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JP3369561B2 - 燐化合物 - Google Patents
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JP3369561B2 - 燐化合物 - Google Patents

燐化合物

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JP3369561B2
JP3369561B2 JP51283293A JP51283293A JP3369561B2 JP 3369561 B2 JP3369561 B2 JP 3369561B2 JP 51283293 A JP51283293 A JP 51283293A JP 51283293 A JP51283293 A JP 51283293A JP 3369561 B2 JP3369561 B2 JP 3369561B2
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、一般式 ［式中、Ｒはヒドロキシまたは保護されたヒドロキシ基
を示し、R1はヒドロキシ、保護されたヒドロキシ基また
は低級アルコキシを表し、そしてR2は低級アルキル、シ
クロアルキル、アリール、または燐原子と一緒になって
式 の基を表す］ の新規なラセミ体性および光学的に活性な燐化合物に関
する。
本発明は、式Ｉの燐化合物の製造および例えば非対称
性水素化（asymmetric hydrogenation）、プロキラル性
アリル系におけるエナンチオ選択的水素置換（enantios
elective hydrogen displacements）などの如きエナン
チオ選択的反応のためのそれらの使用にも関する。さら
に、ＲおよびR1が両者ともヒドロキシ基を表す式Ｉの化
合物は例えばＲおよび／またはR1が保護されたヒドロキ
シ基を表す式Ｉの化合物の如き他のジホスフィン類の製
造のための出発物質として使用することもできる。
「低級アルキル」という語は本発明では、炭素数が１
〜５の直鎖状もしくは分枝鎖状のアルキル基、例えばメ
チル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソ
ブチル、tert−ブチル、ペンチル、イソペンチルなどを
意味する。「低級アルコキシ」という語は、アルキル残
基が上記の意味を有する基を示す。ヒドロキシ基用の保
護基としては、一般的なエーテル−生成基、例えばベン
ジル、アリル、ベンジルオキシメチル、低級アルコキシ
メチルまたは２−メトキシエトキシメチルなど、が特に
本発明の範囲内で考えられる。「シクロアルキル」とい
う語は、３−〜７−員の環、例えばシクロプロピル、シ
クロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシルおよびシ
クロヘプチル、特にシクロペンチルおよびシクロヘキシ
ル、を意味する。「アリール」という語は本発明の範囲
では特にフェニル残基を意味し、それは未置換であるだ
けでなくオルト−、メタ−またはパラ−位置で多重−置
換されていてもよい。この場合に考えられる置換基は、
フェニル、低級アルキルもしくは低級アルコキシ基、好
適にはメチルまたはメトキシ基、またはジ−低級アルキ
ル−アミノ、好適にはジメチルアミノ、基、並びに弗素
またはトリアルキルシリル、例えばトリメチルシリルな
どである。さらにこの語はナフチルを意味することもで
きる。
式Ｉの燐化合物はラセミ体形でだけでなく光学的に活
