JP3433151B2 - Laser plasma X-ray source - Google Patents
Laser plasma X-ray sourceInfo
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、高温高密度のレー
ザプラズマから真空紫外線やX線を発生するレーザプラ
ズマX線源に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser plasma X-ray source for generating vacuum ultraviolet rays and X-rays from a high temperature and high density laser plasma.
【0002】[0002]
【従来の技術】レーザプラズマX線源は、高出力のレー
ザ光を収束してターゲットに照射することにより、高温
高密度のレーザプラズマを生成して、そこから真空紫外
線やX線を発生させる。このレーザプラズマX線源の利
用が期待されている装置の1つとして、半導体製造にお
ける露光装置がある。この露光装置に用いる場合や、他
の装置に用いる場合と同様であるが、用いるレーザプラ
ズマX線源としては、高輝度であることが必要である。2. Description of the Related Art A laser plasma X-ray source converges high-power laser light and irradiates it on a target to generate high-temperature and high-density laser plasma, which generates vacuum ultraviolet rays and X-rays. An exposure apparatus in semiconductor manufacturing is one of the apparatuses expected to utilize the laser plasma X-ray source. The laser plasma X-ray source used is required to have high brightness, although it is used in this exposure apparatus and the same as in other apparatuses.
【0003】また、この高温高密度のレーザプラズマが
発生する際、原子状物質、イオン状物質、更には粒子状
物資等の飛散物質(以下では特に断らない限り、これら
をデブリと総称する)が放出される。このデブリがX線
ミラーや真空隔壁を損傷するため、それの発生を抑制す
るか、それを除去することが必要となる。Further, when this high-temperature and high-density laser plasma is generated, scattered substances such as atomic substances, ionic substances, and particulate substances (hereinafter, collectively referred to as debris) unless otherwise specified. Is released. Since this debris damages the X-ray mirror and the vacuum partition wall, it is necessary to suppress their generation or remove them.
【0004】この2つの異なる課題を解決することを意
図した従来技術として、USP第5577092号公報
に記載のように、加圧ガスを真空容器中に噴射し、ター
ゲットとしたものがある。また、特開平10−2214
99号公報に記載のように、ガスに微粒子を混合したタ
ーゲットを真空中に噴射するようにしたものがある。ま
た、発生X線強度の増加を狙ったものとして、特開平8
−195533号公報に記載のように、固体ターゲット
近傍に強磁場を印加し、プラズマを閉じ込めるようにし
たものがある。また、デブリの除去方法として、特開平
8−17371号公報に記載のように、発生したデブリ
を紫外線によりイオン化し、電場及び磁場で除去するよ
うにしたものがある。As a conventional technique intended to solve these two different problems, there is a target in which a pressurized gas is injected into a vacuum container as described in US Pat. No. 5,570,709. Also, Japanese Patent Laid-Open No. 10-2214
As described in Japanese Patent Publication No. 99, there is one in which a target in which fine particles are mixed with gas is jetted into a vacuum. Further, as an aim to increase the intensity of generated X-rays, Japanese Patent Application Laid-Open No. H8-78
As described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 195533, there is one in which a strong magnetic field is applied in the vicinity of a solid target to confine plasma. Further, as a method for removing debris, there is a method in which the generated debris is ionized with ultraviolet rays and removed with an electric field and a magnetic field, as described in JP-A-8-17371.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】従来技術において、加
圧ガスを真空容器中に噴射し、ターゲットとしたもの
や、ガスに微粒子を混合したターゲットを真空中に噴射
するようにしたものは、ターゲットが固体のみの場合に
比較するとデブリの発生は少ないが、プラズマ中のイオ
ン成分は必ず存在し、それがデブリとして飛散するた
め、X線の光学ミラーなどの光学素子をプラズマ近傍に
設置することは困難であった。In the prior art, a target in which a pressurized gas is injected into a vacuum container and a target or a target in which fine particles are mixed with gas are injected into a vacuum is a target. Although less debris is generated compared to the case where solid is only solid, ion components in plasma are always present and scatter as debris, so it is not possible to install an optical element such as an X-ray optical mirror near plasma. It was difficult.
【0006】また、固体ターゲット近傍に強磁場を印加
し、プラズマを閉じ込めるようにしたものは、デブリの
抑制については考慮されておらず、更に、レーザプラズ
マを閉じ込め、X線強度増加をはかるには、後述のよう
に102Tオーダーの極めて強い磁場が必要であり、そ
の実現は容易ではない。Further, the one in which a strong magnetic field is applied in the vicinity of a solid target to confine plasma is not considered for suppressing debris, and further, in order to confine laser plasma and increase X-ray intensity. As will be described later, an extremely strong magnetic field of the order of 10 2 T is required, and its realization is not easy.
