JP3384880B2 - 写真製版における焦点合わせ方法 - Google Patents
写真製版における焦点合わせ方法Info
- Publication number
- JP3384880B2 JP3384880B2 JP18490594A JP18490594A JP3384880B2 JP 3384880 B2 JP3384880 B2 JP 3384880B2 JP 18490594 A JP18490594 A JP 18490594A JP 18490594 A JP18490594 A JP 18490594A JP 3384880 B2 JP3384880 B2 JP 3384880B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- predetermined
- height position
- wafer
- area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/7026—Focusing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、写真製版における焦点
合わせ方法に関するものである。より特定的には、ステ
ップアンドリピートによりマスクパターンを縮小投影レ
ンズを通してウエハ表面の所定領域ごとに連続的に転写
する露光方法において、その所定領域ごとに露光光の照
射前に露光光の焦点合わせを行なう焦点合わせ方法に関
するものである。
合わせ方法に関するものである。より特定的には、ステ
ップアンドリピートによりマスクパターンを縮小投影レ
ンズを通してウエハ表面の所定領域ごとに連続的に転写
する露光方法において、その所定領域ごとに露光光の照
射前に露光光の焦点合わせを行なう焦点合わせ方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】マスクに描画されたパターンをレジスト
に転写する投影露光装置の１つに縮小投影露光装置があ
る。この縮小投影露光装置では、ステップアンドリピー
ト方式が採用され、この方式を実現できる機構が備えら
れている。
に転写する投影露光装置の１つに縮小投影露光装置があ
る。この縮小投影露光装置では、ステップアンドリピー
ト方式が採用され、この方式を実現できる機構が備えら
れている。
【０００３】ステップアンドリピート方式とは、マスク
パターンをレジストに転写する場合、２次元に移動でき
るＸ−Ｙステージ上のウエハを定寸送りするたびごとに
露光する方法である。以下、この縮小投影露光装置にお
ける露光方法について説明する。
パターンをレジストに転写する場合、２次元に移動でき
るＸ−Ｙステージ上のウエハを定寸送りするたびごとに
露光する方法である。以下、この縮小投影露光装置にお
ける露光方法について説明する。
【０００４】図８は、一般的な縮小投影露光装置の露光
の様子を示す図である。図８を参照して、光源５１１か
ら水銀ランプの光（ｇ線またはｉ線）がコンデンサレン
ズ５１３を介してガラスマスク（レティクル）５１５に
照射される。このガラスマスク５１５を通過した光は、
縮小投影レンズ５０１を通じてウエハ５０上のフォトレ
ジストに映される。
の様子を示す図である。図８を参照して、光源５１１か
ら水銀ランプの光（ｇ線またはｉ線）がコンデンサレン
ズ５１３を介してガラスマスク（レティクル）５１５に
照射される。このガラスマスク５１５を通過した光は、
縮小投影レンズ５０１を通じてウエハ５０上のフォトレ
ジストに映される。
【０００５】このような縮小投影露光装置では、１回
（１ショット）で露光できる領域が１５ｍｍ×１５ｍｍ
前後である。このため、ウエハ５０の位置がＸ−Ｙステ
ージ５０２によりＸ、Ｙ方向に順次自動的に移動され
て、１ショットごとにウエハ５０が露光される。
（１ショット）で露光できる領域が１５ｍｍ×１５ｍｍ
前後である。このため、ウエハ５０の位置がＸ−Ｙステ
ージ５０２によりＸ、Ｙ方向に順次自動的に移動され
て、１ショットごとにウエハ５０が露光される。
【０００６】なお、ウエハ５０は、Ｘ−Ｙステージ５０
２上に真空固定されている。このようにステップアンド
リピート方式により１ショットごとにウエハを露光して
いく方式は、一括転写方式に比べてスループットは低い
が、投影面積を絞った分だけ、同程度の大きさで、開
口数（ＮＡ）の大きなレンズを使用することができるた
め解像性と寸法制御性とに優れたパターンが得られる、
投影面積が小さい分だけ、レンズによる像の歪み（デ
ィストーション）を小さく抑えることができるため、高
精度の位置合わせが可能である、という特徴を有してい
る。この縮小投影露光装置を用いてウエハ上に露光処理
を施し、解像度の高いパターンを形成する場合、特に露
光処理前における露光光の焦点合わせが重要となる。こ
の露光光の焦点合わせは、通常、縮小投影露光装置に設
けられたオートフォーカス機構により行なわれる。
２上に真空固定されている。このようにステップアンド
リピート方式により１ショットごとにウエハを露光して
いく方式は、一括転写方式に比べてスループットは低い
が、投影面積を絞った分だけ、同程度の大きさで、開
口数（ＮＡ）の大きなレンズを使用することができるた
め解像性と寸法制御性とに優れたパターンが得られる、
投影面積が小さい分だけ、レンズによる像の歪み（デ
ィストーション）を小さく抑えることができるため、高
精度の位置合わせが可能である、という特徴を有してい
る。この縮小投影露光装置を用いてウエハ上に露光処理
を施し、解像度の高いパターンを形成する場合、特に露
光処理前における露光光の焦点合わせが重要となる。こ
の露光光の焦点合わせは、通常、縮小投影露光装置に設
けられたオートフォーカス機構により行なわれる。
【０００７】図９は、縮小投影露光装置に用いられる一
般的なオートフォーカス機構の構成を概略的に示す図で
ある。図９を参照して、オートフォーカス機構は、発光
ダイオード（ＬＥＤ）５０３と、コンデンサレンズ５０
４と、投影スリット５０５と、投影レンズ５０６と、受
光レンズ５０７と、振動子５０８と、受光スリット５０
９と、ディテクタ５１０とを有している。
般的なオートフォーカス機構の構成を概略的に示す図で
ある。図９を参照して、オートフォーカス機構は、発光
ダイオード（ＬＥＤ）５０３と、コンデンサレンズ５０
４と、投影スリット５０５と、投影レンズ５０６と、受
光レンズ５０７と、振動子５０８と、受光スリット５０
９と、ディテクタ５１０とを有している。
【０００８】発光ダイオード５０３から発するレーザ光
がコンデンサレンズ５０４を通過し、投影スリット５０
５を介して、さらに投影レンズ５０６を通じてウエハ５
０の表面に入射させられる。ウエハ５０の表面で反射し
たレーザ光は受光レンズ５０７を通じて振動子５０８に
よって所定角度で反射させられた後、受光スリット５０
９を介してディテクタ５１０によって受け止められる。
このディテクタ５１０によってレーザ光の強度が検出さ
れる。
がコンデンサレンズ５０４を通過し、投影スリット５０
５を介して、さらに投影レンズ５０６を通じてウエハ５
０の表面に入射させられる。ウエハ５０の表面で反射し
たレーザ光は受光レンズ５０７を通じて振動子５０８に
よって所定角度で反射させられた後、受光スリット５０
９を介してディテクタ５１０によって受け止められる。
このディテクタ５１０によってレーザ光の強度が検出さ
れる。
【０００９】なお、この露光光の焦点合わせが行なわれ
る状態において、ウエハ５０上にはフォトレジストが塗
布されている。
る状態において、ウエハ５０上にはフォトレジストが塗
布されている。
【００１０】このディテクタによって検出されたレーザ
