JP3385331B2 - 液晶表示素子 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示素子に関
し、特に、視野角及び透過率が改善された液晶表示素子
に関する。
し、特に、視野角及び透過率が改善された液晶表示素子
に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示素子の液晶は、構造的に光学的
異方性を持つ。この光学的異方性は液晶分子の長軸方向
の屈折率と、長軸に垂直方向の短軸方向の屈折率とが互
いに異なることをいう。光学的異方性（又は屈折率異方
性）により、液晶を通過する光の偏光状態及び偏光の振
動方向が変化する。液晶分子の屈折率異方性は液晶分子
の長軸に平行な方向の屈折率と長軸に垂直な方向の屈折
率との差、または、異常光の屈折率と定常光の屈折率と
の差に表現され、これを複屈折という。一方、液晶セル
に電圧が印加された時、液晶の誘電異方性により液晶分
子が再配列され、この再配列された液晶セルを光が透過
する。
異方性を持つ。この光学的異方性は液晶分子の長軸方向
の屈折率と、長軸に垂直方向の短軸方向の屈折率とが互
いに異なることをいう。光学的異方性（又は屈折率異方
性）により、液晶を通過する光の偏光状態及び偏光の振
動方向が変化する。液晶分子の屈折率異方性は液晶分子
の長軸に平行な方向の屈折率と長軸に垂直な方向の屈折
率との差、または、異常光の屈折率と定常光の屈折率と
の差に表現され、これを複屈折という。一方、液晶セル
に電圧が印加された時、液晶の誘電異方性により液晶分
子が再配列され、この再配列された液晶セルを光が透過
する。
【０００３】図１（ａ）及び図１（ｂ）は液晶の複屈折
を利用したＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ ｃｏｎ
ｔｒｏｌｌｅｄ ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード
液晶表示素子であって、図１（ａ）は電界の印加されな
いＥＣＢモード液晶表示素子であり、図１（ｂ）は電界
の印加されたＥＣＢモード液晶表示素子を示している。
を利用したＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ ｃｏｎ
ｔｒｏｌｌｅｄ ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード
液晶表示素子であって、図１（ａ）は電界の印加されな
いＥＣＢモード液晶表示素子であり、図１（ｂ）は電界
の印加されたＥＣＢモード液晶表示素子を示している。
【０００４】液晶分子８は、上部基板１と下部基板４間
に位置する。上部基板１と下部基板４の対向面にはそれ
ぞれカウンタ電極２及び画素電極５が配置され、カウン
タ電極２及び画素電極５の上部には垂直配向膜３，６が
配置される。上部基板及び下部基板の非対向面にはそれ
ぞれ偏光板７ａ，７ｂが配置される。垂直配向膜３，６
はプレティルト角が約８５°乃至８９°となるようにラ
ビングされる。
に位置する。上部基板１と下部基板４の対向面にはそれ
ぞれカウンタ電極２及び画素電極５が配置され、カウン
タ電極２及び画素電極５の上部には垂直配向膜３，６が
配置される。上部基板及び下部基板の非対向面にはそれ
ぞれ偏光板７ａ，７ｂが配置される。垂直配向膜３，６
はプレティルト角が約８５°乃至８９°となるようにラ
ビングされる。
【０００５】電界が印加されない時、図１（ａ）に示し
たように、ＥＣＢモード液晶表示素子の液晶分子は、上
部基板及び下部基板面に垂直に配列されダーク状態をな
す。電界印加時には図１（ｂ）に示したように、上部基
板及び下部基板の垂直配向膜と接触する液晶分子は元の
状態を維持し、最外の液晶分子間の液晶分子は一定の方
向へ斜めに配列される。
たように、ＥＣＢモード液晶表示素子の液晶分子は、上
部基板及び下部基板面に垂直に配列されダーク状態をな
す。電界印加時には図１（ｂ）に示したように、上部基
板及び下部基板の垂直配向膜と接触する液晶分子は元の
状態を維持し、最外の液晶分子間の液晶分子は一定の方
向へ斜めに配列される。
【０００６】ＥＣＢモード液晶表示素子はコントラスト
比が高いという長所がある。しかし、電界印加時におい
て、中間部分に位置する液晶分子の全てが一方へ偏向さ
れているので、視野角によって位相遅延が異なることに
なる。従って、視野角によって透過率が異なって視野角
が狭くなるという問題がある。一方、電界無印加時にも
液晶セルの正面では完壁なダーク状態をなすが、その側
面では正面に対し位相遅延が生じるので漏洩光が発生す
る。
比が高いという長所がある。しかし、電界印加時におい
て、中間部分に位置する液晶分子の全てが一方へ偏向さ
れているので、視野角によって位相遅延が異なることに
