JP3428526B2 - Liquid crystal devices and electronic equipment - Google Patents
Liquid crystal devices and electronic equipmentInfo
- Publication number
- JP3428526B2 JP3428526B2 JP27525099A JP27525099A JP3428526B2 JP 3428526 B2 JP3428526 B2 JP 3428526B2 JP 27525099 A JP27525099 A JP 27525099A JP 27525099 A JP27525099 A JP 27525099A JP 3428526 B2 JP3428526 B2 JP 3428526B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective film
- electrode
- liquid crystal
- crystal device
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 91
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 124
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 64
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 48
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 28
- 238000004040 coloring Methods 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 130
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 12
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 210000000707 wrist Anatomy 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133357—Planarisation layers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133514—Colour filters
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶装置及びこの
液晶装置を備えた電子機器に関するものであり、特に、
走査電極あるいはデータ電極となるストライプ状の電極
の一部に電極幅の狭い部分を設けることによって電極の
形成時に走査電極同士の短絡を防止できるようにした液
晶装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal device and electronic equipment equipped with this liquid crystal device, and
The present invention relates to a liquid crystal device capable of preventing a short circuit between scan electrodes when forming electrodes by providing a narrow electrode width portion in a part of a stripe electrode serving as a scan electrode or a data electrode.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、例えばTFD素子(Thin Film dio
de)を用いた液晶装置は、TFD素子及び画素電極が形
成された透明基板、いわゆるアレイ基板を有すると共
に、この透明基板に対向する対向基板を有している。2. Description of the Related Art Conventionally, for example, a TFD element (Thin Film dio
The liquid crystal device using de) has a transparent substrate on which the TFD element and the pixel electrode are formed, a so-called array substrate, and also has a counter substrate facing the transparent substrate.
【0003】透明基板及び対向基板の互いに対向する面
と反対側の面には、それぞれ偏光板が貼り付けられ、透
明基板及び対向基板の互いに対向する面には、配向膜が
形成され、これらの対向する配向膜の間に液晶層及びス
ペーサ等が配置されている。Polarizing plates are attached to the surfaces of the transparent substrate and the counter substrate opposite to the surfaces thereof facing each other, and an alignment film is formed on the surfaces of the transparent substrate and the counter substrate facing each other. A liquid crystal layer, a spacer, and the like are arranged between the facing alignment films.
【0004】図17に上述の液晶装置の対向基板の要部
平面図を示し、図18には図17のA−A’線に沿う断
面図を示す。尚、これらの図は、対向基板の構成を説明
するためのものであり、図示される各部の大きさや厚さ
や寸法等は、実際の対向基板の寸法関係とは異なる。FIG. 17 is a plan view of a main part of a counter substrate of the above-mentioned liquid crystal device, and FIG. 18 is a sectional view taken along the line AA 'in FIG. These drawings are for explaining the configuration of the counter substrate, and the sizes, thicknesses, dimensions, etc. of the respective parts shown in the drawings are different from the actual dimensional relationship of the counter substrate.
【0005】図17と図18に示すように、対向基板2
0上には複数の色材層21…が形成され、各色材層21
…の間には、マトリックス状に形成されたクロム等から
なる遮光層22が設けられている。As shown in FIGS. 17 and 18, the counter substrate 2
A plurality of color material layers 21 ...
A light-shielding layer 22 made of chromium or the like formed in a matrix is provided between the ...
【0006】更に対向基板20には、図17及び図18
に示すように、各色材層21…及び遮光層22を覆う保
護膜23が設けられている。これら色材層21…、遮光
層22及び保護膜23によりいわゆるカラーフィルタが
構成されている。Further, the counter substrate 20 has a structure shown in FIGS.
As shown in, a protective film 23 is provided to cover the color material layers 21 ... And the light shielding layer 22. These color material layers 21, ..., Light-shielding layer 22 and protective film 23 constitute a so-called color filter.
【0007】また、図18に示すように、保護膜23
は、有効領域の最外周に位置する色材層21と遮光層2
2の最外周の輪郭を構成する遮光層外縁部22aとによ
る段差23bが形成され、遮光層外縁部22aの外側に
位置する保護膜周縁部23aにも保護膜23の膜厚によ
る段差23cが形成されている。これらの段差23b、
23cによる段差部の合計の高さ、即ち対向基板20の
上面(保護膜の非形成領域26)から、有効領域27に
おける保護膜23の上面までの高さは、一般的な液晶装
置において約5μm程度とされている。Further, as shown in FIG. 18, the protective film 23
Is the color material layer 21 and the light shielding layer 2 located on the outermost periphery of the effective area.
2. A step 23b is formed by the light-shielding layer outer edge portion 22a forming the outermost peripheral contour of No. 2, and a step 23c due to the thickness of the protective film 23 is also formed on the protective film peripheral edge portion 23a located outside the light-shielding layer outer edge portion 22a. Has been done. These steps 23b,
The total height of the stepped portions due to 23c, that is, the height from the upper surface of the counter substrate 20 (the area where the protective film is not formed 26) to the upper surface of the protective film 23 in the effective area 27 is about 5 μm in a general liquid crystal device. It is considered as a degree.
【0008】そして、保護膜23上には複数の短冊状の
走査電極あるいはデータ電極として機能するストライプ
電極24…が形成されている。A plurality of striped stripe electrodes 24 ... Which function as scanning electrodes or data electrodes are formed on the protective film 23.
【0009】ストライプ電極24…は、ITO(Indium
Tin Oxide)膜等の透明導電性膜からなるもので、図17
及び図18に示すように、保護膜23上(保護膜の形成
領域25)に形成され、保護膜周縁部23aを経て保護
膜23の非形成領域26まで延在している。The striped electrodes 24 ... Are made of ITO (Indium).
It is composed of a transparent conductive film such as a Tin Oxide) film.
Further, as shown in FIG. 18, it is formed on the protective film 23 (the protective film forming region 25) and extends to the non-forming region 26 of the protective film 23 via the protective film peripheral portion 23a.
【0010】なお、保護膜の非形成領域26とは、保護
膜23が形成されていない領域を指し、具体的には基板
20の上面が露出している保護膜23の周囲の領域を指
す。The protective film non-formation region 26 refers to a region where the protective film 23 is not formed, specifically, a region around the protective film 23 where the upper surface of the substrate 20 is exposed.
【0011】現在一般的な高精細な液晶装置におけるス
トライプ電極24の電極幅は100μm前後とされ、各
ストライプ電極24、24間の間隔(以下、配線間ギャ
ップGと記載する)は20μm以下とされている。更
に、高解像度の液晶装置の場合は特に、配線間ギャップ
Gが12μm以下に形成されるようになっている。The electrode width of the stripe electrode 24 in a currently popular high-definition liquid crystal device is about 100 μm, and the distance between the stripe electrodes 24, 24 (hereinafter referred to as the inter-wiring gap G) is 20 μm or less. ing. Further, especially in the case of a high resolution liquid crystal device, the inter-wiring gap G is formed to be 12 μm or less.
【0012】このITOからなる短冊状のストライプ電
極24…は、いわゆるフォトリソグラフィ技術により形
成される。即ち、保護膜23及び対向基板20上におい
てスパッタリング等によるITO層の形成、ITO層へ
のポジ型レジスト層の形成、露光・現像によるポジ型レ
ジストのパターニング、パターニングされたレジストを
マスクとするITO層のエッチング等の工程を経て形成
される。The striped stripe electrodes 24 ... Of ITO are formed by a so-called photolithography technique. That is, the ITO layer is formed on the protective film 23 and the counter substrate 20 by sputtering or the like, the positive resist layer is formed on the ITO layer, the positive resist is patterned by exposure and development, and the ITO layer is formed by using the patterned resist as a mask. Is formed through a process such as etching.
【0013】尚、配線間ギャップGはストライプ電極2
4の電極幅と比較して極めて小さく、ばらつきを生じる
ことがあるため、ストライプ電極24…を形成した後
に、配線間ギャップGを顕微鏡等で目視により検査して
いる。The inter-wiring gap G is defined by the stripe electrode 2
Since it is extremely smaller than the electrode width of No. 4 and may cause variations, the inter-wiring gap G is visually inspected with a microscope or the like after the stripe electrodes 24 are formed.
【0014】配線間ギャップGのばらつきは、ストライ
プ電極24…と、透明基板上に設けられた画素電極との
位置ずれの原因になることから、配線間ギャップGの検
査は保護膜23の形成領域25において行うのが最も好
ましいと考えられる。Since the variation in the inter-wiring gap G causes the positional deviation between the stripe electrodes 24 ... And the pixel electrodes provided on the transparent substrate, the inter-wiring gap G is inspected in the formation region of the protective film 23. It is considered that it is most preferable to carry out at 25.
【0015】しかし、保護膜23の形成領域25、特に
有効領域27においては、透明なストライプ電極24の
下側に光反射率の高い遮光層22が位置しているので、
遮光層22からの反射光によりストライプ電極24…の
視認が難しくなり、保護膜23の形成領域25での配線
間ギャップGの検査が難しくなっている。従って配線間
ギャップGの検査は通常、ストライプ電極24…の電極
幅がその長手方向に沿って一定であることを利用し、有
効領域27の外側にて行なっていた。However, in the region 25 where the protective film 23 is formed, particularly in the effective region 27, the light-shielding layer 22 having a high light reflectance is located below the transparent stripe electrode 24.
Due to the reflected light from the light-shielding layer 22, it becomes difficult to visually recognize the stripe electrodes 24, and it becomes difficult to inspect the inter-wiring gap G in the formation region 25 of the protective film 23. Therefore, the inspection of the inter-wiring gap G is usually performed outside the effective area 27 by utilizing the fact that the electrode width of the stripe electrodes 24 is constant along the longitudinal direction thereof.
