JP3384087B2 - フォトクロミック光記録材料 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、フォトクロミック性を
有する光記録材料に関する。

【０００２】

【従来の技術】フォトクロミック材料とは、光の作用に
より状態の異なる２つの異性体を可逆的に生成する分子
又は分子集合体を含む材料を言う。フォトクロミック材
料を光記録媒体として用いる際には様々の性能が要求さ
れるが、その１つは非破壊読み出し機能である。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来提
案されているフォトクロミック材料は、光反応が吸収光
量に比例して進行するため、たとえ、弱い読み出し光を
用いても多数回読み出すと記録が消える欠点を有してい
た。

【０００４】非破壊読み出しを達成するには、光量が小
さい場合には光反応せず、光量が大きい時にのみ光反応
する系を構築すれば良い。その一つの方法は２光子反応
するフォトクロミック分子を合成することである。この
ような２光子フォトクロミック反応をするものとして、
下記構造式[III] のナフトピラン誘導体が知られている
（M.Uchida, M.Irie J.Am.Chem.Soc., 115 (1993) 644
2) 。しかし、この分子の吸収極大値は紫外領域の波長
３９６ｎｍにあり、顕著な色変化は認められない。

【０００５】

【化３】

【０００６】本発明は上記従来の問題点を解決し、優れ
た非破壊読み出し機能を有するフォトクロミック光記録
材料を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１のフォトクロミ
ック光記録材料は、下記一般式［Ｉ］で表される主要骨
格を有するナフトピラン誘導体であって、ナフタレン環
又はベンゼン環の置換基として、少なくとも１個の電子
吸引性基を有するナフトピラン誘導体を含有することを
特徴とする。

【０００８】

【化４】

【０００９】請求項２のフォトクロミック光記録材料
は、請求項１のフォトクロミック光記録材料において、
ナフトピラン誘導体が下記一般式[II]で表され、かつ、
ナフタレン環又はベンゼン環に電子吸引性基として少な
くとも１個のシアノ基又はニトロ基を有することを特徴
とする。

【００１０】

【化５】

【００１１】（式中、Ｒ¹ はアルキル基、アルコキシ
基、パーフルオロアルキル基又はシアノ基を示し、Ｒ
² ，Ｒ³ ，Ｒ⁴ ，Ｒ⁵ ，Ｒ⁶ ，Ｒ⁷ ，Ｒ⁸ ，Ｒ⁹ ，Ｒ¹⁰
又はＲ¹¹は各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アル
キル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、ジアルキル
アミノ基、シアノ基、ニトロ基、アルカノイルオキシ基
又はアルキルオキシカルボニル基を示す。） 即ち、本発明者らは、前記論文記載の構造式[III] のナ
フトピラン誘導体について、記録材料への応用を可能に
するに十分な色変化を付与するために吸収波長の長波長
化を実現するべく、様々な置換基の導入効果を次のよう
にして検討した。

【００１２】前記構造式[III] のナフトピラン誘導体に
おいて、置換基としては、アルコキシ基、ジアルキルア
ミノ基、ハロゲン、シアノ基、ニトロ基などが考えら
れ、また、その導入位置としては以下のａ〜ｊの位置が
挙げられる。

【００１３】

【化６】

【００１４】本発明者らは、ＺＩＮＤＯプログラムを用
いて、どのような位置へどのような置換基を導入するの
が吸収波長の長波長化に有効であるかを計算した。その
結果、上記[IV]式においてｂとｉの位置へアルコキシ
基、ジアルキルアミノ基、ハロゲン、シアノ基又はニト
ロ基を導入するのが有効であることが予測された。特
に、ナフタレン環又はベンゼン環にシアノ基又はニトロ
基のような電子吸引性基を導入することが有効であるこ
とが予測された。実際、シアノ基をｂ又はｉの位置に導
入したナフトピラン誘導体は、それぞれ前記構造式[II
I] のナフトピラン誘導体と比較して、吸引波長が各
々、４０ｎｍ又は１５ｎｍ長波長側へシフトし、また、
２光子フォトクロミック反応性を示した。従って、これ
らの分子を高分子媒体へ分散することにより、フォトク
ロミック光記録媒体を構成することができた。

