JP3402238B2 - 半導体装置用テープキャリア - Google Patents
半導体装置用テープキャリアInfo
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- Chemically Coating (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置用テー
プキャリアに関し、特に、ワイヤーボンディングによっ
て配線パターンと半導体チップを接続する形式の半導体
装置用テープキャリアに関する。
プキャリアに関し、特に、ワイヤーボンディングによっ
て配線パターンと半導体チップを接続する形式の半導体
装置用テープキャリアに関する。
【０００２】
【従来の技術】この種のテープキャリアとしては、ポリ
イミド等の絶縁フィルムの表面に銅箔を貼り合わせ、貼
り合わせた銅箔をエッチング加工することによって所定
の形状の配線パターンを形成し、配線パターンの上にめ
っき層を形成したものが広く使用されている。
イミド等の絶縁フィルムの表面に銅箔を貼り合わせ、貼
り合わせた銅箔をエッチング加工することによって所定
の形状の配線パターンを形成し、配線パターンの上にめ
っき層を形成したものが広く使用されている。
【０００３】図４はその具体例を示したもので、１は絶
縁フィルム、２は絶縁フィルム１の表面に形成された配
線パターン、３は配線パターン２の上に形成されたニッ
ケルめっき層、５はニッケルめっき層３の上に形成され
た金めっき層を示す。
縁フィルム、２は絶縁フィルム１の表面に形成された配
線パターン、３は配線パターン２の上に形成されたニッ
ケルめっき層、５はニッケルめっき層３の上に形成され
た金めっき層を示す。
【０００４】この構成における金めっき層５は、材質的
な面からワイヤーボンディング性を保証し、一方、ニッ
ケルめっき層３は、その硬質性によって金めっき層５を
支持し、これにより構造的な面からワイヤーボンディン
グ性を保証する。通常、ニッケルめっき層３には、８重
量％以上のリンを含むニッケル材料が使用される。
な面からワイヤーボンディング性を保証し、一方、ニッ
ケルめっき層３は、その硬質性によって金めっき層５を
支持し、これにより構造的な面からワイヤーボンディン
グ性を保証する。通常、ニッケルめっき層３には、８重
量％以上のリンを含むニッケル材料が使用される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の半導体
装置用テープキャリアによると、ニッケルめっき層と金
めっき層の密着性が必ずしも充分ではなく、両めっき層
間に剥離を発生させることがある。剥離はワイヤーボン
ディングによる接続を不安定なものにし、半導体装置の
品質を大きく低下させる。
装置用テープキャリアによると、ニッケルめっき層と金
めっき層の密着性が必ずしも充分ではなく、両めっき層
間に剥離を発生させることがある。剥離はワイヤーボン
ディングによる接続を不安定なものにし、半導体装置の
品質を大きく低下させる。
【０００６】従って、本発明の目的は、ニッケルめっき
層と金めっき層の密着が良好で、両層間に剥離が発生す
る恐れのない半導体装置用テープキャリアを提供するこ
とにある。
層と金めっき層の密着が良好で、両層間に剥離が発生す
る恐れのない半導体装置用テープキャリアを提供するこ
とにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するため、絶縁フィルムと、前記絶縁フィルムの表
面に形成された配線パターンと、前記配線パターンの上
に形成されたニッケルめっき層と、前記ニッケルめっき
層の上に形成された金めっき層から構成される半導体装
置用テープキャリアにおいて、前記ニッケルめっき層
は、前記ニッケルめっき層を８重量％以上のリンを含む
第１のニッケルめっき層と、２重量％以下のリンを含む
第２のニッケルめっき層によって構成されることを特徴
とする半導体装置用テープキャリアを提供するものであ
る。
達成するため、絶縁フィルムと、前記絶縁フィルムの表
面に形成された配線パターンと、前記配線パターンの上
に形成されたニッケルめっき層と、前記ニッケルめっき
層の上に形成された金めっき層から構成される半導体装
置用テープキャリアにおいて、前記ニッケルめっき層
は、前記ニッケルめっき層を８重量％以上のリンを含む
第１のニッケルめっき層と、２重量％以下のリンを含む
第２のニッケルめっき層によって構成されることを特徴
とする半導体装置用テープキャリアを提供するものであ
る。
【０００８】また、本発明は、上記の目的を達成するた
め、絶縁フィルムと、前記絶縁フィルムの表面に形成さ
れた配線パターンと、前記配線パターンの上に形成され
たニッケルめっき層と、前記ニッケルめっき層の上に形
成された金めっき層から構成される半導体装置用テープ
キャリアにおいて、前記ニッケルめっき層は、８重量％
以上のリンを含むニッケルめっき層と、ホウ素ニッケル
めっき層によって構成されることを特徴とする半導体装