なる。従って、視野角によって透過率が異なって視野角
が狭くなるという問題がある。一方、電界無印加時にも
液晶セルの正面では完壁なダーク状態をなすが、その側
面では正面に対し位相遅延が生じるので漏洩光が発生す
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は液晶
表示素子において、電界無印加時における漏洩光の発生
を防止し、電界印加時における視野角を向上させること
を目的とする。
表示素子において、電界無印加時における漏洩光の発生
を防止し、電界印加時における視野角を向上させること
を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の目的を達成する
ため、液晶表示素子は、第１基板，前記第１基板上に形
成され板状の第１電極，前記第１基板に対向する第２基
板，及び前記第２基板上に形成され前記第１電極と対向
しながら所定の開口部を有する板状の第２電極を具備す
る。ここで、前記第１電極及び前記第２電極のいずれか
一つはカウンタ電極であり、残り一つは画素電極であ
る。前記液晶表示素子の液晶は誘電異方性が負のものを
使用する。
ため、液晶表示素子は、第１基板，前記第１基板上に形
成され板状の第１電極，前記第１基板に対向する第２基
板，及び前記第２基板上に形成され前記第１電極と対向
しながら所定の開口部を有する板状の第２電極を具備す
る。ここで、前記第１電極及び前記第２電極のいずれか
一つはカウンタ電極であり、残り一つは画素電極であ
る。前記液晶表示素子の液晶は誘電異方性が負のものを
使用する。
【０００９】前記第２電極は四角形枠，前記四角形枠か
らその内部へ垂直に突出された第１部分，及び第１部分
の端部から内部へ円状に突出された第２部分を具備し、
前記四角形枠，前記第１部分，及び前記第２部分により
前記開口部が限定される。四角形枠の幅、前記第１部分
の幅、及び前記第２部分の直径が前記開口部の幅より大
きい。
らその内部へ垂直に突出された第１部分，及び第１部分
の端部から内部へ円状に突出された第２部分を具備し、
前記四角形枠，前記第１部分，及び前記第２部分により
前記開口部が限定される。四角形枠の幅、前記第１部分
の幅、及び前記第２部分の直径が前記開口部の幅より大
きい。
【００１０】電界無印加時における光漏洩を防止するた
め、液晶表示素子は、前記第１基板の非対向面に形成さ
れた第１偏光板，前記第２基板の非対向面に形成された
第２偏光板，及び前記第１基板と前記第１偏光板間並び
に前記第２基板と前記第２偏光板間の中で、少なくとも
一部分に付着した光補償フィルムを更に具備する。ま
た、液晶表示素子は、前記第２基板上において、前記第
２電極と所定部分、特に画素電極の端部と重畳するよう
に形成された蓄積電極を更に具備する。
め、液晶表示素子は、前記第１基板の非対向面に形成さ
れた第１偏光板，前記第２基板の非対向面に形成された
第２偏光板，及び前記第１基板と前記第１偏光板間並び
に前記第２基板と前記第２偏光板間の中で、少なくとも
一部分に付着した光補償フィルムを更に具備する。ま
た、液晶表示素子は、前記第２基板上において、前記第
２電極と所定部分、特に画素電極の端部と重畳するよう
に形成された蓄積電極を更に具備する。
【００１１】画素電極とカウンタ電極間に形成される電
界は、楕円形態に画素電極またはカウンタ電極に形成さ
れた開口部を中心として対称的に形成されるので、電界
印加時における視野角の特性が向上する。一方、光補償
フィルムを使用して液晶を通過した光の位相遅延を補償
することにより電界無印加時における光漏洩を防止す
る。
界は、楕円形態に画素電極またはカウンタ電極に形成さ
れた開口部を中心として対称的に形成されるので、電界
印加時における視野角の特性が向上する。一方、光補償
フィルムを使用して液晶を通過した光の位相遅延を補償
することにより電界無印加時における光漏洩を防止す
る。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。先ず、カウンタ電極または画素電
極に所定の開口部を提供し、電界印加時にカウンタ電極
及び画素電極間にフリンジフィールドを誘導することに
より液晶表示素子の視野角を向上させる。また、電圧無
印加時にも液晶表示素子の正面及び側面で完全なダーク
をなすように液晶表示素子に光補償フィルムが提供され
る。
施の形態を説明する。先ず、カウンタ電極または画素電
極に所定の開口部を提供し、電界印加時にカウンタ電極
及び画素電極間にフリンジフィールドを誘導することに
より液晶表示素子の視野角を向上させる。また、電圧無
印加時にも液晶表示素子の正面及び側面で完全なダーク
をなすように液晶表示素子に光補償フィルムが提供され
る。
【００１３】〔第１の実施の形態〕
