JP3406040B2 - 処理装置及び処理方法 - Google Patents
処理装置及び処理方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は熱処理装置の排気処理装
置及び排気処理方法に関する。
置及び排気処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、一般に半導体ウェハ等の熱処理プ
ロセスラインは、プロセスチューブを備えた熱処理炉を
多数設置し、これらの炉の排気系ダクトを共通にして工
場の排気ダクトに接続して製造ラインを構成している。
熱処理装置のプロセス排気能力は装置設置場所である工
場の排気能力に左右され、複数枚の半導体ウェハを均一
に熱処理するために一定であることが望まれている。し
かしながら、プロセスチューブである反応管内の圧力
が、プロセス実行中に変動することが多々発生してい
た。
ロセスラインは、プロセスチューブを備えた熱処理炉を
多数設置し、これらの炉の排気系ダクトを共通にして工
場の排気ダクトに接続して製造ラインを構成している。
熱処理装置のプロセス排気能力は装置設置場所である工
場の排気能力に左右され、複数枚の半導体ウェハを均一
に熱処理するために一定であることが望まれている。し
かしながら、プロセスチューブである反応管内の圧力
が、プロセス実行中に変動することが多々発生してい
た。
【０００３】この反応管内の圧力の変動により生ずる排
気管内の圧力の変動を防止するため、排気管途中に設け
た圧力調整機構によって、自動的に内圧を調節して装置
内を均一に排気する技術としては、特開平３−２１９２
００号公報に記載された技術がある。
気管内の圧力の変動を防止するため、排気管途中に設け
た圧力調整機構によって、自動的に内圧を調節して装置
内を均一に排気する技術としては、特開平３−２１９２
００号公報に記載された技術がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
排気技術では装置の構成上、すなわち排気管の途中に設
けられた膨大状の凹部と、この凹部の内側縁に弾性部材
から成るＯリングと、Ｏリングの上部に中心部が凹状に
形成された円形の可動弁が自重でＯリングを押しつけ、
大気との気密状態を設定しているフロート式圧力調整機
構では、熱処理後の排気ガスがプロセスチューブに接続
された排気管路を流れ、下流に行くに従い、排気ガスの
温度が下がる。この降温現象によって結露した廃液によ
り、圧力調整機構が動作不良を起こし、所望の排気比を
一定に保持する事ができないため、半導体ウェハを均一
に熱処理できない。また熱処理後の排気ガスが反応管外
の排気管を流れる間に、温度が高温のまま結露しない場
合は、装置の構成上ＨＣｌ等有毒ガスの大気中への逆拡
散する可能性もある、等の改善点を有する。
排気技術では装置の構成上、すなわち排気管の途中に設
けられた膨大状の凹部と、この凹部の内側縁に弾性部材
から成るＯリングと、Ｏリングの上部に中心部が凹状に
形成された円形の可動弁が自重でＯリングを押しつけ、
大気との気密状態を設定しているフロート式圧力調整機
構では、熱処理後の排気ガスがプロセスチューブに接続
された排気管路を流れ、下流に行くに従い、排気ガスの
温度が下がる。この降温現象によって結露した廃液によ
り、圧力調整機構が動作不良を起こし、所望の排気比を
一定に保持する事ができないため、半導体ウェハを均一
に熱処理できない。また熱処理後の排気ガスが反応管外
の排気管を流れる間に、温度が高温のまま結露しない場
合は、装置の構成上ＨＣｌ等有毒ガスの大気中への逆拡
散する可能性もある、等の改善点を有する。
【０００５】本発明は、この様な事情のもとに成された
ものであり、その目的は熱処理後の排気ガスが反応管外
の排気管を流れるに従い、温度が下がる事によって結露
した廃液が排気管内に発生しても、液溜め部にて廃液を
集中捕獲して外部に排出するので、圧力調整機構の正常
動作を可能とし、また熱処理後の排気ガスが反応管外の
排気管を流れる間に、温度が高温のまま結露しない場合
は、ＨＣｌ等有毒ガスの大気中への逆拡散を防止し、被
処理体を均一に熱処理することのできる処理装置、及び
処理方法を提供する事にある。
ものであり、その目的は熱処理後の排気ガスが反応管外
の排気管を流れるに従い、温度が下がる事によって結露
した廃液が排気管内に発生しても、液溜め部にて廃液を
