JP3396306B2 - Programmable logic array configuration method and programmable logic array module generator - Google Patents
Programmable logic array configuration method and programmable logic array module generatorInfo
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- JP3396306B2 JP3396306B2 JP24503594A JP24503594A JP3396306B2 JP 3396306 B2 JP3396306 B2 JP 3396306B2 JP 24503594 A JP24503594 A JP 24503594A JP 24503594 A JP24503594 A JP 24503594A JP 3396306 B2 JP3396306 B2 JP 3396306B2
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、LSIチップ上に形成
されるプログラマブルロジックアレイ(以下、PLAと
いう)のレイアウトをソフトウエアを用いて自動生成す
るPLAの構成方法、及びPLAモジュールジェネレー
タに関するものである。The present invention relates to a programmable logic array formed on an LSI chip (hereinafter, PLA hereinafter) configuring the PLA for automatically generated using the software the layout of, and PLA module generational
The present invention relates to data.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、次のような文献に記載されるものがあった。文
献1;富沢孝、松山泰“CMOS VLSI設計の原
理”丸善(株)P.335図2は従来のCMOS形成のPL
Aの構成を示す回路図であり、図3は図2のレイアウト
例を示す図であり、図4は図2の真理値表を示す図であ
る。図2及び図3において、共通する要素には共通の符
号が付されている。2. Description of the Related Art Conventionally, as a technique in such a field,
For example, some documents were described in the following documents. Reference 1: Takashi Tomizawa, Yasushi Matsuyama "Principles of CMOS VLSI Design" Maruzen Co., Ltd. P.335 Figure 2 shows a conventional CMOS PL
3 is a circuit diagram showing the configuration of A, FIG. 3 is a diagram showing a layout example of FIG. 2, and FIG. 4 is a diagram showing a truth table of FIG. 2 and 3, common reference numerals are given to common elements.
【0003】図2及び図3に示すPLAは、入力数が
3、出力数が2、積項数が4のPLAであり、第2の信
号線である入力線I1,I1/,I2,I2/,I3,
I3/と第1の信号線である積項線P1,P2,P3,
P4とが直交されてできた12個の論理積(以下、AN
Dという)領域であるサブ領域(即ち、マス目)を有し
たANDアレイ部1と、第4の信号線である出力線O
1,O2と第3の信号線である積項線P1,P2,P
3,P4が直交することでできる8個の論理和(以下、
ORという)領域であるサブ領域(即ち、マス目)を有
したORアレイ部2と、入力バッファ部3と、出力バッ
ファ部4と、積項線プルアップ部5と、出力線プルアッ
プ部6とを有している。The PLA shown in FIGS. 2 and 3 is a PLA having three inputs, two outputs, and four product terms, and the second signal lines are input lines I1, I1 /, I2, I2. /, I3
I3 / and the product term lines P1, P2, P3 that are the first signal lines
12 logical products (hereinafter referred to as AN
AND array portion 1 having a sub region (that is, a cell ) , which is a region D, and an output line O, which is a fourth signal line.
1, O2 and product term lines P1, P2, P which are the third signal lines.
8 logical sums (3, P4 are orthogonal)
An OR array unit 2 having a sub-region (that is, a grid) which is a region ( OR ) , an input buffer unit 3, an output buffer unit 4, a product term line pull-up unit 5, and an output line pull-up unit 6 And have.
【0004】ANDアレイ部1は、図4の真理値表に示
される“0”及び“1”に従って12個のマス目にトラ
ンジスタを配置している。即ち、入力線I1,I1/,
I2,I2/,I3,I3/と各積項線P1〜P4の交
点にトランジスタTが配置される。また、ORアレイ部
2においても、真理値表にしたがって出力線O1,O2
と各積項線P1〜P4の交点にトランジスタTが配置さ
れたレイアウトとなっている。The AND array section 1 has transistors arranged in 12 cells according to "0" and "1" shown in the truth table of FIG. That is, the input lines I1, I1 /,
A transistor T is arranged at an intersection of I2, I2 /, I3, I3 / and each of the product term lines P1 to P4. Also in the OR array section 2, the output lines O1 and O2 are output according to the truth table.
And the transistor T is arranged at the intersection of the product term lines P1 to P4.
【0005】図5(i)、(ii)は図2のPLAのレイ
アウトを自動生成する従来のPLAモジュールジェネレ
ータの説明図であり、同図(i)はPLAモジュールジ
ェネレータの構成ブロック図、及び同図(ii)はPLA
の構成方法を示すフローチャートである。PLAモジュ
ールジェネレータは、例えば図2のPLAのレイアウト
をソフトウエア的に自動生成するものであり、ファイル
読込み部t11と、このファイル読込み部t11に接続
された下地レイアウト生成部t12とを備えている。下
地レイアウト生成部t12の出力側は、ANDアレイプ
ログラミング部t13に接続され、このANDアレイプ
ログラミング部t13の出力側が、ORアレイプログラ
ミング部t14に接続されている。また、このPLAモ
ジュールジェネレータには、論理記述ファイルt15と
リーフセルレイアウトt16が設けられている。論理記
述ファイルt15はファイル読込み部t11に接続さ
れ、リーフセルレイアウトt16が下地レイアウト生成
部t12に接続されている。FIGS. 5 (i) and 5 (ii) are explanatory views of a conventional PLA module generator for automatically generating the layout of the PLA of FIG. 2, and FIG. 5 (i) is a block diagram of the configuration of the PLA module generator, and FIG. Figure (ii) is PLA
3 is a flowchart showing a method of configuring the above. The PLA module generator, for example, automatically generates the PLA layout of FIG. 2 by software, and includes a file reading unit t11 and a base layout generating unit t12 connected to the file reading unit t11. The output side of the base layout generating section t12 is connected to the AND array programming section t13, and the output side of the AND array programming section t13 is connected to the OR array programming section t14. The PLA module generator is also provided with a logical description file t15 and a leaf cell layout t16. The logical description file t15 is connected to the file reading unit t11, and the leaf cell layout t16 is connected to the base layout generating unit t12.
【0006】このPLAモジュールジェネレータでは、
ステップS1でファイル読込み部t11が、実現したい
PLAの論理を記述した論理記述ファイルt15から対
応するファイルを読込む。図6は、図5中の論理記述フ
ァイルt15の記述例を示す図である。論理記述ファイ
ルt15にはPLAの入力数、出力数、積項数、及び実
際の論理表、即ち真理値表が記述され、図6の例では図
4の真理値表に対応する例が示されている。次のステッ
プS2で、下地レイアウト生成部t12が読込んだファ
イルにおける入力数、出力数、積項数、及び実際の論理
表に基づき、予め用意されている各部のリーフセルレイ
アウトt16を読込み、PLA全体の下地レイアウトを
作成する。In this PLA module generator,
In step S1, the file reading unit t11 reads a corresponding file from the logic description file t15 that describes the logic of the PLA to be realized. FIG. 6 is a diagram showing a description example of the logical description file t15 in FIG. The number of PLA inputs, the number of outputs, the number of product terms, and the actual logic table, that is, the truth table, are described in the logic description file t15. In the example of FIG. 6, an example corresponding to the truth table of FIG. 4 is shown. ing. In the next step S2, the leaf cell layout t16 of each part prepared in advance is read based on the number of inputs, the number of outputs, the number of product terms, and the actual logical table in the file read by the background layout generation unit t12, and the PLA Create the entire background layout.
