。However, there is a problem that it is difficult to guarantee the strength so that a stopper for avoiding a strong force becomes unnecessary.
【0009】本発明は上記従来の課題を解決するもの
で、極めて安価かつ簡単な構造でありながら、強度保証
可能であると同時に基本性能(良好なGFとセンサ信号
の低ノイズ化)も十分満足する力学量センサ、入力装置
およびトルクセンサを提供することを目的とする。The present invention solves the above-mentioned conventional problems, and has an extremely inexpensive and simple structure, while being able to guarantee strength and at the same time sufficiently satisfying basic performance (good GF and low noise of sensor signal). It is an object of the present invention to provide a dynamic quantity sensor, an input device, and a torque sensor.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
本発明力学量センサ、入力装置およびトルクセンサは、
クロム10〜30重量%を含む鉄合金からなる変形可能
な基体の表面に、酸化物被膜を介して前記基体表面の所
望の部分にガラス、セラミックスおよび前記ガラスとセ
ラミックスの反応生成物からなる圧縮応力が付与された
絶縁層と、前記絶縁層表面に焼成した歪抵抗素子と、前
記歪抵抗素子に接続するように設けた導体とを設け、前
記基体の変形に応じた前記歪抵抗素子の抵抗値変化とし
て検出する電気的手段を有することを特徴としている。In order to achieve this object, a physical quantity sensor, an input device and a torque sensor according to the present invention are provided.
A compressive stress consisting of glass, ceramics and a reaction product of the glass and ceramics is applied to a desired portion of the surface of the substrate via an oxide film on a surface of a deformable substrate made of an iron alloy containing 10 to 30% by weight of chromium. Is provided, a strain resistance element baked on the surface of the insulation layer, and a conductor provided so as to be connected to the strain resistance element, and a resistance value of the strain resistance element according to deformation of the base. It is characterized by having electrical means for detecting as a change.
【0011】[0011]
【作用】この構成により、クロム10〜30重量%を含
む鉄合金からなる変形可能な基体の表面にある酸化物被
膜は、凹凸をもちながらも高強度かつ緻密であるため、
この上に形成される絶縁層との接合強度が極めて強固に
なる。これは、絶縁層を形成するガラスが溶融する時、
酸化物被膜の凹凸のアンカー効果が期待できると同時に
ガラスが酸化物被膜の表面を濡らすことによりAl2O3
セラミックスの液相焼結に似た機構で緻密化が進行す
る。さらにガラスと酸化物被膜との間に反応生成物が生
まれ、より強固な接合強度が得られる。主体の絶縁層
は、ガラスが溶融しセラミックスの表面を濡らすことに
よりセラミックスの液相焼結に似た機構で緻密化が進行
すると同時に、ガラスの液相とセラミックスとの間に反
応生成物が生まれ強度な結合が得られるばかりか、焼成
後絶縁層が冷却する時、基体との間の熱膨張差に起因す
る圧縮応力が付与され著しい強度向上が達成される。According to this structure, the oxide film on the surface of the deformable substrate made of an iron alloy containing 10 to 30% by weight of chromium has high strength and denseness while having irregularities.
The bonding strength with the insulating layer formed thereon becomes extremely strong. This is because when the glass forming the insulating layer melts,
Al 2 O 3 by the glass at the same time as the anchor effect of the irregularities of the oxide coating is expected wets the surface of the oxide film
Densification proceeds by a mechanism similar to liquid phase sintering of ceramics. Further, a reaction product is generated between the glass and the oxide film, and a stronger bonding strength can be obtained. In the main insulating layer, as the glass melts and wets the surface of the ceramic, the densification progresses by a mechanism similar to the liquid phase sintering of ceramics, and at the same time, a reaction product is created between the liquid phase of the glass and the ceramics. In addition to obtaining a strong bond, when the insulating layer is cooled after firing, a compressive stress due to a difference in thermal expansion between the insulating layer and the base is applied, so that a remarkable improvement in strength is achieved.
【0012】従って、従来ならばセラミックス系基体上
でなければ得られない良好なGF、センサ信号の低ノイ
ズ化と同時にセラミックス系基体では得られない著しい
強度の両面を併せ持つ特性が得られる。Accordingly, a good GF which can not be obtained only on a ceramic substrate, a low noise of a sensor signal, and a characteristic having remarkably high strength which cannot be obtained with a ceramic substrate can be obtained.
【0013】[0013]
【実施例】(実施例1) 以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。第1の実施例では、力学量センサとして、ポイ
ンティングデバイスを例に説明する。図1は本発明の第
1の実施例におけるポインティングデバイスの主要構造
体である酸化物被膜を介して表面に絶縁層を形成した基
体を説明する部分断面図である。Embodiment (Embodiment 1) Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the first embodiment, a pointing device will be described as an example of a physical quantity sensor. FIG. 1 is a partial cross-sectional view illustrating a substrate having an insulating layer formed on the surface via an oxide film, which is a main structure of a pointing device according to a first embodiment of the present invention.