性な形で存在することもできる。好適な式Ｉの化合物
は、Ｒがヒドロキシを表しそしてR1が保護されたヒドロ
キシ基またはアルコキシ基、特にベンジルオキシ基もし
くはイソプロピルオキシ基を表すもの、並びにＲおよび
R1が同一であるもの、特にＲおよびR1が両者ともヒドロ
キシ基またはベンジルオキシ基を表すものである。R2が
フェニル、イソプロピル、シクロペンチルまたはシクロ
ヘキシルを表すものも好適である。特に好適な式Ｉの化
合物類は、 （Ｒ）−または（Ｓ）−（6,6′−ジヒドロキシビフェ
ニル−2,2′−ジイル）ビス（ジフェニルホスフィ
ン）、 （Ｒ）−または（Ｓ）−（6,6′−ジベンジルオキシビ
フェニル−2,2′−ジイル）ビス（ジフェニルホスフィ
ン）、 （Ｒ）−または（Ｓ）−（６−ヒドロキシ−６′−イソ
プロポキシビフェニル−2,2′−ジイル）ビス（ジフェ
ニルホスフィン） である。
本発明に従う式Ｉの化合物はそれ自体既知の方法で製
造することができる。これは例えば、一般式 ［式中、R2は上記の意味を有する］ のラセミ体のまたは光学的に活性な化合物をエーテル分
解に付すことにより行うことができる。このようにし
て、ＲおよびR1がヒドロキシを示す式Ｉの化合物が得ら
れる。そのような化合物はまた、それ自体既知の方法
で、Ｒおよび／またはR1が保護されたヒドロキシ基を表
す式Ｉの化合物またはＲがヒドロキシを示しそしてR1が
低級アルコキシを表す化合物に容易に転化させることが
できる。
Ｒが低級アルコキシを表す式Ｉの化合物のエーテル分
解はそれ自体既知の方法で、例えば三臭化ホウ素などを
用いて行うことができる。これは一般的には不活性有機
溶媒中で、例えば塩化メチレンなどの如きハロゲン化さ
れた炭化水素中で、そして約30゜〜約−78゜の温度にお
いて行われる。
ＲおよびR1がヒドロキシを表す式Ｉの化合物中へのヒ
ドロキシ保護基の導入はそれ自体既知の方法で、例えば
保護基ハライド、例えば塩化ベンジルなどとの反応によ
り行うことができる。この反応は一般的には不活性有機
溶媒中で例えばK2CO3、NaHまたはKOHの如き無機塩基の
存在下で実施される。溶媒としては、例えばアセトン、
N,N−ジメチルホルムアミドまたは特にKOHの場合にはジ
メチルスルホキシドが考えられる。反応は一般的には約
−10℃〜約60℃の温度において、好適には約０℃〜約25
℃において、行われる。
ＲおよびR1がヒドロキシを示す式Ｉの化合物からR1が
低級アルコキシを表す式Ｉの化合物への転化もそれ自体
既知の方法で、例えばモノアルキル化により行うことが
できる。こらは一般的には低級アルキルハライドを用い
て不活性有機溶媒中で例えばK2CO3、NaHまたはＫまたは
KOHの如き無機塩基の存在下で実施される。溶媒として
は、アセトン、N,N−ジメチルホルムアミドまたは特にK
OHの場合にはジメチルスルホキシドが考えられる。反応
は一般的には約−10℃〜約60℃の温度において、好適に
は約０℃〜約25℃において行われる。
出発物質として使用される式IIの化合物は既知化合物
であるかまたは既知化合物の製造と同様な方法で、例え
ばヘルベチカ・シミカ・アクタ（Helv.Chim.Acta）、7
4、370（1991）に従い、容易に製造できる既知化合物の
同族体である。
全ての上記の反応は一般的には例えばアルゴンまたは
窒素の如き不活性気体下で行われる。
本発明に従う式Ｉの燐化合物は例えばVIII族金属類、
例えばルテニウム、ロジウムおよびイリジウム、の如き
遷移金属類との錯体を形成し、それらは非対称性水素化
における触媒としておよびプロキラル性アリル系におけ
るエナンチオ選択的水素置換のための触媒として使用す