【００１５】このような研究を重ねた結果、本発明者ら
は、前記一般式［Ｉ］で表されるナフトピラン誘導体に
おいて、ナフタレン環又はベンゼン環に少なくとも１個
の電子吸引性基を有するものが、吸収波長の長波長化に
有効であることを見出し、本発明を完成させた。

【００１６】以下に本発明を詳細に説明する。

【００１７】本発明のフォトクロミック光記録材料を構
成するナフトピラン誘導体は、前記一般式［Ｉ］で表さ
れ、かつ、そのナフタレン環又はベンゼン環に少なくと
も１個の電子吸引性基の置換基を有するものであり、好
ましくは、前記一般式[II]で表され、該電子吸引性基と
してシアノ基又はニトロ基を有するものであるが、具体
的には、下記(1) 〜(20)のナフトピラン誘導体が挙げら
れる。なお、以下においてＭｅはメチル基を示す。

【００１８】

【化７】

【００１９】

【化８】

【００２０】

【化９】

【００２１】このようなナフトピラン誘導体を含有する
記録層を有する本発明のフォトクロミック光記録材料
は、公知の方法に準じて容易に得ることができる。

【００２２】例えば、次の(i) 又は(ii)の方法に従って
記録層を形成することにより、本発明のフォトクロミッ
ク光記録材料を製造することができる。

【００２３】(i) 前記ナフトピラン誘導体を、必要に
応じて、ポリエステル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビ
ニルブチラール樹脂、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビ
ニル、ポリメタクリル酸メチル、ポリ酢酸ビニル、酢酸
セルロース、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等のバイン
ダーと共に、四塩化炭素、ベンゼン、シクロヘキサン、
メチルエチルケトン、テトラクロロエタン等の溶媒に分
散又は溶解させて、適当な基板上に塗布するか、或い
は、公知の蒸着法又は他の化合物との共蒸着法により、
適当な基板上に蒸着するなどにより、基板上に記録層を
成膜する。

【００２４】(ii) 前記ナフトピラン誘導体を上述の様
な溶媒に溶解し、ガラスセル等に封入する。

【００２５】なお、(i) の方法において、使用される基
板としては、使用する光に対して透明又は不透明のいず
れでも良い。基板材料の材質としては、ガラス、プラス
チック、紙、板状又は箔状の金属等の一般の記録材料の
支持体が挙げられ、これらのうちプラスチックが種々の
点から好適である。プラスチックとしては、アクリル樹
脂、メタアクリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル樹
脂、ニトロセルロース、ポリエチレン樹脂、ポリプロピ
レン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、ポ
リサルホン樹脂等が挙げられる。

【００２６】このような基板上に形成する記録層の膜厚
は、１００Å〜１００μｍ、特に１０００Å〜１０μｍ
とするのが好ましい。

【００２７】また、成膜法としては真空蒸着法、スパッ
タリング法、ドクターブレード法、キャスト法、スピナ
ー法、浸漬法など一般に行なわれている薄膜形成法を採
用することができる。

【００２８】成膜にあたり、バインダーを用いる場合、
本発明に係るナフトピラン誘導体の量が重量比で５％以
上となるようにするのが望ましい。

【００２９】なお、スピナー法による成膜の場合、回転
数は５００〜５０００ｒｐｍが好ましく、スピンコート
の後、場合によっては、加熱或いは溶媒蒸気にあてる等
の処理を行なっても良い。

【００３０】ドクターブレード法、キャスト法、スピナ
ー法、浸漬法、特にスピナー法等の塗布方法により記録
層を形成する場合の塗布溶媒としては、ブロモホルム、
ジブロモエタン、エチルセロソルブ、キシレン、クロロ
ベンゼン、シクロヘキサノン等の沸点１２０〜１６０℃
のものが好適に使用される。