集中捕獲して外部に排出するので、圧力調整機構の正常
動作を可能とし、また熱処理後の排気ガスが反応管外の
排気管を流れる間に、温度が高温のまま結露しない場合
は、ＨＣｌ等有毒ガスの大気中への逆拡散を防止し、被
処理体を均一に熱処理することのできる処理装置、及び
処理方法を提供する事にある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、被処
理体を収容して熱処理をする反応管と、この反応管に接
続された排気管の途中に少なくとも一つ設けられた液溜
め部と、この液溜め部から廃液排出系を介して接続され
た廃液排出部と、圧力調整機構とを設けた処理装置にお
いて、前記圧力調整機構の周囲を密閉して、この圧力調
整機構が動作する範囲内で雰囲気を強制排気させるため
の排気手段、とから構成されたことを特徴とする。
理体を収容して熱処理をする反応管と、この反応管に接
続された排気管の途中に少なくとも一つ設けられた液溜
め部と、この液溜め部から廃液排出系を介して接続され
た廃液排出部と、圧力調整機構とを設けた処理装置にお
いて、前記圧力調整機構の周囲を密閉して、この圧力調
整機構が動作する範囲内で雰囲気を強制排気させるため
の排気手段、とから構成されたことを特徴とする。
【０００７】請求項２の発明は、被処理体を熱処理をす
る反応管と、この反応管に設けられた排気系に少なくと
も一つ設けられた液溜め部と、圧力調整機構とを設けた
処理装置の処理方法において、前記圧力調整機構の周囲
を密閉して、この圧力調整機構が動作する範囲内で雰囲
気を強制排気させることを特徴とする。
る反応管と、この反応管に設けられた排気系に少なくと
も一つ設けられた液溜め部と、圧力調整機構とを設けた
処理装置の処理方法において、前記圧力調整機構の周囲
を密閉して、この圧力調整機構が動作する範囲内で雰囲
気を強制排気させることを特徴とする。
【０００８】
【作用】本発明において、熱処理後の排気ガスが反応管
外の排気管を流れるに従い、温度が下がる事によって結
露した廃液が排気管内に発生しても、液溜め部にて廃液
を集中捕獲して、廃液排出管を介して接続された廃液排
出部から外部に排出するので、廃液が圧力調整機構には
流れ込まず、圧力調整機構の正常動作を可能とし、また
熱処理後の排気ガスが反応管外の排気管を流れる間に、
温度が高温のままで完全に結露しない場合は、圧力調整
機構の正常動作を保ちつつ、ＨＣｌ等有毒ガスの大気中
への逆拡散を防止する。
外の排気管を流れるに従い、温度が下がる事によって結
露した廃液が排気管内に発生しても、液溜め部にて廃液
を集中捕獲して、廃液排出管を介して接続された廃液排
出部から外部に排出するので、廃液が圧力調整機構には
流れ込まず、圧力調整機構の正常動作を可能とし、また
熱処理後の排気ガスが反応管外の排気管を流れる間に、
温度が高温のままで完全に結露しない場合は、圧力調整
機構の正常動作を保ちつつ、ＨＣｌ等有毒ガスの大気中
への逆拡散を防止する。
【０００９】
【実施例】以下本発明の実施例について具体的に説明す
る。図１は本発明を縦型常圧水蒸気酸化熱処理装置に適
用した一実施例を示す説明図である。耐熱材料、例えば
石英からなる垂直方向に長く底面に蓋部を有する反応
管、例えば縦型のプロセスチューブ１０の一端部にプロ
セスガス導入管１２が連結され、他端部に排出管１３が
設けられている。
る。図１は本発明を縦型常圧水蒸気酸化熱処理装置に適
用した一実施例を示す説明図である。耐熱材料、例えば
石英からなる垂直方向に長く底面に蓋部を有する反応
管、例えば縦型のプロセスチューブ１０の一端部にプロ
セスガス導入管１２が連結され、他端部に排出管１３が
設けられている。
【００１０】上記プロセスチューブ１０の側壁外周囲に
はこのプロセスチューブ１０と同軸的に筒状ヒータ、例
えば抵抗加熱ヒータ１６が設けられ、プロセスチューブ
１０を所定の熱処理温度、例えば８００℃〜１２００℃
の範囲で適宜制御設定可能である。被処理体として、例
えば複数枚の半導体ウェハ１７は耐熱性材料、例えば石
英製ウェハボート１８に収容され、この石英製ウェハボ
ート１８は載置台１９に設置され、上記プロセスチュー
ブ１０内の予め定められた位置、すなわち均熱領域に収
納されるように構成されている。
はこのプロセスチューブ１０と同軸的に筒状ヒータ、例
えば抵抗加熱ヒータ１６が設けられ、プロセスチューブ
