JP3435148B2 - Surface acoustic wave device - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は弾性表面波装置に関
し、特にＧＨz 帯域を含む高周波帯域において優れた通
過帯域特性を有する弾性表面波装置に関する。The present invention relates to relates to surface acoustic wave device, and more particularly to surface acoustic wave devices that have a good passband characteristics in a high frequency band including the GHz band.
【０００２】[0002]
【従来の技術】弾性表面波装置は、携帯電話等の小型・
軽量かつ非常に高い周波数帯域で動作する無線通信装置
の高周波回路において、フィルタあるいは共振器として
広く使われている。2. Description of the Related Art A surface acoustic wave device is a small-sized device such as a mobile phone.
It is widely used as a filter or a resonator in a high frequency circuit of a wireless communication device which is lightweight and operates in a very high frequency band.
【０００３】かかる弾性表面波装置は一般に圧電単結晶
あるいは多結晶基板上に形成されるが、電気機械結合係
数ｋ2 が大きく、従って表面波の励振効率が高く、また
高周波帯域において表面波の伝搬損失が小さい基板材料
として、特にＬｉＮｂＯ3 単結晶の６４°回転Ｙカット
板において表面波の伝搬方向をＸ方向とした６４°Y-X
ＬｉＮｂＯ3 基板（K. Yamanouti and K. Shibayama,
J. Appl. Phys. vol.43, no.3, March 1972, pp.856)
あるいはＬｉＴａＯ3 単結晶の３６°回転Ｙカット板に
おいて表面波の伝搬方向をＸ方向として３６°Y-X Ｌｉ
ＴａＯ3 基板が広く使われている。Such a surface acoustic wave device is generally formed on a piezoelectric single crystal or polycrystal substrate. However, the electromechanical coupling coefficient k2 is large, and therefore the surface wave excitation efficiency is high, and the propagation loss of the surface wave in the high frequency band is high. As a substrate material having a small value, especially in a 64 ° rotated Y-cut plate of a LiNbO 3 single crystal, 64 ° YX in which the propagation direction of the surface wave is the X direction.
LiNbO 3 substrate (K. Yamanouti and K. Shibayama,
J. Appl. Phys. Vol.43, no.3, March 1972, pp.856)
Alternatively, in a 36 ° rotated Y-cut plate of LiTaO 3 single crystal, the propagation direction of the surface wave is set to the X direction and 36 ° YX Li
The TaO 3 substrate is widely used.
【０００４】しかし、これらのカット角は、圧電結晶基
板上に形成された電極の付加質量効果が無視できる場合
に最適となるものであり、数百ＭＨz 以下の低周波帯域
では励起される弾性表面波の波長が長いため有効であっ
ても、最近の携帯電話等で必要とされているＧＨz 帯域
近傍での動作においては、電極の厚さが励起される弾性
波波長に対して無視できなくなり、必ずしも最適とはな
らない。このような高周波帯域での動作では、電極の付
加質量の効果が顕著に現れる。However, these cut angles are optimum when the added mass effect of the electrodes formed on the piezoelectric crystal substrate can be ignored, and the elastic surface excited in the low frequency band of several hundred MHz or less. Even if it is effective because the wavelength of the wave is long, in the operation in the vicinity of the GHz band, which is required in recent mobile phones, the thickness of the electrode cannot be ignored with respect to the excited elastic wave wavelength. It is not always optimal. In the operation in such a high frequency band, the effect of the added mass of the electrodes is remarkable.
【０００５】このような非常に短波長域の動作において
は、圧電基板上の電極の厚さを増加させ、見かけ上の電
気機械結合係数を増大させることにより、弾性表面波フ
ィルタの通過帯域幅あるいは弾性表面波共振器の容量比
γを小さくすることが可能であるが、このような構成で
は電極から基板内部に向かって放射されるバルク波が増
大し、表面波の伝搬損失が増大してしまう問題が生じ
る。かかるバルク波をＳＳＢＷ（surface skimming bul
k wave) と称し、またかかるＳＳＢＷに対し表面波をＬ
ＳＡＷ（Leaky surface acoustic wave)と称する。厚い
電極膜を使った弾性表面波フィルタにおけるＬＳＡＷの
伝搬損失については、３６°Y-X ＬｉＴａＯ3 および６
４°Y-X ＬｉＮｂＯ3 基板について、 Plessky他、ある
いは Edmonson 他により解析がなされている（V. S. Pl
essky and C. S. Hartmann, Proc.1993 IEEE Ultrasoni
cs Symp., pp.1239 - 1242; P. J. Edmonson and C. K.
Campbell, Proc. 1994 IEEE Ultrosonic Symp., pp75
- 79)。In such an operation in a very short wavelength region, the thickness of the electrode on the piezoelectric substrate is increased and the apparent electromechanical coupling coefficient is increased, so that the pass band width or the pass band width of the surface acoustic wave filter is increased. It is possible to reduce the capacitance ratio γ of the surface acoustic wave resonator, but with such a configuration, the bulk wave radiated from the electrode toward the inside of the substrate increases and the propagation loss of the surface wave increases. The problem arises. Such bulk waves are converted into SSBW (surface skimming bul
k wave), and the surface wave for such SSBW is L
It is called SAW (Leaky surface acoustic wave). Regarding the propagation loss of the LSAW in the surface acoustic wave filter using the thick electrode film, 36 ° YX LiTaO 3 and 6 were used.
The 4 ° YX LiNbO 3 substrate has been analyzed by Plessky et al. Or Edmonson et al. (VS Pl
essky and CS Hartmann, Proc. 1993 IEEE Ultrasoni
cs Symp., pp.1239-1242; PJ Edmonson and CK
Campbell, Proc. 1994 IEEE Ultrosonic Symp., Pp75
-79).
【０００６】ところで、このような従来の３６°Y-X Ｌ
ｉＴａＯ3 あるいは６４°Y-X ＬｉＮｂＯ3 等の、ＬＳ
ＡＷを使う従来の弾性表面波フィルタでは、電極膜厚が
薄い場合、表面波の音速値とバルク波の音速値とが接近
し、その結果フィルタの通過帯域内にバルク波によるス
プリアスピークが出現してしまう（M. Ueda et al.,Pro
c. 1994 IEEE Ultrasonic Symp., pp.143 - 146) 。By the way, such a conventional 36 ° YX L
LS such as iTaO 3 or 64 ° YX LiNbO 3
In the conventional surface acoustic wave filter using the AW, when the electrode film thickness is thin, the sound velocity value of the surface wave and the sound velocity value of the bulk wave are close to each other, and as a result, a spurious peak due to the bulk wave appears in the pass band of the filter. (M. Ueda et al., Pro
c. 1994 IEEE Ultrasonic Symp., pp.143-146).
【０００７】図２０は、上記 Ueda 他の文献による表面
波フィルタにおいて、フィルタ通過帯域近傍に出現した
バルク波によるスプリアスピークＡ，Ｂを示す。フィル
タは３６°Y-X ＬｉＴａＯ3 基板上に構成され、励振波
長の３％に相当する０．４９μｍの厚さのＡｌ−Ｃｕ合
金よりなる櫛形電極を形成されている。FIG. 20 shows spurious peaks A and B due to a bulk wave appearing in the vicinity of the filter pass band in the surface wave filter according to the above Ueda et al. The filter is formed on a 36 ° YX LiTaO 3 substrate and has a comb-shaped electrode made of an Al—Cu alloy with a thickness of 0.49 μm corresponding to 3% of the excitation wavelength.
【０００８】図２０を参照するに、スプリアスピークＢ
は３３０ＭＨz 近傍に形成された通過帯域外に生じてい
るが、スプリアスピークＡは通過帯域内に生じており、
その結果通過帯域特性にリップルが生じているのがわか
る。Referring to FIG. 20, spurious peak B
Occurs outside the pass band formed near 330 MHz, but the spurious peak A occurs within the pass band,
As a result, it can be seen that ripples occur in the pass band characteristic.
【０００９】弾性表面波フィルタでは、表面波の音速は
電極の付加質量、すなわち膜厚に依存するのに対し、Ｓ
ＳＢＷの音速は電極の膜厚に依存しないため、ＧＨz 帯
域のような高周波帯域での動作では、電極の膜厚が励振
表面波波長に対して増加し、表面波の音速がバルク波に
対して相対的に低下する。その結果、フィルタの通過帯
域がスプリアスピークに対してシフトし、通過帯域特性
が平坦化する。In the surface acoustic wave filter, the sound velocity of the surface wave depends on the additional mass of the electrode, that is, the film thickness, whereas S
Since the sound velocity of SBW does not depend on the film thickness of the electrode, in the operation in a high frequency band such as the GHz band, the film thickness of the electrode increases with respect to the excitation surface wave wavelength, and the sound velocity of the surface wave with respect to the bulk wave. Relatively decreases. As a result, the pass band of the filter shifts with respect to the spurious peak, and the pass band characteristic is flattened.
【００１０】しかし、このように電極の膜厚が表面波波
長に対して増大すると先にも説明したようにＳＳＢＷに
よるＬＳＡＷの損失が増大し、また通過帯域の角形比が
劣化してしまう。角形比は、後ほど説明するように、フ
ィルタ特性の急峻性を表し、通過帯域の角形比が劣化す
ると、フィルタ特性がブロードになってしまう。However, if the film thickness of the electrode increases with respect to the wavelength of the surface wave, the loss of LSAW due to SSBW increases and the squareness ratio of the pass band deteriorates as described above. As will be described later, the squareness ratio represents the steepness of the filter characteristic, and if the squareness ratio of the pass band deteriorates, the filter characteristic becomes broad.
【００１１】また、特にＧＨz 帯のような非常に高周波
帯域で動作する弾性表面波フィルタにおいては、櫛形電
極の抵抗を減少させるためにも電極にある程度の膜厚を
確保する必要があるが、そうなると先に説明した損失の
増大および角形比の劣化の問題が避けられない。Further, particularly in a surface acoustic wave filter operating in a very high frequency band such as the GHz band, it is necessary to secure a certain film thickness in the electrodes in order to reduce the resistance of the comb-shaped electrodes. The problems of increased loss and degraded squareness discussed above are inevitable.
【００１２】[0012]
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明者は上
記の問題点を解決した弾性表面波装置として、先に特願
平７−２６５４６６号を提案した。同出願に係る弾性表
面波装置は、本発明者が、ＧＨz 帯域のような短波長領
域では電極の厚さが励起される表面波の波長に対して無
視できなくなり、電極の付加質量の効果が顕著に現れ、
この付加質量の効果により最小の伝搬損失を与える単結
晶基板の回転角θが高角度側にずれることを見出したこ
とに起因する。Therefore, the present inventor has previously proposed Japanese Patent Application No. 7-265466 as a surface acoustic wave device that solves the above problems. In the surface acoustic wave device according to the same application, the present inventor can not ignore the thickness of the electrode with respect to the wavelength of the surface acoustic wave excited in the short wavelength region such as the GHz band, and the effect of the additional mass of the electrode is obtained. Noticeably,
This is due to the fact that the rotation angle θ of the single crystal substrate that gives the minimum propagation loss is deviated to the high angle side due to the effect of this additional mass.
【００１３】そして同出願では、ＬｉＴａＯ3 単結晶基
板の回転角θを従来の３６°よりも高角度に設定するこ
とにより、具体的にはＬｉＴａＯ3 単結晶基板の回転角
θをＸ軸を中心に，Ｙ軸からＸ軸方向に３８〜４６°の
範囲の角度で回転させることにより、ＧＨz 帯域におい
て表面波の減衰が少なく、Ｑが高い弾性表面波装置を提
供している。In the same application, the rotation angle θ of the LiTaO 3 single crystal substrate is set higher than the conventional 36 ° so that the rotation angle θ of the LiTaO 3 single crystal substrate is centered on the X axis. In addition, by rotating the Y-axis in the X-axis direction at an angle in the range of 38 to 46 °, the surface acoustic wave device has a small attenuation of the surface wave in the GHz band and a high Q.
【００１４】また、このような高い周波数における電極
の付加質量効果に伴い、フィルタの通過帯域の位置がス
プリアスピークに対して低周波側にシフトするため、こ
のような回転角の大きいＬｉＴａＯ3 基板上に形成した
弾性表面波装置では、スプリアスピークをフィルタの通
過帯域から外すことが可能である。Further, since the position of the pass band of the filter shifts to the low frequency side with respect to the spurious peaks due to the additional mass effect of the electrode at such a high frequency, on the LiTaO 3 substrate having such a large rotation angle. In the surface acoustic wave device formed in, it is possible to remove the spurious peak from the pass band of the filter.