【００３１】本発明において、記録層にはその安定性や
耐光性向上のために、一重項酸素クエンチャーとして遷
移金属キレート化合物（例えば、アセチルアセトナート
キレート、ビスフェニルジチオール、サリチルアルデヒ
ドオキシム、ビスジチオ−α−ジケトン等）又は３級ア
ミン化合物を含有していても良い。

【００３２】本発明のフォトクロミック光記録材料の記
録層は、基板の両面に設けても良いし、片面だけに設け
ても良い。

【００３３】上記の様にして得られる本発明のフォトク
ロミック光記録材料への記録は、基体の両面又は片面に
設けた記録層或いはセル中の記録層に１〜１０μｍ程度
に集束した光をあてることにより行なう。しかして、光
照射された部分は、光エネルギーの吸収により色変化が
起こる。記録された情報の再生は光による色変化が起き
ている部分と起きていない部分の反射率或いは吸光度の
差を読みとることにより行なうことができる。

【００３４】

【作用】前記一般式［Ｉ］で表される主要骨格を有する
ナフトピラン誘導体のナフタレン環又はベンゼン環に、
電子吸引性基を導入することにより、２光子フォトクロ
ミック反応性を示すナフトピラン誘導体において、吸引
波長が長波長側へシフトし、フォトクロミック光記録材
料に有効な十分な色変化を示すナフトピラン誘導体が得
られる。

【００３５】このため、２光子フォトクロミック反応性
を示し、非破壊読み出しが可能なフォトクロミック光記
録材料が提供される。

【００３６】請求項２のフォトクロミック光記録材料に
よれば、より一層優れた光記録特性を有するフォトクロ
ミック光記録材料が提供される。

【００３７】

【実施例】次に本発明を実施例及び比較例を挙げて更に
具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り
これらの実施例に限定されるものではない。

【００３８】実施例１ ［ナフトピラン誘導体の合成］次の合成ルートに従っ
て、前記一般式[IV]で示すｂ位にシアノ基を有するナフ
トピラン誘導体（１−１３）を合成した。

【００３９】

【化１０】

【００４０】

【化１１】

【００４１】２−メチルベンゾチオフェン（１−２）の
合成 ベンゾチオフェン（１−１）５ｇ（３．７３×１０^-2ｍ
ｏｌ）をフラスコに入れ窒素置換した後、無水テトラヒ
ドロフラン２５ｍｌに溶解させた。これをメタノール−
ドライアイス浴にて−６０℃に冷却し、撹拌しながら
１．６Ｎのｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液２８ｍｌ
（４．４７×１０^-2ｍｏｌ）を３０分間で滴下した。

【００４２】滴下後、−６０℃で１時間、次いで室温で
１時間撹拌した。この間、溶液は白濁色から黄色白濁色
へと変化した。再び０℃に冷却した後、ヨウ化メチル
３．４８ｍｌ（５．５９×１０^-2ｍｏｌ）を温度一定に
保ちながら１５分間で滴下した。白濁化の後、室温にて
黄濁色となり、そのまま終夜撹拌した。溶媒留去後、水
を加えて、エーテル抽出し、水洗した後、硫酸マグネシ
ウムで乾燥させ、エーテルを留去して、黄色透明液体を
得た。これをシリカゲルカラムを用いてヘキサンで展開
して分離し、第一流出物を分取して、針状無色透明結晶
の２−メチルベンゾチオフェン（１−２）５．２ｇを得
た（収率：９４％）。

【００４３】３−ヨード−２−メチルベンゾチオフェン
（１−３）の合成 ２−メチルベンゾチオフェン（１−２）３ｇ（２．０２
×１０^-2ｍｏｌ）をベンゼン１０ｍｌに溶解させ、６５
℃に加熱した後、酸化第二水銀４．８２ｇ（２．２３×
１０^-2ｍｏｌ）とヨウ素５．６５ｇ（２．２３×１０^-2
ｍｏｌ）とを交互に少量ずつ５０分間で添加し、そのま
ま１時間、６５℃にて撹拌した。