【0007】また、紫外線でデブリをイオン化する方法
は、イオン化効率がデブリの種類によって変化し、ま
た、その効率が十分高くないという問題がある。Further, the method of ionizing debris with ultraviolet rays has a problem that the ionization efficiency varies depending on the type of debris and the efficiency is not sufficiently high.
【0008】本発明の目的は、発生したデブリによる光
学ミラーの損傷を防止すると共に、X線の回収効率を向
上したレーザプラズマX線源を提供することにある。It is an object of the present invention to provide a laser plasma X-ray source which prevents damage to an optical mirror due to generated debris and improves X-ray collection efficiency.
【0009】[0009]
【課題を解決するたの手段】上記の目的を達成するため
に、本発明のレーザプラズX線源は、真空中に流体を噴
射する装置と、噴射された流体をターゲットとし、その
ターゲットにレーザ光を照射してプラズマ化し、当該プ
ラズマからX線を発生させるレーザプラズX線源におい
て、磁場印加方向と流体噴射方向とのなす平面に対して
垂直方向にイオンデブリを偏向し、前記イオンデブリの
偏向方向と反対方向のX線路に光学ミラーを配置するこ
とを特徴とする。In order to achieve the above object, the laser plasm X-ray source of the present invention is a device for injecting a fluid into a vacuum, and a laser beam is applied to the target with the ejected fluid as a target. In a laser plasm X-ray source that emits X-rays from the plasma by irradiating
Then, with respect to the plane formed by the magnetic field application direction and the fluid ejection direction
Deflection of the ion debris in the vertical direction
It is characterized in that an optical mirror is arranged on the X line in the direction opposite to the deflection direction .
【0010】[0010]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図1及び
図2を用いて詳細に説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to FIGS.
【0011】図1,2に本発明の一実施例であるレーザ
プラズマX線源装置の構成を示すものである。本図にお
いて、支持台10に支持金具13A,13Bを取り付
け、一方側の支持金具13Aに収束レンズ2を支持して
いる。パルスレーザ光1は収束レンズ2を透過する。他
方側の支持金具13Bには真空バルブ4及び磁気回路6
を取り付けている。真空バルブ4の一方側のターゲット
供給管3は支持台10の貫通穴10Aに挿入して、外部
のガス源に接続している。真空バルブ4の他方側の供給
ノズル5は磁気回路6の貫通穴5Aを通過して磁気回路
内に伸びている。磁気回路の貫通穴5B,5Cには収束
レンズ2からのパルスレーザ光1が通過する。1 and 2 show the structure of a laser plasma X-ray source device according to an embodiment of the present invention. In this figure, support fittings 13A and 13B are attached to the support base 10, and the converging lens 2 is supported by the support fitting 13A on one side. The pulsed laser light 1 passes through the converging lens 2. The vacuum valve 4 and the magnetic circuit 6 are provided on the support metal fitting 13B on the other side.
Is attached. The target supply pipe 3 on one side of the vacuum valve 4 is inserted into the through hole 10A of the support base 10 and is connected to an external gas source. The supply nozzle 5 on the other side of the vacuum valve 4 passes through the through hole 5A of the magnetic circuit 6 and extends into the magnetic circuit. The pulsed laser light 1 from the converging lens 2 passes through the through holes 5B and 5C of the magnetic circuit.
【0012】パルスレーザ光1はレーザプラズマ7を発
生させるに十分な出力を有するレーザ光であり、このよ
うなパルスレーザ光1としては、通常パルスレーザが用
いられる。レーザの種類としては、例えば、YAGレー
ザやエキシマレーザなどで、1パルス当たりの出力が数
10mJから数10Jのものが適用される。パルス幅と
しては、数10ns以下のもので、収束レンズ2で数1
0〜数100μmに収束され、その時のエネルギー密度
としては1015〜1022W/m2程度になる。この実施
例ではYAGレーザを使用し、YAGレーザよりパルス
レーザ光を照射している。The pulsed laser beam 1 is a laser beam having an output sufficient to generate the laser plasma 7. As the pulsed laser beam 1, such a pulsed laser beam 1 is usually used. As the type of laser, for example, a YAG laser, an excimer laser, or the like having an output per pulse of several 10 mJ to several 10 J is applied. The pulse width is a few tens of ns or less, and the converging lens 2 has a number 1
It is converged to 0 to several 100 μm, and the energy density at that time is about 10 15 to 10 22 W / m 2 . In this embodiment, a YAG laser is used, and pulse laser light is emitted from the YAG laser.
【0013】ターゲットとしては、流体をターゲットと
し、より具体的には、ガスか、又は、微粒子混合ガスを
用いる。このガス、又は微粒子混合ガスは、この図には
記載されていないが、ガスボンベや微粒子タンクからの
ガス源から供給され、パルス状に駆動する真空バルブ4
により、パルスレーザ光1の照射タイミングに同期させ
て、供給ノズル5から、真空中にターゲットを噴射する
ようにする。As the target, a fluid is used as a target, and more specifically, a gas or a fine particle mixed gas is used. Although not shown in this figure, this gas, or a mixed gas of fine particles, is supplied from a gas source from a gas cylinder or a fine particle tank and is driven in a pulsed manner by a vacuum valve 4
Thus, the target is jetted into the vacuum from the supply nozzle 5 in synchronization with the irradiation timing of the pulsed laser light 1.
【0014】このとき、真空容器(図中記載なし)中の
圧力を、例えば10 ̄2〜10 ̄5torrとし、バルブ
4の背圧を数気圧以上とすれば、ターゲット流体8は、
供給ノズル5から噴射後、断熱膨張をしながら分子流の
状態となって、数百m/sの速度でほぼ一様な方向(図
1では下方向)に拡散する。この噴射されたターゲット
流体8に、パルスレーザ光1を収束させ照射すると、レ
ーザ光1の強力な電場などにより、光学的に絶縁破壊
(オプティカルブレイクダウン)してイオン化し、更に
イオン化した電子が逆制動輻射などの過程により、レー
ザ光1を吸収して加熱される過程が直ちに生じ、パルス
レーザ光1のパルス幅(数10ns)内において、極め
て迅速に、高温高密度なレーザプラズマ7が形成され
る。[0014] At this time, the pressure in the vacuum vessel (not described in the drawing), for example a 10¯ 2 ~10¯ 5 torr, if more than a few atmospheres the back pressure of the valve 4, the target fluid 8,
After being injected from the supply nozzle 5, it is in a molecular flow state while undergoing adiabatic expansion and diffuses in a substantially uniform direction (downward in FIG. 1) at a speed of several hundred m / s. When the pulsed laser light 1 is converged and irradiated on the jetted target fluid 8, a strong electric field of the laser light 1 or the like optically causes dielectric breakdown (optical breakdown) to ionize the ionized electrons. A process of absorbing and heating the laser light 1 immediately occurs due to a process such as bremsstrahlung, and a high-temperature and high-density laser plasma 7 is formed very quickly within the pulse width (tens of ns) of the pulsed laser light 1. It
【0015】そのプラズマの温度や密度は条件によって
異なるが、例えば、電子温度で数100eV以上、電子
密度で1020〜1022cm ̄3程度のプラズマが生成さ
れる。このレーザプラズマ7から、電子の制動輻射や、
またプラズマの再結合過程における自由ー自由遷移や自
由ー束縛遷移の過程により、連続的なスペクトルのX線
が放出され、また、プラズマの再結合過程における束縛
ー束縛遷移の過程により、特性X線とデブリが放出され
る。このX線を利用することによりX線源として用いら
れる。Although the temperature and density of the plasma vary depending on the conditions, for example, plasma having an electron temperature of several hundred eV or more and an electron density of 10 20 to 10 22 cm −3 is generated. From this laser plasma 7, bremsstrahlung of electrons,
In addition, a continuous spectrum of X-rays is emitted by the process of free-free transition or free-bound transition in the plasma recombination process, and characteristic X-ray is generated by the process of bound-bound transition in the plasma recombination process. And debris are released. It is used as an X-ray source by utilizing this X-ray.
【0016】発生したデブリによる光学ミラー等の損傷
を防止するため、磁気回路6によりレーザプラズマ7に
磁場9を印加する。磁場の方向は、噴射された流体ター
ゲットの進行方向8と直角方向とする。また、印加する
磁束密度は10 ̄1〜100Tとする。この程度の磁束密
度であれば、市販の強力な永久磁石を用いて磁気回路6
を構成することにより達成できる。磁気回路6からの磁
場9印加方向の直角方向に光学ミラー20を配置してい
る。A magnetic field 9 is applied to the laser plasma 7 by the magnetic circuit 6 in order to prevent damage to the optical mirror and the like due to the generated debris. The direction of the magnetic field is perpendicular to the traveling direction 8 of the ejected fluid target. Further, the magnetic flux density applied to the 10¯ 1 ~10 0 T. If the magnetic flux density is about this level, a commercially available strong permanent magnet is used to make the magnetic circuit 6
Can be achieved by configuring The optical mirror 20 is arranged in the direction perpendicular to the direction in which the magnetic field 9 is applied from the magnetic circuit 6.