【0007】図7は、図3の下地レイアウトを示す図で
ある。下地レイアウトは図7のように、基板に対してア
クティブ層とポリシリコン層とメタル層とPインプラ層
で形成される。次のステップS3において、ファイル読
込み部t11で読込んだ真理値表に基づいて、ANDア
レイプログラミング部t13がANDアレイ部1中の必
要箇所にNチャネル型電界効果トランジスタ(以下、N
MOSという)Tを配置する。NMOSTの配置を具体
的に行う手順は以下のようになる。例えば、図4の真理
値表から1行1列目の“0”をプログラミングするため
に、入力線I1/と積項線P1間にNMOST1を配置
し、次に、1行2列目の“1”のプログラミングを行う
ために、入力線I2と積項線P1間にNMOST2を作
成する。1行3列目のように“−”のドントケアの場合
は、NMOSは配置しない。以下同様の動作を繰り返し
てANDアレイ部1を形成する。また、ステップS3の
後のステップS4では、ORアレイ部2にNMOSTを
配置する。FIG. 7 is a diagram showing the base layout of FIG. As shown in FIG. 7, the underlying layout is formed of an active layer, a polysilicon layer, a metal layer, and a P implantation layer on the substrate. In the next step S3, based on the truth table read by the file reading unit t11, the AND array programming unit t13 places an N-channel field effect transistor (hereinafter referred to as N-type field effect transistor) at a necessary location in the AND array unit 1.
Place T) (called MOS). The procedure for specifically arranging the NMOST is as follows. For example, in order to program "0" in the first row and the first column from the truth table of FIG. 4, an NMOST1 is arranged between the input line I1 / and the product term line P1, and then the "T" in the first row and the second column is read. To perform 1 "programming, an NMOST2 is created between the input line I2 and the product term line P1. In the case of "-"don't care as in the 1st row and 3rd column, the NMOS is not arranged. Thereafter, the same operation is repeated to form the AND array section 1. Further, in step S4 after step S3, the NMOST is arranged in the OR array section 2.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
PLAの構成方法及びPLAモジュールジェネレータで
は、次のような課題があった。実現したい論理、つまり
真理値表にしたがってANDアレイ部1及びORアレイ
部2の各マス目にNMOSTを配置していく構成になっ
ているので、ANDアレイ部1及びORアレイ部2はN
MOSTの配置されたマス目と配置されないマス目のど
ちらかだけから構成される。大規模なPLAを形成する
場合、例えばNMOS及びPチャネル型電界効果トラン
ジスタ(以下、PMOSという)からなるCMOSにお
けるNMOSTだけが配置されるアレイ領域の面積が大
きくなり、P型基板の電位を接地電位Vssに固定する
サブコンタクトが、広範囲に渡って配置されないことに
なる。そのため、CMOS回路特有のラッチアップ現象
が発生し、LSIの動作が不安定になるという問題があ
った。However [0005] In <br/> configuring and PLA module generator of conventional PL A, it has the following problems. Since the configuration is such that the NMOST is arranged in each cell of the AND array section 1 and the OR array section 2 according to the logic to be realized, that is, the truth table, the AND array section 1 and the OR array section 2 have N
It is composed of only one of the squares where the MOST is arranged and the square where the MOST is not arranged. When forming a large-scale PLA, for example, the area of the array region in which only the NMOST is arranged in the CMOS including the NMOS and the P-channel field effect transistor (hereinafter referred to as PMOS) becomes large, and the potential of the P-type substrate is changed to the ground potential. sub contacts fixed to Vss is, it will not be extensively arranged I passed. Therefore, there is a problem that a latch-up phenomenon peculiar to the CMOS circuit occurs and the operation of the LSI becomes unstable.
【0009】上記問題を解消するために、図7では、P
型基板電位を固定するサブコンタクト配置用の領域7を
予め下地レイアウトに確保している。しかしながら、サ
ブコンタクト用の領域7をANDアレイ部1及びORア
レイ部2に設けることによって、それらの面積が不必要
に大きくなり、その結果、PLA全体の面積が大きくな
るという課題があった。一方、PLAモジュールジェネ
レータは、サブコンタクト用のリーフセルを下地リーフ
セルファイル中に用意し、図7中のような独立した領域
7を有した下地レイアウトを形成してサブコンタクトが
広範囲に渡って配置されないという問題点を解消しよう
としている。しかし、PLA全体の面積を縮小すること
が困難であった。 In order to solve the above problem, in FIG.
A region 7 for arranging sub-contacts for fixing the mold substrate potential is secured in advance in the base layout. However, providing the sub-contact regions 7 in the AND array section 1 and the OR array section 2 unnecessarily increases their areas, and as a result, there is a problem that the area of the entire PLA becomes large. On the other hand, the PLA module generator prepares leaf cells for sub-contacts in the base leaf cell file and forms a base layout having independent regions 7 as shown in FIG. 7 to prevent sub-contacts from being arranged over a wide range. I am trying to solve the problem. However, reducing the area of the entire PLA
Was difficult.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明のうちの第1の発明は、各々が所定の方向に
延在する複数の第1の信号線と、各々が前記複数の第1
の信号線を横切るように延在する複数の第2の信号線
と、を基板の表面側に設けてANDアレイを形成すると
共に、各々が前記複数の第1の信号線の対応する1つに
電気的に接続された複数の第3の信号線と、各々が前記
複数の第3の信号線を横切るように延在する複数の第4
の信号線と、を前記基板の表面側に設けてORアレイを
形成するPLAの構成方法において、次のような処理を
行っている。 In order to solve the above-mentioned problems, the first invention of the present invention is such that each is in a predetermined direction.
A plurality of extending first signal lines, and a plurality of the first signal lines
A plurality of second signal lines extending across the signal line of
And are provided on the front surface side of the substrate to form an AND array.
Together, each corresponds to a corresponding one of the plurality of first signal lines
A plurality of third signal lines electrically connected to each other,
A plurality of fourth signals extending across the plurality of third signal lines
And a signal line of the above are provided on the front surface side of the substrate to form an OR array.
In the PLA forming method to be formed, the following processing is performed.
Is going.