【００４４】濾過により酸化第二水銀を除去し、濾液か
らベンゼンを留去した。これをシリカゲルカラムを用い
て、ヘキサンで展開して分離し、第一流出物をヘキサン
を用いて再結晶して板状無色透明結晶の３−ヨード−２
−メチルベンゾチオフェン（１−３）５．４５ｇを得た
（収率：９８％）。

【００４５】２，４−ジブロモ−１−ナフチルアミン
（１−５）の合成 １−ナフチルアミン（１−４）１０ｇ（６．９９×１０
^-2ｍｏｌ）を酢酸１００ｍｌ、プロピオン酸５０ｍｌの
混合溶媒に溶解させ、氷浴で０〜５℃まで冷却して、臭
素１３．４ｇ（８．３９×１０^-2ｍｏｌ）を溶かした酢
酸１００ｍｌを１時間で滴下した。この間、白色沈澱が
析出してきた。滴下終了後、さらに酢酸１００ｍｌを加
えて、オイルバスで加熱し、６０℃で１５分間撹拌し
た。放冷後、濾過により析出した沈澱を除去し、濾液に
１％ＮａＯＨ水溶液を加えてアルカリ性にして、クロロ
ホルムで抽出し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、クロロ
ホルムを留去した。これをシリカゲルカラムを用いて、
クロロホルムで展開して分離し、第一流出物を分取し
て、針状褐色結晶２，４−ジブロモ−１−ナフチルアミ
ン（１−５）１２．６ｇを得た（収率：６０％）。

【００４６】４−ブロモナフト［１，２−ｄ］［１，
２，３］オキサジアゾール（１−６）の合成 ２，４−ジブロモ−１−ナフチルアミン（１−５）１２
ｇ（３．９９×１０^-2ｍｏｌ）を酢酸２００ｍｌ、プロ
ピオン酸２５ｍｌの混合溶媒に溶解させ、氷浴で８〜１
０℃まで冷却して、亜硝酸ナトリウム３．３ｇ（４．７
９×１０^-2ｍｏｌ）を少量ずつ加え、そのまま３０分間
８〜１０℃にて撹拌した。反応液に１０％ＮａＯＨ水溶
液を加えてアルカリ性にして、クロロホルムで抽出し、
硫酸マグネシウムで乾燥させ、クロロホルムを留去し
た。これをシリカゲルカラムを用いて、クロロホルムで
展開して分離し、Ｒｆ値０．２の主生成物をクロロホル
ムで溶出し、溶媒を留去して、黄色結晶４−ブロモナフ
ト［１，２−ｄ］［１，２，３］オキサジアゾール（１
−６）７．３５ｇを得た（収率：７４％）。

【００４７】４−ブロモ−２−ナフトール（１−７）の
合成 ４−ブロモナフト［１，２−ｄ］［１，２，３］オキサ
ジアゾール（１−６）６．９５ｇ（２．７９×１０^-2ｍ
ｏｌ）をエタノール１５０ｍｌに懸濁させ、氷浴で０℃
まで冷却して、水素化ホウ素ナトリウム３２０ｍｇ
（８．３７×１０^-2ｍｏｌ）を少量ずつ加え、そのまま
３時間、０℃にて撹拌した。エタノールを留去した後、
５％ＨＣｌ水溶液１００ｍｌを加えて、さらに、１０％
ＮａＯＨ水溶液を加えてアルカリ性にして、中性の生成
物をジクロロメタンで抽出した。アルカリ性である水相
にＨＣｌ水溶液を加えて酸性にして、ジクロロメタンで
抽出し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、ジクロロメタン
を留去した。これをシリカゲルカラムを用いて、クロロ
ホルムで展開して分離し、Ｒｆ値０．１の主生成物をク
ロロホルムで溶出し、溶媒を留去して、暗褐色結晶４−
ブロモ−２−ナフトール（１−７）４．８５ｇを得た
（収率：７８％）。