１０を所定の熱処理温度、例えば８００℃〜１２００℃
の範囲で適宜制御設定可能である。被処理体として、例
えば複数枚の半導体ウェハ１７は耐熱性材料、例えば石
英製ウェハボート１８に収容され、この石英製ウェハボ
ート１８は載置台１９に設置され、上記プロセスチュー
ブ１０内の予め定められた位置、すなわち均熱領域に収
納されるように構成されている。
【００１１】上記載置台１９は蓋体２０上に設置され、
この蓋体２０は昇降機構３１により上記複数枚の半導体
ウェハ１７を収納した状態で上下方向にに移動する事が
でき、半導体ウェハ１７を収納した上記ウェハボート１
８を上記プロセスチューブ１０に対しての搬入搬出を行
えるように構成されている。
この蓋体２０は昇降機構３１により上記複数枚の半導体
ウェハ１７を収納した状態で上下方向にに移動する事が
でき、半導体ウェハ１７を収納した上記ウェハボート１
８を上記プロセスチューブ１０に対しての搬入搬出を行
えるように構成されている。
【００１２】前記プロセスガス導入管１２には、処理ガ
ス例えば水蒸気発生源３２から水蒸気を、マスフローコ
ントローラ３４からＨＣｌガスを供給できるよう構成さ
れている。
ス例えば水蒸気発生源３２から水蒸気を、マスフローコ
ントローラ３４からＨＣｌガスを供給できるよう構成さ
れている。
【００１３】前記排出管１３は、結合バルブを介して水
平に配置された第２の排気管２１が結合され、この第２
の排気管２１には、主筒を垂直に配置した第１の排気管
２２が結合されており、この第１の排気管２２には配管
途中に液溜管２３が設けられている。この液溜管２３
は、排気の結露した廃液を集中捕獲して外部に排出する
と供に、高温のまま気化したままの排気の一部を、スカ
ベンジャー部２５へ還流させることを目的とし、還流管
２３の先端には、圧力調整機構４０が設けられている。
この圧力調整機構４０は、排気流の圧力を予め設定され
た圧力に自動的に設定するためのものである。
平に配置された第２の排気管２１が結合され、この第２
の排気管２１には、主筒を垂直に配置した第１の排気管
２２が結合されており、この第１の排気管２２には配管
途中に液溜管２３が設けられている。この液溜管２３
は、排気の結露した廃液を集中捕獲して外部に排出する
と供に、高温のまま気化したままの排気の一部を、スカ
ベンジャー部２５へ還流させることを目的とし、還流管
２３の先端には、圧力調整機構４０が設けられている。
この圧力調整機構４０は、排気流の圧力を予め設定され
た圧力に自動的に設定するためのものである。
【００１４】上記スカベンジャー部２５では、前記プロ
セスチューブ１０及び前記圧力調整機構４０から、漏れ
出たＨＣｌガス等有毒ガスを、吸引管２６を設けて、図
示しない強制排気機構、例えば真空ポンプ（図示せず）
等により排出するよう構成されている。
セスチューブ１０及び前記圧力調整機構４０から、漏れ
出たＨＣｌガス等有毒ガスを、吸引管２６を設けて、図
示しない強制排気機構、例えば真空ポンプ（図示せず）
等により排出するよう構成されている。
【００１５】次に図２を参照して、圧力調整機構４０の
構成の一例を具体的に説明する。前記第１の排気管２２
の途中から例えば下方に曲げられた支流管４１の端部に
膨大状の凹部４３が設けられ、この凹部４３の内側縁に
弾性部材から成るＯリング４４が配設されている。この
Ｏリング４４の上部には中心部が凹状に形成された円形
の可動弁４５が、例えば自重でＯリング４４を押しつ
け、圧力調整機構４０と大気との気密状態を設定してい
る。
構成の一例を具体的に説明する。前記第１の排気管２２
の途中から例えば下方に曲げられた支流管４１の端部に
膨大状の凹部４３が設けられ、この凹部４３の内側縁に
弾性部材から成るＯリング４４が配設されている。この
Ｏリング４４の上部には中心部が凹状に形成された円形
の可動弁４５が、例えば自重でＯリング４４を押しつ
け、圧力調整機構４０と大気との気密状態を設定してい
る。
【００１６】上記第１の排気管２２と上記第２の排気管
２１の接続点より例えば下方、及び液溜管２３の例えば
下方には廃液排出部、例えば廃液排出機構５０が接続配
置されている。強制吸引機構、例えば真空ポンプ等を設
ければ上方でも良い。この廃液排出機構５０は図３に示
すように、図１の上記第１の排気管２２及び液溜管２３
から延長して位置する廃液排出管５１を廃液容器、例え
ば廃液溜め部５２の内側に挿入配置し、この廃液溜め部
