JP3387151B2 - 凹 版 - Google Patents
凹 版Info
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- JP3387151B2 JP3387151B2 JP11977293A JP11977293A JP3387151B2 JP 3387151 B2 JP3387151 B2 JP 3387151B2 JP 11977293 A JP11977293 A JP 11977293A JP 11977293 A JP11977293 A JP 11977293A JP 3387151 B2 JP3387151 B2 JP 3387151B2
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- Japan
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- plating
- intaglio
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- resist
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ガラスやＩＣ用の基板
等に高精細パターンを形成するための、凹版の製造方法
に関するものである。
等に高精細パターンを形成するための、凹版の製造方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の高精細パターンの印刷
は、金属製の凹版を用いてオフセット印刷により印刷さ
れている。前記金属製の凹版は図１４に示す様に、金属
製版材６の表面にレジスト７を用いて所望の高精細パタ
ーンの非画線部を形成し、画線部である金属露出表面部
分にエッチング処理を施すことにより製造されている。
は、金属製の凹版を用いてオフセット印刷により印刷さ
れている。前記金属製の凹版は図１４に示す様に、金属
製版材６の表面にレジスト７を用いて所望の高精細パタ
ーンの非画線部を形成し、画線部である金属露出表面部
分にエッチング処理を施すことにより製造されている。
【０００３】しかしながら、上記のエッチング処理によ
って形成される金属製版材６による凹版は、図１５に示
す様に、その処理反応が等方的に作用する為に金属製版
材６の画線（凹部）形成溝の深度を深く取ろうとした場
合、金属製版材６の露出表面だけでなく、非画線部とな
るレジスト７に覆われた部分もエッチングの進行と共に
回り込んでエッチングされ（ｄの幅だけ）る為、金属製
版材６の露出表面部分の幅のまま画線（凹部）形成溝を
形成しようとした場合、凹部形成深度が金属製版材６の
露出表面幅に制限を受けることが不可避である。
って形成される金属製版材６による凹版は、図１５に示
す様に、その処理反応が等方的に作用する為に金属製版
材６の画線（凹部）形成溝の深度を深く取ろうとした場
合、金属製版材６の露出表面だけでなく、非画線部とな
るレジスト７に覆われた部分もエッチングの進行と共に
回り込んでエッチングされ（ｄの幅だけ）る為、金属製
版材６の露出表面部分の幅のまま画線（凹部）形成溝を
形成しようとした場合、凹部形成深度が金属製版材６の
露出表面幅に制限を受けることが不可避である。
【０００４】つまり、画線部の幅をより細かいものとし
た場合におのずとその深度は浅くなり、その様に形成さ
れた凹版による印刷物はインキが不足する為にコントラ
ストの弱い画線しか得られない。また、所望の線幅およ
び充分なコントラストを得る為の版深度にするには事前
のアートワークが必要となる。
た場合におのずとその深度は浅くなり、その様に形成さ
れた凹版による印刷物はインキが不足する為にコントラ
ストの弱い画線しか得られない。また、所望の線幅およ
び充分なコントラストを得る為の版深度にするには事前
のアートワークが必要となる。
【０００５】そこで、細い画線部を深く均一に形成する
ことが出来ると共に、同一印刷面内の種種の線幅に対し
均一でしかも所望の深さを有する凹版の製造方法を提供
する目的で、基板表面に画線部に相当する部分にレジス
トを用いて所望のパターンを形成し、メッキを施した後
に、メッキ表面を印刷適正を満足しうる程度に研磨した
後、レジストを除去した凹版の製造方法（特開平４−９
９５２）を開発した。
ことが出来ると共に、同一印刷面内の種種の線幅に対し
均一でしかも所望の深さを有する凹版の製造方法を提供
