JP3418863B2 - 光スイッチの製造方法 - Google Patents
光スイッチの製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は例えば光通信シス
テム等において用いられる光スイッチの製造方法に関す
る。 【０００２】 【従来の技術】この種の光スイッチの従来構造の一例を
図４に示す。基板１１上に、その基板表面と平行に可動
電極１２が配置される。可動電極１２はこの例では矩形
状とされてその対向２辺が図に示したように枠状をなす
支持構造体１３に連結支持された構造とされており、各
支持構造体１３の他端はそれぞれ固定部１４に連結さ
れ、固定部１４が基板１１上に設置された構造となって
いる。 【０００３】可動電極１２は可撓性を有する支持構造体
１３によって支持されることにより、基板表面に対して
垂直方向に変位可能とされており、この可動電極１２上
にマイクロミラー１５が搭載される。一方、基板１１
の、可動電極１２及び支持構造体１３と対向する部分に
は貫通孔１６が図に示したように方形状に開口するよう
に形成されており、この貫通孔１６に固定電極を構成す
る導電性基板１７が配設される。 【０００４】導電性基板１７は貫通孔１６に合致する形
状に加工されており、基板１１の裏面から貼り合わされ
て基板１１と一体化される。貫通孔１６内に位置する導
電性基板１７の上面、即ち固定電極面は基板１１の表面
より所定量下がった位置に位置され、これにより可動電
極１２の所要の変位量が確保できる構造となっている。 【０００５】上記のような構造とされた光スイッチ１８
においては、静電吸引力により可動電極１２を駆動して
基板表面と垂直方向に変位させ、これにより可動電極１
２上に直立しているマイクロミラー１５を基板表面と垂
直方向に変位させることにより、基板表面と平行方向か
ら入射する光ビームの光路を切り換えることができるも
のとなっている。 【０００６】図４Ａ中、２１ａ〜２１ｃは例えばこの光
スイッチ１８の周囲に配置される光ファイバを示し、２
２は光スイッチ１８に入射される入射光、２３ａ，２３
ｂは出射光を示す。光路にマイクロミラー１５が挿入さ
れた時は入射光２２はマイクロミラー１５によって反射
され、その出射光２３ａが光ファイバ２１ｂに入射され
る。一方、光路にマイクロミラー１５が挿入されない時
は入射光２２はそのまま進行して出射光２３ｂとなり、
光ファイバ２１ｃに入射されることになる。 【０００７】図５はこの図４に示した光スイッチ１８の
製造方法を工程順に示したものであり、以下各工程につ
いて説明する。 （１）基板１１を準備する。基板１１として、この例で
はシリコン基板が用いられる。 （２）基板１１上にＳｉＯ2 保護膜２４を成膜する。 【０００８】（３）固定部１４を形成する部分の保護膜
２４を除去する。 （４）可動電極１２等の可動体を構成する材料として、
多結晶シリコン膜２５を成膜する。 （５）多結晶シリコン膜２５をエッチング加工して、可
動電極１２、支持構造体１３及び固定部１４を形成す
る。 【０００９】（６）ＳｉＯ2 保護膜２６を表裏全面に成
膜する。 （７）基板１１裏面の、可動電極１２及び支持構造体１
３に対応する位置の保護膜２６を除去する。 （８）基板１１をＫＯＨ溶液によりエッチングし、貫通
孔１６を形成する。 （９）保護膜２４，２６を除去する。 【００１０】（１０）所要の加工を施した固定電極を構
成する導電性基板１７を基板１１の裏面から貼り合わせ
る。この導電性基板１７もこの例ではシリコン基板とさ
れる。 以下、図には示していないが、可動電極１２上にマイク
ロミラー１５を設置して、光スイッチ１８が完成する。 【００１１】 【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
に基板１１裏面からエッチングにより貫通孔１６を形成
し、導電性基板１７を基板１１裏面から貼り合わせると
いう構造では、基板１１は枠状となるため、その強度及
び接着面積等を考慮すると、所要の枠幅を確保する必要
があることから、図４Ａ中に破線１８ａで囲んだ素子領
域に対し、光スイッチ１８全体が大型となり、特に基板
