JP3359982B2 - 位相反転マスク及びその製造方法 - Google Patents
位相反転マスク及びその製造方法Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/29—Rim PSM or outrigger PSM; Preparation thereof
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フォトリゾグラフィエ
ッチング技術に関し、特に、解像度を向上させることの
できる位相反転マスク及びその製造方法に関するもので
ある。
ッチング技術に関し、特に、解像度を向上させることの
できる位相反転マスク及びその製造方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】最近は、半導体素子が高集積化され、パ
ッケージ密度が高くなるに伴い微細な線幅を有するフォ
トマスクが要求されており、特別な変形製造技術も発表
されている。
ッケージ密度が高くなるに伴い微細な線幅を有するフォ
トマスクが要求されており、特別な変形製造技術も発表
されている。
【０００３】一般に、フォトリゾグラフィは紫外線のよ
うな波長の光をフォトマスクを通じて半導体基板上に塗
布されたフォトレジストの表面に透過させて、イメージ
パターンを形成する技術である。
うな波長の光をフォトマスクを通じて半導体基板上に塗
布されたフォトレジストの表面に透過させて、イメージ
パターンを形成する技術である。
【０００４】一般のフォトマスクは、不透明パターンと
透明パターンとで構成されて選択的な露光ができるよう
になっているが、パターン密度の増加に伴って回折現象
が発生するので、解像度の向上に制限がある。そのた
め、位相反転リゾグラフィを用いて解像度を改善させる
工程が多方面にわたり研究されてきた。
透明パターンとで構成されて選択的な露光ができるよう
になっているが、パターン密度の増加に伴って回折現象
が発生するので、解像度の向上に制限がある。そのた
め、位相反転リゾグラフィを用いて解像度を改善させる
工程が多方面にわたり研究されてきた。
【０００５】位相反転リゾグラフィは、一般透光領域と
位相反転物質から作成された１８０°位相反転された透
光領域とを組み合わせて透過領域として用いる技術であ
る。遮光領域で透光領域間の相殺干渉を起こして光の回
折問題も減少させることもできる。
位相反転物質から作成された１８０°位相反転された透
光領域とを組み合わせて透過領域として用いる技術であ
る。遮光領域で透光領域間の相殺干渉を起こして光の回
折問題も減少させることもできる。
【０００６】従って、光の強度を鋭く変調させパターン
イメージをマスクイメージに近くに形成することが可能
であり、非常に複雑なパターンも転写が可能なように、
様々なリゾグラフィ技術が開発されている。
イメージをマスクイメージに近くに形成することが可能
であり、非常に複雑なパターンも転写が可能なように、
様々なリゾグラフィ技術が開発されている。
【０００７】位相反転マスクとしては、隣合う透光領域
の一方に光の位相を反転させる透光膜が形成されたリベ
ンソンタイプ（Ｌｅｖｅｎｓｏｎ ｔｙｐｅ）マスク
と、異なる２つの透光領域の端部で位相を反転させてマ
スク通過後の光感度を下げるエッジ強調形マスクなどが
ある。
の一方に光の位相を反転させる透光膜が形成されたリベ
ンソンタイプ（Ｌｅｖｅｎｓｏｎ ｔｙｐｅ）マスク
と、異なる２つの透光領域の端部で位相を反転させてマ
スク通過後の光感度を下げるエッジ強調形マスクなどが
ある。
【０００８】エッジ強調形位相反転マスクは、位相反転
物質のパターンを位相反転物質の下部に形成された光遮
蔽層の幅よりも広く形成し、位相反転物質のパターンを
エッチマスクとして光遮蔽層の両側の側壁を選択的に湿
式エッチングして製造することによって、エッチングさ
れた光遮蔽層の幅だけ位相反転の効果が現れるようにす
る。
物質のパターンを位相反転物質の下部に形成された光遮
蔽層の幅よりも広く形成し、位相反転物質のパターンを
エッチマスクとして光遮蔽層の両側の側壁を選択的に湿
式エッチングして製造することによって、エッチングさ
れた光遮蔽層の幅だけ位相反転の効果が現れるようにす
る。
【０００９】図１〜図３は、従来の位相反転マスクの製
造工程図である。下部透明基板１１に不透明な光遮蔽層