【0016】[0016]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のスト
ライプ電極24…の形成工程では、ITO層上に積層す
るポジ型レジストの厚さが、段差部23b、23c付近
で規定の厚さよりも大きくなる場合がある。ポジ型レジ
ストの厚さが規定より大きくなる部分では露光が不完全
になりやすく、このため段差部23b、23c付近のポ
ジ型レジストの一部が現像後も残存することがある。こ
のレジストの残存部分の存在は、例えば図17に示すよ
うに、ストライプ電極24のバリ24xの発生や、スト
ライプ電極24、24同士を短絡させるブリッジ24y
の発生の原因となり、液晶装置の歩留まり低下の遠因と
なっていた。By the way, in the above-mentioned step of forming the stripe electrodes 24, the thickness of the positive resist laminated on the ITO layer becomes larger than the prescribed thickness in the vicinity of the step portions 23b and 23c. There are cases. In the portion where the thickness of the positive resist is larger than the specified value, the exposure is likely to be incomplete, and therefore, the positive resist in the vicinity of the step portions 23b and 23c may remain after the development. The presence of the remaining portion of the resist causes the generation of burrs 24x of the stripe electrodes 24 and the bridge 24y for short-circuiting the stripe electrodes 24, 24 as shown in FIG.
This has been a cause of the occurrence of the above-mentioned phenomenon, which has been a cause of a decrease in the yield of the liquid crystal device.
【0017】また、バリ24xやブリッジ24yが発生
すると、ストライプ電極24…の電極幅がその長手方向
に沿って一定にならなくなるので、有効領域27の外側
で配線間ギャップGを検査した意味が無く、液晶装置の
歩留まりの向上が困難となっていた。Further, when the burrs 24x and the bridges 24y are generated, the electrode widths of the stripe electrodes 24 are not constant along the longitudinal direction thereof, so that it is meaningless to inspect the inter-wiring gap G outside the effective area 27. However, it has been difficult to improve the yield of liquid crystal devices.
【0018】特に、ストライプ電極24、24同士の短
絡は、配線間ギャップGが小さい高解像度の液晶装置に
多く発生し、これにより高解像度の液晶装置の歩留まり
が低くなっていた。In particular, short circuits between the stripe electrodes 24, 24 often occur in a high resolution liquid crystal device having a small inter-wiring gap G, which reduces the yield of the high resolution liquid crystal device.
【0019】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
であって、電極同士が短絡することなく、製造工程にお
ける歩留まりが高く、また配線間ギャップの測定が容易
に行える液晶装置を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a liquid crystal device in which electrodes are not short-circuited, a yield in a manufacturing process is high, and a gap between wirings can be easily measured. With the goal.
【0020】[0020]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は以下の構成を採用した。In order to achieve the above object, the present invention has the following constitutions.
【0021】本発明の液晶装置は、複数の色材層と、前
記色材層の周囲にある遮光層と、前記色材層および前記
遮光層を覆っている保護膜と、前記保護膜上にストライ
プ状に配置された複数の電極とを有する基板を具備した
液晶装置であって、前記基板上には前記保護膜が形成さ
れた形成領域と、前記保護膜が形成されていない非形成
領域とがあり、前記保護膜は、前記保護膜の形成領域と
前記保護膜の非形成領域との切り換わりに段差部を有
し、前記電極は前記非形成領域に延在しており、前記段
差部上にある前記電極の幅は、前記色材層上にある前記
電極の幅より狭く、前記非形成領域にある前記電極は、
該電極の幅が前記色材層上にある前記電極の幅と一致す
る部分を有することを特徴とする。In the liquid crystal device of the present invention, a plurality of color material layers, a light shielding layer around the color material layer, a protective film covering the color material layer and the light shielding layer, and a protective film on the protective film. A liquid crystal device comprising a substrate having a plurality of electrodes arranged in stripes, wherein a formation region on which the protective film is formed and a non-formation region on which the protective film is not formed are formed on the substrate. The protective film has a step portion at the switching between the protective film forming region and the protective film non-forming region, and the electrode extends to the non-forming region. The width of the upper electrode is narrower than the width of the electrode on the color material layer, and the electrode in the non-formation region is
The width of the electrode has a portion corresponding to the width of the electrode on the color material layer.
【0022】また、本発明の液晶装置は、複数の色材層
と、前記色材層の周囲にある遮光層と、前記色材層およ
び前記遮光層を覆っている保護膜と、前記保護膜上にス
トライプ状に配置された複数の電極とを有する基板を具
備した液晶装置であって、前記基板上には前記保護膜が
形成された形成領域と、前記保護膜が形成されていない
非形成領域とがあり、前記保護膜は、前記保護膜の形成
領域と前記保護膜の非形成領域との切り換わりに段差部
を有し、前記電極は前記非形成領域に延在しており、前
記段差部上にある隣り合う前記電極間のギャップが、前
記色材層上にある隣り合う前記電極間のギャップよりも
大きく、前記非形成領域にある隣り合う前記電極は、該
電極間のギャップが前記色材層上にある隣り合う前記電
極間のギャップと一致する部分を有することを特徴とす
る。Further, in the liquid crystal device of the present invention, a plurality of color material layers, a light shielding layer around the color material layer, a protective film covering the color material layer and the light shielding layer, and the protective film. A liquid crystal device comprising a substrate having a plurality of electrodes arranged in a stripe pattern on the substrate, wherein a formation region in which the protective film is formed and a non-formation in which the protective film is not formed on the substrate. A region, the protective film has a step portion for switching between the formation region of the protective film and the non-formation region of the protective film, and the electrode extends to the non-formation region, The gap between the adjacent electrodes on the step portion is larger than the gap between the adjacent electrodes on the color material layer, and the adjacent electrodes in the non-formation region have a gap between the electrodes. And a gap between the adjacent electrodes on the color material layer And having a match portion.
【0023】係る液晶装置によれば、保護膜の段差部で
電極の幅が狭くされるように構成されており、この構成
によって保護膜の段差部における電極間の間隔(以下、
配線間ギャップと記載する)が大きくなるので、段差部
での電極同士の短絡を防止することが可能になる。According to such a liquid crystal device, the width of the electrode is narrowed at the step portion of the protective film, and by this configuration, the distance between the electrodes at the step portion of the protective film (hereinafter,
It becomes possible to prevent a short circuit between the electrodes at the step portion because the inter-wiring gap) is increased.
【0024】係る液晶装置によれば、電極の幅が、保護
膜の段差部で狭くされると共に、保護膜の非形成領域に
おける電極幅が有効領域の保護膜上に配設された電極の
幅に一致するように構成されている。この構成を採用す
ることによって、保護膜の段差部上に配設された電極の
配線間ギャップが大きくなり、これにより段差部での電
極同士の短絡が防止される。According to such a liquid crystal device, the width of the electrode is narrowed at the step portion of the protective film, and the electrode width in the region where the protective film is not formed is the width of the electrode provided on the protective film in the effective region. Is configured to match. By adopting this configuration, the inter-wiring gap of the electrodes arranged on the stepped portion of the protective film becomes large, which prevents short-circuiting of the electrodes at the stepped portion.
【0025】また、保護膜の非形成領域側における電極
幅が有効領域における電極幅に一致するために、配線間
ギャップを保護膜の非形成領域で測定することができ、
遮光層の反射光により配線間ギャップの測定が妨害され
ることがない。Since the electrode width on the side where the protective film is not formed matches the electrode width on the effective area, the inter-wiring gap can be measured in the area where the protective film is not formed.
The reflected light of the light shielding layer does not interfere with the measurement of the inter-wiring gap.
【0026】また、上記液晶装置において、前記非形成
領域にある前記電極の輪郭を構成する一対の辺は、前記
有効領域にある前記電極の輪郭を構成する一対の辺の延
長線上にあることを特徴とする。In the liquid crystal device, the pair of sides forming the contour of the electrode in the non-formation area is on an extension line of the pair of sides forming the contour of the electrode in the effective area. Characterize.
【0027】係る液晶装置によれば、保護膜の非形成領
域における電極の一対の辺が、有効領域における電極の
一対の辺の延長線上にあるので、保護膜の非形成領域に
おいて配線間ギャップをより正確に測定することが可能
になる。According to this liquid crystal device, since the pair of sides of the electrode in the region where the protective film is not formed are on the extension lines of the pair of sides of the electrode in the effective region, the inter-wiring gap is formed in the region where the protective film is not formed. It becomes possible to measure more accurately.
【0028】[0028]
【発明の実施の形態】(第1の実施形態)以下、本発明
の第1の実施の形態を図面を参照して説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION (First Embodiment) A first embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0029】図1に本発明の第1の実施形態である液晶
装置の斜視図を示し、図2には図1に示す液晶装置の要
部の斜視図を示す。尚、これらの図は、液晶装置の構成
を説明するためのものであり、図示される各部の大きさ
や厚さや寸法等は、実際の液晶装置の寸法関係とは異な
る。FIG. 1 shows a perspective view of a liquid crystal device according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 shows a perspective view of a main part of the liquid crystal device shown in FIG. It should be noted that these drawings are for explaining the configuration of the liquid crystal device, and the sizes, thicknesses, dimensions, etc. of the respective parts shown in the drawings are different from the dimensional relationships of the actual liquid crystal device.
【0030】図1に示す液晶装置1は、TFD素子(Thi
n Film diode)を用いたもので、図1に示すように、T
FD素子が形成された透明基板10、いわゆるアレイ基
板を有すると共に、透明基板10に対向する位置に対向
基板20が配置されている。The liquid crystal device 1 shown in FIG. 1 has a TFD element (Thi
n film diode), as shown in FIG.