５２の上部には穴部５４を少なくとも１個以上設け、廃
液５５が上部穴部５４から溢れ出る様に構成され、廃液
溜め部５２の周囲は外側ケース５６で密閉されて構成さ
れている。この溢水構造により共通廃液管６３との直結
を回避し、排気流の乱れを防止している。
２１の接続点より例えば下方、及び液溜管２３の例えば
下方には廃液排出部、例えば廃液排出機構５０が接続配
置されている。強制吸引機構、例えば真空ポンプ等を設
ければ上方でも良い。この廃液排出機構５０は図３に示
すように、図１の上記第１の排気管２２及び液溜管２３
から延長して位置する廃液排出管５１を廃液容器、例え
ば廃液溜め部５２の内側に挿入配置し、この廃液溜め部
５２の上部には穴部５４を少なくとも１個以上設け、廃
液５５が上部穴部５４から溢れ出る様に構成され、廃液
溜め部５２の周囲は外側ケース５６で密閉されて構成さ
れている。この溢水構造により共通廃液管６３との直結
を回避し、排気流の乱れを防止している。
【００１７】このようにして一系統の熱処理装置が構成
されている。このような熱処理装置が、半導体製造工場
では複数系統並列に配置され、これらの排気系及び廃液
排出系は、最終的には一系統に集合される。
されている。このような熱処理装置が、半導体製造工場
では複数系統並列に配置され、これらの排気系及び廃液
排出系は、最終的には一系統に集合される。
【００１８】即ち、複数のプロセスチューブ１０の排気
駆動を、共通排気管６１に設置した排気能力の大きな１
つの排気ファン６２により排気されるように構成されて
いる。この排気ファン６２については例えば真空ポンプ
で構成しても良い。
駆動を、共通排気管６１に設置した排気能力の大きな１
つの排気ファン６２により排気されるように構成されて
いる。この排気ファン６２については例えば真空ポンプ
で構成しても良い。
【００１９】また、複数のプロセスチューブ１０の熱処
理後の排気ガスが、排気管路を流れるに従い温度が下が
る事によって結露した廃液は、廃液排出機構５０から共
通廃液排出管６３を介して排出されるよう構成されてい
る。
理後の排気ガスが、排気管路を流れるに従い温度が下が
る事によって結露した廃液は、廃液排出機構５０から共
通廃液排出管６３を介して排出されるよう構成されてい
る。
【００２０】尚、高温ガスやＨＣｌ等の腐食性ガスと接
触する前記プロセスガス導入管１２、排出管１３、第２
の排気管２１、第１の排気管２２、液溜管２３、吸引管
２６、圧力調整機構４０、廃液排出機構５０、廃液排出
管５１、及び共通廃液排出管６３の部分は、非金属、例
えば石英やフッ素樹脂等の耐熱耐食性部材から構成され
ている。
触する前記プロセスガス導入管１２、排出管１３、第２
の排気管２１、第１の排気管２２、液溜管２３、吸引管
２６、圧力調整機構４０、廃液排出機構５０、廃液排出
管５１、及び共通廃液排出管６３の部分は、非金属、例
えば石英やフッ素樹脂等の耐熱耐食性部材から構成され
ている。
【００２１】このように多数の常圧熱処理装置の排気系
が一系統に統一されるため、排気量の総量は一定にする
必要がある。従って、この排気量を一定にする手段とし
て、上記圧力調整機構４０、及び廃液排出機構５０が各
系の排気管路に設けられている。
が一系統に統一されるため、排気量の総量は一定にする
必要がある。従って、この排気量を一定にする手段とし
て、上記圧力調整機構４０、及び廃液排出機構５０が各
系の排気管路に設けられている。
【００２２】次に前述実施例の作用について述べる。複
数のプロセスチューブ１０の内、１つのプロセスチュー
ブ１０に処理ガスが供給されており、他のプロセスチュ
ーブ１０には処理ガスが供給されず蓋体２０が閉じられ
ている状態では、排気ファン６２の排気能力に対して流
れる処理ガスの流量が少ないため、第１の排気管２２の
中の圧力は比較的大きく負圧状態となる。
数のプロセスチューブ１０の内、１つのプロセスチュー
ブ１０に処理ガスが供給されており、他のプロセスチュ
ーブ１０には処理ガスが供給されず蓋体２０が閉じられ
ている状態では、排気ファン６２の排気能力に対して流
れる処理ガスの流量が少ないため、第１の排気管２２の
中の圧力は比較的大きく負圧状態となる。
【００２３】その結果、可動弁４５の重さより可動弁４
５に加わる差圧の力が大きくなり、可動弁４５は大きく
浮き上がり凹部４３を介してスカベンジャー部２５内雰
囲気が第１の排気管２２へ流入し、内圧は予め定めれた