１２を形成し、その上に位相反転膜１３を塗布する（図
１）。感光膜１４をマスクとして位相反転膜１３と光遮
蔽層１２とをエッチングし、下部透明基板１１の表面を
露出させる（図２）。感光膜１４を除去した後、位相反
転膜１３をマスクとして光遮蔽層１２の周縁を等方性エ
ッチング（湿式エッチング）し、線幅を調節して位相反
転マスクを製造する（図３）。
造工程図である。下部透明基板１１に不透明な光遮蔽層
１２を形成し、その上に位相反転膜１３を塗布する（図
１）。感光膜１４をマスクとして位相反転膜１３と光遮
蔽層１２とをエッチングし、下部透明基板１１の表面を
露出させる（図２）。感光膜１４を除去した後、位相反
転膜１３をマスクとして光遮蔽層１２の周縁を等方性エ
ッチング（湿式エッチング）し、線幅を調節して位相反
転マスクを製造する（図３）。
【００１０】図３，図４は、従来の位相反転マスクの光
波形図を示したものである。従来の位相反転マスクは、
エッジ部分で正確に位相反転が生じないため、ウエハ上
に照射された光の強度が図４に示すようになり、ウエハ
１５上に図５のような感光膜パターン１６が得られる。
そのため、従来の位相反転マスクを用いてウエハ上に所
望の感光膜パターンを得ることが不可能になる。
波形図を示したものである。従来の位相反転マスクは、
エッジ部分で正確に位相反転が生じないため、ウエハ上
に照射された光の強度が図４に示すようになり、ウエハ
１５上に図５のような感光膜パターン１６が得られる。
そのため、従来の位相反転マスクを用いてウエハ上に所
望の感光膜パターンを得ることが不可能になる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の位相反
転マスクは、遮蔽層の周縁を等方性湿式エッチングする
とき、アンダーカット現象が発生されて、正確な位相反
転効果を期待することは困難である。また、透明基板上
に位相反転膜及び光遮蔽層のパターン形成の時、逆ＣＤ
（Ｒｅｖｅｒｓｅ Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｄｉｍｅｎｓｉ
ｏｎ）構造を有するので、マスク欠陥時にその修正が難
しい。さらに、表面レベルの均一により、側面が不安定
である。
転マスクは、遮蔽層の周縁を等方性湿式エッチングする
とき、アンダーカット現象が発生されて、正確な位相反
転効果を期待することは困難である。また、透明基板上
に位相反転膜及び光遮蔽層のパターン形成の時、逆ＣＤ
（Ｒｅｖｅｒｓｅ Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｄｉｍｅｎｓｉ
ｏｎ）構造を有するので、マスク欠陥時にその修正が難
しい。さらに、表面レベルの均一により、側面が不安定
である。
【００１２】本発明の目的は、上記した従来の問題点を
解決するためになされたもので、光遮蔽層を基板のトレ
ンチ内部に形成して、位相反転層の厚さ及び線幅を容易
に調節することにより、位相反転効果を向上させること
のできる位相反転マスク及びその製造方法を提供するこ
とにある。
解決するためになされたもので、光遮蔽層を基板のトレ
ンチ内部に形成して、位相反転層の厚さ及び線幅を容易
に調節することにより、位相反転効果を向上させること
のできる位相反転マスク及びその製造方法を提供するこ
とにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明による位相反転マスクは、一定の間隔を置
いて形成された１つ以上のトレンチを有する透明基板
と、上記トレンチ内に一部が埋め込まれた不透明層と、
上記トレンチ間の基板の表面に形成された位相反転層と
を含むことを特徴とする。
めに、本発明による位相反転マスクは、一定の間隔を置
いて形成された１つ以上のトレンチを有する透明基板
と、上記トレンチ内に一部が埋め込まれた不透明層と、
上記トレンチ間の基板の表面に形成された位相反転層と
を含むことを特徴とする。
【００１４】また、本発明による位相反転マスクの製造
方法は、透明基板上に有機質感光膜を塗布した後、フォ
トリゾグラフィエッチングして、感光膜パターンを形成
するステップと、パターニングされた感光膜をマスクと
して透明基板をエッチングし、１つ以上のトレンチを形
成するステップと、基板全面にわたり金属膜を塗布し、
金属膜をエッチバックして、トレンチ内に埋込形態に不
透明層を形成するステップと、エッチングされない透明