The transparent substrate 10 on which the FD element is formed, which is a so-called array substrate, is provided, and the counter substrate 20 is arranged at a position facing the transparent substrate 10.
【0031】透明基板10には図2に示すように、マト
リックス状に配置されたTFD素子14…と、複数の信
号線あるいは走査線として機能する配線15…とが形成
されており、各配線15…は複数のTFD素子14…を
直列に接続している。また、各TFD素子14…には画
素電極16…が接続されている。As shown in FIG. 2, the transparent substrate 10 is formed with TFD elements 14 arranged in a matrix and wirings 15 functioning as a plurality of signal lines or scanning lines. Are connected with a plurality of TFD elements 14 in series. Further, the pixel electrodes 16 ... Are connected to the respective TFD elements 14.
【0032】また、図2に示すように、透明基板10及
び対向基板20の互いに対向する面の反対側の面には、
偏光板30、31がそれぞれ貼り付けられている。ま
た、透明基板10及び対向基板20の互いに対向する面
には、図示しないが配向膜が形成されており、これらの
対向する配向膜の間に液晶層及びスペーサ等が配置され
ている。Further, as shown in FIG. 2, on the surfaces of the transparent substrate 10 and the counter substrate 20 opposite to the surfaces facing each other,
Polarizing plates 30 and 31 are attached respectively. An alignment film (not shown) is formed on the surfaces of the transparent substrate 10 and the counter substrate 20 that face each other, and a liquid crystal layer, a spacer, and the like are arranged between the facing alignment films.
【0033】また、図3に対向基板20の要部(図1に
示す2点鎖線枠内)の平面図を示し、図4には図3に示
すB−B’線に沿う断面図を示す。尚、これらの図は、
図1及び図2と同様、液晶装置の構成を説明するための
ものであり、図示される各部の大きさや厚さや寸法等
は、実際の液晶装置の寸法関係とは異なる。FIG. 3 shows a plan view of the main part of the counter substrate 20 (inside the two-dot chain line frame shown in FIG. 1), and FIG. 4 shows a sectional view taken along the line BB 'shown in FIG. . In addition, these figures are
Similar to FIGS. 1 and 2, it is for explaining the configuration of the liquid crystal device, and the sizes, thicknesses, dimensions, etc. of the respective parts shown in the drawings are different from the actual dimensional relationship of the liquid crystal device.
【0034】図2、図3及び図4に示すように、対向基
板20上(図2では対向基板20の下側)には複数の色
材層21…が形成され、各色材層21…の間には、マト
リックス状に形成されたクロム等からなる遮光層22が
設けられている。As shown in FIGS. 2, 3 and 4, a plurality of color material layers 21 ... Is formed on the counter substrate 20 (lower side of the counter substrate 20 in FIG. 2). A light-shielding layer 22 made of chromium or the like and formed in a matrix is provided in between.
【0035】更に対向基板20には、図2〜図4に示す
ように、各色材層21…及び遮光層22を覆う保護膜2
3が設けられている。これら色材層21…、遮光層22
及び保護膜23によりいわゆるカラーフィルタが構成さ
れている。Further, on the counter substrate 20, as shown in FIGS. 2 to 4, the protective film 2 for covering the respective color material layers 21 ... And the light shielding layer 22 is provided.
3 is provided. These color material layers 21 ..., Light-shielding layer 22
A so-called color filter is configured by the protective film 23.
【0036】各色材層21…は、赤(R)、緑(G)、
青(B)のいずれかに着色されてなるもので、図3では
モザイク状に配置されているが、ストライプ状あるいは
トライアングル状などの他の態様に配置されたものであ
っても良い。The color material layers 21 ... Are composed of red (R), green (G),
Although it is colored in blue (B) and is arranged in a mosaic pattern in FIG. 3, it may be arranged in another pattern such as a stripe pattern or a triangle pattern.
【0037】遮光層22は、色材層21…を囲むように
マトリックス状に形成されたもので、クロム等からな
り、コントラストの向上、色材の混合防止などの機能、
いわゆるブラックマトリックスとしての機能を有してい
るものである。The light-shielding layer 22 is formed in a matrix shape so as to surround the color material layers 21 and is made of chrome or the like, and has a function of improving contrast, preventing mixing of color materials, and the like.
It has a function as a so-called black matrix.
【0038】また、図4に示すように、保護膜23は、
有効領域27の最外周にある色材層と遮光層22の最外
周の輪郭を構成する遮光層外縁部22aとによる段差2
3bと、保護膜23の輪郭を構成する保護膜周縁部23
aにおける保護膜23の膜厚に相当する段差23cと、
からなる段差部を有する。すなわち、有効領域27と保
護膜の非形成領域26の間に、保護膜が段差を有する領
域29(以降、保護膜の段差部29という)が設けられ
ている。Further, as shown in FIG. 4, the protective film 23 is
A step 2 formed by the color material layer on the outermost periphery of the effective area 27 and the light-shielding layer outer edge portion 22a forming the outermost periphery of the light-shielding layer 22.
3b and a protective film peripheral portion 23 that constitutes the contour of the protective film 23
a step 23c corresponding to the film thickness of the protective film 23 in a,
It has a step part made of. That is, a region 29 having a step in the protective film (hereinafter referred to as a step portion 29 of the protective film) is provided between the effective region 27 and the region 26 where the protective film is not formed.
【0039】また遮光層22が保護膜23に覆われてい
るため、遮光層外縁部22aは、保護膜周縁部23aよ
りも色材層21…寄りに位置している。Further, since the light shielding layer 22 is covered with the protective film 23, the outer edge portion 22a of the light shielding layer is located closer to the color material layers 21 ... than the peripheral edge portion 23a of the protective film.
【0040】これらの段差部23b、23cの合計の高
さは、約5μm程度とされている。The total height of the step portions 23b and 23c is about 5 μm.
【0041】そして、保護膜23上(図2では保護膜2
3の下側)には複数の略短冊状の走査電極あるいはデー
タ線として機能するストライプ電極24…が形成されて
いる。Then, on the protective film 23 (the protective film 2 in FIG. 2).
3), a plurality of strip-shaped scanning electrodes or stripe electrodes 24 ... Which function as data lines are formed.
【0042】ストライプ電極24…は、ITO(Indium
Tin Oxide)膜等の透明導電性膜からなるもので、図4に
示すように、保護膜23上(保護膜の形成領域25)に
形成されると共に、保護膜周縁部23aを経て保護膜2
3の非形成領域26まで延在している。The stripe electrodes 24 ... Are made of ITO (Indium).
A transparent conductive film such as a tin oxide film or the like, and is formed on the protective film 23 (protective film forming region 25) as shown in FIG. 4 and through the protective film peripheral portion 23a.
3 to the non-formed region 26.
【0043】なお、保護膜23の非形成領域26とは、
保護膜23が形成されていない領域を指し、具体的には
基板20の上面が露出している保護膜23の周囲の領域
を指す。The non-formed region 26 of the protective film 23 is
It refers to a region where the protective film 23 is not formed, specifically, a region around the protective film 23 where the upper surface of the substrate 20 is exposed.
【0044】またこれ以後、有効領域の最外周に位置す
る色材層に囲まれた領域を有効領域27と称する。Further, hereinafter, the area surrounded by the color material layer located on the outermost periphery of the effective area is referred to as an effective area 27.
【0045】ストライプ電極24は、有効領域27上に
位置する電極基部24aと、保護膜の段差部29上およ
び保護膜非形成領域26上に位置して電極基部24aに
連結する電極狭部24bとから構成されている。なお本
実施形態で電極狭部24bは、遮光層外縁部22a上で
電極基部24aに連結しているが、この連結部は色材層
21側に若干接近していても差し支えない。The stripe electrode 24 includes an electrode base portion 24a located on the effective area 27, and an electrode narrow portion 24b located on the step portion 29 of the protective film and the protective film non-forming area 26 and connected to the electrode base portion 24a. It consists of In the present embodiment, the electrode narrow portion 24b is connected to the electrode base portion 24a on the light shielding layer outer edge portion 22a, but this connecting portion may be slightly closer to the color material layer 21 side.
【0046】また、電極基部24a並びに電極狭部24
bのそれぞれの電極幅は、それぞれの長手方向に対して
一定になっている。The electrode base portion 24a and the electrode narrow portion 24 are also provided.
The width of each electrode of b is constant in each longitudinal direction.
【0047】そして電極狭部24bの電極幅は、電極基
部24aの電極幅よりも狭くされている。The electrode width of the electrode narrow portion 24b is narrower than the electrode width of the electrode base portion 24a.
【0048】このようにして、保護膜の段差部29にお
けるストライプ電極24…の電極幅が、有効領域27に
おける電極幅よりも狭くされている。In this way, the electrode width of the stripe electrodes 24 in the step portion 29 of the protective film is made narrower than the electrode width in the effective area 27.
【0049】これにより、保護膜の段差部29における
各ストライプ電極24…の間隔(以下、配線ギャップG
2と記載する)が、有効領域27上における各ストライ
プ電極24…の間隔(以下、配線ギャップG1と記載す
る)より大きくなる。As a result, the distance between the stripe electrodes 24 in the step portion 29 of the protective film (hereinafter referred to as the wiring gap G).
2) becomes larger than the interval (hereinafter, referred to as wiring gap G1) between the stripe electrodes 24 on the effective region 27.