【0011】即ち、前記ANDアレイ及び前記ORアレ
イを形成するアレイ領域を、前記複数の第1及び第2の
信号線の各交差点と前記複数の第3及び第4の信号線の
各交差点とをそれぞれ含む複数のサブ領域に分ける。そ
して、所望の論理を表した真理値表にてトランジスタを
配置する旨が指示されている前記サブ領域に、トランジ
スタを選択的に配置する第1の工程と、前記真理値表に
てトランジスタを配置しない旨を指示する前記サブ領域
のうちの、前記ANDアレイ側と前記ORアレイ側の両
方またはそのいずれか一方の前記サブ領域に、前記基板
の電位を固定するためのコンタクトを配置する第2の工
程と、を行うようにしている。 That is, the AND array and the OR array
The array area forming the a is defined by the plurality of first and second array areas.
Each intersection of the signal lines and the plurality of third and fourth signal lines
It is divided into a plurality of sub-regions each including each intersection. So
Then, in the truth table showing the desired logic,
In the sub area where it is instructed to place,
The first step of selectively arranging the star and the truth table
The sub-region indicating that no transistor is to be placed
Of the AND array side and the OR array side
The sub-region on one or the other of the sub-regions.
Second process for arranging contacts to fix the potential of
I try to do it.
【0012】第2の発明は、第1の発明のPLAの構成
方法において、前記第1の工程の前に、前記第2の工程
にて配置されるべき複数の前記コンタクトが、前記アレ
イ領域に均一に配置されるように、前記真理値表の内容
の並べ替えを行った後、前記並べ替えられた真理値表に
基づいて前記第1の工程と前記第2の工程を行わせるよ
うにしている。 The second invention is the configuration of the PLA of the first invention.
In the method, before the first step, the second step
A plurality of said contacts to be placed in
Contents of the truth table so that they are evenly arranged in the area
After rearranging the
Based on the above, the first step and the second step are performed.
I am sorry.
【0013】第3の発明は、各々が所定の方向に延在す
る複数の第1の信号線と、各々が前記複数の第1の信号
線を横切るように延在する複数の第2の信号線と、を基
板の 表面側に設けてANDアレイを形成すると共に、各
々が前記複数の第1の信号線の対応する1つに電気的に
接続された複数の第3の信号線と、各々が前記複数の第
3の信号線を横切るように延在する複数の第4の信号線
と、を前記基板の表面側に設けてORアレイを形成する
PLAモジュールジェネレータにおいて、前記複数の第
1、第2、第3及び第4の信号線を配置する下地レイア
ウト部と、プログラミング部と、コンタクト配置部と、
を備えている。 前記プログラミング部は、前記ANDア
レイ及び前記ORアレイを形成するアレイ領域を、前記
複数の第1及び第2の信号線の各交差点と前記複数の第
3及び第4の信号線の各交差点とをそれぞれ含む複数の
サブ領域に分けておき、所望の論理を表した真理値表に
てトランジスタを配置する旨が指示されている前記サブ
領域に、トランジスタを選択的に配置するものである。
前記コンタクト配置部は、前記真理値表にてトランジス
タを配置しない旨を指示する前記サブ領域のうちの、前
記ANDアレイ側と前記ORアレイ側の両方またはその
いずれか一方の前記サブ領域に、前記基板の電位を固定
するためのコンタクトを配置するものである。 According to a third invention, each extends in a predetermined direction.
A plurality of first signal lines, and each of the plurality of first signals
A plurality of second signal lines extending across the line;
It is provided on the front side of the plate to form an AND array and
Each electrically to the corresponding one of the plurality of first signal lines
A plurality of connected third signal lines and a plurality of the third signal lines
A plurality of fourth signal lines extending so as to cross the signal line of No. 3
And are provided on the front surface side of the substrate to form an OR array.
In the PLA module generator, the plurality of first
Base layer for arranging first, second, third and fourth signal lines
Out part, programming part, contact placement part,
Is equipped with. The programming unit includes the AND
The array area forming the ray and the OR array,
Each intersection of a plurality of first and second signal lines and the plurality of first
And a plurality of intersections of the third and fourth signal lines, respectively.
It is divided into sub areas, and a truth table that expresses the desired logic is created.
And the sub
Transistors are selectively arranged in the region.
The contact placement part is
Of the sub-areas instructing not to place
Both the AND array side and the OR array side, or their
The potential of the substrate is fixed to one of the sub regions
The contact for disposing is arranged.
【0014】第4の発明は、第3の発明のPLAモジュ
ールジェネレータにおいて、前記コンタクト配置部にて
配置されるべき複数の前記コンタクトが、前記アレイ領
域に均一に配置されるように、前記真理値表の内容の並
べ替えを行い、この並べ替えられた真理値表に基づいて
前記プログラミング部及び前記コンタクト配置部での処
理を行わせる真理値表ソート部を、設けている。 The fourth invention is a PLA module of the third invention.
In the contact generator,
The plurality of contacts to be arranged are arranged in the array area.
The contents of the truth table are arranged so that they are evenly distributed in the area.
Based on this sorted truth table
Processing in the programming section and the contact placement section
A truth table sort section is provided for performing the reason.
【0015】[0015]
【作用】第1の発明によれば、ANDアレイ及びORア
レイを形成するアレイ領域が複数のサブ領域に分けられ
る。そして、第1の工程において、真理値表に基づき、
ANDアレイ側及びORアレイ側の所定のサブ領域に、
トランジスタが配置される。その後、第2の工程におい
て、真理値表に基づき、ANDアレイ側とORアレイ側
の両方またはそのいずれか一方の、トランジスタが配置
されない所定のサブ領域に、基板の電位を固定するため
のコンタクトが配置される。 第2の発明によれば、複数
のコンタクトがアレイ領域に均一に配置されるように、
真理値表の内容の並べ替えが行われる。その後、この並
べ替えられた真理値表に基づき、第1の工程で、所定の
サブ領域にトランジスタが配置され、第2の工程で、ト
ランジスタが配置されていない所定のサブ領域にコンタ
クトが配置される。 According to the first invention, an AND array and an OR array are provided.
The array area forming the ray is divided into multiple sub areas
It Then, in the first step, based on the truth table,
In the predetermined sub-regions on the AND array side and the OR array side,
A transistor is arranged. Then in the second step
Based on the truth table, AND array side and OR array side
Transistors placed in both or either
To fix the substrate potential to a predetermined sub-region that is not
Contacts are placed. According to the second invention, a plurality of
The contacts are evenly distributed over the array area,
The contents of the truth table are rearranged. Then this average
Based on the replaced truth table, in the first step,
Transistors are arranged in the sub-region, and in the second step,
The contour is placed in a predetermined sub area where the transistor is not placed.
Are placed.