ることができる。ルテニウムおよびロジウム錯体は上記
の水素化用に好適であり、一方ロジウム錯体は異性化用
に好適である。これらの触媒、すなわちVIII族金属と式
Ｉの燐化合物との錯体は新規でありそして本発明の目的
でもある。
上記の錯体はそれ自体既知の方法で、例えば式Ｉの化
合物を例えば適当な不活性有機または水性溶媒中でVIII
族金属を生成可能な化合物と反応させることにより製造
することができる。例えばロジウムを生成するために適
している化合物としては、例えば、エチレン、プロピレ
ンなど、並びにビス−オレフィン類、例えば（Z,Z）−
1,5−シクロオクタジエン、1,5−ヘキサジエン、ビシク
ロ［2.2.1］ヘプタ−2,5−ジエンまたはロジウムとの易
溶性錯体を生成する他のジエン類との有機ロジウム錯体
が挙げられる。ロジウムを生成する好適な化合物は、例
えば、ジ−μ−クロロ−ビス［η４−（Z,Z）−1,5−シ
クロオクタジエン］ジロジウム（Ｉ）、ジ−μ−クロロ
−ビス［η４−ノルボルナジエン］ジロジウム（Ｉ）、
ジ−μ−ペルフルオロアセタト−ビス［η４−（Z,Z）
−1,5−シクロオクタジエン］ジロジウム（Ｉ）、ロジ
ウムテトラフルオロホウ酸ビス［η４−（Z,Z）−1,5−
シクロオクタジエン］またはジロジウム過塩素酸ビス
［η４−（Z,Z）−シクロオクタジエン］である。ジ−
μ−クロロ−ビス［η４−（Z,Z）−1,5−シクロオクタ
ジエン］ジイリジウム（Ｉ）が例えばイリジウムを生成
する化合物として挙げられる。
上記のルテニウム錯体は、例えば、下記の式 Ru（Ｚ）2L III ［式中、Ｚはハロゲンまたは基Ａ−COOを表し、Ａは低
級アルキル、アリール、ハロゲン化された低級アルキル
またはハロゲン化されたアリールを表し、そしてＬは式
Ｉのキラルジホスフィン配位子を表す］ により表すことができる。
これらの錯体は原則的にはそれ自体は既知である方法
で製造することができる。一般的にそして好適には、ル
テニウム化合物は、例えば、式 ［Ru（Z1）2L1 m］ｐ・（H2O）ｑ IV ［式中、Z1はハロゲンまたは基A1−COOを表し、A1は低
級アルキルまたはハロゲン化された低級アルキルを表
し、L1は中性配位子を表し、ｍは数１、２または３を表
し、ｐは数１または２を表し、そしてｑは数０または１
を表す］ の錯体を式Ｉのキラルジホスフィン配位子と反応させる
ことにより、または式 Ru（CF3COO）2L Ｖ ［式中、Ｌは式Ｉのキラルジホスフィン配位子を表す］ のルテニウム錯体をアニオンＺ（ここでＺは上記の意味
を有する）を生成する塩と反応させることにより製造さ
れる。
「中性配位子」という語は本発明の範囲内では、容易
に交換可能な配位子、例えばジオレフィン、例えばノル
ボルナジエン、（Z,Z）−1,5−シクロオクタジエンな
ど、またはニトリル、例えばアセトニトリル、ベンゾニ
トリルなど、を意味する。ｍが数２または３を表す場合
には、配位子は同一であってもまたは異なっていてもよ
い。
式IVのルテニウム錯体は既知の物質であるかまたは例
えばアルベルス（Albers）,M.O.他、ザ・ジャーナル・
オブ・オルガノメタリック・ケミストリー（J.Organome
t.Chem.）、272、C62−C66（1984）に従う如き既知物質
の製造と同様な方法で容易に得られる既知物質の同族体
である。
式IVのルテニウム錯体と式Ｉのキラルジホスフィン配
位子との反応はそれ自体は既知である方法で行うことが
できる。反応は一般的には不活性有機溶媒中で行うこと
ができる。そのような溶媒の例としては、例えばテトラ
ヒドロフランまたはジオキサンの如きエーテル類、例え
ばアセトンの如きケトン類、例えばメタノール、エタノ
