JP3425466B2 - Cmos増幅器及びその動作方法 - Google Patents
Cmos増幅器及びその動作方法Info
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- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は一般に演算増幅器に関
し、特にCMOSレール間演算増幅器に関する。
し、特にCMOSレール間演算増幅器に関する。
【0002】
【従来の技術】演算増幅器は、通常、小さい差動入力電
圧を増幅して高度に増幅されたシングルエンド出力電圧
を供給する周知の電気部品である。CMOS増幅器は、
たまに”電源レール”又は単に“レール”と呼ばれるこ
とのある、正の電源電圧VDDと負の電源電圧VSSとによ
って通常給電される。CMOS演算増幅器を含む演算増
幅器の限界の一つは、入力部が電源電圧によって決定さ
れる電圧範囲の全ての電圧を検出できるわけではないこ
とにある。その理由は、入力部のトランジスタにバイア
ス電圧を加えるのに1ボルト又はそれ以上の電圧が必要
であるという、大部分の回路設計が有する制限にある。
その結果、入力電圧が1ボルトの電源レール以内にある
場合は、それは入力部によって検出され得ない。同様
に、出力部にバイアス電圧のオーバヘッドが必要である
ので、出力電圧も全電圧範囲に亘っては追従できない。
圧を増幅して高度に増幅されたシングルエンド出力電圧
を供給する周知の電気部品である。CMOS増幅器は、
たまに”電源レール”又は単に“レール”と呼ばれるこ
とのある、正の電源電圧VDDと負の電源電圧VSSとによ
って通常給電される。CMOS演算増幅器を含む演算増
幅器の限界の一つは、入力部が電源電圧によって決定さ
れる電圧範囲の全ての電圧を検出できるわけではないこ
とにある。その理由は、入力部のトランジスタにバイア
ス電圧を加えるのに1ボルト又はそれ以上の電圧が必要
であるという、大部分の回路設計が有する制限にある。
その結果、入力電圧が1ボルトの電源レール以内にある
場合は、それは入力部によって検出され得ない。同様
に、出力部にバイアス電圧のオーバヘッドが必要である
ので、出力電圧も全電圧範囲に亘っては追従できない。
【0003】ここで図1を参照すると、最大電圧VMAX
及び最小電圧VMIN が演算増幅器の実効動作範囲を決定
する。電圧VMAX 及びVMIN は入力部と出力部で異なる
場合があり、回路の設計によってだけではなく、半導体
の製造上の制約や、温度のような環境要因によっても規
定される。入力及び出力電圧の双方のための動作範囲を
できる限り、電源電圧まで、すなわち全“レール間”動
作まで増大することが望ましい。全レール間動作が望ま
しいものの、既存のCMOS設計は極めて複雑であり、
多くの能動素子を含んでいる。設計が複雑であるために
チップ面積と、製造コストが増大する。従来形のCMO
Sレール間演算増幅器の例は、J.N.Babanaz
had著「A Rail−to−Rail CMOS
Op Amp(レール間CMOS演算増幅器)」、ソリ
ッド・ステート回路IEEEジャーナル、第23巻、第
6号、1988年12月刊、1414−1417ペー
ジ、に記載されている。従って全レール間動作が可能で
あり、しかも最小限のトランジスタを使用した簡単な回
路設計を有するCMOS演算増幅器に対する必要性があ
る。
及び最小電圧VMIN が演算増幅器の実効動作範囲を決定
する。電圧VMAX 及びVMIN は入力部と出力部で異なる
場合があり、回路の設計によってだけではなく、半導体
の製造上の制約や、温度のような環境要因によっても規
定される。入力及び出力電圧の双方のための動作範囲を
できる限り、電源電圧まで、すなわち全“レール間”動
作まで増大することが望ましい。全レール間動作が望ま
しいものの、既存のCMOS設計は極めて複雑であり、
多くの能動素子を含んでいる。設計が複雑であるために
チップ面積と、製造コストが増大する。従来形のCMO
Sレール間演算増幅器の例は、J.N.Babanaz
had著「A Rail−to−Rail CMOS
Op Amp(レール間CMOS演算増幅器)」、ソリ
ッド・ステート回路IEEEジャーナル、第23巻、第
6号、1988年12月刊、1414−1417ペー
ジ、に記載されている。従って全レール間動作が可能で
あり、しかも最小限のトランジスタを使用した簡単な回
路設計を有するCMOS演算増幅器に対する必要性があ
る。
【0004】
【発明の目的】本発明の目的は全入力及び出力レール間
能力を有する演算増幅器を提供することにある。本発明
の別の目的は、最小限の能動素子と、最小限の集積回路
面積を有するCMOSレール間演算増幅器を提供するこ
とにある。
能力を有する演算増幅器を提供することにある。本発明
の別の目的は、最小限の能動素子と、最小限の集積回路
面積を有するCMOSレール間演算増幅器を提供するこ
とにある。
【0005】
【発明の概要】本発明によれば、CMOS演算増幅器の
入力はレール間差動電圧を検出し、増幅器にレール間シ
ングルエンド出力電圧を供給する。第1のP−チャネル
入力部は入力電圧の第1の部分と比例する第1差動信号
電流を供給し、第2のN−チャネル入力部は入力電圧の
第2の部分と比例する第2差動信号電流を引き込む。第
1と第2の差動電流は折り重ね型カスコード利得段で結
合され、レール間ではない中間のシングルエンド電圧を
生成する。シングルエンド中間電圧は電流制限されたレ
ール間出力部内においてレール間出力電圧へと変換され
る。