【0050】具体的には、電極基部24aの電極幅が7
0〜 200μmの範囲、例えば100μm程度とさ
れ、電極狭部24bの電極幅が60〜180μmの範
囲、例えば96μm程度とされている。また配線間ギャ
ップG1が20μm以下、高解像度の液晶装置の場合の
配線間ギャップG1は12μm以下とされている。Specifically, the electrode width of the electrode base portion 24a is 7
The electrode width of the electrode narrow portion 24b is in the range of 60 to 180 μm, for example, about 96 μm. Further, the inter-wiring gap G1 is 20 μm or less, and the inter-wiring gap G1 in the case of a high-resolution liquid crystal device is 12 μm or less.
【0051】これにより、電極狭部24bにおける配線
間ギャップG2が24μm以下、高解像度の液晶装置の
場合の配線間ギャップG2が16μm以下となる。As a result, the inter-wiring gap G2 in the electrode narrow portion 24b is 24 μm or less, and the inter-wiring gap G2 in the case of a high-resolution liquid crystal device is 16 μm or less.
【0052】なお、電極幅及び各配線間ギャップの大き
さは、上記に記載した範囲に限定されるものではなく、
任意に変更することが可能である。The electrode width and the size of the inter-wiring gap are not limited to the ranges described above.
It can be changed arbitrarily.
【0053】このストライプ電極24…は以下に説明す
るように、フォトリソグラフィ技術により形成される。The stripe electrodes 24 ... Are formed by a photolithography technique as described below.
【0054】まず図5に示すように、対向基板20上に
遮光層22、色材層21…、保護膜23を順次積層して
カラーフィルタを形成する。First, as shown in FIG. 5, a color filter is formed by sequentially stacking a light shielding layer 22, a color material layer 21, ... And a protective film 23 on a counter substrate 20.
【0055】次に図6に示すように、保護膜23及び対
向基板20上にITO層24c、ポジ型のフォトレジス
ト層31を順次積層し、所定のマスクを用いてポジ型フ
ォトレジストに光を照射してフォトレジスト層31の露
光・現像を行い、パターニングされたフォトレジスト層
をマスクとしてITO層の一部をエッチングして除去す
る。Next, as shown in FIG. 6, the ITO layer 24c and the positive photoresist layer 31 are sequentially laminated on the protective film 23 and the counter substrate 20, and light is applied to the positive photoresist using a predetermined mask. The photoresist layer 31 is exposed to light and developed by irradiation, and a part of the ITO layer is removed by etching using the patterned photoresist layer as a mask.
【0056】図6において、ITO層24cが保護膜2
3及び対向基板20上に積層され、このITO層24c
上にポジ型のフォトレジスト層31が積層される。従っ
て、ポジ型のフォトレジスト層31には段差部29に由
来する段差部31aが形成されるか、あるいはこの保護
膜の段差部を埋めるようにレジスト31が塗布される。
このため、このレジスト層の段差部31aでは露光が不
完全になってレジスト層31の一部がエッチング後でも
残存することがある。In FIG. 6, the ITO layer 24c is the protective film 2
3 and the counter substrate 20, and the ITO layer 24c
A positive photoresist layer 31 is laminated on top. Therefore, the step portion 31a derived from the step portion 29 is formed in the positive photoresist layer 31, or the resist 31 is applied so as to fill the step portion of the protective film.
Therefore, exposure may be incomplete at the step portion 31a of the resist layer, and a part of the resist layer 31 may remain after etching.
【0057】しかし、この段差部31a近傍に形成され
るストライプ電極24の配線ギャップG2が大きくなる
ように構成されているので、たとえこの部分でフォトレ
ジスト層31が残存したとしても、配線間ギャップG2
が大きいためストライプ電極24、24同士が短絡する
ようにレジスト層が残存することはない。However, since the wiring gap G2 of the stripe electrode 24 formed near the step portion 31a is large, even if the photoresist layer 31 remains at this portion, the wiring gap G2 is formed.
Is large, the resist layer does not remain so as to short-circuit the striped electrodes 24, 24.
【0058】そして図7に示すように、残存したフォト
レジスト層31を除去することにより、図2及び図3に
示すようなストライプ電極24…が得られる。Then, as shown in FIG. 7, by removing the remaining photoresist layer 31, striped electrodes 24 ... Are obtained as shown in FIGS.
【0059】上記の液晶装置は、ストライプ電極24の
電極狭部24bの電極幅が電極基部24aの電極幅より
も狭く構成されているので、保護膜の段差部29におけ
る配線間ギャップG2が大きくなり、保護膜の段差部に
おけるストライプ電極24…同士の短絡を防止できる。In the above liquid crystal device, since the electrode width of the electrode narrow portion 24b of the stripe electrode 24 is smaller than the electrode width of the electrode base portion 24a, the inter-wiring gap G2 in the step portion 29 of the protective film becomes large. It is possible to prevent a short circuit between the stripe electrodes 24 ... In the step portion of the protective film.
【0060】(第2の実施形態)次に、本発明の第2の
実施形態を図面を参照して説明する。(Second Embodiment) Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
【0061】図8に本発明の第2の実施形態である液晶
装置の対向基板20の要部の平面図を示し、図9には図
8に示すC−C’線に沿う断面図を示す。FIG. 8 is a plan view of a main portion of the counter substrate 20 of the liquid crystal device according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a sectional view taken along the line CC ′ shown in FIG. .
【0062】尚、これらの図は図1〜図4と同様に液晶
装置の構成を説明するためのものであり、図示される各
部の大きさや厚さや寸法等は、実際の液晶装置の寸法関
係とは異なる。It should be noted that these drawings are for explaining the structure of the liquid crystal device as in FIGS. 1 to 4, and the sizes, thicknesses, dimensions, etc. of the respective parts shown in the drawings are related to the dimensions of the actual liquid crystal device. Is different from.
【0063】また、図8及び図9に示す構成要素のう
ち、図3及び図4に示す構成要素と同一の構成要素に
は、図3及び図4と同一の符号を付してその説明を省
略、若しくは簡単に説明する。Of the constituent elements shown in FIGS. 8 and 9, the same constituent elements as those shown in FIGS. 3 and 4 are designated by the same reference numerals as those in FIGS. Omitted or briefly explained.
【0064】図8及び図9に示すように、対向基板20
上には複数の色材層21…が形成され、各色材層21…
の間には、マトリックス状に形成されたクロム等からな
る遮光層22が設けられている。As shown in FIGS. 8 and 9, the counter substrate 20
A plurality of color material layers 21 ... Are formed on the top of each color material layer 21.
A light-shielding layer 22 made of chromium or the like and formed in a matrix is provided between them.
【0065】更に対向基板20には、図9に示すよう
に、各色材層21…及び遮光層22を覆う保護膜23が
設けられている。これら色材層21…、遮光層22及び
保護膜23によりいわゆるカラーフィルタが構成されて
いる。Further, as shown in FIG. 9, the counter substrate 20 is provided with a protective film 23 for covering the respective color material layers 21 ... And the light shielding layer 22. These color material layers 21, ..., Light-shielding layer 22 and protective film 23 constitute a so-called color filter.
【0066】また、図9に示すように、保護膜23に
は、有効領域の最外周に位置する色材層と遮光層22の
最外周の輪郭を構成する遮光層外縁部22aとによる段
差23bが形成され、保護膜23の輪郭を構成する保護
膜周縁部23aには保護膜23の膜厚に相当する段差2
3cが形成されている。保護膜23は、有効領域27に
おける保護膜23と保護膜非形成領域26との間に、段
差部29を有する。Further, as shown in FIG. 9, in the protective film 23, a step 23b is formed by the coloring material layer located at the outermost periphery of the effective area and the light shielding layer outer edge portion 22a constituting the outermost periphery of the light shielding layer 22. Is formed, and a step 2 corresponding to the film thickness of the protective film 23 is formed on the protective film peripheral portion 23a which constitutes the contour of the protective film 23.
3c is formed. The protective film 23 has a step portion 29 between the protective film 23 and the protective film non-forming region 26 in the effective region 27.
【0067】また遮光層22が保護膜23に覆われてい
るため、遮光層外縁部22aは、保護膜周縁部23aよ
りも色材層21…寄りに位置している。Further, since the light shielding layer 22 is covered with the protective film 23, the light shielding layer outer edge portion 22a is located closer to the color material layers 21 ... than the protective film peripheral portion 23a.
【0068】これらの段差部29の合計の高さは、約5
μm程度とされている。The total height of these step portions 29 is about 5
It is about μm.
【0069】そして、保護膜23上(図2では保護膜2
3の下側)には複数の略短冊状のストライプ電極44…
が形成されている。Then, on the protective film 23 (in FIG. 2, the protective film 2
A plurality of strip-shaped strip electrodes 44 ...
Are formed.
【0070】ストライプ電極44…は、ITO(Indium
Tin Oxide)膜等の透明導電性膜からなるもので、図8及
び図9に示すように、保護膜23上(保護膜の形成領域
25)に形成されると共に、保護膜周縁部23aを経て
保護膜23の非形成領域26まで延在している。The stripe electrodes 44 ... Are made of ITO (Indium).
A transparent conductive film such as a tin oxide film, is formed on the protective film 23 (protective film formation region 25) and passes through the protective film peripheral portion 23a as shown in FIGS. It extends to the non-formed region 26 of the protective film 23.
【0071】図8に示すように、ストライプ電極44
は、有効領域27に位置する電極基部44aと、保護膜
の段差部29上に位置して電極基部44aに連結する電
極狭部44bと、保護膜23の非形成成領域26に位置
して電極狭部44bに連結する電極端部44cとから構
成されている。As shown in FIG. 8, the stripe electrode 44
Is an electrode base portion 44a located in the effective region 27, an electrode narrow portion 44b located on the step portion 29 of the protective film and connected to the electrode base portion 44a, and an electrode located in the non-formed formation region 26 of the protective film 23. It is composed of an electrode end portion 44c connected to the narrow portion 44b.