ールなどの如き低級アルコール類、例えば塩化メチレ
ン、クロロホルムなどの如きハロゲン化された炭化水素
類、または該溶媒類の混合物が挙げられる。さらに、反
応は０℃〜約100℃の間の、好適には約15℃〜約60℃の
間の、温度において、酸素を厳密に除去しながら行うこ
ともできる。
式Ｖのルテニウム錯体（式IVの錯体から得られる）と
アニオンＺを含有している塩との反応は、それ自体は既
知である方法で行うことができる。「アニオンＺを生成
する塩」という語は本発明の範囲内では、例えば、アン
モニウム塩類、アルカリ金属塩類または他の適当な金属
塩類を意味している。そのような塩類の溶解度を改良す
るためには、ある場合にはクラウンエーテル類などを加
えることもできる。
前記の如く、VIII族金属、特にロジウムおよびルテニ
ウム、との錯体の形状の本発明に従う燐化合物は、特に
非対称性水素化用に使用することができる。特に適して
いる基質としては、これに関しては特にアリルアルコー
ル類、例えばゲラニオール、6,7−ジヒドロ−ゲラニオ
ール、6,7−ジヒドロフラネソール、6,7,10,11−テトラ
ヒドロフラネソールなど、並びに官能化されたケトン
類、例えばβ−ケトエステル類、例えばアセト酢酸メチ
ルもしくはエチルなど、または２−ピリジルケトン類、
例えば２−アセチルピリジン、２−ピリジル2,8−ビス
（トリフルオロメチル）−４−キノリルケトンなどが挙
げられる。
そのような水素化を行う際には、これらの錯体を最初
に製造しそして次に水素化しようとする物質の溶液に加
える。しかしながら、一方ではそれらをその場で例えば
水素化しようとする物質の存在下で製造することもでき
る。
非対称性水素化は、反応条件下で不活性である適当な
有機溶媒の中で実施することができる。そのような溶媒
としては、芳香族炭化水素類、例えばベンゼン、トルエ
ンなど、低級アルコール類、例えばメタノールまたはエ
タノール、水、エステル類、例えば酢酸エチル、ハロゲ
ン化された炭化水素類、例えば塩化メチレン、クロロホ
ルムなど、環式エーテル類、例えばテトラヒドロフラン
またはジオキサンなど、または該溶媒類の混合物が特に
挙げられる。
金属対配位子Ｌの比は一般的には、１モルの配位子当
たり約0.05−約５モルの間のそしてそれぞれ約0.5〜第
２モルの間の、好適には約１モルの金属である。例えば
式IIIの如き錯体中の金属対水素化しようとする物質の
比は一般的には、約0.005〜約１モル％の間、好適には
約0.002〜約0.1モル％の間である。
例えば式IIIの如き錯体を用いる非対称性水素化は一
般的には、使用される基質によるが約０℃〜約150℃の
温度において実施される。この水素化は一般的には圧力
下で、好適には約２〜約200バールの、特に約10〜約100
バールの圧力下でも実施される。
Ｒおよび／またはR1がヒドロキシを表す式Ｉの燐化合
物類は、それらの前記の使用の他に、それらおよびVIII
族金属との対応する錯体を適当なイオン交換体上での吸
着により反応混合物から容易に除去できるという点で興
味がある。
下記の実施例は本発明を説明するものであり、そして
何ら限定しようとするものではない。これらの実施例中
では、略語は下記の意味を有している。
TLC 薄層クロマトグラフィー GC 毛管ガスクロマトグラフィー e.e. エナンチオマー過剰。水素化生成物のe.e.はGCに
よりペルメチル化されたシクロデキストリン相の上で測
定された。
RT 室温 全ての温度は摂氏゜で示されている。
実施例１ （Ｒ）−または（Ｓ）−（6,6′−ジヒドロキシビフェ
ニル−2,2′−ジイル）ビス（ジフェニルホスフィン）