【００４８】４−ブロモ−２−メトキシナフタレン（１
−８）の合成 ４−ブロモ−２−ナフトール（１−７）５．０ｇ（２．
１１×１０^-2ｍｏｌ）をフラスコに入れて窒素置換した
後、無水ジメチルホルムアミド３５ｍｌに溶解させた。
これに水素化ナトリウム６００ｍｇ（２．５×１０^-2ｍ
ｏｌ）を加えて、室温で１５分間撹拌した。このものに
ヨウ化メチル１．９ｍｌ（２．５×１０^-2ｍｏｌ）を加
えて、室温のまま１時間撹拌した。水を加えて、クロロ
ホルムで抽出し、水洗した後、硫酸マグネシウムで乾燥
させ、クロロホルムを留去した。これをシリカゲルカラ
ムを用いて、ヘキサンで展開して分離し、Ｒｆ値０．２
の主生成物をヘキサンで溶出し、溶媒を留去して、黄色
透明液体４−ブロモ−２−メトキシナフタレン（１−
８）４．６５ｇを得た（収率：９３％）。

【００４９】４−ブロモ−２−メトキシ−１−ナフトア
ルデヒド（１−９）の合成 ４−ブロモ−２−メトキシナフタレン（１−８）３．０
ｇ（１．２７×１０^-2ｍｏｌ）をフラスコに入れて、窒
素置換をした後、Ｎ−メチルホルムアニリド２．２３ｇ
（１．６５×１０^-2ｍｏｌ）とオキシ塩化リン２．５３
ｇ（１．６５×１０^-2ｍｏｌ）を加えて、オイルバスで
加熱し、そのまま３時間１００℃にて撹拌した。水を加
えて、クロロホルムで抽出し、水洗した後、硫酸マグネ
シウムで乾燥させ、クロロホルムを留去した。これをシ
リカゲルカラムを用いて、クロロホルムで展開して分離
し、Ｒｆ値０．８の主生成物をクロロホルムで溶出し、
溶媒を留去して、褐色結晶４−ブロモ−２−メトキシ−
１−ナフトアルデヒド（１−９）３．６９ｇを得た（収
率：定量的（１００％））。

【００５０】４−ブロモ−２−ヒドロキシ−１−ナフト
アルデヒド（１−１０）の合成 ４−ブロモ−２−メトキシ−１−ナフトアルデヒド（１
−９）５００ｍｇ（１．８９ｍｍｏｌ）をフラスコに入
れて、窒素置換した後、ヘキサン２５ｍｌ，クロロホル
ム２５ｍｌの混合溶媒に溶解させた。三臭化ホウ素６１
５ｍｇ（２．４６ｍｍｏｌ）を加えて、オイルバスで加
熱し、そのまま３時間７０℃にて撹拌した。溶媒留去
後、１０％ＮａＯＨ水溶液２０ｍｌを加えて、さらに、
ＨＣｌ水溶液を加えて酸性にして、エーテルで抽出し、
水洗した後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、エーテルを
留去した。これをシリカゲルカラムを用いてクロロホル
ムで展開して分離し、Ｒｆ値０．９の主生成物をクロロ
ホルムで溶出し、溶媒を留去して、黄色結晶４−ブロモ
−２−ヒドロキシ−１−ナフトアルデヒド（１−１０）
４００ｍｇを得た（収率：８５％）。

【００５１】化合物（１−１１）の合成 ３−ヨード−２−メチルベンゾチオフェン（１−３）
１．０ｇ（３．６４ｍｍｏｌ）をフラスコに入れ窒素置
換した後、無水テトラヒドロフラン２０ｍｌに溶解させ
た。これをメタノール−ドライアイス浴にて−６０℃に
冷却し、撹拌しながら１．６Ｎのｎ−ブチルリチウムヘ
キサン溶液２．３ｍｌ（３．６４ｍｍｏｌ）を１０分間
で滴下した。

【００５２】滴下後、−６０℃で１時間撹拌した。この
間、溶液は白濁色から黄白濁色へと変化した。その後、
化合物（１−１０）５００ｍｇ（１．９９ｍｍｏｌ）を
溶かした無水テトラヒドロフラン１０ｍｌを３０分間で
滴下し、そのまま終夜撹拌した。