光の強度によって、ウエハ５０のレーザ光が照射された
位置における表面の高さ位置が検出される。この表面高
さ位置に対して露光光の焦点が最適となるように、縮小
投影レンズ５０１に対してＸ−Ｙステージ５０２がＺ方
向（高さ方向）に上下する。これによって、ウエハ５０
のレーザ光が照射された表面が、縮小投影レンズ５０１
に対して最適な位置となるように調整される。
光の強度によって、ウエハ５０のレーザ光が照射された
位置における表面の高さ位置が検出される。この表面高
さ位置に対して露光光の焦点が最適となるように、縮小
投影レンズ５０１に対してＸ−Ｙステージ５０２がＺ方
向（高さ方向）に上下する。これによって、ウエハ５０
のレーザ光が照射された表面が、縮小投影レンズ５０１
に対して最適な位置となるように調整される。
【００１１】次に、１つの縮小投影露光装置におけるウ
エハの処理工程について説明する。図１０は、縮小投影
露光装置におけるウエハの処理工程を概略的に示すフロ
ー図である。また図１１は、図１０の焦点合わせ工程１
３０における段差測定工程１３１ｂと焦点位置調整工程
１３３とをより詳細に示すフロー図である。
エハの処理工程について説明する。図１０は、縮小投影
露光装置におけるウエハの処理工程を概略的に示すフロ
ー図である。また図１１は、図１０の焦点合わせ工程１
３０における段差測定工程１３１ｂと焦点位置調整工程
１３３とをより詳細に示すフロー図である。
【００１２】また図１２は、複数個のショット領域より
なる露光領域と未露光領域とを示すウエハの概略平面図
である。図１３は、１ショット内におけるレーザ光の照
射位置を説明するための概略平面図である。
なる露光領域と未露光領域とを示すウエハの概略平面図
である。図１３は、１ショット内におけるレーザ光の照
射位置を説明するための概略平面図である。
【００１３】主に図１０を参照して、まず縮小投影露光
装置に半導体ウエハが搬入される（ステップ１１０）。
つまり、ウエハがＸ−Ｙステージに載置され真空固定さ
れる。このウエハに、転写すべきマスクパターンを正し
く重ね合わせるアライメント操作が行なわれる（ステッ
プ１２０）。この状態でウエハに対する焦点合わせが行
なわれる（ステップ１３０）。この焦点合わせ工程１３
０は、段差測定工程１３１ｂと焦点位置調整工程１３３
とからなっている。
装置に半導体ウエハが搬入される（ステップ１１０）。
つまり、ウエハがＸ−Ｙステージに載置され真空固定さ
れる。このウエハに、転写すべきマスクパターンを正し
く重ね合わせるアライメント操作が行なわれる（ステッ
プ１２０）。この状態でウエハに対する焦点合わせが行
なわれる（ステップ１３０）。この焦点合わせ工程１３
０は、段差測定工程１３１ｂと焦点位置調整工程１３３
とからなっている。
【００１４】まず段差測定工程１３１ｂにおける段差
（ΔＦ）の測定に際し、所定数のショットが特定され
る。つまり図１２を参照して、ウエハ表面の露光領域５
７は、複数個のショット５５（一点鎖線で囲む領域）よ
りなっている。このショット５５は、縮小投影露光装置
のステップアンドリピート方式で１回に露光されるべき
領域である。ショット５５は、一般にチップとなるべき
領域（以下、チップ領域と称する）５１とこのチップ領
域間に位置するダイシングライン領域５３とを含む。こ
のような複数個のショット５５のうちから所定数のショ
ット５５が特定されるのである。
（ΔＦ）の測定に際し、所定数のショットが特定され
る。つまり図１２を参照して、ウエハ表面の露光領域５
７は、複数個のショット５５（一点鎖線で囲む領域）よ
りなっている。このショット５５は、縮小投影露光装置
のステップアンドリピート方式で１回に露光されるべき
領域である。ショット５５は、一般にチップとなるべき
領域（以下、チップ領域と称する）５１とこのチップ領
域間に位置するダイシングライン領域５３とを含む。こ
のような複数個のショット５５のうちから所定数のショ
ット５５が特定されるのである。
【００１５】主に図１１を参照して、特定されたショッ
ト５５のうち１つのショット５５の中央部（ショットセ
ンタ）の高さ位置ＦA が測定される（ステップ２０
１）。つまり図１３を参照して、ショット５５の略中央
部とみなせる位置５５ａにレーザ光７０が照射され、図
９で説明したようにこのレーザ光７０の反射光の強度に
より高さ位置ＦA が検出される。
ト５５のうち１つのショット５５の中央部（ショットセ
ンタ）の高さ位置ＦA が測定される（ステップ２０
１）。つまり図１３を参照して、ショット５５の略中央
部とみなせる位置５５ａにレーザ光７０が照射され、図
９で説明したようにこのレーザ光７０の反射光の強度に
より高さ位置ＦA が検出される。
【００１６】次に、Ｘ−ＹステージがＸ、Ｙ方向に所定
量移動する（ステップ２０３：図１１）。これにより、
図１３においてレーザ光７０の照射位置が、中央部５５
ａから同一ショット５５内で所定量移動された基準位置
５５ｂに設定される。この基準位置５５ｂは、ショット
５５内におけるウエハ表面の略平坦な領域６３に位置す
るよう設定される。
量移動する（ステップ２０３：図１１）。これにより、
図１３においてレーザ光７０の照射位置が、中央部５５
ａから同一ショット５５内で所定量移動された基準位置
５５ｂに設定される。この基準位置５５ｂは、ショット
５５内におけるウエハ表面の略平坦な領域６３に位置す
るよう設定される。
【００１７】チップ領域内においては、繰返しパターン
領域の表面は他の領域に比べて平坦である。このため、
チップがたとえばＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Me
mory）の場合には、繰返しパターン領域であるメモリセ
ル領域ＭＣ上に基準位置５５ｂが設定される。
領域の表面は他の領域に比べて平坦である。このため、
チップがたとえばＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Me
mory）の場合には、繰返しパターン領域であるメモリセ
ル領域ＭＣ上に基準位置５５ｂが設定される。
【００１８】次に、この基準位置５５ｂにレーザ光７０
が照射され、この位置５５ｂの高さ位置ＦB が測定され
る（ステップ２０５：図１１）。
が照射され、この位置５５ｂの高さ位置ＦB が測定され
る（ステップ２０５：図１１）。
【００１９】次に、ショットセンタ５５ａの高さ位置Ｆ
A と基準位置５５ｂの高さ位置ＦBとにより、これらの
高さ位置の差ΔＦが求められる（ステップ２０７：図１
１）。つまり図１４を参照して、高さ位置の差ΔＦは、
基準面となる基準位置５５ｂの高さ位置ＦB からショッ
トセンタ５５ａの高さ位置ＦA を引いた値（ＦB −
Ｆ A ）である。
A と基準位置５５ｂの高さ位置ＦBとにより、これらの
高さ位置の差ΔＦが求められる（ステップ２０７：図１
１）。つまり図１４を参照して、高さ位置の差ΔＦは、
基準面となる基準位置５５ｂの高さ位置ＦB からショッ
トセンタ５５ａの高さ位置ＦA を引いた値（ＦB −
Ｆ A ）である。
【００２０】なお図１４は、ウエハの部分断面図を示し
ており、１ショット５５内に２つのチップ領域５１とダ
イシングライン領域５３とが含まれる構成を示してい
る。また図１４は、ショットセンタ５５ａがダイシング
ライン領域ＤＬ、基準位置５５ｂがメモリセル領域ＭＣ
である場合を示している。
ており、１ショット５５内に２つのチップ領域５１とダ
イシングライン領域５３とが含まれる構成を示してい
る。また図１４は、ショットセンタ５５ａがダイシング
ライン領域ＤＬ、基準位置５５ｂがメモリセル領域ＭＣ
である場合を示している。
【００２１】なお、ショットセンタがメモリセル領域Ｍ
Ｃとなる場合には、図１５に示すようになる。この図１