［（Ｒ）−または（Ｓ）−HOBIPHEP］の製造 11.64g（19.98ミリモル）の（Ｒ）−（6,6′−ジメト
キシ−ビフェニル−2,2′−ジイル）ビス（ジフェニル
ホスフィン）［＝（Ｒ）−MeOBIPHEP］の200mlのCH2Cl2
（分子ふるい上で乾燥された）中溶液をアルゴン下で−
78℃に冷却した。50ml（50ミリモル）の1M BBr3のCH2Cl
2中溶液を次にゆっくり加えると、添加の終了に向かい
白色沈澱が生成した。次に混合物を室温に暖めそして24
時間にわたり撹拌した。400mlの飽和NH4Clを用いる１時
間にわたる加水分解、相分離、有機相（CaCl2）の乾燥
および蒸発後に、12.5gの黄色粉末が得られた。シリカ
ゲル上でのクロマトグラフィー（90g、ヘキサン/CH2Cl2
1:1、ヘキサン／酢酸エチル9:1→3:2）後に、8.26gの
（Ｒ）−HOBIPHEPが白色粉末状で得られた。融点198.2
゜−199.4゜。
▲［α］20 D▼＝−34.7゜（ｃ＝0.9、CHCl3）。
上記と同様な方法におけるCH2Cl2中での0.65g（1.1ミ
リモル）の（Ｓ）−MeOBIPHEPの2.2ml（2.2ミリモル）
の1M BBr3との反応で、0.35gの（Ｓ）−HOBIPHEPが白色
粉末状で得られた。融点199.5゜−200.5゜。
▲［α］20 D▼＝＋33.9゜（ｃ＝１、CHCl3）。
実施例２ 0.5g（0.90ミリモル）の（Ｒ）−（6,6′−ジヒドロ
キシビフェニル−2,2′−ジイル）ビス（ジフェニルホ
スフィン）［実施例１に従い製造された］をアルゴン下
で0.216g（7.20ミリモル）のNaHの10mlのジメチルホル
ムアミド中懸濁液に加えた。混合物を室温において30分
間撹拌すると、水素の発生が観察された。次に、0.83ml
（7.20ミリモル）の塩化ベンジルを加え、そして反応混
合物を室温において３時間撹拌した。飽和NH4Cl溶液を
用いる加水分解およびエーテルを用いる抽出により、1.
07gの黄−橙色の油が得られた。シリカゲル上でのクロ
マトグラフィー（20g、ヘキサン／酢酸エチル4:1）およ
びその後の約5gのシリカゲル上でのヘキサン溶液の濾過
で0.58gの白色粉末が得られた。約10mlのエタノールの
添加、約10gのシリカゲル上での濾過による不溶性物質
の分離およびその後のトルエン／エタノールからの結晶
化により、410mgの（Ｒ）−（6,6′−ジベンジルオキシ
ビフェニル−2,2′−ジイル）ビス（ジフェニルホスフ
ィン）［（Ｒ）−BnOBIPHEP］が白色結晶状で得られ
た。融点171.5−171.6゜。
▲［α］20 D▼＝−17.1゜（ｃ＝１、CHCl3）。
実施例３ 2.0g（3.61ミリモル）の（Ｒ）−（6,6′−ジベンジ
ルオキシビフェニル−2,2′−ジイル）ビス（ジフェニ
ルホスフィン）［実施例１に従い製造された］の40mlの
ジメチルスルホキシド中溶液を室温においてアルゴン下
で30分間にわたり0.572g（10.19ミリモル）の粉末化さ
れた80％KOHと共に撹拌した。次に、1.13ml（12.03ミリ
モル）の臭化イソプロピルを滴々添加し、そして混合物
を室温においてさらに23時間にわたり撹拌した。30mlの
飽和NH4Cl溶液を用いる加水分解、約175mlのエーテルを
用いる抽出、有機相の乾燥（Na2SO4）および蒸発によ
り、2.41gの白色粉末が得られた。70gのシリカゲル上で
のクロマトグラフィー（ヘキサン/CHCl2）後に、1.18g
の（Ｒ）−（６−ヒドロキシ−６′−イソプロピルオキ
シビフェニル−2,2′−ジイル）ビス（ジフェニルホス
フィン）［（Ｒ）−IpropO/HOBIPHEP］が白色固体状で