【００５３】溶媒留去後、水，希塩酸を加えて、エーテ
ル抽出し、水洗した後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、
エーテルを留去した。これをシリカゲルカラムを用いて
クロロホルムで展開して分離し、Ｒｆ値０．５の主生成
物をクロロホルムで溶出し、溶媒を留去して、黄色結晶
化合物（１−１１）２４０ｍｇを得た（収率：３０
％）。この際、副生成物として、化合物（１−１２）も
生成した。

【００５４】化合物（１−１２）の合成 化合物（１−１１）２００ｍｇ（５．０×１０^-4ｍｏ
ｌ）をベンゼン３０ｍｌに溶解させ、硫酸マグネシウム
５００ｍｇと微量（触媒量）のｐ−トルエンスルホン酸
を加えて、６５℃にて３０分間撹拌した。濾過により、
硫酸マグネシウム，ｐ−トルエンスルホン酸を除去し、
溶媒留去後、これをシリカゲルカラムを用いてヘキサン
で展開して分離し、第一流出物を分取して、黄色結晶化
合物（１−１２）１２０ｍｇを得た（収率：６２％）。

【００５５】化合物（１−１３）の合成 化合物（１−１２）２００ｍｇ（５．２×１０^-4ｍｏ
ｌ）をジメチルホルムアミド３０ｍｌに溶解させ、シア
ン化銅５６ｍｇ（６．２×１０^-4ｍｏｌ）を加えて、１
４０℃にて６時間撹拌した。

【００５６】反応液に、エチレンジアミン１０ｍｌを加
えた水１００ｍｌを加えて、ベンゼンで抽出し、水洗し
た後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、ベンゼンを留去し
た。これをシリカゲルカラムを用いてヘキサンで展開し
て分離し、第一流出物を分取して、黄色結晶化合物（１
−１３）２０ｍｇを得た（収率：１３％）。

【００５７】［記録材料の作成］化合物（１−１３）１
０ｍｇとポリスチレン１ｇとをトルエンに溶解し、キャ
スト法により高分子フィルムを作成した。図１にこのも
のの吸収スペクトルを実線で示す。この高分子フィルム
に波長４２５ｎｍの光を照射すると、図１の破線で示す
ように、吸収スペクトルが徐々に減少した。その後、再
び、波長３０５ｎｍの光を照射すると実線のスペクトル
に回復し、フォトクロミック反応性を示すことが確認さ
れた。

【００５８】実施例２ ［ナフトピラン誘導体の合成］次の合成ルートに従っ
て、前記一般式[IV]で示すｉ位にシアノ基を有するナフ
トピラン誘導体（２−７）を合成した。

【００５９】

【化１２】

【００６０】３−ブロモ−６−シアノ−２−メチルベン
ゾチオフェン（２−５）の合成 公知の方法により前述の反応経路により得た６−シアノ
−２−メチルベンゾチオフェン（２−３）５００ｍｇ
（２．９ｍｍｏｌ）をクロロホルム４０ｍｌに溶解さ
せ、臭素３００ｍｇ（１．９ｍｍｏｌ）を溶解させたク
ロロホルム２０ｍｌを３０分間で滴下し、室温におい
て、４時間撹拌した。チオ硫酸ナトリウム水溶液を加え
て、クロロホルムで抽出し、水洗した後、硫酸マグネシ
ウムで乾燥させ、クロロホルムを留去した。これをシリ
カゲルカラムを用いてヘキサンで展開して分離し、第一
流出物を分取して、白色結晶化合物（２−５）７２０ｍ
ｇを得た（収率：９９％）。

【００６１】化合物（２−６）の合成 ３−ブロモ−６−シアノ−２−メチルベンゾチオフェン
（２−５）７００ｍｇ（２．７７ｍｍｏｌ）をフラスコ
に入れ窒素置換した後、無水テトラヒドロフラン２０ｍ
ｌに溶解させた。これをメタノール−液体窒素浴にて−
１００℃に冷却し、撹拌しながら１．６Ｎのｎ−ブチル
リチウムヘキサン溶液２．１ｍｌ（３．３２ｍｍｏｌ）
を１０分間で滴下した。