【0014】図1において、1は厚さ0.4mmの変形
可能な基体、2は基体表面に形成したある酸化物被膜、
3は厚さ0.05mmの絶縁層である。3aは絶縁層内
のセラミックス、3bは絶縁層内のガラス、3cは絶縁
層内の反応生成物である。In FIG. 1, 1 is a deformable substrate having a thickness of 0.4 mm, 2 is an oxide film formed on the surface of the substrate,
Reference numeral 3 denotes an insulating layer having a thickness of 0.05 mm. 3a is a ceramic in the insulating layer, 3b is a glass in the insulating layer, and 3c is a reaction product in the insulating layer.
【0015】本実施例においては、基体1(但し、酸化
処理前)、絶縁層3の出発原料(但し、バインダ、溶
剤、可塑剤等は非明記)の組合せとして、(表1)に記
した7種類の試料を検討した。(表1)内の希土類と
は、セリウム、イットリウム、ランタン、ネオジウム、
プラセオジウム等の合計である。In this embodiment, the combinations of the substrate 1 (but before the oxidation treatment) and the starting materials of the insulating layer 3 (however, binder, solvent, plasticizer, etc. are not specified) are shown in (Table 1). Seven types of samples were studied. The rare earths in (Table 1) are cerium, yttrium, lanthanum, neodymium,
It is the sum of praseodymium and the like.
【0016】[0016]
【表1】 [Table 1]
【0017】まず、(表1)に記した基体1を850℃
で焼成することにより、基体1の表面に酸化物被膜2を
形成する。その後、(表1)に記した各々の組合せの絶
縁層3の出発原料を酸化物被膜2の上にスクリーン印刷
した後、850℃で焼成した。基体1の上に形成した絶
縁層3の破壊強度を歪みゲージでモニターしながら測定
した結果を(表2)に示す。(表2)には、SUS43
0上に従来のガラスホーローが形成されたもの(比較例
1)、96%Al2O3セラミックス(比較例2)を比較
のために併記してある。破壊強度に関しては、比較例1
を100とした場合の相対比較値で表記してある。First, the substrate 1 described in Table 1 was heated at 850 ° C.
The oxide film 2 is formed on the surface of the substrate 1 by firing. Then, after the screen printing <br/> on the respective combinations of the starting material of the insulating layer 3 that describes in (Table 1) of the oxide film 2, and baked at 850 ° C.. Table 2 shows the results of measuring the breaking strength of the insulating layer 3 formed on the base 1 while monitoring the breaking strength with a strain gauge. (Table 2) shows SUS43
For comparison, a glass enamel with a conventional glass enamel formed thereon (Comparative Example 1) and a 96% Al 2 O 3 ceramic (Comparative Example 2) are also shown for comparison. Regarding the breaking strength, Comparative Example 1
Is expressed as a relative comparison value when 100 is assumed.
【0018】[0018]
【表2】 [Table 2]
【0019】試料1、2ともに、絶縁層3内には反応生
成物3cとして、CaAl2Si2O8およびCa0.15Z
r0.85O1.85が形成されるため、ガラスとセラミックス
との間に強固な結合が得られるばかりか、焼成後絶縁層
が冷却する時、基体との熱膨張差に起因する圧縮応力が
付与され、比較例1、比較例2に比べて著しい強度向上
が達成される。但し、試料2に比して試料1の方が破壊
強度が小さいのは以下のような原因が考えられる。試料
2においては、酸化物被膜2として主にAl2O3からな
る緻密かつ凹凸のあるアルミニウム酸化物被膜が形成さ
れ、ガラスが溶融する時、酸化物被膜の凹凸のアンカー
効果が期待できると同時にガラスが酸化物被膜の表面を
濡らすことによりAl2O3セラミックスの液相焼結に似
た機構で緻密化が進行する。さらにガラスと酸化物被膜
とが焼成時に反応してCaAl2Si2O8を形成し強固
な結合が得られる。しかし、試料1においては、酸化物
被膜2として、鉄酸化物や主にCr2O3からなるクロム
酸化物が形成されるため、ガラスとの間で積極的な反応
結合が得られない。従って、試料2に比して試料1の方
が破壊強度が小さいと推定される。[0019] Samples 1 and 2 together, as a reaction product. 3c in the insulating layer 3, CaAl 2 Si 2 O 8 and Ca 0.15 Z
Since r 0.85 O 1.85 is formed, not only a strong bond is obtained between the glass and the ceramic, but also, when the insulating layer is cooled after firing, a compressive stress due to a difference in thermal expansion with the substrate is given, A remarkable improvement in strength is achieved as compared with Comparative Examples 1 and 2. However, the reason why the breaking strength of the sample 1 is lower than that of the sample 2 is considered as follows. In Sample 2, a dense and uneven aluminum oxide film mainly composed of Al 2 O 3 is formed as the oxide film 2, and when the glass is melted, an anchor effect of the unevenness of the oxide film can be expected. As the glass wets the surface of the oxide film, densification proceeds by a mechanism similar to liquid phase sintering of Al 2 O 3 ceramics. Further, the glass and the oxide film react during firing to form CaAl 2 Si 2 O 8 , and a strong bond is obtained. However, in the sample 1, since an iron oxide or a chromium oxide mainly composed of Cr 2 O 3 is formed as the oxide film 2, a positive reaction bond with the glass cannot be obtained. Therefore, it is estimated that the breaking strength of the sample 1 is lower than that of the sample 2.