得られた。融点76.1−77゜。
▲［α］20 D▼＝−46.0゜（ｃ＝１、CHCl3）。
実施例４ ａ）0.375g（0.43ミリモル）の ［Ru（CF3COO）２（COD）］２の16mlのジエチルエーテ
ル／テトラヒドロフラン（1:1）中懸濁液を40゜におい
て0.466g（0.84ミリモル）の（Ｒ）−HO−BIPHEP（実施
例１に従い製造された）と共に一夜撹拌した。溶媒の除
去後に、残渣を真空中で乾燥し、そして固体残渣を撹拌
しながら各回とも10mlのペンタンで２回洗浄した。真空
中での乾燥後に、0.72gの ［Ru（CF3COO）２（Ｒ）−HOBIPHEP）］が得られた。
3.0g（3.40ミリモル）の ［Ru（CF3COO）２（Ｒ）−HOBIPHEP）］の30mlのメタノ
ール中懸濁液を1.0g（12.0ミリモル）の酢酸ナトリウム
で処理しそして45゜ににおいて２時間撹拌した。溶媒の
除去後に、残渣を真空中で乾燥しそして次にフリットに
加えた。生成物を60mlの塩化メチレンで抽出し、溶媒を
次に除去し、そして残棹を30mlのペンタンと共に粉砕し
た。上澄み溶液をピペットで除去し、そして残存粉末を
真空中で乾燥した。2.5gのRu（CH3COO）２［（Ｒ）−HO
BIPHEP）］が得られた。
ｂ）グローブボックス中で500mlのオートクレーブに15.
0g（50.4ミリモル）の（Ｚ）−２−アセチル−１−（ｐ
−メトキシベンジリデン）−1,2,3,4,5,6,7,8−オクタ
ヒドロイソキノリン、170mlのメタノールおよび3.9mg
（0.0050ミリモル）の触媒としてのRu（CH3COO）
２［（Ｒ）−HOBIPHEP）］を充填した。水素化を100゜
および35バールにおいて22時間にわたり行った。転化率
は98.5％であった。2gの水素化溶液の生成物−含有試料
を蒸発させ、そして残渣をジエチルエーテル中に溶解さ
せた。触媒を分離するためにエーテル溶液をシリカゲル
パッドを通して濾過した。濾液の蒸発で、1.97gの
（Ｓ）−２−アセチル−１−（ｐ−メトキシベンジル）
−1,2,3,4,5,6,7,8−オクタヒドロイソキノリンが95.9
％e.e.の黄色結晶状で得られた。
e.e.値を測定するために、生成物を170゜において18
時間にわたりエチレングリコールおよび40゜水酸化カリ
ウム水溶液の混合物中で加水分解した。生成したアミン
をピリジン/4−ジメチルアミノピリジン中で（−）−塩
化カンファノイルを用いてジアステレオマー性アミド類
の混合物に転化させ、そして後者をGCにより分析した。
実施例５ グローブボックス（O2含有量＜100ppm）中で50mlの計
量フラスコの中で9.7mg（0.02ミリモル）のジクロロ−
ビス−（1,5−シクロオクタジエン）ジロジウムおよび2
1.9mg（0.04ミリモル）の（Ｒ）−HOBIPHEPを50mlのト
ルエン中に溶解させることにより、触媒溶液を製造し
た。500mlのオートクレーブ中で5mlのこの触媒溶液を1
6.1g（78.85ミリモル）の（Ｅ）−３−（ｐ−ターシャ
リーブチルフェニル）−２−メチル−２−プロペノー−
１−ル［（Ｅ）−デヒドロリリオール］の145mlのトル
エン中溶液に加えた。水素化を100℃において60バール
の一定圧力下でそして強く撹拌しながら行った。残渣を
140゜/0.01ミリバールにおいて蒸留した。16.1g（99.0
％）の（Ｓ）−３−（ｐ−ターシャリーブチルフェニ
ル）−２−メチル−２−プロパノール［（Ｓ）−リリオ
ール］が無色結晶状で96.2％e.e.のエナンチオマー純度
で得られた。
e.e.値を測定するために、塩化メチレン中の生成物を