置用テープキャリアを提供するものである。
め、絶縁フィルムと、前記絶縁フィルムの表面に形成さ
れた配線パターンと、前記配線パターンの上に形成され
たニッケルめっき層と、前記ニッケルめっき層の上に形
成された金めっき層から構成される半導体装置用テープ
キャリアにおいて、前記ニッケルめっき層は、８重量％
以上のリンを含むニッケルめっき層と、ホウ素ニッケル
めっき層によって構成されることを特徴とする半導体装
置用テープキャリアを提供するものである。
【０００９】絶縁フィルムの構成材としては、ポリイミ
ドフィルム、ポリエステルフィルム等が使用され、配線
パターンの構成材としては、銅箔、銅合金箔等が使用さ
れる。リン含有量の異なる２つのニッケルめっき層とホ
ウ素ニッケルめっき層は、無電解めっきによって形成す
ることが好ましい。
ドフィルム、ポリエステルフィルム等が使用され、配線
パターンの構成材としては、銅箔、銅合金箔等が使用さ
れる。リン含有量の異なる２つのニッケルめっき層とホ
ウ素ニッケルめっき層は、無電解めっきによって形成す
ることが好ましい。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に、本発明による半導体装置用
テープキャリアの実施の形態について説明する。図１に
おいて、１はポリイミドフィルム、２はフィルム１の表
面に所定の形状に設けられた配線パターン、３は配線パ
ターン２の上に形成された８重量％以上のリンを含むニ
ッケルめっき層、５はニッケルめっき層３との間にめっ
き層４を介して形成された金めっき層を示す。
テープキャリアの実施の形態について説明する。図１に
おいて、１はポリイミドフィルム、２はフィルム１の表
面に所定の形状に設けられた配線パターン、３は配線パ
ターン２の上に形成された８重量％以上のリンを含むニ
ッケルめっき層、５はニッケルめっき層３との間にめっ
き層４を介して形成された金めっき層を示す。
【００１１】めっき層４は、２種類のめっき層のいずれ
かによって構成され、その一方は、２重量％以下のリン
を含有するニッケルめっき層であり、他方はホウ素ニッ
ケルめっき層である。
かによって構成され、その一方は、２重量％以下のリン
を含有するニッケルめっき層であり、他方はホウ素ニッ
ケルめっき層である。
【００１２】図２は、図１のテープキャリアを使用して
構成された半導体装置を示し、６はテープキャリアに搭
載された半導体チップ、７は半導体チップ６の電極（図
示せず）と配線パターン２の所定の個所の金めっき層５
との間を接続したボンディングワイヤー、８は半導体チ
ップ６とボンディングワイヤー７の周囲に形成した樹脂
封止部を示す。図３は、他の半導体装置の構成を示し、
テープキャリアに形成されたデバイスホール９の中に半
導体チップ６を搭載している点で、図２の半導体装置と
異なる。
構成された半導体装置を示し、６はテープキャリアに搭
載された半導体チップ、７は半導体チップ６の電極（図
示せず）と配線パターン２の所定の個所の金めっき層５
との間を接続したボンディングワイヤー、８は半導体チ
ップ６とボンディングワイヤー７の周囲に形成した樹脂
封止部を示す。図３は、他の半導体装置の構成を示し、
テープキャリアに形成されたデバイスホール９の中に半
導体チップ６を搭載している点で、図２の半導体装置と
異なる。
【００１３】
【実施例】厚さ１８μｍの銅箔と厚さ５０μｍのポリイ
ミドフィルムを厚さ１２μｍの接着剤によって貼り合わ
せた後、銅箔にソルダレジストを塗布し、これにより形
成されたソルダレジスト層に露光と現像を施すことによ
って所定のパターンの銅箔の露出部を形成し、その後、
銅箔の露出部をエッチングすることによって所定の形状
の配線パターン２を形成した。
ミドフィルムを厚さ１２μｍの接着剤によって貼り合わ
せた後、銅箔にソルダレジストを塗布し、これにより形
成されたソルダレジスト層に露光と現像を施すことによ
って所定のパターンの銅箔の露出部を形成し、その後、
銅箔の露出部をエッチングすることによって所定の形状
の配線パターン２を形成した。
【００１４】次いで、洗浄と水洗を施した後、これを無
電解ニッケルめっき液に浸漬し、配線パターン２の上に
ニッケルめっき層３を形成した。めっき液としては、ニ
ムデンＳＸ（上村工業社商品名。リン含有量８重量％の
ニッケルめっき液）、あるいはトップニコロンＤ−１３
０（奥野製薬社商品名。リン含有量１２重量％のニッケ
ルめっき液）を使用し、いずれの場合も浴液を９０℃に
加熱して、めっき厚さが２μｍになるようにめっき処理
を施した。
電解ニッケルめっき液に浸漬し、配線パターン２の上に
ニッケルめっき層３を形成した。めっき液としては、ニ
ムデンＳＸ（上村工業社商品名。リン含有量８重量％の
ニッケルめっき液）、あるいはトップニコロンＤ−１３
０（奥野製薬社商品名。リン含有量１２重量％のニッケ
ルめっき液）を使用し、いずれの場合も浴液を９０℃に
加熱して、めっき厚さが２μｍになるようにめっき処理
を施した。