１１としてシリコン基板を使用し、その異方性エッチン
グにより貫通孔１６を形成する場合には、貫通孔１６の
基板１１裏面における開口領域が大きくなることから、
より大型となり、この点で光スイッチの小型化が制限さ
れるものとなっていた。 【００１２】また、このような貼り合わせによるため、
作製精度の低下はまぬがれえず、導電性基板１７の上面
位置、つまり固定電極面の位置の精度は良好とは言えな
いものとなっていた。さらに、一連の成膜及びエッチン
グ工程とは別に、貼り合わせ工程（接着工程）を必要と
することから、工程が複雑であり、その点で製造に手間
がかかるものとなっていた。 【００１３】この発明の目的は、これら従来の問題点に
鑑み、小型化を図ることができ、かつ精度良く、簡易に
製造することができる光スイッチの構造及びその製造方
法を提供することにある。 【００１４】 【課題を解決するための手段】この発明により製造され
た光スイッチは、基板上に、その基板表面と平行に位置
され、かつその基板表面に対して垂直方向に変位可能と
された可動電極上にマイクロミラーが搭載され、可動電
極を駆動してマイクロミラーを変位させることにより入
射する光ビームの光路切り換えが行われる光スイッチに
おいて、上記基板が導電材よりなり、その基板表面にエ
ッチング加工により凹部が形成され、その凹部の底面が
可動電極と平行対向する固定電極面とされる。 【００１５】そして上記基板がシリコン基板とされ、可
動電極が多結晶シリコン膜によって形成される。請求項
１の発明は、導電性基板の表面に形成された凹部の底面
が固定電極面とされ、その固定電極面と平行対向する可
動電極が導電性基板上に固定部及び支持構造体を介して
配置され、可動電極が駆動されて固定電極面と垂直方向
に変位することにより、可動電極上に搭載されたマイク
ロミラーが変位して入射する光ビームの光路切り換えが
行われる構造とされた光スイッチの製造方法であって、
導電性基板をシリコン基板とし、そのシリコン基板の表
面に多結晶シリコン膜を設け、可動電極、支持構造体及
び固定部をＳｉＯ2 被膜で保護した後、上記多結晶シリ
コン膜をエッチング液侵入路として、ＫＯＨ溶液により
シリコン基板を可動電極側からエッチングすることによ
り上記凹部を形成する。 【００１６】 【発明の実施の形態】この発明の実施の形態を図面を参
照して実施例により説明する。図１はこの発明により製
造された光スイッチを示したものであり、図４と対応す
る部分には同一符号を付してある。この例では基板１１
が導電材によって構成され、この基板１１の表面にエッ
チング加工により凹部３１が形成されて、この凹部３１
の底面が可動電極１２と平行対向する固定電極面を構成
するものとされ、即ち基板１１自体が固定電極をなすも
のとされる。 【００１７】図２はこの図１に示した光スイッチ３２の
製造方法を工程順に示したものであり、図２を参照して
光スイッチ３２の製造方法を説明する。 （１）導電材よりなる基板１１を準備する。この基板１
１にはシリコン基板が用いられる。 （２）基板１１上に多結晶シリコン膜３３を成膜する。 【００１８】（３）ＳｉＯ2 保護膜３４を成膜する。 （４）固定部１４を形成する部分の保護膜３４を除去す
る。 （５）多結晶シリコン膜３５を成膜する。 （６）多結晶シリコン膜３５をエッチング加工して、可
動電極１２、支持構造体１３及び固定部１４を形成す
る。なお、この際、可動電極１２には複数の貫通孔３６
を図１Ａに示したようにマトリクス状に設ける。 【００１９】（７）ＳｉＯ2 保護膜３７を表裏全面に成
膜する。 （８）表側（可動電極１２側）のＳｉＯ2 保護膜３４，
３７をパターニングし、可動電極１２の各貫通孔３６に
対応する部分に基板１１上の多結晶シリコン膜３３に至
る貫通孔３８を形成する。また、可動電極１２及び支持
構造体１３の外形に対し、保護膜３４，３７の外形（大
きさ）がわずかに大となるようにパターニングし、固定
部１４の外形に対しては所要量大きくなるようにパター
ニングする。 【００２０】（９）ＫＯＨ溶液により、基板１１をエッ
チングする。ＫＯＨ溶液は各貫通孔３８を通って多結晶
シリコン膜３３に達し、等方性のエッチング性を有する
この多結晶シリコン膜３３がエッチング液（ＫＯＨ溶