５は、１ショット内に３つのチップ領域５１とダイシン
グライン領域５３とが含まれる構成を示している。
Ｃとなる場合には、図１５に示すようになる。この図１
５は、１ショット内に３つのチップ領域５１とダイシン
グライン領域５３とが含まれる構成を示している。
【００２２】次に特定されたすべてのショットにおい
て、高さ位置の差ΔＦの算出が繰返される（ステップ２
０９：図１１）。特定されたすべてのショットにおいて
高さ位置の差ΔＦの算出が終了した場合には、各ショッ
ト内での高さ位置の差（ΔＦ）の平均値ΔＦave が演算
される（ステップ２１１：図１１）。
て、高さ位置の差ΔＦの算出が繰返される（ステップ２
０９：図１１）。特定されたすべてのショットにおいて
高さ位置の差ΔＦの算出が終了した場合には、各ショッ
ト内での高さ位置の差（ΔＦ）の平均値ΔＦave が演算
される（ステップ２１１：図１１）。
【００２３】このように特定されたショット内でのΔＦ
ave が算出された後に、図１０に示すようにステップア
ンドリピート方式により各ショットごとに焦点位置調整
（ステップ１３３）と、この焦点位置に焦点を合わせた
露光（ステップ１４０）とが行なわれる。
ave が算出された後に、図１０に示すようにステップア
ンドリピート方式により各ショットごとに焦点位置調整
（ステップ１３３）と、この焦点位置に焦点を合わせた
露光（ステップ１４０）とが行なわれる。
【００２４】主に図１１を参照して、焦点位置調整工程
１３３では、まず露光されるべき各ショットごとのショ
ットセンタの高さ位置ＦA1が測定される（ステップ２２
１）。
１３３では、まず露光されるべき各ショットごとのショ
ットセンタの高さ位置ＦA1が測定される（ステップ２２
１）。
【００２５】次に、このショットセンタの高さ位置ＦA1
と、上述の段差測定工程１３１ｂで得られた高さ位置の
差の平均値ΔＦave と、フォーカスオフセットＦO とに
より最適フォーカス位置が決定される（ステップ２２
３：図１１）。つまり図１４を参照して、ショットセン
タの高さ位置ＦA1に平均値ΔＦave とフォーカスオフセ
ットＦO とが加えられ（ＦA1＋ΔＦave ＋ＦO ）、最適
フォーカス位置（面）Ｆ S が決定される。
と、上述の段差測定工程１３１ｂで得られた高さ位置の
差の平均値ΔＦave と、フォーカスオフセットＦO とに
より最適フォーカス位置が決定される（ステップ２２
３：図１１）。つまり図１４を参照して、ショットセン
タの高さ位置ＦA1に平均値ΔＦave とフォーカスオフセ
ットＦO とが加えられ（ＦA1＋ΔＦave ＋ＦO ）、最適
フォーカス位置（面）Ｆ S が決定される。
【００２６】次に、この最適フォーカス位置ＦS に露光
光の焦点が合うように、縮小投影レンズに対してＸ−Ｙ
ステージがＺ方向（高さ方向）に上下させられる（ステ
ップ２２５：図１１）。
光の焦点が合うように、縮小投影レンズに対してＸ−Ｙ
ステージがＺ方向（高さ方向）に上下させられる（ステ
ップ２２５：図１１）。
【００２７】主に図１０を参照して、この後、上述の１
ショット分の露光が施されて、フォトレジストにマスク
パターンが転写される（ステップ１４０）。
ショット分の露光が施されて、フォトレジストにマスク
パターンが転写される（ステップ１４０）。
【００２８】次に、Ｘ−Ｙステージが、次のショットが
露光可能となるようにＸ、Ｙ方向に移動する（ステップ
１５０）。このようにして、複数個のショットについ
て、この焦点位置調整工程１３３と露光工程１４０とが
繰返し行なわれる（ステップ１６０）。
露光可能となるようにＸ、Ｙ方向に移動する（ステップ
１５０）。このようにして、複数個のショットについ
て、この焦点位置調整工程１３３と露光工程１４０とが
繰返し行なわれる（ステップ１６０）。
【００２９】すべてのショットについてマスクパターン
の転写が行なわれた後、ウエハが縮小投影露光装置から
搬出される（ステップ１７０）。
の転写が行なわれた後、ウエハが縮小投影露光装置から
搬出される（ステップ１７０）。
【００３０】
【発明が解決しようとする課題】従来の写真製版におけ
る焦点合わせ方法においては、高さ位置の差ΔＦを算出
するに当たり、基準面として基準位置５５ｂの高さ位置
ＦB が求められる。この基準面の高さ位置ＦB は最適フ
ォーカス位置を求める際の基準となる数値であるため、
その数値は正確であることが望まれる。このため、チッ
プ内の他の領域に比較して平坦な表面を有する繰返しパ
ターン領域が基準面として採用される。つまり、繰返し
パターン領域の表面は比較的平坦であるため、その領域
に高さ位置測定のためのレーザ光が照射されても反射光
の強度が表面段差の影響を受けにくく、ゆえに正確な表
面高さ位置を得ることが可能となる。
る焦点合わせ方法においては、高さ位置の差ΔＦを算出
するに当たり、基準面として基準位置５５ｂの高さ位置
ＦB が求められる。この基準面の高さ位置ＦB は最適フ
ォーカス位置を求める際の基準となる数値であるため、
その数値は正確であることが望まれる。このため、チッ
プ内の他の領域に比較して平坦な表面を有する繰返しパ
ターン領域が基準面として採用される。つまり、繰返し
パターン領域の表面は比較的平坦であるため、その領域
に高さ位置測定のためのレーザ光が照射されても反射光
の強度が表面段差の影響を受けにくく、ゆえに正確な表
面高さ位置を得ることが可能となる。
【００３１】しかし、基準面として繰返しパターン領域
を用いても、高集積化を推し進めた場合には、パターン
形状の不良などの問題が生じる。以下、そのことについ
て詳細に説明する。
を用いても、高集積化を推し進めた場合には、パターン
形状の不良などの問題が生じる。以下、そのことについ
て詳細に説明する。
【００３２】 高さ位置測定のために用いられるレー
ザ光のスポット７０の寸法は、図１３に示すようにウエ
ハ上にて、長さＬ：２ｍｍ、幅Ｗ：１５０μｍである。
このため、このレーザ光が照射される繰返しパターン領
域６３は少なくともレーザ光スポット７０の寸法分の平
面占有面積を有していなければならない。すなわち、繰
返しパターン領域６３がレーザ光スポット７０の寸法分
の面積を有していれば、図１６に示すようにレーザ光７
０ａは繰返しパターン領域６３のみに入射・反射され
る。それゆえ、基準面となる繰返しパターン領域６３の
高さ位置を正確に測定することができる。
ザ光のスポット７０の寸法は、図１３に示すようにウエ
ハ上にて、長さＬ：２ｍｍ、幅Ｗ：１５０μｍである。
このため、このレーザ光が照射される繰返しパターン領
域６３は少なくともレーザ光スポット７０の寸法分の平
面占有面積を有していなければならない。すなわち、繰
返しパターン領域６３がレーザ光スポット７０の寸法分
の面積を有していれば、図１６に示すようにレーザ光７
０ａは繰返しパターン領域６３のみに入射・反射され
る。それゆえ、基準面となる繰返しパターン領域６３の
高さ位置を正確に測定することができる。
【００３３】しかし仮に、繰返しパターン領域６３がレ
ーザ光スポット７０の寸法分の面積を有していなけれ
ば、図１７に示すようにビームスポット７０が繰返しパ
ターン領域６３からはみ出してしまう。この場合には、
高さ位置の異なる領域６１にもレーザ光７０ａが照射さ
れることになるため、反射されたレーザ光７０ａの強度
が変化し、正確な高さ位置を測定できなくなる。
ーザ光スポット７０の寸法分の面積を有していなけれ
ば、図１７に示すようにビームスポット７０が繰返しパ
ターン領域６３からはみ出してしまう。この場合には、
高さ位置の異なる領域６１にもレーザ光７０ａが照射さ
れることになるため、反射されたレーザ光７０ａの強度
が変化し、正確な高さ位置を測定できなくなる。
【００３４】 また、ＩＣ（Integrated Circuit) の