【００６２】滴下後、−１００℃で２時間撹拌した。こ
の間、溶液は白濁色から暗褐色へと変化した。その後、
２−ヒドロキシ−１−ナフトアルデヒド５００ｍｇ
（２．９１ｍｍｏｌ）を溶かした無水テトラヒドロフラ
ン１０ｍｌを３０分間で滴下し、−１００℃に保ち、６
時間撹拌した。

【００６３】溶媒留去後、水，希塩酸を加えて、エーテ
ル抽出し、水洗した後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、
エーテルを留去した。これをシリカゲルカラムを用いて
クロロホルムで展開して分離し、Ｒｆ値０．５の主生成
物をクロロホルムで溶出し、溶媒を留去して、黄色結晶
化合物（２−６）６００ｍｇを得た（収率：６３％）。
この際、副生成物として、化合物（２−７）も生成し
た。

【００６４】化合物（２−７）の合成 化合物（２−６）６００ｍｇ（１．７ｍｍｏｌ）をベン
ゼン３０ｍｌに溶解させ、硫酸マグネシウム５００ｍ
ｇ，ｐ−トルエンスルホン酸微量（触媒量）を加えて、
６５℃にて３０分間撹拌した。濾過により、硫酸マグネ
シウム，ｐ−トルエンスルホン酸を除去し、溶媒留去
後、これをシリカゲルカラムを用いてヘキサンで展開し
て分離し、第一流出物を分取して、黄色結晶化合物（２
−７）３２０ｍｇを得た（収率：６２％）。

【００６５】［記録材料の作成］化合物（２−７）１０
ｍｇとポリスチレン１ｇとをトルエンに溶解し、キャス
ト法により高分子フィルムを作成した。図２にこのもの
の吸収スペクトルを実線で示す。この高分子フィルムに
波長４０５ｎｍの光を照射すると、図２の破線で示すよ
うに、吸収スペクトルが変化した。その後、再び、波長
３０５ｎｍの光を照射すると実線のスペクトルに回復
し、フォトクロミック反応性を示すことが確認された。

【００６６】

【発明の効果】以上詳述した通り、本発明のフォトクロ
ミック光記録材料によれば、非破壊読み出しが可能なフ
ォトクロミック光記録材料が提供される。即ち、本発明
のフォトクロミック光記録材料によれば読み出しの際に
は弱い読み出し光を用いれば、記録を破壊することなく
読み出すことが可能であり、また、光量を上げれは記録
を消去することが可能である。

【００６７】請求項２のフォトクロミック光記録材料に
よれば、より一層優れた光記録特性を有するフォトクロ
ミック光記録材料が提供される。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１で作成した記録材料の吸収スペクトル
線図である。

【図２】実施例２で作成した記録材料の吸収スペクトル
線図である。

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式［Ｉ］で表される主要骨格を
   有するナフトピラン誘導体であって、ナフタレン環又は
   ベンゼン環の置換基として、少なくとも１個の電子吸引
   性基を有するナフトピラン誘導体を含有することを特徴
   とするフォトクロミック光記録材料。 【化１】
2. 【請求項２】 請求項１のフォトクロミック光記録材料
   において、ナフトピラン誘導体が下記一般式[II]で表さ
   れ、かつ、ナフタレン環又はベンゼン環に電子吸引性基
   として少なくとも１個のシアノ基又はニトロ基を有する
   ことを特徴とするフォトクロミック光記録材料。 【化２】 （式中、Ｒ¹ はアルキル基、アルコキシ基、パーフルオ
   ロアルキル基又はシアノ基を示し、Ｒ² ，Ｒ³ ，Ｒ⁴ ，
   Ｒ⁵ ，Ｒ⁶ ，Ｒ⁷ ，Ｒ⁸ ，Ｒ⁹ ，Ｒ¹⁰又はＲ¹¹は各々独
   立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキ
   シ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、シアノ
   基、ニトロ基、アルカノイルオキシ基又はアルキルオキ
   シカルボニル基を示す。）