液）の侵入路として機能することにより、基板１１が露
出され、異方性エッチングされて凹部３１が形成され
る。なお、固定部１４の下に位置する多結晶シリコン膜
３３は上記したように、所要量大きな保護膜３４，３７
が存在しているため、エッチングされずに残る。 【００２１】（１０）保護膜３４，３７を除去する。 以下、図には示していないが、可動電極１２上にマイク
ロミラー１５を設置して、光スイッチ３２が完成する。 【００２２】上記のような製造方法を採用することによ
り、可動電極１２、支持構造体１３等を成膜形成した
後、それらが形成された側から基板１１をエッチング加
工して、可動電極１２の変位を可能とする所要の深さを
有する凹部３１を形成することができ、かつその凹部３
１の底面が固定電極面となる。従って、従来の光スイッ
チ１８の製造方法において必要であった貼り合わせ工程
は不要となり、その分精度良く、かつ簡易に製造できる
ものとなる。 【００２３】また、従来のように基板１１に貫通孔１６
を設ける必要はなく、つまり基板１１が枠状をなすもの
ではないため、従来枠幅を確保すべく必要とした領域は
不要となり、その分小型な光スイッチ３２を得ることが
できる。図３は２×２マトリクス光スイッチを構成した
場合の、従来のものと本発明によるものとの大きさを比
較した概念図である。 【００２４】図３Ａに示した従来のものでは、例えば４
００μｍ厚の基板１１で異方性エッチングにより貫通孔
１６を形成した場合、基板表面において１ｍｍ□の貫通
孔１６を形成するためには、基板裏面に約１．６ｍｍ□
のエッチング窓１６ａを形成しなければならず、枠状を
なす基板１１の強度、接着面積等から、最低でも幅
Ｗ 1 ，Ｗ2 が１ｍｍ程度必要となり、図から明らかなよ
うにこの枠部分の面積ロスは極めて大きいものとなる。 【００２５】これに対し、図３Ｂに示した本発明による
光スイッチ構造では上述のような枠部分を必要とせず、
隣接するスイッチ素子間の距離を非常に短く（例えば１
０μｍ以下）することができ、この点で小型化に極めて
適した構造となっている。 【００２６】 【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明に
より製造された光スイッチは、図４に示した従来の光ス
イッチ１８のように基板１１の枠状領域をスイッチ素子
領域の周囲に設ける必要がないため、光スイッチを大幅
に小型化することができる。さらに、小型化により光路
をより短くすることができるため、その点で光学的な性
能の向上を図ることができる。 【００２７】また、従来の光スイッチ１８のような貼り
合わせ構造を用いるものではないため、例えば貼り合わ
せによる固定電極面の位置精度の低下あるいは接着時の
応力の影響といった問題を解消することができ、さらに
貼り合わせを必要としない分、製造工程を簡易化するこ
とができる。なお、請求項１の発明によれば基板１１の
表面、つまり可動電極１２等と対向する側に固定電極面
を構成し、かつ可動電極１２の所要の変位を可能とする
凹部３１を簡易かつ良好に形成することができる。
テム等において用いられる光スイッチの製造方法に関す
る。 【０００２】 【従来の技術】この種の光スイッチの従来構造の一例を
図４に示す。基板１１上に、その基板表面と平行に可動
電極１２が配置される。可動電極１２はこの例では矩形
状とされてその対向２辺が図に示したように枠状をなす
支持構造体１３に連結支持された構造とされており、各
支持構造体１３の他端はそれぞれ固定部１４に連結さ
れ、固定部１４が基板１１上に設置された構造となって
いる。 【０００３】可動電極１２は可撓性を有する支持構造体
１３によって支持されることにより、基板表面に対して
垂直方向に変位可能とされており、この可動電極１２上
にマイクロミラー１５が搭載される。一方、基板１１
の、可動電極１２及び支持構造体１３と対向する部分に
は貫通孔１６が図に示したように方形状に開口するよう
に形成されており、この貫通孔１６に固定電極を構成す
る導電性基板１７が配設される。 【０００４】導電性基板１７は貫通孔１６に合致する形
状に加工されており、基板１１の裏面から貼り合わされ
て基板１１と一体化される。貫通孔１６内に位置する導
電性基板１７の上面、即ち固定電極面は基板１１の表面
より所定量下がった位置に位置され、これにより可動電
極１２の所要の変位量が確保できる構造となっている。 【０００５】上記のような構造とされた光スイッチ１８
においては、静電吸引力により可動電極１２を駆動して
基板表面と垂直方向に変位させ、これにより可動電極１
２上に直立しているマイクロミラー１５を基板表面と垂
直方向に変位させることにより、基板表面と平行方向か
ら入射する光ビームの光路を切り換えることができるも
のとなっている。 【０００６】図４Ａ中、２１ａ〜２１ｃは例えばこの光
スイッチ１８の周囲に配置される光ファイバを示し、２
２は光スイッチ１８に入射される入射光、２３ａ，２３
ｂは出射光を示す。光路にマイクロミラー１５が挿入さ
れた時は入射光２２はマイクロミラー１５によって反射
され、その出射光２３ａが光ファイバ２１ｂに入射され
る。一方、光路にマイクロミラー１５が挿入されない時
は入射光２２はそのまま進行して出射光２３ｂとなり、
光ファイバ２１ｃに入射されることになる。 【０００７】図５はこの図４に示した光スイッチ１８の
製造方法を工程順に示したものであり、以下各工程につ
いて説明する。 （１）基板１１を準備する。基板１１として、この例で
はシリコン基板が用いられる。 （２）基板１１上にＳｉＯ2 保護膜２４を成膜する。 【０００８】（３）固定部１４を形成する部分の保護膜
２４を除去する。 （４）可動電極１２等の可動体を構成する材料として、
多結晶シリコン膜２５を成膜する。 （５）多結晶シリコン膜２５をエッチング加工して、可
動電極１２、支持構造体１３及び固定部１４を形成す
る。 【０００９】（６）ＳｉＯ2 保護膜２６を表裏全面に成
膜する。 （７）基板１１裏面の、可動電極１２及び支持構造体１
３に対応する位置の保護膜２６を除去する。 （８）基板１１をＫＯＨ溶液によりエッチングし、貫通
孔１６を形成する。 （９）保護膜２４，２６を除去する。 【００１０】（１０）所要の加工を施した固定電極を構
成する導電性基板１７を基板１１の裏面から貼り合わせ
る。この導電性基板１７もこの例ではシリコン基板とさ
れる。 以下、図には示していないが、可動電極１２上にマイク
ロミラー１５を設置して、光スイッチ１８が完成する。 【００１１】 【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
に基板１１裏面からエッチングにより貫通孔１６を形成
し、導電性基板１７を基板１１裏面から貼り合わせると
いう構造では、基板１１は枠状となるため、その強度及
び接着面積等を考慮すると、所要の枠幅を確保する必要
があることから、図４Ａ中に破線１８ａで囲んだ素子領
域に対し、光スイッチ１８全体が大型となり、特に基板
１１としてシリコン基板を使用し、その異方性エッチン
グにより貫通孔１６を形成する場合には、貫通孔１６の
基板１１裏面における開口領域が大きくなることから、
より大型となり、この点で光スイッチの小型化が制限さ
れるものとなっていた。 【００１２】また、このような貼り合わせによるため、
作製精度の低下はまぬがれえず、導電性基板１７の上面
位置、つまり固定電極面の位置の精度は良好とは言えな
いものとなっていた。さらに、一連の成膜及びエッチン
グ工程とは別に、貼り合わせ工程（接着工程）を必要と
することから、工程が複雑であり、その点で製造に手間
がかかるものとなっていた。 【００１３】この発明の目的は、これら従来の問題点に
鑑み、小型化を図ることができ、かつ精度良く、簡易に
製造することができる光スイッチの構造及びその製造方
法を提供することにある。 【００１４】 【課題を解決するための手段】この発明により製造され
た光スイッチは、基板上に、その基板表面と平行に位置
され、かつその基板表面に対して垂直方向に変位可能と
された可動電極上にマイクロミラーが搭載され、可動電
極を駆動してマイクロミラーを変位させることにより入
射する光ビームの光路切り換えが行われる光スイッチに
おいて、上記基板が導電材よりなり、その基板表面にエ
ッチング加工により凹部が形成され、その凹部の底面が
可動電極と平行対向する固定電極面とされる。 【００１５】そして上記基板がシリコン基板とされ、可
動電極が多結晶シリコン膜によって形成される。請求項
１の発明は、導電性基板の表面に形成された凹部の底面
が固定電極面とされ、その固定電極面と平行対向する可
動電極が導電性基板上に固定部及び支持構造体を介して
配置され、可動電極が駆動されて固定電極面と垂直方向
に変位することにより、可動電極上に搭載されたマイク
ロミラーが変位して入射する光ビームの光路切り換えが
行われる構造とされた光スイッチの製造方法であって、
導電性基板をシリコン基板とし、そのシリコン基板の表
面に多結晶シリコン膜を設け、可動電極、支持構造体及
び固定部をＳｉＯ2 被膜で保護した後、上記多結晶シリ
コン膜をエッチング液侵入路として、ＫＯＨ溶液により
シリコン基板を可動電極側からエッチングすることによ
り上記凹部を形成する。 【００１６】 【発明の実施の形態】この発明の実施の形態を図面を参
照して実施例により説明する。図１はこの発明により製
造された光スイッチを示したものであり、図４と対応す
る部分には同一符号を付してある。この例では基板１１
が導電材によって構成され、この基板１１の表面にエッ
チング加工により凹部３１が形成されて、この凹部３１
の底面が可動電極１２と平行対向する固定電極面を構成
するものとされ、即ち基板１１自体が固定電極をなすも
のとされる。 【００１７】図２はこの図１に示した光スイッチ３２の
製造方法を工程順に示したものであり、図２を参照して
光スイッチ３２の製造方法を説明する。 （１）導電材よりなる基板１１を準備する。この基板１
１にはシリコン基板が用いられる。 （２）基板１１上に多結晶シリコン膜３３を成膜する。 【００１８】（３）ＳｉＯ2 保護膜３４を成膜する。 （４）固定部１４を形成する部分の保護膜３４を除去す
る。 （５）多結晶シリコン膜３５を成膜する。 （６）多結晶シリコン膜３５をエッチング加工して、可
動電極１２、支持構造体１３及び固定部１４を形成す
る。なお、この際、可動電極１２には複数の貫通孔３６
を図１Ａに示したようにマトリクス状に設ける。 【００１９】（７）ＳｉＯ2 保護膜３７を表裏全面に成
膜する。 （８）表側（可動電極１２側）のＳｉＯ2 保護膜３４，
３７をパターニングし、可動電極１２の各貫通孔３６に
対応する部分に基板１１上の多結晶シリコン膜３３に至
る貫通孔３８を形成する。また、可動電極１２及び支持
構造体１３の外形に対し、保護膜３４，３７の外形（大
きさ）がわずかに大となるようにパターニングし、固定
部１４の外形に対しては所要量大きくなるようにパター
ニングする。 【００２０】（９）ＫＯＨ溶液により、基板１１をエッ
チングする。ＫＯＨ溶液は各貫通孔３８を通って多結晶
シリコン膜３３に達し、等方性のエッチング性を有する
この多結晶シリコン膜３３がエッチング液（ＫＯＨ溶
液）の侵入路として機能することにより、基板１１が露
出され、異方性エッチングされて凹部３１が形成され
る。なお、固定部１４の下に位置する多結晶シリコン膜
３３は上記したように、所要量大きな保護膜３４，３７
が存在しているため、エッチングされずに残る。 【００２１】（１０）保護膜３４，３７を除去する。 以下、図には示していないが、可動電極１２上にマイク
ロミラー１５を設置して、光スイッチ３２が完成する。 【００２２】上記のような製造方法を採用することによ
り、可動電極１２、支持構造体１３等を成膜形成した
後、それらが形成された側から基板１１をエッチング加
工して、可動電極１２の変位を可能とする所要の深さを
有する凹部３１を形成することができ、かつその凹部３
１の底面が固定電極面となる。従って、従来の光スイッ
チ１８の製造方法において必要であった貼り合わせ工程
は不要となり、その分精度良く、かつ簡易に製造できる
ものとなる。 【００２３】また、従来のように基板１１に貫通孔１６
を設ける必要はなく、つまり基板１１が枠状をなすもの
ではないため、従来枠幅を確保すべく必要とした領域は
不要となり、その分小型な光スイッチ３２を得ることが
できる。図３は２×２マトリクス光スイッチを構成した
場合の、従来のものと本発明によるものとの大きさを比
較した概念図である。 【００２４】図３Ａに示した従来のものでは、例えば４
００μｍ厚の基板１１で異方性エッチングにより貫通孔
１６を形成した場合、基板表面において１ｍｍ□の貫通
孔１６を形成するためには、基板裏面に約１．６ｍｍ□
のエッチング窓１６ａを形成しなければならず、枠状を
なす基板１１の強度、接着面積等から、最低でも幅
Ｗ 1 ，Ｗ2 が１ｍｍ程度必要となり、図から明らかなよ
うにこの枠部分の面積ロスは極めて大きいものとなる。 【００２５】これに対し、図３Ｂに示した本発明による
光スイッチ構造では上述のような枠部分を必要とせず、
隣接するスイッチ素子間の距離を非常に短く（例えば１
０μｍ以下）することができ、この点で小型化に極めて
適した構造となっている。 【００２６】 【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明に
より製造された光スイッチは、図４に示した従来の光ス
イッチ１８のように基板１１の枠状領域をスイッチ素子
領域の周囲に設ける必要がないため、光スイッチを大幅
に小型化することができる。さらに、小型化により光路
をより短くすることができるため、その点で光学的な性
能の向上を図ることができる。 【００２７】また、従来の光スイッチ１８のような貼り
合わせ構造を用いるものではないため、例えば貼り合わ
せによる固定電極面の位置精度の低下あるいは接着時の
応力の影響といった問題を解消することができ、さらに
貼り合わせを必要としない分、製造工程を簡易化するこ
とができる。なお、請求項１の発明によれば基板１１の
表面、つまり可動電極１２等と対向する側に固定電極面
を構成し、かつ可動電極１２の所要の変位を可能とする
凹部３１を簡易かつ良好に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】Ａは請求項１の発明により製造された光スイッ
チの平面図、ＢはそのＣＣ断面図。 【図２】請求項１の発明の実施例を説明するための製造
工程図。 【図３】２×２マトリクス光スイッチを構成した場合の
従来のものと本発明によるものとの大きさを比較するた
めの図。 【図４】Ａは従来の光スイッチを示す平面図、Ｂはその
断面図。 【図５】図４の光スイッチの製造方法を説明するための
製造工程図。
チの平面図、ＢはそのＣＣ断面図。 【図２】請求項１の発明の実施例を説明するための製造
工程図。 【図３】２×２マトリクス光スイッチを構成した場合の
従来のものと本発明によるものとの大きさを比較するた
めの図。 【図４】Ａは従来の光スイッチを示す平面図、Ｂはその
断面図。 【図５】図４の光スイッチの製造方法を説明するための
製造工程図。
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 シリコン基板の表面に形成された凹部の
底面が固定電極面とされ、その固定電極面と平行対向す
る第１の多結晶シリコンでなる可動電極が上記シリコン
基板上に上記可動電極と一体の固定部及び支持構造体を
介して配置され、上記可動電極が駆動されて上記固定電
極面と垂直方向に変位することにより、上記可動電極上
に搭載されたマイクロミラーが変位して入射する光ビー
ムの光路切り換えが行われる構造とされた光スイッチの
製造方法であって、上記シリコン基板上に第２の多結晶シリコンを成膜し、
その上にＳｉＯ 2 被覆で保護された複数の貫通孔の形成
されている上記可動電極、上記支持構造体及び上記固定
部を作製した後に 、ＫＯＨ溶液により上記シリコン基板
を上記可動電極側からエッチングすることにより、上記
固定部の下部以外の上記第２の多結晶シリコンを等方性
エッチングし、更に上記シリコン基板を異方性エッチン
グして上記凹部を形成することを特徴とする光スイッチ
の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5829799A JP3418863B2 (ja) | 1999-03-05 | 1999-03-05 | 光スイッチの製造方法 |
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