入力はレール間差動電圧を検出し、増幅器にレール間シ
ングルエンド出力電圧を供給する。第1のP−チャネル
入力部は入力電圧の第1の部分と比例する第1差動信号
電流を供給し、第2のN−チャネル入力部は入力電圧の
第2の部分と比例する第2差動信号電流を引き込む。第
1と第2の差動電流は折り重ね型カスコード利得段で結
合され、レール間ではない中間のシングルエンド電圧を
生成する。シングルエンド中間電圧は電流制限されたレ
ール間出力部内においてレール間出力電圧へと変換され
る。
【0006】
【実施例】図2を参照すると、差動入力とシングルエン
ド出力とを有するCMOS増幅器回路10が示されてい
る。差動入力は負の入力端子26と、正の入力端子28
とから成っている。入力電圧信号VINは入力端子26及
び28に印加される。N−チャネル入力部12は増幅器
回路10の差動入力26、28に結合された差動入力を
有している。N−チャネル入力部12はカスコード電流
ミラー22からの信号電流I1 及びI2 を降下させるた
めの差動出力を有している。同様に、P−チャネル入力
部14は増幅器回路10の差動入力端子26、28に結
合された差動入力を有している。P−チャネル入力部1
4は更に信号電流I3 及びI4 を第1カスコード電流源
18と、第2カスコード電流源20とにそれぞれ給電す
るための差動出力を含んでいる。N−チャネル入力部1
2と、P−チャネル入力部14の双方を使用することに
よって、入力信号VINは電源の電圧範囲全体に亘って延
長することができる。
ド出力とを有するCMOS増幅器回路10が示されてい
る。差動入力は負の入力端子26と、正の入力端子28
とから成っている。入力電圧信号VINは入力端子26及
び28に印加される。N−チャネル入力部12は増幅器
回路10の差動入力26、28に結合された差動入力を
有している。N−チャネル入力部12はカスコード電流
ミラー22からの信号電流I1 及びI2 を降下させるた
めの差動出力を有している。同様に、P−チャネル入力
部14は増幅器回路10の差動入力端子26、28に結
合された差動入力を有している。P−チャネル入力部1
4は更に信号電流I3 及びI4 を第1カスコード電流源
18と、第2カスコード電流源20とにそれぞれ給電す
るための差動出力を含んでいる。N−チャネル入力部1
2と、P−チャネル入力部14の双方を使用することに
よって、入力信号VINは電源の電圧範囲全体に亘って延
長することができる。
【0007】折り重ね型のカスコード利得段16は第1
カスコード電流源18と、第2カスコード電流源20
と、カスコード電流ミラー22とから成っている。カス
コード利得段16は信号電流I3 及びI4 を受理するた
めの、P−チャネル入力部14の差動電流出力に結合さ
れた第1と第2の加算節点51と52とを有している。
折り重ね型のカスコード利得段16は更に、信号電流I
1 及びI2 を供給するための、N−チャネル入力部12
の差動出力に結合された第3と第4の加算節点53及び
54を含んでいる。カスコード電流ミラー22は電流I
5 を供給するための第1カスコード電流源18に結合さ
れた入力(“IN”)を有している。カスコード電流ミ
ラー22は電流I6 を供給するための第2カスコード電
流源20に結合された出力を有している。カスコード電
流ミラー出力(“OUT”)はレール間出力部24の入
力に結合されている。レール間出力部はシングルエンド
出力30を有し、これは増幅器の出力である。
カスコード電流源18と、第2カスコード電流源20
と、カスコード電流ミラー22とから成っている。カス
コード利得段16は信号電流I3 及びI4 を受理するた
めの、P−チャネル入力部14の差動電流出力に結合さ
れた第1と第2の加算節点51と52とを有している。
折り重ね型のカスコード利得段16は更に、信号電流I
1 及びI2 を供給するための、N−チャネル入力部12
の差動出力に結合された第3と第4の加算節点53及び
54を含んでいる。カスコード電流ミラー22は電流I
5 を供給するための第1カスコード電流源18に結合さ
れた入力(“IN”)を有している。カスコード電流ミ
ラー22は電流I6 を供給するための第2カスコード電
流源20に結合された出力を有している。カスコード電
流ミラー出力(“OUT”)はレール間出力部24の入
力に結合されている。レール間出力部はシングルエンド
出力30を有し、これは増幅器の出力である。
【0008】さて図3を参照すると、図2の構成図のC
MOSトランジスタレベルの概略図が参照符号40で全
般的に示されている。N−チャネル入力部12はN−チ
ャネルFET Q1、Q2、及びQ3から成る3つのト
ランジスタ差動増幅器から構成されている。負の差動入
力端子26はトランジスタQ1のゲートに結合されてい
る。正の差動入力端子28はトランジスタQ2のゲート
に結合されている。トランジスタQ1とQ2のソースは
共に結合されて、共通のソース節点を形成し、これは更
にトランジスタQ3のドレインに結合されている。トラ
ンジスタQ3のソースは電源電圧VSSの第2ソースと結
合されている。トランジスタQ3はバイアス電圧VB4の
第4のソースと結合されたゲートを有している。バイア
ス電圧の第4のソースはトランジスタQ3にバイアスを
加えて、I1 及びI2 の合計とほぼ等しい一定電流を導
入させ、それによって差動入力トランジスタQ1及びQ
2用の電流源として機能させる。
MOSトランジスタレベルの概略図が参照符号40で全
般的に示されている。N−チャネル入力部12はN−チ
ャネルFET Q1、Q2、及びQ3から成る3つのト