図５（ｂ）は、本発明の第１の実施の形態による液晶表
示素子の断面図であって、液晶表示素子は、上部基板４
０、下部基板４５、上部基板並びに下部基板の対向面に
それぞれ形成されたカウンタ電極４１並びに画素電極４
６、カウンタ電極４１と画素電極４６の上部に形成され
た垂直配向膜４２，４７、上部基板と下部基板の非対向
面に形成にされた偏光板４３ａ，４３ｂ、及び上部基板
４０と偏光板４３ａ間並びに下部基板４５と偏光板４３
ｂ間に形成された光補償フィルム４４ａ，４４ｂを具備
する。また、本実施の形態では誘電率異方性が負の液晶
を使用することが望ましい。
示素子の断面図であって、液晶表示素子は、上部基板４
０、下部基板４５、上部基板並びに下部基板の対向面に
それぞれ形成されたカウンタ電極４１並びに画素電極４
６、カウンタ電極４１と画素電極４６の上部に形成され
た垂直配向膜４２，４７、上部基板と下部基板の非対向
面に形成にされた偏光板４３ａ，４３ｂ、及び上部基板
４０と偏光板４３ａ間並びに下部基板４５と偏光板４３
ｂ間に形成された光補償フィルム４４ａ，４４ｂを具備
する。また、本実施の形態では誘電率異方性が負の液晶
を使用することが望ましい。
【００１４】画素電極は透明導電性物質から構成され、
カウンタ電極４１は図５（ａ）に示されているように、
四角形枠４１ａを基本として、四角形枠４１ａの一面か
ら中央部へ突出した第１部分４１ｂと突出部の端部から
円形状に突出された第２部分４１ｃとから構成される。
四角形枠４１ａと第１及び第２部分４１ｂ，４１ｃによ
り開口部Ｓ３が限定される。四角形枠４１ａの幅Ｗ５，
第１部分４１ｂの幅Ｗ６及び第２部分４１ｃの半径Ｗ７
等は同じ又は相異でありえる。第２部分４１ｃと四角形
枠間及び四角形枠と第１部分４１ｂ間の距離は幅Ｗ５，
Ｗ６，Ｗ７より小さく設計する。また、カウンタ電極は
第１及び第２部分から構成された突出部分４１ｂ、４１
ｃを多数個具備でき、それぞれの突出部分４１ｂ，４１
ｃは所定距離をおいて離隔されている。
カウンタ電極４１は図５（ａ）に示されているように、
四角形枠４１ａを基本として、四角形枠４１ａの一面か
ら中央部へ突出した第１部分４１ｂと突出部の端部から
円形状に突出された第２部分４１ｃとから構成される。
四角形枠４１ａと第１及び第２部分４１ｂ，４１ｃによ
り開口部Ｓ３が限定される。四角形枠４１ａの幅Ｗ５，
第１部分４１ｂの幅Ｗ６及び第２部分４１ｃの半径Ｗ７
等は同じ又は相異でありえる。第２部分４１ｃと四角形
枠間及び四角形枠と第１部分４１ｂ間の距離は幅Ｗ５，
Ｗ６，Ｗ７より小さく設計する。また、カウンタ電極は
第１及び第２部分から構成された突出部分４１ｂ、４１
ｃを多数個具備でき、それぞれの突出部分４１ｂ，４１
ｃは所定距離をおいて離隔されている。
【００１５】図５（ａ）のカウンタ電極を採用した図５
（ｂ）の液晶表示素子に電圧が印加されると、電界は図
５（ｂ）で点線に示したように、楕円形態のフリンジフ
ィールドＦ３が対称的に形成される。すなわち、液晶分
子が左右対称配列されるので液晶表示素子の左右視野角
が改善される。
（ｂ）の液晶表示素子に電圧が印加されると、電界は図
５（ｂ）で点線に示したように、楕円形態のフリンジフ
ィールドＦ３が対称的に形成される。すなわち、液晶分
子が左右対称配列されるので液晶表示素子の左右視野角
が改善される。
【００１６】電界無印加時における漏洩光を防止するた
め、上部基板４０の非対向面と偏光板４３ａ間に光補償
フィルム４４ａが提供される。光補償フィルム４４ａは
液晶から構成されるが、上部基板及び下部基板間に挿入
された液晶がロッドタイプであれば光補償フィルムを構
成する液晶はディスクタイプであり、上部基板及び下部
基板間に挿入された液晶がディスクタイプであれば光補
償フィルムを構成する液晶はロッドタイプである。
め、上部基板４０の非対向面と偏光板４３ａ間に光補償
フィルム４４ａが提供される。光補償フィルム４４ａは
液晶から構成されるが、上部基板及び下部基板間に挿入
された液晶がロッドタイプであれば光補償フィルムを構
成する液晶はディスクタイプであり、上部基板及び下部
基板間に挿入された液晶がディスクタイプであれば光補
償フィルムを構成する液晶はロッドタイプである。
【００１７】図３（ａ）はロッドタイプの液晶分子を示
し、ｎｘ＝ｎｙ＞ｎｚであることから、液晶表示装置の
正面では完全なダーク状態をなすが、側面では漏洩光が
生じる。したがって、ディスクタイプの液晶等から構成
された光補償フィルムを使用し、光が偏光板４３ａに到
達する前にｎｘ＝ｎｙ＝ｎｚである等方性物質を通過し
たような効果を創出することにより、液晶表示素子の側
面における透過光の位相遅延を除去する。
し、ｎｘ＝ｎｙ＞ｎｚであることから、液晶表示装置の
正面では完全なダーク状態をなすが、側面では漏洩光が
生じる。したがって、ディスクタイプの液晶等から構成