【0020】試料3において、絶縁層3内には反応生成
物3cとして、全域に渡って強固なCaAl2Si2O8
のみが形成されているため、試料2に比して強度破壊が
大きくなったものと思われる。In sample 3, CaAl 2 Si 2 O 8, which is strong over the entire area, is formed as a reaction product 3c in the insulating layer 3.
It is considered that the strength breakage was larger than that of the sample 2 because only the sample was formed.
【0021】試料3に比して試料4、5と順次強度破壊
が大きくなるのは、主にAl2O3からなるアルミニウム
酸化物被膜2の基体1への密着強度が大きいことが主因
と考えられる。試料6は、アルミニウム酸化物被膜2の
基体1への密着強度上、最も好ましい組合せである。It is considered that the reason why the strength destruction increases sequentially with samples 4 and 5 as compared with sample 3 is that the adhesion strength of aluminum oxide coating 2 mainly made of Al 2 O 3 to substrate 1 is large. Can be Sample 6 is the most preferable combination in terms of the adhesion strength of the aluminum oxide coating 2 to the substrate 1.
【0022】試料7は、酸化物被膜2の基体1への密着
強度が大きい点では好ましいが、試料2同様絶縁層3内
の反応生成物3cとして、CaAl2Si2O8のみでな
くCa0.15Zr0.85O1.85が含まれる分だけ、やや破壊
強度が低下する。Sample 7 is preferable in that the adhesion strength of the oxide film 2 to the substrate 1 is large, but as with the sample 2, the reaction product 3c in the insulating layer 3 is not only CaAl 2 Si 2 O 8 but also Ca 0.15. The breaking strength is slightly reduced by the amount of Zr 0.85 O 1.85 .
【0023】図2は図1で説明した酸化物被膜2を介し
て表面に絶縁層3を形成した基体1を用いたポインティ
ングデバイスの概略斜視図である。図2において、酸化
物被膜2(図示せず)を介して表面に絶縁層3を形成し
た基体1〔(表1)、(表2)の結果より最も好ましい
組合せである試料6を採用〕、4は操作部、5は取付
台、6はスペーサ、7は固定部、8,9,10,11は
印刷焼成により形成されたRuO2系の歪抵抗素子、1
2は銀−パラジウム系の導体、13は電源供給端子、1
4a,14bは出力電圧端子、15はグランド端子であ
る。操作部4は基体1と連結され、さらに取付台5にス
ペーサ6を介して固定部7で2個所固定されている。ま
た、歪抵抗素子8,9は基体1の変形部に形成され、歪
抵抗素子10,11は非変形部に形成され、ブリッジが
構成されている。従って、操作部4に指で力を加えるこ
とにより歪抵抗素子8,9の抵抗値が変化するため、出
力電圧端子14a,14bを介して検出する電気的手段
(図示せず)に接続することにより、操作部4に加えら
れた力の方向と大きさが検出できる。さらに、操作部4
に3kgfの過大入力を加えても、破壊することもな
く、性能保証が可能であるため、操作部4を規制するよ
うにストッパーは特に不要である。従って、ストッパー
に相当する部材のコスト低減が図れるばかりか、操作部
4とストッパー間の調整工程が発生することもない。FIG. 2 is a schematic perspective view of a pointing device using the base 1 having the insulating layer 3 formed on the surface via the oxide film 2 described in FIG. In FIG. 2, a substrate 1 having an insulating layer 3 formed on the surface thereof via an oxide film 2 (not shown) [sample 6 which is the most preferable combination from the results of (Table 1) and (Table 2) is adopted], Reference numeral 4 denotes an operation unit, 5 denotes a mounting table, 6 denotes a spacer, 7 denotes a fixing unit, 8, 9, 10, and 11 denote RuO 2 -based strain resistance elements formed by printing and firing.
2 is a silver-palladium-based conductor, 13 is a power supply terminal, 1
4a and 14b are output voltage terminals, and 15 is a ground terminal. The operation unit 4 is connected to the base 1, and is fixed to the mounting table 5 at two locations by a fixing unit 7 via a spacer 6. The strain resistance elements 8 and 9 are formed in deformed portions of the base 1, and the strain resistance elements 10 and 11 are formed in non-deformed portions, forming a bridge. Therefore, when a force is applied to the operation unit 4 by a finger, the resistance values of the strain resistance elements 8 and 9 change. Therefore, the operation unit 4 must be connected to electrical means (not shown) for detection via the output voltage terminals 14a and 14b. Thus, the direction and magnitude of the force applied to the operation unit 4 can be detected. Further, the operation unit 4
Even if an excessive input of 3 kgf is applied, the performance can be assured without destruction. Therefore, a stopper is not particularly required to regulate the operation unit 4. Therefore, not only can the cost of the member corresponding to the stopper be reduced, but also there is no occurrence of an adjustment step between the operation unit 4 and the stopper.