基板の表面に位相反転層を形成し、位相反転層と不透明
層との間の基板を露出させるステップとを含むことを特
徴とする。
方法は、透明基板上に有機質感光膜を塗布した後、フォ
トリゾグラフィエッチングして、感光膜パターンを形成
するステップと、パターニングされた感光膜をマスクと
して透明基板をエッチングし、１つ以上のトレンチを形
成するステップと、基板全面にわたり金属膜を塗布し、
金属膜をエッチバックして、トレンチ内に埋込形態に不
透明層を形成するステップと、エッチングされない透明
基板の表面に位相反転層を形成し、位相反転層と不透明
層との間の基板を露出させるステップとを含むことを特
徴とする。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００１６】図６〜図１２は、本発明の第１実施例によ
る位相反転マスクの製造工程図である。透明な石英基板
２１上に有機質感光膜２２を塗布し、フォトリゾグラフ
ィエッチングして幅がＷである感光膜パターンを形成す
る（図６）。上記パターニングされた感光膜２２をマス
クとして基板２１をエッチングし、トレンチ２３を形成
する（図７）。上記感光膜２２を全部除去した後、クロ
ム膜２４が、上記トレンチ２３を完全に埋め込むよう
に、基板２１上に塗布する（図８）。クロム膜２４をエ
ッチバックして、不透明層２５をトレンチ２３内に埋込
形態で形成する（図９）。トレンチ２３が完全に埋め込
まれるように酸化膜２６を塗布し、酸化膜２６上に有機
質感光膜２７を再び塗布する。感光膜２７をフォトリゾ
グラフィエッチングして、感光膜パターンを形成する
（図１０）。この時、感光膜２７が除去された部分で酸
化膜２６が露出される。感光膜２７のパターンは、トレ
ンチ形成のための感光膜２２のパターン幅よりも２Ｗ1
だけ小さい幅を有する。パターニングされた感光膜２７
をマスクとして露出された酸化膜２６をエッチングし、
トレンチ間のエッチングされない基板２１上に位相反転
層２８を形成し（図１１）、感光膜２７を除去する（図
１２）。そのため、不透明層２５がトレンチ２３内に埋
め込まれたエッジ強調形位相反転マスクが得られる。
る位相反転マスクの製造工程図である。透明な石英基板
２１上に有機質感光膜２２を塗布し、フォトリゾグラフ
ィエッチングして幅がＷである感光膜パターンを形成す
る（図６）。上記パターニングされた感光膜２２をマス
クとして基板２１をエッチングし、トレンチ２３を形成
する（図７）。上記感光膜２２を全部除去した後、クロ
ム膜２４が、上記トレンチ２３を完全に埋め込むよう
に、基板２１上に塗布する（図８）。クロム膜２４をエ
ッチバックして、不透明層２５をトレンチ２３内に埋込
形態で形成する（図９）。トレンチ２３が完全に埋め込
まれるように酸化膜２６を塗布し、酸化膜２６上に有機
質感光膜２７を再び塗布する。感光膜２７をフォトリゾ
グラフィエッチングして、感光膜パターンを形成する
（図１０）。この時、感光膜２７が除去された部分で酸
化膜２６が露出される。感光膜２７のパターンは、トレ
ンチ形成のための感光膜２２のパターン幅よりも２Ｗ1
だけ小さい幅を有する。パターニングされた感光膜２７
をマスクとして露出された酸化膜２６をエッチングし、
トレンチ間のエッチングされない基板２１上に位相反転
層２８を形成し（図１１）、感光膜２７を除去する（図
１２）。そのため、不透明層２５がトレンチ２３内に埋
め込まれたエッジ強調形位相反転マスクが得られる。
【００１７】本発明は、透明基板２１の表面段差を減ら
すために、透明基板２１の表面をエッチングしてトレン
チ２３を形成し、光遮蔽層である不透明層２５のトレン
チ２３の内部に形成することにより、光遮蔽層である不
透明層２５の周辺の位相反転層２８の厚さ及び線幅を容
易に調節することが可能であり、位相反転効果を高める
ことができる。
すために、透明基板２１の表面をエッチングしてトレン
チ２３を形成し、光遮蔽層である不透明層２５のトレン
チ２３の内部に形成することにより、光遮蔽層である不
透明層２５の周辺の位相反転層２８の厚さ及び線幅を容
易に調節することが可能であり、位相反転効果を高める
ことができる。
【００１８】この時、それぞれの位相反転層を通じた光
の位相が半分波長（π）だけ反転されるように、位相反
転層の厚さ（Ｔ）が決定されなければならないし、その