【００１５】次に、これを、トップニコロンＳＰ−１５
（奥野製薬社商品名。リン含有量２重量％のニッケル用
無電解めっき液。液温９０℃に設定）、あるいはＢＥＬ
ニッケル（上村工業社商品名。ホウ素ニッケル用無電解
めっき液。液温６５℃に設定）に浸漬することによっ
て、リン含有量２重量％および厚さ０．２μｍの第２の
ニッケルめっき層４、あるいは同じく厚さが０．２μｍ
のホウ素ニッケルめっき層４を形成した後、ＧＯＢＥＬ
−２Ｍ（上村工業社商品名。金めっき液）を使用して、
これらめっき層４の上に厚さ０．５μｍの金めっき層５
を形成した。
（奥野製薬社商品名。リン含有量２重量％のニッケル用
無電解めっき液。液温９０℃に設定）、あるいはＢＥＬ
ニッケル（上村工業社商品名。ホウ素ニッケル用無電解
めっき液。液温６５℃に設定）に浸漬することによっ
て、リン含有量２重量％および厚さ０．２μｍの第２の
ニッケルめっき層４、あるいは同じく厚さが０．２μｍ
のホウ素ニッケルめっき層４を形成した後、ＧＯＢＥＬ
−２Ｍ（上村工業社商品名。金めっき液）を使用して、
これらめっき層４の上に厚さ０．５μｍの金めっき層５
を形成した。
【００１６】表１は、以上の実施例により得られた半導
体装置用テープキャリアの特性試験結果を従来例との対
比において示したものである。表中、テープピーリング
試験とは、金めっき層５に接着用セロハンテープを貼り
付けてこれを剥がしたときの金めっき層５の剥離の有無
を観察する試験である。
体装置用テープキャリアの特性試験結果を従来例との対
比において示したものである。表中、テープピーリング
試験とは、金めっき層５に接着用セロハンテープを貼り
付けてこれを剥がしたときの金めっき層５の剥離の有無
を観察する試験である。
【００１７】また、金ワイヤーピール試験とは、樹脂封
止前の半導体装置において、配線パターン２と半導体チ
ップ６の電極の間に結線された金のボンディングワイヤ
ー７を真上に引っ張ったときの金ワイヤーの破断強度と
破断モードを調べるもので、ワイヤーボンディング性を
評価する試験である。なお、各実施例および従来例の試
験用サンプルの数は、各試験ともそれぞれ２０個ずつと
した。
止前の半導体装置において、配線パターン２と半導体チ
ップ６の電極の間に結線された金のボンディングワイヤ
ー７を真上に引っ張ったときの金ワイヤーの破断強度と
破断モードを調べるもので、ワイヤーボンディング性を
評価する試験である。なお、各実施例および従来例の試
験用サンプルの数は、各試験ともそれぞれ２０個ずつと
した。
【００１８】
【表１】
【００１９】表１によれば、実施例がテープピーリング
試験においていずれも金めっき層５の剥離を発生させ
ず、さらに、金ワイヤーピール試験においても剥離のな
い高いピール強度を示しているのに比べ、従来例の場合
には、テープピーリング試験および金ワイヤーピール試
験の双方において金めっき層５の剥離を発生させ、さら
に、ピール強度の平均値においても金ワイヤー本来の強
度に至らない低いレベルにとどまっている。本発明によ
る効果が明確に認められる。
試験においていずれも金めっき層５の剥離を発生させ
ず、さらに、金ワイヤーピール試験においても剥離のな
い高いピール強度を示しているのに比べ、従来例の場合
には、テープピーリング試験および金ワイヤーピール試
験の双方において金めっき層５の剥離を発生させ、さら
に、ピール強度の平均値においても金ワイヤー本来の強
度に至らない低いレベルにとどまっている。本発明によ
る効果が明確に認められる。
【００２０】
【発明の効果】以上のように、本発明による半導体装置
用テープキャリアによれば、硬質性を保証するために配
線パターンに形成されるリン含有量８重量％以上のニッ
ケルめっき層と金めっき層の間に、リン含有量が２重量
％以下のニッケルめっき層を形成するか、あるいはホウ
素ニッケルめっき層を形成することによってニッケルめ
っき層と金めっき層の密着性を向上させるものであり、
従って、金めっき層が剥離する恐れのない良質な半導体
装置用テープキャリアを提供することができる。
用テープキャリアによれば、硬質性を保証するために配
線パターンに形成されるリン含有量８重量％以上のニッ
ケルめっき層と金めっき層の間に、リン含有量が２重量
％以下のニッケルめっき層を形成するか、あるいはホウ
素ニッケルめっき層を形成することによってニッケルめ
っき層と金めっき層の密着性を向上させるものであり、
従って、金めっき層が剥離する恐れのない良質な半導体
装置用テープキャリアを提供することができる。
【図１】本発明による半導体装置用テープキャリアの実
施の形態を示す説明図。
施の形態を示す説明図。
【図２】図１のテープキャリアを使用して構成した半導
体装置を示す説明図。
体装置を示す説明図。
【図３】本発明の半導体装置用テープキャリアの他の実
施の形態によるテープキャリアに基づいて構成した半導
体装置を示す説明図。
施の形態によるテープキャリアに基づいて構成した半導
体装置を示す説明図。
【図４】従来の半導体装置用テープキャリアを示す説明
図。
図。