【0024】本実施例においては、基体1を850℃で
焼成することにより、基体表面に酸化物被膜2を形成す
る場合および絶縁層3の出発原料を酸化物被膜2の上に
スクリーン印刷し、850℃で焼成した場合についての
み説明したが、必ずしもこの工法、この温度に限定され
るものではない。また、絶縁層3の印刷、焼成前に必ず
しも基体表面を予め酸化する必要はなく、絶縁層3の焼
成時に基体表面が酸化され、結果として酸化物被膜2が
形成される構成であっても構わない。In this embodiment, when the oxide film 2 is formed on the surface of the substrate by firing the substrate 1 at 850 ° C., and the starting material of the insulating layer 3 is screen-printed on the oxide film 2, Although only the case of firing at 850 ° C. has been described, this method is not necessarily limited to this temperature. Further, it is not always necessary to oxidize the surface of the base before printing and firing the insulating layer 3, and the surface of the base may be oxidized during firing of the insulating layer 3, resulting in the formation of the oxide film 2. Absent.
【0025】本実施例においては、歪抵抗素子2個所の
変形部に形成したものについてのみ説明したが、4個所
の変形部に形成したものであっても当然構わない。In the present embodiment, only the element formed at the deformed portion at two strain resistance elements has been described, but the element formed at the deformed portion at four locations may be used.
【0026】本実施例において、絶縁層3内にはAl2
O3からなるセラミックス3aやCaAl2Si2O8から
なる反応生成物3cがあるため、GF(18以上)やセ
ンサ信号のノイズレベル(電流ノイズ計での計測値:0
dB以下)もAl2O3等のセラミックス上に厚膜抵抗体
で形成したものに比較的近い特性を示す。本実施例にお
いては、歪抵抗素子としてルチル型のRuO2系のもの
に関して説明したが、さらに低ノイズ化(−3dB以
下)を図るためにパイロクロア型のPb2Ru2O6,B
i2Ru2O7,(Bi,Pb)2Ru2O7等を適宜混合し
たものも可能である。導体に関しては、銀−パラジウム
系を使用したもので説明したが、銀−白金系、銅系等様
々なものが使用可能である。In this embodiment, the insulating layer 3 contains Al 2
Since there are a ceramic 3a made of O 3 and a reaction product 3c made of CaAl 2 Si 2 O 8 , the GF (18 or more) and the noise level of the sensor signal (measured by a current noise meter: 0)
dB or less) also shows characteristics relatively close to those formed with thick film resistors on ceramics such as Al 2 O 3 . In the present embodiment, a rutile RuO 2 -based strain resistive element has been described. However, in order to further reduce noise (-3 dB or less), a pyrochlore-type Pb 2 Ru 2 O 6 , B
It is also possible to appropriately mix i 2 Ru 2 O 7 , (Bi, Pb) 2 Ru 2 O 7 and the like. The conductor has been described using a silver-palladium system, but various conductors such as a silver-platinum system and a copper system can be used.
【0027】(実施例2) 以下、本発明の第2の実施例について図面を参照しなが
ら説明する。第2の実施例では、力学量センサとして、
トルクセンサを例に説明する。図3は実施例1で説明し
た酸化物被膜2を介して表面に絶縁層3を形成した基体
1を用いたトルクセンサの概略斜視図である。ここで、
実施例1と同一部分については同一番号を付している。
図3において、酸化物被膜2(図示せず)を介して表面
に絶縁層3を形成した基体1〔実施例1の(表1)、
(表2)の結果より最も好ましい組合せである試料6を
採用〕、7は固定部、12は銀−パラジウム系の導体、
13は電源供給端子、14a,14bは出力電圧端子、
15はグランド端子、16は25mm角の機械構造用炭
素鋼からなる軸、17,18,19,20は印刷焼成に
より形成されたRuO2系の歪抵抗素子である。基体1
は軸16に固定部7で4個所に固定されている。また、
歪抵抗素子17,18は軸16の長手方向に対して+4
5°をなす方向に形成され、歪抵抗素子19,20は軸
16の長手方向に対して−45°をなす方向に形成さ
れ、ブリッジが構成されている。従って、軸16にトル
クが加わると歪抵抗素子17,18,19,20の抵抗
値が変化するため、出力電圧端子14a,14bを介し
て検出する電気的手段(図示せず)に接続することによ
り、軸16に加えられたトルクの方向と大きさが検出で
きる。Embodiment 2 Hereinafter, a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the second embodiment, as the physical quantity sensor,
A description will be given of a torque sensor as an example. FIG. 3 is a schematic perspective view of a torque sensor using the base 1 having the insulating layer 3 formed on the surface via the oxide film 2 described in the first embodiment. here,
The same parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals.