【００１５】ところで、上記のようにＬｉＴａＯ3 単結
晶基板の回転角θを変化させると、これに伴い結合係
数，反射係数等の各種係数も変化する。これに伴い弾性
表面波装置としての最も適正な特性を実現するための各
種パラメータ（例えば、櫛歯電極指の対数，反射器の電
極周期等）の値も、ＬｉＴａＯ3 単結晶基板の回転角θ
が３６°であった従来のパラメータ値と比べて変化す
る。従って、弾性表面波装置の特性を最良のものとする
ために、ＬｉＴａＯ3 単結晶基板の回転角θを従来より
大きくした場合における上記各種パラメータの最適化を
図る必要がある。By the way, when the rotation angle θ of the LiTaO 3 single crystal substrate is changed as described above, various coefficients such as the coupling coefficient and the reflection coefficient also change accordingly. Along with this, the values of various parameters (for example, the logarithm of the comb-teeth electrode fingers, the electrode period of the reflector, etc.) for realizing the most appropriate characteristics of the surface acoustic wave device are also determined by the rotation angle θ of the LiTaO 3 single crystal substrate.
Is 36 °, which is different from the conventional parameter value. Therefore, in order to obtain the best characteristics of the surface acoustic wave device, it is necessary to optimize the above-mentioned various parameters when the rotation angle θ of the LiTaO 3 single crystal substrate is made larger than the conventional one.
【００１６】本発明は上記の課題を解決した弾性表面波
装置を提供することを目的とする。[0016] The present invention aims to provide a solution to the surface acoustic wave device of the above problems.
【００１７】[0017]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴と
するものである。In order to solve the above-mentioned problems, the present invention is characterized by the following means.
【００１８】本発明は、異なる帯域周波数特性を有する
二つの弾性表面波装置要素を有する弾性表面波装置であ
って、前記帯域周波数が低い弾性表面波装置要素は、弾
性表面波の伝搬方向に沿って複数の櫛形電極が配設され
た構成とされ、かつ、前記帯域周波数が高い弾性表面波
装置要素は、弾性表面波型共振器をラダー接続したラダ
ー形弾性表面波装置要素で構成され、 前記帯域周波数が
低い弾性表面波装置要素と前記帯域周波数が高い弾性表
面波装置要素とを同一圧電基板上の同一面に形成したこ
とを特徴とするものである。[0018] The present invention relates to a surface acoustic wave device that having a two surface acoustic wave device element having a different band frequency characteristic, the band frequency is lower the surface acoustic wave device element, the surface acoustic wave along the propagation direction is a structure in which a plurality of comb-shaped electrodes are disposed, and the band frequency is higher surface acoustic wave device element, a surface acoustic wave resonator ladder type surface acoustic wave device elements described ladder connected And the band frequency is
Low surface acoustic wave device element and elastic table with high band frequency
A surface wave device element are those you wherein this <br/> and formed on the same surface on the same piezoelectric substrate.
【００１９】[0019]
【００２０】[0020]
【００２１】[0021]
【００２２】[0022]
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について
図面と共に説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
【００２３】図１（Ａ），（Ｂ）は、第１実施例である
弾性表面波装置を示している。図１（Ａ）を参照する
に、本実施例に係る弾性表面波装置は、いわゆる二重モ
ード型のＳＡＷフィルタであり、圧電基板（図示せず）
上に形成された一対の反射器１０Ａ，１０Ｂの間に三つ
の櫛形電極１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃを備えている。1A and 1B show a surface acoustic wave device according to the first embodiment. Referring to FIG. 1A, the surface acoustic wave device according to the present embodiment is a so-called dual mode SAW filter, and includes a piezoelectric substrate (not shown).
Three comb-shaped electrodes 11A, 11B, 11C are provided between the pair of reflectors 10A, 10B formed above.
【００２４】本実施例は、基板としてＬｉＴａＯ3 単結
晶をＸ軸を中心にＹ軸からＺ軸方向に４０°〜４２°の
範囲の角度で回転させた方位を有する圧電基板を用いて
いる。これにより、前述したようにＧＨz 帯域において
表面波の減衰が少なく、Ｑが高い弾性表面波装置を実現
することができる。In this embodiment, a piezoelectric substrate having a azimuth in which a LiTaO 3 single crystal is rotated about the X axis in the range of 40 ° to 42 ° from the Y axis to the Z axis is used as the substrate. As a result, as described above, it is possible to realize a surface acoustic wave device in which the surface wave is less attenuated in the GHz band and the Q is high.
【００２５】また、反射器１０Ａ，１０Ｂは基板のＸ軸
方向に配列され、Ｘ軸方向に伝搬する弾性表面波の経路
を規定する。一方、各々の電極１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ
は、複数の一次側電極指を形成された１次側電極（１１
Ａ）1 ，（１１Ｂ）1 ，（１１Ｃ）1 と、前記１次側電
極指と対向する２次側電極指を形成された２次側電極
（１１Ａ）2 ，（１１Ｂ）2 ，（１１Ｃ）2 とよりな
り、通常の櫛形電極と同様に、前記１次側電極指と２次
側電極指とは、前記Ｘ軸方向に交互に配列され、前記弾
性表面波の経路と交差する。The reflectors 10A and 10B are arranged in the X-axis direction of the substrate and define the path of the surface acoustic wave propagating in the X-axis direction. On the other hand, each electrode 11A, 11B, 11C
Is a primary side electrode (11) formed with a plurality of primary side electrode fingers.
A) 1, (11B) 1, (11C) 1 and secondary electrodes (11A) 2, (11B) 2, (11C) having secondary electrode fingers facing the primary electrode fingers. 2, the primary side electrode fingers and the secondary side electrode fingers are alternately arranged in the X-axis direction and intersect with the surface acoustic wave path, as in a normal comb-shaped electrode.
【００２６】図１（Ａ）の構成では、電極１１Ａおよび
１１Ｃの１次側電極（１１Ａ）1 ，（１１Ｃ）1 は入力
端子に接続され、また２次側電極（１１Ａ）2 ，（１１
Ｃ）2 は接地される。一方、電極１１Ｂの１次側電極
（１１Ｂ）1 は接地され、２次側電極（１１Ｂ）2 は出
力端子に接続される。すなわち、図１（Ａ）のＳＡＷフ
ィルタは、いわゆる２入力１出力型のＳＡＷフィルタを
構成する。In the configuration of FIG. 1A, the primary electrodes (11A) 1 and (11C) 1 of the electrodes 11A and 11C are connected to the input terminal, and the secondary electrodes (11A) 2 and (11C) 1 are connected.
C) 2 is grounded. On the other hand, the primary electrode (11B) 1 of the electrode 11B is grounded, and the secondary electrode (11B) 2 is connected to the output terminal. That is, the SAW filter shown in FIG. 1A constitutes a so-called 2-input 1-output type SAW filter.
【００２７】かかる二重モード型ＳＡＷフィルタでは、
図１（Ｂ）に示すように、前記反射器１０Ａ，１０Ｂの
間に形成された周波数がｆ1 の１次のモードと周波数が
ｆ3の３次のモードとを使い、周波数ｆ1 とｆ3 との間
に通過帯域を有する通過帯域特性を実現する。ただし、
図１（Ｂ）は、図１（Ａ）の構造中における弾性表面波
のエネルギ分布を示す。In such a dual mode SAW filter,
As shown in FIG. 1 (B), a first-order mode having a frequency f1 and a third-order mode having a frequency f3 formed between the reflectors 10A and 10B are used, and between the frequencies f1 and f3. A pass band characteristic having a pass band is realized. However,
FIG. 1B shows the energy distribution of surface acoustic waves in the structure of FIG.
【００２８】図２は、図１（Ａ）に示す弾性表面波装置
のインピーダンス−対数比特性を示している。ここで、
対数比とは櫛形電極１１Ａ〜１１Ｃの内中央部に位置す
る櫛形電極１１Ｂの電極対数（Ｎ１）と、この櫛形電極
１１Ｂに隣接する櫛形電極の電極対数（Ｎ２）との比率
（Ｎ２／Ｎ１）をいう。また図３は、図１（Ａ）に示す
弾性表面波装置の帯域幅−対数比特性を示している。FIG. 2 shows impedance-logarithmic ratio characteristics of the surface acoustic wave device shown in FIG. here,
The logarithmic ratio is a ratio (N2 / N1) between the number of electrode pairs (N1) of the comb-shaped electrode 11B located in the central portion of the comb-shaped electrodes 11A to 11C and the number of electrode pairs (N2) of the comb-shaped electrodes adjacent to the comb-shaped electrode 11B. Say. FIG. 3 shows the bandwidth-logarithmic ratio characteristic of the surface acoustic wave device shown in FIG.
【００２９】先ず、図２を参照すると、同図において実
線で示すのは対数比を変化させた場合における入力側イ
ンピーダンスの変化であり、また破線で示すのは対数比
を変化させた場合における出力側インピーダンスの変化
である。高周波デバイスである弾性表面波素子では、入
力側インピーダンス及び出力側インピーダンスは共に５
０Ωであることが望ましく、少なくとも５９Ω以下とす
る必要がある。First, referring to FIG. 2, the solid line in the figure shows the change in the impedance on the input side when the log ratio is changed, and the broken line shows the output when the log ratio is changed. This is the change in impedance on the side. In the surface acoustic wave device which is a high frequency device, both the input impedance and the output impedance are 5
It is desirable to be 0Ω, and it is necessary to be at least 59Ω or less.
【００３０】そこで、入力側インピーダンスに注目する
と、入力側インピーダンスは対数比が増大するに従い略
増大する傾向を示し、対数比が略８０％以下の場合にイ
ンピーダンスが５９Ω以下となる。また、出力側インピ
ーダンスに注目すると、出力側インピーダンスは対数比
が増大するに従い略減少する傾向を示し、対数比が略５
５％以上の場合にインピーダンスが５９Ω以下となる。Therefore, paying attention to the input impedance, the input impedance tends to increase substantially as the log ratio increases, and when the log ratio is 80% or less, the impedance is 59Ω or less. Focusing on the output-side impedance, the output-side impedance tends to decrease as the logarithmic ratio increases, and the logarithmic ratio is approximately 5%.
When it is 5% or more, the impedance is 59Ω or less.
【００３１】一方、図３に示される帯域幅と対数比との
関係に注目すると、対数比が略７０％である時を最大帯
域幅として、これより対数比が増大してもまた減少して
も帯域幅は減少する特性となっている。弾性表面波装置
として必要とされる帯域幅は少なくとも３３ＭＨｚ以上
である。よって、弾性表面波装置として必要とされる帯
域幅を満足させるためには、対数比を５５％以上８０％
以下に設定する必要がある。On the other hand, paying attention to the relationship between the bandwidth and the logarithmic ratio shown in FIG. 3, when the logarithmic ratio is about 70%, the maximum bandwidth is set, and the logarithmic ratio decreases again when the logarithmic ratio increases. However, it has a characteristic that the bandwidth is reduced. The bandwidth required for the surface acoustic wave device is at least 33 MHz or more. Therefore, in order to satisfy the bandwidth required for the surface acoustic wave device, the logarithmic ratio should be 55% or more and 80% or more.
It is necessary to set the following.
【００３２】そこで、本実施例に係る弾性表面波装置で
は、前記した図２及び図３の結果より、対数比を５５〜
８０％に設定したことを特徴としている。このように、
中央部に位置する櫛形電極１１Ｂの電極対数（Ｎ１）
と、この櫛形電極１１Ｂに隣接する櫛形電極の電極対数
（Ｎ２）との比率である対数比（Ｎ２／Ｎ１）を５５〜
８０％に設定することにより、帯域幅を広くすることが
できると共に、高周波デバイスである弾性表面波装置の
終端抵抗を最も特性の良好な５０Ωに近づけることがで
きる。Therefore, in the surface acoustic wave device according to this embodiment, the logarithmic ratio is 55 to 55 based on the results of FIGS.
The feature is that it is set to 80%. in this way,
Number of electrode pairs (N1) of the comb-shaped electrode 11B located in the central portion
And the logarithmic ratio (N2 / N1), which is the ratio of the number of electrode pairs (N2) of the comb-shaped electrodes adjacent to the comb-shaped electrode 11B, is 55 to 55.
By setting it to 80%, the bandwidth can be widened and the termination resistance of the surface acoustic wave device, which is a high frequency device, can be brought close to 50Ω, which has the best characteristics.
【００３３】特に、図３に示される特性より、対数比
（Ｎ２／Ｎ１）を６５〜７５％に設定することにより、
帯域幅を略３４ＭＨｚ以上の広い範囲に設定することが
可能となり、特に帯域幅特性の良好なＳＡＷフィルタを
実現することが可能となる。Particularly, from the characteristics shown in FIG. 3, by setting the logarithmic ratio (N2 / N1) to 65 to 75%,
The bandwidth can be set in a wide range of approximately 34 MHz or more, and a SAW filter having particularly good bandwidth characteristics can be realized.
【００３４】続いて、図４及び図５に注目する。図４は
図１（Ａ）に示す弾性表面波装置における帯域幅−電極
間距離（ＨＤ）特性をシミュレーションにより求めた結
果を示している。ここで、電極間距離（ＨＤ）とは、櫛
形電極１１Ａ〜１１Ｃの内、中央部に位置する櫛形電極
１１Ｂの両端の電極指の中央部から、この中央部に位置
する櫛形電極１１Ｂに隣接する他の櫛形電極１１Ａ，１
１Ｃの電極指の中央部までの距離をいう。Next, pay attention to FIGS. 4 and 5. FIG. 4 shows results obtained by simulating the bandwidth-electrode distance (HD) characteristics in the surface acoustic wave device shown in FIG. Here, the inter-electrode distance (HD) means that, from among the comb-shaped electrodes 11A to 11C, the comb-shaped electrode 11B located at the center is adjacent to the comb-shaped electrode 11B located at the center of the comb-shaped electrode 11B. Other comb-shaped electrodes 11A, 1
It is the distance to the center of the electrode finger of 1C.
【００３５】また、各電極指の幅寸法が異なる場合であ
っても、この電極間距離（ＨＤ）の計測起点は、各電極
指のＸ方向に対する中心位置とする。また、各図におい
て、横軸である電極間距離（ＨＤ）は、基板表面を伝搬
する弾性表面波の波長（λ）の倍数表示としている。Even if the width of each electrode finger is different, the measurement starting point of the inter-electrode distance (HD) is the center position of each electrode finger in the X direction. In each figure, the distance between electrodes (HD) on the horizontal axis is expressed as a multiple of the wavelength (λ) of the surface acoustic wave propagating on the substrate surface.
【００３６】図４を参照すると、前記したように弾性表
面波素子は少なくとも３３ＭＨｚ以上の帯域幅を有する
必要がある。よって、これを満足させる電極間距離（Ｈ
Ｄ）は、図４より０．７５λ〜０，９０λ以上である。
従って、電極間距離（ＨＤ）を０．７５λ〜０，９０λ
に設定することにより、弾性表面波素子の帯域幅を実用
に足る帯域幅に増大することができる。よって、本実施
例に係る弾性表面波装置では、フィルタの帯域特性を向
上させる面より、電極間距離（ＨＤ）を０．７５λ〜
０，９０λに設定している。Referring to FIG. 4, as described above, the surface acoustic wave device needs to have a bandwidth of at least 33 MHz or more. Therefore, the inter-electrode distance (H
D) is 0.75λ to 0.90λ or more from FIG.
Therefore, the distance between electrodes (HD) is 0.75λ to 0.90λ.
By setting to, the bandwidth of the surface acoustic wave element can be increased to a practically usable bandwidth. Therefore, in the surface acoustic wave device according to the present embodiment, from the viewpoint of improving the band characteristic of the filter, the inter-electrode distance (HD) is 0.75?
It is set to 0,90λ.
【００３７】尚、図４はシミュレーションの結果である
ため、電極間距離（ＨＤ）が０．５λ以下の領域におい
いても帯域幅が３３ＭＨｚ以上となる範囲が存在する
が、電極間距離（ＨＤ）が０．５λ以下となった場合に
は、実際には隣接する電極指が干渉する状態となり、実
際上は電極間距離（ＨＤ）を０．５λ以下とすることは
できない。一方、図５は図１９（Ａ）に示す弾性表面波
装置における帯域内リップル−電極間距離特性を示して
いる。ここで、帯域内リップルとはフィルタ帯域に含ま
れる脈動成分をいい、この帯域内リップルは発生しない
ことが望ましい（即ち、０ｄＢであることが望まし
い）。Since FIG. 4 is the result of the simulation, there is a range in which the bandwidth is 33 MHz or more even in the region where the interelectrode distance (HD) is 0.5λ or less, but the interelectrode distance (HD) Is 0.5 λ or less, the adjacent electrode fingers actually interfere with each other, and the interelectrode distance (HD) cannot be actually 0.5 λ or less. On the other hand, FIG. 5 shows in-band ripple-electrode distance characteristics in the surface acoustic wave device shown in FIG. Here, the in-band ripple means a ripple component included in the filter band, and it is desirable that this in-band ripple does not occur (that is, 0 dB is desirable).
【００３８】しかるに、この帯域内リップルを完全に除
去するのは困難であり、実用に足る弾性表面波装置とし
ては、少なくとも帯域内リップルを２．０ｄＢ以下とす
る必要がある。尚、同図においても、横軸である電極間
距離（ＨＤ）は、基板表面を伝搬する弾性表面波の波長
（λ）の倍数表示としている。However, it is difficult to completely remove this in-band ripple, and it is necessary for the surface acoustic wave device to have practical use to have at least an in-band ripple of 2.0 dB or less. Also in this figure, the distance between electrodes (HD) on the horizontal axis is expressed as a multiple of the wavelength (λ) of the surface acoustic wave propagating on the substrate surface.
【００３９】そこで、図５を参照すると、帯域内リップ
ルは電極間距離が０．８λ付近の時が最低値となってお
り、この最低電極間距離より電極間距離が長くなって
も、或いは短くなっても帯域内リップルの値は増加する
特性を示す。また、帯域内リップルを実用に足る２．０
ｄＢ以下とするためには、電極間距離を０．７８λ〜
０．８５λの間に設定する必要がある。このため、本実
施例に係る弾性表面波装置では、帯域内リップルのフィ
ルタ特性への影響を防止する面から電極間距離を０．７
８λ〜０．８５λに設定している。Therefore, referring to FIG. 5, the in-band ripple has a minimum value when the inter-electrode distance is near 0.8λ, and even if the inter-electrode distance is longer or shorter than this minimum inter-electrode distance. Even so, the in-band ripple value shows a characteristic of increasing. In addition, in-band ripple is sufficient for practical use 2.0
In order to make it equal to or less than dB, the distance between the electrodes is 0.78λ
It must be set between 0.85λ. Therefore, in the surface acoustic wave device according to the present embodiment, the inter-electrode distance is set to 0.7 in order to prevent the in-band ripple from affecting the filter characteristics.
It is set to 8λ to 0.85λ.
【００４０】図６は、図１９（Ａ）に示す弾性表面波装
置の帯域幅−電極周期比特性を示している。ここで、電
極周期比とは、表面弾性は装置を構成する櫛形電極１１
Ａ〜１１Ｃの電極周期をλIDT とし、反射器１０Ａ，１
０Ｂの電極周期をλref とした場合、この櫛形電極１１
Ａ〜１１Ｃの電極周期λIDT と反射器１０Ａ，１０Ｂの
電極周期λref との比率（λIDT ／λref ）をいう。FIG. 6 shows the bandwidth-electrode period ratio characteristic of the surface acoustic wave device shown in FIG. Here, the electrode cycle ratio means that the surface elasticity is the comb-shaped electrode 11 that constitutes the device.
The electrode period of A to 11C is λ IDT , and the reflectors 10A, 1
When the electrode period of 0B is λ ref , this comb-shaped electrode 11
The ratio (λ IDT / λ ref ) of the electrode period λ IDT of A to 11C and the electrode period λ ref of the reflectors 10A and 10B.
【００４１】そこで図６を参照すると、帯域幅は電極周
期比（λIDT ／λref ）が０．９８２の時に最大値とな
り、電極周期比がこの最大電極周期比より増大してもま
た低減しても帯域幅は減少する特性を示す。前記したよ
うに、弾性表面波装置の帯域幅は少なくとも３３ＭＨｚ
以上であることが望ましい。Therefore, referring to FIG. 6, the bandwidth has a maximum value when the electrode period ratio (λ IDT / λ ref ) is 0.982, and decreases even when the electrode period ratio is increased above this maximum electrode period ratio. However, it shows the characteristic that the bandwidth is reduced. As mentioned above, the surface acoustic wave device has a bandwidth of at least 33 MHz.
The above is desirable.
【００４２】よって、帯域幅を３３ＭＨｚ以上とするた
めには電極周期比（λIDT ／λref）の値を０．９７７
〜０．９９２とする必要がある。このため、本実施例に
係る弾性表面波装置では、電極周期比（λIDT ／λ
ref ）の値を０．９７７〜０．９９２に設定しており、
これにより、帯域幅を所望する値とすることができる。Therefore, in order to set the bandwidth to 33 MHz or more, the value of the electrode period ratio (λ IDT / λ ref ) is 0.977.
It is necessary to set to 0.992. Therefore, in the surface acoustic wave device according to the present embodiment, the electrode period ratio (λ IDT / λ
ref ) value is set to 0.977 to 0.992,
As a result, the bandwidth can be set to a desired value.
【００４３】続いて、図７及び図８に注目する。図７
は、図１に示した弾性表面波装置のインピーダンス−電
極交叉幅特性を示しており、また図８は図１に示した弾
性表面波装置の帯域幅−電極交叉幅特性を示している。Next, pay attention to FIGS. 7 and 8. Figure 7
Shows the impedance-electrode crossover width characteristic of the surface acoustic wave device shown in FIG. 1, and FIG. 8 shows the bandwidth-electrode crossover width characteristic of the surface acoustic wave device shown in FIG.
【００４４】ここで、電極交叉幅（Ｗ）とは、各櫛形電
極１１Ａ〜１１Ｃの一次側電極（１１Ａ）1 〜（１１
Ｃ）1 の電極指と二次側電極（１１Ａ）2 〜（１１Ｃ）
2 の電極指が、Ｘ方向にみて重なり合う幅寸法をいう
（図１（Ａ）参照）。また、各図において、横軸である
電極交叉幅（Ｗ）は、基板表面を伝搬する弾性表面波の
波長（λ）の倍数表示としている。Here, the electrode crossing width (W) means the primary side electrodes (11A) 1 to (11) of the comb-shaped electrodes 11A to 11C.
C) Electrode finger of 1 and secondary side electrode (11A) 2 to (11C)
The width dimension in which the second electrode finger overlaps when viewed in the X direction (see FIG. 1A). Further, in each drawing, the electrode crossing width (W) on the horizontal axis is expressed as a multiple of the wavelength (λ) of the surface acoustic wave propagating on the substrate surface.
【００４５】先ず図７を参照すると、インピーダンス
は、電極交叉幅（Ｗ）が増大するに従い漸次減少する傾
向を示している。前記したように、高周波デバイスであ
る弾性表面波装置は、フィルタの入出力インピーダンス
が終端抵抗と一致した場合に最も良好なフィルタ特性を
示す。また、許容インピーダンスは最適値に対して±１
０％であり、具体的には終端抵抗が５０Ωの場合、フィ
ルタの入出力インピーダンスの値が４０Ωから６０Ωの
範囲であれば良好な特性を実現することができる。従っ
て、図７より電極交叉幅（Ｗ）を４０λから８０λに設
定することにより、所望するインピーダンス特性をえる
ことができる。 一方、図８を参照すると、帯域幅は電
極交叉幅（Ｗ）が６０λである時に最大帯域幅となり、
電極交叉幅がこの最大電極交叉幅より増大してもまた減
少しても帯域幅は減少する特性を示す。前記したよう
に、弾性表面波装置として実用に足る帯域波幅は、少な
くとも３３ＭＨｚ以上である。よって、電極交叉幅を４
０λ〜７０λに設定した場合に良好な帯域幅をえること
ができる。First, referring to FIG. 7, the impedance tends to gradually decrease as the electrode crossing width (W) increases. As described above, the surface acoustic wave device, which is a high frequency device, exhibits the best filter characteristics when the input / output impedance of the filter matches the termination resistance. The allowable impedance is ± 1 with respect to the optimum value.
It is 0%, and specifically, when the terminating resistance is 50Ω, good characteristics can be realized if the input / output impedance value of the filter is in the range of 40Ω to 60Ω. Therefore, by setting the electrode cross width (W) from 40λ to 80λ from FIG. 7, desired impedance characteristics can be obtained. On the other hand, referring to FIG. 8, the bandwidth becomes maximum when the electrode crossing width (W) is 60λ,
The bandwidth decreases when the electrode crossing width increases or decreases from the maximum electrode crossing width. As described above, the practical band width of the surface acoustic wave device is at least 33 MHz or more. Therefore, the electrode crossing width is 4
When set to 0λ to 70λ, a good bandwidth can be obtained.
【００４６】即ち、図７及び図８の特性より、電極交叉
幅（Ｗ）を４０λ〜７０λに設定することにより、イン
ピーダンス特性及び帯域幅を弾性表面波装置として適正
な値とすることができる。そこで、本実施例に係る弾性
表面波装置では、電極交叉幅（Ｗ）を４０λ〜７０λに
設定している。That is, from the characteristics of FIGS. 7 and 8, the impedance characteristics and the bandwidth can be set to appropriate values for the surface acoustic wave device by setting the electrode crossing width (W) to 40λ to 70λ. Therefore, in the surface acoustic wave device according to the present embodiment, the electrode crossing width (W) is set to 40λ to 70λ.
【００４７】次に、第２実施例を図９を参照しながら説
明する。但し、図９において、先に説明した部分に対応
する部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。Next, a second embodiment will be described with reference to FIG. However, in FIG. 9, the portions corresponding to the portions described above are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.
【００４８】図９を参照するに、本実施例による弾性表
面波装置（ＳＡＷフィルタ）は、前記第１実施例と同様
なＬｉＴａＯ3 単結晶をＸ軸を中心にＹ軸からＺ軸方向
に４０°〜４２°の範囲の角度で回転させた方位を有す
る圧電基板（図示せず）上に構成されている。Referring to FIG. 9, in the surface acoustic wave device (SAW filter) according to the present embodiment, a LiTaO 3 single crystal similar to that of the first embodiment is used in the Y-axis to the Z-axis direction with the X-axis as the center. It is constructed on a piezoelectric substrate (not shown) having an orientation rotated at an angle in the range of ° to 42 °.
【００４９】そして、この圧電基板上には、前記図１に
示したのと同様な、Ｘ軸方向に整列した反射器１０Ａ，
１０Ｂ、および反射器１０Ａ，１０Ｂ間に順次配列され
た櫛形電極１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃよりなる第１の弾性
表面波素子要素（以下、ＳＡＷフィルタ１１という）
と、同じ圧電基板上に構成され、Ｘ軸方向に整列した反
射器２０Ａ，２０Ｂ、および反射器２０Ａ，２０Ｂ間に
順次配列された櫛形電極２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃよりな
る第２の弾性表面波装置要素（以下、ＳＡＷフィルタ２
１という）とを含み、ＳＡＷフィルタ１１とＳＡＷフィ
ルタ２１とは、櫛形電極１１Ｂを構成する２次側電極
（１１Ｂ）2 を櫛形電極２１Ｂを構成する１次側電極
（２１Ｂ）1 に接続することにより、カスケード接続さ
れた構成とされている。Then, on this piezoelectric substrate, the reflectors 10A, aligned in the X-axis direction, similar to those shown in FIG.
10B, and a first surface acoustic wave element element (hereinafter, referred to as SAW filter 11) including comb-shaped electrodes 11A, 11B and 11C sequentially arranged between the reflectors 10A and 10B.
And a second surface acoustic wave device including the reflectors 20A and 20B arranged on the same piezoelectric substrate and aligned in the X-axis direction, and the comb-shaped electrodes 21A, 21B, and 21C sequentially arranged between the reflectors 20A and 20B. Elements (hereinafter SAW filter 2
The SAW filter 11 and the SAW filter 21 connect the secondary side electrode (11B) 2 forming the comb-shaped electrode 11B to the primary side electrode (21B) 1 forming the comb-shaped electrode 21B. Due to this, a cascade connection is made.
【００５０】図９の実施例では、櫛形電極１１Ａ，１１
Ｃの１次側電極（１１Ａ）1 ，（１１Ｃ）1 が共通に接
地され、また櫛型電極１１Ａ，１１Ｃの２次側電極（１
１Ａ）2 ，（１１Ｃ）2 は櫛型電極２１Ａ，２１Ｃの１
次側電極（１１Ａ）1 ，（１１Ｃ）1 に接続されてい
る。また、櫛型電極２１Ａ，２１Ｃの２次側電極（１１
Ａ）2 ，（１１Ｃ）2 は共通に接地された構成とされて
いる。更に、櫛形電極１１Ｂの１次側電極（１１Ｂ）1
は入力電極パッドに接続されると共に、櫛形電極２１Ｂ
の２次側電極（２１Ｂ）2 は出力電極パッドに接続され
た構成とされている。In the embodiment of FIG. 9, the comb-shaped electrodes 11A, 11
The primary side electrodes (11A) 1 and (11C) 1 of C are commonly grounded, and the secondary side electrodes (1
1A) 2, (11C) 2 is one of the comb-shaped electrodes 21A, 21C
It is connected to the secondary electrodes (11A) 1 and (11C) 1. In addition, the secondary side electrodes (11
A) 2 and (11C) 2 are commonly grounded. Further, the primary side electrode (11B) 1 of the comb-shaped electrode 11B
Is connected to the input electrode pad and the comb-shaped electrode 21B
The secondary side electrode (21B) 2 of is connected to the output electrode pad.
【００５１】図９の実施例では、ＳＡＷフィルタ１１の
電極交差幅がＷ1 であるのに対し、ＳＡＷフィルタ２１
の電極交差幅がＷ2 （≠Ｗ1 ）とされ、その結果、弾性
表面波装置（ＳＡＷフィルタ）全体の入力インピーダン
スと出力インピーダンスとが異なった値に設定されてい
る。即ち、弾性表面波装置全体の入力インピーダンス
は、電極交差幅がＷ1 のＳＡＷフィルタ１１の入力イン
ピーダンスで決定されるのに対し、全体の出力インピー
ダンスは、電極交差幅がＷ2 のＳＡＷフィルタ２１の出
力インピーダンスで決定される。In the embodiment of FIG. 9, the SAW filter 11 has an electrode crossing width of W1, while the SAW filter 21
The electrode crossing width of is set to W2 (≠ W1), and as a result, the input impedance and the output impedance of the entire surface acoustic wave device (SAW filter) are set to different values. That is, the input impedance of the entire surface acoustic wave device is determined by the input impedance of the SAW filter 11 having the electrode crossing width W1, whereas the overall output impedance is the output impedance of the SAW filter 21 having the electrode crossing width W2. Is determined by.
【００５２】また、ＳＡＷフィルタの入出力インピーダ
ンスは電極対数と電極交差幅に反比例することが知られ
ているが、電極対数はフィルタの通過帯域特性を決定す
るため、自在に選択することはできない。これに対し、
電極交差幅は、フィルタの通過帯域特性とは比較的無関
係に設定できるため、図９の実施例では、電極交差幅Ｗ
1 と電極交差幅Ｗ2 とを独立に設定することにより、Ｓ
ＡＷフィルタ１の入力インピーダンスとＳＡＷフィルタ
２の出力インピーダンスとを、独立かつ自在に変化させ
て終端インピーダンスと合わせることができる。本手法
は、入力側の終端インピーダンスと出力側の終端インピ
ーダンスが異なる場合に効果がある。Further, it is known that the input / output impedance of the SAW filter is inversely proportional to the number of electrode pairs and the electrode crossing width, but the number of electrode pairs cannot be freely selected because it determines the pass band characteristic of the filter. In contrast,
Since the electrode crossing width can be set relatively independently of the pass band characteristic of the filter, the electrode crossing width W is set in the embodiment of FIG.
By setting 1 and the electrode crossing width W2 independently, S
The input impedance of the AW filter 1 and the output impedance of the SAW filter 2 can be changed independently and freely to match the termination impedance. This method is effective when the terminating impedance on the input side and the terminating impedance on the output side are different.
【００５３】具体的には、本実施例では入力側となるＳ
ＡＷフィルタ１１の電極交叉幅（Ｗ１）を弾性表面波の
波長λに対して４０λ〜６０λに設定し、また出力側と
なるＳＡＷフィルタ２１の電極交叉幅（Ｗ２）を弾性表
面波の波長λに対して２０λ〜６０λ（但し、Ｗ１，Ｗ
２が共に６０λとなる場合を除く）に設定している。ま
た、図９に示す弾性表面波装置の特性を決定する他のパ
ラメータは、ＳＡＷフィルタ１１及びＳＡＷフィルタ２
１共に図１（Ａ）に示した弾性表面波装置と同じ値に設
定している。即ち、ＳＡＷフィルタ１１及びＳＡＷフィ
ルタ２１共に、電極対比（Ｎ２／Ｎ１）は５５〜８０％
となるよう設定されており、電極間距離（ＨＤ）ハ弾性
表面波の波長λに対して０．７５λ〜０．９０λに設定
されており、電極周期比（λIDT ／λref ）は０．９７
７〜０．９９２に設定されている。特に、上記した各パ
ラメータの内、電極対比（Ｎ２／Ｎ１）を６５〜７５％
に設定することにより、更に帯域幅の広い弾性表面波装
置を実現することができる。Specifically, in the present embodiment, S on the input side is
The electrode crossing width (W1) of the AW filter 11 is set to 40λ to 60λ with respect to the wavelength λ of the surface acoustic wave, and the electrode crossing width (W2) of the SAW filter 21 on the output side is set to the wavelength λ of the surface acoustic wave. On the other hand, 20λ to 60λ (however, W1, W
(Except when both 2 are 60λ). Other parameters that determine the characteristics of the surface acoustic wave device shown in FIG. 9 are the SAW filter 11 and the SAW filter 2.
1 is set to the same value as that of the surface acoustic wave device shown in FIG. That is, the electrode contrast (N2 / N1) of both the SAW filter 11 and the SAW filter 21 is 55 to 80%.
The distance between electrodes (HD) c is set to 0.75λ to 0.90λ with respect to the wavelength λ of the surface acoustic wave, and the electrode period ratio (λ IDT / λ ref ) is 0. 97
It is set to 7 to 0.992. In particular, among the above parameters, the electrode contrast (N2 / N1) is 65 to 75%.
By setting to, it is possible to realize a surface acoustic wave device having a wider bandwidth.
【００５４】図１９に上記した図９に示した弾性表面波
装置（ＳＡＷフィルタ）の出力側終端インピーダンスと
バンド幅との関係の一実施例を示す。同図においては、
ＳＡＷフィルタの入力側手段インピーダンスは５０Ωで
固定しており、出力側終端インピーダンス（ＲＬ）を変
化させた場合におけるバンド幅の変化を示している。図
１９を参照すると、Ｗ２／Ｗ１＝１の場合においては、
出力側終端インピーダンス（ＲＬ）が１００Ω以上でバ
ンド幅が減少する特性を有している。これに対し、Ｗ２
／Ｗ１＝０．６，及びＷ２／Ｗ１＝０．４の場合（即
ち、電極交叉幅Ｗ１，Ｗ２を異ならせた場合）において
は、出力側終端インピーダンス（ＲＬ）が７５Ω〜２０
０Ωの範囲において良好な結果を得ることができる。FIG. 19 shows an embodiment of the relationship between the output side terminating impedance and the bandwidth of the surface acoustic wave device (SAW filter) shown in FIG. In the figure,
The input side impedance of the SAW filter is fixed at 50Ω, and changes in the bandwidth when the output side termination impedance (RL) is changed are shown. Referring to FIG. 19, in the case of W2 / W1 = 1,
It has a characteristic that the bandwidth is reduced when the output side terminating impedance (RL) is 100Ω or more. On the other hand, W2
In the case of /W1=0.6 and W2 / W1 = 0.4 (that is, when the electrode crossing widths W1 and W2 are different), the output side termination impedance (RL) is 75Ω to 20.
Good results can be obtained in the range of 0Ω.
【００５５】一方、終端インピーダンスが５０Ωである
場合、ＳＡＷフィルタの電極交叉幅は４０λから６０λ
で良好な特性が得られるが、終端インピーダンス（Ｒ
Ｌ）が７５Ωから２００Ωでは、電極交叉幅は２０λ〜
６０λで良好な特性が得られる。よって、入出力で異な
る終端インピーダンスを有する弾性表面波装置（ＳＡＷ
フィルタ）の場合には、上記の組み合わせが必要とな
る。On the other hand, when the terminating impedance is 50Ω, the electrode crossing width of the SAW filter is 40λ to 60λ.
Good characteristics are obtained, but the terminating impedance (R
L) is 75Ω to 200Ω, the electrode crossing width is 20λ ~
Good characteristics can be obtained at 60λ. Therefore, a surface acoustic wave device (SAW having different termination impedances for input and output)
In the case of a filter), the above combination is required.
【００５６】続いて、第３実施例である弾性表面波装置
について説明する。図１２は第３実施例である弾性表面
波装置を示しており、図１０及び図１１は第３実施例の
比較例である弾性表面波装置を示している。先ず、図１
０及び図１１を用いて第３実施例の比較例である弾性表
面波装置について説明する。 図１０乃至図１２は、第
２実施例による弾性表面波装置のパッケージを含む構成
を示している。但し、先に説明した部分には同一の参照
符号を付し、説明を省略する。Next, the surface acoustic wave device of the third embodiment will be described. FIG. 12 shows a surface acoustic wave device which is the third embodiment, and FIGS. 10 and 11 show a surface acoustic wave device which is a comparative example of the third embodiment. First, Fig. 1
A surface acoustic wave device which is a comparative example of the third embodiment will be described with reference to FIGS. 10 to 12 show the structure including the package of the surface acoustic wave device according to the second embodiment. However, the same reference numerals are given to the parts described above, and the description thereof will be omitted.
【００５７】先ず、図１０に示される弾性表面波装置に
ついて説明する。同図に示す弾性表面波装置は、図９に
示した構成の弾性表面波装置を担持する圧電基板１がセ
ラミックパッケージ基板１００上に担持され、前記パッ
ケージ基板１００上には入力端子と出力端子が対向する
よう配設されている。First, the surface acoustic wave device shown in FIG. 10 will be described. In the surface acoustic wave device shown in the figure, a piezoelectric substrate 1 carrying the surface acoustic wave device having the configuration shown in FIG. 9 is carried on a ceramic package substrate 100, and an input terminal and an output terminal are provided on the package substrate 100. It is arranged so as to face each other.
【００５８】入力端子は一対の接地電極１０１，１０３
が、入力電極１０２を両側から挟持するように形成され
ている。また、出力端子は接地電極１０４および１０６
が、出力電極１０５を両側から挟持するように形成され
ている。The input terminal is a pair of ground electrodes 101, 103.
However, it is formed so as to sandwich the input electrode 102 from both sides. The output terminals are ground electrodes 104 and 106.
However, it is formed so as to sandwich the output electrode 105 from both sides.
【００５９】図１０の構成では、圧電基板１上のＳＡＷ
フィルタ１１のうち、櫛形電極１１Ａの接地電極（図９
の電極（１１Ａ）1 ）はパッケージ１００上の入力側接
地電極１０３にＡｌワイヤ１０７で接続され、櫛形電極
１１Ｃの接地電極（図９の電極（１１Ｃ）1 ）は、パッ
ケージ１００上の出力側接地電極１０６にＡｌワイヤ１
０８で接続される。In the configuration of FIG. 10, the SAW on the piezoelectric substrate 1 is
Of the filter 11, the ground electrode of the comb-shaped electrode 11A (see FIG.
The electrode (11A) 1 of is connected to the input side ground electrode 103 on the package 100 by the Al wire 107, and the ground electrode of the comb-shaped electrode 11C (electrode (11C) 1 in FIG. 9) is connected to the output side ground on the package 100. Al wire 1 for electrode 106
It is connected at 08.
【００６０】また、櫛形電極１１Ｂの入力電極（図９の
電極（１１Ｂ）1 ）は、前記入力電極１０２にＡｌワイ
ヤ１０９により接続され、櫛形電極１１Ｂの接地電極
（図９の電極（１１Ｂ）2 ）は、入力側接地電極１０１
にＡｌワイヤ１１０により接続されている。The input electrode of the comb-shaped electrode 11B (electrode (11B) 1 of FIG. 9) is connected to the input electrode 102 by an Al wire 109, and the ground electrode of the comb-shaped electrode 11B (electrode (11B) 2 of FIG. 9). ) Is the input side ground electrode 101
To an Al wire 110.
【００６１】これに対し、圧電基板１上のＳＡＷフィル
タ２１のうち、櫛形電極２１Ａの接地電極（図９の電極
（２１Ａ）2 ）はパッケージ１００上の入力側接地電極
１０１にＡｌワイヤ１１１で接続され、櫛形電極２１Ｃ
の接地電極（図９の電極（２１Ｃ）2 ）は、パッケージ
１００上の出力側接地電極１０４にＡｌワイヤ１１２で
接続されている。On the other hand, in the SAW filter 21 on the piezoelectric substrate 1, the ground electrode of the comb-shaped electrode 21A (electrode (21A) 2 in FIG. 9) is connected to the input-side ground electrode 101 on the package 100 by the Al wire 111. And the comb-shaped electrode 21C
The ground electrode (the electrode (21C) 2 in FIG. 9) is connected to the output side ground electrode 104 on the package 100 by the Al wire 112.
【００６２】また、櫛形電極２１Ｂの接地電極（図９の
電極（２１Ｂ）1 ）は、出力側接地電極１０６にＡｌワ
イヤ１１３により接続される。更に、櫛形電極２１Ｂの
出力電極（図９の電極（２１Ｂ）2 ）は、出力電極１０
５にＡｌワイヤ１１４により接続されている。また、Ｓ
ＡＷフィルタ１１とＳＡＷフィルタ２１とは、櫛形電極
１１Ａ，１１Ｃの２次側電極（１１Ａ）2 ，（１１Ｃ）
2 を櫛形電極２１Ａ，２１Ｃの１次側電極（２１Ａ）1
，（２１Ｃ）1 に接続することにより、カスケード接
続された構成とされている。The ground electrode of the comb-shaped electrode 21B (electrode (21B) 1 in FIG. 9) is connected to the output-side ground electrode 106 by the Al wire 113. Further, the output electrode of the comb-shaped electrode 21B (electrode (21B) 2 in FIG. 9) is the same as the output electrode 10
5 is connected by an Al wire 114. Also, S
The AW filter 11 and the SAW filter 21 are the secondary side electrodes (11A) 2, (11C) of the comb-shaped electrodes 11A, 11C.
2 is the primary side electrode (21A) of the comb-shaped electrodes 21A and 21C 1
, (21C) 1 to form a cascade connection.
【００６３】次に、図１１に示される弾性表面波装置に
ついて説明する。尚、図１０に示した構成と同一構成部
分については同一符号を付してその説明を省略する。Next, the surface acoustic wave device shown in FIG. 11 will be described. The same components as those shown in FIG. 10 are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.
【００６４】図１１に示す弾性表面波装置は、前記した
図１０に示した弾性表面波装置の構成に加えＡｌワイヤ
１１４，１１５を追加した構成とされている。具体的に
は、櫛形電極１１Ｃの接地電極（図９の電極（１１Ｃ）
1 ）は、パッケージ１００上の入力側接地電極１０１に
もＡｌワイヤ１１４で接続されており、更に櫛形電極２
１Ａの接地電極（図９の電極（２１Ａ）2 ）は、パッケ
ージ１００上の出力側接地電極１０６にもＡｌワイヤ１
１５により接続された構成とされている。The surface acoustic wave device shown in FIG. 11 has a structure in which Al wires 114 and 115 are added in addition to the structure of the surface acoustic wave device shown in FIG. Specifically, the ground electrode of the comb-shaped electrode 11C (the electrode (11C) in FIG. 9)
1) is also connected to the input side ground electrode 101 on the package 100 by the Al wire 114, and further the comb-shaped electrode 2
The ground electrode 1A (electrode (21A) 2 in FIG. 9) is also connected to the output side ground electrode 106 on the package 100 by the Al wire 1.
It is configured to be connected by 15.
【００６５】続いて、第３実施例である弾性表面波装置
について図１２を参照して説明する。尚、図１２におい
ても図１０及び図１１に示した構成と同一構成部分につ
いては同一符号を付してその説明を省略する。Next, the surface acoustic wave device of the third embodiment will be described with reference to FIG. In FIG. 12, the same components as those shown in FIGS. 10 and 11 are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
【００６６】図１２の構成では、圧電基板１上のＳＡＷ
フィルタ１１のうち、櫛形電極１１Ａの接地電極（図９
の電極（１１Ａ）1 ）はパッケージ１００上の入力側接
地電極１０３にＡｌワイヤ１０７で接続され、櫛形電極
１１Ｃの接地電極（図９の電極（１１Ｃ）1 ）は、パッ
ケージ１００上の入力側接地電極１０１（グランドパッ
ド）にＡｌワイヤ１１４（入力側グランドワイヤ）で接
続される。In the configuration of FIG. 12, the SAW on the piezoelectric substrate 1 is
Of the filter 11, the ground electrode of the comb-shaped electrode 11A (see FIG.
Electrode (11A) 1 of FIG. 9 is connected to the input side ground electrode 103 on the package 100 by the Al wire 107, and the ground electrode of the comb-shaped electrode 11C (electrode (11C) 1 of FIG. 9) is connected to the input side ground on the package 100. The electrode 101 (ground pad) is connected by an Al wire 114 (input side ground wire).
【００６７】また、櫛形電極１１Ｂの入力電極（図９の
電極（１１Ｂ）1 ）は、前記入力電極１０２（信号パッ
ド）にＡｌワイヤ１０９（入力側信号ワイヤ）により接
続され、櫛形電極１１Ｂの接地電極（図９の電極（１１
Ｂ）2 ）は、入力側接地電極１０１（グランドパッド）
にＡｌワイヤ１１０（入力側グランドワイヤ）により接
続されている。The input electrode of the comb-shaped electrode 11B (electrode (11B) 1 in FIG. 9) is connected to the input electrode 102 (signal pad) by an Al wire 109 (input-side signal wire), and the comb-shaped electrode 11B is grounded. Electrode (electrode (11 in FIG. 9
B) 2) is the input side ground electrode 101 (ground pad)
To an Al wire 110 (input side ground wire).
【００６８】これに対し、圧電基板１上のＳＡＷフィル
タ２１のうち、櫛形電極２１Ａの接地電極（図９の電極
（２１Ａ）2 ）はパッケージ１００上の出力側接地電極
１０６（グランドパッド）にＡｌワイヤ１１５（出力側
グランドワイヤ）で接続され、櫛形電極２１Ｃの接地電
極（図９の電極（２１Ｃ）2 ）は、パッケージ１００上
の出力側接地電極１０４（グランドパッド）にＡｌワイ
ヤ１１２（出力側グランドワイヤ）で接続されている。On the other hand, in the SAW filter 21 on the piezoelectric substrate 1, the ground electrode of the comb-shaped electrode 21A (electrode (21A) 2 in FIG. 9) is connected to the output-side ground electrode 106 (ground pad) on the package 100 by Al. The ground electrode of the comb-shaped electrode 21C (electrode (21C) 2 in FIG. 9) connected to the wire 115 (output side ground wire) is connected to the output side ground electrode 104 (ground pad) on the package 100 by the Al wire 112 (output side). Ground wire).
【００６９】また、櫛形電極２１Ｂの接地電極（図９の
電極（２１Ｂ）1 ）は、出力側接地電極１０６（グラン
ドパッド）にＡｌワイヤ１１３（出力側グランドワイ
ヤ）により接続される。更に、櫛形電極２１Ｂの出力電
極（図９の電極（２１Ｂ）2 ）は、出力電極１０５（信
号パッド）にＡｌワイヤ１１４（出力側信号ワイヤ）に
より接続されている。The ground electrode of the comb-shaped electrode 21B (electrode (21B) 1 in FIG. 9) is connected to the output-side ground electrode 106 (ground pad) by the Al wire 113 (output-side ground wire). Further, the output electrode of the comb-shaped electrode 21B (electrode (21B) 2 in FIG. 9) is connected to the output electrode 105 (signal pad) by an Al wire 114 (output side signal wire).
【００７０】即ち、図１２に示される構成の弾性表面波
装置は、図１１に示した構成に対し櫛形電極１１Ｃの接
地電極（図９の電極（１１Ｃ）1 ）と出力側接地電極１
０６とを接続するＡｌワイヤ１０８と、櫛形電極２１Ａ
の接地電極（図９の電極（２１Ａ）2 ）と入力側接地電
極１０１とを接続するＡｌワイヤ１１１とを取り除いた
構成とされている。That is, the surface acoustic wave device having the structure shown in FIG. 12 is different from the structure shown in FIG. 11 in that the ground electrode (electrode (11C) 1 in FIG. 9) of the comb-shaped electrode 11C and the output side ground electrode 1 are arranged.
Al wire 108 for connecting with 06 and the comb-shaped electrode 21A
The ground wire (the electrode (21A) 2 in FIG. 9) and the Al wire 111 for connecting the input-side ground electrode 101 are removed.
【００７１】この構成とすることにより、入力側のＳＡ
Ｗフィルタ１１に接続される各Ａｌワイヤ１０７，１０
９，１１０，１１４は全て入力側の電極１０１〜１０３
に接続された構成となり、かつ出力側のＳＡＷフィルタ
２１に接続される各Ａｌワイヤ１１２〜１１５は全て出
力側の電極１０４〜１０６に接続された構成となる。
尚、ＳＡＷフィルタ１１とＳＡＷフィルタ２１とは、櫛
形電極１１Ａ，１１Ｃの２次側電極（１１Ａ）2 ，（１
１Ｃ）2 を櫛形電極２１Ａ，２１Ｃの１次側電極（２１
Ａ）1 ，（２１Ｃ）1 に接続することによりカスケード
接続された構成とされていることは、図１０及び図１１
に示した弾性表面波装置と同じである。図１３は、図１
０乃至図１２に示した弾性表面波装置の減衰量−周波数
特性を示している。同図において、矢印Ａで示すのは図
１０に示した比較例である弾性表面波装置の特性であ
り、矢印Ｂで示すのは図１１に示した比較例である弾性
表面波装置の特性であり、更に矢印Ｃで示すのは図１２
に示した第３実施例である弾性表面波装置の特性であ
る。With this configuration, the SA on the input side is
Each Al wire 107, 10 connected to the W filter 11
9, 110 and 114 are all electrodes 101 to 103 on the input side.
The Al wires 112 to 115 connected to the SAW filter 21 on the output side are all connected to the electrodes 104 to 106 on the output side.
The SAW filter 11 and the SAW filter 21 are the secondary electrodes (11A) 2, (1) of the comb-shaped electrodes 11A, 11C.
1C) 2 is the primary side electrode (21C) of the comb-shaped electrodes 21A, 21C.
The configuration of cascade connection by connecting to A) 1 and (21C) 1 is shown in FIGS.
This is the same as the surface acoustic wave device shown in FIG. 13 is the same as FIG.
13 shows attenuation-frequency characteristics of the surface acoustic wave devices shown in FIGS. In the figure, the arrow A shows the characteristics of the surface acoustic wave device of the comparative example shown in FIG. 10, and the arrow B shows the characteristics of the surface acoustic wave device of the comparative example shown in FIG. Yes, and further shown by arrow C in FIG.
3 is a characteristic of the surface acoustic wave device according to the third embodiment shown in FIG.
【００７２】図１３を参照すると、矢印Ａ，Ｂで示す比
較例に係る弾性表面波装置の減衰量が比較的低い特性を
示すのに対し、本実施例である矢印Ｃで示す弾性表面波
装置の減衰量は減衰度が大きく良好な特性となっている
ことが判る。従って、ワイヤ接続を図１２に示す接続方
法とすることにより、ＳＡＷフィルタとして良好な特性
を得ることができる。Referring to FIG. 13, while the surface acoustic wave device according to the comparative example indicated by arrows A and B exhibits a relatively low attenuation amount, the surface acoustic wave device indicated by arrow C in the present embodiment is shown. It can be seen that the attenuation amount of has a large attenuation degree and has a good characteristic. Therefore, by adopting the connection method shown in FIG. 12 for wire connection, good characteristics can be obtained as a SAW filter.
【００７３】このような特性を示す理由は明確ではない
が、入力側と出力側でのバランスが均衡している点、及
び入力側と出力側が配線的に完全に分離されているため
干渉が発生しない点等が上記特性を示す理由の一つとな
っているものと思われる。Although the reason for exhibiting such characteristics is not clear, interference occurs because the balance between the input side and the output side is balanced and the input side and the output side are completely separated from each other by wiring. It seems that one of the reasons is that the above characteristics are not exhibited.
【００７４】次に、第４実施例である弾性表面波装置に
ついて説明する。図１４は第４実施例に係る弾性表面波
装置を示している。但し、同図において、先に説明した
部分には同一の参照符号を付して説明を省略する。Next, the surface acoustic wave device of the fourth embodiment will be described. FIG. 14 shows a surface acoustic wave device according to the fourth embodiment. However, in the figure, the same reference numerals are given to the portions described above, and the description thereof will be omitted.
【００７５】図１４に示す弾性表面波装置は、図９に示
した構成の弾性表面波装置を担持する圧電基板１がセラ
ミックパッケージ基板１００上に担持された構成とされ
ており、また不平衡型ＳＡＷフィルタ１１と平衡型ＳＡ
Ｗフィルタ２１とを具備した構成とされている。前記パ
ッケージ基板１００上には不平衡側端子と平衡側端子が
対向するよう配設されている。The surface acoustic wave device shown in FIG. 14 has a structure in which the piezoelectric substrate 1 carrying the surface acoustic wave device having the structure shown in FIG. 9 is carried on the ceramic package substrate 100, and is of the unbalanced type. SAW filter 11 and balanced SA
The W filter 21 is provided. The unbalanced side terminals and the balanced side terminals are arranged on the package substrate 100 so as to face each other.
【００７６】不平衡側端子は一対の接地電極２０１，２
０３が、信号電極２０２を両側から挟持するように形成
されている。また、平衡側端子は一対の信号電極２０
４，２０６が、接地電極２０５を両側から挟持するよう
に形成されている。The unbalanced side terminal is a pair of ground electrodes 201 and 201.
03 is formed so as to sandwich the signal electrode 202 from both sides. In addition, the balanced side terminal is a pair of signal electrodes 20.
4, 206 are formed so as to sandwich the ground electrode 205 from both sides.
【００７７】図１４の構成では、圧電基板１上の不平衡
型ＳＡＷフィルタ１１のうち、櫛形電極１１Ａの接地電
極（図９の電極（１１Ａ）1 ）はパッケージ１００上の
不平衡側接地電極２０３（グランドパッド）にＡｌワイ
ヤ２０７で接続され、櫛形電極１１Ｃの接地電極（図９
の電極（１１Ｃ）1 ）は、パッケージ１００上の平衡側
接地電極２０６（グランドパッド）にＡｌワイヤ２０８
で接続される。In the configuration of FIG. 14, in the unbalanced SAW filter 11 on the piezoelectric substrate 1, the ground electrode of the comb-shaped electrode 11A (electrode (11A) 1 in FIG. 9) is the unbalanced-side ground electrode 203 on the package 100. The ground electrode of the comb-shaped electrode 11C (FIG. 9) is connected to the (ground pad) by the Al wire 207.
Electrode (11C) 1 of the Al wire 208 on the equilibrium side ground electrode 206 (ground pad) on the package 100.
Connected by.
【００７８】また、櫛形電極１１Ｂの入力電極（図９の
電極（１１Ｂ）1 ）は、不平衡側信号電極２０２（信号
パッド）にＡｌワイヤ２０８により接続され、櫛形電極
１１Ｂの接地電極（図９の電極（１１Ｂ）2 ）は、平衡
側接地電極２０５（グランドパッド）にＡｌワイヤ２０
９により接続されている。The input electrode of the comb-shaped electrode 11B (electrode (11B) 1 in FIG. 9) is connected to the unbalanced-side signal electrode 202 (signal pad) by the Al wire 208, and the ground electrode of the comb-shaped electrode 11B (see FIG. 9). Electrode (11B) 2 of the Al wire 20 on the equilibrium side ground electrode 205 (ground pad).
9 are connected.
【００７９】これに対し、圧電基板１上の平衡型ＳＡＷ
フィルタ２１のうち、櫛形電極２１Ａの接地電極（図９
の電極（２１Ａ）2 ）はパッケージ１００上の不平衡側
接地電極２０１（グランドパッド）にＡｌワイヤ２１０
で接続され、櫛形電極２１Ｃの接地電極（図９の電極
（２１Ｃ）2 ）は、パッケージ１００上の平衡側接地電
極２０５（グランドパッド）にＡｌワイヤ２１１で接続
されている。On the other hand, the balanced SAW on the piezoelectric substrate 1
Of the filter 21, the ground electrode of the comb-shaped electrode 21A (see FIG.
Electrode (21A) 2 of the Al wire 210 on the unbalanced side ground electrode 201 (ground pad) on the package 100.
The ground electrode of the comb-shaped electrode 21C (electrode (21C) 2 in FIG. 9) is connected to the equilibrium side ground electrode 205 (ground pad) on the package 100 by the Al wire 211.
【００８０】また、櫛形電極２１Ｂの一方の信号電極
（図９の電極（２１Ｂ）1 ）は、平衡側信号電極２０６
（信号パッド）にＡｌワイヤ２２２により接続され、更
に櫛形電極２１Ｂの他方の信号電極（図９の電極（２１
Ｂ）2 ）は、平衡側信号電極２０４（信号パッド）にＡ
ｌワイヤ２２３により接続されている。One of the signal electrodes of the comb-shaped electrode 21B (electrode (21B) 1 in FIG. 9) is the signal electrode 206 on the equilibrium side.
(Signal pad) connected by an Al wire 222, and further the other signal electrode of the comb-shaped electrode 21B (electrode (21
B) 2) is A on the equilibrium side signal electrode 204 (signal pad).
They are connected by an I-wire 223.
【００８１】また、不平衡型ＳＡＷフィルタ１１と平衡
型ＳＡＷフィルタ２１とは、櫛形電極１１Ａ，１１Ｃの
２次側電極（１１Ａ）2 ，（１１Ｃ）2 を櫛形電極２１
Ａ，２１Ｃの１次側電極（２１Ａ）1 ，（２１Ｃ）1 に
接続することにより、カスケード接続された構成とされ
ている。In the unbalanced SAW filter 11 and the balanced SAW filter 21, the secondary electrodes (11A) 2 and (11C) 2 of the comb electrodes 11A and 11C are connected to the comb electrode 21.
By connecting to the primary side electrodes (21A) 1 and (21C) 1 of A and 21C, a cascade connection is made.
【００８２】本実施例では、櫛形電極２１Ｃの接地電極
（図９の電極（２１Ｃ）2 ）と平衡側接地電極２０５と
の間にＡｌワイヤ２１１を配設したことを特徴とするも
のである。ここで図１５に、櫛形電極２１Ｃの接地電極
と平衡側接地電極２０５との間にＡｌワイヤ２１１を配
設した構成の弾性表面波装置の減衰量−周波数特性（図
中、矢印Ｄで示す）と、櫛形電極２１Ｃの接地電極と平
衡側接地電極２０５との間にＡｌワイヤ２１１を設けな
い構成の弾性表面波装置の減衰量−周波数特性（図中、
矢印Ｅ示す）とを合わせて示す。The present embodiment is characterized in that an Al wire 211 is arranged between the ground electrode (electrode (21C) 2 of FIG. 9) of the comb-shaped electrode 21C and the equilibrium side ground electrode 205. Here, in FIG. 15, the attenuation amount-frequency characteristic (indicated by arrow D in the figure) of the surface acoustic wave device having the configuration in which the Al wire 211 is disposed between the ground electrode of the comb-shaped electrode 21C and the ground electrode 205 on the equilibrium side. And the attenuation-frequency characteristics of the surface acoustic wave device having the configuration in which the Al wire 211 is not provided between the ground electrode of the comb-shaped electrode 21C and the ground electrode 205 on the equilibrium side (in the figure,
(Indicated by arrow E).
【００８３】同図に示されるように、矢印Ｅで示す櫛形
電極２１Ｃの接地電極と平衡側接地電極２０５との間に
Ａｌワイヤ２１１を設けない構成では、減衰量は比較的
低い値となっておりＳＡＷフィルタとしての特性は良好
ではない。これに対し、同図に矢印Ｄで示される櫛形電
極２１Ｃの接地電極と平衡側接地電極２０５との間にＡ
ｌワイヤ２１１を配設した構成では、減衰度が大きくな
っておりＳＡＷフィルタとして良好な特性となっている
ことが判る。従って、櫛形電極２１Ｃの接地電極と平衡
側接地電極２０５との間にＡｌワイヤ２１１を配設する
ことにより、ＳＡＷフィルタとして良好な特性を得るこ
とができる。As shown in the figure, in the structure in which the Al wire 211 is not provided between the ground electrode of the comb-shaped electrode 21C and the ground electrode 205 on the equilibrium side as shown by the arrow E, the attenuation amount becomes a relatively low value. The characteristics as a SAW filter are not good. On the other hand, between the ground electrode of the comb-shaped electrode 21C and the equilibrium side ground electrode 205 indicated by the arrow D in FIG.
It can be seen that in the configuration in which the 1-wire 211 is arranged, the degree of attenuation is large and the SAW filter has good characteristics. Therefore, by disposing the Al wire 211 between the ground electrode of the comb-shaped electrode 21C and the ground electrode 205 on the equilibrium side, good characteristics as a SAW filter can be obtained.
【００８４】続いて、第５実施例について説明する。図
１６は第５実施例である弾性表面波装置を示している。
本実施例に係る弾性表面波装置は、基板としてＬｉＴａ
Ｏ3単結晶をＸ軸を中心にＹ軸からＺ軸方向に４０°〜
４２°の範囲の角度で回転させた方位を有する圧電基板
上に、異なる帯域周波数特性を有する二つの弾性表面波
装置要素を形成した、いわゆるデュアルタイプの弾性表
面波装置（以下、デュアル弾性表面波装置という）であ
る。Next, the fifth embodiment will be described. FIG. 16 shows a surface acoustic wave device according to the fifth embodiment.
The surface acoustic wave device according to the present embodiment uses LiTa as the substrate.
The O 3 single crystal is 40 ° from the Y axis to the Z axis centering on the X axis.
A so-called dual type surface acoustic wave device (hereinafter referred to as a dual surface acoustic wave) in which two surface acoustic wave device elements having different band frequency characteristics are formed on a piezoelectric substrate having an azimuth rotated at an angle of 42 °. Device).
【００８５】上記の二つの弾性表面波装置要素の内、帯
域周波数が低い弾性表面波装置要素は、弾性表面波の伝
搬方向に沿って複数の櫛形電極が配設された構成を有し
ており、具体的には図１或いは図９に示した多重モード
フィルタ構造の弾性表面波装置と同一構成とされてい
る。尚、図１６に示す例では、図９に示した多重モード
フィルタ構造の弾性表面波装置（以下、多重モード形弾
性表面波装置要素という）を適用した例を示している。Of the above-described two surface acoustic wave device elements, the surface acoustic wave device element having a low band frequency has a structure in which a plurality of comb-shaped electrodes are arranged along the propagation direction of the surface acoustic wave. Specifically, it has the same configuration as the surface acoustic wave device having the multimode filter structure shown in FIG. 1 or 9. Note that the example shown in FIG. 16 shows an example in which the surface acoustic wave device having the multimode filter structure shown in FIG. 9 (hereinafter referred to as a multimode surface acoustic wave device element) is applied.
【００８６】これに対し、帯域周波数が高い弾性表面波
装置要素は、弾性表面波型共振器をラダー接続したラダ
ー形弾性表面波装置要素とされている。尚、図１６にお
いても、前記した各実施例と同一構成部分については同
一符号を付してその説明を省略する。On the other hand, the surface acoustic wave device element having a high band frequency is a ladder type surface acoustic wave device element in which surface acoustic wave resonators are connected in a ladder. In FIG. 16 as well, the same components as those in each of the above-described embodiments are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
【００８７】ラダー型弾性表面波装置要素は、前記した
圧電基板１上に櫛形電極３１Ａ〜３１Ｅ及び反射器３２
Ａ〜３６Ａ，３２Ｂ〜３６Ｂを含む構成とされている。
入力端子は櫛形電極３１Ａ，３１Ｂの一次側電極（３１
Ａ）1 , （３１Ｂ）1 に接続されている。また櫛形電極
３１Ａの二次側電極（３１Ａ）2 は接地させると共に、
櫛形電極３１Ｂの二次側電極（３１Ｂ）2 は櫛形電極３
１Ｃ，３１Ｄの一次側電極（３１Ｃ）1 , （３１Ｄ）1
に接続されている。The ladder-type surface acoustic wave device element comprises comb-shaped electrodes 31A to 31E and a reflector 32 on the piezoelectric substrate 1 described above.
It is configured to include A to 36A and 32B to 36B.
The input terminal is the primary side electrode (31
A) 1 and (31B) 1. The secondary electrode (31A) 2 of the comb-shaped electrode 31A is grounded, and
The secondary electrode (31B) 2 of the comb-shaped electrode 31B is the comb-shaped electrode 3
Primary side electrodes (31C) 1 and (31D) 1 of 1C and 31D
It is connected to the.
【００８８】また、櫛形電極３１Ｃの二次側電極（３１
Ｃ）2 は接地させると共に、櫛形電極３１Ｄの二次側電
極（３１Ｄ）2 は櫛形電極３１Ｅの一次側電極（３１
Ｅ）1及び出力端子に接続されている。更に、櫛形電極
３１Ｅの二次側電極（３１Ｅ）2 は接地された構成とさ
れている。Further, the secondary side electrode (31
C) 2 is grounded, and the secondary side electrode (31D) 2 of the comb-shaped electrode 31D is connected to the primary side electrode (31D) of the comb-shaped electrode 31E.
E) It is connected to 1 and the output terminal. Further, the secondary electrode (31E) 2 of the comb-shaped electrode 31E is grounded.
【００８９】一方、反射器３２Ａ，３２Ｂは櫛形電極３
１Ａを挟むように配設されており、同様に反射器３３
Ａ，３３Ｂは櫛形電極３１Ｂを、反射器３４Ａ，３４Ｂ
は櫛形電極３１Ｃを、反射器３５Ａ，３５Ｂは櫛形電極
３１Ｄを、反射器３６Ａ，３６Ｂは櫛形電極３１Ｅを挟
むように夫々配設されている。On the other hand, the reflectors 32A and 32B are the comb-shaped electrodes 3
It is arranged so as to sandwich 1A, and similarly, the reflector 33
A and 33B are comb-shaped electrodes 31B and reflectors 34A and 34B.
Are arranged so as to sandwich the comb-shaped electrode 31C, the reflectors 35A and 35B sandwich the comb-shaped electrode 31D, and the reflectors 36A and 36B sandwich the comb-shaped electrode 31E.
【００９０】ここで、上記構成とされたデュアル弾性表
面波装置において、多重モード形弾性表面波装置要素を
構成する電極の膜厚と、ラダー型弾性表面波装置要素を
構成する電極の膜厚に注目して説明する。多重モード形
弾性表面波装置要素の場合には、通過帯域にリップルが
入り込まないため、電極の膜厚を薄くすることが可能で
ある。これに対し、ラダー型弾性表面波装置要素の場
合、電極の膜厚を薄くすると通過帯域にリップルが入り
込みフィルタ特性が劣化するため、電極の膜厚を薄くす
ることは困難である。Here, in the dual surface acoustic wave device having the above-mentioned configuration, the film thickness of the electrode forming the multimode surface acoustic wave device element and the film thickness of the electrode forming the ladder type surface acoustic wave device element are Pay attention to the explanation. In the case of the multi-mode surface acoustic wave device element, since the ripple does not enter the pass band, it is possible to reduce the film thickness of the electrode. On the other hand, in the case of the ladder-type surface acoustic wave device element, it is difficult to reduce the film thickness of the electrode because when the electrode thickness is reduced, ripples are introduced into the pass band to deteriorate the filter characteristics.
【００９１】一方、弾性表面波装置が配設される携帯電
話等の電子機器では、高い周波数帯域（例えば１．７〜
１．９ＧＨｚ帯）のフィルタと低い周波数帯域（例えば
８００〜９００ＭＨｚ）のフィルタが共に要求される場
合がある。これを夫々独立した弾性表面波装置により実
現すると、部品点数が増大すると共に電子機器に要求さ
れている小型化に相反する結果となる。よって、上記の
要求を満たすためには、同一のデバイス内に高周波数帯
域フィルタと低周波数帯域フィルタとを共に形成するこ
とが考えられる。On the other hand, in an electronic device such as a mobile phone in which the surface acoustic wave device is arranged, a high frequency band (for example, 1.7 to
There are cases where both a filter in the 1.9 GHz band) and a filter in the low frequency band (for example, 800 to 900 MHz) are required. If this is realized by independent surface acoustic wave devices, the number of parts will increase and this will conflict with the miniaturization required for electronic devices. Therefore, in order to satisfy the above requirements, it is possible to form both a high frequency band filter and a low frequency band filter in the same device.
【００９２】そこで、先ず２個の多重モード形弾性表面
波装置要素を同一の基板上に形成することを想定する。
前記したように、多重モード形弾性表面波装置要素の場
合には、通過帯域にリップルが入り込まないためラタン
型フィルタより電極の膜厚を薄くすることが可能であ
る。ところが、一般に弾性表面波装置の電極の膜厚は、
設定される帯域周波数の値に反比例することが知られて
おり、従って高周波数帯域フィルタを多重モード形弾性
表面波装置要素により実現しようとした場合には電極の
膜厚は薄くなり、逆に低周波数帯域フィルタを多重モー
ド形弾性表面波装置要素により実現しようとした場合に
は電極の膜厚は厚くなる。Therefore, first, it is assumed that two multimode surface acoustic wave device elements are formed on the same substrate.
As described above, in the case of the multimode surface acoustic wave device element, since the ripple does not enter the pass band, it is possible to make the film thickness of the electrode thinner than that of the rattan type filter. However, in general, the film thickness of the electrode of the surface acoustic wave device is
It is known that the value is inversely proportional to the value of the band frequency to be set. Therefore, when an attempt is made to realize a high frequency band filter by a multimode surface acoustic wave device element, the electrode film thickness becomes thin and conversely low. If the frequency band filter is to be realized by the multimode surface acoustic wave device element, the film thickness of the electrode becomes thick.
【００９３】即ち、同一基板に共に多重モード形弾性表
面波装置要素よりなる高周波数帯域フィルタと低周波数
帯域フィルタとを形成しようとした場合には、各フィル
タの膜厚が異なることとなる。従って、高周波数帯域フ
ィルタと低周波数帯域フィルタを共に多重モード形弾性
表面波装置要素により構成したデュアル弾性表面波装置
を製造するには、電極膜厚の相違により高周波数帯域フ
ィルタの電極形成と低周波数帯域フィルタの電極形成と
を異なるプロセスで形成する必要が生じ、デュアル弾性
表面波装置の製造効率が極めて悪くなる。That is, when it is attempted to form a high frequency band filter and a low frequency band filter which are both composed of multimode surface acoustic wave device elements on the same substrate, the film thicknesses of the respective filters are different. Therefore, in order to manufacture a dual surface acoustic wave device in which both the high frequency band filter and the low frequency band filter are composed of multi-mode type surface acoustic wave device elements, the electrode formation of the high frequency band filter and the low surface acoustic wave device are reduced due to the difference in the electrode film thickness. Since it is necessary to form the electrode of the frequency band filter by a different process, the manufacturing efficiency of the dual surface acoustic wave device becomes extremely poor.
【００９４】一方、２個のラダー型弾性表面波装置要素
を同一の基板上に形成することを想定すると、前記した
ようにラダー型弾性表面波装置要素の場合には、通過帯
域にリップルが入り込む可能性があるため電極の膜厚を
薄くすることができない。具体的には、弾性表面波λの
１０％程度の膜厚が必要となる。On the other hand, assuming that two ladder-type surface acoustic wave device elements are formed on the same substrate, as described above, in the case of the ladder-type surface acoustic wave device element, ripples are introduced into the pass band. There is a possibility that the thickness of the electrode cannot be reduced. Specifically, a film thickness of about 10% of the surface acoustic wave λ is required.
【００９５】従って、高周波数帯域フィルタをラダー型
弾性表面波装置要素により実現しようとした場合には、
弾性表面波λは短くなりこれに伴い膜厚も薄くなる。ま
た、前記したようにラダー型弾性表面波装置要素では膜
厚を０．１λ以下とするとリップルが入り込むおそれも
ある。逆に、低周波数帯域フィルタをラダー型弾性表面
波装置要素により実現しようとした場合には、弾性表面
波λは長くなりこれに伴い膜厚も厚くなる。Therefore, when it is attempted to realize the high frequency band filter by the ladder type surface acoustic wave device element,
The surface acoustic wave λ becomes shorter and the film thickness becomes smaller accordingly. Further, as described above, in the ladder-type surface acoustic wave device element, when the film thickness is set to 0.1λ or less, ripples may enter. On the contrary, when the low frequency band filter is to be realized by the ladder-type surface acoustic wave device element, the surface acoustic wave λ becomes longer and the film thickness becomes thicker accordingly.
【００９６】よって、高周波数帯域フィルタと低周波数
帯域フィルタとを共にラダー型弾性表面波装置要素によ
り構成するデュアル弾性表面波装置を製造する場合にお
いても、電極膜厚の相違により高周波数帯域フィルタの
電極形成と低周波数帯域フィルタの電極形成とを異なる
プロセスで形成する必要が生じ、デュアル弾性表面波装
置の製造効率が極めて悪くなってしまう。Therefore, even in the case of manufacturing a dual surface acoustic wave device in which both the high frequency band filter and the low frequency band filter are composed of ladder type surface acoustic wave device elements, the high frequency band filter is different due to the difference in electrode film thickness. Since it is necessary to form the electrodes and the electrodes of the low frequency band filter by different processes, the manufacturing efficiency of the dual surface acoustic wave device becomes extremely poor.
【００９７】しかるに、本実施例のように多重モード形
弾性表面波装置要素とラダー型弾性表面波装置要素とを
同一の基板上に形成することにより、上記の問題点を解
決したデュアル弾性表面波装置を実現することができ
る。以下、これについて説明する。However, by forming the multi-mode type surface acoustic wave device element and the ladder type surface acoustic wave device element on the same substrate as in this embodiment, the dual surface acoustic wave solving the above problems is solved. The device can be realized. This will be described below.
【００９８】図１８は、１．９ＧＨＺを中心周波数とす
る高周波ＳＡＷフィルタをラダー型弾性表面波装置によ
り実現した場合における損失−周波数特性を示してい
る。同図に示されるように、ラダー型弾性表面波装置は
良好な周波数特性を示し、またリップルの混入も見られ
ない。この時のラダー型弾性表面波装置の電極（Ａｌ電
極）の膜厚は２００ｎｍであった。FIG. 18 shows loss-frequency characteristics when a high frequency SAW filter having a center frequency of 1.9 GHz is realized by a ladder type surface acoustic wave device. As shown in the figure, the ladder-type surface acoustic wave device exhibits good frequency characteristics, and no ripple is mixed. At this time, the film thickness of the electrode (Al electrode) of the ladder type surface acoustic wave device was 200 nm.
【００９９】一方、図１７は低周波ＳＡＷフィルタを多
重モード形弾性表面波装置により実現した場合における
損失−周波数特性を示している。特に、図１７では、多
重モード形弾性表面波装置を構成する電極（Ａｌ電極）
の膜厚を２００ｎｍ，２４０ｎｍ，２８０ｎｍに設定し
た場合における特性を同一の図面に合わせて示してい
る。同図に示されるように、電極の膜厚を変化させた場
合にはフィルタ特性は変化するが、膜厚を先に図１８に
示したラダー型弾性表面波装置の膜厚と等しい２００ｎ
ｍとした場合にも、良好なフィルタ特性を示している。On the other hand, FIG. 17 shows loss-frequency characteristics when the low frequency SAW filter is realized by a multi-mode surface acoustic wave device. In particular, in FIG. 17, an electrode (Al electrode) forming the multimode surface acoustic wave device.
The characteristics in the case where the film thickness is set to 200 nm, 240 nm, and 280 nm are also shown in the same drawing. As shown in the figure, when the film thickness of the electrode is changed, the filter characteristic changes, but the film thickness is equal to the film thickness of the ladder type surface acoustic wave device shown in FIG.
Good filter characteristics are also exhibited when m is set.
【０１００】従って、図１７及び図１８より、多重モー
ド形弾性表面波装置要素とラダー型弾性表面波装置要素
とを同一の基板上に形成し、多重モード形弾性表面波装
置要素を帯域周波数が略８００〜９００ＭＨｚ帯の低周
波数帯域フィルタとして用い、またラダー型弾性表面波
装置要素を帯域周波数が略１．７〜２．０ＧＨｚ帯の高
周波数帯域フィルタとして用いる構成とすることによ
り、多重モード形弾性表面波装置要素及びラダー型弾性
表面波装置要素の各電極の膜厚を約２００ｎｍと等しく
することができ、よって同一の製造プロセスで成膜する
ことができる。Therefore, from FIG. 17 and FIG. 18, the multimode surface acoustic wave device element and the ladder type surface acoustic wave device element are formed on the same substrate, and the multimode surface acoustic wave device element has a band frequency. The multi-mode type is configured by using it as a low frequency band filter of approximately 800 to 900 MHz band and using the ladder type surface acoustic wave device element as a high frequency band filter of band frequency of approximately 1.7 to 2.0 GHz band. The film thickness of each electrode of the surface acoustic wave device element and the ladder-type surface acoustic wave device element can be made equal to about 200 nm, so that the films can be formed by the same manufacturing process.
【０１０１】これにより、市場において要求されている
高い周波数帯域（例えば１．７〜１．９ＧＨｚ帯）のフ
ィルタと低い周波数帯域（例えば８００〜９００ＭＨｚ
帯）のフィルタを同一デバイス（基板）内に形成するこ
とが可能となり、かつその製造プロセスは各弾性表面波
装置要素の電極膜厚が等しいため極めて効率的となり、
安価に上記のデュアル弾性表面波装置を提供することが
可能となる。As a result, a filter of a high frequency band (for example, 1.7 to 1.9 GHz band) and a low frequency band (for example, 800 to 900 MHz) required in the market are provided.
Band) filters can be formed in the same device (substrate), and the manufacturing process is extremely efficient because the electrode film thickness of each surface acoustic wave device element is the same,
It is possible to provide the above dual surface acoustic wave device at low cost.
【０１０２】[0102]
【発明の効果】本発明によれば、減衰度を大きくするこ
とができるため、良好な特性を有した弾性表面波装置を
実現することができる。According to the present invention, since the degree of attenuation can be increased, a surface acoustic wave device having good characteristics can be realized.
【図１】第１実施例である弾性表面波装置の構成図であ
る。FIG. 1 is a configuration diagram of a surface acoustic wave device according to a first embodiment.
【図２】第１実施例に係る弾性表面波装置のインピーダ
ンス−対数比特性を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing impedance-logarithmic ratio characteristics of the surface acoustic wave device according to the first example.
【図３】第１実施例に係る弾性表面波装置の帯域幅−対
数比特性を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing bandwidth-logarithmic ratio characteristics of the surface acoustic wave device according to the first example.
【図４】第１実施例に係る弾性表面波装置の帯域幅−駆
動電極間距離特性を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a bandwidth-drive electrode distance characteristic of the surface acoustic wave device according to the first example.
【図５】第１実施例に係る弾性表面波装置の帯域幅−駆
動電極間距離特性を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing bandwidth-drive electrode distance characteristics of the surface acoustic wave device according to the first example.
【図６】第１実施例に係る弾性表面波装置の帯域幅−電
極周期特性を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing bandwidth-electrode period characteristics of the surface acoustic wave device according to the first example.
【図７】第１実施例に係る弾性表面波装置のインピーダ
ンス−開口長特性を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing impedance-aperture length characteristics of the surface acoustic wave device according to the first example.
【図８】第１実施例に係る弾性表面波装置の帯域幅−開
口長特性を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing bandwidth-aperture length characteristics of the surface acoustic wave device according to the first example.
【図９】第２実施例である弾性表面波装置の構成図であ
る。FIG. 9 is a configuration diagram of a surface acoustic wave device according to a second embodiment.
【図１０】第３実施例である弾性表面波装置の比較例を
示す構成図である。FIG. 10 is a configuration diagram showing a comparative example of the surface acoustic wave device according to the third embodiment.
【図１１】第３実施例である弾性表面波装置の比較例を
示す構成図である。FIG. 11 is a configuration diagram showing a comparative example of the surface acoustic wave device according to the third embodiment.
【図１２】第３実施例である弾性表面波装置の構成図で
ある。FIG. 12 is a configuration diagram of a surface acoustic wave device according to a third embodiment.
【図１３】第３実施例である弾性表面波装置の損失−周
波数特性を比較例と共に示す図である。FIG. 13 is a diagram showing loss-frequency characteristics of the surface acoustic wave device of the third embodiment together with a comparative example.
【図１４】第４実施例である弾性表面波装置の構成図で
ある。FIG. 14 is a configuration diagram of a surface acoustic wave device according to a fourth embodiment.
【図１５】第４実施例である弾性表面波装置の損失−周
波数特性を比較例と共に示す図である。FIG. 15 is a diagram showing loss-frequency characteristics of the surface acoustic wave device of the fourth embodiment together with a comparative example.
【図１６】デュアル弾性表面波装置の構成図である。FIG. 16 is a configuration diagram of a dual surface acoustic wave device.
【図１７】デュアル弾性表面波装置の一実施例の内、多
重モード形弾性表面波装置要素の損失−周波数特性を比
較例と共に示す図である。FIG. 17 is a diagram showing loss-frequency characteristics of a multi-mode surface acoustic wave device element in one example of a dual surface acoustic wave device, together with a comparative example.
【図１８】デュアル弾性表面波装置の一実施例の内、ラ
ダー形弾性表面波装置要素の損失−周波数特性を比較例
と共に示す図である。FIG. 18 is a diagram showing a loss-frequency characteristic of a ladder type surface acoustic wave device element in one example of a dual surface acoustic wave device, together with a comparative example.
【図１９】図９に示す弾性表面波装置のバンド幅−イン
ピーダンス特性を示す図である。19 is a diagram showing a bandwidth-impedance characteristic of the surface acoustic wave device shown in FIG.
【図２０】従来の一例である弾性表面波装置の通過帯域
特性を示す図である。FIG. 20 is a diagram showing passband characteristics of a conventional surface acoustic wave device.
１０Ａ，１０Ｂ，２０Ａ，２０Ｂ，３２Ａ〜３６Ａ，３
２Ｂ〜３６Ｂ 反射器
１１Ａ〜１１Ｃ，２１Ａ〜２１Ｃ ３１Ａ〜３１Ｅ 櫛
形電極
（１１Ａ）1 〜（１１Ｃ）1,（２１Ａ）1 〜（２１Ｃ）
1 一次側電極
（１１Ａ）2 〜（１１Ｃ）2,（２１Ａ）2 〜（２１Ｃ）
2 二次側電極
１０１〜１０４，１０６ 接地電極
１０２ 入力電極
１０５ 出力電極
１０７〜１１５，２０７〜２２３ Ａｌワイヤ10A, 10B, 20A, 20B, 32A to 36A, 3
2B to 36B Reflectors 11A to 11C, 21A to 21C 31A to 31E Comb-shaped electrodes (11A) 1 to (11C) 1, (21A) 1 to (21C)
1 Primary side electrodes (11A) 2 to (11C) 2, (21A) 2 to (21C)
2 Secondary electrodes 101 to 104, 106 Ground electrode 102 Input electrode 105 Output electrodes 107 to 115, 207 to 223 Al wire
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤原 嘉朗 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１ 番１号 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 平５−167389（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−164306（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−121996（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−55872（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−335881（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−265092（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03H 9/25 H03H 9/145 H03H 9/64 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Yoshiro Fujiwara 4-1-1 Kamiotanaka, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Fujitsu Limited (56) Reference JP-A-5-167389 (JP, A) Japanese Patent Laid-Open No. 6-164306 (JP, A) Japanese Patent Laid-Open No. 5-121996 (JP, A) Japanese Patent Laid-Open No. 5-55872 (JP, A) Japanese Patent Laid-Open No. 5-335881 (JP, A) Japanese Patent Laid-Open No. 8-265092 (JP , A) (58) Fields surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H03H 9/25 H03H 9/145 H03H 9/64
Claims (6)
性表面波装置要素を有する弾性表面波装置であって、 前記帯域周波数が低い弾性表面波装置要素は、弾性表面
波の伝搬方向に沿って複数の櫛形電極が配設された構成
とされ、 かつ、前記帯域周波数が高い弾性表面波装置要素は、弾
性表面波型共振器をラダー接続したラダー形弾性表面波
装置要素で構成され、 前記帯域周波数が低い弾性表面波装置要素と前記帯域周
波数が高い弾性表面波装置要素とを同一圧電基板上の同
一面に形成した ことを特徴とする弾性表面波装置。1.DifferenceBullets with different band frequency characteristics
Has a surface acoustic wave device elementBulletA surface acoustic wave device, The surface acoustic wave device element having a low band frequency is a surface acoustic wave device.
Multiple comb electrodes are arranged along the wave propagation directionConstitution
And Moreover, the surface acoustic wave device element having a high band frequency is
-Type surface acoustic wave with ladder-connected surface acoustic wave resonators
Device elementConsists of, The surface acoustic wave device element having a low band frequency and the band frequency
Same surface acoustic wave device element with high wave number on the same piezoelectric substrate
Formed on one side Characterized byBulletSurface wave device.
素は、弾性表面波の伝搬方向に沿って複数の櫛形電極が
配設された多重モード形弾性表面波装置要素であること
を特徴とする請求項１記載の弾性表面波装置。2. A pre-Symbol band frequency is low SAW device element, and characterized in that it is a multimode type SAW device element having a plurality of comb-shaped electrodes are arranged along the propagation direction of the surface acoustic wave surface acoustic wave device according to claim 1, wherein you.
素と前記帯域周波数が高い弾性表面波装置要素とは同一
の膜厚で形成されていることを特徴とする請求項１記載
の弾性表面波装置。3. A surface acoustic wave device having a low band frequency is required.
The element and the surface acoustic wave device element with the high band frequency are the same
Claim 1, wherein it you characterized being the thickness of the formation
Of surface acoustic wave devices.
装置であることを特徴とする請求項２記載の弾性表面波
装置。 4. A surface acoustic wave whose structure is a dual type.
The surface acoustic wave according to claim 2, wherein the surface acoustic wave is a device.
apparatus.
帯域周波数は８００〜９００ＭＨｚ帯であり、 かつ、前記ラダー形弾性表面波装置要素の帯域周波数は
１．７〜２．０ＧＨｚ帯であることを特徴とする請求項
２記載の弾性表面波装置。 5.Of the multimode surface acoustic wave device element
Band frequency is 800-900MHz band, And, the band frequency of the ladder type surface acoustic wave device element is
The band of 1.7 to 2.0 GHz.
2. The surface acoustic wave device according to 2.
Ｘ軸を中心にＹ軸からＺ方向に４０°〜４２°の範囲の40 ° to 42 ° in the Z direction from the Y axis around the X axis
角度で回転させた方位を有する基板であることを特徴とA substrate having an azimuth rotated by an angle,
する請求項１記載の弾性表面波装置。The surface acoustic wave device according to claim 1.
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