１ ポリイミドフィルム
２ 配線パターン
３ ニッケルめっき層
４ めっき層
５ 金めっき層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平８−139228（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−303231（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−173144（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−268640（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−219469（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/60
H01L 23/12
Claims (4)
- 【請求項１】絶縁フィルムと、前記絶縁フィルムの表面
に形成された配線パターンと、前記配線パターンの上に
形成されたニッケルめっき層と、前記ニッケルめっき層
の上に形成された金めっき層から構成される半導体装置
用テープキャリアにおいて、 前記ニッケルめっき層は、８重量％以上のリンを含む第
１のニッケルめっき層と、２重量％以下のリンを含む第
２のニッケルめっき層によって構成されることを特徴と
する半導体装置用テープキャリア。 - 【請求項２】前記第１および第２のニッケルめっき層
は、無電解めっきによって形成されることを特徴とする
請求項１項記載の半導体装置用テープキャリア。 - 【請求項３】絶縁フィルムと、前記絶縁フィルムの表面
に形成された配線パターンと、前記配線パターンの上に
形成されたニッケルめっき層と、前記ニッケルめっき層
の上に形成された金めっき層から構成される半導体装置
用テープキャリアにおいて、前記ニッケルめっき層は、
８重量％以上のリンを含むニッケルめっき層と、ホウ素
ニッケルめっき層によって構成されることを特徴とする
半導体装置用テープキャリア。 - 【請求項４】前記ニッケルめっき層と前記ホウ素ニッケ
ルめっき層は、無電解メッキによって形成されることを
特徴とする請求項３項記載の半導体装置用テープキャリ
ア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01295499A JP3402238B2 (ja) | 1999-01-21 | 1999-01-21 | 半導体装置用テープキャリア |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01295499A JP3402238B2 (ja) | 1999-01-21 | 1999-01-21 | 半導体装置用テープキャリア |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000216201A JP2000216201A (ja) | 2000-08-04 |
| JP3402238B2 true JP3402238B2 (ja) | 2003-05-06 |
Family
ID=11819678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01295499A Expired - Fee Related JP3402238B2 (ja) | 1999-01-21 | 1999-01-21 | 半導体装置用テープキャリア |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3402238B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003110209A (ja) * | 2001-10-02 | 2003-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品 |
| JP2006200925A (ja) * | 2005-01-18 | 2006-08-03 | Denso Corp | 圧力センサ |
| JP4865381B2 (ja) * | 2006-03-30 | 2012-02-01 | 古河電気工業株式会社 | フィルム金属積層体、その製造方法、前記フィルム金属積層体を用いた回路基板、および前記回路基板の製造方法 |
-
1999
- 1999-01-21 JP JP01295499A patent/JP3402238B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000216201A (ja) | 2000-08-04 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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