JP3362767B2 - Processing method and processing apparatus - Google Patents
Processing method and processing apparatusInfo
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Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は,例えばLCD基板
や半導体ウェハ等の被処理体に処理液を供給して処理す
る処理方法及び処理装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a processing method and a processing apparatus for supplying a processing liquid to an object to be processed such as an LCD substrate or a semiconductor wafer for processing.
【0002】[0002]
【従来の技術】一般に,液晶表示ディスプレイ(LC
D)装置の製造工程においては,LCD基板(ガラス基
板)上に例えばITO(Indium Tin Oxi
de)の薄膜や電極パターン等を形成するために,半導
体製造工程において用いられるものと同様なフォトリソ
グラフィ技術を用いて回路パターン等を縮小してフォト
レジストに転写し,これを現像処理する一連の処理が施
される。2. Description of the Related Art Generally, a liquid crystal display (LC
D) In the manufacturing process of the device, for example, ITO (Indium Tin Oxi) is formed on the LCD substrate (glass substrate).
In order to form a thin film, electrode pattern, etc. of de), a circuit pattern etc. is reduced using a photolithography technique similar to that used in the semiconductor manufacturing process, transferred to a photoresist, and then developed. Processing is performed.
【0003】例えば,被処理体である矩形状のLCD基
板(ガラス基板)を,洗浄装置にて洗浄した後,LCD
基板にアドヒージョン処理装置にて疎水化処理を施し,
冷却処理装置にて冷却した後,レジスト塗布装置にてフ
ォトレジスト膜すなわち感光膜を塗布形成する。そし
て,フォトレジスト膜を加熱処理装置にて加熱してべー
キング処理を施した後,露光装置にて所定のパターンを
露光し,そして,露光後のLCD基板を現像装置にて現
像液を塗布して現像した後にリンス液により現像液を洗
い流して処理を完了する。For example, after cleaning a rectangular LCD substrate (glass substrate) which is an object to be processed by a cleaning device, the LCD
The substrate is subjected to a hydrophobic treatment with an adhesion treatment device,
After cooling by a cooling processing device, a photoresist film, that is, a photosensitive film is applied and formed by a resist applying device. Then, the photoresist film is heated by a heat treatment device to be subjected to a baking treatment, a predetermined pattern is exposed by an exposure device, and a developing solution is applied to the exposed LCD substrate by a developing device. After development, the developing solution is rinsed with a rinsing solution to complete the process.
【0004】ここで,現像処理は,先ず露光後のLCD
基板の表面にスピンコーティング法やスプレー法等によ
って現像液を供給して現像を行う。次に,LCD基板の
表面にリンス液を供給しながらLCD基板を回転させて
遠心力により現像液を洗い流し,洗浄後,更にLCD基
板を高速で回転させることによりLCD基板を乾燥させ
る処理が行われる。また,LCD基板の表面からリンス
液と一緒に洗い流された現像液を回収して再利用するこ
とにより,資源活用の有効化がはかられている。Here, the developing process is performed by first exposing the LCD after exposure.
Development is performed by supplying a developing solution to the surface of the substrate by a spin coating method, a spray method, or the like. Next, while supplying the rinse liquid to the surface of the LCD substrate, the LCD substrate is rotated to wash away the developing solution by centrifugal force, and after cleaning, the LCD substrate is rotated at a high speed to dry the LCD substrate. . In addition, the developer that has been washed off together with the rinse liquid from the surface of the LCD substrate is collected and reused, so that the utilization of resources is made effective.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら,従来の
この種の現像処理においては,回収される現像液がリン
ス液によって相当に薄められた状態となっているため
に,濃度調整が困難であり,現像液の再利用をはかり難
かった。However, in the conventional developing process of this type, the concentration of the developer is difficult to adjust because the developer to be recovered is considerably diluted by the rinse liquid. It was difficult to reuse the developer.
【0006】本発明は以上のような事情に鑑みてなされ
たもので,被処理体の処理に供された処理液を極端な濃
度低下をさせない状態で回収し,処理液の再生を容易に
させる処理方法及び処理装置を提供することを目的とす
るものである。The present invention has been made in view of the above circumstances, and facilitates the regeneration of the processing liquid by recovering the processing liquid used for the processing of the object to be processed in a state in which the concentration does not drop extremely. It is an object of the present invention to provide a processing method and a processing device .
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に,請求項1の発明は,被処理体を保持して回転させる
スピンチャックの周囲に配置される昇降可能なカップを
有し,さらに前記カップは,カップ内を上下に仕切りか
つその上端部がカップ上端部よりも下方に位置して環状
に配置されたリング壁を有し,前記カップとリング壁は
一体となって上昇下降し,前記カップを上昇下降させる
昇降シリンダは,前記カップの外側面に接続されてお
り,前記カップとは独立しているカップ底面上には外周
壁と,当該外周壁の内側に位置する仕切り壁とが設けら
れ,前記リング壁よりも上方であってカップ上端よりも
下方の空間部が前記外周壁と仕切り壁の間の空間に連通
し,前記リング壁の内側の下方空間部は前記仕切り壁の
内側の空間に連通し,前記外周壁と仕切り壁の間の空間
における前記カップ底面には第1の排液孔が設けられ,
前記仕切り壁の内側の空間における前記カップ底面には
第2の排液孔が設けられている処理装置を使用し,前記
カップ内で被処理体の表面に処理液を供給する処理液供
給工程と,前記カップを上昇させて,前記被処理体の周
囲に前記リング壁よりも下方の空間で形成される回収容
器を配置させる回収容器配置工程と,被処理体を第1の
回転数で回転させることにより被処理体の表面上の処理
液を前記回収容器内に振り切り,前記仕切り壁の内側の
空間に連通する前記第2の排液孔から回収する処理液回
収工程と,前記カップを下降させて,前記リング壁より
も上方でかつカップ上端よりも下方の空間を前記被処理
体の周囲に配置し,前記被処理体の表面に洗浄液を供給
し,被処理体を第2の回転数で回転させることにより被
処理体を洗浄する洗浄工程と,前記被処理体を第3の回
転数で回転させることにより被処理体を乾燥させる乾燥
工程とを有することを特徴とする処理方法である。In order to achieve the above-mentioned object, the invention of claim 1 holds and rotates the object to be processed.
A cup that can be moved up and down around the spin chuck
And further, the cup is divided into upper and lower partitions.
And its upper end is located below the upper end of the cup
Has a ring wall arranged in
Ascend and descend together to raise and lower the cup
The lifting cylinder is connected to the outer surface of the cup.
The outer circumference is on the bottom of the cup, which is independent of the cup.
A wall and a partition wall located inside the peripheral wall are provided.
Above the ring wall and above the cup top
The lower space communicates with the space between the outer peripheral wall and the partition wall.
However, the lower space inside the ring wall is
Space that communicates with the inner space and is between the outer peripheral wall and the partition wall
A first drainage hole is provided on the bottom surface of the cup in
On the bottom surface of the cup in the space inside the partition wall
Using a processing apparatus having a second drain hole , a processing solution supplying step of supplying the processing solution to the surface of the object to be processed in the cup, and raising the cup to move the processing solution. A collection container arranging step of arranging a collection container formed in a space below the ring wall around the object to be processed, and the object to be processed on the surface of the object to be processed by rotating the object to be processed at a first rotation speed. A process liquid recovery step of shaking off the process liquid into the recovery container and recovering it from the second drain hole communicating with the space inside the partition wall, and lowering the cup to remove the process liquid from the ring wall.
The space above and below the top of the cup
A cleaning step of arranging the cleaning object around the body, supplying a cleaning liquid to the surface of the object to be processed, and rotating the object to be processed at a second rotation speed; And a drying step of drying the object to be processed by rotating the object at a rotational speed of.