中には、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated
Circuit)等のロジックＬＳＩのように、繰返しパターン
領域のような平坦とみなせる領域がない場合もある。こ
のような場合には、レーザ光の照射により基準面となる
べき領域の正確な高さ位置が測定できない。
中には、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated
Circuit)等のロジックＬＳＩのように、繰返しパターン
領域のような平坦とみなせる領域がない場合もある。こ
のような場合には、レーザ光の照射により基準面となる
べき領域の正確な高さ位置が測定できない。
【００３５】これまでの０．８μｍ程度までの設計ルー
ルでは、設計ルールに対して、露光装置の性能に余裕が
あり、焦点深度が十分にあったため、このようなＡＳＩ
Ｃ等のロジックＬＳＩでは、各品種ごとのフォーカス設
定をせず、同じ設計ルールの製品については一律のフォ
ーカス設定をしてきた。ところが、高集積化による素子
の微細化が進んだ現在では、０．６μｍ以下の設計ルー
ルで素子が作成されるようになり、よりシビアな焦点深
度の設定が求められるようになった。
ルでは、設計ルールに対して、露光装置の性能に余裕が
あり、焦点深度が十分にあったため、このようなＡＳＩ
Ｃ等のロジックＬＳＩでは、各品種ごとのフォーカス設
定をせず、同じ設計ルールの製品については一律のフォ
ーカス設定をしてきた。ところが、高集積化による素子
の微細化が進んだ現在では、０．６μｍ以下の設計ルー
ルで素子が作成されるようになり、よりシビアな焦点深
度の設定が求められるようになった。
【００３６】このような微細な設計ルールの下では、
、のように基準面の正確な高さ位置が測定できない
と、露光光の焦点位置を最適な焦点位置に合わせること
ができない。そのため、パターニングの形成時において
パターン形状の不良などを生じてしまう。
、のように基準面の正確な高さ位置が測定できない
と、露光光の焦点位置を最適な焦点位置に合わせること
ができない。そのため、パターニングの形成時において
パターン形状の不良などを生じてしまう。
【００３７】それゆえ、本発明の目的は、高集積化によ
りパターンが微細化されても、パターン形状の良好な素
子を形成できる写真製版における焦点合わせ方法を提供
することである。
りパターンが微細化されても、パターン形状の良好な素
子を形成できる写真製版における焦点合わせ方法を提供
することである。
【００３８】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の写真製
版における焦点合わせ方法は、ステップアンドリピート
によりマスクパターンを縮小投影レンズを通してウエハ
表面の所定領域ごとに連続的に転写することにより、露
光光の照射された複数個の所定領域よりなる第１の領域
と露光光の照射されない第２の領域とを有するようにウ
エハ表面を露光するために、所定領域ごとに露光光の照
射前に露光光の焦点合わせを行なう写真製版における焦
点合わせ方法において、以下の工程を備えている。
版における焦点合わせ方法は、ステップアンドリピート
によりマスクパターンを縮小投影レンズを通してウエハ
表面の所定領域ごとに連続的に転写することにより、露
光光の照射された複数個の所定領域よりなる第１の領域
と露光光の照射されない第２の領域とを有するようにウ
エハ表面を露光するために、所定領域ごとに露光光の照
射前に露光光の焦点合わせを行なう写真製版における焦
点合わせ方法において、以下の工程を備えている。
【００３９】まず複数個の所定領域のうちの特定された
所定領域内の第１の所定位置における表面高さ位置が測
定される。そして第２の領域内の第２の所定位置におけ
る表面高さ位置が測定される。そして第１の所定位置に
おける表面高さ位置と第２の所定位置における表面高さ
位置との高さ位置の差が算出される。そして複数個の所
定領域のうちから任意に選ばれた所定領域内の第１の所
定位置に対応する第３の所定位置における表面高さ位置
が測定される。そして高さ位置の差と第３の所定位置に
おける表面高さ位置とにより、任意に選ばれた所定領域
における最適フォーカス位置が決定される。そして最適
フォーカス位置に露光光の焦点が合うようにウエハと縮
小投影レンズとの位置関係が調整される。第１の領域は
露光領域であり、第２の領域は未露光領域である。
所定領域内の第１の所定位置における表面高さ位置が測
定される。そして第２の領域内の第２の所定位置におけ
る表面高さ位置が測定される。そして第１の所定位置に
おける表面高さ位置と第２の所定位置における表面高さ
位置との高さ位置の差が算出される。そして複数個の所
定領域のうちから任意に選ばれた所定領域内の第１の所
定位置に対応する第３の所定位置における表面高さ位置
が測定される。そして高さ位置の差と第３の所定位置に
おける表面高さ位置とにより、任意に選ばれた所定領域
における最適フォーカス位置が決定される。そして最適
フォーカス位置に露光光の焦点が合うようにウエハと縮
小投影レンズとの位置関係が調整される。第１の領域は
露光領域であり、第２の領域は未露光領域である。
【００４０】
【００４１】請求項２に記載の写真製版における焦点合
わせ方法では、ウエハは、複数個のチップ領域を含み、
チップ領域のすべては第１の領域内に位置している。
わせ方法では、ウエハは、複数個のチップ領域を含み、
チップ領域のすべては第１の領域内に位置している。
【００４２】請求項３に記載の写真製版における焦点合
わせ方法では、第２の領域はウエハ表面の周辺部に位置
し、第１の領域を取囲んでいる。
わせ方法では、第２の領域はウエハ表面の周辺部に位置
し、第１の領域を取囲んでいる。
【００４３】請求項４に記載の写真製版における焦点合
わせ方法では、第２の領域は第１の領域に取囲まれるよ
うに形成された部分を含んでいる。
わせ方法では、第２の領域は第１の領域に取囲まれるよ
うに形成された部分を含んでいる。
【００４４】
【作用】本発明の写真製版における焦点合わせ方法で
は、未露光領域内の下に位置するウエハ表面が基準面と
されている。この領域は露光光の照射されない領域であ
り、チップが形成されない領域であるため、表面は実質
的に平坦である。また、この領域では、照射されるレー
ザ光のスポットがはみ出ないような寸法を確保すること
も容易である。このため、基準面の高さ位置を正確に測
定することが可能となる。したがって、素子が高集積化
されても、写真製版におけるパターン形状の不良が生じ
難い。
は、未露光領域内の下に位置するウエハ表面が基準面と
されている。この領域は露光光の照射されない領域であ
り、チップが形成されない領域であるため、表面は実質
的に平坦である。また、この領域では、照射されるレー
ザ光のスポットがはみ出ないような寸法を確保すること
も容易である。このため、基準面の高さ位置を正確に測
定することが可能となる。したがって、素子が高集積化
されても、写真製版におけるパターン形状の不良が生じ
難い。
【００４５】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面に基づい
て説明する。
て説明する。
【００４６】本発明の実施例における露光工程は、図１
０に示す従来の露光工程と比べて、特に焦点合わせ工程
（ステップ１３０）が異なる。
０に示す従来の露光工程と比べて、特に焦点合わせ工程
（ステップ１３０）が異なる。
【００４７】図１は、本発明の実施例における焦点合わ
せ工程を段差測定工程と焦点位置調整工程とに分けて示
すフロー図である。図２は、ウエハにおける露光領域と