【0017】次に、図3を用いて、本発明における光学
ミラー20の損傷防止のメカニズムを説明する。まず、
生成された直後のレーザプラズマ7は、電子温度が数1
00eV以上、電子密度が1020〜1022cm ̄3程度
である。このプラズマ中に磁場を浸透させるには、次式
で定義されるβ値が1以下でなければならない。Next, the mechanism for preventing damage to the optical mirror 20 in the present invention will be described with reference to FIG. First,
The electron temperature of the laser plasma 7 immediately after being generated is several 1
The electron density is about 00 eV or more, and the electron density is about 10 20 to 10 22 cm −3 . In order to penetrate the magnetic field into this plasma, the β value defined by the following equation must be 1 or less.
【0018】[0018]
【数1】β=nT/(B2/2μ0)…(式1)
ここで、n:プラズマ密度(m−3)、T:電子温度
(J)、B:磁束密度(T)、μ0:真空の透磁率
(1.257x106H/m)である。## EQU1 ## β = nT / (B 2 / 2μ0) (Equation 1) where n: plasma density (m− 3 ), T: electron temperature (J), B: magnetic flux density (T), μ0: The magnetic permeability in vacuum (1.257 × 10 6 H / m).
【0019】今、生成された直後のレーザプラズマ7に
対してβ値が1以下とし、プラズマを磁場で閉じ込める
ためには、Bが102T以上である必要があることがわ
かる。このような高強度の磁場は実現は容易ではない。Now, it is understood that the β value is set to 1 or less for the laser plasma 7 immediately after being generated, and B must be 10 2 T or more in order to confine the plasma in the magnetic field. Such a high-strength magnetic field is not easy to realize.
【0020】しかしながら、発生したデブリによる光学
ミラー等の損傷を防止するだけのためであれば、このよ
うな高強度の磁場は必要ではない。その理由は、生成さ
れたレーザプラズマ7は、生成後、直ちに膨張し、プラ
ズマ密度及び電子温度と共に、急速に減少することによ
る。例えば、電子温度は変化しないとしても、プラズマ
体積が106倍に膨張すると、1T以下の磁束密度でプ
ラズマ中に磁場が浸透できる状態となる。However, such a high-strength magnetic field is not necessary only for the purpose of preventing damage to the optical mirror and the like due to the generated debris. The reason is that the generated laser plasma 7 expands immediately after the generation and rapidly decreases with the plasma density and the electron temperature. For example, even if the electron temperature does not change, when the plasma volume expands 10 6 times, the magnetic field can penetrate into the plasma with a magnetic flux density of 1 T or less.
【0021】このとき、生成直後のプラズマは、図3に
示すように、プラズマ化する前の流体の進行速度V(m
/s)を保存しているため、この流体の進行速度Vの方
向に直交する磁束密度Bがあると、V×Bドリフトが生
じ、イオン状物質はVとBとが成す平面に対して垂直方
向(図中12の方向)に偏向する。従って、X線11を
取り出す方向を図中12と反対方向11には、イオン状
のデブリは飛散してこないため、この方向に光学ミラー
を配置したので、光学ミラー20を損傷から防止するこ
とができる。また本発明で光学ミラー20は、パルレー
ザ光1の照射方向と一致しない方向に配置し、パルレー
ザ光1が光学ミラー20を照射しないようにして、光学
ミラー20の損傷を防止している。At this time, the plasma immediately after generation is, as shown in FIG. 3, the advancing velocity V (m of the fluid before plasma formation.
/ S) because of the store and there is a magnetic flux density B which is perpendicular to the direction of the moving speed V of the fluid, cause V × B drift, ion matter against the plane formed by the V and B perpendicular The image is deflected in the direction (direction 12 in the figure). Therefore, since the ionic debris does not scatter in the direction 11 in which the X-rays 11 are extracted and in the direction 11 opposite to the direction 12 in the figure, the optical mirror is arranged in this direction, so that the optical mirror 20 can be prevented from being damaged. it can. Further, in the present invention, the optical mirror 20 is arranged in a direction that does not coincide with the irradiation direction of the pulse laser beam 1, and the pulse laser beam 1 is prevented from irradiating the optical mirror 20 to prevent the optical mirror 20 from being damaged.
【0022】また本発明のレーザプラズマX線源からX
線11を光学ミラー20に照射し、光学ミラー20で反
射したX線11を半導体ウエハーのマスクに照射する半
導体露光装置に使用することができることは勿論であ
る。From the laser plasma X-ray source of the present invention, X
Needless to say, it can be used in a semiconductor exposure apparatus that irradiates the optical mirror 20 with the line 11 and irradiates the mask of the semiconductor wafer with the X-ray 11 reflected by the optical mirror 20.
【0023】以上のように、本実施例によれば、ターゲ
ットの噴射方向に対して直角方向に磁場を印加する磁場
印加装置を備えることにより、発生したデブリによる光
学ミラー等の損傷を防止できるという効果がある。As described above, according to the present embodiment, by providing the magnetic field applying device for applying the magnetic field in the direction perpendicular to the jet direction of the target, it is possible to prevent damage to the optical mirror and the like due to the generated debris. effective.
【0024】[0024]
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、発生し
たデブリによる光学ミラーの損傷を防止できるばかり
か、デブリが光学ミラーに付着しにくくなった分だけX
線11を取り出す回収効率が良くなる。As described above, according to the present invention, not only the damage to the optical mirror due to the generated debris can be prevented, but also the debris is less likely to adhere to the optical mirror.
The recovery efficiency for taking out the wire 11 is improved.
【図1】本発明の一実施例であるレーザプラズマX線源
の構成を示す斜視図。FIG. 1 is a perspective view showing the configuration of a laser plasma X-ray source that is an embodiment of the present invention.
【図2】図2のレーザプラズマX線源の部分を示す斜視
図。FIG. 2 is a perspective view showing a portion of the laser plasma X-ray source shown in FIG.
【図3】図1の流体噴射方向と磁場印加方向及びデブリ
の偏向方向を説明する図。FIG. 3 is a diagram for explaining the fluid ejection direction, the magnetic field application direction, and the debris deflection direction of FIG.
1…レーザ光、2…収束レンズ、3…ターゲット供給
管、4…バルブ、5…供給ノズル、6…磁気回路、7…
レーザプラズマ、8…ターゲット流体の進行方向、9…
磁場の方向、10…支持台、11…X線取り出し方向、
12…イオン状物質の偏向方向、20…光学ミラー。1 ... Laser light, 2 ... Converging lens, 3 ... Target supply pipe, 4 ... Valve, 5 ... Supply nozzle, 6 ... Magnetic circuit, 7 ...
Laser plasma, 8 ... Target fluid advancing direction, 9 ...
Direction of magnetic field, 10 ... Support, 11 ... X-ray extraction direction,
12 ... Deflection direction of ionic substance, 20 ... Optical mirror.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平10−221499(JP,A) 特開 平8−17371(JP,A) 特開 平9−245989(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H05G 1/00 - 2/00 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A-10-221499 (JP, A) JP-A-8-17371 (JP, A) JP-A-9-245989 (JP, A) (58) Field (Int.Cl. 7 , DB name) H05G 1/00-2/00
Claims (3)
れた流体をターゲットとし、そのターゲットにレーザ光
を照射してプラズマ化して、当該プラズマからX線を発
生させるレーザプラズマX線源において、当該ターゲッ
トの流体噴射方向に対して直角方向に磁場を印加する磁
場印加装置を備え、磁場印加方向と流体噴射方向とのな
す平面に対して垂直方向にイオンデブリを偏向し、前記
イオンデブリの偏向方向と反対方向のX線路に光学ミラ
ーを配置することを特徴とするレーザプラズマX線源。1. A device for injecting a fluid into a vacuum, and a laser plasma X-ray source for producing an X-ray from the plasma by irradiating the ejected fluid as a target with a laser beam to generate a plasma. A magnetic field applying device for applying a magnetic field in a direction perpendicular to the direction of fluid ejection of the target, and
Deflecting the ion debris in the direction perpendicular to the plane,
Laser plasma X-ray source, characterized by arranging the light studies mirror in the opposite direction of the X line and the deflection direction of the ion debris.
微粒子を含んだガス状物質であることを特徴とする請求
項1に記載のレーザプラズマX線源。 2. The jetted fluid is a gaseous substance, or
Claims characterized by being a gaseous substance containing fine particles
Item 2. A laser plasma X-ray source according to item 1.
エハーのマスクに照射する半導体露光装置に使用するこ
とを特徴とする請求項1に記載のレーザプラズマX線
源。 3. X-rays reflected from an optical mirror are transferred to a semiconductor window.
It can be used for semiconductor exposure equipment that irradiates the mask of Eher.
The laser plasma X-ray according to claim 1,
source.
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