された光補償フィルムを使用し、光が偏光板４３ａに到
達する前にｎｘ＝ｎｙ＝ｎｚである等方性物質を通過し
たような効果を創出することにより、液晶表示素子の側
面における透過光の位相遅延を除去する。
【００１８】〔第２の実施の形態〕
図６（ｂ）は、本発明の第２の実施の形態による液晶表
示素子の断面図であって、液晶表示素子は、上部基板５
０、下部基板６０、下部基板の上面に形成された蓄積電
極６１Ｂ、蓄積電極が形成された基板の全面に形成され
たゲート絶縁膜６２、ゲート絶縁膜の上部に形成された
画素電極６３、上部基板の対向面に形成された透明導電
性物質のカウンタ電極５１、カウンタ電極５１と画素電
極６３の上部に形成された垂直配向膜５２，６４、上部
基板と下部基板の非対向面に形成された偏光板５３ａ，
５３ｂ、及び上部基板５０と偏光板５３ａ間並びに下部
基板６０と偏光板５３ｂ間に形成された光補償フィルム
５４ａ，５４ｂを具備する。
示素子の断面図であって、液晶表示素子は、上部基板５
０、下部基板６０、下部基板の上面に形成された蓄積電
極６１Ｂ、蓄積電極が形成された基板の全面に形成され
たゲート絶縁膜６２、ゲート絶縁膜の上部に形成された
画素電極６３、上部基板の対向面に形成された透明導電
性物質のカウンタ電極５１、カウンタ電極５１と画素電
極６３の上部に形成された垂直配向膜５２，６４、上部
基板と下部基板の非対向面に形成された偏光板５３ａ，
５３ｂ、及び上部基板５０と偏光板５３ａ間並びに下部
基板６０と偏光板５３ｂ間に形成された光補償フィルム
５４ａ，５４ｂを具備する。
【００１９】また、下部基板の上部にはゲートライン６
１Ａとデータライン６４が垂直に交差している。ゲート
ラインとデータラインの交差点近傍には、ゲートライン
と一体のゲート電極、データラインと一体のソース電極
６４Ａ及びゲート電極と一部重畳されるドレイン電極６
４Ｂを含む薄膜トランジスタが提供される。また、液晶
駆動電圧を一定時間の間に維持させるための蓄積電極６
１Ｂは画素電極６３の端部６３ａと重畳される。また、
本実施の形態では誘電率異方性が負の液晶を使用するこ
とが望ましい。
１Ａとデータライン６４が垂直に交差している。ゲート
ラインとデータラインの交差点近傍には、ゲートライン
と一体のゲート電極、データラインと一体のソース電極
６４Ａ及びゲート電極と一部重畳されるドレイン電極６
４Ｂを含む薄膜トランジスタが提供される。また、液晶
駆動電圧を一定時間の間に維持させるための蓄積電極６
１Ｂは画素電極６３の端部６３ａと重畳される。また、
本実施の形態では誘電率異方性が負の液晶を使用するこ
とが望ましい。
【００２０】画素電極はゲートライン６１Ａとデータラ
イン６４Ａに囲まれた領域に形成され、薄膜トランジス
タのドレイン電極と連結する。画素電極６３は図６
（ａ）に示されているように、図５（ａ）のカウンタ電
極と類似的な四角形枠６３ａを基本とするものとして、
四角形枠６３ａの一面から中央部へ突出した第１部分６
３ｂと第１部分の端部から円形状に突出した第２部分６
３ｃとから構成される。四角形枠６３ａと第１及び第２
部分６３ｂ，６３ｃにより開口部Ｓ４が限定される。四
角形枠６３ａの幅Ｗ８、第１部分６３ｂの幅Ｗ９、及び
第２部分６３ｃの半径Ｗ１０は互いに同じ又は相異であ
りえる。第２部分６３ｃと四角形枠間及び四角形枠と第
１部分６３ｂ間の距離は幅Ｗ８，Ｗ９，Ｗ１０より小さ
く設計する。また、画素電極は第１及び第２部分から構
成された突出部分６３ｂ，６３ｃを多数個具備でき、そ
れぞれの突出部分６３ｂ，６３ｃは所定距離をおいて離
隔されている。
イン６４Ａに囲まれた領域に形成され、薄膜トランジス
タのドレイン電極と連結する。画素電極６３は図６
（ａ）に示されているように、図５（ａ）のカウンタ電
極と類似的な四角形枠６３ａを基本とするものとして、
四角形枠６３ａの一面から中央部へ突出した第１部分６
３ｂと第１部分の端部から円形状に突出した第２部分６
３ｃとから構成される。四角形枠６３ａと第１及び第２
部分６３ｂ，６３ｃにより開口部Ｓ４が限定される。四
角形枠６３ａの幅Ｗ８、第１部分６３ｂの幅Ｗ９、及び
第２部分６３ｃの半径Ｗ１０は互いに同じ又は相異であ
りえる。第２部分６３ｃと四角形枠間及び四角形枠と第
１部分６３ｂ間の距離は幅Ｗ８，Ｗ９，Ｗ１０より小さ
く設計する。また、画素電極は第１及び第２部分から構
成された突出部分６３ｂ，６３ｃを多数個具備でき、そ
れぞれの突出部分６３ｂ，６３ｃは所定距離をおいて離
隔されている。
【００２１】図６（ａ）の画素電極を採用した図６
（ｂ）の液晶表示素子に電圧が印加されると、電界は図
６（ｂ）で点線に示したように、楕円形態のフリンジフ
ィールドＦ４が対称的に形成される。すなわち、液晶分
子が左右対称配列されるので、液晶表示素子の左右視野
角が改善される。
（ｂ）の液晶表示素子に電圧が印加されると、電界は図