【0008】この請求項1の処理方法にあっては,先ず
処理液供給工程において,被処理体の表面に処理液を供
給して所定の時間放置することにより,被処理体を処理
する。次に回収容器配置工程において,被処理体の周囲
に回収容器を配置させる。そして処理液回収工程におい
て,先ず,被処理体を第1の回転数で回転させることに
より被処理体の表面上の処理液を遠心力で周囲に落下さ
せ,被処理体の周囲に配置した回収容器内に処理液を回
収する。これにより,まだ極端な濃度低下をさせていな
い状態で処理液を回収することが可能となる。この第1
の回転数は,請求項2に記載したように,例えば50〜
150rpmの範囲とすることができる。そうすれば,
1〜3秒程度の短時間で被処理体の表面上の処理液の殆
どを回収容器内に回収することが可能となる。なお,こ
の処理液回収工程において,請求項3に記載したよう
に,被処理体の表面に洗浄液を供給しても良い。In the treatment method of the first aspect, in the treatment liquid supplying step, the treatment liquid is supplied to the surface of the treatment object and left for a predetermined time to treat the treatment object. Next, in a collection container placement step, a collection container is placed around the object to be processed. Then, in the treatment liquid collecting step, first, the treatment liquid on the surface of the treatment subject is dropped by the centrifugal force to the periphery by rotating the treatment subject at the first rotation speed, and the treatment liquid disposed around the treatment subject is collected. Collect the processing liquid in the container. This makes it possible to collect the treatment liquid in a state where the concentration has not yet been drastically reduced. This first
The number of rotations of is, for example, 50 to 50, as described in claim 2.
It can be in the range of 150 rpm. that way,
Most of the processing liquid on the surface of the object to be processed can be recovered in the recovery container in a short time of about 1 to 3 seconds. In this treatment liquid recovery step, as described in claim 3, the cleaning liquid may be supplied to the surface of the object to be treated.
【0009】 次に,洗浄工程において,被処理体の表
面に洗浄液を供給する。そして,被処理体を第2の回転
数で回転させることにより被処理体を洗浄する。この第
2の回転数は,請求項2に記載したように,例えば10
0〜200rpmの範囲とすることができる。なお,こ
の洗浄工程において,請求項4に記載したように,被処
理体の裏面に洗浄液を供給することによって,裏面洗浄
を同時に行うこともできる。Next, in the cleaning step, a cleaning liquid is supplied to the surface of the object to be processed. Then, the object to be processed is washed by rotating the object to be processed at the second rotation speed. This second number of revolutions is, for example, 10 as described in claim 2.
It can be in the range of 0 to 200 rpm. In this cleaning step, the back surface cleaning can be performed simultaneously by supplying a cleaning liquid to the back surface of the object to be processed as described in claim 4.
【0010】 次に,乾燥工程において,被処理体を第
3の回転数で回転させることにより被処理体を乾燥させ
る。この第3の回転数は,請求項3に記載したように,
例えば1200〜2000rpmの範囲とすることがで
きる。そうすれば,約20秒程度で被処理体の表面を乾
燥させることができるようになる。この乾燥工程におい
て,被処理体を2000rpmを超える回転数で回転さ
せると被処理体の表面から振り切られた洗浄液が飛散し
てミストとなり,被処理体の表面に洗浄液が再付着して
しまう。また,被処理体を1200rpm未満の回転数
で回転させたのでは遅すぎるて乾燥に時間がかかり,処
理時間が長くなってしまう。また請求項5に記載したよ
うに,乾燥工程において,被処理体の表面に乾燥用気体
を供給するようにしても良い。Next, in the drying step, the object to be processed is dried by rotating the object to be processed at the third rotation speed. The third rotation speed is, as described in claim 3,
For example, the range may be 1200 to 2000 rpm. Then, the surface of the object to be processed can be dried in about 20 seconds. In this drying step, when the object to be processed is rotated at a rotational speed exceeding 2000 rpm, the cleaning liquid shaken off from the surface of the object to be processed becomes a mist, and the cleaning liquid reattaches to the surface of the object to be processed. Further, if the object to be processed is rotated at a rotation speed of less than 1200 rpm, it takes too long to dry and the processing time becomes long . Further , as described in claim 5 , a drying gas may be supplied to the surface of the object to be processed in the drying step.
【0011】なお,本発明において,被処理体が例えば
矩形状の基板である場合は,請求項6に記載したよう
に,処理液供給工程において処理液供給手段を被処理体
の短辺方向に移動させながら被処理体の表面に処理液を
供給することが好ましい。そうすれば,処理液供給手段
の移動距離が少なくなって供給時間が短くて済み,処理
の均一化,処理時間の短縮化がはかられるようになる。
また本発明の処理装置は,被処理体を保持して回転させ
るスピンチャックと,前記スピンチャックに保持された
被処理体に処理液を供給する処理液供給ノズルと,前記
スピンチャックに保持された被処理体に洗浄液を供給す
る洗浄液供給ノズルと,前記スピンチャックの周囲に配
置され昇降可能なカップとを有し,前記カップは,カッ
プ内を上下に仕切りかつその上端部がカップ上端部より
も下方に位置して環状に配置されたリング壁を有し,前
記カップとリング壁は一体となって上昇下降し,前記カ
ップを上昇下降させる昇降シリンダは,前記カップの外
側面に接続されており,前記カップとは独立しているカ
ップ底面上には外周壁と,当該外周壁の内側に位置する
仕切り壁とが設けられ,前記リング壁よりも上方であっ
て,カップ上端よりも下方の空間部が前記外周壁と仕切
り壁の間の空間に連通し,前記リング壁の内側の下方空
間部は,前記仕切り壁の内側の空間に連通し,前記外周
壁と仕切り壁の間の空間における前記カップ底面には,
第1の排液孔が設けられ,前記仕切り壁の内側の空間に
おける前記カップ底面には,第2の排液孔が設けられ,
前記被処理体を回転させて被処理体上の処理液を振りき
る際には,前記リング壁をスピンチャック上の被処理体
よりも上方に位置させ,前記洗浄液供給ノズルからの洗
浄液によって被処理体を洗浄する際には,前記リング壁
をスピンチャック上の被処理体よりも下方に位置させ,
かつカップ上端部を前記被処理体の上方に位置させるよ
うに,カップの昇降を制御する制御手段をさらに有する
ことを特徴とするものである。 この場合,前記第2の
排液孔から回収した処理液を,処理液を溜めるタンクに
戻す回収回路を有し,当該回収回路には前記回収した処
理液を再生処理するための再生処理手段を有するように
してもよい。 In the present invention, when the object to be processed is, for example, a rectangular substrate, the processing liquid supply means is arranged in the direction of the short side of the object to be processed in the processing liquid supply step as described in claim 6. It is preferable to supply the treatment liquid to the surface of the object to be treated while moving it. By doing so, the moving distance of the processing liquid supply means is reduced and the supply time is shortened, so that the processing can be made uniform and the processing time can be shortened.
Further, the processing apparatus of the present invention includes a spin chuck that holds and rotates an object to be processed, a processing liquid supply nozzle that supplies a processing liquid to the object to be processed held by the spin chuck, and a spin chuck that is held by the spin chuck. It has a cleaning liquid supply nozzle for supplying a cleaning liquid to the object to be processed, and a cup arranged around the spin chuck and capable of moving up and down. The cup divides the inside of the cup into upper and lower parts, and the upper end portion is higher than the upper end portion of the cup. has arranged ring wall annularly positioned below, before
The cup and ring wall rise and fall together as a unit,
The lifting cylinder that raises and lowers the cup is located outside the cup.
A cup connected to the side and independent of the cup.
It is located on the outer peripheral wall on the bottom surface and inside the outer peripheral wall.
A partition wall is provided, a space portion above the ring wall and below the upper end of the cup communicates with a space between the outer peripheral wall and the partition wall, and a lower space portion inside the ring wall is , Communicating with the space inside the partition wall, the cup bottom surface in the space between the outer peripheral wall and the partition wall,
A first drainage hole is provided, and a second drainage hole is provided on the bottom surface of the cup in the space inside the partition wall .
When the object to be processed is rotated and the processing solution on the object to be processed is shaken off, the ring wall is positioned above the object to be processed on the spin chuck, and the object to be processed is cleaned by the cleaning solution from the cleaning solution supply nozzle. When cleaning the body, position the ring wall below the object to be processed on the spin chuck,
Further, it further comprises control means for controlling the elevation of the cup so that the upper end of the cup is located above the object to be processed.
It is characterized by that. In this case, the second
The processing liquid collected from the drain hole is stored in the tank that stores the processing liquid.
It has a recovery circuit for returning, and the recovery circuit concerned has the recovery process.
To have a reprocessing means for reprocessing the liquid
You may.
【0012】[0012]
【発明の実施の形態】以下,本発明の好ましい実施の形
態を添付図面に基いて説明する。図1は,被処理体とし
てのLCD基板Gをフォトリソグラフィ技術を用いて処
理する処理システムの斜視図である。Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a perspective view of a processing system for processing an LCD substrate G as an object to be processed using a photolithography technique.