未露光領域とを示す平面図である。また図３は、図２の
ウエハの一部拡大平面図である。
せ工程を段差測定工程と焦点位置調整工程とに分けて示
すフロー図である。図２は、ウエハにおける露光領域と
未露光領域とを示す平面図である。また図３は、図２の
ウエハの一部拡大平面図である。
【００４８】図１を参照して、縮小投影露光装置に半導
体ウエハが搬入され、アライメントが行なわれた後、複
数個のショットのうちから所定数のショットが特定され
る。つまり図２を参照して、ウエハ５０の複数個のショ
ット５５のうちからたとえば斜線で示すショット５５
Ａ、５５Ｂ、５５Ｃ、５５Ｄが特定される。
体ウエハが搬入され、アライメントが行なわれた後、複
数個のショットのうちから所定数のショットが特定され
る。つまり図２を参照して、ウエハ５０の複数個のショ
ット５５のうちからたとえば斜線で示すショット５５
Ａ、５５Ｂ、５５Ｃ、５５Ｄが特定される。
【００４９】なお、すべてのショット５５よりなる領域
５７は、露光光が照射される、いわゆる露光領域となる
べき領域であり、それ以外の領域５９は、露光光が照射
されない、いわゆる未露光領域となるべき領域である。
またショット５５内には、チップ領域５１とチップ領域
間に位置するダイシングライン領域５３とが含まれてい
る。
５７は、露光光が照射される、いわゆる露光領域となる
べき領域であり、それ以外の領域５９は、露光光が照射
されない、いわゆる未露光領域となるべき領域である。
またショット５５内には、チップ領域５１とチップ領域
間に位置するダイシングライン領域５３とが含まれてい
る。
【００５０】次に、特定されたショット５５のうちの１
つのショット５５の中央部の高さ位置ＦA が測定される
（ステップ１：図１）。つまり図３を参照して、たとえ
ば特定されたショット５５Ａの略中央部とみなせる位置
（ショットセンタ）５５ａにレーザ光７０が照射され、
このレーザ光７０の反射光の強度により高さ位置が測定
される。
つのショット５５の中央部の高さ位置ＦA が測定される
（ステップ１：図１）。つまり図３を参照して、たとえ
ば特定されたショット５５Ａの略中央部とみなせる位置
（ショットセンタ）５５ａにレーザ光７０が照射され、
このレーザ光７０の反射光の強度により高さ位置が測定
される。
【００５１】次に、Ｘ−ＹステージがＸ、Ｙ方向に所定
量移動する（ステップ３：図１）。これにより、図３に
示すようにレーザ光７０の照射位置が、ショット外であ
って未露光領域５９内の基準位置６１Ａに設定される。
量移動する（ステップ３：図１）。これにより、図３に
示すようにレーザ光７０の照射位置が、ショット外であ
って未露光領域５９内の基準位置６１Ａに設定される。
【００５２】次に、この基準位置６１Ａにレーザ光７０
が照射され、その反射光の強度により、この位置６１Ａ
の高さ位置ＦB が測定される（ステップ５：図１）。
が照射され、その反射光の強度により、この位置６１Ａ
の高さ位置ＦB が測定される（ステップ５：図１）。
【００５３】次に、特定されたショット５５Ａのショッ
トセンタ５５ａと未露光領域５９の基準位置６１Ａとの
高さ位置の差ΔＦが求められる（ステップ７：図１）。
つまり図４を参照して、高さ位置の差ΔＦは、基準面と
なる基準位置５５Ｃの高さ位置ＦB からショットセンタ
５５ａの高さ位置ＦA を引いた値（ＦB −ＦA ）であ
る。
トセンタ５５ａと未露光領域５９の基準位置６１Ａとの
高さ位置の差ΔＦが求められる（ステップ７：図１）。
つまり図４を参照して、高さ位置の差ΔＦは、基準面と
なる基準位置５５Ｃの高さ位置ＦB からショットセンタ
５５ａの高さ位置ＦA を引いた値（ＦB −ＦA ）であ
る。
【００５４】なお図４は、ウエハの部分断面図であり、
ショットセンタ５５ａが周辺領域ＰＣである場合を示し
ている。また、ショットセンタがダイシングライン領域
ＤＬである場合には、図５に示すようになる。
ショットセンタ５５ａが周辺領域ＰＣである場合を示し
ている。また、ショットセンタがダイシングライン領域
ＤＬである場合には、図５に示すようになる。
【００５５】次に、その他の特定されたすべてのショッ
ト５５Ｂ、５５Ｃ、５５Ｄにおいて、上述の方法により
この高さ位置の差ΔＦの算出が繰返される（ステップ
９：図１）。特定されたすべてのショットにおいて高さ
位置の差ΔＦが算出された場合には、各ショットでの高
さ位置の差（ΔＦ）の平均値ΔＦave が演算される（ス
テップ１１：図１）。
ト５５Ｂ、５５Ｃ、５５Ｄにおいて、上述の方法により
この高さ位置の差ΔＦの算出が繰返される（ステップ
９：図１）。特定されたすべてのショットにおいて高さ
位置の差ΔＦが算出された場合には、各ショットでの高
さ位置の差（ΔＦ）の平均値ΔＦave が演算される（ス
テップ１１：図１）。
【００５６】このように特定されたショットでの高さ位
置の差の平均値ΔＦave が算出された後に、図１０に示
すようにステップアンドリピート方式により各ショット
ごとに焦点位置調整（ステップ１３３）と、焦点位置に
焦点を合わせた露光（ステップ１４０）とが行なわれ
る。
置の差の平均値ΔＦave が算出された後に、図１０に示
すようにステップアンドリピート方式により各ショット
ごとに焦点位置調整（ステップ１３３）と、焦点位置に
焦点を合わせた露光（ステップ１４０）とが行なわれ
る。
【００５７】主に図１を参照して、焦点位置調整工程１
３３では、まず露光されるべき各ショットのショットセ
ンタの高さ位置ＦA1が測定される（ステップ２１）。
３３では、まず露光されるべき各ショットのショットセ
ンタの高さ位置ＦA1が測定される（ステップ２１）。
【００５８】次に、このショットセンタの高さ位置ＦA1
と、上述の段差測定工程で得られた高さ位置の差の平均
値ΔＦave と、フォーカスオフセットＦO とにより最適
フォーカス位置ＦS が決定される（ステップ２３：図
１）。つまり、図４を参照して、ショットセンタの高さ
位置ＦA1に、平均値ΔＦave とフォーカスオフセットＦ
O とが加えられ（ＦA1＋ΔＦave ＋ＦO ）、最適フォー
カス位置（面）ＦS が決定される。
と、上述の段差測定工程で得られた高さ位置の差の平均
値ΔＦave と、フォーカスオフセットＦO とにより最適
フォーカス位置ＦS が決定される（ステップ２３：図
１）。つまり、図４を参照して、ショットセンタの高さ
位置ＦA1に、平均値ΔＦave とフォーカスオフセットＦ
O とが加えられ（ＦA1＋ΔＦave ＋ＦO ）、最適フォー
カス位置（面）ＦS が決定される。
【００５９】なお、フォーカスオフセットＦO は予め求
められている。次に、この最適フォーカス位置ＦS に露
光光の焦点が合うように、縮小投影レンズに対してＸ−
ＹステージがＺ方向（高さ方向）に上下させられる（ス
テップ２５：図１）。
められている。次に、この最適フォーカス位置ＦS に露
光光の焦点が合うように、縮小投影レンズに対してＸ−
ＹステージがＺ方向（高さ方向）に上下させられる（ス
テップ２５：図１）。
【００６０】この後、図１０を用いて説明したように露
光が行なわれ（ステップ１４０）、各ショット毎に順
次、焦点合わせと露光とが施されていく。なお、これ以
外の工程は従来の工程とほぼ同様であるためその説明は
省略する。
光が行なわれ（ステップ１４０）、各ショット毎に順
次、焦点合わせと露光とが施されていく。なお、これ以
外の工程は従来の工程とほぼ同様であるためその説明は
省略する。
【００６１】本実施例における写真製版における焦点合
わせ方法では、図２に示すように未露光領域５９内に位
置するウエハ５０の所定表面６１Ａ、６１Ｂ、６１Ｃ、
６１Ｄが基準面とされている。この未露光領域５９で
は、パターンが形成されないため、その表面は実質的に