最適厚さは次の式で決定される。 π＝ｋ（ｎ−ｎo）・Ｔ＝２π（ｎ−１）Ｔ／λ ∴Ｔ＝λ／２（ｎ−１） ここで、λは露光波長、ｋは屈折常数、 ｎo＝空気の屈
折率（＝１）、ｎは露光波長に対する位相反転物質の屈
折率である。
の位相が半分波長（π）だけ反転されるように、位相反
転層の厚さ（Ｔ）が決定されなければならないし、その
最適厚さは次の式で決定される。 π＝ｋ（ｎ−ｎo）・Ｔ＝２π（ｎ−１）Ｔ／λ ∴Ｔ＝λ／２（ｎ−１） ここで、λは露光波長、ｋは屈折常数、 ｎo＝空気の屈
折率（＝１）、ｎは露光波長に対する位相反転物質の屈
折率である。
【００１９】位相反転層２８は、位相反転層２８の間の
エッチングされないシリコン基板２１の幅と同等である
かその以下に形成され、透明な基板２１上に整列される
ので、位相反転層２８の両側のエッジで位相差が発生さ
れるようにする。
エッチングされないシリコン基板２１の幅と同等である
かその以下に形成され、透明な基板２１上に整列される
ので、位相反転層２８の両側のエッジで位相差が発生さ
れるようにする。
【００２０】光遮蔽層としての不透明層の物質は、クロ
ムの代わりにアルミニウムを用いることも可能であり、
位相反転層２８は酸化膜の代わりにＰＭＭＡ（Ｐｏｌｙ
ｍｅｔｈｙｌ Ｍｅｔａｃｒｙｌａｔｅ）、ＳＯＧ（Ｓ
ｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）または石英のいずれか１つ
を用いることもできる。
ムの代わりにアルミニウムを用いることも可能であり、
位相反転層２８は酸化膜の代わりにＰＭＭＡ（Ｐｏｌｙ
ｍｅｔｈｙｌ Ｍｅｔａｃｒｙｌａｔｅ）、ＳＯＧ（Ｓ
ｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）または石英のいずれか１つ
を用いることもできる。
【００２１】図１３の位相反転マスクの使用時、位相反
転マスクを透過した光は図１４のような位相を有する。
転マスクを透過した光は図１４のような位相を有する。
【００２２】図１４を参照すれば、本発明の位相反転マ
スクを透過した光とエッジ部分において（＋）振幅を有
し、ウエハ上における光振幅と光強度は、それぞれ図１
５及び図１６の通りである。
スクを透過した光とエッジ部分において（＋）振幅を有
し、ウエハ上における光振幅と光強度は、それぞれ図１
５及び図１６の通りである。
【００２３】そのため、光透過時、エッジ部分の位相反
転効果を最適化することが出来、図１７のようにウエハ
３１上の感光膜３２のパターンは、解像度が向上され
る。
転効果を最適化することが出来、図１７のようにウエハ
３１上の感光膜３２のパターンは、解像度が向上され
る。
【００２４】図１８〜図２５は、本発明の第２実施例に
よる位相反転マスクの製造工程図である。図１８〜図２
４の工程は、図６〜図１２の工程と同様である。但し、
第２実施例では、図２４の位相反転層２８の形成後、位
相反転層２８の下部の石英基板２１を両側で幅Ｗ1 だけ
エッチングする工程が追加される。
よる位相反転マスクの製造工程図である。図１８〜図２
４の工程は、図６〜図１２の工程と同様である。但し、
第２実施例では、図２４の位相反転層２８の形成後、位
相反転層２８の下部の石英基板２１を両側で幅Ｗ1 だけ
エッチングする工程が追加される。
【００２５】図２５を参照すると、図２４において位相
反転層２８の形成により、位相反転層２８の両側に幅Ｗ
だけ露出された基板２１を位相反転層２８及び不透明層
２５をマスクとして乾式エッチングし、トレンチ２３の
両側に溝２９を形成する。石英基板２１は、エッチ部分
の光感度をできるだけ大きくすることが出来る最適厚さ
（Ｔ′）だけエッチングする。
反転層２８の形成により、位相反転層２８の両側に幅Ｗ
だけ露出された基板２１を位相反転層２８及び不透明層
２５をマスクとして乾式エッチングし、トレンチ２３の
両側に溝２９を形成する。石英基板２１は、エッチ部分
の光感度をできるだけ大きくすることが出来る最適厚さ
（Ｔ′）だけエッチングする。
【００２６】位相反転が起こる厚さ（Ｔ）は、Ｔ＝Ｔ′
−ｄである。この際、Ｔ′は、石英基板２１のエッチン
グ厚さ、ｄは、位相反転層２５の厚さである。
−ｄである。この際、Ｔ′は、石英基板２１のエッチン
グ厚さ、ｄは、位相反転層２５の厚さである。
【００２７】図２６〜図２９は、図１８〜図２５の第２
実施例によるマスクの光波形図であるり、図１３〜図１
７の第１実施例によるマスクと同様な効果が得られる。
