JP3389463B2 - 非放射性誘電体線路 - Google Patents
非放射性誘電体線路Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばミリ波集積
回路等に組み込まれて、高周波信号のガイドとして用い
られる非放射性誘電体線路に関する。 【０００２】 【従来の技術】従来の非放射性誘電体線路Ｓ1 の基本構
成を図２（ａ），（ｂ）に示す。非放射性（Non Radiat
ive Dielectricで、以下、ＮＲＤという）誘電体線路Ｓ
1 は、誘電体線路２の上下に平行平板導体１，３を配置
し（図３）、平行平板導体１，３の間隔がλ／２以下の
とき、波長がλより大きい高周波信号は遮断されて平行
平板導体１，３間の空間には侵入できない。そして、平
行平板導体１，３の間に誘電体線路２を挿入すると、そ
の誘電体線路２に沿って高周波信号が伝搬でき、その高
周波信号からの放射波は平行平板導体１，３の遮断効果
によって抑制される。尚、前記λは近似的に真空中を伝
搬する高周波信号（電磁波）の波長に等しい。 【０００３】また、誘電体線路２の中途にダイオード等
の半導体素子を設け、ＮＲＤ誘電体線路Ｓ1 に、信号の
周波数変換、スイッチング、減衰、検出等の機能を付加
させていた。ＮＲＤ誘電体線路Ｓ1 に半導体素子を取り
付けるには、同図（ｂ）に示すように、誘電体基板４の
一主面上に、外部への高周波信号の漏洩を防ぐチョーク
パターン５と高周波信号を受信する一対のアンテナパタ
ーン５ａを形成し、誘電体線路２内の高周波信号の伝搬
路に位置する一対のアンテナパターン５ａ間に、ダイオ
ードなどの半導体素子６を配置し接続した構造となって
いる。 【０００４】尚、同図において、７は半導体素子６に駆
動用のバイアス電圧を入力したり、信号を出力するため
の入出力導線、８はミリ波集積回路の発振器、増幅器等
の他の電子部品に接続するための外部接続用の電極であ
る。 【０００５】このようなＮＲＤ誘電体線路Ｓ1 におい
て、ダイオード実装パターン部を誘電体線路の断面に接
着し、チョークパターン部は別基板上に形成して、チョ
ークパターン部を誘電体線路の両方又は片方の側面に貼
付又は蒸着したものが提案されている（特開平８−８６
０３号公報参照）。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図２の
ような従来のものは、高周波信号の伝搬路、即ち電磁波
の集中する部分に誘電体基板４が挿入されているため、
誘電体線路２を伝搬する高周波信号に影響を与えやす
く、電気的特性を劣化させていた。例えば、誘電体線路
２内を伝搬する高周波信号の一部が前記誘電体基板４内
にまで伝搬、漏洩し、そのため、信号の損失が発生して
いた。 【０００７】また、入出力導線７が誘電体基板４の端部
に取り付けられており、それを電極８に接続し、更に導
線等を用いて平行平板導体１，３の外部に導いていた。
しかしながら、このような接続構造は製造工程が非常に
煩雑で作業性が悪く、量産化を妨げていた。更に、誘電
体基板４は厚さが薄く長さが長いため、正確に位置決め
して固定するのが困難で、製造工程や使用中に位置ずれ
が生じたり、破損する危険性があった。 【０００８】更に、チョークパターン部を誘電体線路の
両方又は片方の側面に貼付又は蒸着した従来例において
は、入出力導線から高周波信号が外部に漏れたり、誘電
体線路のチョークパターンを貼付した部分とそれ以外の
部分のインピーダンスが異なるため、インピーダンス不
整合による高周波信号の反射が起こるという問題点があ
った。 【０００９】従って、本発明は上記事情に鑑みて完成さ
れたものであり、その目的は、チョークパターン部が誘
電体線路を伝搬する高周波信号に影響を与えず、高周波
信号の透過特性が良好なものとなり、また製造が容易で
量産に適していると同時に、半導体素子を誘電体線路の
正確な位置に容易に固定することができ、故に、信頼性
が高く、安価に製造可能なものとすることにある。 【００１０】 【課題を解決するための手段】本発明の非放射性誘電体
線路は、高周波信号の波長λに対して間隔がλ／２以下