【0013】この処理システムは,図1に示すように,
LCD基板G(以下,「基板G」という)を搬入・搬出
するローダ部1と,基板Gの第1の処理部2と,中継部
3を介して第1の処理部2に連設される第2の処理部4
とで主に構成されている。なお,第2の処理部4には受
渡し部5を介してレジスト膜に所定の微細パターンを露
光するための露光装置6が連設可能になっている。上記
ローダ部1は,未処理の基板Gを収容するカセット7及
び処理済みの基板Gを収容するカセット7aを載置させ
るカセット載置台8と,このカセット載置台8上のカセ
ット7,7aとの間で基板Gの搬出入を行うべく水平
(X,Y)方向と垂直(Z)方向の移動及び回転(θ)
可能な基板搬出入ピンセット9とで構成されている。This processing system, as shown in FIG.
A loader unit 1 for loading and unloading an LCD substrate G (hereinafter, referred to as “substrate G”), a first processing unit 2 for the substrate G, and a relay unit 3 are provided to be connected to the first processing unit 2. Second processing unit 4
It is mainly composed of and. An exposure device 6 for exposing a predetermined fine pattern on the resist film can be connected to the second processing unit 4 via the transfer unit 5. The loader unit 1 includes a cassette mounting table 8 on which a cassette 7 containing an unprocessed substrate G and a cassette 7a containing a processed substrate G are mounted, and cassettes 7 and 7a on the cassette mounting table 8. Movement and rotation (θ) in the horizontal (X, Y) direction and the vertical (Z) direction in order to carry in and out the substrate G between
It is composed of possible substrate loading / unloading tweezers 9.
【0014】上記第1の処理部2は,X,Y,Z方向の
移動及びθ方向に回転可能なメインアーム10の搬送路
11の一方の側に,基板Gをブラシ洗浄するブラシ洗浄
装置12と,基板Gを高圧ジェット水で洗浄するジェッ
ト水洗浄装置13と,基板Gの表面を疎水化処理するア
ドヒージョン処理装置14と,基板Gを所定温度に冷却
する冷却処理装置15とを配置し,搬送路11の他方の
側に,レジスト塗布装置16及び塗布膜除去装置17を
配置してなる。The first processing section 2 has a brush cleaning device 12 for cleaning the substrate G with a brush on one side of the transfer path 11 of the main arm 10 which is movable in the X, Y and Z directions and rotatable in the θ direction. And a jet water cleaning device 13 for cleaning the substrate G with high-pressure jet water, an adhesion processing device 14 for hydrophobicizing the surface of the substrate G, and a cooling processing device 15 for cooling the substrate G to a predetermined temperature. A resist coating device 16 and a coating film removing device 17 are arranged on the other side of the transport path 11.
【0015】一方,上記第2の処理部4は,第1の処理
部2と同様に,X,Y,Z方向の移動及びθ方向に回転
可能なメインアーム10aを有し,このメインアーム1
0aの搬送路11aの一方の側に,レジスト液塗布の前
後で基板Gを加熱してプリベーク又はポストベークを行
う加熱処理装置18を配置し,搬送路11aの他方の側
に,この発明方法を実施するための現像装置20を配置
している。On the other hand, similar to the first processing section 2, the second processing section 4 has a main arm 10a which is movable in the X, Y and Z directions and rotatable in the θ direction.
A heat treatment device 18 for heating the substrate G before and after applying the resist solution to perform pre-baking or post-baking is disposed on one side of the transport path 11a of 0a, and the method of the present invention is provided on the other side of the transport path 11a. The developing device 20 for carrying out is arranged.
【0016】上記受渡し部5には,基板Gを一時待機さ
せるためのカセット19aと,このカセット19aとの
間で基板Gの出入れを行う搬送用ピンセット19bと,
基板Gの受渡し台19cが設けられている。なお,これ
ら第1の処理部2及び第2の処理部4の構成,各種装置
の配列等は適宜変更することが可能である。In the delivery section 5, a cassette 19a for temporarily holding the substrate G, and a pair of tweezers 19b for carrying the substrate G in and out of the cassette 19a,
A delivery table 19c for the substrate G is provided. The configurations of the first processing unit 2 and the second processing unit 4, the arrangement of various devices, and the like can be appropriately changed.
【0017】上記のように構成される処理システムにお
いて,カセット7内に収容された未処理の基板Gはロー
ダ部1の機出入ピンセット9によって取出された後,第
1の処理部2のメインアーム10に受け渡され,そし
て,ブラシ洗浄装置12内に搬送される。このブラシ洗
浄装置12内にてブラシ洗浄された基板Gは必要に応じ
てジェット水洗浄装置13内にて高圧ジェット水により
洗浄される。この後,基板Gは,アドヒージョン処理装
置14にて疎水化処理が施され,冷却処理装置15にて
冷却された後,レジスト塗布装置16にてフォトレジス
ト膜すなわち感光膜が塗布形成され,引続いて塗布膜除
去装置17によって基板Gの周辺部の不要なレジスト膜
が除去される。そして,このフォトレジスト膜が加熱処
理装置18にて加熱されてべーキング処理が施された
後,露光装置6にて所定のパターンが露光される。そし
て,露光後の基板Gは現像装置20内へ搬送され,現像
液により現像された後にリンス液により現像液を洗い流
し,現像処理を完了する。In the processing system configured as described above, the unprocessed substrate G accommodated in the cassette 7 is taken out by the loading / unloading tweezers 9 of the loader unit 1, and then the main arm of the first processing unit 2 is used. It is transferred to the brush cleaning device 12 and transferred to the brush cleaning device 12. The substrate G brush-cleaned in the brush cleaning device 12 is cleaned in the jet water cleaning device 13 with high-pressure jet water as needed. After that, the substrate G is subjected to a hydrophobic treatment by the adhesion processing device 14 and cooled by the cooling processing device 15, and then a photoresist film, that is, a photosensitive film is applied and formed by the resist applying device 16, and subsequently, Then, the unnecessary resist film on the peripheral portion of the substrate G is removed by the coating film removing device 17. Then, after the photoresist film is heated by the heat treatment device 18 to be subjected to baking treatment, a predetermined pattern is exposed by the exposure device 6. Then, the exposed substrate G is conveyed into the developing device 20, and after being developed with the developing solution, the developing solution is washed away with the rinse solution to complete the developing process.
【0018】現像処理された処理済みの基板Gはローダ
部1のカセット7a内に収容された後に,搬出されて次
の処理工程に向けて移送される。The developed and processed substrate G is housed in the cassette 7a of the loader unit 1 and then carried out and transferred to the next processing step.
【0019】次に,上記処理システムに組み込まれた現
像装置20の構成について説明する。図2は現像装置2
0の構成を説明するための概略的な正面図であり,図3
は現像装置20の平面図である。Next, the structure of the developing device 20 incorporated in the above processing system will be described. FIG. 2 shows the developing device 2.
3 is a schematic front view for explaining the configuration of FIG.
FIG. 3 is a plan view of the developing device 20.
【0020】これら図2及び図3に示すように,この現
像装置20は,基板Gを真空吸着によって保持して回転
させるスピンチャック21と,このスピンチャック21
と基板Gを包囲するように配置された,上面が開口した
円筒形状のカップ22を備えている。基板Gは,図3に
示すように,平面視で例えば長辺の長さがL1,短辺の
長さがL2の矩形状をなしている。スピンチャック21
は,モータ25の回転軸26の上端に支持されており,
モータ25の稼働によってスピンチャック21が回転す
ることにより,基板Gを回転させる構成になっている。
モータ25は制御手段27によって制御されており,こ
の制御手段27の制御により,基板Gの回転量と回転数
が任意に設定されるようになっている。As shown in FIGS. 2 and 3, the developing device 20 includes a spin chuck 21 for holding and rotating the substrate G by vacuum suction, and a spin chuck 21 for rotating the spin chuck 21.
And a cylindrical cup 22 having an open upper surface, which is arranged so as to surround the substrate G. As shown in FIG. 3, the substrate G has a rectangular shape with a long side length of L1 and a short side length of L2 in a plan view. Spin chuck 21
Is supported on the upper end of the rotary shaft 26 of the motor 25,
The rotation of the spin chuck 21 by the operation of the motor 25 causes the substrate G to rotate.
The motor 25 is controlled by the control means 27, and the amount of rotation and the number of rotations of the substrate G are arbitrarily set by the control of the control means 27.