実施例によるマスクの光波形図であるり、図１３〜図１
７の第１実施例によるマスクと同様な効果が得られる。
【００２８】図３０〜図３８は、本発明の第３実施例に
よるマスクの製造工程図であり、図３９〜図４２は、そ
れによる光の波形図である。第３実施例は、第２実施例
のマスク製造工程に位相反転層２８の除去工程が追加さ
れる。
よるマスクの製造工程図であり、図３９〜図４２は、そ
れによる光の波形図である。第３実施例は、第２実施例
のマスク製造工程に位相反転層２８の除去工程が追加さ
れる。
【００２９】図３７のように、位相反転層２８をマスク
として露出されたシリコン基板２１を乾式エッチングし
て溝２９を形成した後、図３８のように、位相反転層２
８を除去して位相反転マスクを形成する。
として露出されたシリコン基板２１を乾式エッチングし
て溝２９を形成した後、図３８のように、位相反転層２
８を除去して位相反転マスクを形成する。
【００３０】図４３〜図４８は、本発明の第４実施例に
よるマスクの製造工程図である。透明な石英基板２１上
に有機質感光膜２２を塗布し、フォトリゾグラフィエッ
チング技術を用いて幅がＷの感光膜パターンを形成する
（図４３）。
よるマスクの製造工程図である。透明な石英基板２１上
に有機質感光膜２２を塗布し、フォトリゾグラフィエッ
チング技術を用いて幅がＷの感光膜パターンを形成する
（図４３）。
【００３１】上記パターニングされた感光膜２２をマス
クとして基板２１をエッチングしてトレンチ２３を形成
し（図４４）、上記感光膜２２を除去した後、クロム膜
２４により上記トレンチ２３を完全に埋め込むように、
基板２１上に塗布する（図４５）。
クとして基板２１をエッチングしてトレンチ２３を形成
し（図４４）、上記感光膜２２を除去した後、クロム膜
２４により上記トレンチ２３を完全に埋め込むように、
基板２１上に塗布する（図４５）。
【００３２】化学的−物理的研磨方法により、石英基板
２１と同一高さを有する不透明層２５を形成して全表面
がスムーズな表面を維持するように平坦化する（図４
６）。
２１と同一高さを有する不透明層２５を形成して全表面
がスムーズな表面を維持するように平坦化する（図４
６）。
【００３３】全表面にわたり酸化膜２６を塗布し、酸化
膜上に感光膜２７をさらに塗布する。感光膜２７をフォ
トリゾグラフィエッチングして感光膜パターンを形成す
る（図４７）。パターニングされた感光膜２７をマスク
として露出された酸化膜２６をエッチングして位相反転
層２８を形成する（図４８）。
膜上に感光膜２７をさらに塗布する。感光膜２７をフォ
トリゾグラフィエッチングして感光膜パターンを形成す
る（図４７）。パターニングされた感光膜２７をマスク
として露出された酸化膜２６をエッチングして位相反転
層２８を形成する（図４８）。
【００３４】位相反転層の形成後、感光膜２７を除去す
ると、トレンチ２３内に不透明層２５が完全に埋め込ま
れたエッジ強調形位相反転マスクが得られる。
ると、トレンチ２３内に不透明層２５が完全に埋め込ま
れたエッジ強調形位相反転マスクが得られる。
【００３５】上記第１ないし第３実施例においては、不
透明層２５がトレンチ２３内に一部分のみ埋め込まれて
いるが、第４実施例においては、トレンチ２３内に不透
明層２５が完全に埋め込まれてその表面が基板２１の表
面と一致する。
透明層２５がトレンチ２３内に一部分のみ埋め込まれて
いるが、第４実施例においては、トレンチ２３内に不透
明層２５が完全に埋め込まれてその表面が基板２１の表
面と一致する。
【００３６】図５０〜図５２は、前記第４実施例による
光波形図を示すもので、不透明層２５がトレンチ内で一
部分のみ埋め込まれた第１実施例による図１３〜図１７
の光波形とは１８０°の位相差があるが、ウエハ上の光
強度は同一であるので、先の実施例と同様にエッジ部分
において最適の位相反転効果が得られる。
光波形図を示すもので、不透明層２５がトレンチ内で一
部分のみ埋め込まれた第１実施例による図１３〜図１７
の光波形とは１８０°の位相差があるが、ウエハ上の光
強度は同一であるので、先の実施例と同様にエッジ部分
において最適の位相反転効果が得られる。
【００３７】図５３〜図６０は、本発明の第５実施例に
よる位相反転マスクの製造工程図であり、図６１〜図６
４は、この第５実施例による位相反転マスクの光波形図
である。第５実施例においては、図５９及び図６０のよ