する目的で、基板表面に画線部に相当する部分にレジス
トを用いて所望のパターンを形成し、メッキを施した後
に、メッキ表面を印刷適正を満足しうる程度に研磨した
後、レジストを除去した凹版の製造方法（特開平４−９
９５２）を開発した。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
４−９９５２の方法では、単にレジストの間に金属部を
形成する考えのため、レジストの上端面に一部金属部等
がかかる事があり、その部分では金属部が画線部までか
かることとなる。
４−９９５２の方法では、単にレジストの間に金属部を
形成する考えのため、レジストの上端面に一部金属部等
がかかる事があり、その部分では金属部が画線部までか
かることとなる。
【０００７】また金属部も、例え金属部が画線部までか
かることがなくなっても、耐擦力がない金属により非画
線部が形成されていれば、端部形状が悪化するばかりで
はなく、端部以外でもキズ等の欠陥が生じる。さらに、
メッキが良くでき、耐擦力がある金属の選択は、容易で
はないという課題があった。
かることがなくなっても、耐擦力がない金属により非画
線部が形成されていれば、端部形状が悪化するばかりで
はなく、端部以外でもキズ等の欠陥が生じる。さらに、
メッキが良くでき、耐擦力がある金属の選択は、容易で
はないという課題があった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本願発明では上記課題に
鑑み、請求項１では基材上に、非画線パターン状にパ タ
ーニングされた金属層を設けた凹版において、前記金属
層がＮｉ−ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）の
共析メッキによって形成された金属層であることを特徴
とする凹版を提供するものである。
鑑み、請求項１では基材上に、非画線パターン状にパ タ
ーニングされた金属層を設けた凹版において、前記金属
層がＮｉ−ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）の
共析メッキによって形成された金属層であることを特徴
とする凹版を提供するものである。
【０００９】また、請求項２では、前記基材は、ステン
レス材の上にニッケルストライクメッキ層とスルファミ
ン酸ニッケルメッキ層をこの順に設けたことを特徴とす
る請求項１に記載の凹版を提供するものである。
レス材の上にニッケルストライクメッキ層とスルファミ
ン酸ニッケルメッキ層をこの順に設けたことを特徴とす
る請求項１に記載の凹版を提供するものである。
【００１０】請求項３では、前記金属層は、基材上に、
レジスト厚さが所望のメッキ厚さと同等もしくはそれ以
上の厚みを有するレジストを画線パターン状に形成した
後、非画線部パターンとしてメッキされたことを特徴と
する請求項１または２に記載の凹版を提供するものであ
る。
レジスト厚さが所望のメッキ厚さと同等もしくはそれ以
上の厚みを有するレジストを画線パターン状に形成した
後、非画線部パターンとしてメッキされたことを特徴と
する請求項１または２に記載の凹版を提供するものであ
る。
【００１１】
【作用】
本発明の凹版は、非画線パターン状にパターニ
ングされた金属層がＮｉ−ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオ
ロエチレン）の共析メッキによって形成されているた
め、インキ反発性があり、ドクターリング特性が良好で
かつ欠陥も少ない凹版とすることが出来る。
ングされた金属層がＮｉ−ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオ
ロエチレン）の共析メッキによって形成されているた
め、インキ反発性があり、ドクターリング特性が良好で
かつ欠陥も少ない凹版とすることが出来る。
【００１２】また本発明では、基材として、ステンレス
材の上にニッケルストライクメッキ層とスルファミン酸
ニッケルメッキ層をこの順に設けていることで、メッキ
適正を良好にすることが出来る。
材の上にニッケルストライクメッキ層とスルファミン酸
ニッケルメッキ層をこの順に設けていることで、メッキ
適正を良好にすることが出来る。
【００１３】また本発明の凹版は、製造時にフォトリソ
グラフィによりレジストパターンを基板表面に形成し、
かつその間隙に完全に金属部が収まるために、印刷原版
に対して均一でかつ高精細でしかも所望の高さのレジス