In FIG. 3, a substrate 1 having an insulating layer 3 formed on the surface thereof via an oxide film 2 (not shown) [Table 1 of Example 1,
Sample 6 which is the most preferable combination from the results of (Table 2) is adopted], 7 is a fixed part, 12 is a silver-palladium-based conductor,
13 is a power supply terminal, 14a and 14b are output voltage terminals,
Reference numeral 15 denotes a ground terminal, 16 denotes a shaft made of 25 mm square carbon steel for mechanical structure, and 17, 18, 19, and 20 denote RuO 2 -based strain resistance elements formed by printing and firing. Base 1
Are fixed to the shaft 16 at four positions by fixing portions 7. Also,
The strain resistance elements 17 and 18 are +4 with respect to the longitudinal direction of the shaft 16.
The strain resistance elements 19 and 20 are formed in a direction forming −45 ° with respect to the longitudinal direction of the shaft 16 to form a bridge. Therefore, when torque is applied to the shaft 16, the resistance values of the strain resistance elements 17, 18, 19, and 20 change. Therefore, it is necessary to connect to the electric means (not shown) for detection via the output voltage terminals 14a and 14b. Thus, the direction and magnitude of the torque applied to the shaft 16 can be detected.
【0028】さらに、軸16に±15kgfmの過大ト
ルクを加えても、破壊することもなく、初期性能保証が
可能である。Further, even if an excessive torque of ± 15 kgfm is applied to the shaft 16, the shaft 16 is not broken and the initial performance can be guaranteed.
【0029】本実施例においては、歪抵抗素子を4個所
に形成したものについてのみ説明したが、軸の長手方向
に対して+45°をなす方向に1個所、−45°をなす
方向に1個所設けたものであっても当然構わない。ま
た、歪抵抗素子の形成方向も必ずしも±45°に限定さ
れるものではなく、優先的に配向していれば構わない。In this embodiment, only the structure in which the strain resistance element is formed at four positions has been described. Of course, it may be provided. Further, the direction in which the strain resistance elements are formed is not necessarily limited to ± 45 °, and it is sufficient that the elements are preferentially oriented.
【0030】軸への基体の固定の仕方に関しても、両端
各2個所での固定の仕方のみ説明したが、これに限定さ
れるものではない。また、板状の基体と角形断面の軸と
をそれぞれ別体に設ける構成についてのみ説明したが、
必ずしもこれに限定されるものではない。例えば、Dカ
ット断面の軸の軸方向と平行な面に板状の基体を固定す
る方法またはDカット断面の軸の軸方向と平行な面に直
接酸化物被膜、絶縁層、歪抵抗素子、導体、端子等を形
成するほか様々な構成が考えられる。As for the method of fixing the base to the shaft, only the method of fixing at two locations at both ends has been described, but the present invention is not limited to this. Also, only the configuration in which the plate-shaped base and the axis of the square cross section are provided separately from each other has been described,
It is not necessarily limited to this. For example, a method of fixing a plate-shaped substrate on a plane parallel to the axial direction of the axis of the D-cut cross section, or an oxide coating, an insulating layer, a strain resistance element, and a conductor directly on the plane parallel to the axial direction of the axis of the D-cut cross section , Terminals, etc., and various other configurations are conceivable.
【0031】実施例1の場合と同様、絶縁層3内にはA
l2O3からなるセラミックス3aやCaAl2Si2O8
からなる反応生成物3cがあるため、GFやセンサ信号
のノイズレベルもAl2O3等のセラミックス上に厚膜抵
抗体で形成したものに比較的近い特性を示す。同じく本
実施例においては、歪抵抗素子としてルチル型のRuO
2系のものに関して説明したが、さらに低ノイズ化を図
るためにパイロクロア型のPb2Ru2O6,Bi2Ru2
O7,(Bi,Pb)2Ru2O7等を適宜混合したものも
可能である。導体に関しては、銀−パラジウム系を使用
したもので説明したが、銀−白金系、銅系等様々なもの
も使用可能である。As in the case of the first embodiment, A
ceramics 3a made of l 2 O 3 or CaAl 2 Si 2 O 8
Because of the presence of the reaction product 3c, the noise level of the GF and the sensor signal also exhibits characteristics relatively close to those formed by thick film resistors on ceramics such as Al 2 O 3 . Similarly, in the present embodiment, a rutile RuO-type
Although the description has been made with respect to the system 2 , pyrochlore type Pb 2 Ru 2 O 6 and Bi 2 Ru 2 are used in order to further reduce noise.
A mixture of O 7 , (Bi, Pb) 2 Ru 2 O 7 and the like is also possible. The conductor has been described using silver-palladium, but various conductors such as silver-platinum and copper can be used.
【0032】なお、上記実施例1、実施例2では、ポイ
ンティングデバイス等の入力装置、トルクセンサに限っ
て説明したが、その他の力学量センサにも広く同等の構
成が適用できる。In the above-described first and second embodiments, the description has been made only for the input device such as the pointing device and the torque sensor. However, the same configuration can be widely applied to other mechanical quantity sensors.