うに、位相反転層２８をマスクとして露出された基板２
１をエッチングしてリセス部３０を形成し、その後、位
相反転層２８を除去する。
よる位相反転マスクの製造工程図であり、図６１〜図６
４は、この第５実施例による位相反転マスクの光波形図
である。第５実施例においては、図５９及び図６０のよ
うに、位相反転層２８をマスクとして露出された基板２
１をエッチングしてリセス部３０を形成し、その後、位
相反転層２８を除去する。
【００３８】
【発明の効果】上記のような本発明によれば、次のよう
な効果が得られる。 （１）不透明層である光遮蔽層を基板のトレンチ内に埋
込形態に形成することにより、位相反転層の欠陥を容易
に修正することが出来、従来のエッジ強調形よりも構造
的に安定した位相反転マスクを製作することが出来る。 （２）位相反転層と光遮蔽層との側壁を垂直に形成して
光透過時に、パターンエッジ部分の位相反転効果を最適
化することが出来る。 （３）光遮蔽層の周辺の位相反転層の厚さ及び線幅の調
節を容易にすることが出来る。
な効果が得られる。 （１）不透明層である光遮蔽層を基板のトレンチ内に埋
込形態に形成することにより、位相反転層の欠陥を容易
に修正することが出来、従来のエッジ強調形よりも構造
的に安定した位相反転マスクを製作することが出来る。 （２）位相反転層と光遮蔽層との側壁を垂直に形成して
光透過時に、パターンエッジ部分の位相反転効果を最適
化することが出来る。 （３）光遮蔽層の周辺の位相反転層の厚さ及び線幅の調
節を容易にすることが出来る。
【図１】 従来の位相反転マスクの製造工程図である。
【図２】 従来の位相反転マスクの製造工程図である。
【図３】 従来の位相反転マスクの製造工程図である。
【図４】 図１の光波形図である。
【図５】 図１の光波形図である。
【図６】 本発明の第１実施例による位相反転マスクの
製造工程図である。
製造工程図である。
【図７】 本発明の第１実施例による位相反転マスクの
製造工程図である。
製造工程図である。
【図８】 本発明の第１実施例による位相反転マスクの
製造工程図である。
製造工程図である。
【図９】 本発明の第１実施例による位相反転マスクの
製造工程図である。
製造工程図である。
【図１０】 本発明の第１実施例による位相反転マスク
の製造工程図である。
の製造工程図である。
【図１１】 本発明の第１実施例による位相反転マスク
の製造工程図である。
の製造工程図である。
【図１２】 本発明の第１実施例による位相反転マスク
の製造工程図である。
の製造工程図である。
【図１３】 第１実施例の光波形図である。
【図１４】 第１実施例の光波形図である。
【図１５】 第１実施例の光波形図である。
【図１６】 第１実施例の光波形図である。
【図１７】 第１実施例の光波形図である。
【図１８】 本発明の第２実施例による位相反転マスク
の製造工程図である。
の製造工程図である。
【図１９】 本発明の第２実施例による位相反転マスク
の製造工程図である。
の製造工程図である。
【図２０】 本発明の第２実施例による位相反転マスク
の製造工程図である。
の製造工程図である。
【図２１】 本発明の第２実施例による位相反転マスク
の製造工程図である。
の製造工程図である。
【図２２】 本発明の第２実施例による位相反転マスク
の製造工程図である。
の製造工程図である。
【図２３】 本発明の第２実施例による位相反転マスク
の製造工程図である。
の製造工程図である。
【図２４】 本発明の第２実施例による位相反転マスク
の製造工程図である。
の製造工程図である。
【図２５】 本発明の第２実施例による位相反転マスク
の製造工程図である。
の製造工程図である。
【図２６】 第２実施例の光波形図である。
【図２７】 第２実施例の光波形図である。
【図２８】 第２実施例の光波形図である。
【図２９】 第２実施例の光波形図である。
【図３０】 本発明の第３実施例による位相反転マスク
の製造工程図である。
の製造工程図である。
【図３１】 本発明の第３実施例による位相反転マスク
の製造工程図である。
の製造工程図である。
【図３２】 本発明の第３実施例による位相反転マスク
の製造工程図である。
の製造工程図である。
【図３３】 本発明の第３実施例による位相反転マスク
の製造工程図である。
の製造工程図である。
【図３４】 本発明の第３実施例による位相反転マスク
の製造工程図である。
の製造工程図である。