トパターンが容易に得られる。したがって、このパター
ンが画線部となるため、得られたレジストパターン膜厚
以内のメッキ厚みによって得られた凹版は均一で、かつ
高精細で、しかも所望の深さを有し、印刷に用いた場合
に細いパターンにもインキが充分に入り、高精細で高い
コントラストが得られると共に同一印刷面内の種々の線
幅に対して均一なコントラストを与えることが出来る。
グラフィによりレジストパターンを基板表面に形成し、
かつその間隙に完全に金属部が収まるために、印刷原版
に対して均一でかつ高精細でしかも所望の高さのレジス
トパターンが容易に得られる。したがって、このパター
ンが画線部となるため、得られたレジストパターン膜厚
以内のメッキ厚みによって得られた凹版は均一で、かつ
高精細で、しかも所望の深さを有し、印刷に用いた場合
に細いパターンにもインキが充分に入り、高精細で高い
コントラストが得られると共に同一印刷面内の種々の線
幅に対して均一なコントラストを与えることが出来る。
【００１４】メッキについては、電気メツキでも良い
が、電気メッキにおいては、例え金属部が画線部までか
かることがなくとも金属部エッジに電流密度が集中し、
得られた非画線部表面は平坦性を著しく欠く状態にあっ
て、実際の印刷に使用するにあたって表面研磨が必要と
なる。
が、電気メッキにおいては、例え金属部が画線部までか
かることがなくとも金属部エッジに電流密度が集中し、
得られた非画線部表面は平坦性を著しく欠く状態にあっ
て、実際の印刷に使用するにあたって表面研磨が必要と
なる。
【００１５】その様な表面研磨を行った場合、その研磨
によって形成された非画線部金属層のエッジシャープ性
を損なう事となる。さらに、耐擦力がない金属により非
画線部が形成されていれば、端部形状が悪化するばかり
ではなく、端部以外でもキズ等の欠陥が生じる為、メッ
キが良くでき、耐擦力がある金属の選択は、容易ではな
くなる。
によって形成された非画線部金属層のエッジシャープ性
を損なう事となる。さらに、耐擦力がない金属により非
画線部が形成されていれば、端部形状が悪化するばかり
ではなく、端部以外でもキズ等の欠陥が生じる為、メッ
キが良くでき、耐擦力がある金属の選択は、容易ではな
くなる。
【００１６】そのような場合は、電気メッキではなく無
電解メッキとすることにより、凹版の非画線部の表面は
その表面を研磨すること無く均一で、かつ高精細で、し
かも所望の深さを有し、印刷に用いた場合に細いパター
ンにもインキが充分に入り、高精細で高いコントラスト
が得られると共に同一印刷面内の種々の線幅に対して均
一なコントラストを与えることが出来る。
電解メッキとすることにより、凹版の非画線部の表面は
その表面を研磨すること無く均一で、かつ高精細で、し
かも所望の深さを有し、印刷に用いた場合に細いパター
ンにもインキが充分に入り、高精細で高いコントラスト
が得られると共に同一印刷面内の種々の線幅に対して均
一なコントラストを与えることが出来る。
【００１７】
【実施例】（実施例１）
以下、本発明の実施例を添付図面に基いて詳しく説明す
る。図１において、凹版の基板１は、後のメッキ工程に
おいて障害が出ない程度に表面処理を行ったものであ
り、ステンレス材・アンバー材・鉄材・アルミ材等を用
いる事が出来る。今回の実施においてはステンレス４３
０材（日金スチール株式会社製）を用いた。
る。図１において、凹版の基板１は、後のメッキ工程に
おいて障害が出ない程度に表面処理を行ったものであ
り、ステンレス材・アンバー材・鉄材・アルミ材等を用
いる事が出来る。今回の実施においてはステンレス４３
０材（日金スチール株式会社製）を用いた。
【００１８】ステンレス４３０材はメッキ適性がかんば
しく無いため、予めニッケルストライクメッキ２（図
２）及びスルファミン酸ニッケル３（図３）にて表面処
理を施し、表面を鏡面に研磨した後に、必要に応じてア
ルカリ洗浄と酸洗浄を施し、この表面にポジ型もしくは
ネガ型のフォトレジスト或いは電子線レジストを数μｍ
〜数十μｍ程度の範囲で所望の厚さにコーティングし、
所望の精細パターンの遮光膜を有するガラスマスク（図
示せず）を密着させて近紫外線で露光するか、電子線を
パターン上に照射して、有機アルカリ性現像液で現像す
ることによりレジストパターン像４を形成する。
しく無いため、予めニッケルストライクメッキ２（図
２）及びスルファミン酸ニッケル３（図３）にて表面処
理を施し、表面を鏡面に研磨した後に、必要に応じてア