【0072】電極狭部44bは、保護膜の段差部29か
ら保護膜周縁部23aの外側まで延在している。本実施
例では、電極狭部44bは遮光層外縁部22a上で電極
基部24aと連結し、保護膜周縁部23aより外側で電
極端部44cと連結しているが、電極基部44aと電極
狭部44bとの接続部は、色材層よりに位置していても
良い。The electrode narrow portion 44b extends from the step portion 29 of the protective film to the outside of the protective film peripheral portion 23a. In the present embodiment, the electrode narrow portion 44b is connected to the electrode base portion 24a on the light shielding layer outer edge portion 22a and is connected to the electrode end portion 44c outside the protective film peripheral portion 23a, but the electrode base portion 44a and the electrode narrow portion are formed. The connection part with 44b may be located in the color material layer.
【0073】また、電極基部44a、電極狭部44b並
びに電極端部44cのそれぞれの電極幅は、それそれの
長手方向に対して一定になっている。The electrode width of each of the electrode base portion 44a, the electrode narrow portion 44b and the electrode end portion 44c is constant in the longitudinal direction thereof.
【0074】そして電極狭部44bの電極幅は、電極基
部44a及び電極端部44cの電極幅よりも狭くされて
いる。また、電極基部44aの電極幅と電極端部44c
の電極幅は同一とされている。The electrode width of the electrode narrow portion 44b is narrower than the electrode width of the electrode base portion 44a and the electrode end portion 44c. In addition, the electrode width of the electrode base portion 44a and the electrode end portion 44c
Have the same electrode width.
【0075】また、電極端部44cの長手方向の輪郭を
構成する一対の辺44d、44dは、電極基部44aの
長手方向の輪郭を構成する一対の辺44e、44eの延
長線上に位置している。The pair of sides 44d, 44d forming the contour of the electrode end portion 44c in the longitudinal direction are located on the extension lines of the pair of sides 44e, 44e forming the contour of the electrode base 44a in the longitudinal direction. .
【0076】これにより、保護膜の段差部29における
配線ギャップG4が、有効領域27における配線間ギャ
ップG3よりも大きくなる。また有効領域27における
配線間ギャップG3と、保護膜23の非形成領域26に
おける配線間ギャップG5とが一致する。As a result, the wiring gap G4 in the step portion 29 of the protective film becomes larger than the inter-wiring gap G3 in the effective region 27. In addition, the inter-wiring gap G3 in the effective region 27 and the inter-wiring gap G5 in the non-forming region 26 of the protective film 23 match.
【0077】具体的には、電極基部44a及び電極端部
44cの電極幅が70〜200μmの範囲、例えば10
0μm程度とされ、電極狭部44bの電極幅が60〜1
80μmの範囲、例えば96μm程度とされている。ま
た電極基部44a及び電極端部44cにおける配線間ギ
ャップG3、G5が20μm以下、高解像度の液晶装置の
場合は、配線間ギャップG3、G5が12μm以下とされ
ている。Specifically, the electrode width of the electrode base portion 44a and the electrode end portion 44c is in the range of 70 to 200 μm, for example, 10
The electrode width of the electrode narrow portion 44b is 60 to 1
The range is 80 μm, for example, about 96 μm. Further, the inter-wiring gaps G3 and G5 at the electrode base portion 44a and the electrode end portion 44c are 20 μm or less, and in the case of a high-resolution liquid crystal device, the inter-wiring gaps G3 and G5 are 12 μm or less.
【0078】これにより、電極狭部44bにおける配線
間ギャップG4が24μm以下、高解像度の液晶装置の
場合に配線間ギャップG4が16μm以下となる。As a result, the inter-wiring gap G4 in the narrow electrode portion 44b is 24 μm or less, and in the case of a high-resolution liquid crystal device, the inter-wiring gap G4 is 16 μm or less.
【0079】なお、電極幅及び配線ギャップの大きさ
は、上記に記載した範囲に限定されるものではなく、任
意に変更することが可能である。The electrode width and the size of the wiring gap are not limited to the ranges described above and can be arbitrarily changed.
【0080】この実施形態の液晶装置は、ストライプ電
極44の電極狭部44bの電極幅が電極基部44aの電
極幅よりも狭く構成されているので、段差部29におけ
る配線間ギャップG4が大きくなり、遮光層外縁部22
aの段差22b近傍におけるストライプ電極44…同士
の短絡を防止できる。In the liquid crystal device of this embodiment, since the electrode width of the electrode narrow portion 44b of the stripe electrode 44 is made narrower than the electrode width of the electrode base portion 44a, the inter-wiring gap G4 in the step portion 29 becomes large, Light-shielding layer outer edge portion 22
It is possible to prevent a short circuit between the stripe electrodes 44 ... In the vicinity of the step 22b of a.
【0081】また、遮光層22からの反射光により有効
領域27における配線間ギャップG3の測定が妨げられ
たとしても、電極端部44cにおける配線間ギャップG
5が配線間ギャップG3と同一であるので、配線間ギャッ
プG5を測定することで配線間ギャップG3の大きさを知
ることができる。Even if the measurement of the inter-wiring gap G3 in the effective area 27 is hindered by the reflected light from the light-shielding layer 22, the inter-wiring gap G in the electrode end 44c.
Since 5 is the same as the inter-wiring gap G3, the size of the inter-wiring gap G3 can be known by measuring the inter-wiring gap G5.
【0082】更に、電極端部44cの輪郭を構成する一
対の辺44d、44dが、電極基部44aの輪郭を構成
する一対の辺44e、44eの延長線上に位置している
ので、配線間ギャップG5を測定することで電極基部4
4aにおける配線間ギャップG3をより正確に測定する
ことができる。Further, since the pair of sides 44d, 44d forming the contour of the electrode end portion 44c is located on the extension line of the pair of sides 44e, 44e forming the contour of the electrode base 44a, the inter-wiring gap G5 By measuring the electrode base 4
The inter-wiring gap G3 in 4a can be measured more accurately.
【0083】(液晶装置の別の構成)上記の第1の実施
形態及び第2の実施形態においては、本発明をTFD素
子型の液晶装置に適用した形態について説明したが、本
発明はこれに限らず、例えば図10に示すような単純マ
トリックス型の液晶装置に本発明を適用しても良い。(Another Configuration of Liquid Crystal Device) In the first and second embodiments, the present invention is applied to the TFD element type liquid crystal device. However, the present invention is not limited to this. However, the present invention may be applied to, for example, a simple matrix type liquid crystal device as shown in FIG.
【0084】図10に単純マトリックス型の液晶装置の
要部の斜視図を示す。尚、この図は、液晶装置の構成を
説明するためのものであり、図示される各部の大きさや
厚さや寸法等は、実際の液晶装置の寸法関係とは異な
る。FIG. 10 is a perspective view of a main part of a simple matrix type liquid crystal device. It should be noted that this diagram is for explaining the configuration of the liquid crystal device, and the sizes, thicknesses, dimensions, etc. of the respective parts shown in the figure are different from the actual dimensional relationship of the liquid crystal device.
【0085】なお、ここでは、第1の実施形態で説明し
たストライプ電極24を適用する例を説明するが、第2
の実施形態にて説明したストライプ電極44を適用して
もよいのは勿論である。Here, an example in which the stripe electrode 24 described in the first embodiment is applied will be described.
Of course, the stripe electrode 44 described in the above embodiment may be applied.
【0086】図10に示す単純マトリックス型の液晶装
置は、データ線あるいは走査線として機能する複数の短
冊状の電極56が形成された透明基板50を有すると共
に、透明基板50に対向する位置に上記の対向基板20
が配置されている。The simple matrix type liquid crystal device shown in FIG. 10 has a transparent substrate 50 on which a plurality of strip-shaped electrodes 56 functioning as data lines or scanning lines are formed, and at the position facing the transparent substrate 50. Counter substrate 20
Are arranged.
【0087】電極56…は、相互に一定の間隔をあけて
配置され、それぞれ同一方向に延在している。The electrodes 56 ... Are arranged at a constant interval from each other and extend in the same direction.
【0088】また、透明基板50及び対向基板20の互
いに対向する面の反対側の面には、偏光板30、31が
それぞれ貼り付けられている。また、透明基板50及び
対向基板20の互いに対向する面には、図示しないが配
向膜が形成されており、これらの対向する配向膜の間に
液晶層及びスペーサ等が配置されている。Polarizing plates 30 and 31 are attached to the surfaces of the transparent substrate 50 and the counter substrate 20 opposite to the surfaces facing each other. Although not shown, an alignment film is formed on the surfaces of the transparent substrate 50 and the counter substrate 20 that face each other, and a liquid crystal layer, a spacer, and the like are arranged between the facing alignment films.
【0089】そして、対向基板20上(図10では対向
基板20の下側)には複数の色材層21…が形成され、
各色材層21…の間には、マトリックス状に形成された
クロムからなる遮光層22が設けられている。A plurality of color material layers 21 ... Are formed on the counter substrate 20 (lower side of the counter substrate 20 in FIG. 10).
A light-shielding layer 22 made of chromium formed in a matrix is provided between the color material layers 21.
【0090】更に対向基板20には、各色材層21…及
び遮光層22を覆う保護膜23が設けられている。これ
ら色材層21…、遮光層22及び保護膜23によりいわ
ゆるカラーフィルタが構成されている。Further, the counter substrate 20 is provided with a protective film 23 for covering the respective color material layers 21 ... And the light shielding layer 22. These color material layers 21, ..., Light-shielding layer 22 and protective film 23 constitute a so-called color filter.