６（ｂ）で点線に示したように、楕円形態のフリンジフ
ィールドＦ４が対称的に形成される。すなわち、液晶分
子が左右対称配列されるので、液晶表示素子の左右視野
角が改善される。
【００２２】光補償フィルム５４ａ，５４ｂの機能は、
第１の実施の形態における光補償フィルム４４ａのよう
に電圧無印加時における漏洩光を防止することで、ここ
では説明を省略する。
第１の実施の形態における光補償フィルム４４ａのよう
に電圧無印加時における漏洩光を防止することで、ここ
では説明を省略する。
【００２３】〔参考の実施の形態１〕
図２（ｂ）は、本発明に関連する実施の形態１による液
晶表示素子の断面図であって、液晶表示素子は、上部基
板１０，下部基板１５，上部基板１０並びに下部基板１
５の対向面にそれぞれ形成されたカウンタ電極１１，画
素電極１６、画素電極１６及びカウンタ電極１１の上部
に形成された垂直配向膜１２，１７、上部基板１０並び
に下部基板１５の非対向面に形成された偏光板２０ａ，
２０ｂ、及び上部基板１０と偏光板２０ａ間に形成され
た光補償フィルム１８を具備する。画素電極は透明導電
性物質から構成される。カウンタ電極１１には図２
（ａ）に示されるように、一つ以上の開口部Ｓ１が提供
され、透明導電性物質から構成される。開口部Ｓ１が二
つ以上である場合には、開口部の幅Ｗ１は開口部と開口
部間の幅Ｗ２より小さい。Ｗ１は３乃至５μｍ程度に設
計する。図２（ａ）のカウンタ電極は３個の開口部を持
ち、中央の開口部の両側面部分１１ｂ，１１ｃ及び右側
の開口部の右側部分１１ｄ及び左側の開口部の左側部分
１１ａが共に一つのカウンタ電極を形成する。
晶表示素子の断面図であって、液晶表示素子は、上部基
板１０，下部基板１５，上部基板１０並びに下部基板１
５の対向面にそれぞれ形成されたカウンタ電極１１，画
素電極１６、画素電極１６及びカウンタ電極１１の上部
に形成された垂直配向膜１２，１７、上部基板１０並び
に下部基板１５の非対向面に形成された偏光板２０ａ，
２０ｂ、及び上部基板１０と偏光板２０ａ間に形成され
た光補償フィルム１８を具備する。画素電極は透明導電
性物質から構成される。カウンタ電極１１には図２
（ａ）に示されるように、一つ以上の開口部Ｓ１が提供
され、透明導電性物質から構成される。開口部Ｓ１が二
つ以上である場合には、開口部の幅Ｗ１は開口部と開口
部間の幅Ｗ２より小さい。Ｗ１は３乃至５μｍ程度に設
計する。図２（ａ）のカウンタ電極は３個の開口部を持
ち、中央の開口部の両側面部分１１ｂ，１１ｃ及び右側
の開口部の右側部分１１ｄ及び左側の開口部の左側部分
１１ａが共に一つのカウンタ電極を形成する。
【００２４】図２（ａ）のカウンタ電極を採用した図２
（ｂ）の液晶表示素子に電圧が印加されると、電界は図
２（ｂ）で点線に示したように楕円形態のフリンジフィ
ールドＦ１が開口部Ｓ１を中心として対称的に形成され
る。すなわち、液晶分子が左右対称配列されるので、液
晶表示素子の左右視野角が改善される。ここで、液晶は
誘電率異方性が負のものを使用することが望ましい。
（ｂ）の液晶表示素子に電圧が印加されると、電界は図
２（ｂ）で点線に示したように楕円形態のフリンジフィ
ールドＦ１が開口部Ｓ１を中心として対称的に形成され
る。すなわち、液晶分子が左右対称配列されるので、液
晶表示素子の左右視野角が改善される。ここで、液晶は
誘電率異方性が負のものを使用することが望ましい。
【００２５】光補償フィルム２４の機能は、第１の実施
の形態の光補償フィルム４４ａのように電圧無印加時に
おける漏洩光を防止することで、ここでは説明を省略す
る。
の形態の光補償フィルム４４ａのように電圧無印加時に
おける漏洩光を防止することで、ここでは説明を省略す
る。
【００２６】〔参考の実施の形態２〕
図４（ａ）は、本発明に関連する実施の形態２による画
素電極を含んだ液晶表示素子の平面図であり、図４
（ｂ）は図４（ａ）のＩＶＢ−ＩＶＢ′線に沿う断面図
である。液晶表示素子は上部基板２１、下部基板３０，
上部基板２１並びに下部基板３０の対向面にそれぞれ形
成されたカウンタ電極２２並びに画素電極３３、カウン
タ電極２２と画素電極３３の上部に形成された垂直配向
膜２３，３５、上部基板２１と下部基板３０の非対向面
に形成された偏光板２５ａ，２５ｂ、及び上部基板２１
と偏光板２５ａ間に形成された光補償フィルム２４を具
備する。一方、液晶表示素子は画素電極の開口部Ｓ２と
平行に伸張するデータライン３４と、前記データライン
３４と垂直に交差するゲートライン３１Ａとを更に具備
す る。ゲートライン３１Ａとデータライン３４の交差
近傍には、ゲートライン３１Ａと一体のゲート電極、デ
ータラインと一体のソース電極３４Ａ、及びゲート電極
と重畳されるドレイン電極３４Ｂから構成された薄膜ト
ランジスタＴが配置される。画素電極３３はゲートライ