【0033】[0033]
【発明の効果】以上のように本発明は、クロム10〜3
0重量%を含む鉄合金からなる変形可能な基体の表面
に、酸化物被膜を介して基体表面の所望の部分にガラ
ス、セラミックスおよびガラスとセラミックスの反応生
成物からなる圧縮応力が付与された絶縁層と、この絶縁
層表面に焼成した歪抵抗素子を備える簡単な構成で、従
来ならばセラミックス系基体上でなければ得られない良
好なGF、センサ信号の低ノイズ化と同時に、セラミッ
クス系基体では得られない著しい強度の両面を併せ持っ
た力学量センサ、入力装置およびトルクセンサが提供で
きる。As described above, according to the present invention, chromium 10 to 3
Insulation in which a compressive stress consisting of glass, ceramics, and a reaction product of glass and ceramics is applied to a desired portion of the substrate surface via an oxide film on a surface of a deformable substrate made of an iron alloy containing 0% by weight. With a simple structure including a layer and a strain-resisting element fired on the surface of this insulating layer, good GF, which can be obtained only on a ceramic-based substrate in the past, low sensor signal noise, It is possible to provide a dynamic quantity sensor, an input device, and a torque sensor having both sides of remarkable strength that cannot be obtained.
【図1】本発明の第1の実施例におけるポインティング
デバイスの主要構造体である酸化物被膜を介して表面に
絶縁層を形成した基体を説明する部分断面図FIG. 1 is a partial cross-sectional view illustrating a substrate having an insulating layer formed on the surface via an oxide film, which is a main structure of a pointing device according to a first embodiment of the present invention.
【図2】本発明の第1の実施例における酸化物被膜を介
して表面に絶縁層を形成した基体を用いたポインティン
グデバイスの概略斜視図FIG. 2 is a schematic perspective view of a pointing device using a substrate having an insulating layer formed on the surface via an oxide film in the first embodiment of the present invention.
【図3】本発明の第2の実施例における酸化物被膜を介
して表面に絶縁層を形成した基体を用いたトルクセンサ
の概略斜視図FIG. 3 is a schematic perspective view of a torque sensor using a substrate having an insulating layer formed on the surface via an oxide film according to a second embodiment of the present invention.
1 基体 2 酸化物被膜 3 絶縁層 3a セラミックス 3b ガラス 3c 反応生成物 4 操作部 5 取付台 6 スペーサ 7 固定部 8 歪抵抗素子 9 歪抵抗素子 10 歪抵抗素子 11 歪抵抗素子 12 導体 13 電源供給端子 14a 出力電圧端子 14b 出力電圧端子 15 グランド端子 16 軸 17 歪抵抗素子 18 歪抵抗素子 19 歪抵抗素子 20 歪抵抗素子 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Oxide film 3 Insulating layer 3a Ceramics 3b Glass 3c Reaction product 4 Operation part 5 Mounting base 6 Spacer 7 Fixed part 8 Strain resistance element 9 Strain resistance element 10 Strain resistance element 11 Strain resistance element 12 Conductor 13 Power supply terminal 14a output voltage terminal 14b output voltage terminal 15 ground terminal 16 axis 17 distortion resistance element 18 distortion resistance element 19 distortion resistance element 20 distortion resistance element
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI H05B 3/84 H05B 3/20 355A (72)発明者 水上 行雄 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 亀井 誠 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平7−167720(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01L 1/22 G01B 7/16 G06F 3/033 330 H01L 29/84 ──────────────────────────────────────────────────の Continuing on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI H05B 3/84 H05B 3/20 355A (72) Inventor Yukio Mizukami 1006 Ojidoma, Kadoma, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 72) Inventor Makoto Kamei 1006 Kazuma Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (56) References JP-A-7-167720 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , (DB name) G01L 1/22 G01B 7/16 G06F 3/033 330 H01L 29/84
Claims (12)
らなる変形可能な基体の表面に、酸化物被膜を介して前
記基体表面の所望の部分にガラス、セラミックスおよび
前記ガラスとセラミックスの反応生成物からなる圧縮応
力が付与された絶縁層と、前記絶縁層表面に焼成した歪
抵抗素子と、前記歪抵抗素子に接続するように設けた導
体とを設け、前記基体の変形に応じた前記歪抵抗素子の
抵抗値変化として検出する電気的手段を有することを特
徴とする力学量センサ。1. Deformation of glass, ceramics, and reaction of glass and ceramics on a desired portion of the surface of a deformable substrate made of an iron alloy containing 10 to 30% by weight of chromium through an oxide coating on the surface of the substrate. An insulating layer to which a compressive stress made of a material is applied; a strain resistance element baked on the surface of the insulation layer; and a conductor provided so as to be connected to the strain resistance element. A dynamic quantity sensor having an electrical means for detecting a change in resistance value of a resistance element.
ニウム0.05〜7重量%を含む鉄合金である請求項1
記載の力学量センサ。2. The substrate according to claim 1, wherein the substrate is an iron alloy containing 10 to 30% by weight of chromium and 0.05 to 7% by weight of aluminum.
The physical quantity sensor as described.
ニウム0.05〜7重量%、チタン0.1〜5重量%を
含む鉄合金である請求項1記載の力学量センサ。3. The physical quantity sensor according to claim 1, wherein the substrate is an iron alloy containing 10 to 30% by weight of chromium, 0.05 to 7% by weight of aluminum, and 0.1 to 5% by weight of titanium.
ニウム0.05〜7重量%、セリウム、イットリウム、
ランタン、ネオジウム、プラセオジウムの合計が0.0
6〜0.12重量%を含む鉄合金である請求項1記載の
力学量センサ。4. A substrate comprising 10 to 30% by weight of chromium, 0.05 to 7% by weight of aluminum, cerium, yttrium,
The sum of lanthanum, neodymium, and praseodymium is 0.0
The physical quantity sensor according to claim 1, wherein the physical quantity sensor is an iron alloy containing 6 to 0.12% by weight.
化物またはアルミニウム酸化物の内の少なくとも1つか
らなる請求項1、2、3、4のいずれかに記載の力学量
センサ。5. The physical quantity sensor according to claim 1, wherein the oxide coating mainly comprises at least one of iron oxide, chromium oxide, and aluminum oxide.
たはCaZrO3のいずれかからなる請求項1、2、
3、4、5のいずれかに記載の力学量センサ。6. The ceramic according to claim 1, wherein the ceramic is made of at least one of Al 2 O 3 and CaZrO 3 .
The dynamic quantity sensor according to any one of 3, 4, and 5.
i2O8またはCa0.15Zr0.85O1.85のいずれかからな
る請求項1、2、3、4、5、6のいずれかに記載の力
学量センサ。7. The reaction product has at least CaAl 2 S
dynamic quantity sensor according to any of claims 1,2,3,4,5,6 consisting of either i 2 O 8 or Ca 0.15 Zr 0.85 O 1.85.
2〜7重量%、セリウム、イットリウム、ランタン、ネ
オジウム、プラセオジウムの合計が0.06〜0.12
重量%を含む鉄合金からなる変形可能な基体の表面に、
主にアルミニウム酸化物被膜を介して前記基体表面の所
望の部分にガラス、Al2O3セラミックス、CaAl2
Si2O8反応生成物からなる圧縮応力が付与された絶縁
層と、前記絶縁層表面に焼成した歪抵抗素子と、前記歪
抵抗素子に接続するように設けた導体とを設け、前記基
体の変形に応じた前記歪抵抗素子の抵抗値変化として検
出する電気的手段を有することを特徴とする力学量セン
サ。8. The total of 15 to 26% by weight of chromium, 2 to 7% by weight of aluminum, cerium, yttrium, lanthanum, neodymium and praseodymium is 0.06 to 0.12.
On the surface of a deformable substrate made of an iron alloy containing
Glass, Al 2 O 3 ceramics, CaAl 2 are applied to a desired portion of the substrate surface mainly through an aluminum oxide film.
An insulating layer provided with a compressive stress made of a reaction product of Si 2 O 8, a strain resistance element fired on the surface of the insulation layer, and a conductor provided to be connected to the strain resistance element; A physical quantity sensor comprising electrical means for detecting a change in the resistance value of the strain resistance element according to deformation.
2〜7重量%、セリウム、イットリウム、ランタン、ネ
オジウム、プラセオジウムの合計が0.06〜0.12
重量%を含む鉄合金からなる変形可能な基体の表面に、
主にアルミニウム酸化物被膜を介して前記基体表面の所
望の部分にガラス、Al2O3とCaZrO3とが混在し
たセラミックス、CaAl2Si2O8とCa0.15Zr
0.85O1.85とが混在した反応生成物からなる圧縮応力が
付与された絶縁層と、前記絶縁層表面に焼成した歪抵抗
素子と、前記歪抵抗素子に接続するように設けた導体と
を設け、前記基体の変形に応じた前記歪抵抗素子の抵抗
値変化として検出する電気的手段を有することを特徴と
する力学量センサ。9. A total of 0.06 to 0.12 of 15 to 26% by weight of chromium, 2 to 7% by weight of aluminum, cerium, yttrium, lanthanum, neodymium, and praseodymium.
On the surface of a deformable substrate made of an iron alloy containing
Glass, ceramics in which Al 2 O 3 and CaZrO 3 are mixed, CaAl 2 Si 2 O 8 and Ca 0.15 Zr mainly at a desired portion of the substrate surface via an aluminum oxide film
0.85 O 1.85 and an insulating layer to which a compressive stress composed of a reaction product mixed with the strain-resistant element fired on the surface of the insulating layer and a conductor provided to be connected to the strain-resistant element are provided. A physical quantity sensor comprising electrical means for detecting a change in the resistance value of the strain resistance element according to the deformation of the base.