圧力に常に保たれる。
５に加わる差圧の力が大きくなり、可動弁４５は大きく
浮き上がり凹部４３を介してスカベンジャー部２５内雰
囲気が第１の排気管２２へ流入し、内圧は予め定めれた
圧力に常に保たれる。
【００２４】その際スカベンジャー部２５から吸引管２
６を介して強制排気される場合、その排気能力は排気フ
ァン６２の排気能力を下回る必要がある。また、圧力調
整機構４０から有毒な排気ガスが逆拡散したとしても、
密閉されたスカベンジャー部２５内なので、工場作業員
の安全は確保される。
６を介して強制排気される場合、その排気能力は排気フ
ァン６２の排気能力を下回る必要がある。また、圧力調
整機構４０から有毒な排気ガスが逆拡散したとしても、
密閉されたスカベンジャー部２５内なので、工場作業員
の安全は確保される。
【００２５】更に、他のプロセスチューブ１０に半導体
ウェハ１７を搬入するため蓋体２０を開けた状態では、
プロセスチューブ１０から多量の大気が第１の排気管２
２に流れ込み、内圧は上昇する。
ウェハ１７を搬入するため蓋体２０を開けた状態では、
プロセスチューブ１０から多量の大気が第１の排気管２
２に流れ込み、内圧は上昇する。
【００２６】この時、今まで大きく開いていた圧力調整
機構４０の可動弁４５の開度が狭くなり、所望の圧力が
得られる状態で安定する。このように圧力調整機構４０
の可動弁４５の開度が第１の排気管２２内の圧力に応じ
て変化し、常に所望の圧力が保たれるように作動する。
プロセス状態を変えるためプロセスチューブ１０に流す
ガスの流量を変化させた場合も、上記と同様に圧力調整
機構４０の可動弁４５が作動し、常に所望の圧力に保持
する。
機構４０の可動弁４５の開度が狭くなり、所望の圧力が
得られる状態で安定する。このように圧力調整機構４０
の可動弁４５の開度が第１の排気管２２内の圧力に応じ
て変化し、常に所望の圧力が保たれるように作動する。
プロセス状態を変えるためプロセスチューブ１０に流す
ガスの流量を変化させた場合も、上記と同様に圧力調整
機構４０の可動弁４５が作動し、常に所望の圧力に保持
する。
【００２７】また、廃液については抵抗加熱ヒータ１６
によりプロセスチューブ１０内の均熱領域を、酸化処理
温度例えば１０００℃の温度に設定し、処理ガスとして
水蒸気とＨＣｌガスをプロセスチューブ１０内に収納さ
れている被処理体、例えば半導体ウェハ１７に供給す
る。そしてプロセスチューブ１０内を通過して排気され
第１の排気管２２の内壁で水蒸気が冷やされ、ＨＣｌを
含んだ廃液はこの第１の排気管２２の内壁に沿って落下
し、または液溜管２３にて集中捕獲され、廃液管５１を
通り廃液排出機構５０の廃液溜め部５２から溢れだし、
共通廃液排出管６３に排出する。
によりプロセスチューブ１０内の均熱領域を、酸化処理
温度例えば１０００℃の温度に設定し、処理ガスとして
水蒸気とＨＣｌガスをプロセスチューブ１０内に収納さ
れている被処理体、例えば半導体ウェハ１７に供給す
る。そしてプロセスチューブ１０内を通過して排気され
第１の排気管２２の内壁で水蒸気が冷やされ、ＨＣｌを
含んだ廃液はこの第１の排気管２２の内壁に沿って落下
し、または液溜管２３にて集中捕獲され、廃液管５１を
通り廃液排出機構５０の廃液溜め部５２から溢れだし、
共通廃液排出管６３に排出する。
【００２８】以下に前述実施例の効果について説明す
る。本発明によれば、熱処理後の排気ガスがプロセスチ
ューブ１０外の排気管路を流れるに従い、温度が下がる
事によって結露した廃液が排気管路内に発生しても、廃
液排出管５１を介して排出することができる。また、廃
液が圧力調整機構４０には流れ込まず外部に漏れ出る事
を防止し、可動弁４５の正常動作を可能とする。
る。本発明によれば、熱処理後の排気ガスがプロセスチ
ューブ１０外の排気管路を流れるに従い、温度が下がる
事によって結露した廃液が排気管路内に発生しても、廃
液排出管５１を介して排出することができる。また、廃
液が圧力調整機構４０には流れ込まず外部に漏れ出る事
を防止し、可動弁４５の正常動作を可能とする。
【００２９】従って、熱処理の中でもウェット酸化処理
のように多量の水蒸気を流し、どの様に廃液が多くなっ
ても廃液によって第１の排気管２２や第２の排気管２１
は塞がれることはなく、半導体ウェハ１７間のバラツキ
のない所望の処理を行うことができる。
のように多量の水蒸気を流し、どの様に廃液が多くなっ