平坦である。また未露光領域５９では、１ショット５５
分の寸法は確保できないものの、１ショット５５内の繰
返しパターン領域よりも大きい平面占用面積を確保する
ことが可能である。このため、未露光領域５９では、照
射されるレーザ光のスポットがはみ出ないような大きさ
を有する領域を確保することが容易である。またＤＲＡ
ＭやＡＳＩＣなどのチップの種類に関係なく、表面が平
坦な領域が確保できる。それゆえ、基準面の高さ位置を
正確に測定することができ、この基準面の高さ位置から
正確な最適焦点位置が得られる。従って、素子が高集積
化された場合でも、写真製版時にパターン形状の不良が
生じ難い。
わせ方法では、図２に示すように未露光領域５９内に位
置するウエハ５０の所定表面６１Ａ、６１Ｂ、６１Ｃ、
６１Ｄが基準面とされている。この未露光領域５９で
は、パターンが形成されないため、その表面は実質的に
平坦である。また未露光領域５９では、１ショット５５
分の寸法は確保できないものの、１ショット５５内の繰
返しパターン領域よりも大きい平面占用面積を確保する
ことが可能である。このため、未露光領域５９では、照
射されるレーザ光のスポットがはみ出ないような大きさ
を有する領域を確保することが容易である。またＤＲＡ
ＭやＡＳＩＣなどのチップの種類に関係なく、表面が平
坦な領域が確保できる。それゆえ、基準面の高さ位置を
正確に測定することができ、この基準面の高さ位置から
正確な最適焦点位置が得られる。従って、素子が高集積
化された場合でも、写真製版時にパターン形状の不良が
生じ難い。
【００６２】なお、本実施例においては、図２に示すよ
うに、ウエハ５０の主要表面をショット５５の領域とし
て確保し、ショット５５の寸法を確保できない部分を未
露光領域５９とした構成について説明した。しかしなが
ら、本発明はこの構成に限られない。つまり、本来なら
ばショット５５として設定されるべき領域を、露光光を
照射しない未露光領域としてもよい。たとえば図６、図
７において斜線で示す領域５９ａ、５９ｂ、５９ｃ、５
９ｄ、５９ｅ、５９ｆを未露光領域として設け、この未
露光領域５９ａ〜５９ｆ内に基準面となる基準位置を設
定してもよい。
うに、ウエハ５０の主要表面をショット５５の領域とし
て確保し、ショット５５の寸法を確保できない部分を未
露光領域５９とした構成について説明した。しかしなが
ら、本発明はこの構成に限られない。つまり、本来なら
ばショット５５として設定されるべき領域を、露光光を
照射しない未露光領域としてもよい。たとえば図６、図
７において斜線で示す領域５９ａ、５９ｂ、５９ｃ、５
９ｄ、５９ｅ、５９ｆを未露光領域として設け、この未
露光領域５９ａ〜５９ｆ内に基準面となる基準位置を設
定してもよい。
【００６３】なお、図６では、この未露光領域５９ａ〜
５９ｄは、本来ならショットとして露光領域の最外周に
位置する領域である。また図７では、未露光領域５９
ｅ、５９ｆは、露光領域の比較的中央部に近い位置にあ
り、その周囲をショット領域５５に取囲まれる位置に設
定されている。
５９ｄは、本来ならショットとして露光領域の最外周に
位置する領域である。また図７では、未露光領域５９
ｅ、５９ｆは、露光領域の比較的中央部に近い位置にあ
り、その周囲をショット領域５５に取囲まれる位置に設
定されている。
【００６４】
【発明の効果】本発明の写真製版における焦点合わせ方
法では、未露光領域内のウエハ表面が基準面とされてい
る。この領域は露光光の照射されない領域であり、チッ
プが形成されない領域であるため、表面は実質的に平坦
である。また、この領域では、照射されるレーザ光のス
ポットがはみ出ないような寸法に確保することが容易で
ある。このため、基準面の高さ位置を正確に測定するこ
とができ、ゆえに素子が高集積化されても、パターン形
状の不良が生じ難くなる。
法では、未露光領域内のウエハ表面が基準面とされてい
る。この領域は露光光の照射されない領域であり、チッ
プが形成されない領域であるため、表面は実質的に平坦
である。また、この領域では、照射されるレーザ光のス
ポットがはみ出ないような寸法に確保することが容易で
ある。このため、基準面の高さ位置を正確に測定するこ
とができ、ゆえに素子が高集積化されても、パターン形
状の不良が生じ難くなる。
【図１】 本発明の焦点合わせ工程を詳細に示すフロー
図である。
図である。
【図２】 複数個のショット領域よりなる露光領域と未
露光領域とを示すウエハの概略平面図である。
露光領域とを示すウエハの概略平面図である。
【図３】 図２のウエハの一部を拡大して示す平面図で
ある。
ある。
【図４】 ショットセンタが周辺回路領域に設定された
場合の最適焦点位置の算出を説明するためのウエハの概
略断面図である。
場合の最適焦点位置の算出を説明するためのウエハの概
略断面図である。
【図５】 ショットセンタがダイシングライン領域に設
定された場合の最適焦点位置の算出を説明するためのウ
エハの概略断面図である。
定された場合の最適焦点位置の算出を説明するためのウ
エハの概略断面図である。
【図６】 未露光領域を本来の露光領域の外周部に設け
た場合のウエハの概略平面図である。
た場合のウエハの概略平面図である。
【図７】 未露光領域を本来の露光領域の中央部に設け
た場合の概略平面図である。
た場合の概略平面図である。
【図８】 縮小投影露光装置における露光の原理を説明
するための概略斜視図である。
するための概略斜視図である。
【図９】 縮小投影露光装置におけるオートフォーカス
機構を説明するための概略側面図である。
機構を説明するための概略側面図である。
【図１０】 縮小投影露光装置におけるウエハの一般的
な処理工程を示すフロー図である。
な処理工程を示すフロー図である。
【図１１】 従来の写真製版における焦点合わせ工程を
詳細に示すフロー図である。
詳細に示すフロー図である。
【図１２】 ショット領域が設定されたウエハの構成を
概略的に示す平面図である。
概略的に示す平面図である。
【図１３】 １ショット内におけるレーザ光の照射位置
を説明するための概略平面図である。
を説明するための概略平面図である。
【図１４】 ショットセンタがダイシングライン領域に
設定された場合の従来の最適焦点位置の算出を説明する
ためのウエハの概略断面図である。
設定された場合の従来の最適焦点位置の算出を説明する
ためのウエハの概略断面図である。
【図１５】 ショットセンタがメモリセル領域に設定さ
れた場合の従来の最適焦点位置の算出を説明するための
ウエハの概略断面図である。
れた場合の従来の最適焦点位置の算出を説明するための
ウエハの概略断面図である。
【図１６】 繰返しパターン領域にレーザ光が照射され
ている場合を示す概略側面図である。
ている場合を示す概略側面図である。
【図１７】 繰返しパターン領域からはみ出してレーザ
光が照射されている場合を示す概略側面図である。
光が照射されている場合を示す概略側面図である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平４−44210（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−207521（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−198130（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−286418（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−36991（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/027
G03F 7/207