（Ｒ）−または（Ｓ）−６−メトキシ−2,5,7,8−テト
ラメチルクロマン−２−カルボン酸、ジシクロヘキシル
カルボジイミドおよび４−ジメチルアミノピリジンを用
いてジアステレオマー性エステルに転化させ、そしてガ
スクロマトグラフィーにより分析した。
実施例６ （Ｒ）−IpropO/HOBIPHEPを配位子として有する触媒
を実施例５と同様な方法で製造し、そして水素化を同一
条件下で行った。転化率は21時間後に99.9％であった。
水素化溶液を実施例５中の如く処理した。16.1g（99.0
％）の（Ｓ）−リリオールが無色結晶状で95.1％e.e.の
エナンチオマー純度で得られた。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 １５８２／９２−８ (32)優先日 平成４年５月18日(1992．5．18) (33)優先権主張国 スイス（ＣＨ） (31)優先権主張番号 １９４４／９２−５ (32)優先日 平成４年６月19日(1992．6．19) (33)優先権主張国 スイス（ＣＨ） (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) ＣＡ（ＳＴＮ) ＣＡＯＬＤ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】一般式 ［式中、Ｒはヒドロキシ、またはベンジル、アリル、ベ
    ンジルオキシメチル、低級アルコキシメチルおよび２−
    メトキシエトキシメチルより選ばれるエーテル形成性基
    で保護されたヒドロキシ基を示し、R1はヒドロキシ；ベ
    ンジル、アリル、ベンジルオキシメチル、低級アルコキ
    シメチルおよび２−メトキシエトキシメチルより選ばれ
    るエーテル形成性基で保護されたヒドロキシ基；または
    低級アルコキシを表し、そしてR2は低級アルキル、シク
    ロアルキル、アリール、または燐原子と一緒になって式 の基を表す］ のラセミ体のおよび光学的に活性な燐化合物。
  2. 【請求項２】ＲおよびR1が同一である請求の範囲第１項
    に記載の式Ｉのラセミ体のおよび光学的に活性な燐化合
    物。
  3. 【請求項３】Ｒがヒドロキシを表し、そしてR1がベンジ
    ル、アリル、ベンジルオキシメチル、低級アルコキシメ
    チルおよび２−メトキシエトキシメチルより選ばれるエ
    ーテル形成性基で保護されたヒドロキシ基を表す請求の
    範囲第１項に記載の式Ｉのラセミ体のおよび光学的に活
    性な燐化合物。
  4. 【請求項４】ＲおよびR1がヒドロキシまたはベンジルオ
    キシ基を表す請求の範囲第１または２項に記載の式Ｉの
    ラセミ体のおよび光学的に活性な燐化合物。
  5. 【請求項５】Ｒがヒドロキシを表し、そしてR1がベンジ
    ルオキシ基またはイソプロピルオキシ基を表す請求の範
    囲第１または３項に記載の式Ｉのラセミ体のおよび光学
    的に活性な燐化合物。
  6. 【請求項６】（Ｒ）−または（Ｓ）−（6,6′−ジヒド
    ロキシビフェニル−2,2′−ジイル）ビス（ジフェニル
    ホスフィン）。
  7. 【請求項７】（Ｒ）−または（Ｓ）−（6,6′−ジベン
    ジルオキシビフェニル−2,2′−ジイル）ビス（ジフェ
    ニルホスフィン）。
  8. 【請求項８】（Ｒ）−または（Ｓ）−（６−ヒドロキシ
    −６′−イソプロポキシビフェニル−2,2′−ジイル）
    ビス（ジフェニルホスフィン）。
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