【図３５】 本発明の第３実施例による位相反転マスク
の製造工程図である。
の製造工程図である。
【図３６】 本発明の第３実施例による位相反転マスク
の製造工程図である。
の製造工程図である。
【図３７】 本発明の第３実施例による位相反転マスク
の製造工程図である。
の製造工程図である。
【図３８】 本発明の第３実施例による位相反転マスク
の製造工程図である。
の製造工程図である。
【図３９】 第３実施例の光波形図である。
【図４０】 第３実施例の光波形図である。
【図４１】 第３実施例の光波形図である。
【図４２】 第３実施例の光波形図である。
【図４３】 本発明の第４実施例による位相反転マスク
の製造工程図である。
の製造工程図である。
【図４４】 本発明の第４実施例による位相反転マスク
の製造工程図である。
の製造工程図である。
【図４５】 本発明の第４実施例による位相反転マスク
の製造工程図である。
の製造工程図である。
【図４６】 本発明の第４実施例による位相反転マスク
の製造工程図である。
の製造工程図である。
【図４７】 本発明の第４実施例による位相反転マスク
の製造工程図である。
の製造工程図である。
【図４８】 本発明の第４実施例による位相反転マスク
の製造工程図である。
の製造工程図である。
【図４９】 第４実施例の光波形図である。
【図５０】 第４実施例の光波形図である。
【図５１】 第４実施例の光波形図である。
【図５２】 第４実施例の光波形図である。
【図５３】 本発明の第５実施例による位相反転マスク
の製造工程図である。
の製造工程図である。
【図５４】 本発明の第５実施例による位相反転マスク
の製造工程図である。
の製造工程図である。
【図５５】 本発明の第５実施例による位相反転マスク
の製造工程図である。
の製造工程図である。
【図５６】 本発明の第５実施例による位相反転マスク
の製造工程図である。
の製造工程図である。
【図５７】 本発明の第５実施例による位相反転マスク
の製造工程図である。
の製造工程図である。
【図５８】 本発明の第５実施例による位相反転マスク
の製造工程図である。
の製造工程図である。
【図５９】 本発明の第５実施例による位相反転マスク
の製造工程図である。
の製造工程図である。
【図６０】 本発明の第５実施例による位相反転マスク
の製造工程図である。
の製造工程図である。
【図６１】 第５実施例の光波形図である。
【図６２】 第５実施例の光波形図である。
【図６３】 第５実施例の光波形図である。
【図６４】 第５実施例の光波形図である。
２１…透明基板、２２，２７…感光膜、２３…トレン
チ、２４…クロム膜、２５…不透明層（光遮蔽層）、２
６…酸化膜、２８…位相反転層、２９…溝、３０…リセ
ス部。
チ、２４…クロム膜、２５…不透明層（光遮蔽層）、２
６…酸化膜、２８…位相反転層、２９…溝、３０…リセ
ス部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−371951（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−289308（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−159969（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03F 1/00 - 1/16
Claims (4)
- 【請求項１】 相互に一定間隔を置いて形成された１つ
以上のトレンチ（２３）を有する透明基板（２１）と、 トレンチ（２３）内に完全に埋め込まれて、基板（２
１）の表面と同一平面を成す不透明層（２５）と、 上記不透明層（２５）上に形成された位相反転層（２
８）とを含み、 上記基板（２１）は、位相反転層（２８）の間に形成さ
れたリセス部（３０）を有する ことを特徴とする位相反
転マスク。 - 【請求項２】 上記不透明層（２５）の幅よりも位相反
転層（２８）の幅が大きいことを特徴とする請求項１記
載の位相反転マスク。 - 【請求項３】 上記リセス部（３０）の幅は、位相反転
層（２８）の間の距離と同一であることを特徴とする請
求項２記載の位相反転マスク。 - 【請求項４】 透明基板（２１）上に有機質感光膜（２
２）を塗布した後、フォトリゾグラフィエッチングし
て、感光膜パターンを形成するステップと、 パターニングされた感光膜（２２）をマスクとして透明