ルカリ洗浄と酸洗浄を施し、この表面にポジ型もしくは
ネガ型のフォトレジスト或いは電子線レジストを数μｍ
〜数十μｍ程度の範囲で所望の厚さにコーティングし、
所望の精細パターンの遮光膜を有するガラスマスク（図
示せず）を密着させて近紫外線で露光するか、電子線を
パターン上に照射して、有機アルカリ性現像液で現像す
ることによりレジストパターン像４を形成する。
【００１９】代表的な場合を以下述べると、フォトレジ
ストとしてはＡＺ４６２０Ａ（ヘキストジャパン社製：
商品名）を用いて１５μｍ形成し、オーブンで１００℃
で１時間プレベークし、フォトマスクで密着露光し、Ａ
Ｚ４００Ｋ（ヘキストジャパン社製：商品名）を用いて
現像し、オーブンで１１５℃で１時間ポストベークする
ことで最小線幅解像力として５μｍのパターンが形成で
きる。
ストとしてはＡＺ４６２０Ａ（ヘキストジャパン社製：
商品名）を用いて１５μｍ形成し、オーブンで１００℃
で１時間プレベークし、フォトマスクで密着露光し、Ａ
Ｚ４００Ｋ（ヘキストジャパン社製：商品名）を用いて
現像し、オーブンで１１５℃で１時間ポストベークする
ことで最小線幅解像力として５μｍのパターンが形成で
きる。
【００２０】この場合、露光・現像・ベーク等の処理条
件を調節することによって所望のレジストパターン像４
の断面形状を得る（図４）。
件を調節することによって所望のレジストパターン像４
の断面形状を得る（図４）。
【００２１】レジストパターンの残膜が存在した場合、
その後のメッキ工程に際して芳しくない為、酸素プラズ
マによってアッシングを行う。
その後のメッキ工程に際して芳しくない為、酸素プラズ
マによってアッシングを行う。
【００２２】次に、電気メッキ法にて、基板表面のレジ
ストパターンによって遮蔽されて部分以外にメッキを施
し非画線部５を得る（図５）。この際のメッキ厚みが凹
版の版深度となる。今回の実施においては、撥インキ性
を有するＮｉ〜ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレ
ン）共析メッキを用いた。
ストパターンによって遮蔽されて部分以外にメッキを施
し非画線部５を得る（図５）。この際のメッキ厚みが凹
版の版深度となる。今回の実施においては、撥インキ性
を有するＮｉ〜ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレ
ン）共析メッキを用いた。
【００２３】本実施例においては、メタフロンＦＳ（上
村工業株式会社製：商品名）で１２μｍ厚だけ形成し
た。この他、Ｎｉ〜ＰやＮｉ〜Ｐ〜Ｗ等でもよく、この
場合でも耐擦力のある金属部が得られる。
村工業株式会社製：商品名）で１２μｍ厚だけ形成し
た。この他、Ｎｉ〜ＰやＮｉ〜Ｐ〜Ｗ等でもよく、この
場合でも耐擦力のある金属部が得られる。
【００２４】一般に、電気メッキを行った場合、レジス
トパターンのセルエッジ近傍において、電流密度が大き
くなり他の平坦部に比してメッキ厚みが厚くなって不均
一な析出が生じる。この不均一な析出を除き、メッキ表
面の平坦化をはかる為に、続いて表面研磨を行う。本実
施例においては、サブミクロンオーダーのアルミナ砥粒
を用いてウレタンパッドによる表面研磨を行った（図
６）。最後にレジストを除去して、凹版を得た（図
７）。
トパターンのセルエッジ近傍において、電流密度が大き
くなり他の平坦部に比してメッキ厚みが厚くなって不均
一な析出が生じる。この不均一な析出を除き、メッキ表
面の平坦化をはかる為に、続いて表面研磨を行う。本実
施例においては、サブミクロンオーダーのアルミナ砥粒
を用いてウレタンパッドによる表面研磨を行った（図
６）。最後にレジストを除去して、凹版を得た（図
７）。
【００２５】得られた凹版は線幅解像度がフォトレジス
トの解像度と同様に５μｍ程度のものが得られ、均一な
１０μｍ程度の版深度が得られた。また、印刷を行った
ところ、ドクターリング特性も良好でかつ欠陥も少な
く、１０μｍ以上の線幅のパターンに対しては、均一な
コントラストが得られる被印刷体が得られた。なお、繰
り返しの使用によっても、パターンの劣化は見られなか
った。
トの解像度と同様に５μｍ程度のものが得られ、均一な
１０μｍ程度の版深度が得られた。また、印刷を行った
ところ、ドクターリング特性も良好でかつ欠陥も少な
く、１０μｍ以上の線幅のパターンに対しては、均一な
コントラストが得られる被印刷体が得られた。なお、繰
り返しの使用によっても、パターンの劣化は見られなか