Claims (4)
- 【請求項１】 ステップアンドリピートによりマスクパ
ターンを縮小投影レンズを通してウエハ表面の所定領域
ごとに連続的に転写することにより、露光光の照射され
た複数個の前記所定領域よりなる第１の領域と露光光の
照射されない第２の領域とを有するように前記ウエハ表
面を露光するために、前記所定領域ごとに露光光の照射
前に露光光の焦点合わせを行なう、写真製版における焦
点合わせ方法において、 複数個の前記所定領域のうちの特定された前記所定領域
内の第１の所定位置における表面高さ位置を測定する工
程と、 前記第２の領域内の第２の所定位置における表面高さ位
置を測定する工程と、 前記第１の所定位置における表面高さ位置と前記第２の
所定位置における表面高さ位置との高さ位置の差を算出
する工程と、 複数個の前記所定領域のうちから任意に選ばれた前記所
定領域内の前記第１の所定位置に対応する第３の所定位
置における表面高さ位置を測定する工程と、 前記高さ位置の差と前記第３の所定位置における表面高
さ位置とにより、任意に選ばれた前記所定領域における
最適フォーカス位置を決定する工程と、 前記最適フォーカス位置に露光光の焦点が合うように前
記ウエハと前記縮小投影レンズとの位置関係を調整する
工程とを備え、 前記第１の領域は露光領域であり、前記第２の領域は未
露光領域である、 写真製版における焦点合わせ方法。 - 【請求項２】 前記ウエハは複数個のチップ領域を含
み、前記チップ領域のすべては前記第１の領域内に位置
している、請求項１に記載の写真製版における焦点合わ
せ方法。 - 【請求項３】 前記第２の領域は前記ウエハ表面の周辺
部に位置し、前記第１の領域を取囲んでいる、請求項１
に記載の写真製版における焦点合わせ方法。 - 【請求項４】 前記第２の領域は前記第１の領域に取囲
まれるように形成された部分を含む、請求項１および３
のいずれかに記載の写真製版における焦点合わせ方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18490594A JP3384880B2 (ja) | 1994-08-05 | 1994-08-05 | 写真製版における焦点合わせ方法 |
| TW083107491A TW257876B (en) | 1994-08-05 | 1994-08-16 | Focusing method of photoengraving |
| KR1019950010750A KR0143149B1 (ko) | 1994-08-05 | 1995-05-02 | 사진제판에 있어서 초점을 맞추는 방법 |
| US08/452,610 US5561495A (en) | 1994-08-05 | 1995-05-25 | Focusing method in photolithography |
| DE19521390A DE19521390C2 (de) | 1994-08-05 | 1995-06-13 | Fokussierungsverfahren in der Photolithographie |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18490594A JP3384880B2 (ja) | 1994-08-05 | 1994-08-05 | 写真製版における焦点合わせ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0851053A JPH0851053A (ja) | 1996-02-20 |
| JP3384880B2 true JP3384880B2 (ja) | 2003-03-10 |
Family
ID=16161388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18490594A Expired - Fee Related JP3384880B2 (ja) | 1994-08-05 | 1994-08-05 | 写真製版における焦点合わせ方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5561495A (ja) |
| JP (1) | JP3384880B2 (ja) |
| KR (1) | KR0143149B1 (ja) |
| DE (1) | DE19521390C2 (ja) |
| TW (1) | TW257876B (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19626176A1 (de) * | 1996-06-29 | 1998-01-08 | Deutsche Forsch Luft Raumfahrt | Lithographie-Belichtungseinrichtung und Lithographie-Verfahren |
| CN100399529C (zh) * | 2004-11-02 | 2008-07-02 | 力晶半导体股份有限公司 | 用于曝光机器的检测装置及检测方法 |
| DE102006059818B4 (de) * | 2006-12-11 | 2017-09-14 | Kleo Ag | Belichtungsanlage |
| CN101644888B (zh) * | 2008-08-04 | 2011-11-30 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 曝光方法、掩模版和掩模版设计方法 |
| DE102009032210B4 (de) | 2009-07-03 | 2011-06-09 | Kleo Ag | Bearbeitungsanlage |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63173323A (ja) * | 1987-01-13 | 1988-07-16 | Toshiba Corp | 投影露光装置 |
| US4902900A (en) * | 1987-12-21 | 1990-02-20 | Nikon Corporation | Device for detecting the levelling of the surface of an object |
| US5117254A (en) * | 1988-05-13 | 1992-05-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus |
| US5124562A (en) * | 1989-01-27 | 1992-06-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface position detecting method at a predetermined and plurality of adjacent points |
| JP2840959B2 (ja) * | 1989-07-13 | 1998-12-24 | 富士通株式会社 | 電子ビーム描画露光装置の焦点設定方法 |
| JP2886957B2 (ja) * | 1990-09-06 | 1999-04-26 | キヤノン株式会社 | 自動焦点合せ装置 |
| JPH04294518A (ja) * | 1991-03-25 | 1992-10-19 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH04342111A (ja) * | 1991-05-20 | 1992-11-27 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及びその装置 |