【0091】そして、保護膜23上(図2では保護膜2
3の下側)には、先に詳細に説明した走査線あるいはデ
ータ線として機能する複数の略短冊状のストライプ電極
24…が形成されている。ストライプ電極24…の長手
方向は、データ電極56…の長手方向に対して交差する
関係になっている。Then, on the protective film 23 (the protective film 2 in FIG. 2).
3), a plurality of substantially strip-shaped striped electrodes 24 ... Which function as scanning lines or data lines described above in detail are formed. The longitudinal direction of the stripe electrodes 24 ... Crosses the longitudinal direction of the data electrodes 56.
【0092】(電子機器)次に、以上詳細に説明した液
晶装置を備えた電子機器の実施形態について図11及び
図12を参照して説明する。(Electronic Device) Next, an embodiment of an electronic device including the liquid crystal device described in detail above will be described with reference to FIGS. 11 and 12.
【0093】なお、ここでは、第1の実施形態の液晶装
置を適用する例を説明するが、第2の実施形態の液晶装
置を適用してもよいのは勿論であり、また上記の単純マ
トリックス型の液晶装置として適用してもよい。Although an example in which the liquid crystal device of the first embodiment is applied will be described here, it goes without saying that the liquid crystal device of the second embodiment may be applied, and the above simple matrix is also applicable. Type liquid crystal device may be applied.
【0094】まず図11に、第1の実施形態の液晶装置
を備えた電子機器の概略構成を示す。図11において、
電子機器は、表示情報出力源1000、表示情報処理回
路1002、駆動回路1004、上記の第1実施形態の
液晶装置1、クロック発生回路1008並びに電源回路
1010を備えて構成されている。First, FIG. 11 shows a schematic configuration of an electronic apparatus including the liquid crystal device of the first embodiment. In FIG.
The electronic device is configured to include a display information output source 1000, a display information processing circuit 1002, a drive circuit 1004, the liquid crystal device 1 according to the first embodiment, a clock generation circuit 1008, and a power supply circuit 1010.
【0095】表示情報出力源1000は、ROM(Read
Only Memory)、RAM(Random Access Memory)、光ディ
スク装置などのメモリ、画像信号を同調して出力する同
調回路等を含み、クロック発生回路1008からのクロ
ック信号に基づいて所定フォーマットの画像信号などの
表示情報を表示情報回路1002に出力する。The display information output source 1000 is a ROM (Read
Only memory), RAM (Random Access Memory), memory such as an optical disk device, a tuning circuit that tunes and outputs an image signal, and the like, and displays an image signal in a predetermined format based on the clock signal from the clock generation circuit 1008. The information is output to the display information circuit 1002.
【0096】表示情報処理回路1002は、増幅・極性
反転回路、シリアル−パラレル変換回路、ローテーショ
ン回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種
処理回路を含んで構成されており、クロック信号に基づ
いて入力された表示情報からデジタル信号を順次生成
し、クロック信号CLKとともに駆動回路1004に出
力する。駆動回路1004は液晶装置1を駆動する。The display information processing circuit 1002 includes various well-known processing circuits such as an amplification / polarity inversion circuit, a serial-parallel conversion circuit, a rotation circuit, a gamma correction circuit, and a clamp circuit, and is based on a clock signal. Digital signals are sequentially generated from the input display information and output to the drive circuit 1004 together with the clock signal CLK. The drive circuit 1004 drives the liquid crystal device 1.
【0097】次に図12にこのように構成された電子機
器の具体例を示す。Next, FIG. 12 shows a specific example of the electronic apparatus configured as described above.
【0098】図12において、電子機器の他の例たるマ
ルチメディア対応のラップトップ型のパーソナルコンピ
ュータ1200は上記第1の実施形態の液晶装置1がト
ップカバーケース内に設けられており、更に、CPU、
メモリ、モデム等を収容すると共にキーボード1202
が組み込まれた本体1204を備えている。In FIG. 12, a laptop personal computer 1200 for multimedia, which is another example of electronic equipment, is provided with the liquid crystal device 1 of the first embodiment in a top cover case, and further, a CPU ,
A keyboard 1202 as well as a memory, a modem, etc.
A main body 1204 in which
【0099】更に図13には電子機器の他の例である携
帯型電話を示す。図13において、符号200は携帯電
話本体を示し、符号201は上記の液晶装置1を用いた
液晶表示部を示している。Further, FIG. 13 shows a portable telephone which is another example of the electronic equipment. In FIG. 13, reference numeral 200 indicates a mobile phone main body, and reference numeral 201 indicates a liquid crystal display unit using the liquid crystal device 1.
【0100】図14には電子機器のその他の例であるワ
ープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置を示す。図
14において、符号300は情報処理装置、符号301
はキーボードなどの入力部、符号303は情報処理装置
本体、符号302は上記の液晶装置1を用いた液晶表示
部を示している。FIG. 14 shows a portable information processing device such as a word processor or a personal computer, which is another example of the electronic equipment. In FIG. 14, reference numeral 300 is an information processing device, and reference numeral 301.
Is an input unit such as a keyboard, reference numeral 303 is a main body of the information processing apparatus, and reference numeral 302 is a liquid crystal display unit using the liquid crystal device 1.
【0101】図15には電子機器のその他の例である腕
時計型電子機器を示す。図15において、符号400は
時計本体を示し、符号401は上記の液晶装置1を用い
た液晶表示部を示している。FIG. 15 shows a wrist watch type electronic device as another example of the electronic device. In FIG. 15, reference numeral 400 indicates a watch body, and reference numeral 401 indicates a liquid crystal display unit using the liquid crystal device 1 described above.
【0102】また図16には、電子機器の別の例である
投射型表示装置を示す。FIG. 16 shows a projection type display device which is another example of electronic equipment.
【0103】図16において、符号530は光源、符号
533、534はダイクロイックミラー、符号535、
536、537は反射ミラー、符号538は入射レン
ズ、符号539はリレーレンズ、符号520は出射レン
ズ、符号522、523、524は上記の液晶装置1を
用いた液晶光変調装置、符号525はクロスダイクロイ
ックプリズム、符号526は投射レンズを示している。In FIG. 16, reference numeral 530 is a light source, reference numerals 533 and 534 are dichroic mirrors, reference numeral 535,
Reference numerals 536 and 537 are reflection mirrors, reference numeral 538 is an entrance lens, reference numeral 539 is a relay lens, reference numeral 520 is an exit lens, reference numerals 522, 523 and 524 are liquid crystal light modulators using the liquid crystal device 1, and reference numeral 525 is a cross dichroic. A prism, reference numeral 526, is a projection lens.
【0104】光源530は、メタルハラルドなどのラン
プ531とランプ531の光を反射するリフレクタ53
2とからなる。青色光・緑色光反射のダイクロイックミ
ラー533は、光源530からの光束のうちの赤色光を
透過させるとともに青色光と緑色光とを反射する。透過
した赤色光は、反射ミラー537で反射されて、赤色光
用液晶光変調装置522に入射される。一方、ダイクロ
イックミラー533で反射された色光のうち緑色光は、
緑色光反射のダイクロイックミラー534によって反射
され、緑色光用液晶光変調装置523に入射される。一
方、青色光は、第2のダイクロイックミラー534も透
過する。青色光に対しては、長い光路による光損失を防
ぐため、入射レンズ538、リレーレンズ539、出射
レンズ520を含むリレーレンズ系からなる導光手段5
21が設けられ、これを介して青色光が青色光用液晶光
変調装置524に入射される。The light source 530 is a lamp 531 such as a metal halald and a reflector 53 that reflects the light of the lamp 531.
It consists of 2. The blue light / green light reflecting dichroic mirror 533 transmits red light of the light flux from the light source 530 and reflects blue light and green light. The transmitted red light is reflected by the reflection mirror 537 and is incident on the liquid crystal light modulation device 522 for red light. On the other hand, of the colored light reflected by the dichroic mirror 533, the green light is
The light is reflected by the green light reflecting dichroic mirror 534 and is incident on the liquid crystal light modulator for green light 523. On the other hand, the blue light also passes through the second dichroic mirror 534. For blue light, the light guide unit 5 including a relay lens system including an incident lens 538, a relay lens 539, and an emission lens 520 is provided in order to prevent light loss due to a long optical path.
21 is provided, and blue light is incident on the blue light liquid crystal light modulation device 524 through the light source 21.
【0105】各光変調装置により変調された3つの色光
は、クロスダイクロイックプリズム525に入射する。
このプリズムは、4つの直角プリズムが張り合わされ、
その内面に赤色を反射する誘電体多層膜と青色を反射す
る誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの
誘電体多層膜によって、3つの色光が合成されて、カラ
ー画像を表す光が形成される。合成された光は、投射光
学系である投射レンズ26によってスクリーン上に投射
され、画像が拡大されて表示される。The three color lights modulated by the respective light modulators enter the cross dichroic prism 525.
This prism is made up of four right angle prisms,
On the inner surface, a dielectric multilayer film reflecting red and a dielectric multilayer film reflecting blue are formed in a cross shape. The three color lights are combined by these dielectric multilayer films to form light representing a color image. The combined light is projected on the screen by the projection lens 26 which is a projection optical system, and the image is enlarged and displayed.