った。
【００２６】（実施例２）
以下、本発明の実施例を添付図面に基いて詳しく説明す
る。図８において、凹版の基板１は、後のメッキ工程に
おいて障害が出ない程度に表面処理を行ったものであ
り、ステンレス材・アンバー材・鉄材・アルミ材等を用
いる事が出来る。今回の実施においてはステンレス４３
０材（日金スチール株式会社製）を用いた。
る。図８において、凹版の基板１は、後のメッキ工程に
おいて障害が出ない程度に表面処理を行ったものであ
り、ステンレス材・アンバー材・鉄材・アルミ材等を用
いる事が出来る。今回の実施においてはステンレス４３
０材（日金スチール株式会社製）を用いた。
【００２７】ステンレス４３０材はメッキ適性がかんば
しく無いため、予めニッケルストライクメッキ２（図
９）及びスルファミン酸ニッケル３（図１０）にて表面
処理を施し、表面を鏡面に研磨した後に、必要に応じて
アルカリ洗浄と酸洗浄を施し、この表面にポジ型もしく
はネガ型のフォトレジスト或いは電子線レジストを数μ
ｍ〜数十μｍ程度の範囲で所望の厚さにコーティング
し、所望の精細パターンの遮光膜を有するガラスマスク
（図示せず）を密着させて近紫外線で露光するか、電子
線をパターン上に照射して、有機アルカリ性現像液で現
像することによりレジストパターン像４を形成する。
しく無いため、予めニッケルストライクメッキ２（図
９）及びスルファミン酸ニッケル３（図１０）にて表面
処理を施し、表面を鏡面に研磨した後に、必要に応じて
アルカリ洗浄と酸洗浄を施し、この表面にポジ型もしく
はネガ型のフォトレジスト或いは電子線レジストを数μ
ｍ〜数十μｍ程度の範囲で所望の厚さにコーティング
し、所望の精細パターンの遮光膜を有するガラスマスク
（図示せず）を密着させて近紫外線で露光するか、電子
線をパターン上に照射して、有機アルカリ性現像液で現
像することによりレジストパターン像４を形成する。
【００２８】代表的な場合を以下述べると、フォトレジ
ストとしてはＡＺ４６２０Ａ（ヘキストジャパン社製：
商品名）を用いて１２μｍ形成し、オーブンで１００℃
で１時間プレベークし、フォトマスクで密着露光し、Ａ
Ｚ４００Ｋ（ヘキストジャパン社製：商品名）を用いて
現像し、オーブンで１１５℃で１時間ポストベークする
ことで最小線幅解像力として３μｍのパターンが形成で
きる。
ストとしてはＡＺ４６２０Ａ（ヘキストジャパン社製：
商品名）を用いて１２μｍ形成し、オーブンで１００℃
で１時間プレベークし、フォトマスクで密着露光し、Ａ
Ｚ４００Ｋ（ヘキストジャパン社製：商品名）を用いて
現像し、オーブンで１１５℃で１時間ポストベークする
ことで最小線幅解像力として３μｍのパターンが形成で
きる。
【００２９】この場合、露光・現像・ベーク等の処理条
件を調節することによって所望のレジストパターン像４
の断面形状を得る（図１１）。
件を調節することによって所望のレジストパターン像４
の断面形状を得る（図１１）。
【００３０】レジストパターンの残膜が存在した場合、
その後のメッキ工程に際して芳しくない為、酸素プラズ
マによってアッシングを行う。
その後のメッキ工程に際して芳しくない為、酸素プラズ
マによってアッシングを行う。
【００３１】次に、無電解メッキ法にて、基板表面のレ
ジストパターンによって遮蔽されて部分以外にメッキを
施し非画線部５を得る（図１２）。この際のメッキ厚み
が凹版の版深度となる。今回の実施においては、Ｎｉ〜
Ｐ無電解メッキを用いた。
ジストパターンによって遮蔽されて部分以外にメッキを
施し非画線部５を得る（図１２）。この際のメッキ厚み
が凹版の版深度となる。今回の実施においては、Ｎｉ〜
Ｐ無電解メッキを用いた。
【００３２】本実施例においては、ニムデンＳＸ（上村
工業株式会社製：商品名）で１０μｍ厚だけ形成した。
この他、Ｎｉ〜Ｐ〜Ｗ等でもよく、この場合でも耐擦力
のある金属部が得られる。
工業株式会社製：商品名）で１０μｍ厚だけ形成した。
この他、Ｎｉ〜Ｐ〜Ｗ等でもよく、この場合でも耐擦力
のある金属部が得られる。
【００３３】最後にレジストを除去して、凹版を得た
（図１３）。
（図１３）。
【００３４】得られた凹版は線幅解像度がフォトレジス
トの解像度と同様に３μｍ程度のものが得られ、均一な
１０μｍ程度の版深度が得られた。また、印刷を行った
ところ、ドクターリング特性も良好でかつ欠陥も少な
く、１０μｍ以上の線幅のパターンに対しては、均一な
コントラストが得られる被印刷体が得られた。なお、繰