ン３１Ａとデータライン３４により限定された領域に配
置され、薄膜トランジスタのドレイン電極と所定部分コ
ンタクトされる。また、液晶駆動電圧を一定時間の間に
維持させるための蓄積電極３１Ｂは画素電極３３の端部
と重畳される。また、本実施の形態では誘電率異方性が
負のものを使用することが望ましい。
素電極を含んだ液晶表示素子の平面図であり、図４
（ｂ）は図４（ａ）のＩＶＢ−ＩＶＢ′線に沿う断面図
である。液晶表示素子は上部基板２１、下部基板３０，
上部基板２１並びに下部基板３０の対向面にそれぞれ形
成されたカウンタ電極２２並びに画素電極３３、カウン
タ電極２２と画素電極３３の上部に形成された垂直配向
膜２３，３５、上部基板２１と下部基板３０の非対向面
に形成された偏光板２５ａ，２５ｂ、及び上部基板２１
と偏光板２５ａ間に形成された光補償フィルム２４を具
備する。一方、液晶表示素子は画素電極の開口部Ｓ２と
平行に伸張するデータライン３４と、前記データライン
３４と垂直に交差するゲートライン３１Ａとを更に具備
す る。ゲートライン３１Ａとデータライン３４の交差
近傍には、ゲートライン３１Ａと一体のゲート電極、デ
ータラインと一体のソース電極３４Ａ、及びゲート電極
と重畳されるドレイン電極３４Ｂから構成された薄膜ト
ランジスタＴが配置される。画素電極３３はゲートライ
ン３１Ａとデータライン３４により限定された領域に配
置され、薄膜トランジスタのドレイン電極と所定部分コ
ンタクトされる。また、液晶駆動電圧を一定時間の間に
維持させるための蓄積電極３１Ｂは画素電極３３の端部
と重畳される。また、本実施の形態では誘電率異方性が
負のものを使用することが望ましい。
【００２７】具体的に、カウンタ電極は透明導電性物質
から構成され、図４（ａ）の画素電極は、図２（ａ）の
カウンタ電極と類似している形状を有する。画素電極３
３には所定の開口部Ｓ２が少なくとも一つ以上提供され
透明導電性物質から構成される。画素電極３３の開口部
Ｓ２が二つ以上である場合には、開口部の幅Ｗ３は開口
部と開口部間の幅Ｗ４より小さい。Ｗ３は３乃至５μｍ
程度に設計する。図４（ａ）のカウンタ電極は３個の開
口部を持ち、中央の開口部の両側部分３３ｂ、３３ｃ、
右側の開口部の右側部分３３ｄ及び左側の開口部の左側
部分３３ａがともに一つの画素電極３３を形成する。
から構成され、図４（ａ）の画素電極は、図２（ａ）の
カウンタ電極と類似している形状を有する。画素電極３
３には所定の開口部Ｓ２が少なくとも一つ以上提供され
透明導電性物質から構成される。画素電極３３の開口部
Ｓ２が二つ以上である場合には、開口部の幅Ｗ３は開口
部と開口部間の幅Ｗ４より小さい。Ｗ３は３乃至５μｍ
程度に設計する。図４（ａ）のカウンタ電極は３個の開
口部を持ち、中央の開口部の両側部分３３ｂ、３３ｃ、
右側の開口部の右側部分３３ｄ及び左側の開口部の左側
部分３３ａがともに一つの画素電極３３を形成する。
【００２８】図４（ａ）の画素電極を採用した液晶表示
素子に電圧が印加されると、電界は図４（ｂ）に点線で
示したように画素電極からカウンタ電極へ、上方に盛り
上がった楕円形態のフリンジフィールドＦ２が開口部Ｓ
２を中心として対称的に形成される。即ち、液晶分子が
左右対称配列されるので、液晶表示素子の左右視野角が
改善される。
素子に電圧が印加されると、電界は図４（ｂ）に点線で
示したように画素電極からカウンタ電極へ、上方に盛り
上がった楕円形態のフリンジフィールドＦ２が開口部Ｓ
２を中心として対称的に形成される。即ち、液晶分子が
左右対称配列されるので、液晶表示素子の左右視野角が
改善される。
【００２９】光補償フィルム２４の機能は、第１の実施
の形態の光補償フィルム４４ａのように電圧無印加時に
おける漏洩光を防止することで、ここでは説明を省略す
る。
の形態の光補償フィルム４４ａのように電圧無印加時に
おける漏洩光を防止することで、ここでは説明を省略す
る。
【００３０】第１乃至第２の実施の形態、及び、参考の
実施の形態１乃至２の上下偏光板の偏光軸は垂直交差す
る。
実施の形態１乃至２の上下偏光板の偏光軸は垂直交差す
る。
【００３１】なお、前記説明は本発明の特定の実施の形
態に限って説明したものであり、本発明はこれに限定さ
れず、本発明の技術思想から逸脱しない範囲で多様に変
形が可能であることは当業者にとって自明である。
態に限って説明したものであり、本発明はこれに限定さ
れず、本発明の技術思想から逸脱しない範囲で多様に変
形が可能であることは当業者にとって自明である。
【００３２】
【発明の効果】以上説明のように本発明においては、液
晶表示素子の画素電極とカウンタ電極間に形成される電
界が対称となるように画素電極またはカウンタ電極に所
定の開口部が提供されることにより、電界印加時におけ
る視野角特性を向上させることができる。また、上部基
板及び／又は下部基板に光補償フィルムを付着すること
により、電界無印加時における光漏洩を防止することが
できる。
晶表示素子の画素電極とカウンタ電極間に形成される電
界が対称となるように画素電極またはカウンタ電極に所
定の開口部が提供されることにより、電界印加時におけ
る視野角特性を向上させることができる。また、上部基
板及び／又は下部基板に光補償フィルムを付着すること
により、電界無印加時における光漏洩を防止することが
できる。
【図１】（ａ）及び（ｂ）は、ＥＣＢモードの液晶表示
素子の断面図である。
素子の断面図である。
【図２】（ａ）及び（ｂ）は本発明に関連した参考の実
施の形態１の液晶表示素子であって、（ａ）はカウンタ
電極、（ｂ）は（ａ）のカウンタ電極を含んだ液晶表示
素子の断面図である。
施の形態１の液晶表示素子であって、（ａ）はカウンタ
電極、（ｂ）は（ａ）のカウンタ電極を含んだ液晶表示
素子の断面図である。
【図３】（ａ）はロッドタイプの液晶を示した図であ
り、（ｂ）はディスクタイプの液晶を示した図である。
り、（ｂ）はディスクタイプの液晶を示した図である。
【図４】（ａ）及び（ｂ）は、本発明に関連した参考の
実施２の形態の液晶表示素子であって、（ａ）は画素電
極を含んだ平面図で、（ｂ）は（ａ）のＩＶ−ＩＶＢ′
線に沿う液晶表示素子の断面図である。
実施２の形態の液晶表示素子であって、（ａ）は画素電
極を含んだ平面図で、（ｂ）は（ａ）のＩＶ−ＩＶＢ′
線に沿う液晶表示素子の断面図である。
【図５】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１の実施の形
態の液晶表示素子であって、（ａ）はカウンタ電極、
（ｂ）は（ａ）のカウンタ電極を含んだ液晶表示素子の
断面図である。
態の液晶表示素子であって、（ａ）はカウンタ電極、
（ｂ）は（ａ）のカウンタ電極を含んだ液晶表示素子の
断面図である。
【図６】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第２の実施の形
態の液晶表示素子であって、（ａ）は画素電極を含んだ
平面図で、（ｂ）は（ａ）のＶＩＢ−ＶＩＢ′線に沿う
液晶表示素子の断面図である。
態の液晶表示素子であって、（ａ）は画素電極を含んだ
平面図で、（ｂ）は（ａ）のＶＩＢ−ＶＩＢ′線に沿う
液晶表示素子の断面図である。
１０，２１，４０，５０ 上部基
板 １５，３０，４５，６０ 下部基
板 １１，２２，４１，５１ カウン
タ電極 １６，３３，４６，６３ 画素電
極 Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４ 開口部 １８，２４，４４ａ，４４ｂ，５４ａ，５４ｂ 光補償
フィルム
板 １５，３０，４５，６０ 下部基
板 １１，２２，４１，５１ カウン
タ電極 １６，３３，４６，６３ 画素電
極 Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４ 開口部 １８，２４，４４ａ，４４ｂ，５４ａ，５４ｂ 光補償
フィルム
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 朴 韓 ▲ジュン▼
大韓民国 京畿道 利川市 大月面 巳
東里 ▲遊▼ 呼アパート Ｂ棟 305
号
(56)参考文献 特開 平９−160061（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−258649（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G02F 1/1343
Claims (2)
- 【請求項１】 第１基板、前記第１基板上に形成され板
状の第１電極、前記第１基板に対向する第２基板、及び
前記第２基板上に形成され前記第１電極と対向しながら
所定の開口部を有する板状の第２電極を具備する液晶表
示素子において、前記第２電極は四角形枠、前記四角形
枠から垂直に突出された第１部分、及び第１部分から円
状に突出された第２部分を具備し、前記四角形枠、前記
第１部分及び前記第２部分により前記開口部が限定され
ることを特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項２】 前記四角形枠の幅、前記第１部分の幅、
及び前記第２部分の直径が前記開口部の幅より大きい請
求項１記載の液晶表示素子。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1997/P28456 | 1997-06-27 | ||
| KR1019970028456A KR100286762B1 (ko) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | 액정 표시 소자 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11167120A JPH11167120A (ja) | 1999-06-22 |
| JP3385331B2 true JP3385331B2 (ja) | 2003-03-10 |
Family
ID=19511874
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18115598A Expired - Lifetime JP3385331B2 (ja) | 1997-06-27 | 1998-06-26 | 液晶表示素子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6215542B1 (ja) |
| JP (1) | JP3385331B2 (ja) |
| KR (1) | KR100286762B1 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JPH11109391A (ja) * | 1997-10-01 | 1999-04-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
| KR19990051849A (ko) * | 1997-12-20 | 1999-07-05 | 김영환 | 액정 표시 소자 |
| KR100357216B1 (ko) * | 1999-03-09 | 2002-10-18 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 멀티도메인 액정표시소자 |
| US6449026B1 (en) | 1999-06-25 | 2002-09-10 | Hyundai Display Technology Inc. | Fringe field switching liquid crystal display and method for manufacturing the same |
| KR100311214B1 (ko) | 1999-06-29 | 2001-11-02 | 박종섭 | 고개구율 및 고투과율 액정 표시 장치 |
| KR100311211B1 (ko) | 1999-06-29 | 2001-11-02 | 박종섭 | 반사형 액정 표시 장치 |
| KR100494682B1 (ko) | 1999-06-30 | 2005-06-13 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
| KR100507271B1 (ko) | 1999-06-30 | 2005-08-10 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 고개구율 및 고투과율 액정표시장치 및 그 제조방법 |
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| KR100599959B1 (ko) * | 1999-12-27 | 2006-07-12 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 액정 표시 장치 |
| KR100599962B1 (ko) * | 1999-12-29 | 2006-07-12 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 프린지 필드 구동 액정표시장치 |
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| KR100623989B1 (ko) * | 2000-05-23 | 2006-09-13 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그의 수리 방법 |
| KR20020002134A (ko) * | 2000-06-29 | 2002-01-09 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 프린지 필드 구동 모드 액정 표시 장치 |
| KR100709709B1 (ko) * | 2000-07-27 | 2007-04-19 | 삼성전자주식회사 | 수직 배향형 액정 표시 장치 |
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|---|---|---|---|---|
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