【0106】以上、図12ないし図16を参照して説明
した電子機器の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ
型またはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナ
ビゲーション装置、電子手帳、電卓、エンジニアリング
ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチ
パネルを備えた装置等が図11に示した電子機器の例と
して挙げられる。As described above, in addition to the electronic devices described with reference to FIGS. 12 to 16, a liquid crystal television, a viewfinder type or a monitor direct-view type video tape recorder, a car navigation device, an electronic notebook, a calculator, an engineering workstation. A videophone, a POS terminal, a device equipped with a touch panel, and the like are examples of the electronic device shown in FIG.
【0107】[0107]
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明の
液晶装置は、保護膜の段差部における電極の幅が、有効
領域における電極の幅より狭く構成されているので、保
護膜の段差部における配線間ギャップが大きくなり、段
差部での電極同士の短絡を防止することができ、液晶装
置の信頼性を向上できる。As described above in detail, in the liquid crystal device of the present invention, the width of the electrode in the step portion of the protective film is made narrower than the width of the electrode in the effective region. The gap between the wirings in the portion becomes large, and it is possible to prevent a short circuit between the electrodes at the step portion, and it is possible to improve the reliability of the liquid crystal device.
【0108】また、本発明の液晶装置は、保護膜の段差
部における電極の幅が、有効領域における電極の幅より
狭く構成され、かつ保護膜の非形成領域における電極の
幅の一部分が、有効領域における電極の幅に一致するよ
うに構成されているので、有効領域と保護膜の非形成領
域とに挟まれた段差部において配線間ギャップが大きく
なり、これにより遮光層外縁部の段差部での電極同士の
短絡を防止できる。Further, in the liquid crystal device of the present invention, the width of the electrode in the step portion of the protective film is made narrower than the width of the electrode in the effective region, and a part of the width of the electrode in the non-formed region of the protective film is effective. Since it is configured to match the width of the electrode in the area, the inter-wiring gap becomes large in the step portion sandwiched between the effective area and the area where the protective film is not formed. It is possible to prevent a short circuit between the electrodes.
【0109】また、配線間ギャップを保護膜の非形成領
域で測定することができ、遮光層の反射光により配線間
ギャップの測定が妨害されることがない。Further, the inter-wiring gap can be measured in the region where the protective film is not formed, and the measurement of the inter-wiring gap is not disturbed by the reflected light of the light shielding layer.
【0110】また、本発明の液晶装置は、保護膜の非形
成領域における電極の長手方向の輪郭を構成する一対の
辺が、有効領域における電極の長手方向の輪郭を構成す
る一対の辺の延長線上にあるので、保護膜の非形成領域
において有効領域上の電極の配線間ギャップをより正確
に測定することができ、これにより特に高解像度の液晶
装置の歩留まりを高くして液晶装置の信頼性を向上でき
る。Further, in the liquid crystal device of the present invention, the pair of sides forming the longitudinal contour of the electrode in the region where the protective film is not formed is an extension of the pair of sides constituting the longitudinal contour of the electrode in the effective region. Since it is on the line, it is possible to more accurately measure the inter-wiring gap of the electrodes on the effective area in the area where the protective film is not formed, which increases the yield of the high-resolution liquid crystal device and increases the reliability of the liquid crystal device. Can be improved.
【図1】 本発明の第1の実施形態であるTFD型の液
晶装置を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a TFD type liquid crystal device according to a first embodiment of the present invention.
【図2】 図1の液晶装置の要部を示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing a main part of the liquid crystal device of FIG.
【図3】 図1に示す液晶装置の対向基板の要部を示す
図であって、図1における2点鎖線枠内の平面図であ
る。3 is a diagram showing a main part of a counter substrate of the liquid crystal device shown in FIG. 1, and is a plan view within a two-dot chain line frame in FIG.
【図4】 図3におけるB−B’線の断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line B-B ′ in FIG.
【図5】 図1に示す液晶装置の対向基板の製造方法を
説明するための工程図である。5A to 5C are process diagrams for explaining a method of manufacturing the counter substrate of the liquid crystal device shown in FIG.
【図6】 図1に示す液晶装置の対向基板の製造方法を
説明するための工程図である。6A to 6C are process diagrams for explaining a method of manufacturing a counter substrate of the liquid crystal device shown in FIG.
【図7】 図1に示す液晶装置の対向基板の製造方法を
説明するための工程図である。7A to 7C are process diagrams for explaining a method of manufacturing a counter substrate of the liquid crystal device shown in FIG.
【図8】 本発明の第2の実施形態である液晶装置の対
向基板の要部を示す平面図である。FIG. 8 is a plan view showing a main part of a counter substrate of a liquid crystal device according to a second embodiment of the present invention.
【図9】 図8におけるB−B’線の断面図である。9 is a cross-sectional view taken along the line B-B ′ in FIG.
【図10】 単純マトリックス型の液晶装置の要部を示
す斜視図である。FIG. 10 is a perspective view showing a main part of a simple matrix type liquid crystal device.
【図11】 本発明による電子機器の実施形態の概略構
成を示すブロック図である。FIG. 11 is a block diagram showing a schematic configuration of an embodiment of an electronic device according to the present invention.
【図12】 電子機器の一例としてパーソナルコンピュ
ータを示す正面図である。FIG. 12 is a front view showing a personal computer as an example of an electronic device.
【図13】 電子機器の他の例である携帯型電話を示す
斜視図である。FIG. 13 is a perspective view showing a mobile phone which is another example of an electronic device.
【図14】 電子機器のその他の例である携帯型情報装
置を示す斜視図である。FIG. 14 is a perspective view showing a portable information device which is another example of an electronic device.
【図15】 電子機器のその他の例である腕時計型電子
機器を示す斜視図である。FIG. 15 is a perspective view showing a wrist watch type electronic device which is another example of the electronic device.
【図16】 電子機器の別の例である投射型表示装置を
示す概略構成図である。FIG. 16 is a schematic configuration diagram showing a projection type display device which is another example of an electronic device.
【図17】 従来の液晶装置の対向基板の要部を示す平
面図である。FIG. 17 is a plan view showing a main part of a counter substrate of a conventional liquid crystal device.
【図18】 図17おけるA−A’線の断面図である。FIG. 18 is a cross-sectional view taken along the line A-A ′ in FIG.
1 液晶装置 20 対向基板(基板) 21 色材層 22 遮光層 23 保護膜 24、44 ストライプ電極 44d,44e 辺(一対の辺) 25 保護膜の形成領域 26 保護膜の非形成領域 27 有効領域 29 保護膜の段差部 1 Liquid crystal device 20 Counter substrate (substrate) 21 Color material layer 22 Light-shielding layer 23 Protective film 24,44 stripe electrodes 44d, 44e sides (a pair of sides) 25 Area for forming protective film 26 Area where protective film is not formed 27 Effective area 29 Step of protective film
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02F 1/1343 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (58) Fields surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) G02F 1/1343
Claims (4)
る遮光層と、前記色材層および前記遮光層を覆っている
保護膜と、前記保護膜上にストライプ状に配置された複
数の電極とを有する基板を具備した液晶装置であって、 前記基板上には前記保護膜が形成された形成領域と、前
記保護膜が形成されていない非形成領域とがあり、 前記保護膜は、前記保護膜の形成領域と前記保護膜の非
形成領域との切り換わりに段差部を有し、 前記電極は前記非形成領域に延在しており、 前記段差部上にある前記電極の幅は、前記色材層上にあ
る前記電極の幅より狭く、 前記非形成領域にある前記電極は、該電極の幅が前記色
材層上にある前記電極の幅と一致する部分を有すること
を特徴とする液晶装置。1. A plurality of color material layers, a light-shielding layer around the color material layer, a protective film covering the color material layer and the light-shielding layer, and stripes arranged on the protective film. A liquid crystal device including a substrate having a plurality of electrodes, wherein the substrate has a formation region in which the protective film is formed and a non-formation region in which the protective film is not formed, The film has a step portion for switching between the formation region of the protective film and the non-formation region of the protective film, the electrode extends to the non-formation region, and the electrode on the step portion is formed. Is narrower than the width of the electrode on the color material layer, and the electrode in the non-formation region has a portion where the width of the electrode matches the width of the electrode on the color material layer. A liquid crystal device characterized by the above.
る遮光層と、前記色材層および前記遮光層を覆っている
保護膜と、前記保護膜上にストライプ状に配置された複
数の電極とを有する基板を具備した液晶装置であって、 前記基板上には前記保護膜が形成された形成領域と、前
記保護膜が形成されていない非形成領域とがあり、 前記保護膜は、前記保護膜の形成領域と前記保護膜の非
形成領域との切り換わりに段差部を有し、 前記電極は前記非形成領域に延在しており、 前記段差部上にある隣り合う前記電極間のギャップが、
前記色材層上にある隣り合う前記電極間のギャップより
も大きく、 前記非形成領域にある隣り合う前記電極は、該電極間の
ギャップが前記色材層上にある隣り合う前記電極間のギ
ャップと一致する部分を有することを特徴とする液晶装
置。2. A plurality of color material layers, a light-shielding layer around the color material layer, a protective film covering the color material layer and the light-shielding layer, and stripes arranged on the protective film. A liquid crystal device having a substrate having a plurality of electrodes, wherein the substrate has a formation region in which the protective film is formed and a non-formation region in which the protective film is not formed, The film has a step portion for switching between the formation region of the protective film and the non-formation region of the protective film, the electrodes extend to the non-formation region, and are adjacent to each other on the step portion. The gap between the electrodes is
The gap between the adjacent electrodes on the coloring material layer is larger than the gap between the adjacent electrodes on the coloring material layer, and the gap between the adjacent electrodes on the coloring material layer of the adjacent electrodes in the non-formation region is large. A liquid crystal device having a portion corresponding to.