ても廃液によって第１の排気管２２や第２の排気管２１
は塞がれることはなく、半導体ウェハ１７間のバラツキ
のない所望の処理を行うことができる。
【００３０】また本発明によれば、熱処理後の排気ガス
が反応管外の排気管を流れる間に、温度が高温のまま結
露しない場合でも、ＨＣｌ等有毒ガスの大気中への逆拡
散を防止する。従って、工場作業者の安全を確保し、か
つプロセスチューブ１０内を流れるプロセスガスの均一
排気が可能となり、もって装置内のガス流に乱れが生じ
なくなり、半導体ウェハ１７の面内面間均一性を良好に
処理する事ができる。
が反応管外の排気管を流れる間に、温度が高温のまま結
露しない場合でも、ＨＣｌ等有毒ガスの大気中への逆拡
散を防止する。従って、工場作業者の安全を確保し、か
つプロセスチューブ１０内を流れるプロセスガスの均一
排気が可能となり、もって装置内のガス流に乱れが生じ
なくなり、半導体ウェハ１７の面内面間均一性を良好に
処理する事ができる。
【００３１】更に、ＨＣｌ等の腐食性ガスを流しても廃
液排出機構５０は非金属の耐蝕性部材で構成されている
ため、腐食は起こらない。
液排出機構５０は非金属の耐蝕性部材で構成されている
ため、腐食は起こらない。
【００３２】次に本発明の他の実施例について説明す
る。図４に示すように、排出管１３は結合バルブを介し
て水平に配置された第２の排気管２１が結合され、この
第２の排気管２１には、主筒を垂直に配置した第１の排
気管２２が結合されている。この第１の排気管２２は配
管途中に分岐して設けられた支流管４１に液溜め部、例
えば鍵形あるいはＵ字形に湾曲された液溜管２３が設け
られている。この液溜管２３を経て下方に曲げられた支
流管４１の端部に圧力調整機構４０が設けられている。
る。図４に示すように、排出管１３は結合バルブを介し
て水平に配置された第２の排気管２１が結合され、この
第２の排気管２１には、主筒を垂直に配置した第１の排
気管２２が結合されている。この第１の排気管２２は配
管途中に分岐して設けられた支流管４１に液溜め部、例
えば鍵形あるいはＵ字形に湾曲された液溜管２３が設け
られている。この液溜管２３を経て下方に曲げられた支
流管４１の端部に圧力調整機構４０が設けられている。
【００３３】更に上記圧力調整機構４０の周囲を、覆い
６５で密閉し、バルブ６６を介して共通排気管６１に接
続されている。そしてこのバルブ６６により、前記覆い
６５内の雰囲気は、共通排気管６１よりも陽圧に設定さ
れている。
６５で密閉し、バルブ６６を介して共通排気管６１に接
続されている。そしてこのバルブ６６により、前記覆い
６５内の雰囲気は、共通排気管６１よりも陽圧に設定さ
れている。
【００３４】また排気流路に冷却部を設け、この冷却部
で強制的に排気ガスを液化し、この液化部に液溜め部を
設ければ、この場合も液溜め部は一か所でよい。尚、図
４においてその他の部分は前述第一実施例と同じである
ので、同一部分には同一符号を付して、その説明は省略
する。
で強制的に排気ガスを液化し、この液化部に液溜め部を
設ければ、この場合も液溜め部は一か所でよい。尚、図
４においてその他の部分は前述第一実施例と同じである
ので、同一部分には同一符号を付して、その説明は省略
する。
【００３５】本実施例の作用について説明すると、前述
第一実施例と同じく、圧力調整機構４０の可動弁４５の
開度が第１の排気管２２内の圧力に応じて変化し、常に
所望の圧力が保たれるように作動し、プロセス状態を変
えるためプロセスチューブ１０に流すガスの流量を変化
させた場合も、上記と同様に圧力調整機構４０の可動弁
４５が作動し、常に所望の圧力に保たれる。また、廃液
についても液溜管２３から廃液排出管５１を通り、廃液
排出機構５０の液溜め部５５から溢れだし、共通廃液排
出管６３に排出される。また、圧力調整機構４０からＨ
Ｃｌ等の有毒な排気ガスが工場内に漏れる事もない。
第一実施例と同じく、圧力調整機構４０の可動弁４５の
開度が第１の排気管２２内の圧力に応じて変化し、常に
所望の圧力が保たれるように作動し、プロセス状態を変
えるためプロセスチューブ１０に流すガスの流量を変化
させた場合も、上記と同様に圧力調整機構４０の可動弁
４５が作動し、常に所望の圧力に保たれる。また、廃液
についても液溜管２３から廃液排出管５１を通り、廃液
排出機構５０の液溜め部５５から溢れだし、共通廃液排
出管６３に排出される。また、圧力調整機構４０からＨ
Ｃｌ等の有毒な排気ガスが工場内に漏れる事もない。
【００３６】本実施例では、第一実施例に比較して、従
来より工場内に設置してある装置においても、排気系の
一部追加改造を実施することにより、処理ウェハ間のバ
ラツキのない等の、所望の処理を行うことができる。
来より工場内に設置してある装置においても、排気系の
一部追加改造を実施することにより、処理ウェハ間のバ
ラツキのない等の、所望の処理を行うことができる。
【００３７】尚、本発明は前述実施例に限定されるもの
ではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可
能である。
ではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可
能である。
【００３８】本発明は必ずしも複数のプロセスチューブ
に対して排気駆動源を共通化したものに適用するものに
限らず、第１の排気管２２が単一のプロセスチューブ１
０専用に設けられている場合においても、プロセス状態
を変えるため処理ガスの流量を変えたり、電源電圧変動
等により排気ファン２５の性能が変わったりする事があ
り、均一排気を行うために本発明は有用である。
に対して排気駆動源を共通化したものに適用するものに
限らず、第１の排気管２２が単一のプロセスチューブ１
０専用に設けられている場合においても、プロセス状態
を変えるため処理ガスの流量を変えたり、電源電圧変動
等により排気ファン２５の性能が変わったりする事があ
り、均一排気を行うために本発明は有用である。
【００３９】また、所望の圧力で圧力調整機構４０の可
動弁４５の重さを調整できるようにするか、可動弁４５
をスプリングで押すか又は引っ張ることも本発明を実施
する上で有用である。
動弁４５の重さを調整できるようにするか、可動弁４５
をスプリングで押すか又は引っ張ることも本発明を実施
する上で有用である。
【００４０】更に、本発明は酸化炉や拡散炉等の熱処理
炉に限らず、常圧ＣＶＤ装置やその他常圧処理装置に応
用してもよいことは当然である。また、縦型装置に限ら
ず横型熱処理炉等の横型装置に適用できるのは当然のこ
とである。
炉に限らず、常圧ＣＶＤ装置やその他常圧処理装置に応
用してもよいことは当然である。また、縦型装置に限ら
ず横型熱処理炉等の横型装置に適用できるのは当然のこ
とである。
【００４１】更にまた、本発明はバッチ処理に限らず、
枚葉処理でも同様な効果の得られることは説明するまで
もないことである。
枚葉処理でも同様な効果の得られることは説明するまで
もないことである。
【００４２】
【発明の効果】本発明によれば、熱処理後の排気ガスが
反応管外の排気管を流れるに従い、温度が下がる事によ
って結露した廃液が排気管内に発生しても、廃液排出管
を介して接続された廃液排出部から外部に排出するの
で、廃液が圧力調整機構には流れ込まず、圧力調整機構
の正常動作を可能とし、また熱処理後の排気ガスが反応
管外の排気管を流れる間に、温度が高温のままで完全に
結露しない場合は、圧力調整機構の正常動作を保ちつ
つ、ＨＣｌ等有毒ガスの大気中への逆拡散を防止する。
従って、安全にかつ、処理ウェハ間のバラツキのない所
望の均一な熱処理を行うことができる。
反応管外の排気管を流れるに従い、温度が下がる事によ
って結露した廃液が排気管内に発生しても、廃液排出管
を介して接続された廃液排出部から外部に排出するの
で、廃液が圧力調整機構には流れ込まず、圧力調整機構
の正常動作を可能とし、また熱処理後の排気ガスが反応
管外の排気管を流れる間に、温度が高温のままで完全に
結露しない場合は、圧力調整機構の正常動作を保ちつ
つ、ＨＣｌ等有毒ガスの大気中への逆拡散を防止する。
従って、安全にかつ、処理ウェハ間のバラツキのない所
望の均一な熱処理を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】縦型熱処理装置に適用した本発明の一実施例を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図２】図１の圧力調整機構を示す説明図である。
【図３】図１の廃液排出機構を示す説明図である。
【図４】縦型熱処理装置に適用した本発明の他の実施例
を示す説明図である。
を示す説明図である。
１０ プロセスチューブ
１７ 半導体ウェハ
１８ ウェハボート
２１ 第２の排気管
２２ 第１の排気管
２３ 液溜管
２５ スカベンジャー部
２６ 吸引管
４０ 圧力調整機構
５０ 廃液排出機構
５１ 廃液排出管
５２ 廃液溜め部
５５ 廃液
６５ 覆い
６６ バルブ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/22
H01L 21/324
H01L 21/205
Claims (4)
- 【請求項１】 被処理体を収容して熱処理をする反応管
と、この反応管に接続された排気管の途中に少なくとも
一つ設けられた液溜め部と、この液溜め部から廃液排出
管を介して接続された廃液排出部と、圧力調整機構とを
設けた処理装置において、 前記圧力調整機構の周囲を密閉して、この圧力調整機構
が動作する範囲内で雰囲気を強制排気させるための排気
手段、とから構成されたことを特徴とする処理装置。 - 【請求項２】 被処理体を熱処理をする反応管と、この
反応管に設けられた排気系に少なくとも一つ設けられた
液溜め部と、圧力調整機構とを設けた処理装置の処理方
法において、 前記圧力調整機構の周囲を密閉して、この圧力調整機構
が動作する範囲内で雰囲気を強制排気させることを特徴
とする処理方法。 - 【請求項３】 被処理体を処理する処理部と、この処理
部に接続された排気系の途中に少なくとも一つ設けられ
た液溜め部と、この液溜め部から廃液排出管を介して接
続された廃液排出部と、圧力調整機構とを設けた処理装
置において、 前記圧力調整機構の周囲を密閉して、この圧力調整機構
が動作する範囲内で雰囲気を強制排気させるための排気
手段、とから構成されたことを特徴とする処理装置。 - 【請求項４】 被処理体を処理をする処理部と、この処
理部に設けられた排気系に少なくとも一つ設けられた液
溜め部と、圧力調整機構とを設けた処理装置の処理方法
において、 前記圧力調整機構の周囲を密閉して、この圧力調整機構
が動作する範囲内で雰囲気を強制排気させることを特徴
とする処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34786693A JP3406040B2 (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 処理装置及び処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34786693A JP3406040B2 (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 処理装置及び処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07183242A JPH07183242A (ja) | 1995-07-21 |
| JP3406040B2 true JP3406040B2 (ja) | 2003-05-12 |
Family
ID=18393133
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34786693A Expired - Fee Related JP3406040B2 (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 処理装置及び処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3406040B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006245492A (ja) * | 2005-03-07 | 2006-09-14 | Gasonics:Kk | 基板熱処理装置および基板熱処理製造方法 |
| JP5054599B2 (ja) * | 2008-04-17 | 2012-10-24 | エスペック株式会社 | 結露抑制装置およびそれを備えた環境試験装置 |
-
1993
- 1993-12-24 JP JP34786693A patent/JP3406040B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07183242A (ja) | 1995-07-21 |
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