ランジスタ差動増幅器から構成されている。負の差動入
力端子26はトランジスタQ1のゲートに結合されてい
る。正の差動入力端子28はトランジスタQ2のゲート
に結合されている。トランジスタQ1とQ2のソースは
共に結合されて、共通のソース節点を形成し、これは更
にトランジスタQ3のドレインに結合されている。トラ
ンジスタQ3のソースは電源電圧VSSの第2ソースと結
合されている。トランジスタQ3はバイアス電圧VB4の
第4のソースと結合されたゲートを有している。バイア
ス電圧の第4のソースはトランジスタQ3にバイアスを
加えて、I1 及びI2 の合計とほぼ等しい一定電流を導
入させ、それによって差動入力トランジスタQ1及びQ
2用の電流源として機能させる。
【0009】P−チャネル入力部14は3つのP−チャ
ネルFETQ4、Q5、及びQ6から成っていることが
図示されている。トランジスタQ4は信号電流I3 を生
成するためのドレインと、負の差動入力端子26に結合
されたゲートと、ソースとを有している。トランジスタ
Q6のドレインはトランジスタQ4及びQ5の共通のソ
ースに結合されている。トランジスタQ6のソースは電
源電圧VDDの第1ソースと結合されている。トランジス
タQ6のゲートはトランジスタQ6にバイアスを加える
ためのバイアス電圧VB1の第1ソースに結合され、トラ
ンジスタQ4とQ5によって形成された差動対用のP−
チャネル・バイアス・トランジスタとして機能する。ト
ランジスタQ6にはI3 及びI4 の合計とほぼ等しい一
定の電流が導入されるようバイアスが加えられている。
ネルFETQ4、Q5、及びQ6から成っていることが
図示されている。トランジスタQ4は信号電流I3 を生
成するためのドレインと、負の差動入力端子26に結合
されたゲートと、ソースとを有している。トランジスタ
Q6のドレインはトランジスタQ4及びQ5の共通のソ
ースに結合されている。トランジスタQ6のソースは電
源電圧VDDの第1ソースと結合されている。トランジス
タQ6のゲートはトランジスタQ6にバイアスを加える
ためのバイアス電圧VB1の第1ソースに結合され、トラ
ンジスタQ4とQ5によって形成された差動対用のP−
チャネル・バイアス・トランジスタとして機能する。ト
ランジスタQ6にはI3 及びI4 の合計とほぼ等しい一
定の電流が導入されるようバイアスが加えられている。
【0010】N−チャネル入力部12は、トランジスタ
Q1及びQ2のベースでの入力電圧信号がトランジスタ
Q3、及び対応する入力トランジスタQ1又はQ2での
電圧降下を超えると起動する。入力トランジスタQ1及
びQ2、並びにバイアス・トランジスタQ3が飽和状態
に留まっている必要があるとすると、動作可能であるた
めには入力電圧信号は2つのドレイン−ソース飽和電圧
降下VDSATをしきい値VT だけ超えなければならない。
N−チャネル入力部12は、P−チャネル・トランジス
タQ7又はQ8が飽和状態に留まるために、入力電圧信
号が電圧VDDの第 1ソースの一つのVDSAT未満になるま
で動作可能状態を保持する。
Q1及びQ2のベースでの入力電圧信号がトランジスタ
Q3、及び対応する入力トランジスタQ1又はQ2での
電圧降下を超えると起動する。入力トランジスタQ1及
びQ2、並びにバイアス・トランジスタQ3が飽和状態
に留まっている必要があるとすると、動作可能であるた
めには入力電圧信号は2つのドレイン−ソース飽和電圧
降下VDSATをしきい値VT だけ超えなければならない。
N−チャネル入力部12は、P−チャネル・トランジス
タQ7又はQ8が飽和状態に留まるために、入力電圧信
号が電圧VDDの第 1ソースの一つのVDSAT未満になるま
で動作可能状態を保持する。
【0011】同様にして、P−チャネル入力部14は、
バイアス・トランジスタQ6及びP−チャネル・トラン
ジスタQ4及びQ5が飽和状態に留まるために、入力電
圧信号がドレイン−ソース飽和電圧降下の2倍だけ、す
なわち、2×VDSATプラスしきい値電圧降下VT だけV
DD以下になった時に動作可能になる。P−チャネル入力
部14は、カスコード電流源トランジスタQ13又はQ
14でのドレイン─ソース電圧降下VDSATを考慮に入れ
るために、入力電圧信号が少なくとも一つのVDSATだけ
電源電圧VSSの第2ソース以上に留まっている限りは動
作可能状態を保持する。このように、N−チャネル入力
部と、P−チャネル入力部の結合によって入力電圧は何
れかの電圧レールの一つのVDSATの範囲内を揺れ動く。
バイアス・トランジスタQ6及びP−チャネル・トラン
ジスタQ4及びQ5が飽和状態に留まるために、入力電
圧信号がドレイン−ソース飽和電圧降下の2倍だけ、す
なわち、2×VDSATプラスしきい値電圧降下VT だけV
DD以下になった時に動作可能になる。P−チャネル入力
部14は、カスコード電流源トランジスタQ13又はQ
14でのドレイン─ソース電圧降下VDSATを考慮に入れ
るために、入力電圧信号が少なくとも一つのVDSATだけ
電源電圧VSSの第2ソース以上に留まっている限りは動
作可能状態を保持する。このように、N−チャネル入力
部と、P−チャネル入力部の結合によって入力電圧は何
れかの電圧レールの一つのVDSATの範囲内を揺れ動く。
【0012】折り重ねカスコード利得段はP−チャネル
・トランジスタQ7、Q8、Q9、及びQ10と、N−
チャネル・トランジスタQ11、Q12、Q13、及び
Q14とから構成されている。折り重ねカスコード利得
段は3つの小部分から成っている。すなわち、P−チャ
ネル・トランジスタQ7、Q8、Q9、及びQ10から
成るカスコード電流ミラー22と、N−チャネル・トラ
ンジスタQ11及びQ13から成る第1カスコード電流
源18と、N−チャネル・トランジスタQ12及びQ1
4から成る第2カスコード電流源20である。
・トランジスタQ7、Q8、Q9、及びQ10と、N−
チャネル・トランジスタQ11、Q12、Q13、及び
Q14とから構成されている。折り重ねカスコード利得
段は3つの小部分から成っている。すなわち、P−チャ
ネル・トランジスタQ7、Q8、Q9、及びQ10から
成るカスコード電流ミラー22と、N−チャネル・トラ
ンジスタQ11及びQ13から成る第1カスコード電流
源18と、N−チャネル・トランジスタQ12及びQ1
4から成る第2カスコード電流源20である。
【0013】カスコード電流ミラー22は電源電圧VDD
の第1ソースに結合されたソースと、ゲートと、第1加
算節点を形成するドレインとを有するP−チャネル・ト
ランジスタQ7から成っている。P−チャネル・トラン
ジスタQ8は電源電圧VDDの第1ソースに結合されたソ
ースと、トランジスタQ7のゲートと結合されたゲート
と、第2加算節点を形成するドレインとを有している。
P−チャネル・トランジスタQ9はトランジスタQ7の
ドレインに結合されたソースと、バイアス電圧VB2の第
2ソースに結合されたベースと、トランジスタQ7及び
Q8のゲートに結合されたソースとを有している。次に
第1加算節点が信号電流I1 を供給するためにN−チャ
ネル・トランジスタQ1のドレインに結合される。トラ
ンジスタQ10はトランジスタQ8のドレインに結合さ
れたソースと、バイアス電圧VB2の第2ソースを受ける
ためのゲートと、電流ミラー出力32を形成するソース
とを有している。次に第2加算節点が信号電流I2 を供
給するためにチャネル・トランジスタQ2のドレインに
結合される。
の第1ソースに結合されたソースと、ゲートと、第1加
算節点を形成するドレインとを有するP−チャネル・ト
ランジスタQ7から成っている。P−チャネル・トラン
ジスタQ8は電源電圧VDDの第1ソースに結合されたソ
ースと、トランジスタQ7のゲートと結合されたゲート
と、第2加算節点を形成するドレインとを有している。
P−チャネル・トランジスタQ9はトランジスタQ7の
ドレインに結合されたソースと、バイアス電圧VB2の第
2ソースに結合されたベースと、トランジスタQ7及び
Q8のゲートに結合されたソースとを有している。次に
第1加算節点が信号電流I1 を供給するためにN−チャ
ネル・トランジスタQ1のドレインに結合される。トラ
ンジスタQ10はトランジスタQ8のドレインに結合さ
れたソースと、バイアス電圧VB2の第2ソースを受ける
ためのゲートと、電流ミラー出力32を形成するソース
とを有している。次に第2加算節点が信号電流I2 を供
給するためにチャネル・トランジスタQ2のドレインに
結合される。
【0014】折り重ねカスコード利得段は更にN−チャ
ネル・トランジスタQ11及びQ13から成る第1カス
コード電流源18を備えている。トランジスタQ11は
トランジスタQ9のドレインに結合されたドレインと、
バイアス電圧VB3の第3ソースに結合されたゲートと、
ソースとを有している。トランジスタQ13はトランジ
スタQ11のソースに結合されたドレインと、バイアス
電圧VB4の第4ソースに結合されたゲートと、電源電圧
VSSの第2ソースに結合されたソースとを有している。
トランジスタQ11のソースと、トランジスタQ13の
ドレインはP−チャネル入力部14から信号電流I3 を
受けるためにトランジスタQ4のドレインに結合されて
いる。
ネル・トランジスタQ11及びQ13から成る第1カス
コード電流源18を備えている。トランジスタQ11は
トランジスタQ9のドレインに結合されたドレインと、
バイアス電圧VB3の第3ソースに結合されたゲートと、
ソースとを有している。トランジスタQ13はトランジ
スタQ11のソースに結合されたドレインと、バイアス
電圧VB4の第4ソースに結合されたゲートと、電源電圧
VSSの第2ソースに結合されたソースとを有している。
トランジスタQ11のソースと、トランジスタQ13の
ドレインはP−チャネル入力部14から信号電流I3 を
受けるためにトランジスタQ4のドレインに結合されて
いる。
【0015】折り重ね型カスコード利得段は更に、トラ
ンジスタQ12とQ14とから成る第2カスコード電流
源20を備えている。トランジスタQ12はバイアス電
流I6 を受けるためにトランジスタQ10のドレインに
結合されたドレインと、バイアス電圧VB3の第3ソース
に結合されたゲートと、ソースとを有している。トラン
ジスタQ14はトランジスタQ12のソースと結合され
たドレインと、バイアス電圧VB4の第4ソースと結合さ
れたゲートと、電源電圧VSSの第2ソースに結合された
ソースとを有している。トランジスタQ14のドレイン
と、トランジスタQ12のソースは更に信号電流I4 を
受けるためにトランジスタQ5のドレインと結合されて
いる。
ンジスタQ12とQ14とから成る第2カスコード電流
源20を備えている。トランジスタQ12はバイアス電
流I6 を受けるためにトランジスタQ10のドレインに
結合されたドレインと、バイアス電圧VB3の第3ソース
に結合されたゲートと、ソースとを有している。トラン
ジスタQ14はトランジスタQ12のソースと結合され
たドレインと、バイアス電圧VB4の第4ソースと結合さ
れたゲートと、電源電圧VSSの第2ソースに結合された
ソースとを有している。トランジスタQ14のドレイン
と、トランジスタQ12のソースは更に信号電流I4 を
受けるためにトランジスタQ5のドレインと結合されて
いる。
【0016】レール間出力部24は回路の節点32で折
り重ね型カスコード利得段に結合されている。レール間
出力部24はP−チャネル・トランジスタQ17と、N
−チャネル・トランジスタQ15、Q16、及びQ18
とから成っている。トランジスタQ15は回路節点32
でカスコード電流ミラー22の出力に結合された出力部
24の入力を形成するゲートと、電源電圧VDDの第1ソ
ースに結合されたドレインと、ソースとを有している。
トランジスタQ15の電流源として機能するトランジス
タQ16は、トランジスタQ15のソースに結合された
ドレインと、バイアス電圧VB4の第4ソースに結合され
たゲートと、電源電圧VSSの第2ソースに結合されたソ
ースとを有している。トランジスタQ15及びQ16は
トランジスタQ17とQ18のゲートが同じ電圧レベル
になることを許容しないことにより、トランジスタQ1
7とQ18の電力消費を最小限にするため、カスコード
電流ミラー22の出力をレベルシフトする役割を果た
す。トランジスタQ17はトランジスタQ15のゲート
に結合されたゲートと、電源電圧VDDの第1ソースに結
合されたソースと、増幅器回路の出力端子30に結合さ
れたドレインとを有している。トランジスタQ18はQ
15のソース及びQ16のドレインに結合されたゲート
と、電源電圧VSSの第2ソースに結合されたソースと、
トランジスタQ17のドレインに結合されたドレインと
を有している。トランジスタQ18のゲートで生成され
た電圧はトランジスタQ17のゲートで受けられる電圧
よりも一つのしきい値電圧降下VT だけ降下した電圧で
あることが了解されよう。
り重ね型カスコード利得段に結合されている。レール間
出力部24はP−チャネル・トランジスタQ17と、N
−チャネル・トランジスタQ15、Q16、及びQ18
とから成っている。トランジスタQ15は回路節点32
でカスコード電流ミラー22の出力に結合された出力部
24の入力を形成するゲートと、電源電圧VDDの第1ソ
ースに結合されたドレインと、ソースとを有している。
トランジスタQ15の電流源として機能するトランジス
タQ16は、トランジスタQ15のソースに結合された
ドレインと、バイアス電圧VB4の第4ソースに結合され
たゲートと、電源電圧VSSの第2ソースに結合されたソ
ースとを有している。トランジスタQ15及びQ16は
トランジスタQ17とQ18のゲートが同じ電圧レベル
になることを許容しないことにより、トランジスタQ1
7とQ18の電力消費を最小限にするため、カスコード
電流ミラー22の出力をレベルシフトする役割を果た
す。トランジスタQ17はトランジスタQ15のゲート
に結合されたゲートと、電源電圧VDDの第1ソースに結
合されたソースと、増幅器回路の出力端子30に結合さ
れたドレインとを有している。トランジスタQ18はQ
15のソース及びQ16のドレインに結合されたゲート
と、電源電圧VSSの第2ソースに結合されたソースと、
トランジスタQ17のドレインに結合されたドレインと
を有している。トランジスタQ18のゲートで生成され
た電圧はトランジスタQ17のゲートで受けられる電圧
よりも一つのしきい値電圧降下VT だけ降下した電圧で
あることが了解されよう。
【0017】増幅器回路の優勢極点は折り重ねカスコー
ド利得段の出力32で生成される。従って、コンデンサ
C1と直列の抵抗R1から成る補償回路網はカスコード
利得段の出力と、増幅器回路の出力端子30との間に結
合されている。実施例では、抵抗R1は1KΩの値を有
し、コンデンサは10pFのキャパシタンス値を有して
いる。しかし、これらの値は増幅器によって励振される
負荷によって左右される。この優勢極点によって安定し
た非振動増幅回路が得られる。
ド利得段の出力32で生成される。従って、コンデンサ
C1と直列の抵抗R1から成る補償回路網はカスコード
利得段の出力と、増幅器回路の出力端子30との間に結
合されている。実施例では、抵抗R1は1KΩの値を有
し、コンデンサは10pFのキャパシタンス値を有して
いる。しかし、これらの値は増幅器によって励振される
負荷によって左右される。この優勢極点によって安定し
た非振動増幅回路が得られる。
【0018】折り重ねカスコード段は入力部12と14
からの信号を結合し、それによって回路節点32でシン
グルエンド出力電圧が生成される。必然的にこの電圧は
結合された信号電流と、トランジスタQ10及びQ12
のドレインでの並列出力インピーダンスとを乗算した値
に等しい。別の解析モードは、トランジスタQ13とQ
14が電流I3 及びI4 により増大される第1と第2の
バイアス電流を生成するモードである。これらの電流は
入力及び出力電流ミラーに供給される。電流ミラー22
の利得は必然的に電流I1及びI2 により増大される。
からの信号を結合し、それによって回路節点32でシン
グルエンド出力電圧が生成される。必然的にこの電圧は
結合された信号電流と、トランジスタQ10及びQ12
のドレインでの並列出力インピーダンスとを乗算した値
に等しい。別の解析モードは、トランジスタQ13とQ
14が電流I3 及びI4 により増大される第1と第2の
バイアス電流を生成するモードである。これらの電流は
入力及び出力電流ミラーに供給される。電流ミラー22
の利得は必然的に電流I1及びI2 により増大される。
【0019】次に動作時には、演算増幅器10はレール
間入力電圧の第1部分を検出して、入力電圧の第1の部
分に比例する第1の極性の差動電流を生成し、レール間
入力電圧の第2部分を検出して、入力電圧の第2の部分
に比例する第2の極性の差動電流を生成する。折り重ね
型カスコード段16は第1と第2の極性の差動電流を結
合し、結合された差動電流に応答してシングルエンド電
圧を生成する。出力段30はシングルエンド電圧をレー
ル間シングルエンド出力電圧に変換する。
間入力電圧の第1部分を検出して、入力電圧の第1の部
分に比例する第1の極性の差動電流を生成し、レール間
入力電圧の第2部分を検出して、入力電圧の第2の部分
に比例する第2の極性の差動電流を生成する。折り重ね
型カスコード段16は第1と第2の極性の差動電流を結
合し、結合された差動電流に応答してシングルエンド電
圧を生成する。出力段30はシングルエンド電圧をレー
ル間シングルエンド出力電圧に変換する。
【0020】
【発明の効果】以上説明したように、本発明を用いるこ
とにより、全入力及び出力レール間能力を有する演算増
幅器を提供することができる。また、最小限の能動素子
と、最小限の集積回路面積を有するCMOSレール間演
算増幅器を提供することができる。
とにより、全入力及び出力レール間能力を有する演算増
幅器を提供することができる。また、最小限の能動素子
と、最小限の集積回路面積を有するCMOSレール間演
算増幅器を提供することができる。
【図1】大部分の演算増幅器の縮減された動作範囲を示
す図である。
す図である。
【図2】本発明の演算増幅器の構成図である。
【図3】本発明の演算増幅器のトランジスタレベルでの
概略図である。
概略図である。
12:N−チャネル入力部
14:P−チャネル入力部
18:第1カスコード電流源
20:第2カスコード電流源
22:カスコード電流ミラー
24:レール間出力部
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平1−188111(JP,A)
特開 昭63−67906(JP,A)
(58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名)
H03F 1/00 - 3/72
Claims (8)
- 【請求項1】 差動入力およびシングルエンド出力と、 前記増幅器の前記差動入力に結合された差動入力、およ
び差動出力を有するPチャンネル入力部と、 前記増幅器の前記差動入力に結合された差動入力、およ
び差動出力を有するNチャンネル入力部と、 前記Pチャンネル入力部の前記差動出力と直接接続され
た第1および第2の加算ノード、前記Nチャンネル入力
部の前記差動出力と直接接続された第3および第4の加
算ノード、およびシングルエンド出力を有する折り返し
カスコード利得段と、 前記折り返しカスコード利得段の前記シングルエンド出
力に結合された入力、および前記増幅器の前記シングル
エンド出力に結合された少なくとも2つのトランジスタ
を備えた出力段を有するレール間出力部であって、該出
力部を通る電流を制限するための手段を有するレール間
出力部とを備えて成るCMOS増幅器。 - 【請求項2】 前記折り返しカスコード利得段は、 入力、出力、および1対の加算ノードであって前記Nチ
ャンネル入力部の前記差動出力に結合された加算ノード
を有するカスコード電流ミラーと、 前記カスコード電流ミラーの入力に結合された出力、お
よび加算ノードとを有する第1のカスコード電流ソース
と、 前記カスコード電流ミラーの出力に結合された出力、お
よび加算ノードを有する第2のカスコード電流ソースと
を備え、前記第1および第2のカスコード電流ソースの
前記加算ノードは、前記Pチャンネル入力部の前記差動
出力に結合されたことを特徴とする前記請求項1に記載
のCMOS増幅器。 - 【請求項3】 前記カスコード電流ミラーは、 電源電圧のソースに結合されたソース、ゲート、および
ドレインとを有して第1の加算ノードを構成する第1の
Pチャンネル・トランジスタと、 電源電圧のソースに結合されたソース、前記第1のPチ
ャンネル・トランジスタのゲートに結合されたゲート、
およびドレインとを有して第2の加算ノードを構成する
第2のPチャンネル・トランジスタと、 前記第1のPチャンネル・トランジスタのドレインに結
合されたソース、バイアス電圧ソースに結合されたゲー
ト、および前記第1および第2のPチャンネル・トラン
ジスタのゲートに結合されたドレインとを有して前記電
流ミラーの入力を構成する第3のPチャンネル・トラン
ジスタと、 前記第2のPチャンネル・トランジスタのドレインに結
合されたソース、前記バイアス電圧ソースに結合された
ゲート、およびドレインとを有して前記電流ミラーの出
力を構成する第4のPチャンネル・トランジスタとを備
えることを特徴とする前記請求項2に記載のCMOS増
幅器。 - 【請求項4】 前記レール間出力部は、 電源電圧の第1のソースに結合されたドレイン、前記出
力部の入力を構成するゲート、およびソースとを有する
第1のNチャンネル・トランジスタと、 前記第1のNチャンネル・トランジスタのソースに結合
されたドレイン、前記単一の外部バイアス電圧ソースに
結合されたゲート、および電源電圧の第2のソースに結
合されたソースとを有する第2のNチャンネル・トラン
ジスタとを備え、前記出力段の前記少なくとも2つのト
ランジスタは、 前記出力部の前記出力に結合されたドレイン、前記第1
のNチャンネル・トランジスタのソースに結合されたゲ
ート、および前記電源電圧の第2のソースに結合された
ソースとを有する第3のNチャンネル・トランジスタ
と、 前記出力部の前記出力に結合されたドレイン、前記出力
部の前記入力に接続されたゲート、および前記電源電圧
の第1のソースに結合されたソースとを有するPチャン
ネル・トランジスタと、 前記折り返しカスコード利得段を補償するための手段と
を備えることを特徴とする前記請求項1から請求項3ま
でのいずれかに記載したCMOS増幅器。 - 【請求項5】 前記Pチャンネル入力部は、3つのトラ
ンジスタを含む差動増幅器を構成することを特徴とする
前記請求項1から請求項4までのいずれかに記載したC
MOS増幅器。 - 【請求項6】 前記Nチャンネル入力部は、3つのトラ
ンジスタを含む差動増幅器を構成することを特徴とする
前記請求項1から請求項4までのいずれかに記載したC
MOS増幅器。 - 【請求項7】 完全なレール間増幅を伴うCMOS増幅
器の動作方法であって、 レール間入力電圧の第1の部分を検出するステップと、 前記入力電圧の前記第1の部分に比例する第1の極性の
差動電流を生成するステップと、 レール間入力電圧の第2の部分を検出するステップと、 前記入力電圧の前記第2の部分に比例する第2の極性の
差動電流を生成するステップと、 折り返しカスコード利得段において、前記第1および前
記第2の極性の前記差動電流を合成するステップと、 前記折り返しカスコード利得段において、前記合成した
前記差動電流に応じてシングルエンド電圧を生成するス
テップと、 少なくとも2つのトランジスタを含む出力段において、
電流制限されたレール間出力部を備えた前記シングルエ
ンド電圧の増幅によって、前記シングルエンド電圧をレ
ール間のシングルエンド出力電圧に変換するステップと
を含んでなる方法。 - 【請求項8】 前記合成するステップは、 第1および第2のバイアス電流を生成するステップと、 前記差動電流の一方を用いて前記第1および第2のバイ
アス電流の値を増加させるステップと、 前記増加させた前記第1および第2のバイアス電流のそ
れぞれを、電流ミラーの入力および出力のそれぞれに印
加するステップと、 前記差動電流の他方を用いて前記電流ミラーの出力電流
を増加させるステップとを含むことを特徴とする前記請
求項7に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/023,254 US5337008A (en) | 1993-02-25 | 1993-02-25 | High gain rail-to-rail CMOS amplifier |
| US023,254 | 1993-02-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0715249A JPH0715249A (ja) | 1995-01-17 |
| JP3425466B2 true JP3425466B2 (ja) | 2003-07-14 |
Family
ID=21813987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04966894A Expired - Fee Related JP3425466B2 (ja) | 1993-02-25 | 1994-02-23 | Cmos増幅器及びその動作方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5337008A (ja) |
| EP (1) | EP0613240B1 (ja) |
| JP (1) | JP3425466B2 (ja) |
| DE (1) | DE69415701T2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5764101A (en) * | 1995-08-23 | 1998-06-09 | National Semiconductor Corporation | Rail-to-rail input common mode range differential amplifier that operates with very low rail-to-rail voltages |
| US5726592A (en) * | 1995-12-18 | 1998-03-10 | International Business Machines Corporation | Self biased low-voltage differential signal detector |
| FR2762161B1 (fr) * | 1997-04-15 | 1999-07-02 | Sgs Thomson Microelectronics | Comparateur a grande excursion de tension d'entree |
| US5825245A (en) * | 1997-05-13 | 1998-10-20 | International Business Machines Corporation | Compound cascode amplifier |
| KR19990018189A (ko) * | 1997-08-26 | 1999-03-15 | 윤종용 | 폴디드 캐스 코드 연산 증폭기 회로 |
| US6150883A (en) * | 1999-07-22 | 2000-11-21 | Burr-Brown Corporation | Rail-to-rail input/output operational amplifier and method |
| JP3830339B2 (ja) * | 1999-09-17 | 2006-10-04 | 松下電器産業株式会社 | 高スルーレート差動増幅回路 |
| US6278323B1 (en) * | 2000-04-12 | 2001-08-21 | Intel Corporation | High gain, very wide common mode range, self-biased operational amplifier |
| US6380801B1 (en) * | 2000-06-08 | 2002-04-30 | Analog Devices, Inc. | Operational amplifier |
| US6329878B1 (en) * | 2000-08-04 | 2001-12-11 | Maxim Integrated Products, Inc. | Method and apparatus for improving power supply rejection in amplifier rail to rail output stages |
| US6252435B1 (en) * | 2000-10-05 | 2001-06-26 | Pericom Semiconductor Corp. | Complementary differential amplifier with resistive loads for wide common-mode input range |
| DE10207802B4 (de) * | 2002-02-25 | 2012-03-22 | Texas Instruments Deutschland Gmbh | CMOS-Differenzverstärker |
| CA2487070A1 (en) * | 2002-05-24 | 2003-12-04 | Sicor Inc. | Aqueous fludarabine phosphate composition |
| US6740859B1 (en) * | 2002-08-06 | 2004-05-25 | Southeastern Univ. Research Assn., Inc. | Fractional substraction resistive readout for position sensitive photo-multiplier tubes |
| US6822513B1 (en) | 2003-05-28 | 2004-11-23 | Ami Semiconductor, Inc. | Symmetric and complementary differential amplifier |
| KR100560413B1 (ko) * | 2003-10-13 | 2006-03-14 | 삼성전자주식회사 | 에이비급 레일-투-레일 연산 증폭기 |
| ITMI20052500A1 (it) * | 2005-12-28 | 2007-06-29 | St Microelectronics Srl | Regolatore di tensione a bassi consumi |
| CN105305989B (zh) * | 2015-10-27 | 2018-03-30 | 工业和信息化部电子第五研究所 | 轨到轨运算放大器 |
| CN119182387B (zh) * | 2024-11-26 | 2025-03-07 | 珠海镓未来科技有限公司 | 具有分压限流结构的共源共栅级联型开关器件 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US4554515A (en) * | 1984-07-06 | 1985-11-19 | At&T Laboratories | CMOS Operational amplifier |
| US4958133A (en) * | 1989-11-13 | 1990-09-18 | Intel Corporation | CMOS complementary self-biased differential amplifier with rail-to-rail common-mode input-voltage range |
-
1993
- 1993-02-25 US US08/023,254 patent/US5337008A/en not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-02-03 DE DE69415701T patent/DE69415701T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-02-03 EP EP94300816A patent/EP0613240B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-02-23 JP JP04966894A patent/JP3425466B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
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| DE69415701D1 (de) | 1999-02-18 |
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| JPH0715249A (ja) | 1995-01-17 |
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