おいて、 前記非形成領域にある前記電極の輪郭を構成する一対の
辺は、前記有効領域にある前記電極の輪郭を構成する一
対の辺の延長線上にあることを特徴とする液晶装置。3. The liquid crystal device according to claim 1, wherein the pair of sides forming the contour of the electrode in the non-formation region is a pair of sides forming the contour of the electrode in the effective region. Liquid crystal device characterized by being on the extension line of.
装置を備えたことを特徴とする電子機器。4. An electronic apparatus comprising the liquid crystal device according to claim 1.
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27525099A JP3428526B2 (en) | 1999-09-28 | 1999-09-28 | Liquid crystal devices and electronic equipment |
| TW089118979A TWI252346B (en) | 1999-09-28 | 2000-09-15 | Liquid crystal device with electrode arrangement to prevent shorting and electronic equipment incorporating the same |
| KR10-2000-0056705A KR100389490B1 (en) | 1999-09-28 | 2000-09-27 | Liquid-crystal device and electronic equipment |
| EP00308499A EP1089116A3 (en) | 1999-09-28 | 2000-09-28 | Liquid-crystal device and electronic equipment |
| CN00129267A CN1106587C (en) | 1999-09-28 | 2000-09-28 | Liquid crystal device and electronic arrangement therefor |
| US09/671,261 US6831723B1 (en) | 1999-09-28 | 2000-09-28 | Liquid crystal device with electrode arrangement to prevent shorting and electronic equipment incorporating the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27525099A JP3428526B2 (en) | 1999-09-28 | 1999-09-28 | Liquid crystal devices and electronic equipment |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000380647A Division JP4631159B2 (en) | 2000-12-14 | 2000-12-14 | Liquid crystal device, array substrate, and electronic device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001100230A JP2001100230A (en) | 2001-04-13 |
| JP3428526B2 true JP3428526B2 (en) | 2003-07-22 |
Family
ID=17552798
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27525099A Expired - Lifetime JP3428526B2 (en) | 1999-09-28 | 1999-09-28 | Liquid crystal devices and electronic equipment |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6831723B1 (en) |
| EP (1) | EP1089116A3 (en) |
| JP (1) | JP3428526B2 (en) |
| KR (1) | KR100389490B1 (en) |
| CN (1) | CN1106587C (en) |
| TW (1) | TWI252346B (en) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100982122B1 (en) * | 2003-12-30 | 2010-09-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | Poor pixel darkening method of horizontal field applied thin film transistor substrate |
| JP4278684B2 (en) * | 2004-07-20 | 2009-06-17 | シャープ株式会社 | Liquid crystal display |
| JP4524689B2 (en) * | 2007-02-20 | 2010-08-18 | ソニー株式会社 | Hologram reproducing apparatus, hologram reproducing method, and phase modulation element |
| KR101957998B1 (en) | 2012-06-20 | 2019-07-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display panel and method of fabricating the same |
| CN105210206B (en) | 2013-05-16 | 2017-04-05 | 乐金显示有限公司 | Organic luminescent device and its manufacture method |
| JP2017103267A (en) | 2015-11-30 | 2017-06-08 | セイコーエプソン株式会社 | Piezoelectric element, method for forming piezoelectric element, and ultrasonic device |
| CN106681066A (en) * | 2017-01-11 | 2017-05-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | Liquid crystal grating and stereoscopic display device |
| CN109445170B (en) * | 2018-12-29 | 2020-02-14 | 成都中电熊猫显示科技有限公司 | Color film substrate and manufacturing method thereof, liquid crystal display panel and display device |
| KR20240027206A (en) * | 2022-08-22 | 2024-03-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display Apparatus |
| CN223078237U (en) * | 2023-05-18 | 2025-07-08 | 利多(香港)有限公司 | Biological sensor |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63104024A (en) | 1986-10-22 | 1988-05-09 | Toppan Printing Co Ltd | Electrode plate for display device |
| JPH02273721A (en) * | 1989-04-17 | 1990-11-08 | Hitachi Ltd | Color liquid crystal display element |
| JPH04166916A (en) | 1990-10-31 | 1992-06-12 | Ricoh Co Ltd | Liquid crystal display element |
| JPH068935U (en) | 1992-06-30 | 1994-02-04 | シチズン時計株式会社 | Liquid crystal display |
| JPH07175084A (en) | 1993-12-21 | 1995-07-14 | Hitachi Ltd | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
| JPH086008A (en) | 1994-06-21 | 1996-01-12 | Citizen Watch Co Ltd | Liquid crystal display device and its production |
| TW373094B (en) * | 1994-11-14 | 1999-11-01 | Hitachi Device Engineering Corp | Liquid crystal display device having a uniform liquid crystal layer thickness |
| JPH08227079A (en) | 1995-02-21 | 1996-09-03 | Hitachi Ltd | Liquid crystal display |
| JP3272199B2 (en) | 1995-06-29 | 2002-04-08 | 三洋電機株式会社 | LCD substrate |
| JP2776357B2 (en) | 1996-01-31 | 1998-07-16 | 日本電気株式会社 | Liquid crystal display |
| JP3866815B2 (en) | 1996-03-27 | 2007-01-10 | セイコーエプソン株式会社 | LIQUID CRYSTAL PANEL SUBSTRATE, ITS MANUFACTURING METHOD, LIQUID CRYSTAL DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE |
| JPH10133234A (en) * | 1996-09-04 | 1998-05-22 | Toshiba Corp | Liquid crystal display |
| JP3657717B2 (en) * | 1996-11-01 | 2005-06-08 | シチズン時計株式会社 | Liquid crystal display |
| JP3288260B2 (en) * | 1997-06-02 | 2002-06-04 | 松下電器産業株式会社 | Liquid crystal display device |
| JPH11271790A (en) * | 1998-03-26 | 1999-10-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
-
1999
- 1999-09-28 JP JP27525099A patent/JP3428526B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-09-15 TW TW089118979A patent/TWI252346B/en not_active IP Right Cessation
- 2000-09-27 KR KR10-2000-0056705A patent/KR100389490B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-09-28 EP EP00308499A patent/EP1089116A3/en not_active Withdrawn
- 2000-09-28 CN CN00129267A patent/CN1106587C/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-09-28 US US09/671,261 patent/US6831723B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6831723B1 (en) | 2004-12-14 |
| KR100389490B1 (en) | 2003-06-27 |
| CN1106587C (en) | 2003-04-23 |
| EP1089116A2 (en) | 2001-04-04 |
| EP1089116A3 (en) | 2002-10-02 |
| TWI252346B (en) | 2006-04-01 |
| JP2001100230A (en) | 2001-04-13 |
| CN1289946A (en) | 2001-04-04 |
| KR20010030507A (en) | 2001-04-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3270821B2 (en) | Reflective liquid crystal display device and method of manufacturing the same | |
| US8619215B2 (en) | Optical element, method for manufacturing the same, liquid crystal device, and electronic apparatus | |
| JP3428526B2 (en) | Liquid crystal devices and electronic equipment | |
| JP2004078138A (en) | Electro-optical device substrate and method of manufacturing the same, electro-optical device and method of manufacturing the same, and electronic equipment, | |
| KR100637941B1 (en) | Liquid crystal display device and electronic apparatus | |
| KR100636462B1 (en) | Substrate for electro-optical device and manufacturing method thereof, electro-optical device and manufacturing method thereof, and electronic apparatus | |
| JP3695415B2 (en) | Electro-optical panel substrate, manufacturing method thereof, electro-optical panel, and manufacturing method thereof | |
| JP4631159B2 (en) | Liquid crystal device, array substrate, and electronic device | |
| JP2002350885A (en) | Electro-optical device, electronic apparatus, and liquid crystal device manufacturing method | |
| KR100590119B1 (en) | Electrooptic device and liquid crystal display device | |
| JP3570194B2 (en) | Liquid crystal device, electronic equipment using the same, and method of manufacturing liquid crystal device | |
| JP3899868B2 (en) | Electro-optical device manufacturing method, electro-optical device, and electronic apparatus | |
| JP2006072175A (en) | Liquid crystal display device, method for manufacturing liquid crystal display device, and electronic apparatus | |
| JP4375172B2 (en) | Electro-optical device and electronic apparatus | |
| JP2003323124A (en) | Electro-optical panel substrate and method of manufacturing the same, electro-optical panel, and electronic device | |
| JP4186860B2 (en) | Liquid crystal device and electronic device | |
| JP3931799B2 (en) | Microlens manufacturing method and liquid crystal device manufacturing method | |
| JP2004078139A (en) | Electro-optical device substrate and method of manufacturing the same, electro-optical device and method of manufacturing the same, and electronic equipment, | |
| JP2004094166A (en) | Color filter substrate, method for manufacturing color filter substrate, electro-optical panel, method for manufacturing electro-optical panel, electro-optical device, and electronic apparatus | |
| JP2003302518A (en) | Electro-optical panel substrate and method of manufacturing the same, electro-optical panel, and electronic device | |
| JP2002268086A (en) | Electro-optical device substrate, electro-optical device, projection type liquid crystal device, and electronic equipment | |
| JP2004004486A (en) | Electro-optical device substrate, electro-optical device, method for manufacturing electro-optical device substrate, method for manufacturing electro-optical device, and electronic apparatus | |
| JP2005091722A (en) | Electro-optical device substrate, electro-optical device, and electronic apparatus | |
| JP2003005196A (en) | Liquid crystal device, method of manufacturing the same, and electronic equipment | |
| JP2001284683A (en) | Manufacturing method of thin film laminated substrate, thin film laminated substrate, liquid crystal device, and electronic equipment |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20030415 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3428526 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080516 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090516 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100516 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110516 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120516 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130516 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140516 Year of fee payment: 11 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |