JP3365339B2 - Semiconductor device - Google Patents
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Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に関
し、特に半導体素子と可撓性を有するテープとを組み合
わせたボールグリッドアレイ型半導体装置(以下、BG
A型半導体装置という)に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly to a ball grid array type semiconductor device (hereinafter referred to as BG) in which a semiconductor element and a flexible tape are combined.
A type semiconductor device).
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、半導体素子の高集積化、小型化、
それにともなう狭ピッチ化が進められており、それを搭
載する半導体パッケージについても小型化、狭ピッチ化
が進められている。また、高集積の発熱量の大きい半導
体素子に対応するように、半導体パッケージには低熱抵
抗化が求められている。2. Description of the Related Art In recent years, semiconductor devices have been highly integrated and miniaturized.
Along with this, the pitch is being narrowed down, and the semiconductor package mounting the same is also being downsized and the pitch is being narrowed down. In addition, a semiconductor package is required to have a low thermal resistance so as to correspond to a highly integrated semiconductor element that generates a large amount of heat.
【0003】半導体パッケージとして、QFPタイプの
パッケージが現在主流であるが、それよりも小型化が可
能なボールグリッドアレイ(BGA)パッケージが市場
に流れ始めている。そして、ボールグリッドアレイ(B
GA)パッケージを用いた半導体装置を、BGA型半導
体装置という。As a semiconductor package, a QFP type package is currently the mainstream, but a ball grid array (BGA) package which can be made smaller than the QFP type package is now on the market. Then, the ball grid array (B
A semiconductor device using a (GA) package is called a BGA type semiconductor device.
【0004】BGA型半導体装置において、半導体素子
と半導体素子を搭載するキャリアとの熱膨張率の不一致
の問題を解決するのに、キャリアを非常に薄い可撓性材
料にすると効果があることがわかっている。このような
可撓性材料としては、ポリイミドを主成分とするテープ
が一般的に用いられている。また、このテープは配線が
非常に微細に出来、狭ピッチ化が可能である。この種の
BGA型半導体装置をテープBGA型半導体装置という
(以下、テープBGAという)。In the BGA type semiconductor device, it has been found that it is effective to use a very thin flexible material for the carrier in order to solve the problem of the thermal expansion coefficient mismatch between the semiconductor element and the carrier on which the semiconductor element is mounted. ing. As such a flexible material, a tape containing polyimide as a main component is generally used. In addition, this tape has very fine wiring and can have a narrow pitch. This type of BGA type semiconductor device is referred to as a tape BGA type semiconductor device (hereinafter referred to as tape BGA).
【0005】従来のテープBGAは、図8のテープBG
Aの構造の概略断面図で説明される。図8に示すよう
に、このテープBGAは、テープ2、補強板7および放
熱板8が互いに熱硬化性または熱可塑性の接着剤10に
より重ね合わされて貼り付けられている。補強板7はス
ティフナともいわれ、テープBGAの実装用基板(図示
せず)への実装不良の一因となるテープ2の反りを防止
するためのもので、テープ2よりも変形しにくい材質で
ある金属(例えば銅またはステンレス)で構成される。
テープ2および補強板7の中央部にはデバイスホールが
形成されている。半導体素子1はデバイスホールに収納
され、放熱ペースト(例えばシリコーンペースト)11
によって放熱板8に固着されている。放熱板8はヒート
スプレッダともいわれ、半導体素子1の発熱を放散する
ためのものであり、熱伝導性の優れた金属(例えば銅)
またはセラミック(例えばアルミナ)で構成される。The conventional tape BGA is the tape BG shown in FIG.
This is illustrated in the schematic cross-sectional view of the structure A. As shown in FIG. 8, in this tape BGA, the tape 2, the reinforcing plate 7 and the heat radiating plate 8 are laminated and bonded to each other with a thermosetting or thermoplastic adhesive 10. The reinforcing plate 7 is also called a stiffener, and is used to prevent the warp of the tape 2 that causes mounting failure of the tape BGA on a mounting substrate (not shown), and is made of a material that is less likely to be deformed than the tape 2. Composed of metal (eg copper or stainless steel).
A device hole is formed in the central portion of the tape 2 and the reinforcing plate 7. The semiconductor element 1 is housed in the device hole, and the heat dissipation paste (for example, silicone paste) 11
It is fixed to the heat sink 8 by. The heat radiating plate 8 is also called a heat spreader and is for dissipating the heat generated by the semiconductor element 1, and is a metal having excellent thermal conductivity (for example, copper).
Alternatively, it is composed of ceramic (for example, alumina).
【0006】テープ2には、複数のランド5がマトリッ
クス状に形成されている。そして、ランド5は、テープ
2に形成された配線4およびデバイスホール内に突出し
たインナーリード3を介して、半導体素子1の電極に接
続されている。ここで、インナーリード3、配線4及び
ランド5は金属材料(例えば銅)によりパターン化され
形成されている。また、テープ2に形成されたランド5
上には実装用基板に実装されるための半田バンプ6が形
成されている。A plurality of lands 5 are formed in a matrix on the tape 2. The land 5 is connected to the electrode of the semiconductor element 1 via the wiring 4 formed on the tape 2 and the inner lead 3 protruding into the device hole. Here, the inner lead 3, the wiring 4, and the land 5 are patterned and formed of a metal material (for example, copper). The land 5 formed on the tape 2
Solder bumps 6 to be mounted on the mounting substrate are formed on the top.
【0007】デバイスホール内で放熱板8に固着され、
インナーリード3が接続された半導体素子1は、半導体
素子1を保護するための封止樹脂(例えばエポキシ樹
脂)9によりポッティング法により封止されている。Fixed to the heat sink 8 in the device hole,
The semiconductor element 1 to which the inner leads 3 are connected is sealed by a potting method with a sealing resin (for example, epoxy resin) 9 for protecting the semiconductor element 1.
【0008】このテープBGAを実装用基板(図示せ
ず)に実装する場合は、実装用基板のランド上に半田ペ
ーストを塗布しておき、テープBGAの半田バンプ6を
実装用基板のランドに位置合せし、半田バンプ6の融点
以上の温度に加熱する。これにより、テープBGAが実
装用基板に実装される。When this tape BGA is mounted on a mounting substrate (not shown), solder paste is applied on the lands of the mounting substrate and the solder bumps 6 of the tape BGA are positioned on the lands of the mounting substrate. Then, the solder bumps 6 are heated to a temperature equal to or higher than the melting point of the solder bumps 6. As a result, the tape BGA is mounted on the mounting board.
【0009】[0009]
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のテープ
BGAは、テープ2の反りを抑えるために金属(例えば
銅またはステンレス)の補強板7を使用している。補強
板7は金属のため重量がある。そのため、テープBGA
を実装用基板に実装した時、テープBGA自身の重量で
加熱溶融された半田バンプ6が押し潰され、隣接した半
田バンプ6とショートしてしまうという問題がある。The above-described conventional tape BGA uses the reinforcing plate 7 made of metal (for example, copper or stainless steel) in order to suppress the warp of the tape 2. Since the reinforcing plate 7 is made of metal, it is heavy. Therefore, the tape BGA
When mounted on a mounting substrate, there is a problem that the solder bumps 6 that are heated and melted by the weight of the tape BGA itself are crushed and short-circuited with the adjacent solder bumps 6.
【0010】又、補強板7は金属でありまた放熱板8は
金属またはセラミックのため不透明であり、実装用基板
に実装したテープBGA下面の半田バンプ6のショート
の有無を目視では確認することが出来なく、X線検査装
置を使用しないと確認することが出来ないという問題が
ある。Further, since the reinforcing plate 7 is made of metal and the heat dissipation plate 8 is opaque because it is made of metal or ceramic, it is possible to visually confirm whether the solder bumps 6 on the lower surface of the tape BGA mounted on the mounting substrate are short-circuited. There is a problem that it cannot be confirmed unless the X-ray inspection device is used.
【0011】従って、本発明の目的は、テープBGAを
実装用基板に実装した時、テープBGA自身の重量で半
田バンプが押し潰され、隣接した半田バンプとショート
することを防止できるテープBGAを提供することにあ
る。Therefore, an object of the present invention is to provide a tape BGA which prevents the solder bumps from being crushed by the weight of the tape BGA itself and short-circuited with the adjacent solder bumps when the tape BGA is mounted on a mounting substrate. To do.
【0012】本発明の他の目的は、実装用基板に実装し
たテープBGA下面の半田バンプのショートの有無を、
目視で確認することが出来るテープBGAを提供するこ
とにある。Another object of the present invention is to determine whether the solder bumps on the lower surface of the tape BGA mounted on the mounting substrate are short-circuited.
It is to provide a tape BGA that can be visually confirmed.
【0013】[0013]
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
半導体素子と、前記半導体素子と電気的に接続された複
数の半田バンプが形成された可撓性を有するテープと、
前記テープに貼り付けられて前記テープを支持する板状
の補強材と、前記半導体素子の表面および周囲と前記テ
ープの前記半導体素子との接続部を封止する封止樹脂と
を有する半導体装置において、前記補強材は他の接着剤
を介すことなく直接前記テープに被着した接着剤から構
成され、かつ、前記テープ側とは反対側の前記補強材の
面は前記半導体素子の裏面よりも突出しており、さら
に、前記補強材は前記テープに樹脂をスクリーン法で塗
布した後、加熱して硬化させて構成したものであること
を特徴とする。The semiconductor device of the present invention comprises:
A semiconductor element, and a flexible tape having a plurality of solder bumps electrically connected to the semiconductor element,
In a semiconductor device having a plate-shaped reinforcing material that is attached to the tape and supports the tape, and a sealing resin that seals a surface and the periphery of the semiconductor element and a connection portion of the tape with the semiconductor element , The reinforcing material is another adhesive
The adhesive is applied directly to the tape without the interposition of
Of the reinforcing material formed on the side opposite to the tape side.
The surface is more protruding than the back surface of the semiconductor element.
In addition, the reinforcing material is formed by applying a resin to the tape by a screen method and then heating and curing the resin.
【0014】[0014]
【0015】また、前記半導体素子の前記テープが接続
された面と反対の面に、前記半導体素子の発熱を放散す
るための放熱板が、接着剤により貼り付けられている。
そして前記放熱板は、大きさが前記半導体素子の大きさ
より大きく、前記テープに形成された半田バンプの形成
範囲より小さい。Further, on the surface of the semiconductor element opposite to the surface to which the tape is connected, a heat dissipation plate for dissipating heat generated by the semiconductor element is attached by an adhesive.
The size of the heat sink is larger than the size of the semiconductor element and smaller than the formation range of the solder bumps formed on the tape.
【0016】本発明の半導体装置は、半導体素子と、前
記半導体素子と電気的に接続された複数の半田バンプが
第1の主面に形成された可撓性を有するテープと、前記
半導体素子の表面および周囲と前記テープの前記半導体
素子との接続部を封止する封止樹脂とを有する半導体装
置において、前記テープの厚さが前記半導体素子の厚さ
より厚く、前記半導体素子の前記テープが接続された面
と反対の面は、前記テープの前記半田バンプが形成され
た第1の主面とは反対側の第2の主面よりも凹んで位置
しており、前記テープは前記第1の主面と前記第2の主
面との間に接着材膜を有することなく両主面間は連続的
に同じ材質で構成されていることを特徴とする。The semiconductor device of the present invention comprises a semiconductor element and a plurality of solder bumps electrically connected to the semiconductor element.
A semiconductor device comprising: a flexible tape formed on a first main surface; and a sealing resin for sealing a surface and a periphery of the semiconductor element and a connecting portion of the tape with the semiconductor element, The thickness of the tape is thicker than the thickness of the semiconductor element, and the surface of the semiconductor element opposite to the surface to which the tape is connected is on the side opposite to the first main surface of the tape on which the solder bumps are formed . The tape is recessed from the second main surface , and the tape has the first main surface and the second main surface.
There is no adhesive film between the main surface and the main surface
It is characterized in that it is composed of the same material .
【0017】また、前記半導体素子の前記テープが接続
された面と反対の面に、前記半導体素子の発熱を放散す
るための放熱板が、接着剤により貼り付けられている。
そして前記放熱板は、大きさが前記半導体素子の大きさ
より大きく、前記テープに形成された半田バンプの形成
範囲より小さい。Further, on the surface of the semiconductor element opposite to the surface to which the tape is connected, a heat dissipation plate for dissipating heat generated by the semiconductor element is attached by an adhesive.
The size of the heat sink is larger than the size of the semiconductor element and smaller than the formation range of the solder bumps formed on the tape.
【0018】[0018]
【0019】そして、前記封止樹脂が、透明な樹脂であ
る。The sealing resin is a transparent resin.
【0020】この様な本発明によれば、半導体装置の補
強板は、接着剤で構成された補強板、テープが補強板を
兼ねているものまたは封止樹脂が補強板を兼ねているも
のであるので、従来の金属の補強板と比較して重量を軽
量化でき、半導体装置の重量を軽量化できる。According to the present invention as described above, the reinforcing plate of the semiconductor device is a reinforcing plate composed of an adhesive, a tape also serving as the reinforcing plate, or a sealing resin also serving as the reinforcing plate. Therefore, the weight of the semiconductor device can be reduced and the weight of the semiconductor device can be reduced as compared with the conventional metal reinforcing plate.
【0021】また、半導体装置の補強板は、接着剤で構
成された補強板、テープが補強板を兼ねているものまた
は透明な封止樹脂が補強板を兼ねているものであるの
で、透明化できる。そして、放熱板をテープに形成され
た半田バンプが見える大きさにしたまたは設けないこと
により、実装用基板に実装したテープBGA下面の半田
バンプのショートの有無を、目視で確認することが出来
る。The reinforcing plate of the semiconductor device is made of an adhesive, the tape also serves as the reinforcing plate, or the transparent sealing resin also serves as the reinforcing plate. it can. Then, by arranging or not providing the heat dissipation plate so that the solder bumps formed on the tape can be seen, it is possible to visually confirm whether or not the solder bumps on the lower surface of the tape BGA mounted on the mounting substrate are short-circuited.
【0022】[0022]
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明の第
1の実施形態を示す概略断面図である。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Next, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic sectional view showing a first embodiment of the present invention.
【0023】図1に示すように、本実施形態のテープB
GAは、テープ2に接着剤で構成された補強板71が重
ね合わされて貼り付けられている。補強板71は、テー
プBGAの実装用基板(図示せず)への実装不良の一因
となるテープ2の反りを防止するためのものである。そ
のため、接着剤で構成された補強板71は、テープ2よ
りも変形しにくい材質である樹脂例えば熱硬化性のエポ
キシ樹脂で構成され、強度を得るため厚さを厚くし例え
ば0.5mmにしたものである。そして、テープ2に樹
脂を例えばスクリーン法により塗布した後、加熱し硬化
させたものである。なお従来の金属の補強板7の厚さ
は、例えば0.35mmである。As shown in FIG. 1, the tape B of this embodiment
In the GA, a reinforcing plate 71 made of an adhesive is laminated on the tape 2 and attached. The reinforcing plate 71 is for preventing the warp of the tape 2 which causes a mounting failure of the tape BGA on a mounting substrate (not shown). Therefore, the reinforcing plate 71 made of an adhesive is made of a resin that is less deformable than the tape 2, for example, a thermosetting epoxy resin, and is thickened to obtain strength, for example, 0.5 mm. It is a thing. Then, a resin is applied to the tape 2 by, for example, a screen method, and then heated and cured. The thickness of the conventional metal reinforcing plate 7 is, for example, 0.35 mm.
【0024】テープ2および補強板71の中央部にはデ
バイスホールが形成されている。半導体素子1はデバイ
スホールに収納され、放熱ペースト(例えばシリコーン
ペースト)11によって放熱板8に固着されている。放
熱板8はヒートスプレッダともいわれ、半導体素子1の
発熱を放散するためのものであり、熱伝導性の優れた金
属(例えば銅)またはセラミック(例えばアルミナ)で
構成される。そして、放熱板8は、接着剤で構成された
補強板71およびテープ2を通して半田バンプ6が見え
るような、また補強板71の中央部のデバイスホールを
覆うような大きさである。A device hole is formed in the central portion of the tape 2 and the reinforcing plate 71. The semiconductor element 1 is housed in the device hole and fixed to the heat dissipation plate 8 with a heat dissipation paste (for example, silicone paste) 11. The heat dissipation plate 8 is also called a heat spreader, and is for dissipating the heat generated by the semiconductor element 1, and is made of metal (for example, copper) or ceramic (for example, alumina) having excellent thermal conductivity. The heat radiating plate 8 is sized so that the solder bumps 6 can be seen through the reinforcing plate 71 and the tape 2 made of an adhesive and that the device hole in the central portion of the reinforcing plate 71 is covered.
【0025】テープ2には、複数のランド5がマトリッ
クス状に形成されている。そして、ランド5は、テープ
2に形成された配線4およびデバイスホール内に突出し
たインナーリード3を介して、半導体素子1の電極に接
続されている。ここで、インナーリード3、配線4及び
ランド5は金属材料(例えば銅)によりパターン化され
形成されている。また、テープ2に形成されたランド5
上には実装用基板に実装されるための半田バンプ6が形
成されている。On the tape 2, a plurality of lands 5 are formed in a matrix. The land 5 is connected to the electrode of the semiconductor element 1 via the wiring 4 formed on the tape 2 and the inner lead 3 protruding into the device hole. Here, the inner lead 3, the wiring 4, and the land 5 are patterned and formed of a metal material (for example, copper). The land 5 formed on the tape 2
Solder bumps 6 to be mounted on the mounting substrate are formed on the top.
【0026】デバイスホール内で放熱板8に固着され、
インナーリード3が接続された半導体素子1は、半導体
素子1を保護するための封止樹脂(例えばエポキシ樹
脂)9によりポッティング法により封止されている。Fixed to the heat sink 8 in the device hole,
The semiconductor element 1 to which the inner leads 3 are connected is sealed by a potting method with a sealing resin (for example, epoxy resin) 9 for protecting the semiconductor element 1.
【0027】図2は、本発明の第2の実施形態を示す概
略断面図である。図2に示すように、本実施形態のテー
プBGAは、図1に示す第1の実施形態が、補強板71
が接着剤で構成されているのに対し、テープ21が補強
板を兼ねているものである。そのため、テープ21は補
強板として、材質はポリイミドを主成分として構成さ
れ、変形しにくい強度を得るため厚さを厚くし例えば
0.6mmにしたものである。このテープ21の厚さ
は、半導体素子1の厚さより厚く、半導体素子1のテー
プ21から突出したインナーリード3が接続された面と
反対の面の位置から突出している。なお従来の金属の補
強板7の厚さは、例えば0.35mmである。そして、
放熱板8は、補強板を兼ねたテープ21を通して半田バ
ンプ6が見えるような、また補強板を兼ねたテープ21
の中央部のデバイスホールを覆うような大きさである。
そして、テープ21および放熱板8以外の構成は、図1
に示す第1の実施形態と同じである。FIG. 2 is a schematic sectional view showing the second embodiment of the present invention. As shown in FIG. 2, in the tape BGA of this embodiment, the reinforcing plate 71 of the first embodiment shown in FIG.
Is composed of an adhesive, whereas the tape 21 also serves as a reinforcing plate. Therefore, the tape 21 is configured as a reinforcing plate and is made of polyimide as a main component, and has a large thickness, for example, 0.6 mm in order to obtain strength that is difficult to deform. The thickness of the tape 21 is thicker than that of the semiconductor element 1 and protrudes from a position opposite to the surface of the semiconductor element 1 to which the inner lead 3 protruding from the tape 21 is connected. The thickness of the conventional metal reinforcing plate 7 is, for example, 0.35 mm. And
The heat dissipation plate 8 is such that the solder bumps 6 can be seen through the tape 21 which also functions as a reinforcing plate, and the tape 21 which also functions as a reinforcing plate.
It is sized to cover the device hole in the central part of the.
The configuration other than the tape 21 and the heat sink 8 is the same as in FIG.
The same as the first embodiment shown in FIG.
【0028】図3は、本発明の第3の実施形態を示す概
略断面図である。図3に示すように、本実施形態のテー
プBGAは、図1に示す第1の実施形態と同様に、テー
プ2に接着剤で構成された補強板71が重ね合わされて
貼り付けられているものであるが、図1に示す第1の実
施形態のように、放熱板8を設けてはいないものであ
る。そして、放熱板以外の構成は、図1に示す第1の実
施形態と同じである。これは、テープBGAに搭載する
半導体素子1の発熱量が小さく、放熱板を設ける必要が
無い場合、本実施形態の構成を取れる。FIG. 3 is a schematic sectional view showing a third embodiment of the present invention. As shown in FIG. 3, in the tape BGA of the present embodiment, as in the first embodiment shown in FIG. 1, a reinforcing plate 71 made of an adhesive is laminated and attached to the tape 2. However, unlike the first embodiment shown in FIG. 1, the heat dissipation plate 8 is not provided. The configuration other than the heat sink is the same as that of the first embodiment shown in FIG. This is because the semiconductor device 1 mounted on the tape BGA has a small amount of heat generation and it is not necessary to provide a heat radiating plate, the configuration of this embodiment can be adopted.
【0029】図4は、本発明の第4の実施形態を示す概
略断面図である。図4に示すように、本実施形態のテー
プBGAは、図2に示す第2の実施形態と同様に、テー
プ21が補強板を兼ねているものであるが、図2に示す
第2の実施形態のように、放熱板8を設けてはいないも
のである。そして、放熱板以外の構成は、図2に示す第
2の実施形態と同じである。これは、テープBGAに搭
載する半導体素子1の発熱量が小さく、放熱板を設ける
必要が無い場合、本実施形態の構成を取れる。FIG. 4 is a schematic sectional view showing a fourth embodiment of the present invention. As shown in FIG. 4, in the tape BGA of the present embodiment, the tape 21 also serves as a reinforcing plate as in the second embodiment shown in FIG. 2, but the second embodiment shown in FIG. Unlike the embodiment, the heat dissipation plate 8 is not provided. The configuration other than the heat sink is the same as that of the second embodiment shown in FIG. This is because the semiconductor device 1 mounted on the tape BGA has a small amount of heat generation and it is not necessary to provide a heat radiating plate, the configuration of this embodiment can be adopted.
【0030】図5は、本発明の第5の実施形態を示す概
略断面図である。図5に示すように、本実施形態のテー
プBGAは、封止樹脂91がインナーリード3が接続さ
れた半導体素子1を封止するとともに、テープ2の半田
バンプ6が形成された面と反対の面に一体に形成され補
強板を兼ねているものである。そのため、封止樹脂91
は補強板として変形しにくい強度を得るため、材質は熱
硬化性の樹脂例えばエポキシ樹脂で構成されている。そ
して封止樹脂91は、補強板を兼ねた封止樹脂91およ
びテープ2を通して半田バンプ6が見えるような透明な
樹脂を用いている。なおこのような樹脂は、クリアモー
ルド樹脂といわれる。また封止方法は、封止金型を用い
たトランスファ成形法による。そして、放熱板は、図3
に示す第3の実施形態および図4に示す第4の実施形態
と同様に設けてはいない。そして、補強板を兼ねた封止
樹脂91以外の構成は、図3に示す第3の実施形態およ
び図4に示す第4の実施形態と同じである。FIG. 5 is a schematic sectional view showing a fifth embodiment of the present invention. As shown in FIG. 5, in the tape BGA of this embodiment, the sealing resin 91 seals the semiconductor element 1 to which the inner leads 3 are connected, and is opposite to the surface of the tape 2 on which the solder bumps 6 are formed. It is integrally formed on the surface and doubles as a reinforcing plate. Therefore, the sealing resin 91
The material is made of thermosetting resin such as epoxy resin in order to obtain strength that is difficult to deform as a reinforcing plate. The encapsulating resin 91 is made of a transparent resin such that the solder bumps 6 can be seen through the encapsulating resin 91 also serving as a reinforcing plate and the tape 2. Such a resin is called a clear mold resin. The sealing method is a transfer molding method using a sealing die. And the heat sink is shown in FIG.
The third embodiment shown in FIG. 4 and the fourth embodiment shown in FIG. 4 are not provided. The configuration other than the sealing resin 91 that also serves as the reinforcing plate is the same as that of the third embodiment shown in FIG. 3 and the fourth embodiment shown in FIG.
【0031】図6は、本発明の第6の実施形態を示す概
略断面図である。図6に示すように、本実施形態のテー
プBGAは、図8に示す従来のテープBGAと同様な構
成であるが、接着剤で構成された補強板71がテープ2
および放熱板8に重ね合わされて貼り付けられているも
のである。そして、接着剤で構成された補強板71以外
の構成は、図8に示す従来のテープBGAと同様な構成
である。そして、本実施形態のテープBGAは、図1に
示す第1の実施形態と同様の構成であるが、放熱板8が
図1に示す第1の実施形態のものより大きく、図8に示
す従来のテープBGAのようにテープ2の外形寸法と同
じ大きさである。そして、放熱板8の大きさ以外の構成
は、図1に示す第1の実施形態と同じである。これは、
テープBGAに搭載する半導体素子1の発熱量が大き
く、大きな放熱板8を設ける必要が有る場合、本実施形
態の構成を取る。しかし、本実施形態のテープBGAで
は、放熱板8の大きさがテープ2の外形寸法と同じ大き
さであり、接着剤で構成された補強板71およびテープ
2を通して半田バンプ6を見ることは出来ない。FIG. 6 is a schematic sectional view showing a sixth embodiment of the present invention. As shown in FIG. 6, the tape BGA of this embodiment has the same structure as the conventional tape BGA shown in FIG. 8, but the reinforcing plate 71 made of an adhesive is used as the tape 2
It is also laminated and attached to the heat dissipation plate 8. The structure other than the reinforcing plate 71 made of an adhesive is the same as that of the conventional tape BGA shown in FIG. The tape BGA of this embodiment has the same configuration as that of the first embodiment shown in FIG. 1, but the heat dissipation plate 8 is larger than that of the first embodiment shown in FIG. The tape BGA has the same external dimensions as the tape 2. The configuration other than the size of the heat dissipation plate 8 is the same as that of the first embodiment shown in FIG. this is,
When the semiconductor element 1 mounted on the tape BGA has a large amount of heat generation and it is necessary to provide a large heat dissipation plate 8, the configuration of this embodiment is adopted. However, in the tape BGA of the present embodiment, the size of the heat dissipation plate 8 is the same as the outer size of the tape 2, and the solder bump 6 cannot be seen through the reinforcing plate 71 and the tape 2 which are made of an adhesive. Absent.
【0032】図7は、本発明の第7の実施形態を示す概
略断面図である。図7に示すように、本実施形態のテー
プBGAは、図8に示す従来のテープBGAと同様な構
成であるが、テープ21が補強板を兼ねているものであ
る。そして、補強板を兼ねたテープ21以外の構成は、
図8に示す従来のテープBGAと同様な構成である。そ
して、本実施形態のテープBGAは、図2に示す第2の
実施形態と同様の構成であるが、放熱板8が図2に示す
第2の実施形態のものより大きく、図8に示す従来のテ
ープBGAのようにテープ21の外形寸法と同じ大きさ
である。そして、放熱板8の大きさ以外の構成は、図2
に示す第2の実施形態と同じである。これは、テープB
GAに搭載する半導体素子1の発熱量が大きく、大きな
放熱板8を設ける必要が有る場合、本実施形態の構成を
取る。しかし、本実施形態のテープBGAでは、放熱板
8の大きさがテープ21の外形寸法と同じ大きさであ
り、テープ21を通して半田バンプ6を見ることは出来
ない。FIG. 7 is a schematic sectional view showing a seventh embodiment of the present invention. As shown in FIG. 7, the tape BGA of the present embodiment has the same configuration as the conventional tape BGA shown in FIG. 8, but the tape 21 also serves as a reinforcing plate. And, the structure other than the tape 21 which also serves as the reinforcing plate is
It has the same structure as the conventional tape BGA shown in FIG. The tape BGA of this embodiment has the same configuration as that of the second embodiment shown in FIG. 2, but the heat dissipation plate 8 is larger than that of the second embodiment shown in FIG. The tape BGA has the same size as the outer dimension of the tape 21. The configuration other than the size of the heat sink 8 is shown in FIG.
Is the same as the second embodiment shown in FIG. This is tape B
When the amount of heat generated by the semiconductor element 1 mounted on the GA is large and it is necessary to provide a large heat dissipation plate 8, the configuration of this embodiment is adopted. However, in the tape BGA of this embodiment, the size of the heat dissipation plate 8 is the same as the outer size of the tape 21, and the solder bumps 6 cannot be seen through the tape 21.
【0033】[0033]
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、テ
ープBGAの補強板は、接着剤で構成された補強板、テ
ープが補強板を兼ねているものまたは封止樹脂が補強板
を兼ねているものであるので、従来の金属の補強板と比
較して重量を軽量化でき、テープBGAの重量を軽量化
できる。例えば□40mmの製品の場合、重量を第1,
第2の実施形態で5/8、第3,第4,第5の実施形態
で3/8そして第6,第7の実施形態で3/4に軽量化
できる。これにより、テープBGAを実装用基板に実装
した時、テープBGA自身の重量で加熱溶融された半田
バンプが押し潰され、隣接した半田バンプとショートす
ることを防止できるという効果が得られる。As described above, according to the present invention, the reinforcing plate of the tape BGA is a reinforcing plate composed of an adhesive, the tape also serves as the reinforcing plate, or the sealing resin is the reinforcing plate. Since it also serves as a combination, the weight can be reduced as compared with the conventional metal reinforcing plate, and the weight of the tape BGA can be reduced. For example, in the case of a product of □ 40 mm, the weight is
The weight can be reduced to 5/8 in the second embodiment, 3/8 in the third, fourth and fifth embodiments, and 3/4 in the sixth and seventh embodiments. As a result, when the tape BGA is mounted on the mounting substrate, it is possible to prevent the solder bumps heated and melted by the weight of the tape BGA itself from being crushed and being short-circuited with the adjacent solder bumps.
【0034】また、テープBGAの補強板は、接着剤で
構成された補強板、テープが補強板を兼ねているものま
たは透明な封止樹脂が補強板を兼ねているものであるの
で、透明化できる。そして、不透明な放熱板をテープに
形成された半田バンプが見える大きさにしたまたは設け
ないことにより、実装用基板に実装したテープBGA下
面の半田バンプのショートの有無を、X線検査装置を使
用しないで目視で確認することが出来るという効果も得
られる。Further, the reinforcing plate of the tape BGA is a reinforcing plate made of an adhesive, a tape also functions as a reinforcing plate, or a transparent sealing resin also functions as a reinforcing plate. it can. Then, an opaque heat dissipation plate is sized or not provided so that the solder bumps formed on the tape can be seen. It is also possible to obtain the effect that it can be visually confirmed without doing so.
【0035】そしてまた、テープBGAの補強板が、封
止樹脂が補強板を兼ねているものの場合、封止方法は封
止金型を用いたトランスファ成形法であるので、一般的
なプラスチックパッケージのモールド封止装置を用いる
ことが出来るという効果も得られる。When the reinforcing plate of the tape BGA is the one in which the sealing resin also serves as the reinforcing plate, the sealing method is a transfer molding method using a sealing die, and therefore, a general plastic package is used. The effect that a mold sealing device can be used is also obtained.
【図1】本発明の半導体装置の第1の実施形態を示す概
略断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a first embodiment of a semiconductor device of the present invention.
【図2】本発明の第2の実施形態を示す概略断面図であ
る。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a second embodiment of the present invention.
【図3】本発明の第3の実施形態を示す概略断面図であ
る。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a third embodiment of the present invention.
【図4】本発明の第4の実施形態を示す概略断面図であ
る。FIG. 4 is a schematic sectional view showing a fourth embodiment of the present invention.
【図5】本発明の第5の実施形態を示す概略断面図であ
る。FIG. 5 is a schematic sectional view showing a fifth embodiment of the present invention.
【図6】本発明の第6の実施形態を示す概略断面図であ
る。FIG. 6 is a schematic sectional view showing a sixth embodiment of the present invention.
【図7】本発明の第7の実施形態を示す概略断面図であ
る。FIG. 7 is a schematic sectional view showing a seventh embodiment of the present invention.
【図8】従来技術を説明する概略断面図である。FIG. 8 is a schematic sectional view illustrating a conventional technique.
1 半導体素子 2 テープ 21 補強板を兼ねたテープ 3 インナーリード 4 配線 5 ランド 6 半田バンプ 7 補強板(スティフナ) 71 接着剤で構成された補強板 8 放熱板(ヒートスプレッダ) 9 封止樹脂 91 補強板を兼ねた封止樹脂 10 接着剤 11 放熱ペースト 1 Semiconductor element 2 tapes 21 Tape that doubles as a reinforcing plate 3 inner lead 4 wiring 5 lands 6 Solder bump 7 Reinforcement plate (stiffener) 71 Reinforcement plate composed of adhesive 8 Heat sink (heat spreader) 9 Sealing resin 91 Sealing resin that doubles as a reinforcing plate 10 adhesive 11 Heat dissipation paste
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 23/12 Front page continuation (58) Fields surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 23/12
Claims (7)
に接続された複数の半田バンプが形成された可撓性を有
するテープと、前記テープに貼り付けられて前記テープ
を支持する板状の補強材と、前記半導体素子の表面およ
び周囲と前記テープの前記半導体素子との接続部を封止
する封止樹脂とを有する半導体装置において、前記補強
材は他の接着剤を介すことなく直接前記テープに被着し
た接着剤から構成され、かつ、前記テープ側とは反対側
の前記補強材の面は前記半導体素子の裏面よりも突出し
ており、さらに、前記補強材は前記テープに樹脂をスク
リーン法で塗布した後、加熱して硬化させて構成したも
のであることを特徴とする半導体装置。1. A semiconductor element, a flexible tape having a plurality of solder bumps electrically connected to the semiconductor element, and a plate-like tape attached to the tape to support the tape. A semiconductor device comprising a reinforcing material, and a sealing resin for sealing the surface and the periphery of the semiconductor element and a connecting portion of the tape with the semiconductor element, wherein the reinforcing
The material is applied directly to the tape without any other adhesive.
And the side opposite to the tape side.
The surface of the reinforcing material of the
Further, the reinforcing material is configured by applying a resin to the tape by a screen method and then heating and curing the resin.
た面と反対の面に、前記半導体素子の発熱を放散するた
めの放熱板が、接着剤により貼り付けられている請求項
1記載の半導体装置。 2. A semiconductor device according to claim 1 , wherein a heat dissipation plate for dissipating heat generated by the semiconductor element is attached to the surface of the semiconductor element opposite to the surface to which the tape is connected, by an adhesive. apparatus.
の大きさより大きく、前記テープに形成された半田バン
プの形成範囲より小さい請求項2記載の半導体装置。 Wherein the radiating plate is larger than the size of the semiconductor element size, a semiconductor device forming area smaller claim 2, wherein the solder bumps formed on the tape.
に接続された複数の半田バンプが第1の主面に形成され
た可撓性を有するテープと、前記半導体素子の表面およ
び周囲と前記テープの前記半導体素子との接続部を封止
する封止樹脂とを有する半導体装置において、前記テー
プの厚さが前記半導体素子の厚さより厚く、前記半導体
素子の前記テープが接続された面と反対の面は、前記テ
ープの前記半田バンプが形成された第1の主面とは反対
側の第2の主面よりも凹んで位置しており、前記テープ
は前記第1の主面と前記第2の主面との間に接着材膜を
有することなく両主面間は連続的に同じ材質で構成され
ていることを特徴とする半導体装置。4. A semiconductor element, a flexible tape in which a plurality of solder bumps electrically connected to the semiconductor element are formed on a first main surface , a surface and a periphery of the semiconductor element, and the semiconductor tape. In a semiconductor device having a sealing resin that seals a connecting portion of a tape with the semiconductor element, the thickness of the tape is thicker than the thickness of the semiconductor element, and the surface of the semiconductor element is opposite to the surface to which the tape is connected. Surface is opposite to the first main surface of the tape on which the solder bumps are formed.
The second main surface on the side of the tape
Is an adhesive film between the first main surface and the second main surface.
Both main surfaces are continuously made of the same material without having
Wherein a is.
た面と反対の面に、前記半導体素子の発熱を放散するた
めの放熱板が、接着剤により貼り付けられている請求項
4記載の半導体装置。 Wherein the surface opposite to the tape connected to the surface of the semiconductor element, the claims radiator plate for dissipating heat generated of the semiconductor element, are attached by an adhesive
4. The semiconductor device according to 4 .
の大きさより大きく、前記テープに形成された半田バン
プの形成範囲より小さい請求項5記載の半導体装置。 Wherein said heat radiating plate is larger than the size of the semiconductor element size, a semiconductor device forming area smaller claim 5, wherein the solder bumps formed on the tape.
項1または4記載の半導体装置。 Wherein said sealing resin, the semiconductor device according to claim 1 or 4, wherein the transparent resin.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11685499A JP3365339B2 (en) | 1999-04-23 | 1999-04-23 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11685499A JP3365339B2 (en) | 1999-04-23 | 1999-04-23 | Semiconductor device |
Publications (2)
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|---|---|
| JP2000307039A JP2000307039A (en) | 2000-11-02 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP (1) | JP3365339B2 (en) |
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