【0016】第3の発明によれば、ANDアレイ及びO
Rアレイを形成するアレイ領域が、複数のサブ領域に分
けられる。そして、下地レイアウト部により、複数の第
1、第2、第3及び第4の信号線が配置され、プログラ
ミング部により、真理値表に基づき、所定のサブ領域に
トランジスタが配置される。その後、コンタクト配置部
により、真理値表に基づき、トランジスタが配置されて
いない所定のサブ領域にコンタクトが配置される。 第4
の発明によれば、真理値表ソート部により、真理値表の
内容が並べ替えられ、この並べ替えられた真理値表に基
づき、プログラミング部により、トランジスタの配置が
行われ、さらに、コンタクト配置部により、コンタクト
がアレイ領域に均一に配置される。 According to the third invention, an AND array and O
The array area forming the R array is divided into a plurality of sub areas.
Be kicked. Then, the base layout section allows a plurality of first
The first, second, third and fourth signal lines are arranged and
Based on the truth table, the
A transistor is arranged. After that, the contact placement part
The transistor is arranged according to the truth table.
The contact is arranged in a predetermined sub region which is not present. Fourth
According to the invention of claim 1, the truth table sorting unit
The contents are sorted and based on this sorted truth table.
Based on the
And the contact placement part
Are uniformly arranged in the array area.
【0017】[0017]
【実施例】(第1の実施例)
図1は、本発明の第1の実施例を示すPLAのレイアウ
ト図である。このPLAは、従来例の説明で用いた図2
〜図4と同等の論理出力を得るものであり、図2及び図
3と共通する要素には共通の符号が付されている。図1
のPLAは入力数が3、出力数が2、及び積項数が4の
PLAであり、P型基板上に入力線I1,I1/,I
2,I2/,I3,I3/及び出力線O1,O2と4本
の積項線P1〜P4とが交差配置されている。PLA
は、第2の信号線である入力線I1,I1/,I2,I
2/,I3,I3/と第1の信号線である積項線P1〜
P4で形成される12個のAND領域であるサブ領域
(即ち、マス目)を有したANDアレイ部1と、第4の
信号線である出力線O1,O2と第3の信号線である積
項線P1〜P4が直交することでできる8個のOR領域
であるサブ領域(即ち、マス目)を有したORアレイ部
2と、入力バッファ部3と、出力バッファ部4と、積項
線プルアップ部5と、出力線プルアップ部6とで構成さ
れ、そのANDアレイ部1及びORアレイ部2中のマス
目には、図4の真理値表の論理出力を得るために、選択
的にNMOST1,T2,…がレイアウトされている。
また、NMOST1,T2,…の配置されていないマス
目には、基板電位固定用の複数のコンタクト(即ち、サ
ブコンタクト)A13,A32,O12,O21,O41,O42が
配置されている。Embodiment (First Embodiment) FIG. 1 is a layout diagram of a PLA showing a first embodiment of the present invention. This PLA is shown in FIG. 2 used in the description of the conventional example.
4 to obtain a logic output equivalent to that of FIG. 4, and elements common to those of FIGS. 2 and 3 are denoted by common reference numerals. Figure 1
Is a PLA having 3 inputs, 2 outputs, and 4 product terms, and has input lines I1, I1 /, I on the P-type substrate.
2, I2 /, I3, I3 /, the output lines O1 and O2, and the four product term lines P1 to P4 are arranged in an intersecting manner. PLA
Are input lines I1, I1 /, I2, I which are second signal lines.
2 /, I3, I3 / and the product term line P1 which is the first signal line
Sub-areas that are 12 AND areas formed by P4
The AND array unit 1 having (that is, a square ) , the output lines O1 and O2 which are the fourth signal lines, and the product term lines P1 to P4 which are the third signal lines are orthogonal to each other. The OR array unit 2 having a sub region (that is, a square ) which is an OR region, the input buffer unit 3, the output buffer unit 4, the product term line pull-up unit 5, and the output line pull-up unit 6 In order to obtain the logical output of the truth table of FIG. 4, NMOS T1, T2, ... Are selectively laid out at the cells in the AND array section 1 and the OR array section 2 that are configured.
Further, a plurality of contacts (that is, sub-contacts ) A13, A32, O12, O21, O41, O42 for fixing the substrate potential are arranged in the cells where the NMOSs T1, T2, ... Are not arranged.
【0018】ANDアレイ部1においては、図4の真理
値表に示される“−”のドントケアをプログラミングす
べき1行3列目、及び3行2列目に対応するマス目にサ
ブコンタクトA13,A32が配置されている。同様に、O
Rアレイ部2において、“0”をプログラミングすべき
1行2列目、2行1列目、4行1列目、及び4行2列目
に対応するマス目にサブコンタクトO12,O21,O41,
O42が配置されている。このように、NMOST1,…
の配置されないマス目に形成されたサブコンタクトA1
3,A32,O12,O21,O41,O42は、P型基板の電位
を接地電位Vssに固定する。即ち、従来のサブコンタ
クト配置用の領域7に形成されたサブコンタクトと同様
にP型基板の電位を適切に接地電位Vssに固定する。In the AND array section 1, the sub-contacts A13, to the cells corresponding to the 1st row and 3rd column and the 3rd row and 2nd column where "-"don't care shown in the truth table of FIG. 4 is to be programmed. A32 is arranged. Similarly, O
In the R array section 2, sub-contacts O12, O21, O41 in the cells corresponding to the 1st row, 2nd column, 2nd row 1st column, 4th row 1st column, and 4th row 2nd column where “0” should be programmed. ,
O42 is arranged. In this way, NMOST1, ...
Sub-contact A1 formed in the square where no
3, A32, O12, O21, O41, O42 fix the potential of the P-type substrate to the ground potential Vss. That is, the potential of the P-type substrate is appropriately fixed to the ground potential Vss like the conventional sub-contact formed in the sub-contact disposing region 7.
【0019】以上のように、本実施例では、PLA中の
ANDアレイ部1或いはORアレイ部2中に予めサブコ
ンタクト配置用の領域7を設けずに、NMOST1,…
の配置されないマス目にサブコンタクトA13,A32,O
12,O21,O41,O42を配置している。そのため、AN
Dアレイ部1或いはORアレイ部2の面積が小さくな
り、PLA全体の面積を縮小できる。As described above, in this embodiment, the NMOS array T1, ... Is not provided in the AND array section 1 or the OR array section 2 in the PLA in advance without providing the area 7 for sub contact arrangement.
Sub-contacts A13, A32, O on the grid where no
12, O21, O41 and O42 are arranged. Therefore, AN
The area of the D array section 1 or the OR array section 2 is reduced, and the area of the entire PLA can be reduced.
【0020】(第2の実施例)
図8は、本発明の第2の実施例を示すPLAのレイアウ
ト図であり、図1、図2及び図3と共通する要素には共
通の符号が付されている。第1の実施例の図1のPLA
では、NMOST1,…の配置されないマス目に形成さ
れたサブコンタクトA13,…,O12,…をANDアレイ
部1及びORアレイ部2の両方に配置していたが、図8
に示されたPLAでは、ANDアレイ部1に予めサブコ
ンタクト配置用の領域8を設定してそこにサブコンタク
トを形成している。ORアレイ部2のみ第1の実施例と
同様に、NMOSの配置されないマス目にサブコンタク
トO12,O21,O41,O42を配置している。(Second Embodiment) FIG. 8 is a layout diagram of a PLA showing a second embodiment of the present invention. Elements common to those in FIGS. 1, 2 and 3 are designated by common reference numerals. Has been done. PLA of FIG. 1 of the first embodiment
, The sub-contacts A13, ..., O12, ... Formed in the grids in which the NMOST1, ... Are not arranged are arranged in both the AND array section 1 and the OR array section 2, but FIG.
In the PLA shown in (1), a sub-contact disposing region 8 is set in advance in the AND array portion 1 and sub-contacts are formed therein. Similar to the first embodiment, only the OR array section 2 has sub-contacts O12, O21, O41 and O42 arranged in the cells where no NMOS is arranged.
【0021】PLAで実現したい真理値表によっては、
ANDアレイ部1中にドントケアの“−”をプログラミ
ングすべきマス目が存在しない場合もある。このような
場合、ORアレイ部2のみのNMOSの配置されないマ
ス目にサブコンタクトO12,…を配置する。ORアレイ
部2の場合、“0”をプログラミングするマス目には、
NMOSが配置されないので、マス目にサブコンタクト
O12,…を配置することが可能である。よって、一般的
にどのような真理値表でも、マス目にサブコンタクトO
12,…を配置することが可能である。以上のように、本
実施例では、ORアレイ部2のマス目にサブコンタクト
O12,…が形成される。そのため、ORアレイ部2の面
積が従来のPLAに比べて小さくなり、PLAの面積を
縮小することができる。Depending on the truth table to be realized by PLA,
In some cases, there is no square in the AND array section 1 for programming a "-" of don't care. In such a case, the sub-contacts O12, ... Are arranged in the cells of the OR array section 2 where no NMOS is arranged. In the case of the OR array unit 2, the cells for programming "0" are
Since the NMOS is not arranged, the sub-contacts O12, ... Can be arranged in the grid. Therefore, in general, in any truth table, the sub contact O
It is possible to arrange 12, ... As described above, in this embodiment, the sub-contacts O12, ... Are formed in the cells of the OR array section 2. Therefore, the area of the OR array unit 2 becomes smaller than that of the conventional PLA, and the area of the PLA can be reduced.
【0022】(第3の実施例)
図9は、本発明の第3の実施例を示すPLAモジュール
ジェネレータの構成ブロック図である。このPLAモジ
ュールジェネレータは、PLAの入力数、出力数、積項
数及び実際の論理表つまり真理値表が記述されている論
理記述ファイル11と、この論理記述ファイル11の記
述内容を読込むファイル読込み部12とを有している。
ファイル読込み部12の出力側は、下地レイアウト部で
ある下地レイアウト生成部13に接続されている。この
PLAは、下地レイアウトの作成に必要なリーフセルフ
ァイルを格納しているレイアウトリーフセル14を備
え、このレイアウトリーフセル14が下地レイアウト生
成部13に接続されている。下地レイアウト生成部13
の出力側はANDアレイプログラミング部15に接続さ
れ、このANDアレイプログラミング部15の出力側が
ANDアレイサブコンタクト配置部16に接続されてい
る。ANDアレイサブコンタクト配置部16の出力側は
ORアレイプログラミング部17に接続され、このOR
アレイプログラミング部17の出力側がORアレイサブ
コンタクト配置部18に接続されている。 (Third Embodiment) FIG. 9 is a configuration block diagram of a PLA module generator showing a third embodiment of the present invention. This PLA module generator includes a logical description file 11 in which the number of PLA inputs, the number of outputs, the number of product terms, and an actual logical table, that is, a truth table, and a file reading for reading the description content of the logical description file 11 are read. And a part 12.
The output side of the file reading unit 12 is the background layout unit.
It is connected to a certain underlying layout generation unit 13. The PLA includes a layout leaf cell 14 that stores a leaf cell file necessary for creating a base layout, and the layout leaf cell 14 is connected to the base layout generating unit 13. Base layout generation unit 13
The output side of is connected to the AND array programming section 15, and the output side of the AND array programming section 15 is connected to the AND array sub-contact arrangement section 16. The output side of the AND array sub-contact arrangement section 16 is connected to the OR array programming section 17, and this OR
The output side of the array programming section 17 is connected to the OR array sub-contact arrangement section 18 .
【0023】図10は図9の動作を示すフローチャート
であり、この図を参照しつつ図9のPLAモジュールジ
ェネレータを用いたPLAの構成方法を説明する。図1
0中のステップS11おいて、ファイル読込み部12は
論理記述ファイル11に記載されている対象PLAの入
力数、出力数、積項数、及び真理値表等のパラメータを
読込む。続くステップS12において、下地レイアウト
生成部13はレイアウトリーフセル14に予め用意され
ているリーフセルファイルを読込み、パラメータに基づ
いたPLAの下地全体のレイアウトを形成する。ステッ
プS13において、ANDアレイプログラミング部15
は、論理記述ファイル11に記述されている論理つまり
真理値表に基づき、例えば、図1のANDアレイ部1中
の必要なマス目にNMOST1,…を配置する。ステッ
プS14において、ANDアレイサブコンタクト配置部
16が、論理記述ファイル11から与えられた真理値表
よりANDアレイ部1中でNMOST1,…の配置され
ていないマス目を抽出し、抽出されたマス目に対して基
板電位固定用のサブコンタクトA13,…を配置する。ス
テップS15ではORアレイプログラミング部17が真
理値表に基づき、ORアレイ部2中の必要なマス目にN
MOSを配置する。最後のステップS16において、O
Rアレイサブコンタクト配置部18が、論理記述ファイ
ル11から与えられた真理値表よりORアレイ部2中で
NMOSの配置されていないマス目を抽出し、抽出され
たマス目に対して基板電位固定用のサブコンタクトO1
2,…を配置する。FIG. 10 is a flow chart showing the operation of FIG. 9, and a method of constructing a PLA using the PLA module generator of FIG. 9 will be described with reference to this figure. Figure 1
In step S11 of 0, the file reading unit 12 reads parameters such as the number of inputs, the number of outputs, the number of product terms, and the truth table of the target PLA described in the logic description file 11. In subsequent step S12, the base layout generating unit 13 reads a leaf cell file prepared in advance in the layout leaf cell 14 and forms a layout of the entire base of the PLA based on the parameters. In step S13, the AND array programming unit 15
Is based on the logic described in the logic description file 11, that is, the truth table, and, for example, the NMOST1, ... Are arranged in the necessary cells in the AND array unit 1 of FIG. In step S14, the AND array sub-contact arrangement unit 16 extracts the cells in which the NMOST1, ... Are not arranged in the AND array unit 1 from the truth table given from the logic description file 11, and the extracted cells are extracted. Sub-contacts A13, ... For fixing the substrate potential are arranged with respect to. In step S15, the OR array programming unit 17 uses the truth table to generate N cells in the required cells in the OR array unit 2.
Place the MOS. In the final step S16, O
The R array sub-contact placement section 18 extracts a cell in which no NMOS is placed in the OR array section 2 from the truth table given from the logic description file 11, and fixes the substrate potential to the extracted cell. Sub contact O1
Place 2, ...
【0024】以上のように、本実施例では、PLAのレ
イアウトを自動生成するPLAモジュールジェネレータ
に、ANDアレイ部1及びORアレイ部2中のNMOS
が配置されないマス目を抽出し、抽出したマス目にサブ
コンタクトA13,…,O12,…を配置する機能を有した
ANDアレイサブコンタクト配置部16とORアレイサ
ブコンタクト配置部18を設けているので、ANDアレ
イ部1及びORアレイ部2中にサブコンタクト配置領域
を別途設けることなくPLAを形成でき、PLA全体の
面積を縮小できる。As described above, in this embodiment, the PLA module generator for automatically generating the PLA layout is provided with the NMOS in the AND array section 1 and the OR array section 2.
The AND array sub-contact arranging section 16 and the OR array sub-contact arranging section 18 having the function of extracting the squares in which the sub-contacts are not arranged and arranging the sub-contacts A13, ..., O12, ... In the extracted squares are provided. The PLA can be formed without separately providing sub-contact arrangement regions in the AND array section 1 and the OR array section 2, and the area of the entire PLA can be reduced.
【0025】(第4の実施例)
図11は、本発明の第4の実施例を示すPLAモジュー
ルジェネレータの構成ブロック図であり、図9と共通す
る要素には共通する符号が付されている。本実施例のP
LAモジュールジェネレータは、第3の実施例に真理値
表ソート部20を付加したものであり、他の構成は図9
のPLAモジュールジェネレータと同じである。真理値
表ソート部20は、ファイル読込み部12と下地レイア
ウト生成部13との間に接続されている。真理値表ソー
ト部20は、論理記述ファイル11から読込んだPLA
の真理値表の行の順番を並べ替える機能を有している。
真理値表の行の順番を並べ替えるのは、積項線P1〜P
4の順番を並べ替えるのと同じことになる。図12
(i)、(ii)は図11中の真理値表ソート部20によ
る並べ替えを示す図であり、図13(i)、(ii)は図
12の説明図である。(Fourth Embodiment) FIG. 11 is a block diagram showing the configuration of a PLA module generator according to a fourth embodiment of the present invention. Elements common to those in FIG. 9 are designated by common reference numerals. . P of this embodiment
The LA module generator is obtained by adding a truth value table sorting unit 20 to the third embodiment, and the other configuration is shown in FIG.
It is the same as the PLA module generator. The truth table sort unit 20 is connected between the file reading unit 12 and the base layout generating unit 13. The truth table sort unit 20 uses the PLA read from the logical description file 11.
It has the function of rearranging the order of the rows of the truth table.
The order of the rows of the truth table is rearranged by the product term lines P1 to P
It is the same as rearranging the order of 4. 12
13 (i) and 13 (ii) are diagrams showing rearrangement by the truth value table sorting unit 20 in FIG. 11, and FIGS. 13 (i) and 13 (ii) are explanatory diagrams of FIG.
【0026】次に、図11のPLAモジュールジェネレ
ータを用いたPLAの構成方法を説明する。例えば、図
12(i)のような真理値表の論理をPLAに実現する
場合、真理値表のANDアレイ部1に相当する部分の
“−”、即ちドントケアが、6列目のRBI入力と最下
行の18行目に集中しているので、図13(i)のよう
にANDアレイ部1の右端と最下段に、基板電位固定用
サブコンタクトSCが集中する。そのため、ANDアレ
イ部1の中心部の基板電位が不安定となる。真理値表ソ
ート部20は、例えば、図12(ii)のように真理値表
を並べ替える。この例では、最下行の18行目を10行
目に移動させている。真理値表の並べ替えの後、下地レ
イアウト生成部13以降の各部が第3の実施例と同様の
動作を実施することにより、図13(ii)に示されるP
LAが形成される。即ち、ANDアレイ部1の中心部に
もサブコンタクトSCが配置されたレイアウトとなる。Next, a method of constructing a PLA using the PLA module generator shown in FIG. 11 will be described. For example, when the logic of the truth table as shown in FIG. 12 (i) is realized in the PLA, "-" in the portion corresponding to the AND array unit 1 of the truth table, that is, the don't care is the RBI input in the sixth column. Since it is concentrated on the 18th row, which is the bottom row, the substrate potential fixing sub-contacts SC are concentrated on the right end and the bottom of the AND array section 1 as shown in FIG. Therefore, the substrate potential at the center of the AND array section 1 becomes unstable. The truth table sort unit 20 sorts the truth table as shown in FIG. 12 (ii), for example. In this example, the 18th line at the bottom is moved to the 10th line. After the truth table is rearranged, each unit after the base layout generating unit 13 performs the same operation as that of the third embodiment, so that P shown in FIG. 13 (ii) is obtained.
LA is formed. That is, the layout is such that the sub-contact SC is also arranged in the center of the AND array section 1.
【0027】以上のように、本実施例では、真理値表の
行の並べ替えを行う真理値表ソート部20をPLAモジ
ュールジェネレータに設け、真理値表の並べ替えを行っ
てからPLAのレイアウトを行うので、サブコンタクト
SCの配置が特定箇所に集中する真理値表の場合でも、
サブコンタクトSCをANDアレイ部1中に均一に配置
することができる。そのため、基板の電位を安定させる
ことができる。As described above, in this embodiment, the PLA module generator is provided with the truth table sort section 20 for rearranging the rows of the truth table, and the PLA layout is performed after the truth table is rearranged. Since it is performed, even in the case of the truth table in which the arrangement of the sub-contacts SC is concentrated in a specific place,
The sub contacts SC can be uniformly arranged in the AND array section 1. Therefore, the potential of the substrate can be stabilized.
【0028】なお、本発明は、上記実施例に限定されず
種々の変形が可能である。その変形例としては、例えば
次のようなものがある。
(1) 第2の実施例において、マス目に形成されるサ
ブコンタクトO12,…をORアレイ部2中のマス目のみ
に配置しているが、ANDアレイ部1中のサブコンタク
トのみにすることも可能である。
(2) 第3及び第4の実施例において、ANDアレイ
プログラミング部15及びORアレイプログラミング部
17と、ANDアレイサブコンタクト配置部16及びO
Rアレイサブコンタクト配置部18とを独立して設けて
いるが、プログラミング部として機能を含ませるように
してもよい。この場合、ANDアレイプログラミング部
は論理記述ファイル11中で“−”のドントケアをプロ
グラミングすべきマス目にサブコンタクトSCを配置す
る機能を有し、ORアレイプログラミング部は論理記述
ファイル11中の“0”をプログラミングすべきマス目
にサブコンタクトSCを配置する機能を有することにな
る。The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made. The following are examples of such modifications. (1) In the second embodiment, the sub-contacts O12, ... Formed in the squares are arranged only in the squares in the OR array section 2, but only the sub-contacts in the AND array section 1 are arranged. Is also possible. (2) In the third and fourth embodiments, the AND array programming unit 15 and the OR array programming unit 17, and the AND array sub-contact arrangement unit 16 and O.
Although the R array sub-contact disposing section 18 is provided independently, the function may be included as a programming section. In this case, the AND array programming section has a function of arranging the sub-contact SC in the cell where "-"don't care should be programmed in the logic description file 11, and the OR array programming section has "0" in the logic description file 11. It has a function of arranging the sub-contact SC in the cell where "" should be programmed.
【0029】以上詳細に説明したように、第1の発明に
よれば、ANDアレイ及びORアレイを形成するアレイ
領域を複数のサブ領域に分け、真理値表に基づき、所定
のサブ領域にトランジスタを配置し、さらに、その真理
値表に基づき、トランジスタが配置されていない所定の
サブ領域に、基板の電位を固定するためのコンタクトを
配置している。そのため、真理値表に基づいて、トラン
ジスタを配置するサブ領域と、基板の電位を固定するた
めのコンタクトを配置するサブ領域と、を容易に確認す
ることができる。これにより、PLA中にコンタクト配
置用の領域を別に設ける必要がなくなって面積を縮小で
きる大規模なPLAを、容易かつ高速に構成することが
可能となる。第2の発明によれば、真理値表の内容の並
べ替えを行った後に、第1と第2の工程を行うようにし
たので、複数のコンタクトがアレイ領域に均一に配置さ
れる。これにより、PLAの基板の電位の安定性が向上
する。 As described in detail above, according to the first invention, an array forming an AND array and an OR array is formed.
Divide the area into multiple sub-areas, and specify the predetermined value based on the truth table.
The transistor in the sub-region of the
Based on the value table, the specified
A contact for fixing the electric potential of the substrate is provided in the sub region.
It is arranged. Therefore, based on the truth table,
To fix the potential of the substrate and the sub area where the transistor is placed.
For easy identification of the sub area where the contact for
You can As a result, contact placement in PLA
The area can be reduced because it is not necessary to provide a separate storage area.
Large-scale PLA can be configured easily and at high speed.
It will be possible. According to the second invention, the content of the truth table
After performing the replacement, perform the first and second steps.
So that multiple contacts are evenly distributed in the array area.
Be done. This improves the stability of the PLA substrate potential.
To do.
【0030】第3の発明によれば、アレイ領域を複数の
サブ領域に分け、下地レイアウト部で複数の第1、第
2、第3及び第4の信号線を配置し、真理値表に基づ
き、プログラミング部により、所定のサブ領域にトラン
ジスタを配置し、さらに、その真理値表に基づき、コン
タクト配置部により、トランジスタが配置されていない
所定のサブ領域にコンタクトを配置している。そのた
め、第1の発明と同様に、真理値表に基づいて、トラン
ジスタを配置するサブ領域と、コンタクトを配置するサ
ブ領域と、を容易に確認することができる。これによ
り、面積を縮小できる大規模なPLAのレイアウトを、
容易かつ高速に生成することが可能となる。第4の発明
によれば、真理値表ソート部により、真理値表の内容の
並べ替えを行った後、プログラミング部及びコンタクト
配置部での処理を行わせるようにしたので、第2の発明
とほぼ同様に、複数のコンタクトがアレイ領域に均一に
配置され、これによりPLAの基板の電位の安定性が向
上する。 According to the third invention, the array area is divided into a plurality of areas.
Sub-regions are divided into a plurality of first and first sub-layout sections.
Place the 2nd, 3rd and 4th signal lines according to the truth table.
Then, the programming unit
Place a register, and based on the truth table,
No transistor is placed by the tact placement unit
The contact is arranged in a predetermined sub-region. That
Therefore, as in the first invention, based on the truth table,
The sub area where the transistors are placed and the sub area where the contacts are placed.
It is possible to easily confirm the sub-region. By this
And a large-scale PLA layout that can reduce the area,
It becomes possible to generate easily and at high speed. According to the fourth aspect of the present invention, the truth table sorting unit sorts the contents of the truth table.
After rearranging, programming department and contacts
Since the processing is performed in the arrangement unit, the second invention
Much like the multiple contacts are evenly distributed over the array area.
Are arranged, which improves the stability of the potential of the PLA substrate.
Go up.
【図1】本発明の第1の実施例のPLAのレイアウト図
である。FIG. 1 is a layout diagram of a PLA according to a first embodiment of the present invention.
【図2】従来の一般的なPLAの構成を示す回路図であ
る。FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration of a conventional general PLA.
【図3】図2のレイアウト例を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a layout example of FIG.
【図4】図2の真理値表を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a truth table of FIG.
【図5】図2のPLAのレイアウトを自動生成する従来
のPLAモジュールジェネレータの説明図である。5 is an explanatory diagram of a conventional PLA module generator that automatically generates the layout of the PLA of FIG.
【図6】図5中の論理記述ファイルの記述例を示す図で
ある。FIG. 6 is a diagram showing a description example of a logical description file in FIG.
【図7】図3の下地レイアウトを示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a background layout of FIG.
【図8】本発明の第2の実施例のPLAのレイアウト図
である。FIG. 8 is a layout diagram of a PLA according to a second embodiment of the present invention.
【図9】本発明の第3の実施例を示すPLAモジュール
ジェネレータの構成ブロック図である。FIG. 9 is a configuration block diagram of a PLA module generator showing a third embodiment of the present invention.
【図10】図9の動作を示すフローチャートである。FIG. 10 is a flowchart showing the operation of FIG.
【図11】本発明の第4の実施例を示すPLAモジュー
ルジェネレータの構成ブロック図である。FIG. 11 is a configuration block diagram of a PLA module generator showing a fourth embodiment of the present invention.
【図12】図11中の真理値表ソート部による並べ替え
を示す図である。FIG. 12 is a diagram showing rearrangement by a truth table sort unit in FIG. 11.
【図13】図12の説明図である。FIG. 13 is an explanatory diagram of FIG. 12.
1 ANDア
レイ部
2 ORアレ
イ部
13 下地レイ
アウト部
15,17 プログラ
ミング部
16,18 サブコン
タクト配置部
T1,T2 NMOS
I1,I1/,I2,I2/,I3,I3/ 入力線
O1,O2 出力線
P1〜P4 積項線
A13,A32,O12,O21,O41,O42 サブコン
タクト1 AND array section 2 OR array section 13 Underlay layout section 15, 17 Programming section 16, 18 Sub-contact arrangement section T1, T2 NMOS I1, I1 /, I2, I2 /, I3, I3 / Input line O1, O2 Output line P1 ~ P4 Product term line A13, A32, O12, O21, O41, O42 Sub contact
Claims (2)
の信号線と、各々が前記複数の第1の信号線を横切るよ
うに延在する複数の第2の信号線と、を基板の表面側に
設けてANDアレイを形成すると共に、各々が前記複数
の第1の信号線の対応する1つに電気的に接続された複
数の第3の信号線と、各々が前記複数の第3の信号線を
横切るように延在する複数の第4の信号線と、を前記基
板の表面側に設けてORアレイを形成するプログラマブ
ルロジックアレイの構成方法において、 前記ANDアレイ及び前記ORアレイを形成するアレイ
領域を、前記複数の第1及び第2の信号線の各交差点と
前記複数の第3及び第4の信号線の各交差点とをそれぞ
れ含む複数のサブ領域に分け、 所望の論理を表した真理値表にてトランジスタを配置す
る旨が指示されている前記サブ領域に、トランジスタを
選択的に配置する第1の工程と、 前記真理値表にてトランジスタを配置しない旨を指示す
る前記サブ領域のうちの、前記ANDアレイ側と前記O
Rアレイ側の両方またはそのいずれか一方の前記サブ領
域に、前記基板の電位を固定するためのコンタクトを配
置する第2の工程と、を行うものであり、前記第1の工
程の前に、 前記第2の工程にて配置されるべき複数の前記コンタク
トが、前記アレイ領域に均一に配置されるように、前記
真理値表の内容の並べ替えを行った後、該並べ替えられ
た真理値表に基づいて前記第1の工程と前記第2の工程
とを行う ことを特徴とするプログラマブルロジックアレ
イの構成方法。1. A plurality of first members each extending in a predetermined direction.
And a plurality of second signal lines each extending so as to cross the plurality of first signal lines on the front surface side of the substrate to form an AND array and each of the plurality of signal lines. A plurality of third signal lines electrically connected to corresponding ones of the plurality of first signal lines, and a plurality of fourth signals each extending across the plurality of third signal lines. And a line on the front surface side of the substrate to form an OR array, the array region forming the AND array and the OR array is defined by the plurality of first and second signal lines. It is instructed that the transistors be arranged in a plurality of sub-regions each including each of the intersections and each of the intersections of the plurality of third and fourth signal lines and a truth table representing a desired logic is arranged. Transistors in the sub-region A first step of disposing the 択的, among the sub-regions for instructing not to place a transistor in the truth table, the said AND array side O
Both or one of the sub-region that either R array side, a second step of placing a contact for fixing the potential of the substrate, which performs the first Engineering
Prior to this, a plurality of the contacts to be placed in the second step
Are arranged so that they are evenly arranged in the array area.
After rearranging the contents of the truth table,
Based on the truth table, the first step and the second step
A method for configuring a programmable logic array, characterized in that
の信号線と、各々が前記複数の第1の信号線を横切るよ
うに延在する複数の第2の信号線と、を基板の表面側に
設けてANDアレイを形成すると共に、各々が前記複数
の第1の信号線の対応する1つに電気的に接続された複
数の第3の信号線と、各々が前記複数の第3の信号線を
横切るように延在する複数の第4の信号線と、を前記基
板の表面側に設けてORアレイを形成するプログラマブ
ルロジックアレイモジュールジェネレータにおいて、 前記複数の第1、第2、第3及び第4の信号線を配置す
る下地レイアウト部と 、 前記ANDアレイ及び前記ORアレイを形成するアレイ
領域を、前記複数の第1及び第2の信号線の各交差点と
前記複数の第3及び第4の信号線の各交差点とをそれぞ
れ含む複数のサブ領域に分けておき、所望の論理を表し
た真理値表にてトランジスタを配置する旨が指示されて
いる前記サブ領域に、トランジスタを選択的に配置する
プログラミング部と、 前記真理値表にてトランジスタを配置しない旨を指示す
る前記サブ領域のうちの、前記ANDアレイ側と前記O
Rアレイ側の両方またはそのいずれか一方の前記サブ領
域に、前記基板の電位を固定するためのコンタクトを配
置するコンタクト配置部と、 前記コンタクト配置部にて配置されるべき複数の前記コ
ンタクトが、前記アレイ領域に均一に配置されるよう
に、前記真理値表の内容の並べ替えを行い、この並べ替
えられた真理値表に基づいて前記プログラミング部及び
前記コンタクト配置部での処理を行わせる真理値表ソー
ト部と、 を設けたことを特徴とするプログラマブルロジックアレ
イモジュールジェネレータ。 2. A plurality of first members each extending in a predetermined direction.
Signal lines and each crosses the plurality of first signal lines.
A plurality of second signal lines extending in the direction of
To form an AND array, and each of the plurality of
Of a plurality of electrically connected to the corresponding one of the first signal lines of
A number of third signal lines and each of the plurality of third signal lines
A plurality of fourth signal lines extending transversely,
Programmable board provided on the front side of the plate to form an OR array
In the logic array module generator, the plurality of first, second, third and fourth signal lines are arranged.
Array forming the base layout section that, the AND array and the OR array
The area is defined as each intersection of the plurality of first and second signal lines.
The intersections of the plurality of third and fourth signal lines are respectively
It is divided into multiple sub-regions that contain the desired logic.
The truth table instructed that the transistors should be arranged.
Transistors are selectively arranged in the sub-region
Instruct the programming section and the fact that no transistors are placed in the truth table
Of the sub-regions, the AND array side and the O
Both or one of the sub-regions on the R array side
Contacts to fix the electric potential of the substrate.
The contact placement part to be placed, and the plurality of cores to be placed in the contact placement part.
Contacts are evenly distributed in the array area.
Then, the contents of the truth table are rearranged, and this rearrangement is performed.
Based on the obtained truth table, the programming unit and
Truth table saw for performing processing in the contact placement section
Programmable logic array characterized by comprising a preparative unit, the
A module generator.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24503594A JP3396306B2 (en) | 1994-10-11 | 1994-10-11 | Programmable logic array configuration method and programmable logic array module generator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24503594A JP3396306B2 (en) | 1994-10-11 | 1994-10-11 | Programmable logic array configuration method and programmable logic array module generator |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08110899A JPH08110899A (en) | 1996-04-30 |
| JP3396306B2 true JP3396306B2 (en) | 2003-04-14 |
Family
ID=17127620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24503594A Expired - Fee Related JP3396306B2 (en) | 1994-10-11 | 1994-10-11 | Programmable logic array configuration method and programmable logic array module generator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3396306B2 (en) |
-
1994
- 1994-10-11 JP JP24503594A patent/JP3396306B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08110899A (en) | 1996-04-30 |
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