| US5266790A (en) * | 1992-12-21 | 1993-11-30 | Ultratech Stepper, Inc. | Focusing technique suitable for use with an unpatterned specular substrate |
| US5461237A (en) * | 1993-03-26 | 1995-10-24 | Nikon Corporation | Surface-position setting apparatus |
| US5364051A (en) * | 1993-04-29 | 1994-11-15 | Teledyne Industries Inc. | Locator clip |
-
1994
- 1994-08-05 JP JP18490594A patent/JP3384880B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1994-08-16 TW TW083107491A patent/TW257876B/zh not_active IP Right Cessation
-
1995
- 1995-05-02 KR KR1019950010750A patent/KR0143149B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1995-05-25 US US08/452,610 patent/US5561495A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-06-13 DE DE19521390A patent/DE19521390C2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0851053A (ja) | 1996-02-20 |
| DE19521390A1 (de) | 1996-02-08 |
| KR960008430A (ko) | 1996-03-22 |
| DE19521390C2 (de) | 1999-09-30 |
| TW257876B (en) | 1995-09-21 |
| US5561495A (en) | 1996-10-01 |
| KR0143149B1 (ko) | 1998-07-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6040909A (en) | Surface position detecting system and device manufacturing method using the same | |
| JP4370608B2 (ja) | 走査露光方法、走査型露光装置及びその製造方法、並びにデバイス製造方法 | |
| US6706456B2 (en) | Method of determining exposure conditions, exposure method, device manufacturing method, and storage medium | |
| US5434026A (en) | Exposure condition measurement method | |
| JP3254916B2 (ja) | 投影光学系のコマ収差を検出する方法 | |
| JP3057998B2 (ja) | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 | |
| JP3060357B2 (ja) | 走査型露光装置及び該走査型露光装置を用いてデバイスを製造する方法 | |
| JPWO1999046807A1 (ja) | 走査露光方法、走査型露光装置及びその製造方法、並びにデバイス及びその製造方法 | |
| US5262822A (en) | Exposure method and apparatus | |
| JPWO2005008754A1 (ja) | フレア計測方法、露光方法、及びフレア計測用のマスク | |
| US20070252968A1 (en) | Exposure apparatus | |
| US5973771A (en) | Pupil imaging reticle for photo steppers | |
| US20040101790A1 (en) | Photolithography method including a double exposure/double bake | |
| JP3287017B2 (ja) | 結像特性の測定方法 | |
| US6600166B2 (en) | Scanning exposure method | |
| JP3384880B2 (ja) | 写真製版における焦点合わせ方法 | |
| JP3796294B2 (ja) | 照明光学系及び露光装置 | |
| US5723238A (en) | Inspection of lens error associated with lens heating in a photolithographic system | |
| US5237393A (en) | Reticle for a reduced projection exposure apparatus | |
| JP3028028B2 (ja) | 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 | |
| JP2000138160A (ja) | Ｘ線露光方法および該方法用ｘ線マスク構造体 | |
| KR100781099B1 (ko) | 리소그래피 시스템의 평가방법, 기판처리장치의 조정방법,리소그래피 시스템, 및 노광장치 | |
| JPH027053A (ja) | フォトレジストシステムおよびフォトエッチング方法 | |
| JP3428825B2 (ja) | 面位置検出方法および面位置検出装置 | |
| JP3554243B2 (ja) | 投影露光装置及びデバイス製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20021210 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071227 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081227 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081227 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091227 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101227 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101227 Year of fee payment: 8 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101227 Year of fee payment: 8 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101227 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |