JP3428303B2 - Ion irradiation equipment - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、磁極の先端部が
真空容器内に貫入した構造の偏向マグネットによってイ
オンビームを偏向してそれを基板に照射して当該基板に
イオン注入等の処理を施すイオン照射装置に関し、より
具体的には、磁極が散乱粒子によってスパッタされるこ
とによって基板に金属コンタミネーションが生じるのを
防止する手段に関する。
【0002】
【従来の技術】図4は、イオン照射装置の一例を示す横
断面図である。この装置は、イオンビーム2を磁気的に
平行走査すると共に、基板12を機械的に走査する、い
わゆるハイブリッドパラレルスキャン方式のイオン注入
装置の場合の例である。
【0003】この装置は、図示しないイオン源から引き
出され、必要に応じて質量分離、加速等の行われたイオ
ンビーム2から特定のエネルギーのイオンを選別して導
出するエネルギー分析マグネット4と、このエネルギー
分析マグネット4の下流側に設けられていて、同エネル
ギー分析マグネット4から導出されたイオンビーム2を
磁気的に一次元で(図示例では紙面に沿って)往復走査
する走査マグネット6と、この走査マグネット6の下流
側に設けられていて、同走査マグネット6から導出され
たイオンビーム2を基準軸7に対して平行になるように
曲げ戻して走査マグネット6と協働してイオンビーム2
の平行走査を行うビーム平行化マグネット8と、このビ
ーム平行化マグネット8の下流側に設けられていて、同
ビーム平行化マグネット8から導出されたイオンビーム
2の照射領域内で基板(例えばシリコンウェーハ)12
を前記走査マグネット6におけるイオンビーム2の走査
方向と実質的に直交する方向に(図示例では紙面の表裏
方向に)機械的に走査する基板走査機構14とを備えて
いる。16〜19は真空容器である。この基板12にイ
オンビーム2が照射されてイオン注入等の処理が施され
る。
【0004】上記エネルギー分析マグネット4、走査マ
グネット6およびビーム平行化マグネット8は、いずれ
も、イオンビーム2を磁気的に偏向させるものであり、
偏向マグネットの一種である。これらは、この例では、
その磁極の先端部が真空容器16〜18内に貫入した貫
入構造を採用している。
【0005】これを、最下流側のビーム平行化マグネッ
ト8を例に説明すると、このビーム平行化マグネット8
は、例えば図5に示すように、先端部が真空容器18内
に貫入した上下二つの磁極20と、それらの間を繋ぐヨ
ーク22と、磁極20を励磁する励磁コイル24とを有
している。磁極20の先端部を真空容器18内に貫入さ
せているのは、磁極間の間隔を小さくして磁極間におけ
る磁束密度を高めることができ、それによって当該ビー
ム平行化マグネット8およびそれ用の電源等の小型化を
図ることができるためである。なお、磁極20とヨーク
22とは、この例では分解組立等を容易にするために互
いに別体としているが、一体としても良い。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記のような貫入構造
のビーム平行化マグネット8の場合は、その磁極20の
先端部がイオンビーム2から見通せる状態にある。この
ような磁極20の先端部に、イオンビーム2が直接当た
ることは通常はないけれども、イオンビーム2と衝突す
ることによって散乱させられた残留ガス粒子や、あるい
は逆に残留ガスによって散乱させられたビーム粒子(即
ちイオンビーム2を構成するイオン、電子等の粒子)等
の散乱粒子26が、その量は通常はあまり多くないけれ
ども、磁極20の先端部に衝突することが起こり得る。
【0007】それが起こると、磁極20の表面から磁極
構成粒子、典型的には鉄がスパッタされ、そのスパッタ
粒子28の一部が下流側の基板12(図4参照)側に向
かい、基板12に到達して、基板12にいわゆる金属コ
ンタミネーション(金属による汚染)を生じさせる恐れ
がある。それが生じると、例えば基板表面のデバイスの
特性を乱す等の不具合が発生する。
【0008】このような問題は、基板12に近い偏向マ
グネットほど深刻になる、即ちこの例の場合はビーム平
行化マグネット8において最も大きくなるけれども、他
の偏向マグネット、即ちこの例ではエネルギー分析マグ
ネット4や走査マグネット6にも大なり小なり存在す
る。
【0009】そこでこの発明は、上記のような貫入構造
の偏向マグネットの磁極の先端部が散乱粒子によってス
パッタされることによって基板に金属コンタミネーショ
ンが生じるのを防止することを主たる目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】この発明のイオン照射装
置は、前述したような貫入構造の偏向マグネットの磁極
の先端部に、非磁性板の表面を前記基板を構成する元素
から成る被覆膜で覆って成る着脱可能な遮蔽板を被せて
取り付けて、当該遮蔽板で前記磁極の先端部を覆ってい
ることを特徴とする。
【0011】上記構成によれば、真空容器内に貫入した
磁極の先端部を遮蔽板で覆っているので、当該磁極の先
端部が散乱粒子によってスパッタされることはなくな
る。
【0012】その代わりに、遮蔽板の表面を覆う被覆膜
が散乱粒子によってスパッタされ得るが、当該被覆膜は
基板を構成する元素から成るので、仮に当該被覆膜から
のスパッタ粒子が基板に到達したとしても、基板にそれ
を構成する元素の粒子が単に入るだけであるから、金属
コンタミネーションは生じない。その結果、基板に対す
る金属コンタミネーションを大幅に低減することができ
る。
【0013】
【発明の実施の形態】図1は、この発明に係るイオン照
射装置のビーム平行化マグネット周りの一例を示す縦断
面図であり、図4のA−A断面に相当する。図5の従来
例と同一または相当する部分には同一符号を付し、以下
においては当該従来例との相違点を主に説明する。
【0014】この実施例においては、偏向マグネットの
一例である前述したビーム平行化マグネット8の上下の
磁極20の先端部に遮蔽板30をそれぞれ被せて、それ
で各磁極20の先端部を覆っている。この遮蔽板30
は、この例では複数本のねじ34によって磁極20の先
端部に着脱可能に取り付けている。
【0015】この遮蔽板30は、図2に示すように、非
磁性板31の表面を、前述した基板12(図4参照)と
同系の元素、より具体的には当該基板12を構成する元
素から成る被覆膜32で覆ったものである。非磁性板3
1を用いるのは、磁極20に出入りする磁界を乱さない
ためである。
【0016】非磁性板31の材質は、加工が容易かつア
ウトガス(放出ガス)が少ない等の理由から、例えばア
ルミニウム、ステンレス(SUS)等の非磁性金属が好
ましいけれども、金属以外のものでも良い。その内でも
アルミニウムは、軽くて加工が容易であるのでより好ま
しい。非磁性板31の厚さは、あまり薄いと強度的に弱
くなり、あまり厚いと加工性が悪くなるので、例えば1
mm〜2mm程度にするのが好ましい。
【0017】被覆膜32は、基板12が例えばシリコン
基板の場合はシリコン層にする。その他の半導体基板の
場合は、その半導体を構成する元素から成る膜にする。
この被覆膜32の厚さは、あまり薄いと寿命が短くな
り、あまり厚いと膜形成が容易でなくなるので、例えば
数μm〜数十μm程度にするのが好ましい。
【0018】遮蔽板30の磁極20の先端部への取付け
は、例えばこの例のようにねじ34を用いる場合は、当
該ねじ34が散乱粒子26でスパッタされないようにす
るために、この例のように磁極20の側面で行うのが好
ましい。
【0019】もっとも、例えば図3に示す例のように、
互いに嵌合する凸部36および凹部38を遮蔽板30側
と磁極20側とに、あるいはその逆に、それぞれ設けて
おいてこれらの嵌合によって遮蔽板30を磁極20の先
端部に着脱可能に被せても良い。また、互いに嵌合する
ピンとそれの受け部とを遮蔽板30側と磁極20側と
に、あるいはその逆に、それぞれ設けておいても良い。
この後者の例の場合は、遮蔽板30を磁極20の先端面
で取り付けることも可能である。これらの場合はいずれ
も、ワンタッチで簡単に、遮蔽板30の着脱を行うこと
ができる。またねじの場合と違って、取り付け用の部材
が散乱粒子26によってスパッタされる恐れもない。
【0020】上記構成によれば、真空容器18内に貫入
した磁極20の先端部を遮蔽板30で覆っているので、
当該磁極20の先端部が前述したような散乱粒子26に
よってスパッタされることはなくなる。
【0021】その代わりに、遮蔽板30の表面を覆う被
覆膜32が散乱粒子26によってスパッタされ得るが、
当該被覆膜32は基板12を構成する元素から成るの
で、仮に当該被覆膜32からのスパッタ粒子28が基板
12に到達したとしても、基板12にそれを構成する元
素の粒子が単に入るだけであるから、基板12に対して
悪影響を殆ど及ぼさない。即ち、金属コンタミネーショ
ンは生じない。その結果、基板に対する金属コンタミネ
ーションを大幅に低減することができ、金属コンタミネ
ーションによって基板表面のデバイスの特性を乱す等の
不具合が発生することを防止することができる。
【0022】しかも、遮蔽板30の表面は、散乱粒子2
6の入射等によって汚れるので時々清掃する必要がある
けれども、この遮蔽板30は着脱可能であるのでそれを
簡単に交換することができ、それによって上記清掃に伴
う当該イオン照射装置の停止時間を短縮することができ
る。
【0023】なお、上記のように遮蔽板30を被せる技
術は、基板12側に近い偏向マグネットに、例えばこの
例のようにビーム平行化マグネット8に適用するほど、
基板12に対する金属コンタミネーション防止の効果は
大きいけれども、他の偏向マグネット、例えば前述した
エネルギー分析マグネット4や走査マグネット6にも適
用することができ、その場合でも同上の理由から、ビー
ム平行化マグネット8場合ほどではないにしても、基板
12に対する金属コンタミネーション防止の効果を奏す
ることができる。
【0024】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、真空容
器内に貫入した磁極の先端部を遮蔽板で覆っているの
で、当該磁極の先端部が散乱粒子によってスパッタされ
ることはなくなる。その代わりに、遮蔽板の表面を覆う
被覆膜が散乱粒子によってスパッタされ得るが、当該被
覆膜は基板を構成する元素から成るので、仮に当該被覆
膜からのスパッタ粒子が基板に到達したとしても、基板
にそれを構成する元素の粒子が単に入るだけであるか
ら、金属コンタミネーションは生じない。その結果、基
板に対する金属コンタミネーションを大幅に低減するこ
とができる。
【0025】しかも、遮蔽板の表面は散乱粒子の入射等
によって汚れるので時々清掃する必要があるけれども、
この遮蔽板は着脱可能であるのでそれを簡単に交換する
ことができ、それによって上記清掃に伴う当該イオン照
射装置の停止時間を短縮することができる。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of deflecting an ion beam by a deflecting magnet having a structure in which a tip of a magnetic pole penetrates a vacuum vessel, and irradiating the ion beam to a substrate. The present invention relates to an ion irradiation apparatus for performing a process such as ion implantation on the substrate, and more specifically, to a means for preventing metal contamination from occurring on the substrate due to a magnetic pole being sputtered by scattering particles. FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of an ion irradiation apparatus. This apparatus is an example of a so-called hybrid parallel scan type ion implantation apparatus that performs magnetically parallel scanning of the ion beam 2 and mechanically scans the substrate 12. [0003] This apparatus includes an energy analysis magnet 4 which is extracted from an ion source (not shown), and which separates and derives ions having a specific energy from an ion beam 2 which has been subjected to mass separation, acceleration, and the like as necessary. A scanning magnet 6 that is provided downstream of the energy analysis magnet 4 and that reciprocally scans the ion beam 2 derived from the energy analysis magnet 4 in one dimension magnetically (along the paper surface in the illustrated example); The ion beam 2, which is provided downstream of the scanning magnet 6 and is bent back from the scanning magnet 6 so as to be parallel to the reference axis 7 and cooperates with the scanning magnet 6.
And a substrate (for example, a silicon wafer) in the irradiation area of the ion beam 2 provided downstream of the beam collimating magnet 8 and derived from the beam collimating magnet 8. ) 12
And a substrate scanning mechanism 14 for mechanically scanning the scanning magnet 6 in a direction substantially perpendicular to the scanning direction of the ion beam 2 by the scanning magnet 6 (in the illustrated example, in the direction of the front and back of the paper). Reference numerals 16 to 19 are vacuum containers. The substrate 12 is irradiated with the ion beam 2 to perform processing such as ion implantation. The energy analysis magnet 4, the scanning magnet 6, and the beam collimating magnet 8 all deflect the ion beam 2 magnetically.
It is a kind of deflection magnet. These are, in this example,
A penetrating structure in which the tip of the magnetic pole penetrates into the vacuum vessels 16 to 18 is employed. [0005] This will be described with reference to the most downstream beam collimating magnet 8 as an example.
Has, for example, as shown in FIG. 5, two upper and lower magnetic poles 20 whose tips penetrate into the vacuum vessel 18, a yoke 22 connecting them, and an exciting coil 24 for exciting the magnetic poles 20. . The reason why the tip of the magnetic pole 20 is penetrated into the vacuum vessel 18 is that the distance between the magnetic poles can be reduced to increase the magnetic flux density between the magnetic poles. This is because downsizing can be achieved. In this example, the magnetic pole 20 and the yoke 22 are separate from each other in order to facilitate disassembly and assembly, but may be integrated. [0006] In the case of the beam collimating magnet 8 having the above-described penetrating structure, the tip of the magnetic pole 20 is in a state where it can be seen from the ion beam 2. Although the ion beam 2 does not normally directly hit the tip of the magnetic pole 20, the residual gas particles scattered by colliding with the ion beam 2, or conversely, are scattered by the residual gas. Scattering particles 26 such as beam particles (that is, particles of ions, electrons, etc. constituting the ion beam 2) may collide with the tip of the magnetic pole 20, though the amount is usually not so large. When this occurs, the particles constituting the magnetic pole, typically iron, are sputtered from the surface of the magnetic pole 20, and a part of the sputtered particles 28 is directed toward the substrate 12 (see FIG. 4) on the downstream side. To cause so-called metal contamination (contamination by metal) on the substrate 12. When this occurs, problems such as disturbing the characteristics of the device on the substrate surface occur. Such a problem becomes more serious as the deflection magnet is closer to the substrate 12, that is, the largest in the case of the beam collimating magnet 8 in this example, but other deflection magnets, that is, the energy analysis magnet 4 in this example. And the scanning magnet 6 is present to a greater or lesser extent. SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to prevent a metal contamination from occurring on a substrate due to the fact that the tip of the magnetic pole of a deflection magnet having the above-described penetrating structure is sputtered by scattering particles. In the ion irradiation apparatus according to the present invention, the surface of the non-magnetic plate is made of the element constituting the substrate at the tip of the magnetic pole of the deflection magnet having the penetrating structure as described above. Cover with a removable shielding plate covered with a coating film
It is characterized in that it is attached and the tip of the magnetic pole is covered with the shielding plate. According to the above configuration, since the tip of the magnetic pole penetrating into the vacuum vessel is covered with the shielding plate, the tip of the magnetic pole is not sputtered by scattering particles. Alternatively, a coating film covering the surface of the shielding plate may be sputtered by the scattering particles. However, since the coating film is composed of the elements constituting the substrate, the sputtered particles from the coating film may be sputtered. , Metal particles do not occur because only the particles of the constituent elements enter the substrate. As a result, metal contamination on the substrate can be significantly reduced. FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing an example of the periphery of a beam collimating magnet of an ion irradiation apparatus according to the present invention, and corresponds to a section taken along line AA of FIG. Parts that are the same as or correspond to those in the conventional example of FIG. 5 are denoted by the same reference numerals, and differences from the conventional example will be mainly described below. In this embodiment, shielding plates 30 are respectively placed on the top ends of the upper and lower magnetic poles 20 of the above-mentioned beam collimating magnet 8, which is an example of a deflection magnet, and cover the front ends of the respective magnetic poles 20. . This shielding plate 30
Is detachably attached to the tip of the magnetic pole 20 by a plurality of screws 34 in this example. As shown in FIG. 2, the shielding plate 30 is formed by coating the surface of the non-magnetic plate 31 with an element similar to the above-described substrate 12 (see FIG. 4), more specifically, an element constituting the substrate 12. This is covered with a coating film 32 made of. Non-magnetic plate 3
The reason for using 1 is to not disturb the magnetic field entering and exiting the magnetic pole 20. The material of the non-magnetic plate 31 is preferably a non-magnetic metal such as aluminum or stainless steel (SUS), for example, because it is easy to process and has a small outgassing (outgassing), but may be other than metal. Among them, aluminum is more preferable because it is light and easy to process. If the thickness of the non-magnetic plate 31 is too thin, the strength becomes weak, and if it is too thick, the workability deteriorates.
It is preferable to set it to about 2 mm to 2 mm. The coating film 32 is a silicon layer when the substrate 12 is, for example, a silicon substrate. In the case of another semiconductor substrate, a film made of an element constituting the semiconductor is used.
If the thickness of the coating film 32 is too thin, the life is shortened, and if it is too thick, it becomes difficult to form the film. Therefore, it is preferable that the thickness is, for example, about several μm to several tens μm. The shield plate 30 is attached to the tip of the magnetic pole 20, for example, when a screw 34 is used as in this example, in order to prevent the screw 34 from being sputtered by the scattering particles 26, as in this example. It is preferable to perform it on the side surface of the magnetic pole 20. However, for example, as shown in FIG.
Protrusions 36 and recesses 38 to be fitted to each other are provided on the shield plate 30 side and the magnetic pole 20 side, or vice versa, and these fittings allow the shield plate 30 to be detachably attached to the tip of the magnetic pole 20. May be covered. Further, the pins to be fitted to each other and the receiving portions thereof may be provided on the shield plate 30 side and the magnetic pole 20 side, or vice versa.
In the case of the latter example, the shield plate 30 can be attached at the tip end surface of the magnetic pole 20. In any of these cases, the shield plate 30 can be easily attached and detached with a single touch. Further, unlike the case of the screw, there is no possibility that the mounting member is sputtered by the scattering particles 26. According to the above configuration, since the tip of the magnetic pole 20 penetrating into the vacuum vessel 18 is covered with the shielding plate 30,
The tip of the magnetic pole 20 will not be sputtered by the scattering particles 26 as described above. Alternatively, a coating film 32 covering the surface of the shielding plate 30 can be sputtered by the scattering particles 26,
Since the coating film 32 is made of the element constituting the substrate 12, even if the sputtered particles 28 from the coating film 32 reach the substrate 12, only particles of the element constituting the substrate 12 enter the substrate 12. Therefore, there is almost no adverse effect on the substrate 12. That is, no metal contamination occurs. As a result, metal contamination on the substrate can be significantly reduced, and problems such as disturbing the characteristics of devices on the substrate surface due to the metal contamination can be prevented. In addition, the surface of the shielding plate 30 is
Although it is necessary to clean the shield plate 30 occasionally because it is contaminated by the incident light of 6, for example, the shield plate 30 is detachable so that it can be easily replaced, thereby shortening the downtime of the ion irradiation apparatus associated with the cleaning. can do. The technique of covering the shielding plate 30 as described above is applied to a deflection magnet close to the substrate 12 side, for example, as the beam paralleling magnet 8 is applied as in this example.
Although the effect of preventing metal contamination on the substrate 12 is great, the present invention can be applied to other deflection magnets, for example, the above-described energy analysis magnet 4 and scanning magnet 6, and in this case, the beam collimating magnet 8 is also used for the same reason. Even if not so much, the effect of preventing metal contamination on the substrate 12 can be obtained. As described above, according to the present invention, since the tip of the magnetic pole penetrating into the vacuum vessel is covered with the shielding plate, the tip of the magnetic pole is sputtered by scattering particles. Is gone. Instead, the coating film covering the surface of the shielding plate can be sputtered by the scattering particles, but since the coating film is composed of the elements constituting the substrate, the sputtered particles from the coating film reach the substrate. However, even if only the particles of the elements constituting the substrate enter the substrate, no metal contamination occurs. As a result, metal contamination on the substrate can be significantly reduced. Moreover, since the surface of the shielding plate is contaminated by scattering particles or the like, it is necessary to clean it occasionally.
Since the shield plate is detachable, the shield plate can be easily replaced, thereby shortening the downtime of the ion irradiation apparatus associated with the cleaning.
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明に係るイオン照射装置のビーム平行化
マグネット周りの一例を示す縦断面図であり、図4のA
−A断面に相当する。
【図2】図1中の遮蔽板の断面図である。
【図3】遮蔽板の取付け構造の他の例を示す断面図であ
る。
【図4】イオン照射装置の一例を示す横断面図である。
【図5】従来のイオン照射装置のビーム平行化マグネッ
ト周りの一例を示す縦断面図であり、図4のA−A断面
に相当する。
【符号の説明】
2 イオンビーム
4 エネルギー分析マグネット(偏向マグネット)
6 走査マグネット(偏向マグネット)
8 ビーム平行化マグネット(偏向マグネット)
12 基板
16〜19 真空容器
20 磁極
30 遮蔽板
31 非磁性板
32 被覆膜BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing an example around a beam collimating magnet of an ion irradiation apparatus according to the present invention, and FIG.
-A section. FIG. 2 is a cross-sectional view of the shielding plate in FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view showing another example of the mounting structure of the shield plate. FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of an ion irradiation device. FIG. 5 is a longitudinal sectional view showing an example around a beam collimating magnet of the conventional ion irradiation apparatus, and corresponds to an AA section in FIG. [Description of Signs] 2 Ion beam 4 Energy analysis magnet (deflection magnet) 6 Scanning magnet (deflection magnet) 8 Beam collimation magnet (deflection magnet) 12 Substrates 16 to 19 Vacuum container 20 Magnetic pole 30 Shielding plate 31 Non-magnetic plate 32 Cover Coating
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平7−153406(JP,A) 特開 平4−319238(JP,A) 特開 平9−82268(JP,A) 特開 平6−60844(JP,A) 特開 平5−325873(JP,A) 特開 平9−259779(JP,A) 特開 平6−223771(JP,A) 特開 昭61−161713(JP,A) 実開 平1−85645(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01J 37/317 H01J 37/141 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A-7-153406 (JP, A) JP-A-4-319238 (JP, A) JP-A-9-82268 (JP, A) JP-A-6-82268 60844 (JP, A) JP-A-5-325873 (JP, A) JP-A-9-259779 (JP, A) JP-A-6-223771 (JP, A) JP-A-61-161713 (JP, A) 1-85645 (JP, U) (58) Fields studied (Int. Cl. 7 , DB name) H01J 37/317 H01J 37/141
Claims (1)
造の偏向マグネットによってイオンビームを偏向してそ
れを基板に照射する構成のイオン照射装置において、前
記偏向マグネットの磁極の先端部に、非磁性板の表面を
前記基板を構成する元素から成る被覆膜で覆って成る着
脱可能な遮蔽板を被せて取り付けて、当該遮蔽板で前記
磁極の先端部を覆っていることを特徴とするイオン照射
装置。(57) [Claim 1] In an ion irradiation apparatus configured to deflect an ion beam by a deflecting magnet having a structure in which a tip portion of a magnetic pole penetrates into a vacuum vessel and irradiate the ion beam to a substrate, At the tip of the magnetic pole of the deflection magnet, a non-magnetic plate is covered with a detachable shield plate covering the surface of the non-magnetic plate with a coating film made of an element constituting the substrate, and the shield plate attaches the tip of the magnetic pole. An ion irradiation device characterized by covering the surface.
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-
1996
- 1996-07-11 JP JP20288296A patent/JP3428303B2/en not_active Expired - Fee Related
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| JPH1027565A (en) | 1998-01-27 |
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