基板（２１）をエッチングし、１つ以上のトレンチ（２
３）を形成するステップと、 基板全面にわたり金属膜（２４）を塗布し、金属膜（２
４）をエッチバックして、トレンチ（２３）内に表面が
基板（２１）の表面と同一平面を成す不透明層（２５）
を形成するステップと、 上記不透明層（２５）上に位相反転層（２８）を形成
し、位相反転層（２８）の間のエッチングされない基板
（２１）を露出させるステップと、 上記位相反転層（２８）の形成後、上記露出された基板
（２１）をエッチングし、位相反転層（２８）の間の基
板（２１）にリセス部（３０）を形成するステップと を
含むことを特徴とする位相反転マスクの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR4218/1994 | 1994-03-04 | ||
| KR1019940004218A KR0151427B1 (ko) | 1994-03-04 | 1994-03-04 | 위상 반전마스크 및 그의 제조방법 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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ID=19378354
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| US5882534A (en) * | 1995-05-17 | 1999-03-16 | Lg Semicon Co., Ltd. | Method for fabricating a multistage phase shift mask |
| KR970048985A (ko) * | 1995-12-26 | 1997-07-29 | 김광호 | 더미 패턴을 가지는 하프톤형 위상 반전 마스크 및 그 제조 방법 |
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| US4360586A (en) * | 1979-05-29 | 1982-11-23 | Massachusetts Institute Of Technology | Spatial period division exposing |
| JPS61173251A (ja) * | 1985-01-28 | 1986-08-04 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスクの製造方法 |
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| JPH073909B2 (ja) * | 1987-09-08 | 1995-01-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザの製造方法 |
| US5153083A (en) * | 1990-12-05 | 1992-10-06 | At&T Bell Laboratories | Method of making phase-shifting lithographic masks |
| JP3161474B2 (ja) * | 1991-06-20 | 2001-04-25 | 凸版印刷株式会社 | 位相シフトマスク及びその製造方法 |
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1994
- 1994-03-04 KR KR1019940004218A patent/KR0151427B1/ko not_active Expired - Fee Related
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- 1994-04-20 DE DE4413821A patent/DE4413821B4/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-09-08 JP JP23970994A patent/JP3359982B2/ja not_active Expired - Fee Related
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