ム2〜7重量%、セリウム、イットリウム、ランタン、
ネオジウム、プラセオジウムの合計が0.06〜0.1
2重量%を含む鉄合金からなる変形可能な基体の表面
に、主にアルミニウム酸化物被膜を介して前記基体表面
の所望の部分にガラスと少なくともAl2O3またはCa
ZrO3のいずれかからなるセラミックスと少なくとも
CaAl2Si2O8またはCa0.15Zr0.85O1.85のい
ずれかからなる反応生成物とからなる圧縮応力が付与さ
れた絶縁層と、前記絶縁層表面に焼成した少なくとも2
つの歪抵抗素子が2つと、前記歪抵抗素子に接続するよ
うに設けた導体とを設け、前記基体の中央に立てられた
操作部と、前記基体周囲の少なくとも2つの固定部とよ
りなり、前記歪抵抗素子の抵抗値変化により、操作部に
加えられた力と方向を検出する電気的手段を有すること
を特徴とする入力装置。10. Chromium 15-26% by weight, Aluminum 2-7% by weight, cerium, yttrium, lanthanum,
The sum of neodymium and praseodymium is 0.06-0.1
On a surface of a deformable substrate made of an iron alloy containing 2% by weight, glass and at least Al 2 O 3 or Ca are applied to a desired portion of the substrate surface mainly through an aluminum oxide coating.
An insulating layer to which a compressive stress is applied, which is made of a ceramic made of any one of ZrO 3 and a reaction product made of at least one of CaAl 2 Si 2 O 8 or Ca 0.15 Zr 0.85 O 1.85 ; At least two
Two strain resistance elements and a conductor provided so as to be connected to the strain resistance element are provided, and an operating part set up at the center of the base and at least two fixing parts around the base are provided, An input device comprising: an electrical unit for detecting a force and a direction applied to an operation unit by a change in a resistance value of a strain resistance element.
の一部に設けたクロム10〜30重量%を含む鉄合金か
らなる変形可能な基体と、前記基体表面に酸化物被膜を
介して前記基体表面の所望の部分に設けられたガラス、
セラミックスおよび前記ガラスとセラミックスの反応生
成物からなる圧縮応力が付与された絶縁層と、前記絶縁
層表面に焼成された前記軸の長手方向に対して45°お
よび−45°をなす方向に優先的に配向させた歪抵抗素
子と、前記歪抵抗素子に接続するように設けた導体とを
備え、前記軸に伝わるトルクによる変形に応じた前記歪
抵抗素子の抵抗値変化として検出する電気的手段を有す
ることを特徴とするトルクセンサ。11. A rotatably supported shaft, a deformable substrate made of an iron alloy containing 10 to 30% by weight of chromium provided on a part of the shaft, and an oxide coating on the surface of the substrate. A glass provided on a desired portion of the substrate surface,
A ceramic and an insulating layer to which a compressive stress made of a reaction product of the glass and the ceramic is applied, and preferentially in a direction forming 45 ° and −45 ° with respect to a longitudinal direction of the shaft fired on the surface of the insulating layer. And a conductor provided so as to be connected to the strain resistance element, and electrical means for detecting as a change in resistance value of the strain resistance element according to deformation due to torque transmitted to the shaft. A torque sensor, comprising:
の一部に設けたクロム15〜26重量%、アルミニウム
2〜7重量%、セリウム、イットリウム、ランタン、ネ
オジウム、プラセオジウムの合計が0.06〜0.12
重量%を含む鉄合金からなる変形可能な基体と、前記基
体表面に主にアルミニウム酸化物被膜を介して前記基体
表面の所望の部分に設けたガラスと少なくともAl2O3
またはCaZrO3のいずれかからなるセラミックスと
少なくともCaAl2Si2O8またはCa0.15Zr0.85
O1.85のいずれかからなる反応生成物とからなる圧縮応
力が付与された絶縁層と、前記絶縁層表面に焼成された
前記軸の長手方向に対して45°および−45°をなす
方向に優先的に配向させた歪抵抗素子と、前記歪抵抗素
子に接続するように設けた導体とを備え、前記軸に伝わ
るトルクによる変形に応じた前記歪抵抗素子の抵抗値変
化として検出する電気的手段を有することを特徴とする
トルクセンサ。12. A total of 0 to 26% by weight of chromium, 2 to 7% by weight of aluminum, cerium, yttrium, lanthanum, neodymium, and praseodymium provided on a rotatably supported shaft and a part of the shaft is provided. 0.06-0.12
A deformable substrate made of an iron alloy containing 0.1% by weight, a glass provided on a desired portion of the substrate surface mainly through an aluminum oxide coating on the substrate surface, and at least Al 2 O 3
Or a ceramic made of either CaZrO 3 and at least CaAl 2 Si 2 O 8 or Ca 0.15 Zr 0.85
O.85 , the insulating layer to which a compressive stress is applied consisting of a reaction product consisting of any one of O 1.85 and a direction which forms 45 ° and −45 ° with respect to the longitudinal direction of the shaft fired on the surface of the insulating layer. Electrical means comprising: a strain-resistor element oriented in a predetermined direction; and a conductor provided so as to be connected to the strain-resistor element, and detecting as a change in resistance value of the strain-resistor element in accordance with deformation due to torque transmitted to the shaft. A torque sensor comprising:
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