である平行平板導体の間に誘電体線路が挟持されて成
り、該誘電体線路内の中途の垂直断面に一対のアンテナ
パターンと該アンテナパターン間に接続される半導体素
子とが設けられ、前記誘電体線路外の平行平板導体上
に、前記アンテナパターンに接続されたチョークパター
ンが絶縁層を介して形成されていることを特徴とし、誘
電体線路を伝搬する高周波信号に影響を与えないチョー
クパターンとなり、製造が容易で量産に適していると共
に、半導体素子を誘電体線路の正確な位置に固定でき
る。 【００１１】 【発明の実施の形態】本発明のＮＲＤ誘電体線路Ｓの基
本構成の斜視図を図１に示す。同図において、９は下側
の平行平板導体、１０はアンテナパターン１４とチョー
クパターン１７を接続するもので、高周波信号取り出し
用の電極、１１はミリ波集積回路の発振器、増幅器等の
他の電子部品に接続するための外部接続用の導線、１１
ａは導線１１を外部へ案内する孔部、１２はアンテナパ
ターン１４及び半導体素子１３を取り付けるための誘電
体基板である。また、１４は誘電体線路１５内の中途の
垂直断面に形成された、高周波信号送受信用の一対のア
ンテナパターン、１５は誘電体線路、１７は誘電体線路
１５外の平行平板導体９上に形成され、アンテナパター
ン１４に接続されたチョークパターン、１８は絶縁層で
ある。尚、同図において、上側の平行平板導体は省略し
てある。 【００１２】本発明において、誘電体線路１５はテフロ
ン等の低損失樹脂材料、コーディライト等の低誘電率セ
ラミック材料から成るのが好ましく、これらは低損失で
加工が容易であり、量産に適している。また、誘電体線
路１５は一組の平行平板導体に複数設けても構わない。 【００１３】前記半導体素子１３としては、高周波半導
体ダイオード，ガンダイオード，インパットダイオー
ド，可変容量ダイオード，ショットキーダイオード，バ
ラクタダイオード，ＰＩＮダイオード等を使用でき、こ
れらのダイオードに限らず、インダクタ，キャパシタ，
トランジスタ等の機能を有するものでもよい。また、半
導体素子１３は、誘電体線路１５の中途であればどこに
あってもよい。 【００１４】前記平行平板導体９は、高い電気伝導度及
び加工性の点で、Ｃｕ，Ａｌ，Ｆｅ，ＳＵＳ（ステンレ
ス），Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ等の導体板、あるいはこられの
導体層を表面に形成した絶縁板でもよい。 【００１５】また、アンテナパターン１４とチョークパ
ターン１７は、高い電気伝導度を有するＡｕ，Ｃｕ，Ａ
ｌ等の材料が好ましい。前記アンテナパターン１４は本
発明において基本的に高周波信号の受信用であるが、高
周波信号あるいは他の信号の送信用としても使用でき
る。送信用として使用する場合、アンテナパターン１４
に信号入力用の給電線を新たに接続する、又はチョーク
パターン１７を通じて信号を入力してもよい。 【００１６】本発明のチョークパターン１７は、１０μ
ｍ〜２００μｍ程度の薄い絶縁層１８としての絶縁体フ
ィルム上に、蒸着法等で成膜するか、チョークパターン
１７の形状に成形した薄い金属板を張り付けて構成す
る。このチョークパターン１７は、基本的に１／４波長
チョークパターンとすることにより高周波信号を阻止す
るインダクタ（チョークコイル）と等価なものとなり、
高周波信号は外部へ漏洩しない。また、このチョークパ
ターン１７は、上記と同様の効果が得られるものであれ
ば、１／４波長チョークパターン以外のパターンでも構
わない。 【００１７】また、絶縁層１８は、テフロン，セロハ
ン，ビニール，ポリスチレン，ポリエチレン等の充分な
絶縁性（電気的な抵抗率１０4 Ωｍ以上）を持つものな
らば良く、薄膜に形成可能なもの、フィルム状に成形で
きるものが望ましい。更に、絶縁層１８は平行平板導体
９の表面にスパッタリング法，蒸着法，塗布法，浸漬法
等により直接成膜する、若しくは接着剤、粘着テープ等
を用いて貼り付けても構わない。 【００１８】高周波信号取り出し用の電極１０は、誘電
体基板１２の下部にアンテナパターン１４を延長させ
る、別個の電極を形成する等して形成すればよく、電極
１０とチョークパターン１７とを半田，導電性接着剤等
を用いて接続する。 【００１９】また、チョークパターン１７から外部への
高周波信号の取り出しは、平行平板導体９に開けられた
孔部１１ａを通じて、導線１１により外部と接続する構
成が生産性が高く量産に適している。この場合、必要に
応じ、孔部１１ａの内部を樹脂等の絶縁物質等で充填す
る、孔部１１ａの内壁に絶縁物質等をコーティングす
る、又は導線１１を絶縁チューブで被覆してもよい。 【００２０】かくして、本発明は、チョークパターン部
が誘電体線路を伝搬する高周波信号に影響を与えず、ま
た製造が容易で量産に適しており、半導体素子を誘電体
線路の正確な位置に容易に固定することができるという
作用効果を有する。 【００２１】尚、本発明は上記の実施形態に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々
の変更は何等差し支えない。 【００２２】 【実施例】本発明の実施例を以下に説明する。 【００２３】（実施例）図１のＮＲＤ誘電体線路Ｓを以
下のようにして作製した。Ｃｕから成り、１００×１０
０×８ｍｍの２枚の平行平板導体を用意し、下側の平行
平板導体９の一主面に絶縁層１８として、厚さ０．１ｍ
ｍのテフロンフィルムを接着剤により接着した。このテ
フロンフィルムの表面に、チョークパターン１７用のＡ
ｕを蒸着法で形成した。チョークパターン１７の長手方
向の両端部には、導線１１を半田等で取付け、平行平板
導体９に設けた孔部１１ａを通じて外部に接続するよう
に構成した。また、絶縁を保持するために、導線１１を
テフロンチューブに通して使用した。 【００２４】次いで、コーディライトから成り、高さ
２．２５ｍｍ×巾１ｍｍの誘電体線路１５を、チョーク
パターン１７の中央部を横切るように配置し、接着し
た。このとき、チョークパターン１７の中央部に相当す
る誘電体線路１５を切断する、あるいは誘電体線路１５
を２本に分けて形成することにより、チョークパターン
１７の中央部に半導体素子１３取付用の誘電体基板１２
を配置し、電極１０を導電性接着剤を用いてチョークパ
ターン１７に接続した。また、誘電体線路１５の垂直断
面に直接アンテナパターン１４及び半導体素子１３を設
けてもよい。 【００２５】半導体素子１３として、ＮＲＤ誘電体線路
Ｓにスイッチング機能を付与するためにビームリード型
ＰＩＮダイオードを用いた。 【００２６】そして、図２の従来品を、コーディライト
から成る誘電体線路２及び誘電体基板４、Ａｕから成る
チョークパターン５及びアンテナパターン６、ビームリ
ード型ＰＩＮダイオードを用いて作製し、ミリ波（数１
０〜数１００ＧＨｚ帯）透過特性について、上記本発明
のものと比較したグラフを図４に示す。約６０ＧＨｚ以
上では、チョークパターンにより高周波信号の外部への
漏れが阻止されているが、従来品は誘電体基板４が高周
波信号の導波路として作用し電磁波が外部に漏れ、ミリ
波透過特性が劣化した。 【００２７】 【発明の効果】本発明のＮＲＤ誘電体導波路は、誘電体
線路内の中途の垂直断面に高周波信号受信用の一対のア
ンテナパターンとアンテナパターン間に接続される半導
体素子とが設けられ、誘電体線路外の平行平板導体上に
アンテナパターンに接続されたチョークパターンが絶縁
層を介して形成されていることにより、チョークパター
ン部が誘電体線路を伝搬する高周波信号に影響を与え
ず、高周波信号の透過特性が向上する。また、製造が容
易で量産に適しており、半導体素子を誘電体線路の正確
な位置に容易に固定することができ、その結果、信頼性
が高いものを安価に量産することができるという作用効
果を有する。 【００２８】また、本発明のＮＲＤ誘電体導波路は、ミ
リ波集積回路、マイクロ波集積回路、又はハイブリッド
型の集積回路に応用できる。
回路等に組み込まれて、高周波信号のガイドとして用い
られる非放射性誘電体線路に関する。 【０００２】 【従来の技術】従来の非放射性誘電体線路Ｓ1 の基本構
成を図２（ａ），（ｂ）に示す。非放射性（Non Radiat
ive Dielectricで、以下、ＮＲＤという）誘電体線路Ｓ
1 は、誘電体線路２の上下に平行平板導体１，３を配置
し（図３）、平行平板導体１，３の間隔がλ／２以下の
とき、波長がλより大きい高周波信号は遮断されて平行
平板導体１，３間の空間には侵入できない。そして、平
行平板導体１，３の間に誘電体線路２を挿入すると、そ
の誘電体線路２に沿って高周波信号が伝搬でき、その高
周波信号からの放射波は平行平板導体１，３の遮断効果
によって抑制される。尚、前記λは近似的に真空中を伝
搬する高周波信号（電磁波）の波長に等しい。 【０００３】また、誘電体線路２の中途にダイオード等
の半導体素子を設け、ＮＲＤ誘電体線路Ｓ1 に、信号の
周波数変換、スイッチング、減衰、検出等の機能を付加
させていた。ＮＲＤ誘電体線路Ｓ1 に半導体素子を取り
付けるには、同図（ｂ）に示すように、誘電体基板４の
一主面上に、外部への高周波信号の漏洩を防ぐチョーク
パターン５と高周波信号を受信する一対のアンテナパタ
ーン５ａを形成し、誘電体線路２内の高周波信号の伝搬
路に位置する一対のアンテナパターン５ａ間に、ダイオ
ードなどの半導体素子６を配置し接続した構造となって
いる。 【０００４】尚、同図において、７は半導体素子６に駆
動用のバイアス電圧を入力したり、信号を出力するため
の入出力導線、８はミリ波集積回路の発振器、増幅器等
の他の電子部品に接続するための外部接続用の電極であ
る。 【０００５】このようなＮＲＤ誘電体線路Ｓ1 におい
て、ダイオード実装パターン部を誘電体線路の断面に接
着し、チョークパターン部は別基板上に形成して、チョ
ークパターン部を誘電体線路の両方又は片方の側面に貼
付又は蒸着したものが提案されている（特開平８−８６
０３号公報参照）。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図２の
ような従来のものは、高周波信号の伝搬路、即ち電磁波
の集中する部分に誘電体基板４が挿入されているため、
誘電体線路２を伝搬する高周波信号に影響を与えやす
く、電気的特性を劣化させていた。例えば、誘電体線路
２内を伝搬する高周波信号の一部が前記誘電体基板４内
にまで伝搬、漏洩し、そのため、信号の損失が発生して
いた。 【０００７】また、入出力導線７が誘電体基板４の端部
に取り付けられており、それを電極８に接続し、更に導
線等を用いて平行平板導体１，３の外部に導いていた。
しかしながら、このような接続構造は製造工程が非常に
煩雑で作業性が悪く、量産化を妨げていた。更に、誘電
体基板４は厚さが薄く長さが長いため、正確に位置決め
して固定するのが困難で、製造工程や使用中に位置ずれ
が生じたり、破損する危険性があった。 【０００８】更に、チョークパターン部を誘電体線路の
両方又は片方の側面に貼付又は蒸着した従来例において
は、入出力導線から高周波信号が外部に漏れたり、誘電
体線路のチョークパターンを貼付した部分とそれ以外の
部分のインピーダンスが異なるため、インピーダンス不
整合による高周波信号の反射が起こるという問題点があ
った。 【０００９】従って、本発明は上記事情に鑑みて完成さ
れたものであり、その目的は、チョークパターン部が誘
電体線路を伝搬する高周波信号に影響を与えず、高周波
信号の透過特性が良好なものとなり、また製造が容易で
量産に適していると同時に、半導体素子を誘電体線路の
正確な位置に容易に固定することができ、故に、信頼性
が高く、安価に製造可能なものとすることにある。 【００１０】 【課題を解決するための手段】本発明の非放射性誘電体
線路は、高周波信号の波長λに対して間隔がλ／２以下
である平行平板導体の間に誘電体線路が挟持されて成
り、該誘電体線路内の中途の垂直断面に一対のアンテナ
パターンと該アンテナパターン間に接続される半導体素
子とが設けられ、前記誘電体線路外の平行平板導体上
に、前記アンテナパターンに接続されたチョークパター
ンが絶縁層を介して形成されていることを特徴とし、誘
電体線路を伝搬する高周波信号に影響を与えないチョー
クパターンとなり、製造が容易で量産に適していると共
に、半導体素子を誘電体線路の正確な位置に固定でき
る。 【００１１】 【発明の実施の形態】本発明のＮＲＤ誘電体線路Ｓの基
本構成の斜視図を図１に示す。同図において、９は下側
の平行平板導体、１０はアンテナパターン１４とチョー
クパターン１７を接続するもので、高周波信号取り出し
用の電極、１１はミリ波集積回路の発振器、増幅器等の
他の電子部品に接続するための外部接続用の導線、１１
ａは導線１１を外部へ案内する孔部、１２はアンテナパ
ターン１４及び半導体素子１３を取り付けるための誘電
体基板である。また、１４は誘電体線路１５内の中途の
垂直断面に形成された、高周波信号送受信用の一対のア
ンテナパターン、１５は誘電体線路、１７は誘電体線路
１５外の平行平板導体９上に形成され、アンテナパター
ン１４に接続されたチョークパターン、１８は絶縁層で
ある。尚、同図において、上側の平行平板導体は省略し
てある。 【００１２】本発明において、誘電体線路１５はテフロ
ン等の低損失樹脂材料、コーディライト等の低誘電率セ
ラミック材料から成るのが好ましく、これらは低損失で
加工が容易であり、量産に適している。また、誘電体線
路１５は一組の平行平板導体に複数設けても構わない。 【００１３】前記半導体素子１３としては、高周波半導
体ダイオード，ガンダイオード，インパットダイオー
ド，可変容量ダイオード，ショットキーダイオード，バ
ラクタダイオード，ＰＩＮダイオード等を使用でき、こ
れらのダイオードに限らず、インダクタ，キャパシタ，
トランジスタ等の機能を有するものでもよい。また、半
導体素子１３は、誘電体線路１５の中途であればどこに
あってもよい。 【００１４】前記平行平板導体９は、高い電気伝導度及
び加工性の点で、Ｃｕ，Ａｌ，Ｆｅ，ＳＵＳ（ステンレ
ス），Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ等の導体板、あるいはこられの
導体層を表面に形成した絶縁板でもよい。 【００１５】また、アンテナパターン１４とチョークパ
ターン１７は、高い電気伝導度を有するＡｕ，Ｃｕ，Ａ
ｌ等の材料が好ましい。前記アンテナパターン１４は本
発明において基本的に高周波信号の受信用であるが、高
周波信号あるいは他の信号の送信用としても使用でき
る。送信用として使用する場合、アンテナパターン１４
に信号入力用の給電線を新たに接続する、又はチョーク
パターン１７を通じて信号を入力してもよい。 【００１６】本発明のチョークパターン１７は、１０μ
ｍ〜２００μｍ程度の薄い絶縁層１８としての絶縁体フ
ィルム上に、蒸着法等で成膜するか、チョークパターン
１７の形状に成形した薄い金属板を張り付けて構成す
る。このチョークパターン１７は、基本的に１／４波長
チョークパターンとすることにより高周波信号を阻止す
るインダクタ（チョークコイル）と等価なものとなり、
高周波信号は外部へ漏洩しない。また、このチョークパ
ターン１７は、上記と同様の効果が得られるものであれ
ば、１／４波長チョークパターン以外のパターンでも構
わない。 【００１７】また、絶縁層１８は、テフロン，セロハ
ン，ビニール，ポリスチレン，ポリエチレン等の充分な
絶縁性（電気的な抵抗率１０4 Ωｍ以上）を持つものな
らば良く、薄膜に形成可能なもの、フィルム状に成形で
きるものが望ましい。更に、絶縁層１８は平行平板導体
９の表面にスパッタリング法，蒸着法，塗布法，浸漬法
等により直接成膜する、若しくは接着剤、粘着テープ等
を用いて貼り付けても構わない。 【００１８】高周波信号取り出し用の電極１０は、誘電
体基板１２の下部にアンテナパターン１４を延長させ
る、別個の電極を形成する等して形成すればよく、電極
１０とチョークパターン１７とを半田，導電性接着剤等
を用いて接続する。 【００１９】また、チョークパターン１７から外部への
高周波信号の取り出しは、平行平板導体９に開けられた
孔部１１ａを通じて、導線１１により外部と接続する構
成が生産性が高く量産に適している。この場合、必要に
応じ、孔部１１ａの内部を樹脂等の絶縁物質等で充填す
る、孔部１１ａの内壁に絶縁物質等をコーティングす
る、又は導線１１を絶縁チューブで被覆してもよい。 【００２０】かくして、本発明は、チョークパターン部
が誘電体線路を伝搬する高周波信号に影響を与えず、ま
た製造が容易で量産に適しており、半導体素子を誘電体
線路の正確な位置に容易に固定することができるという
作用効果を有する。 【００２１】尚、本発明は上記の実施形態に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々
の変更は何等差し支えない。 【００２２】 【実施例】本発明の実施例を以下に説明する。 【００２３】（実施例）図１のＮＲＤ誘電体線路Ｓを以
下のようにして作製した。Ｃｕから成り、１００×１０
０×８ｍｍの２枚の平行平板導体を用意し、下側の平行
平板導体９の一主面に絶縁層１８として、厚さ０．１ｍ
ｍのテフロンフィルムを接着剤により接着した。このテ
フロンフィルムの表面に、チョークパターン１７用のＡ
ｕを蒸着法で形成した。チョークパターン１７の長手方
向の両端部には、導線１１を半田等で取付け、平行平板
導体９に設けた孔部１１ａを通じて外部に接続するよう
に構成した。また、絶縁を保持するために、導線１１を
テフロンチューブに通して使用した。 【００２４】次いで、コーディライトから成り、高さ
２．２５ｍｍ×巾１ｍｍの誘電体線路１５を、チョーク
パターン１７の中央部を横切るように配置し、接着し
た。このとき、チョークパターン１７の中央部に相当す
る誘電体線路１５を切断する、あるいは誘電体線路１５
を２本に分けて形成することにより、チョークパターン
１７の中央部に半導体素子１３取付用の誘電体基板１２
を配置し、電極１０を導電性接着剤を用いてチョークパ
ターン１７に接続した。また、誘電体線路１５の垂直断
面に直接アンテナパターン１４及び半導体素子１３を設
けてもよい。 【００２５】半導体素子１３として、ＮＲＤ誘電体線路
Ｓにスイッチング機能を付与するためにビームリード型
ＰＩＮダイオードを用いた。 【００２６】そして、図２の従来品を、コーディライト
から成る誘電体線路２及び誘電体基板４、Ａｕから成る
チョークパターン５及びアンテナパターン６、ビームリ
ード型ＰＩＮダイオードを用いて作製し、ミリ波（数１
０〜数１００ＧＨｚ帯）透過特性について、上記本発明
のものと比較したグラフを図４に示す。約６０ＧＨｚ以
上では、チョークパターンにより高周波信号の外部への
漏れが阻止されているが、従来品は誘電体基板４が高周
波信号の導波路として作用し電磁波が外部に漏れ、ミリ
波透過特性が劣化した。 【００２７】 【発明の効果】本発明のＮＲＤ誘電体導波路は、誘電体
線路内の中途の垂直断面に高周波信号受信用の一対のア
ンテナパターンとアンテナパターン間に接続される半導
体素子とが設けられ、誘電体線路外の平行平板導体上に
アンテナパターンに接続されたチョークパターンが絶縁
層を介して形成されていることにより、チョークパター
ン部が誘電体線路を伝搬する高周波信号に影響を与え
ず、高周波信号の透過特性が向上する。また、製造が容
易で量産に適しており、半導体素子を誘電体線路の正確
な位置に容易に固定することができ、その結果、信頼性
が高いものを安価に量産することができるという作用効
果を有する。 【００２８】また、本発明のＮＲＤ誘電体導波路は、ミ
リ波集積回路、マイクロ波集積回路、又はハイブリッド
型の集積回路に応用できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のＮＲＤ誘電体線路Ｓの基本構成を示
し、上側の平行平板導体を省略したものの斜視図であ
る。 【図２】（ａ）は従来のＮＲＤ誘電体線路Ｓ1 の基本構
成を示し、上側の平行平板導体を省略したものの斜視
図、（ｂ）は従来のチョークパターン及びアンテナパタ
ーンの平面図である。 【図３】従来のＮＲＤ誘電体線路の基本構成を示し、上
側の平行平板導体を一部切り欠いたものの斜視図であ
る。 【図４】本発明と従来品のミリ波透過特性を比較したグ
ラフである。 【符号の説明】 １：下側の平行平板導体 ２：誘電体線路 ３：上側の平行平板導体 ４：誘電体基板 ５：チョークパターン ５ａ：アンテナパターン ６：半導体素子 ７：導線 ８：電極 ９：下側の平行平板導体 １０：電極 １１：導線 １１ａ：孔部 １２：誘電体基板 １３：半導体素子 １４：アンテナパターン １５：誘電体線路 １７：チョークパターン １８：絶縁層
し、上側の平行平板導体を省略したものの斜視図であ
る。 【図２】（ａ）は従来のＮＲＤ誘電体線路Ｓ1 の基本構
成を示し、上側の平行平板導体を省略したものの斜視
図、（ｂ）は従来のチョークパターン及びアンテナパタ
ーンの平面図である。 【図３】従来のＮＲＤ誘電体線路の基本構成を示し、上
側の平行平板導体を一部切り欠いたものの斜視図であ
る。 【図４】本発明と従来品のミリ波透過特性を比較したグ
ラフである。 【符号の説明】 １：下側の平行平板導体 ２：誘電体線路 ３：上側の平行平板導体 ４：誘電体基板 ５：チョークパターン ５ａ：アンテナパターン ６：半導体素子 ７：導線 ８：電極 ９：下側の平行平板導体 １０：電極 １１：導線 １１ａ：孔部 １２：誘電体基板 １３：半導体素子 １４：アンテナパターン １５：誘電体線路 １７：チョークパターン １８：絶縁層
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(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01P 3/16
H01P 5/02 607
H01P 5/08
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】高周波信号の波長λに対して間隔がλ／２
以下である平行平板導体の間に誘電体線路が挟持されて
成り、該誘電体線路内の中途の垂直断面に一対のアンテ
ナパターンと該アンテナパターン間に接続される半導体
素子とが設けられ、前記誘電体線路外の平行平板導体上
に、前記アンテナパターンに接続されたチョークパター
ンが絶縁層を介して形成されていることを特徴とする非
放射性誘電体線路。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20501797A JP3389463B2 (ja) | 1997-07-30 | 1997-07-30 | 非放射性誘電体線路 |
| US09/104,089 US6094106A (en) | 1997-06-25 | 1998-06-24 | Non-radiative dielectric waveguide module |
| DE19828488A DE19828488B4 (de) | 1997-06-25 | 1998-06-25 | Modul mit einem strahlungsfreien dielektrischen Wellenleiter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20501797A JP3389463B2 (ja) | 1997-07-30 | 1997-07-30 | 非放射性誘電体線路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1155011A JPH1155011A (ja) | 1999-02-26 |
| JP3389463B2 true JP3389463B2 (ja) | 2003-03-24 |
Family
ID=16500073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20501797A Expired - Fee Related JP3389463B2 (ja) | 1997-06-25 | 1997-07-30 | 非放射性誘電体線路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3389463B2 (ja) |
-
1997
- 1997-07-30 JP JP20501797A patent/JP3389463B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1155011A (ja) | 1999-02-26 |
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