り返しの使用によっても、パターンの劣化は見られなか
った。
トの解像度と同様に３μｍ程度のものが得られ、均一な
１０μｍ程度の版深度が得られた。また、印刷を行った
ところ、ドクターリング特性も良好でかつ欠陥も少な
く、１０μｍ以上の線幅のパターンに対しては、均一な
コントラストが得られる被印刷体が得られた。なお、繰
り返しの使用によっても、パターンの劣化は見られなか
った。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の凹版は、
非画線パターン状にパターニングされた金属層がＮｉ−
ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）の共析メッキ
によって形成されているため、インキ反発性があり、ド
クターリング特性が良好でかつ欠陥も少ない凹版とする
ことが出来る。 また本発明では、基材として、ステンレ
ス材の上にニッケルストライクメッキ層とスルファミン
酸ニッケルメッキ層をこの順に設けていることで、金属
層のメッキ適正を良好にすることが出来る。
非画線パターン状にパターニングされた金属層がＮｉ−
ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）の共析メッキ
によって形成されているため、インキ反発性があり、ド
クターリング特性が良好でかつ欠陥も少ない凹版とする
ことが出来る。 また本発明では、基材として、ステンレ
ス材の上にニッケルストライクメッキ層とスルファミン
酸ニッケルメッキ層をこの順に設けていることで、金属
層のメッキ適正を良好にすることが出来る。
【００３６】また、フォトグラフィによりレジストパタ
ーンを基板表面に形成するために、均一でかつ高精細で
しかも所望の高さのレジストパターンが容易に得られ
る。したがって、このパターンを画線部として、非画線
部分を金属メッキ層によって形成する為、得られた凹版
は均一でかつ高精細でしかも所望の深さを有し、印刷に
用いた場合に細いパターンにもインキが充分に入り、精
細で高いコントラストが得られると共に同一印刷面内の
種々の線幅に対して均一なコントラストを与えることが
出来る。また、非画線部を無電解メッキによって得られ
た場合は、その表面を研磨すること無く均一で、かつ高
精細で、しかも所望の深さを有し、印刷に用いた場合に
細いパターンにもインキが充分に入り、高精細で高いコ
ントラストが得られると共に同一印刷面内の種々の線幅
に対して均一なコントラストを与えることが出来る。
ーンを基板表面に形成するために、均一でかつ高精細で
しかも所望の高さのレジストパターンが容易に得られ
る。したがって、このパターンを画線部として、非画線
部分を金属メッキ層によって形成する為、得られた凹版
は均一でかつ高精細でしかも所望の深さを有し、印刷に
用いた場合に細いパターンにもインキが充分に入り、精
細で高いコントラストが得られると共に同一印刷面内の
種々の線幅に対して均一なコントラストを与えることが
出来る。また、非画線部を無電解メッキによって得られ
た場合は、その表面を研磨すること無く均一で、かつ高
精細で、しかも所望の深さを有し、印刷に用いた場合に
細いパターンにもインキが充分に入り、高精細で高いコ
ントラストが得られると共に同一印刷面内の種々の線幅
に対して均一なコントラストを与えることが出来る。
【００３７】
【図１】本発明の製造方法に係る基板の断面図。
【図２】図１の製造方法におけるニッケルストライクメ
ッキ後の断面図。
ッキ後の断面図。
【図３】図１の製造方法におけるスルファミン酸ニッケ
ル処理後の断面図。
ル処理後の断面図。
【図４】図１の製造方法におけるレジストパターン像形
成後の断面図。
成後の断面図。
【図５】図１の製造方法における電気メッキ層形成後の
断面図。
断面図。
【図６】図１の製造方法における研磨後の断面図。
【図７】図１の製造方法における完成の断面図。
【図８】図１とは別な実施例に係る本発明の製造方法に
係る基板の断面図。
係る基板の断面図。
【図９】図８の製造方法におけるニッケルストライクメ
ッキ後の断面図。
ッキ後の断面図。
【図１０】図８の製造方法におけるスルファミン酸ニッ
ケル処理後の断面図。
ケル処理後の断面図。
【図１１】図８の製造方法におけるレジストパターン像
形成後の断面図。
形成後の断面図。
【図１２】図８の製造方法における無電解メッキ層形成
後の断面図。
後の断面図。
【図１３】図８の製造方法におけるレジストパターン除
去後の断面図。
去後の断面図。
【図１４】従来の製造方法におけるレジストパターン像
形成後の断面図。
形成後の断面図。
【図１５】図１４の製造方法に係る問題点を示す断面
図。
図。
１ …基板
２ …ニッケルストライクメッキ
３ …スルファミン酸ニッケル
４ …レジストパターン像
５ …非画線部となる金属層（メッキ層）
６ …金属製版材
７ …レジスト
─────────────────────────────────────────────────────
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(56)参考文献 特開 平６−71838（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−9952（ＪＰ，Ａ)
特開 昭58−178356（ＪＰ，Ａ)
実開 昭57−162637（ＪＰ，Ｕ)
特公 昭47−30754（ＪＰ，Ｂ１)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
B41C 1/06
G03F 7/00
Claims (3)
- 【請求項１】基材上に、非画線パターン状にパターニン
グされた金属層を設けた凹版において、前記金属層がＮ
ｉ−ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）の共析メ
ッキによって形成された金属層であることを特徴とする
凹版。 - 【請求項２】前記基材は、ステンレス材の上にニッケル
ストライクメッキ層とスルファミン酸ニッケルメッキ層
をこの順に設けたことを特徴とする請求項１に記載の凹
版。 - 【請求項３】前記金属層は、基材上に、レジスト厚さが
所望のメッキ厚さと同等もしくはそれ以上の厚みを有す
るレジストを画線パターン状に形成した後、非画線部パ
ターンとしてメッキされたことを特徴とする請求項１ま
たは２に記載の凹版。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11977293A JP3387151B2 (ja) | 1993-02-23 | 1993-05-21 | 凹 版 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3325693 | 1993-02-23 | ||
| JP5-33256 | 1993-02-23 | ||
| JP11977293A JP3387151B2 (ja) | 1993-02-23 | 1993-05-21 | 凹 版 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06305106A JPH06305106A (ja) | 1994-11-01 |
| JP3387151B2 true JP3387151B2 (ja) | 2003-03-17 |
Family
ID=26371933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11977293A Expired - Fee Related JP3387151B2 (ja) | 1993-02-23 | 1993-05-21 | 凹 版 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3387151B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100688756B1 (ko) * | 2005-05-10 | 2007-03-02 | 삼성전기주식회사 | 폴리테트라플루오로에틸렌을 이용한 인쇄회로기판용 임프린트 몰드 및 그 제조방법 |
| JP2010105217A (ja) * | 2008-10-28 | 2010-05-13 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 印刷用凹版の製造方法、印刷用凹版、導体パターン |
-
1993
- 1993-05-21 JP JP11977293A patent/JP3387151B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06305106A (ja) | 1994-11-01 |
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