【0021】スピンチャック21及び基板Gを包囲する
カップ22は,昇降可能に支持されており,図2に示す
昇降シリンダ30のピンストンロッド31がブラケット
32を介してカップ22の外側面に接続されることによ
り,昇降シリンダ30の伸張稼働に伴ってカップ22が
昇降させられるようになっている。この昇降シリンダ3
0の稼働は,先に説明した制御手段27によって制御さ
れている。The cup 22 surrounding the spin chuck 21 and the substrate G is supported so as to be able to move up and down, and the pinston rod 31 of the lifting cylinder 30 shown in FIG. 2 is connected to the outer surface of the cup 22 via a bracket 32. As a result, the cup 22 is moved up and down as the lifting cylinder 30 is extended. This lifting cylinder 3
The operation of 0 is controlled by the control means 27 described above.
【0022】カップ22の上端は,内方に傾斜する傾斜
面33に形成されており,また,カップ22の内周面に
は,カップ22内を上下に区切るように環状に配置され
た,内方に傾斜するリング壁34が設けられている。そ
してカップ22の内部において,このリング壁34より
も下方の空間が,後述するように基板G表面から現像液
を回収する際に基板Gの周囲に配置させられる回収容器
35になっており,また,リング壁34よりも上方であ
って傾斜面33よりも下方の空間が,後述するように基
板Gを洗浄及び乾燥させる際に基板Gの周囲に配置させ
られるケーシングカバー36になっている。前述の昇降
シリンダ30の短縮稼働によってカップ22を下降させ
た場合は,図2の実線34で示すようにリング壁34が
スピンチャック21上に保持された基板Gよりも下方の
位置に移動し,これにより,ケーシングカバー36が基
板Gの周囲に配置した状態となる。一方,昇降シリンダ
30が伸張稼働してカップ22を上昇させた場合は,図
2の二点鎖線34’で示すようにリング壁34がスピン
チャック21上に保持された基板Gよりも上方の位置に
移動し,これにより,回収容器35が基板Gの周囲に配
置した状態となる。The upper end of the cup 22 is formed on an inwardly inclined surface 33, and the inner peripheral surface of the cup 22 is annularly arranged so as to vertically divide the inside of the cup 22. A ring wall 34 that slopes toward one side is provided. Inside the cup 22, a space below the ring wall 34 serves as a recovery container 35 that is arranged around the substrate G when recovering the developer from the surface of the substrate G, as described later. A space above the ring wall 34 and below the inclined surface 33 serves as a casing cover 36 that is arranged around the substrate G when the substrate G is washed and dried as described later. When the cup 22 is lowered by the shortening operation of the elevating cylinder 30 described above, the ring wall 34 moves to a position below the substrate G held on the spin chuck 21 as shown by the solid line 34 in FIG. As a result, the casing cover 36 is placed around the substrate G. On the other hand, when the lifting cylinder 30 is extended and the cup 22 is lifted, the ring wall 34 is positioned above the substrate G held on the spin chuck 21 as shown by the chain double-dashed line 34 'in FIG. To the state where the recovery container 35 is arranged around the substrate G.
【0023】カップ22の底面40上には環状の外周壁
41と,この外周壁41の内側に所定の間隔を持って配
置された仕切り壁42が設けられており,先に説明した
ケーシングカバー36内の雰囲気がこれら外周壁41と
仕切り壁42の間の空間に連通し,回収容器35内の雰
囲気が仕切り壁42よりも内側の空間に連通するように
構成されている。また,カップ22の底面40下方に
は,これら外周壁41と仕切り壁42の間の空間に連通
する排液孔43と,仕切り壁42よりも内側の空間に連
通する排液孔44が設けられている。また,カップ22
の底面40のほぼ中央には,スピンチャック21によっ
て吸着保持された基板Gの裏面に向かって洗浄液として
例えば純水を供給する裏面洗浄ノズル45が複数箇所に
設けられている。On the bottom surface 40 of the cup 22, there are provided an annular outer peripheral wall 41 and a partition wall 42 arranged inside the outer peripheral wall 41 with a predetermined interval, and the casing cover 36 described above is provided. The atmosphere inside communicates with the space between the outer peripheral wall 41 and the partition wall 42, and the atmosphere inside the recovery container 35 communicates with the space inside the partition wall 42. Further, below the bottom surface 40 of the cup 22, a drainage hole 43 that communicates with the space between the outer peripheral wall 41 and the partition wall 42 and a drainage hole 44 that communicates with the space inside the partition wall 42 are provided. ing. Also, the cup 22
Around the center of the bottom surface 40 of the above, back surface cleaning nozzles 45 for supplying, for example, pure water as a cleaning liquid toward the back surface of the substrate G sucked and held by the spin chuck 21 are provided at a plurality of positions.
【0024】また,カップ22の上方には,スピンチャ
ック21によって吸着保持された基板Gの表面中央に洗
浄液として例えば純水を供給する洗浄液供給ノズル50
と,同様に基板Gの表面中央に乾燥用気体としてN2ガ
ス等の不活性ガスなどを供給する乾燥用気体供給ノズル
51が配置されている。これら洗浄液供給ノズル50及
び乾燥用気体供給ノズル51の作動も,先に説明した制
御手段27によって制御されている。Further, above the cup 22, a cleaning liquid supply nozzle 50 for supplying, for example, pure water as a cleaning liquid to the center of the surface of the substrate G sucked and held by the spin chuck 21.
Similarly, a drying gas supply nozzle 51 for supplying an inert gas such as N 2 gas as a drying gas is arranged in the center of the surface of the substrate G. The operations of the cleaning liquid supply nozzle 50 and the drying gas supply nozzle 51 are also controlled by the control means 27 described above.
【0025】更に,カップ22の上方側方(図2,3に
おいて右側方)には,スピンチャック21によって吸着
保持された基板Gの表面に対して処理液として現像液を
供給する現像液供給ノズル55が配置されており,この
現像液供給ノズル55は,図示しない駆動機構によっ
て,カップ22の上方を横切って移動させられるように
構成されている。また,現像液供給ノズル55には,タ
ンク56内に溜められた現像液をポンプ57の稼働によ
って送液する送液回路58が接続されている。図4に示
すように,現像液供給ノズル55の下面には全幅に渡っ
て現像液の吐出口59が密に並んだ状態で多数設けられ
ており,ポンプ57の稼働によってタンク56内に溜め
られた現像液が送液回路58を介して送液されることに
より,これら吐出口59から現像液を隙間のない状態で
膜状に吐き出すことができるようになっている。なお,
このポンプ57の稼働も,先に説明した制御手段27に
よって制御されており,制御手段27の制御によって現
像液の吐き出すタイミングが任意に設定されるようにな
っている。Further, on the upper side of the cup 22 (on the right side in FIGS. 2 and 3), a developing solution supply nozzle for supplying a developing solution as a processing solution to the surface of the substrate G sucked and held by the spin chuck 21. 55 is arranged, and the developing solution supply nozzle 55 is configured to be moved across the upper portion of the cup 22 by a drive mechanism (not shown). Further, to the developing solution supply nozzle 55, a solution sending circuit 58 for sending the developing solution stored in the tank 56 by operating a pump 57 is connected. As shown in FIG. 4, a large number of developing solution discharge ports 59 are closely arranged over the entire width on the lower surface of the developing solution supply nozzle 55 and are accumulated in the tank 56 by the operation of the pump 57. By sending the developing solution through the solution sending circuit 58, the developing solution can be discharged from these discharge ports 59 in a film shape without a gap. In addition,
The operation of the pump 57 is also controlled by the control means 27 described above, and the timing for discharging the developing solution is set arbitrarily by the control of the control means 27.
【0026】また,現像液供給ノズル55の長さLは,
基板Gの長辺の長さL1よりも長く形成されているので
(L>L1),先に説明したように,現像液供給ノズル
55下面の多数の吐出口59から膜状に現像液を吐き出
しながら現像液供給ノズル55をカップ22の上方を横
切るように移動させれば,基板Gの表面全体に現像液を
むら無く供給できるようになる。The length L of the developing solution supply nozzle 55 is
Since the substrate G is formed to be longer than the long side length L1 (L> L1), as described above, the developing solution is discharged in a film form from the large number of ejection ports 59 on the lower surface of the developing solution supply nozzle 55. On the other hand, by moving the developing solution supply nozzle 55 so as to cross over the cup 22, the developing solution can be uniformly supplied to the entire surface of the substrate G.
【0027】また図2に示すように,現像液を溜めてい
るタンク56と,先に説明したカップ22の底面40の
仕切り壁42よりも内側の空間に連通している排液孔4
4の間には,後述するように,回収容器35によって基
板G表面から回収した現像液をタンク56内に戻すため
の回収回路60が接続されている。この回収回路60の
途中には,回収容器35によって回収した現像液を再生
処理するための再生処理手段61が設けられている。再
生処理手段61は,回収した現像液中から気泡を取り除
く気液分離機構62と現像液中の不純物を除去するフィ
ルタ63とで構成されている。Further, as shown in FIG. 2, the tank 56 for storing the developing solution and the drain hole 4 communicating with the space inside the partition wall 42 of the bottom surface 40 of the cup 22 described above.
A recovery circuit 60 for returning the developer recovered from the surface of the substrate G by the recovery container 35 to the inside of the tank 56 is connected between 4 and 4, as described later. In the middle of the recovery circuit 60, a regeneration processing means 61 for regenerating the developer recovered by the recovery container 35 is provided. The regeneration processing means 61 is composed of a gas-liquid separation mechanism 62 for removing bubbles from the collected developer and a filter 63 for removing impurities in the developer.
【0028】さて,この現像装置20における処理工程
を図5に示すフローチャートに従って説明すると,次の
ようになっている。即ち,先ず図1で説明した処理シス
テムのメインアーム10aが現像装置20内に進入し,
基板Gが現像装置20内に搬入される(S1)。そし
て,基板Gはスピンチャック21上にしっかりと吸着保
持された状態となる。基板Gをスピンチャック21上に
受け渡した後,メインアーム10aは,現像装置20外
に退出する。The process steps in the developing device 20 will be described below with reference to the flowchart shown in FIG. That is, first, the main arm 10a of the processing system described in FIG. 1 enters the developing device 20,
The substrate G is carried into the developing device 20 (S1). Then, the substrate G is firmly adsorbed and held on the spin chuck 21. After passing the substrate G onto the spin chuck 21, the main arm 10a retreats out of the developing device 20.
【0029】次に,制御手段27の制御によってモータ
25が適宜稼働してスピンチャック21上の基板Gを所
望の角度だけ回転させ,図3の二点鎖線G”で示したよ
うに,基板Gの長辺が現像液供給ノズル55と平行にな
るように基板Gの方向合わせを行う(S2)。Next, the motor 25 is appropriately operated by the control of the control means 27 to rotate the substrate G on the spin chuck 21 by a desired angle, and as shown by the chain double-dashed line G "in FIG. The direction of the substrate G is aligned so that the long side of is parallel to the developing solution supply nozzle 55 (S2).
【0030】次に,図示しない駆動機構により現像液供
給ノズル55がカップ22の上方を横切るように移動を
開始する。そして,この移動中に現像液供給ノズル55
下面に設けられた多数の吐出口59から膜状に現像液を
吐き出し,基板Gの表面全体に現像液を供給する(S
3)。そして,所定の時間放置することにより,基板G
表面の現像処理が行われる(S4)。Next, the drive mechanism (not shown) starts the movement of the developing solution supply nozzle 55 so as to cross the upper portion of the cup 22. During this movement, the developer supply nozzle 55
The developing solution is discharged in a film form from a large number of ejection ports 59 provided on the lower surface, and the developing solution is supplied to the entire surface of the substrate G (S
3). Then, by leaving it for a predetermined time, the substrate G
The surface is developed (S4).
【0031】ここで,先に工程S2において基板Gの長
辺が現像液供給ノズル55と平行になるように基板Gの
方向合わせが既に行われているので,工程S3において
は,現像液供給ノズル55は基板Gの短辺方向に沿って
移動しながら基板Gの表面に現像液を供給することにな
る。従って,現像液供給ノズル55による現像液の吐き
出しのタイミングは,現像液供給ノズル55が基板Gの
上方に位置している最中の短辺方向に沿って移動してい
る間にのみ行うように制御すればよい。この現像液の吐
き出しタイミングの制御は,先に説明した制御手段27
によりポンプ57の稼働を制御することによって行われ
る。Here, since the orientation of the substrate G has already been performed in the step S2 so that the long side of the substrate G is parallel to the developing solution supply nozzle 55, the developing solution supply nozzle is formed in the step S3. 55 supplies the developing solution to the surface of the substrate G while moving along the short side direction of the substrate G. Therefore, the timing for discharging the developing solution by the developing solution supply nozzle 55 should be set only while the developing solution supply nozzle 55 is moving along the short side direction while the developing solution supply nozzle 55 is located above the substrate G. You can control it. The control of the discharge timing of the developing solution is performed by the control means 27 described above.
Is performed by controlling the operation of the pump 57.
【0032】なお,図3,4に示したように,現像液供
給ノズル55の長さLは,基板Gの長辺の長さL1より
も長く形成されているので,現像液供給ノズル55を基
板Gの上方に一度だけ移動させて吐出口59から現像液
の吐き出しを行えば,膜状に吐き出した現像液を基板G
表面にむら無く供給することができるようになる。従っ
て,現像液供給ノズル55が基板Gの短辺の長さL2を
移動する間だけ,吐出口59から現像液を吐き出せば十
分であり,現像液の供給時間が短くて済み,現像処理の
均一化をはかることができる。また,現像液供給ノズル
55の移動距離も少なくでき,現像処理時間の短縮化を
はかることができる。As shown in FIGS. 3 and 4, since the length L of the developing solution supply nozzle 55 is longer than the length L1 of the long side of the substrate G, the developing solution supply nozzle 55 is When the developing solution is discharged from the discharge port 59 by moving it once above the substrate G, the developing solution discharged in the form of a film is formed on the substrate G.
It becomes possible to supply it evenly on the surface. Therefore, it is sufficient to discharge the developing solution from the ejection port 59 only while the developing solution supply nozzle 55 moves along the length L2 of the short side of the substrate G, and the developing solution supply time can be shortened, so that the developing process can be performed uniformly. Can be changed. Further, the moving distance of the developing solution supply nozzle 55 can be shortened, and the development processing time can be shortened.
【0033】例えば,図3において実線Gで示したよう
に,基板Gの長辺が現像液供給ノズル55と直角になっ
た状態で現像液供給ノズル55を移動させて現像液を供
給する場合は,現像液供給ノズル55は基板Gの長辺方
向に沿って移動することとなる。この場合は,現像液供
給ノズル55が基板Gの長辺の長さL1を移動する間
中,吐出口59から現像液を吐き出し続けなければなら
ない。そして,現像液供給ノズル55の移動距離が長く
なったことに伴って現像液の供給時間も長くしなければ
ならなくなる。このため,基板G表面において,現像液
が早く供給された箇所では現像液との接触時間が長くな
り,現像液が遅く供給された箇所では現像液との接触時
間が短くなって,現像液との接触時間の長短が部分的に
大きく生じてしまい,均一な現像処理が行い難くなって
しまう。例えば,液晶ディスプレイ用のガラス基板にパ
ターン形成などを行う場合,現像液との接触時間が部分
的に異なると,基板G表面の線幅特性が劣化し,現像パ
ターンの太い部分と現像パターンの細い部分が生じてし
まうことになる。一方,基板G表面における現像液との
接触時間を全体的になるべく均一にさせるために,現像
液供給ノズル55の移動速度を早くすることも考えられ
る。しかしそうすると,吐出口59から膜状に吐き出し
た現像液を基板G表面全体にむら無く供給することが困
難になり,均一な液盛りができなくなってしまう。更
に,現像液供給ノズル55を基板Gの長辺方向に沿って
移動させると,現像液供給ノズル55の移動距離もそれ
だけ長くなるので,現像処理時間の短縮化をはかり難
い。For example, as shown by the solid line G in FIG. 3, when the developing solution supply nozzle 55 is moved to supply the developing solution in a state where the long side of the substrate G is perpendicular to the developing solution supply nozzle 55, The developing solution supply nozzle 55 moves along the long side direction of the substrate G. In this case, the developing solution must be continuously ejected from the ejection port 59 while the developing solution supply nozzle 55 moves along the long side length L1 of the substrate G. Then, as the moving distance of the developer supply nozzle 55 becomes longer, the supply time of the developer also has to be lengthened. For this reason, on the surface of the substrate G, the contact time with the developing solution becomes longer at the portion where the developing solution is supplied earlier, and the contact time with the developing solution becomes shorter at the section where the developing solution is supplied later, so The length of contact time is greatly increased locally, which makes it difficult to perform uniform development processing. For example, when a pattern is formed on a glass substrate for a liquid crystal display and the contact time with the developing solution is partially different, the line width characteristic of the surface of the substrate G is deteriorated and the thick portion of the developing pattern and the thin portion of the developing pattern are thin. There will be some parts. On the other hand, in order to make the contact time with the developing solution on the surface of the substrate G as uniform as possible as a whole, it is possible to increase the moving speed of the developing solution supply nozzle 55. However, in that case, it becomes difficult to uniformly supply the developer discharged in a film form from the discharge port 59 to the entire surface of the substrate G, and it becomes impossible to form a uniform liquid volume. Furthermore, if the developing solution supply nozzle 55 is moved along the long side direction of the substrate G, the moving distance of the developing solution supply nozzle 55 also becomes longer, and it is difficult to shorten the development processing time.
【0034】これに対し,本発明の実施の形態で説明し
たように,現像液供給ノズル55を基板Gの短辺方向に
沿って移動させて現像液の供給を行うようにすれば,現
像液供給ノズル55を基板Gの長辺方向に沿って移動さ
せた場合に比べて,現像液の供給時間を相当に短時間に
することができ,現像液との接触時間が全体的にほぼ等
しくなるので,現像処理が均一になって基板G表面の線
幅特性が優れるといった利点がある。また,現像液供給
ノズル55の移動距離も少なくできるので,処理時間も
短かくできるようになる。On the other hand, as described in the embodiment of the present invention, if the developing solution supply nozzle 55 is moved along the short side direction of the substrate G to supply the developing solution, the developing solution is supplied. Compared with the case where the supply nozzle 55 is moved along the long side direction of the substrate G, the supply time of the developing solution can be considerably shortened, and the contact time with the developing solution becomes almost equal. Therefore, there is an advantage that the development processing becomes uniform and the line width characteristics on the surface of the substrate G are excellent. Further, since the moving distance of the developing solution supply nozzle 55 can be shortened, the processing time can be shortened.
【0035】次に現像処理が終了すると,先ず図2で説
明した昇降シリンダ30の伸張稼働によりカップ22が
上昇する。これにより,図2中の二点鎖線34’で示し
たようにリング壁34がスピンチャック21上に保持さ
れた基板Gよりも上方の位置に移動し,回収容器35が
基板Gの周囲に配置された状態となる。そして,カップ
22上方の洗浄液供給ノズル50から基板Gの表面中央
に向かって洗浄液としての例えば純水の供給が開始す
る。また,制御手段27の制御によってモータ25を稼
働させ,スピンチャック21上に保持された基板Gを第
1の回転数で回転させる。これにより,基板G上に液盛
りされていた現像液を,まだ極端な濃度低下を生じさせ
ていない状態で遠心力により先に周囲に振り切り,回収
容器35内に回収する(S5)。When the developing process is completed, first, the cup 22 is raised by the extension operation of the elevating cylinder 30 described with reference to FIG. As a result, the ring wall 34 moves to a position above the substrate G held on the spin chuck 21 as shown by the chain double-dashed line 34 ′ in FIG. 2, and the recovery container 35 is arranged around the substrate G. It will be in the state of being. Then, for example, pure water as a cleaning liquid starts to be supplied from the cleaning liquid supply nozzle 50 above the cup 22 toward the center of the surface of the substrate G. Further, the motor 25 is operated under the control of the control means 27 to rotate the substrate G held on the spin chuck 21 at the first rotation speed. As a result, the developing solution accumulated on the substrate G is first shaken off by the centrifugal force and collected in the collecting container 35 in a state where the concentration is not drastically reduced (S5).
【0036】この工程S5において基板Gを回転させる
ための第1の回転数は,例えば50〜150rpmの範
囲とすることができる。そうすれば,1〜3秒程度の短
時間で現像液の殆どを遠心力により基板Gの周囲に振り
切って先に回収容器35内に回収することが可能とな
る。こうして回収容器35内に回収された現像液は,ま
だ洗浄液がそれほど混入していないので,極端な濃度低
下は生じていない状態である。そして回収した現像液
は,カップ22の底面40に設けられた排液孔44に接
続されている回収回路60を介して送液され,再生処理
手段61にて気泡除去及び濾過された現像液がタンク5
6内にそのまま戻されることになる。このように,回収
容器35内に回収した現像液を濃度調整を行うことなく
タンク56内にそのまま戻すことができるので,現像液
の再利用を容易に行うことができるようになる。The first number of rotations for rotating the substrate G in this step S5 can be set in the range of 50 to 150 rpm, for example. Then, in a short time of about 1 to 3 seconds, most of the developing solution can be shaken off to the periphery of the substrate G by the centrifugal force and collected in the collecting container 35 first. The developer collected in the collecting container 35 in this way is in a state in which the cleaning solution is not mixed so much so that the concentration is not drastically reduced. Then, the collected developing solution is sent through a collecting circuit 60 connected to a drainage hole 44 provided on the bottom surface 40 of the cup 22, and the developing solution whose bubbles are removed and filtered by the regeneration processing means 61 is discharged. Tank 5
It will be returned to 6 as it is. In this way, the developer collected in the collecting container 35 can be returned as it is to the tank 56 without adjusting the concentration, so that the developer can be reused easily.
【0037】次に,この工程S5において1〜3秒程度
の時間基板Gを第1の回転数で回転させて現像液を回収
した後においても,カップ22上方の洗浄液供給ノズル
50から基板Gの表面中央に向かって洗浄液としての純
水を供給し続ける。そして,制御手段27の制御によっ
てモータ25の稼働量を変化させ,スピンチャック21
上に保持された基板Gを第2の回転数で回転させる。こ
のように,基板G表面に洗浄液を連続的に供給し続けな
がら,その洗浄液を遠心力により周囲に振り切ることに
より,基板Gの洗浄を行う(S6)。Next, in this step S5, even after the substrate G is rotated at the first rotation speed for about 1 to 3 seconds to collect the developer, the substrate G is removed from the cleaning liquid supply nozzle 50 above the cup 22. Pure water as a cleaning liquid is continuously supplied toward the center of the surface. Then, the operating amount of the motor 25 is changed by the control of the control means 27, and the spin chuck 21
The substrate G held above is rotated at the second rotation speed. In this way, the substrate G is cleaned by continuously supplying the cleaning liquid to the surface of the substrate G and shaking the cleaning liquid around by the centrifugal force (S6).
【0038】この工程S6において基板Gを回転させる
ための第2の回転数は,例えば100〜200rpmの
範囲とすることができる。そうすれば,例えば約18秒
程度で基板Gを洗浄できるようになる。また,この工程
S6においては前述の昇降シリンダ30の短縮稼働によ
ってカップ22を下降させる。これにより,図2中の実
線34で示したようにリング壁34をスピンチャック2
1上に保持された基板Gよりも下方の位置に移動させ,
ケーシングカバー36を基板Gの周囲に配置させる。こ
れにより,基板G上から遠心力で周囲に振り切られた洗
浄液は,ケーシングカバー36によって捕捉される。そ
して捕捉された現像液は,カップ22の底面40に設け
られた排液孔43を経て,適宜廃棄されることとなる。The second number of revolutions for rotating the substrate G in this step S6 can be set in the range of 100 to 200 rpm, for example. Then, the substrate G can be cleaned in about 18 seconds, for example. Further, in this step S6, the cup 22 is lowered by the shortening operation of the lifting cylinder 30 described above. As a result, as shown by the solid line 34 in FIG.
1 is moved to a position lower than the substrate G held on 1,
The casing cover 36 is arranged around the substrate G. As a result, the cleaning liquid shaken off from the substrate G by the centrifugal force is captured by the casing cover 36. Then, the captured developer is appropriately discarded through the drain hole 43 provided on the bottom surface 40 of the cup 22.
【0039】また,この工程S6において,図2で説明
した裏面洗浄ノズル45から基板Gの裏面に向かって洗
浄液として例えば純水を供給し,裏面洗浄も同時に行
う。なお,このように裏面洗浄に費やされた洗浄液も遠
心力によって周囲に振り切られ,ケーシングカバー36
によって捕捉されて,排液孔43から適宜廃棄されるこ
ととなる。Further, in this step S6, for example, pure water is supplied as a cleaning liquid from the back surface cleaning nozzle 45 described in FIG. 2 toward the back surface of the substrate G, and back surface cleaning is also performed at the same time. Note that the cleaning liquid thus spent on the back surface cleaning is also shaken off by the centrifugal force, and the casing cover 36
It is captured by and is appropriately discarded from the drainage hole 43.
【0040】次に,この工程S6において約18秒程度
の時間基板Gを第2の回転数で回転させて現像液を洗い
流した後,カップ22上方の洗浄液供給ノズル50から
の洗浄液の供給を停止する。そして,カップ22上方の
乾燥用気体供給ノズル51から基板Gの表面中央に向か
って乾燥用気体としてN2ガス等の不活性ガスなどの供
給を開始する。また,制御手段27の制御によってモー
タ25の稼働量を変化させ,スピンチャック21上に保
持された基板Gを第3の回転数で回転させる。このよう
に,基板G表面に乾燥用気体を連続的に供給し続けなが
ら,基板Gを第3の回転数で回転させることにより,基
板Gの乾燥を行う(S7)。Next, in step S6, the substrate G is rotated at the second rotational speed for about 18 seconds to wash away the developing solution, and then the supply of the cleaning solution from the cleaning solution supply nozzle 50 above the cup 22 is stopped. To do. Then, supply of an inert gas such as N 2 gas as a drying gas is started from the drying gas supply nozzle 51 above the cup 22 toward the center of the surface of the substrate G. Further, the operating amount of the motor 25 is changed by the control of the control means 27, and the substrate G held on the spin chuck 21 is rotated at the third rotation speed. In this way, the substrate G is dried by continuously rotating the substrate G at the third rotation speed while continuously supplying the drying gas to the surface of the substrate G (S7).
【0041】この工程S7において基板Gを回転させる
ための第3の回転数は,例えば1200〜2000rp
mの範囲とすることができる。そうすれば,約20秒程
度で基板Gの表面を乾燥させることができるようにな
る。この工程S7において,基板Gを2000rpmを
超える回転数で回転させると基板Gの表面から振り切ら
れた洗浄液が飛散してミストとなり,基板Gの表面に洗
浄液が再付着してしまう。また,基板Gを1200rp
m未満の回転数で回転させたのでは遅すぎて乾燥に時間
がかかり,処理時間が長くなってしまう。In this step S7, the third rotation speed for rotating the substrate G is, for example, 1200 to 2000 rp.
It can be in the range of m. Then, the surface of the substrate G can be dried in about 20 seconds. In this step S7, when the substrate G is rotated at a rotational speed exceeding 2000 rpm, the cleaning liquid shaken off from the surface of the substrate G is scattered and becomes a mist, and the cleaning liquid is reattached to the surface of the substrate G. In addition, the substrate G is 1200 rp
If it is rotated at a rotation speed of less than m, it takes too long to dry and the processing time becomes long.
【0042】次に,この工程S7において約20秒程度
の時間基板Gを第3の回転数で回転させて乾燥させた
後,カップ22上方の乾燥用気体供給ノズル51からの
乾燥用気体の供給を停止する。また,制御手段27の制
御によってモータ25の稼働も停止し,スピンチャック
21上に保持された基板Gの回転を止める。これによ
り,現像装置20における処理が終了する(S8)。Next, in this step S7, the substrate G is rotated at the third rotation speed for about 20 seconds to dry, and then the drying gas is supplied from the drying gas supply nozzle 51 above the cup 22. To stop. The operation of the motor 25 is also stopped by the control of the control means 27, and the rotation of the substrate G held on the spin chuck 21 is stopped. This completes the processing in the developing device 20 (S8).
【0043】次に,図1で説明した処理システムのメイ
ンアーム10aが現像装置20内に進入する。そして,
スピンチャック21上に保持された基板Gがメインアー
ム10a上に受け渡される。その後,メインアーム10
aが現像装置20外に退出することにより,基板Gが現
像装置20から搬出される(S9)。Next, the main arm 10a of the processing system described in FIG. 1 enters the developing device 20. And
The substrate G held on the spin chuck 21 is transferred onto the main arm 10a. After that, the main arm 10
The substrate G is carried out of the developing device 20 as a moves out of the developing device 20 (S9).
【0044】なお,この実施の形態では,この発明の処
理方法をLCD基板の処理システムに組み込まれた現像
装置に適用した例について説明したが,本発明方法は他
の例えばエッチング処理や洗浄処理等を行う場合につい
ても適用できることは勿論である。また,被処理体とし
てシリコンウェハなどを処理する場合にも適用できる。
また,現像液供給ノズル55と同様に,洗浄液供給ノズ
ル50をカップ22の上方を横切って移動させるように
構成しても良い。更に,乾燥用気体供給ノズル51を固
定式にしても良い。In this embodiment, the example in which the processing method of the present invention is applied to the developing device incorporated in the processing system of the LCD substrate has been described, but the method of the present invention is not limited to etching processing, cleaning processing, etc. Of course, it can be applied to the case of performing. It can also be applied to the case of processing a silicon wafer or the like as the object to be processed.
Further, like the developing solution supply nozzle 55, the cleaning solution supply nozzle 50 may be configured to move across the upper portion of the cup 22. Further, the drying gas supply nozzle 51 may be of a fixed type.
【0045】[0045]
【発明の効果】本発明によれば,被処理体の処理に供さ
れた処理液を極端な濃度低下をさせない状態で回収する
ことができ,濃度調整をほとんど行わずに処理液を再利
用できるので,処理液の再生が容易になる。なお,現像
液供給手段を被処理体の短辺方向に沿って移動させて処
理液の供給を行うようにすれば,処理液の供給時間を短
時間にでき,処理が均一になるとともに処理時間も短か
くできるといった特徴がある。EFFECTS OF THE INVENTION According to the present invention, the treatment liquid used for treating the object to be treated can be recovered in a state where the concentration is not extremely lowered, and the treatment liquid can be reused with almost no concentration adjustment. Therefore, the treatment liquid can be easily regenerated. If the developing solution supply means is moved along the short side direction of the object to be supplied to supply the processing solution, the processing solution supply time can be shortened, and the processing becomes uniform and the processing time becomes longer. It has a feature that it can be made short.
【図1】被処理体としてのLCD基板の塗布・現像を行
う処理システムの斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of a processing system for applying and developing an LCD substrate as an object to be processed.
【図2】現像装置の構成を説明するための概略的な正面
図である。FIG. 2 is a schematic front view for explaining the configuration of the developing device.
【図3】現像装置の平面図である。FIG. 3 is a plan view of a developing device.
【図4】処理液供給ノズルの斜視図である。FIG. 4 is a perspective view of a processing liquid supply nozzle.
【図5】本発明の実施の形態にかかる処理工程を示すフ
ローチャートである。FIG. 5 is a flowchart showing processing steps according to the embodiment of the present invention.
G LCD基板 27 制御手段 35 回収容器 45 裏面洗浄ノズル 50 洗浄液供給ノズル 51 乾燥用気体供給ノズル 55 現像液供給ノズル G LCD substrate 27 Control means 35 collection container 45 Backside cleaning nozzle 50 Cleaning liquid supply nozzle 51 Drying gas supply nozzle 55 Developer Supply Nozzle
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松田 義隆 熊本県菊池郡大津町大字高尾野字平成 272番地の4 東京エレクトロン九州株 式会社 大津事業所内 (72)発明者 内平 則夫 熊本県菊池郡大津町大字高尾野字平成 272番地の4 東京エレクトロン九州株 式会社 大津事業所内 (72)発明者 坂井 光広 熊本県菊池郡大津町大字高尾野字平成 272番地の4 東京エレクトロン九州株 式会社 大津事業所内 (72)発明者 佐藤 郁夫 熊本県菊池郡大津町大字高尾野字平成 272番地の4 東京エレクトロン九州株 式会社 大津事業所内 (56)参考文献 特開 昭55−96944(JP,A) 特開 昭56−130923(JP,A) 実開 昭61−51732(JP,U) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page (72) Inventor Yoshitaka Matsuda Kumamoto Prefecture Kikuchi-gun Otsu-machi large section Takao character Heisei No. 272 4 Tokyo Electron Kyushu Co., Ltd. Ceremony Company Otsu Office (72) Inventor Norio Uchihira Kumamoto Prefecture Kikuchi-gun Otsu-machi large section Takao character Heisei No. 272 4 Tokyo Electron Kyushu Co., Ltd. Ceremony Company Otsu Office (72) Inventor Mitsuhiro Sakai Kumamoto Prefecture Kikuchi-gun Otsu-machi large section Takao character Heisei No. 272 4 Tokyo Electron Kyushu Co., Ltd. Ceremony Company Otsu Office (72) Inventor Ikuo Sato Kumamoto Prefecture Kikuchi-gun Otsu-machi large section Takao character Heisei No. 272 4 Tokyo Electron Kyushu Co., Ltd. Ceremony Company Otsu Office (56) References JP-A-55-96944 (JP, A) JP-A-56-130923 (JP, A) Actual Development Sho 61-51732 (JP, U)
Claims (8)
ャックの周囲に配置される昇降可能なカップを有し,さ
らに前記カップは,カップ内を上下に仕切りかつその上
端部がカップ上端部よりも下方に位置して環状に配置さ
れたリング壁を有し,前記カップとリング壁は一体とな
って上昇下降し,前記カップを上昇下降させる昇降シリ
ンダは,前記カップの外側面に接続されており,前記カ
ップとは独立しているカップ底面上には外周壁と,当該
外周壁の内側に位置する仕切り壁とが設けられ,前記リ
ング壁よりも上方であってカップ上端よりも下方の空間
部が前記外周壁と仕切り壁の間の空間に連通し,前記リ
ング壁の内側の下方空間部は前記仕切り壁の内側の空間
に連通し,前記外周壁と仕切り壁の間の空間における前
記カップ底面には第1の排液孔が設けられ,前記仕切り
壁の内側の空間における前記カップ底面には第2の排液
孔が設けられている処理装置を使用し, 前記 カップ内で被処理体の表面に処理液を供給する処理
液供給工程と,前記カップを上昇させて, 前記被処理体の周囲に前記リ
ング壁よりも下方の空間で形成される回収容器を配置さ
せる回収容器配置工程と, 被処理体を第1の回転数で回転させることにより被処理
体の表面上の処理液を前記回収容器内に振り切り,前記
仕切り壁の内側の空間に連通する前記第2の排液孔から
回収する処理液回収工程と,前記カップを下降させて,前記リング壁よりも上方でか
つカップ上端よりも下方の空間を前記被処理体の周囲に
配置し, 前記被処理体の表面に洗浄液を供給し,被処理
体を第2の回転数で回転させることにより被処理体を洗
浄する洗浄工程と,前記被処理体を第3の回転数で回転
させることにより被処理体を乾燥させる乾燥工程とを有
することを特徴とする処理方法。1. A spin chuck for holding and rotating an object to be processed.
It has a cup that can be raised and lowered around the
In addition, the cup is divided into upper and lower parts inside the cup and
The end is located below the upper end of the cup and is arranged in a ring.
The cup wall and the ring wall are integrated.
Lift up and down to raise and lower the cup.
The binder is connected to the outer surface of the cup,
On the bottom of the cup, which is independent of the cup,
A partition wall located inside the outer peripheral wall is provided.
Space above the wall and below the top of the cup
Part communicates with the space between the outer peripheral wall and the partition wall,
The lower space inside the partition wall is the space inside the partition wall.
In front of the space between the outer peripheral wall and the partition wall.
There is a first drainage hole on the bottom of the cup,
The second drainage liquid is formed on the bottom surface of the cup in the space inside the wall.
Using the processing device hole is provided, a treatment liquid supplying step of supplying a treatment liquid to the surface of the object to be processed within the cup, by raising the cup, the ring wall around the object to be processed And a collection container arranging step of arranging a collection container formed in a space below the processing container, and the treatment liquid on the surface of the treatment object is shaken off into the collection container by rotating the treatment object at the first rotation speed. , A processing liquid collecting step of collecting from the second drain hole communicating with the space inside the partition wall, and a step of lowering the cup so as to be above the ring wall.
The space below the top of the cup around the object
A cleaning step of arranging, supplying a cleaning liquid to the surface of the object to be processed, and rotating the object to be processed at a second rotation speed; and a cleaning step to clean the object to be processed at a third rotation speed. And a drying step of drying the object to be processed by rotating the object to be processed.
であり,前記第2の回転数が100〜200rpmであ
り,前記第3の回転数が1200〜2000rpmであ
ることを特徴とする請求項1に記載の処理方法。2. The first rotation speed is 50 to 150 rpm
2. The processing method according to claim 1, wherein the second rotation speed is 100 to 200 rpm, and the third rotation speed is 1200 to 2000 rpm.
理体の表面に洗浄液を供給することを特徴とする請求項
1又は2に記載の処理方法。3. The processing method according to claim 1, wherein in the processing liquid recovery step, a cleaning liquid is supplied to the surface of the object to be processed.
裏面に洗浄液を供給することを特徴とする請求項1,2
又は3の何れかに記載の処理方法。4. The cleaning liquid is supplied to the back surface of the object to be processed in the cleaning step.
Or the processing method according to any one of 3 above.
表面に乾燥用気体を供給することを特徴とする請求項
1,2,3又は4の何れかに記載の処理方法。5. The processing method according to claim 1, wherein a drying gas is supplied to the surface of the object to be processed in the drying step.
理液供給工程において処理液供給手段を被処理体の短辺
方向に移動させながら被処理体の表面に処理液を供給す
ることを特徴とする請求項1,2,3,4又は5の何れ
かに記載の処理方法。6. The object to be processed is a rectangular substrate,
In the liquid supply process, the processing liquid supply means is used for the short side of the object.
Supply the processing liquid to the surface of the object to be processed while moving in the direction
The processing method according to claim 1, 2, 3, 4, or 5 .
ャックと,前記スピンチャックに保持された被処理体に
処理液を供給する処理液供給ノズルと,前記スピンチャ
ックに保持された被処理体に洗浄液を供給する洗浄液供
給ノズルと,前記スピンチャックの周囲に配置され昇降
可能なカップとを有し, 前記カップは,カップ内を上下に仕切りかつその上端部
がカップ上端部よりも下方に位置して環状に配置された
リング壁を有し,前記カップとリング壁は一体となって
上昇下降し,前記カップを上昇下降させる昇降シリンダ
は,前記カップの外側面に接続されており, 前記カップとは独立しているカップ底面上には外周壁
と,当該外周壁の内側に位置する仕切り壁とが設けら
れ, 前記リング壁よりも上方であって,カップ上端よりも下
方の空間部が前記外周壁と仕切り壁の間の空間に連通
し, 前記リング壁の内側の下方空間部は,前記仕切り壁の内
側の空間に連通し, 前記外周壁と仕切り壁の間の空間における前記カップ底
面には,第1の排液孔が設けられ, 前記仕切り壁の内側の空間における前記カップ底面に
は,第2の排液孔が設けられ, 前記被処理体を回転させて被処理体上の処理液を振りき
る際には,前記リング壁をスピンチャック上の被処理体
よりも上方に位置させ,前記洗浄液供給ノズルからの洗
浄液によって被処理体を洗浄する際には,前記リング壁
をスピンチャック上の被処理体よりも下方に位置させ,
かつカップ上端部を前記被処理体の上方に位置させるよ
うに,カップの昇降を制御する制御手段をさらに有する
ことを特徴 とする,処理装置。 7. A spin chuck for holding and rotating an object to be processed.
And the object to be processed held by the spin chuck.
A processing liquid supply nozzle for supplying a processing liquid, and the spin chuck
Supply the cleaning liquid to the object to be processed held in the
Placed around the supply nozzle and the spin chuck, and moved up and down
A cup capable of dividing the inside of the cup into upper and lower parts and an upper end portion thereof.
Is located below the upper edge of the cup and is arranged in an annular shape
It has a ring wall, and the cup and the ring wall are integrated.
Lifting cylinder that moves up and down to raise and lower the cup
Is connected to the outer surface of the cup and is an outer peripheral wall on the bottom surface of the cup which is independent of the cup.
And a partition wall located inside the outer peripheral wall.
It is the a above is than the ring wall, below the cup upper edge
One space communicates with the space between the outer peripheral wall and the partition wall
And, the lower space of the inside of the ring wall, of the partition wall
Side of the cup bottom in the space between the outer peripheral wall and the partition wall
The first drainage hole is provided on the surface, and the cup bottom surface in the space inside the partition wall is provided.
Is provided with a second drainage hole , rotates the object to be processed, and shakes the processing solution on the object to be processed.
When the ring wall is attached, the ring wall
Above the cleaning liquid supply nozzle.
When cleaning the object to be treated with a cleaning solution, the ring wall
Is positioned below the object to be processed on the spin chuck,
In addition, the upper end of the cup should be positioned above the object to be processed.
And further has a control means for controlling the raising and lowering of the cup
A processing device characterized by the above.
を,処理液を溜めるタンクに戻す回収回路を有し,当該
回収回路には前記回収した処理液を再生処理するための
再生処理手段を有することを特徴とする,請求項7に記
載の処理装置。 8. A processing liquid recovered from the second drain hole.
Has a recovery circuit that returns the processing liquid to the tank
A recovery circuit is provided for reprocessing the recovered processing liquid.
The device according to claim 7 , further comprising a reproduction processing unit.
On-board processing equipment.
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