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JP3389640B2 - 微小重力環境下における液柱界面安定化方法 - Google Patents
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JP3389640B2 - 微小重力環境下における液柱界面安定化方法 - Google Patents

微小重力環境下における液柱界面安定化方法

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JP3389640B2
JP3389640B2 JP18137493A JP18137493A JP3389640B2 JP 3389640 B2 JP3389640 B2 JP 3389640B2 JP 18137493 A JP18137493 A JP 18137493A JP 18137493 A JP18137493 A JP 18137493A JP 3389640 B2 JP3389640 B2 JP 3389640B2
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良二 今井
啓一 桑原
博幸 内田
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石川島播磨重工業株式会社
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、微小重力環境下におけ
る液柱界面安定化方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】例えば、宇宙空間などの微小重力環境下
で単結晶材料を製造する場合、図3に示すように、多結
晶の材料固体1の両端をクランプ2で挾持し、材料固体
1の外周に、材料固体1を部分的に加熱溶融させるため
の加熱装置3を配置し、加熱装置3を材料固体1の一端
側から他端側へ掛けてゆっくりと移動させるようにす
る。
【0003】すると、材料固体1が加熱装置3により部
分的に溶融されて、材料固体1に部分的に液柱4が形成
され、該液柱4の位置が前記材料固体1の一端側から他
端側へとゆっくり移動されることとなる。
【0004】液柱4の位置が材料固体1の一端側から他
端側へ移動されるに従い、直前に液柱4であった部分
が、ゆっくりと冷えて凝固されて行き、凝固された部分
に単結晶材料5が形成される。
【0005】こうして、液柱4が材料固体1の他端部へ
達すると、材料固体1は全体が単結晶化される。
【0006】このように、微小重力環境下で、加熱装置
3によって材料固体1が溶融されてできる液柱4は、表
面張力によってその形状を保持されることとなる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の微小重力環境下における液柱界面安定化方法には、
以下のような問題があった。
【0008】即ち、微小重力環境下で、加熱装置3など
によって材料固体1が溶融されてできる液柱4は、表面
張力のみによってその形状を保持されることになるが、
液柱4の長さ6を長くしようとした場合、液柱4がある
程度より長くなるとその形状を保持しきれなくなって液
柱4が破壊されてしまう点があり、表面張力のみによっ
て形状を保持可能な液柱4の長さ6には限界がある。
【0009】そのため、余り長い液柱4を形成すること
ができず、上記のようにして単結晶材料5を製造する場
合などに、単結晶材料5の製造効率を向上することがで
きないこととなる。
【0010】本発明は、上述の実情に鑑み、液柱を長く
しても安定して形状を保持させ得るようにした微小重力
環境下における液柱界面安定化方法を提供することを目
的とするものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項1に記載
の発明は、微小重力環境下で導電体の材料固体を溶融し
て単結晶材料として再結晶化させるべく、該材料固体を
長さ方向一端側から他端側へ加熱箇所を移動させながら
段階的に溶融させる場合に、その加熱箇所の移動に伴い
材料固体に部分的に生じる液柱の界面を安定化させる方
法であって、材料固体の内部に該材料固体の長さ方向と
平行な磁場を発生させて液柱の内部にマックスウェルの
応力を発生させ、該マックスウェルの応力により液柱に
発生した外乱を低減させて該液柱を安定化させることを
特徴とするものである。また、本発明の請求項2に記載
の発明は、微小重力環境下で絶縁体の材料固体を溶融し
て単結晶材料として再結晶化させるべく、該材料固体を
長さ方向一端側から他端側へ加熱箇所を移動させながら
段階的に溶融させる場合に、その加熱箇所の移動に伴い
材料固体に部分的に生じる液柱の界面を安定化させる方
法であって、材料固体の内部に該材料固体の長さ方向と
平行な電場を発生させて液柱の内部にマックスウェルの
応力を発生させ、該マックスウェルの応力により液柱に
発生した外乱を低減させて該液柱を安定化させることを
特徴とするものである。
【0012】
【作用】本発明の作用は以下の通りである。
【0013】材料固体が導電体である場合に、材料固体
の内部に該材料固体の長さ方向と平行な磁場を発生させ
て液柱の内部にマックスウェルの応力を発生させ、材料
固体が絶縁体である場合に、材料固体の内部に該材料固
体の長さ方向と平行な電場を発生させて液柱の内部にマ
ックスウェルの応力を発生させると、液柱に発生した外
乱が低減される。
【0014】該マックスウェルの応力が、液柱に発生し
た外乱を低減するよう作用するので、液柱を長くした場
合でも、安定して液柱の形状を保持させることができる
ようになる。
【0015】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ説
明する。
【0016】図1は、本発明の第一の実施例である。
【0017】又、図中、7はチャンバ、8はチャンバ7
内に配置された材料固体、9,10は材料固体8の両端
を保持する磁気クランプで、一方の材料固体8側がN
極、他方の材料固体8側がS極となっている。
【0018】11は磁気クランプ9,10間に形成され
る、材料固体8と平行な磁場、12,13は磁場11を
均一化させるために磁気クランプ9,10に形成された
フランジ部、14は磁気クランプ9,10に形成された
材料係止部である。
【0019】15は材料固体8を加熱溶融する加熱装
置、16は加熱装置15によって材料固体8が溶融され
てできる液柱、17は液柱16の長さ、18は形成され
た単結晶材料である。
【0020】例えば、宇宙空間などの微小重力環境下で
単結晶材料を製造する場合、図1に示すように、多結晶
の材料固体8の両端を、材料係止部14に係止させて磁
気クランプ9,10間で挾持することにより、材料固体
8の内部に材料固体8と平行な磁場11を発生させる。
【0021】この際、磁気クランプ9,10にフランジ
部12,13を形成することにより、磁気クランプ9,
10間に発生される磁場11の範囲を広げて、均一な磁
場11を発生させるようにする。
【0022】この状態で、材料固体8の外周に、材料固
体8を部分的に加熱溶融させるための加熱装置15を配
置し、該加熱装置15を材料固体8の一端側から他端側
へ掛けて移動させるようにする。
【0023】すると、材料固体8が加熱装置15により
部分的に溶融されて、材料固体8に部分的に液柱16が
形成され、該液柱16の位置が前記材料固体8の一端側
から他端側へと移動されることになる。
【0024】液柱16の位置が材料固体8の一端側から
他端側へ移動されるに従い、直前に液柱16であった部
分がゆっくりと冷えて凝固されて行き、凝固された部分
に単結晶材料18が形成される。
【0025】こうして、液柱16が材料固体8の他端部
へ達すると、材料固体8は全体が単結晶化される。
【0026】ここで、微小重力環境下で、加熱装置15
によって材料固体8が溶融されてできる液柱16は、基
本的に表面張力によってその形状を保持される。
【0027】そして、微小重力環境下で表面張力のみに
よって形状を保持可能な液柱16の長さ17には限界が
あるので、本実施例では更に、前記したように材料固体
8、即ち、液柱16の内部に、長さ17方向と平行な磁
場11を発生させるようにしている。
【0028】すると、液柱16の内部には、磁場11に
よって、マックスウェルの応力が発生される。
【0029】該マックスウェルの応力が、液柱16に発
生した外乱を低減するよう作用するので、液柱16を長
くした場合でも、安定して液柱16の形状を保持させる
ことができるようになる。
【0030】従って、図1に示すように、本実施例を単
結晶材料18を製造する場合に適用すれば、加熱装置1
5を図3のものよりも大型化し、材料固体8の広い範囲
を一度に溶融させて、単結晶材料18を効率良く製造す
ることが可能となる。
【0031】図2は、本発明の第二の実施例であり、材
料固体8の両端を、磁気クランプ9,10に替えて電極
クランプ19,20で挾持し、電極クランプ19,20
間に、一方の電極クランプ19が+極となり、他方の電
極クランプ20が−極となるように電源21を接続し
て、材料固体8内部に電場22を発生させるようにした
ものである。
【0032】このように、材料固体8の内部に電場22
を発生させても、液柱16の内部にマックスウェルの応
力が発生されることとなるので、前記実施例と同様に、
液柱16を長くしても安定して液柱16の形状を保持さ
せることができるようになる。
【0033】尚、図中、23は電極クランプ19,20
とクランプロッド24との間に設けられた絶縁体であ
る。
【0034】又、図1の実施例の場合、材料固体8がガ
ラスやポリマーなどの絶縁体であると、材料固体8は磁
性を示さないために、マックスウェルの応力が発生され
ず、液柱16を安定化させることができなくなるが、こ
の場合には、本実施例を適用して、絶縁体の内部に電場
22を発生させるようにすれば、液柱16を安定化させ
ることが可能となる。
【0035】反対に、本実施例の場合、材料固体8が金
属や半導体などの導電体であると、材料固体8内部の電
場22が0となってしまうので、マックスウェルの応力
が発生されず、液柱16を安定化させることができなく
なるが、この場合には、図1の実施例を適用して、導電
体の内部に磁場11を発生させるようにすれば、液柱1
6を安定化させることが可能となる。
【0036】尚、本発明は、上述の実施例にのみ限定さ
れるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内に
おいて種々変更を加え得ることは勿論である。
【0037】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の微小重力
環境下における液柱界面安定化方法によれば、液柱が長
くなった場合でも安定して形状を保持させることができ
るという優れた効果を奏し得る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第一の実施例の概略側面図である。
【図2】本発明の第二の実施例の概略側面図である。
【図3】単結晶成長法の概略側面図である。
【符号の説明】
11 磁場 16 液柱 17 長さ 22 電場
フロントページの続き (72)発明者 内田 博幸 神奈川県横浜市磯子区新中原町1番地 石川島播磨重工業株式会社 技術研究所 内 (56)参考文献 特開 平3−295889(JP,A) 実開 昭63−42163(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) B01J 19/08 B01J 19/00 B64G 1/66

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 微小重力環境下で導電体の材料固体を溶
    融して単結晶材料として再結晶化させるべく、該材料固
    体を長さ方向一端側から他端側へ加熱箇所を移動させな
    がら段階的に溶融させる場合に、その加熱箇所の移動に
    伴い材料固体に部分的に生じる液柱の界面を安定化させ
    る方法であって、 材料固体の内部に該材料固体の長さ方向と平行な磁場を
    発生させて液柱の内部にマックスウェルの応力を発生さ
    せ、該マックスウェルの応力により液柱に発生した外乱
    を低減させて該液柱を安定化させる ことを特徴とする微
    小重力環境下における液柱界面安定化方法。
  2. 【請求項2】 微小重力環境下で絶縁体の材料固体を溶
    融して単結晶材料として再結晶化させるべく、該材料固
    体を長さ方向一端側から他端側へ加熱箇所を移動させな
    がら段階的に溶融させる場合に、その加熱箇所の移動に
    伴い材料固体に部分的に生じる液柱の界面を安定化させ
    る方法であって、 材料固体の内部に該材料固体の長さ方向と平行な電場を
    発生させて液柱の内部にマックスウェルの応力を発生さ
    せ、該マックスウェルの応力により液柱に発生した外乱
    を低減させて該液柱を安定化させることを特徴とする微
    小重力環境下における液柱界面安定化方法。
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