JP3436511B2 - Unplated solid wire for gas shielded arc welding - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ワイヤの表面にメ
ッキが施されていないガスシールドアーク溶接用メッキ
無しソリッドワイヤに関し、特に、スパッタの低減を図
ったガスシールドアーク溶接用メッキ無しソリッドワイ
ヤに関する。The present invention relates to a non-plated solid wire for gas shielded arc welding in which the surface of the wire is not plated, and more particularly to a non-plated solid wire for gas shielded arc welding in which spatter is reduced. .
【０００２】[0002]
【従来の技術】近時、ガスシールドアーク溶接用ソリッ
ドワイヤの主流はワイヤの表面に銅メッキを施したもの
である。その理由としては、ワイヤの耐錆性を確保する
ことができ、ワイヤ通電性を良好にすることができるこ
と等が挙げられる。しかし、このワイヤを使用して、Ｃ
Ｏ2シールドガス雰囲気中で比較的高電流の条件で溶接
する場合には、グロビュール移行が不安定となり、溶接
中のスパッタが増大することが大きな課題である。ま
た、銅メッキワイヤを使用すると、ワイヤ送給系で銅く
ずが発生する。2. Description of the Related Art In recent years, the mainstream of solid wires for gas shielded arc welding has been copper plating on the surface of the wire. The reason is that the rust resistance of the wire can be ensured, and the electrical conductivity of the wire can be improved. However, using this wire, C
When welding is performed under relatively high current conditions in an O 2 shielding gas atmosphere, the transfer of globules becomes unstable, and it is a major problem that spatter during welding increases. In addition, when a copper-plated wire is used, copper chips are generated in the wire feeding system.
【０００３】一方、銅メッキを施さないワイヤでは、銅
くずが発生しない等の長所がある。また、ワイヤの製造
工程においてもメッキ工程が不要になり、青化銅、硫酸
銅又はピクリン酸銅等を含むメッキ廃液の有害物質の取
扱いが不要になる等の利点がある。[0003] On the other hand, wires that are not plated with copper have the advantage that copper chips are not generated. In addition, there is an advantage that the plating process is not required in the wire manufacturing process, and that there is no need to handle harmful substances of the plating waste liquid containing copper bronze, copper sulfate, copper picrate and the like.
【０００４】従来、銅メッキを施さないワイヤにおいて
は、ワイヤの表面にＭｏＳ2、グラファイト若しくはフ
ッ素系の潤滑剤又はその他の防錆油等を塗布することに
より、ワイヤの送給性、ワイヤの耐錆性又はチップ磨耗
性等を改善することが提案されている。[0004] Conventionally, in the case of a wire not subjected to copper plating, MoS 2 , graphite or fluorine-based lubricant or other rust-preventive oil or the like is applied to the surface of the wire, so that the wire feedability and wire resistance are improved. It has been proposed to improve rust properties or chip wear properties.
【０００５】また、銅メッキを施したソリッドワイヤ又
はフラックス入りワイヤにおいても、同様にワイヤ送給
性を改善するために潤滑剤又は油を表面に塗布すること
が提案されている。It has also been proposed to apply a lubricant or oil to the surface of a copper-plated solid wire or flux-cored wire in order to improve wire feedability.
【０００６】一方、アーク安定性及び低スパッタ性を図
るため、アルカリ金属又はアルカリ土類金属をワイヤの
表面に塗布することが提案されている。On the other hand, it has been proposed to apply an alkali metal or an alkaline earth metal to the surface of a wire in order to achieve arc stability and low spatterability.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来のソリッドワイヤは、アルカリ金属又はアルカリ土
類金属をワイヤの表面に塗布したものも含めて、ＣＯ2
シールドガス雰囲気中において比較的高電流で溶接する
場合に、スパッタを十分に低減することができないとい
う問題点がある。特に、銅メッキを施していないワイヤ
でスパッタの発生が多い。However, the above-mentioned conventional solid wires include CO 2 including those obtained by coating an alkali metal or an alkaline earth metal on the surface of the wire.
When welding with a relatively high current in a shield gas atmosphere, there is a problem that spatter cannot be sufficiently reduced. In particular, spatter often occurs on wires that have not been subjected to copper plating.
【０００８】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、高電流でＣＯ2シールドガス溶接する場合
に、スパッタの発生を抑制することができるガスシール
ドアーク溶接用メッキ無しソリッドワイヤを提供するこ
とを目的とする。[0008] The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and provides a gas-shielded arc-free solid wire for gas shielded arc welding that can suppress generation of spatters when performing CO 2 shield gas welding at a high current. The purpose is to provide.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明に係るガスシール
ドアーク溶接用ソリッドワイヤは、溶滴がグロビュール
移行する高電流溶接条件で使用される炭酸ガスシールド
アーク溶接用ソリッドワイヤにおいて、ワイヤ中の化学
成分として、Ｏ：０．００１乃至０．０３質量％、Ｓ：
０．０００５乃至０．０２質量％、Ｃ：０．００５乃至
０．１５質量％、Ｓｉ：０．２乃至１．２質量％、Ｍ
ｎ：１．０乃至２．２質量％を含有し、残部がＦｅ及び
不可避的不純物からなり、ワイヤの表面に遊離Ｃがワイ
ヤ１０ｋｇ当たり０．００５乃至３ｇ塗布され、ワイヤ
中の化学成分としての前記Ｏの含有量を［Ｏ］、前記Ｓ
の含有量を［Ｓ］とし、ワイヤ表面に塗布した前記遊離
Ｃ量を（Ｃ）とするとき、Ａ＝（Ｃ）／（［Ｏ］＋
［Ｓ］）で表されるパラメータＡの値は５乃至１０００
であり、ワイヤの表面にＭｏＳ 2 がワイヤ１０ｋｇ当た
り０．００１乃至１ｇ塗布されており、前記ＭｏＳ 2 の
塗布量を（ＭｏＳ 2 ）とするとき、前記（Ｃ）と前記
（ＭｏＳ 2 ）との比（Ｃ）／（ＭｏＳ 2 ）は１以上である
ことを特徴とする。The solid wire for gas shielded arc welding according to the present invention is characterized in that the droplet has a globule.
Carbon dioxide shield used in shifting high current welding conditions
In the solid wire for arc welding, as a chemical component in the wire, O: 0.001 to 0.03% by mass, S:
0.0005 to 0.02% by mass, C: 0.005 to 0.15% by mass, Si: 0.2 to 1.2% by mass, M
n: 1.0 to 2.2% by mass, the balance being Fe and unavoidable impurities, free carbon being applied to the surface of the wire in an amount of 0.005 to 3 g per 10 kg of the wire, and as a chemical component in the wire When the content of O is [O],
Is [S] and the free C amount applied to the wire surface is (C), A = (C) / ([O] +
[S]) is 5 to 1000
Der is, on the surface of the wire MoS 2 is per wire 10kg
Ri 0.001 to being 1g applied, the MoS 2
When the application amount is (MoS 2 ), the above (C) and the above
(MoS 2) the ratio of the (C) / (MoS 2) is characterized <br/> be 1 or more.
【００１０】この場合に、ワイヤ中の化学成分として、
更に、Ｔｉ：０．１０乃至０．３５質量％を含有するこ
とができる。In this case, as a chemical component in the wire,
Furthermore, Ti: 0.10 to 0.35% by mass can be contained.
【００１１】本発明に係る他のガスシールドアーク溶接
用メッキ無しソリッドワイヤは、溶滴がグロビュール移
行する高電流溶接条件で使用される炭酸ガスシールドア
ーク溶接用ソリッドワイヤにおいて、ワイヤ中の化学成
分として、Ｏ：０．００１乃至０．０１５質量％、Ｓ：
０．００１乃至０．０１５質量％、Ｃ：０．０１乃至
０．０８質量％、Ｓｉ：０．４乃至１．０質量％、Ｍ
ｎ：１．０乃至２．０質量％、Ｔｉ：０．１５乃至０．
３０質量％を含有し、残部がＦｅ及び不可避的不純物か
らなり、ワイヤの表面に遊離Ｃがワイヤ１０ｋｇ当たり
０．０１乃至２ｇ塗布され、ワイヤ中の化学成分として
の前記Ｏの含有量を［Ｏ］、前記Ｓの含有量を［Ｓ］と
し、ワイヤ表面に塗布した前記遊離Ｃ量を（Ｃ）とする
とき、Ａ＝（Ｃ）／（［Ｏ］＋［Ｓ］）で表されるパラ
メータＡの値は１０乃至５００であり、ワイヤの表面に
ＭｏＳ 2 がワイヤ１０ｋｇ当たり０．００１乃至１ｇ塗
布されており、前記ＭｏＳ 2 の塗布量を（ＭｏＳ 2 ）とす
るとき、前記（Ｃ）と前記（ＭｏＳ 2 ）との比（Ｃ）／
（ＭｏＳ 2 ）は１以上であることであることを特徴とす
る。[0011] In another solid wire without plating for gas shielded arc welding according to the present invention, the droplet is transferred to a globule.
CO2 shielding used in high current welding conditions
In a solid wire for arc welding , O: 0.001 to 0.015% by mass, S:
0.001 to 0.015% by mass, C: 0.01 to 0.08% by mass, Si: 0.4 to 1.0% by mass, M
n: 1.0 to 2.0% by mass, Ti: 0.15 to 0.
30% by mass, the balance consisting of Fe and inevitable impurities, free C was applied to the surface of the wire in an amount of 0.01 to 2 g per 10 kg of the wire, and the content of O as a chemical component in the wire was changed to [O When the content of S is [S] and the amount of free C applied to the wire surface is (C), a parameter represented by A = (C) / ([O] + [S]) the value of a is Ri 10-500 der on the surface of the wire
MoS 2 applied 0.001 to 1g per 10kg of wire
It is cloth, the coating amount of the MoS 2 and (MoS 2)
The ratio (C) / (MoS 2 ) of (C) / (MoS 2 )
(MoS 2) is characterized in der Rukoto be 1 or more.
【００１２】[0012]
【００１３】本発明においては、ワイヤ中のＯ量及びＳ
量に対し、ワイヤの表面に脱酸効果が極めて高い遊離Ｃ
を適量塗布することにより、従来の銅メッキを施さない
ソリッドワイヤにおいて問題となっていた高電流時のＣ
Ｏ2シールドガス溶接におけるスパッタの発生を抑制す
ることが可能になる。In the present invention, the amount of O in the wire and the amount of S
The amount of free C on the surface of the wire is extremely high
By applying an appropriate amount of C, C at high current, which has been a problem in the conventional solid wire without copper plating,
It becomes possible to suppress the generation of spatter in O 2 shield gas welding.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例に係るガス
シールドアーク溶接用メッキ無しソリッドワイヤについ
て詳細に説明する。溶滴のグロビュール移行をスムーズ
にすることにより、スパッタの発生を抑制できる。この
溶滴のグロビュール移行をスムーズに行うためには、溶
滴の表面張力を適度に保つ必要があり、ワイヤ中のＯ及
びＳは溶滴の表面張力に大きな影響を及ぼす。本願発明
者等による実験研究の結果、特に、銅メッキを施さない
ソリッドワイヤでは、ＣＯ2シールドガス雰囲気から溶
滴へ侵入する酸素量がメッキワイヤに比べて多くなり、
これにより、溶滴の表面張力が著しく小さくなる傾向に
あることが判明した。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, a non-plated solid wire for gas shielded arc welding according to an embodiment of the present invention will be described in detail. Sputtering can be suppressed by smoothing the transfer of droplets to the globule. In order to smoothly transfer the droplet to the globule, it is necessary to maintain the surface tension of the droplet at an appropriate level, and O and S in the wire greatly affect the surface tension of the droplet. As a result of the experimental research by the present inventors, in particular, in the case of a solid wire not subjected to copper plating, the amount of oxygen entering the droplet from the CO 2 shielding gas atmosphere is larger than that of the plated wire,
Thereby, it turned out that the surface tension of the droplet tends to be significantly reduced.
【００１５】溶滴の表面張力が小さくなると、グロビュ
ール移行自体はしやすくなるが、溶滴のふらつきが大き
くなり、アーク力により飛ばされるスパッタが増大す
る。一方、溶滴の表面張力が大きいと、溶滴が粗大化す
る。このため、瞬時の短絡の際に、飛ばされる大粒のス
パッタが発生しやすくなる。従って、溶滴の表面張力を
適正化することが極めて重要である。When the surface tension of the droplet becomes small, the globule shift itself becomes easy, but the fluctuation of the droplet becomes large, and the spatter blown off by the arc force increases. On the other hand, if the surface tension of the droplet is large, the droplet becomes coarse. For this reason, in the case of an instantaneous short circuit, spatters of large particles to be sputtered easily occur. Therefore, it is extremely important to optimize the surface tension of the droplet.
【００１６】また、銅メッキを施さないソリッドワイヤ
を使用し高電流で溶接したときの低スパッタ化に関し
て、ワイヤの表面に、例えばグラファイト等の遊離Ｃを
塗布することが、溶滴の表面張力を適正化し、大粒のス
パッタの発生の防止に極めて効果的であることが判明し
た。遊離Ｃとは、油又は石鹸系等の伸線潤滑剤に含まれ
るような化合物のＣではなく、グラファイト又はカーボ
ンブラックのように、特に酸素等と結合していない単体
のＣを意味する。遊離Ｃの働きは、アーク中の極めて高
い温度において、溶滴に侵入しようとするＣＯ2シール
ドガス又はワイヤ中のＯを極めて効果的にトラップし
て、溶滴の表面張力を適正に保つことである。これによ
り、画期的な低スパッタ化が可能となる。[0016] Further, with respect to the reduction of spatter when welding is performed at a high current using a solid wire not subjected to copper plating, applying free C such as graphite to the surface of the wire reduces the surface tension of the droplet. It has been found that this method is very effective in preventing the occurrence of large-grain spatter. The free C means not a compound C contained in a wire-drawing lubricant such as an oil or a soap, but a simple C such as graphite or carbon black which is not particularly bound to oxygen or the like. The function of free C is to very effectively trap CO 2 shielding gas or O in the wire that tends to enter the droplet at an extremely high temperature in the arc, and to maintain the surface tension of the droplet properly. is there. Thereby, epoch-making low spattering becomes possible.
【００１７】この遊離Ｃをワイヤ中のＯ量及びＳ量に対
してワイヤの表面に適量塗布することは、銅メッキを施
さないソリッドワイヤを使用して高電流で溶接する際
に、低スパッタ化を図る上で極めて有効である。Applying an appropriate amount of the free C to the surface of the wire with respect to the amount of O and the amount of S in the wire is effective in reducing the spatter when welding with a high current using a solid wire without copper plating. This is extremely effective in achieving
【００１８】以下、本発明のガスシールドアーク溶接用
メッキ無しソリッドワイヤの数値限定理由について説明
する。The reason for limiting the numerical value of the solid wire without plating for gas shielded arc welding according to the present invention will be described below.
【００１９】Ｏ：０．００１乃至０．０３質量％
ワイヤ中の化学成分として、Ｏはビード形状を保つため
の必須元素である。Ｏの含有量が０．００１質量％より
少ないと、ビード形状が著しく凸になる。一方、Ｏの含
有量が０．０３質量％より多くなると、表面張力の低下
に伴う溶滴のふらつきによるスパッタが増加する。従っ
て、Ｏの含有量は０．００１乃至０．０３質量％とす
る。また、高電流で溶接したときのスパッタの発生の観
点から、Ｏの最適な範囲は０．００１乃至０．０１５質
量％である。 O: 0.001 to 0.03 mass% As a chemical component in the wire, O is an essential element for maintaining a bead shape. If the O content is less than 0.001% by mass, the bead shape becomes significantly convex. On the other hand, when the content of O is more than 0.03% by mass, spatter due to wobbling of droplets accompanying a decrease in surface tension increases. Therefore, the content of O is set to 0.001 to 0.03% by mass. Further, from the viewpoint of the occurrence of spatter when welding at a high current, the optimal range of O is 0.001 to 0.015% by mass.
【００２０】Ｓ：０．０００５乃至０．０２質量％
ワイヤ中の化学成分として、Ｓはビード形状を保つため
の必須元素である。Ｓの含有量が０．０００５質量％よ
り少ないと、ビード形状が著しく凸になる。一方、Ｓの
含有量が０．０２質量％より多いと、表面張力の低下に
伴う溶滴のふらつきによるスパッタが増加する。従っ
て、Ｓの含有量は０．０００５乃至０．０２質量％とす
る。また、高電流で溶接したときのスパッタの発生の観
点から、Ｓの最適な範囲は０．００１乃至０．０１５質
量％である。 S: 0.0005 to 0.02% by mass As a chemical component in the wire, S is an essential element for maintaining a bead shape. If the S content is less than 0.0005% by mass, the bead shape becomes significantly convex. On the other hand, if the S content is more than 0.02% by mass, spatter due to wobble of droplets accompanying a decrease in surface tension increases. Therefore, the content of S is set to 0.0005 to 0.02% by mass. Further, from the viewpoint of generation of spatter when welding at a high current, the optimum range of S is 0.001 to 0.015% by mass.
【００２１】Ｃ：０．００５乃至０．１５質量％
ワイヤ中の化学成分として、Ｃは溶接金属の強度を保つ
ための必須元素である。Ｃの含有量が０．００５質量％
より少ないと溶接金属の強度が低くなる。一方、Ｃの含
有量が０．１５質量％より多いと、溶接金属の強度が高
すぎる。従って、Ｃの含有量は０．００５乃至０．０１
５質量％とする。また、高電流で溶接したときのスパッ
タの発生の観点から、Ｃの最適な含有量の範囲は０．０
１乃至０．０８質量％である。 C: 0.005 to 0.15% by mass As a chemical component in the wire, C is an essential element for maintaining the strength of the weld metal. 0.005% by mass of C
If the amount is smaller, the strength of the weld metal becomes lower. On the other hand, when the content of C is more than 0.15% by mass, the strength of the weld metal is too high. Therefore, the content of C is 0.005 to 0.01.
5 mass%. From the viewpoint of spatter generation when welding at a high current, the optimum range of the content of C is 0.0
1 to 0.08% by mass.
【００２２】Ｓｉ：０．２乃至１．２質量％
ワイヤ中の化学成分として、Ｓｉはビード外観を保つた
めの必須元素である。Ｓｉの含有量が０．２質量％より
少ないと、ビード外観を保つ効果がない。一方、Ｓｉの
含有量が１．２質量％より多いと、スラグの発生量が過
剰となり、多層盛りの溶接性等が劣る。従って、Ｓｉの
含有量は０．２乃至１．２質量％である。また、高電流
で溶接したときのスパッタの発生の観点から、Ｓｉの最
適な含有量の範囲は０．４乃至１．０質量％である。 Si: 0.2 to 1.2% by mass As a chemical component in the wire, Si is an essential element for maintaining a bead appearance. When the content of Si is less than 0.2% by mass, there is no effect of maintaining the bead appearance. On the other hand, when the content of Si is more than 1.2% by mass, the amount of slag generated becomes excessive, and the weldability of the multi-layer pile is deteriorated. Therefore, the content of Si is 0.2 to 1.2% by mass. From the viewpoint of spatter generation when welding at a high current, the optimum content range of Si is 0.4 to 1.0% by mass.
【００２３】Ｍｎ：１．０乃至２．２質量％
ワイヤ中の化学成分として、Ｍｎは溶接金属の強度を保
つための必須元素である。Ｍｎの含有量が１．０質量％
より少ないと、溶接金属の強度が低い。一方、Ｍｎの含
有量が２．２質量％より多いと、逆に溶接金属の強度が
高すぎる。従って、Ｍｎの含有量は１．０乃至２．２質
量％とする。また、高電流で溶接したときのスパッタの
発生の観点から、Ｍｎの最適な含有量の範囲は１．０乃
至２．０質量％である。 Mn: 1.0 to 2.2 mass% As a chemical component in the wire, Mn is an essential element for maintaining the strength of the weld metal. Mn content of 1.0% by mass
If less, the strength of the weld metal is low. On the other hand, if the content of Mn is more than 2.2% by mass, the strength of the weld metal is too high. Therefore, the content of Mn is set to 1.0 to 2.2% by mass. Further, from the viewpoint of the occurrence of spatter when welding at a high current, the optimum content range of Mn is 1.0 to 2.0% by mass.
【００２４】Ｔｉ：０．１０乃至０．３５質量％
ワイヤ中の化学成分として、Ｔｉはメッキを施さないソ
リッドワイヤにおいて、溶滴の表面張力を適度に保ち、
スパッタを低減させるために有効な元素である。Ｔｉの
含有量が０．１０質量％より少ないと、表面張力の低下
に伴う溶滴のふらつきにより、スパッタが増加する。一
方、Ｔｉの含有量が０．３５質量％より多くなると、ス
ラグ発生量が過多となり、多層盛りの溶接性等が劣る。
従って、Ｔｉの含有量は０．１０乃至０．３５質量％と
することが好ましい。更に、Ｔｉの最適な含有量の範囲
は０．１５乃至０．３０質量％である。 Ti: 0.10 to 0.35% by mass As a chemical component in the wire, Ti is a solid wire that is not plated, and keeps the surface tension of the droplet at an appropriate level.
It is an element effective for reducing spatter. When the content of Ti is less than 0.10% by mass, spatter increases due to wobbling of droplets due to a decrease in surface tension. On the other hand, when the content of Ti is more than 0.35% by mass, the amount of slag generated is excessive, and the weldability of the multi-layer pile is poor.
Therefore, the content of Ti is preferably set to 0.10 to 0.35% by mass. Further, the optimum content range of Ti is 0.15 to 0.30% by mass.
【００２５】ワイヤの表面に遊離Ｃを塗布
ワイヤの表面に遊離Ｃを塗布することにより、表面にメ
ッキを施していないソリッドワイヤにおいて、溶滴の表
面張力を適正に保ち、スパッタを低減させることが可能
となる。最適な遊離Ｃの塗布量は、ワイヤ１０ｋｇ当た
り０．００５ｇ乃至３ｇである。遊離Ｃの塗布量がワイ
ヤ１０ｋｇ当たり０．００５ｇより少ないと、溶滴の表
面張力を適正に保つことができない。一方、この単体の
Ｃの塗布量がワイヤ１０ｋｇ当たり３ｇより多くなる
と、ワイヤ送給系での詰まり量が多くなり、ワイヤ送給
性を劣化させてしまう。また、遊離Ｃの塗布量の更に最
適な範囲はワイヤ１０ｋｇに対して０．０１ｇ乃至１．
５ｇである。 Applying free C to the surface of the wire By applying free C to the surface of the wire, it is possible to properly maintain the surface tension of the droplet and reduce spatter in a solid wire having no surface plated. It becomes possible. The optimal free C application amount is between 0.005 g and 3 g per 10 kg of wire. If the applied amount of free C is less than 0.005 g per 10 kg of wire, the surface tension of the droplet cannot be properly maintained. On the other hand, if the application amount of the single C is more than 3 g per 10 kg of the wire, the amount of clogging in the wire feeding system increases, and the wire feeding performance is deteriorated. Further, a more optimal range of the applied amount of the free C is 0.01 g to 1.0 g per 10 kg of the wire.
5 g.
【００２６】（Ｃ）／（［Ｏ］＋［Ｓ］）：５乃至１０００
また、遊離Ｃの塗布量はワイヤ中のＯ量及びＳ量と相関
関係がある。ワイヤの中の化学成分のうち、Ｏの含有量
を［Ｏ］及びＳの含有量を［Ｓ］とし、ワイヤ表面に塗
布した遊離Ｃ量を（Ｃ）とするとき、［Ｏ］、［Ｓ］及
び（Ｃ）の関係を示す下記数式１は、下記数式２の関係
を満足する必要がある。 (C) / ([O] + [S]): 5 to 1000 The amount of free C applied has a correlation with the amount of O and S in the wire. When the O content is [O] and the S content is [S], and the free C amount applied to the wire surface is (C), [O], [S] And the following equation (1) showing the relationship of (C) must satisfy the relationship of the following equation (2).
【００２７】[0027]
【数１】Ａ＝（Ｃ）／（［Ｏ］＋［Ｓ］）A = (C) / ([O] + [S])
【００２８】[0028]
【数２】５≦Ａ≦１０００[Equation 2] 5 ≦ A ≦ 1000
【００２９】上記数式１で表されるパラメータＡの値が
５未満では、溶滴の表面張力が低下し高電流で溶接した
場合に、スパッタが増大する。一方、パラメータＡの値
が１０００を超えると、溶滴の表面張力が高くなりすぎ
て溶滴が離脱しににくくなり、逆にスパッタが増大す
る。If the value of the parameter A represented by the above formula 1 is less than 5, the surface tension of the droplet decreases and spatter increases when welding is performed at a high current. On the other hand, if the value of the parameter A exceeds 1000, the surface tension of the droplet becomes too high, making it difficult for the droplet to separate, and conversely, spatter increases.
【００３０】なお、パラメータＡが下記数式３を満足す
ることが、上記効果を得るためにより好ましい。It is more preferable that the parameter A satisfies the following expression 3 in order to obtain the above effects.
【００３１】[0031]
【数３】１０≦Ａ≦５００## EQU3 ## 10 ≦ A ≦ 500
【００３２】ワイヤの表面にＭｏＳ2 を塗布
ワイヤの表面にＭｏＳ2を塗布することにより、メッキ
を施さないソリッドワイヤにおいて、ワイヤ送給性の向
上を図ることができる。ＭｏＳ2の塗布量がワイヤ１０
ｋｇ当たり０．００１ｇ以上でワイヤ送給性の向上の効
果が認められる。一方、ＭｏＳ2の塗布量がワイヤ１０
ｋｇ当たり１ｇよりも多くなると、ワイヤ送給系（コン
ジット等）で詰まり量が多くなり、ワイヤ送給性を逆に
劣化させてしまう虞がある。[0032] The MoS 2 on the surface of the coating wires on the surface of the wire by applying a MoS 2, in solid wire is not subjected to plating, it is possible to improve the wire feedability. The amount of MoS 2 applied is wire 10
An effect of improving wire feedability is recognized at 0.001 g or more per kg. On the other hand, when the amount of MoS 2
If the amount is more than 1 g per kg, the amount of clogging in the wire feeding system (conduit or the like) increases, and there is a possibility that the wire feeding performance may be deteriorated.
【００３３】（Ｃ）／（ＭｏＳ2 ）：１以上
ＭｏＳ2は溶滴の表面張力に影響を及ぼす。このため、
スパッタの発生の観点から、ＭｏＳ2の塗布量を（Ｍｏ
Ｓ2）とするとき、（Ｃ）と（ＭｏＳ2）との比は下記数
式４を満足することが好ましい。 (C) / (MoS 2 ): 1 or more MoS 2 affects the surface tension of the droplet. For this reason,
From the viewpoint of occurrence of spatter, the amount of MoS 2 applied is set to (Mo
When S 2 ), the ratio between (C) and (MoS 2 ) preferably satisfies Equation 4 below.
【００３４】[0034]
【数４】１≦（Ｃ）／（ＭｏＳ2）## EQU4 ## 1 ≦ (C) / (MoS 2 )
【００３５】上記数式４で表される（Ｃ）／（Ｍｏ
Ｓ2）の値が１未満の場合、ＭｏＳ2の影響が大きくな
り、溶滴の表面張力が低下しスパッタが増大する虞があ
る。(C) / (Mo) expressed by the above equation (4)
When the value of S 2 ) is less than 1, the effect of MoS 2 becomes large, and the surface tension of the droplet may decrease and spatter may increase.
【００３６】ワイヤの表面に遊離Ｃ及びＭｏＳ2を塗布
する方法としては、ワイヤ送給潤滑剤（動植物油、鉱
油、合成油及びこれらの混合油）に遊離Ｃ及び／又はＭ
ｏＳ2を分散若しくは溶解したものを塗布する方法又は
乾式若しくは湿式の伸線潤滑剤に遊離Ｃ及び／又はＭｏ
Ｓ2の化合物を添加し、伸線時にワイヤの表面に塗布す
る方法等があり、ワイヤ製造工程に適した塗布方法を選
択することができる。なお、ワイヤ送給潤滑剤の塗布油
量としては、ワイヤ１０ｋｇ当たり０．２乃至３ｇであ
ることが望ましい。As a method for applying free C and MoS 2 to the surface of the wire, free C and / or MOS 2 may be added to a wire feed lubricant (animal / vegetable oil, mineral oil, synthetic oil and a mixed oil thereof).
a method of applying a dispersion or solution of oS 2 or a method of applying free C and / or Mo to dry or wet wire drawing lubricant
Was added compound of S 2, there is a method such as to be applied to the surface of the wire during drawing, it is possible to select a coating method suitable for the wire manufacturing process. It is desirable that the amount of the applied oil of the wire feeding lubricant is 0.2 to 3 g per 10 kg of the wire.
【００３７】また、アーク安定剤として、例えばＫ等の
アルカリ金属化合物を微量塗布することも可能である。
しかし、アルカリ金属化合物を多量に塗布した場合、例
えばＫを１０質量ｐｐｍ以上ワイヤの表面に塗布する
と、かえって大粒のスパッタが増加する傾向にある。こ
のため、アルカリ金属化合物をワイヤの表面に微量塗布
することが好ましい。It is also possible to apply a small amount of an alkali metal compound such as K as an arc stabilizer.
However, when a large amount of an alkali metal compound is applied, for example, when K is applied to the surface of the wire at 10 ppm by mass or more, the spatter of large particles tends to increase. Therefore, it is preferable to apply a small amount of an alkali metal compound to the surface of the wire.
【００３８】更に、ワイヤ中の化学成分として、溶接金
属の強度向上の観点から、Ｍｏ，Ｃｒ，Ｖ及びＮｂを添
加することができる。また、溶接金属の耐食性の向上の
観点から、Ｃｕ及びＰを添加することができる。更に、
ビード形状の向上の観点から、Ａｌ及びＺｒを添加する
ことができる。更にまた、溶接金属の靭性の向上の観点
から、Ｎｉ及びＢを添加することができる。Further, Mo, Cr, V and Nb can be added as chemical components in the wire from the viewpoint of improving the strength of the weld metal. Further, from the viewpoint of improving the corrosion resistance of the weld metal, Cu and P can be added. Furthermore,
From the viewpoint of improving the bead shape, Al and Zr can be added. Furthermore, from the viewpoint of improving the toughness of the weld metal, Ni and B can be added.
【００３９】以下、本発明におけるワイヤの表面に塗布
された遊離Ｃ及びＭｏＳ2並びにワイヤの中のＯ及びＳ
の測定方法について説明する。Hereinafter, free C and MoS 2 applied to the surface of the wire and O and S in the wire according to the present invention will be described.
The method of measuring is described.
【００４０】先ず、遊離Ｃの塗布量の分析について説明
する。遊離Ｃの塗布量は、以下に示す方法Ａ及び方法Ｂ
により夫々測定したＣ量の合計とする。First, the analysis of the applied amount of free C will be described. The coating amount of free C is determined by the methods A and B shown below.
And the total amount of C measured respectively.
【００４１】方法Ａ：ワイヤをアルコール洗浄液の濾過
残差の炭素量を分析する。油分等に含まれる炭素を除去
する。 Method A: Filtration of Alcohol Cleaning Solution with Wire
Analyze the residual carbon content. Removes carbon contained in oil etc.
I do.
【００４２】先ず、ワイヤ１０ｇを３０ミリリットルのエタノ
ールで洗浄する。次に、ガラスマイクロフィルタ（イン
クランドWhatman製、GF／F、直径２５ｍｍ）を使用して
洗浄液を吸引濾過する。次に、ガラスマイクロフィルタ
を乾燥した後、このガラスマイクロフィルタに付着して
いるＣ量を測定する。この測定量を（ａ）とする。First, 10 g of the wire is washed with 30 ml of ethanol. Next, the cleaning liquid is suction-filtered using a glass microfilter (manufactured by Inkland Whatman, GF / F, diameter 25 mm). Next, after drying the glass microfilter, the amount of C adhering to the glass microfilter is measured. This measured amount is defined as (a).
【００４３】また、ワイヤを洗浄していないエタノール
をガラスマイクロフィルタを使用して吸引濾過する。ガ
ラスマイクロフィルタを乾燥した後、このガラスマイク
ロフィルタに付着しているＣ量を測定する。この測定量
を（ｃ）とする。そして、測定量（ａ）から測定量
（ｃ）を引いたものを方法ＡのＣ量とする。Further, the ethanol which has not washed the wire is suction-filtered using a glass microfilter. After drying the glass microfilter, the amount of C adhering to the glass microfilter is measured. This measured amount is defined as (c). Then, a value obtained by subtracting the measured amount (c) from the measured amount (a) is defined as the C amount in the method A.
【００４４】方法Ｂ：ワイヤを硝酸溶液による濾過残差
の炭素量を分析する。伸線潤滑剤等に含まれる炭素を除
去する。 Method B: Residual of filtration of wire with nitric acid solution
Analyze the amount of carbon. Excluding carbon contained in wire drawing lubricants, etc.
Leave.
【００４５】先ず、方法Ａと同様にワイヤをエタノール
を使用して洗浄する。その後、ワイヤを２０００ミリリットル
の硝酸溶液（濃度が６５質量％の硝酸が１、水が２の割
合で混合した水溶液）に１２０秒間浸漬し溶解する。次
に、溶解液を方法Ａと同様に、ガラスマイクロフィルタ
を使用して吸引濾過する。次に、ガラスマイクロフィル
タを乾燥させる。その後、ガラスマイクロフィルタに付
着したＣ量を測定する。この測定量を（ｂ）とする。First, the wire is cleaned using ethanol as in the method A. Thereafter, the wire is immersed and dissolved in 2000 ml of a nitric acid solution (an aqueous solution in which nitric acid having a concentration of 65 mass% is 1 and water is mixed at a ratio of 2) for 120 seconds. Next, the dissolving solution is subjected to suction filtration using a glass microfilter as in the method A. Next, the glass microfilter is dried. Thereafter, the amount of C attached to the glass microfilter is measured. This measured amount is defined as (b).
【００４６】次に、前記硝酸溶液をガラスマイクロフィ
ルタを使用して吸引濾過し、ガラスマイクロフィルタを
乾燥させる。その後、ガラスマイクロフィルタに付着し
ているＣ量を測定する。この測定量を（ｄ）とする。そ
して、測定量（ｂ）から測定量（ｄ）を引いたものを方
法ＢのＣ量とする。方法Ａ及び方法Ｂにより測定された
Ｃ量の合計をワイヤの表面に塗布した遊離Ｃ量とする。Next, the nitric acid solution is suction-filtered using a glass microfilter, and the glass microfilter is dried. Thereafter, the amount of C adhering to the glass microfilter is measured. This measured amount is defined as (d). Then, a value obtained by subtracting the measured amount (d) from the measured amount (b) is defined as the C amount in the method B. The total of the C amounts measured by the methods A and B is defined as the free C amount applied to the surface of the wire.
【００４７】Ｃ量の分析は、方法Ａ及び方法Ｂにおい
て、いずれもＪＩＳ Ｇ１２１１で規定されている燃焼
赤外線吸収法によりなされたものである。なお、分析装
置はＨＯＲＩＢＡ社製 ＥＭＩＡ５２０を使用した。Ｃ
の分析においては、助燃剤として、るつぼ底に粒状タン
グステン１ｇを置き、その上にガラスマイクロフィルタ
を置く。ガラスマイクロフィルタの上に、粒状すずを
０．３ｇ添加し、更に粒状タングステンを１ｇ添加す
る。そして、高周波誘導炉により加熱しＣ量を前記分析
装置により測定する。The analysis of the C content was carried out in the methods A and B by the combustion infrared absorption method specified in JIS G1211. The analyzer used was EMIA520 manufactured by HORIBA. C
In the analysis of (1), 1 g of granular tungsten was placed on the bottom of a crucible as a combustion aid, and a glass microfilter was placed thereon. 0.3 g of granular tin is added to the glass microfilter, and 1 g of granular tungsten is further added. And it heats by a high frequency induction furnace and measures the amount of C by the said analyzer.
【００４８】次に、ワイヤに塗布されたＭｏＳ2の塗布
量の分析について説明する。ワイヤ５０ｇを５０ミリリットル
の塩酸溶液（濃度が３５質量％の塩酸が１、水が１の割
合で混合した水溶液）に３０秒間浸漬した後、水を足し
て塩酸溶液を１００ミリリットルとする。この塩酸溶液を濾紙
（Toyo Roshi社製、FILTER PAPER ADVANTEC 5A110m
m）により濾過する。次に、濾紙を、１０ミリリットルの硫酸
溶液（濃度が９８質量％の硫酸を１、水を１の割合で混
合した水溶液）と、５ミリリットルの濃度が６０質量％の過塩
素酸及び２０ミリリットルの濃度が６５質量％の硝酸を混合し
た溶液中に入れる。そして、ＭｏＳ2と濾紙が分解する
まで（硫酸の白煙が出るまで）、水溶液を加熱する。そ
の後、水溶液に水を１００ミリリットル足して塩溶解する。次
に、ＪＩＳ Ｇ１２５８に規定された誘導結合プラズマ
発光分光分析方法によりＭｏ量を測定する。そして、こ
のＭｏ量をＭｏＳ2に換算し、ワイヤに塗布されたＭｏ
Ｓ2量とする。なお、定性的に他のＭｏ化合物等と区別
するためには、ＥＰＭＡ等により分析することが可能で
ある。しかし、Ｍｏを定量的に区別するには実際上困難
である。従って、Ｍｏを特定する場合には、分析された
Ｍｏは全てＭｏＳ 2とみなす。Next, the MoS applied to the wireTwoApplication
The amount analysis will be described. 50 g of wire 50 g
Hydrochloric acid solution (1% hydrochloric acid with a concentration of 35% by mass and 1% water)
Water for 30 seconds, then add water
To make the hydrochloric acid solution 100 ml. Filter this hydrochloric acid solution on filter paper
(Toyo Roshi, FILTER PAPER ADVANTEC 5A110m
m). Next, filter the filter paper with 10 ml of sulfuric acid.
Solution (1 mixture of sulfuric acid with a concentration of 98% by mass and 1 of water)
Aqueous solution) and 5 ml of a 60% by mass supersalt
Mixing acid and 20 ml of 65% by weight nitric acid
Into the solution. And MoSTwoAnd the filter paper decomposes
The aqueous solution is heated until the white smoke of sulfuric acid comes out. So
Thereafter, 100 ml of water is added to the aqueous solution to dissolve the salt. Next
Inductively coupled plasma specified in JIS G1258
The amount of Mo is measured by an emission spectral analysis method. And this
Mo amount of MoSTwoAnd the Mo applied to the wire
STwoAmount. It is qualitatively distinguished from other Mo compounds, etc.
In order to do this, it is possible to analyze by EPMA etc.
is there. However, it is practically difficult to distinguish Mo quantitatively.
It is. Therefore, when specifying Mo, it was analyzed.
Mo is all MoS TwoIs considered.
【００４９】また、ワイヤ中のＯ量は、ＪＩＳ Ｈ １
０６７に規定された不活性ガス融解／赤外線吸収法によ
り測定した。ワイヤ中のＳ量はＪＩＳ Ｇ １２１１に
規定された燃焼赤外線吸収法により測定した。ワイヤ中
のＳｉ，Ｍｎ及びＴｉ量はＪＩＳ Ｇ １２５８に規定
された誘導結合プラズマ発光分光分析方法により測定し
た。The amount of O in the wire is JIS H 1
The measurement was carried out by an inert gas melting / infrared absorption method specified in 067. The S content in the wire was measured by the combustion infrared absorption method specified in JIS G1211. The amounts of Si, Mn and Ti in the wire were measured by an inductively coupled plasma emission spectrometry method specified in JIS G 1258.
【００５０】[0050]
【実施例】以下、本発明の範囲に入るガスシールドアー
ク溶接用メッキ無しソリッドワイヤの実施例について、
その特性を参考例及び比較例と比較して具体的に説明す
る。EXAMPLES Hereinafter, examples of solid wires without plating for gas shielded arc welding falling within the scope of the present invention will be described.
The characteristics will be specifically described in comparison with a reference example and a comparative example.
【００５１】下記表１及び表２に示す化学成分を有する
直径が１．２ｍｍのガスシールドアーク溶接用メッキ無
しソリッドワイヤを下記表３に示す溶接条件で溶接し
た。このときのスパッタの発生量を測定し、スパッタの
発生量を評価（スパッタ評価）した。この結果を表４及
び表５に示す。A non-plated solid wire having a chemical composition shown in Tables 1 and 2 and having a diameter of 1.2 mm for gas shielded arc welding was welded under the welding conditions shown in Table 3 below. The amount of spatter generated at this time was measured, and the amount of spatter generated was evaluated (sputter evaluation). The results are shown in Tables 4 and 5.
【００５２】スパッタ評価は、飛散したスパッタの質量
を測定することにより１０段階で評価した。即ち、表４
及び表５のスパッタ評価の欄において、スパッタの発生
量が５００（ｍｇ／分）未満であるものを１０、スパッ
タの発生量が５００（ｍｇ／分）以上６００（ｍｇ／
分）未満であるものを９、スパッタの発生量が６００
（ｍｇ／分）以上７００（ｍｇ／分）未満であるものを
８、スパッタの発生量が７００（ｍｇ／分）以上８００
（ｍｇ／分）未満であるものを７、スパッタの発生量が
８００（ｍｇ／分）以上９００（ｍｇ／分）未満である
ものを６、スパッタの発生量が９００（ｍｇ／分）以上
１０００（ｍｇ／分）未満であるものを５、スパッタの
発生量が１０００（ｍｇ／分）以上１１００（ｍｇ／
分）未満であるものを４、スパッタの発生量が１１００
（ｍｇ／分）以上１２００（ｍｇ／分）未満であるもの
を３、スパッタの発生量が１２００（ｍｇ／分）以上１
３００（ｍｇ／分）未満であるものを２、スパッタの発
生量が１３００（ｍｇ／分）以上であるものを１とし
た。なお、表４及び５に示すスパッタ評価の欄におい
て、「―」はその他の観点で不適格なためスパッタ評価
のテストを実施していないことを示す。The evaluation of the spatter was evaluated in ten steps by measuring the mass of the spattered spatter. That is, Table 4
And, in the column of the sputter evaluation of Table 5, those having a spatter generation amount of less than 500 (mg / min) were 10 and those having a spatter generation amount of 500 (mg / min) or more and 600 (mg / min).
Min), the number of spatters is 600
(Mg / min) or more and less than 700 (mg / min) 8, and the amount of spatter generated is 700 (mg / min) or more and 800
(Mg / min) is less than 7, spatter generation is 800 (mg / min) or more and less than 900 (mg / min) 6, and spatter generation is 900 (mg / min) or more. (Mg / min) is less than 5, and the amount of spatter generated is 1000 (mg / min) or more and 1100 (mg / min).
Min) is less than 4, and the amount of spatter generated is 1100
(Mg / min) or more and less than 1200 (mg / min) 3; spatter generation amount 1200 (mg / min) or more 1
The sample having a value of less than 300 (mg / min) was designated as 2, and the sample having a spatter generation amount of 1300 (mg / min) or more was designated as 1. In addition, in the column of the sputter evaluation shown in Tables 4 and 5, “-” indicates that the test of the sputter evaluation was not performed because it was inappropriate from other viewpoints.
【００５３】[0053]
【表１】 [Table 1]
【００５４】[0054]
【表２】 [Table 2]
【００５５】[0055]
【表３】 [Table 3]
【００５６】[0056]
【表４】 [Table 4]
【００５７】[0057]
【表５】 [Table 5]
【００５８】上記表４に示すように、実施例No.１３及
び１５と参考例No.１乃至１２、１４はスパッタの発生
量が少なく、スパッタ評価が優れていた。As shown in Table 4 above, Example Nos. 13 and
No. 15 and Reference Examples Nos. 1 to 12 and 14 had a small amount of spatter, and were excellent in sputter evaluation.
【００５９】なお、参考例No.７及び１１は、Ｔｉの含
有量が少ないので、スパッタの発生量が若干多くなり、
スパッタ評価が若干下がった。 Reference Examples 7 and 11 contain Ti
Since the amount is small , the amount of spatter generated slightly increases,
The sputter evaluation dropped slightly.
【００６０】参考例No.８は、Ｔｉの含有量が多いた
め、スラグ量が多めであった。In Reference Example No. 8, the slag amount was large because the content of Ti was large.
【００６１】参考例No.１２は、(Ｃ)/(ＭｏＳ2)の値が
１未満であるため、スパッタの発生が若干多くなり、ス
パッタ評価が若干下がった。しかし、ワイヤの送給性は
良好であった。 Reference Example No. 12 shows that the value of (C) / (MoS 2 )
Since it was less than 1 , the occurrence of spatter was slightly increased, and the sputter evaluation was slightly lowered. However, the wire feedability was good.
【００６２】実施例No.１３は、ワイヤの表面にＭｏＳ2
が塗布されているので、送給性が良好であった。Example No. 13 shows that MoS 2
Was applied, so that the feeding property was good.
【００６３】参考例No.１４は、ワイヤの表面のＭｏＳ2
の塗布量が多いため、ワイヤ送給系の詰まり量が多くな
った。また、(Ｃ)/(ＭｏＳ2)の値が１未満であるため、
スパッタの発生が若干多くなり、スパッタ評価が若干下
がった。 Reference Example No. 14 shows that MoS 2 on the surface of the wire.
For coating amount is large, it becomes much clogging amount of the wire feeding system. Also, since the value of (C) / (MoS 2 ) is less than 1 ,
The occurrence of spatter was slightly increased, and the sputter evaluation was slightly lowered.
【００６４】実施例No.１５は、遊離Ｃを本発明の上限
値近く含有しているので、ワイヤの送給性が良好であっ
た。In Example No. 15, since free C was contained near the upper limit of the present invention, the wire feedability was good.
【００６５】一方、表５に示すように、比較例No.１６
乃至２９はスパッタの発生が多くなり、スパッタ評価が
低かった。On the other hand, as shown in Table 5, Comparative Example No. 16
In the samples Nos. To 29, the generation of spatter increased, and the evaluation of spatter was low.
【００６６】比較例No.１６は、(Ｃ)/(［Ｏ］＋［Ｓ］)
の値が本発明の下限値未満であるため、スパッタの発生
が多くなり、スパッタ評価が低かった。Comparative Example No. 16 is (C) / ([O] + [S])
Is less than the lower limit of the present invention, the occurrence of spatter was increased, and the sputter evaluation was low.
【００６７】比較例No.１７は、遊離Ｃの量及び(Ｃ)/
(［Ｏ］＋［Ｓ］)の値が本発明の下限値未満であるた
め、スパッタの発生が多くなり、スパッタ評価が低かっ
た。Comparative Example No. 17 shows that the amount of free C and (C) /
Since the value of ([O] + [S]) was less than the lower limit of the present invention, the occurrence of spatter increased and the sputter evaluation was low.
【００６８】比較例No.１８は、(Ｃ)/(［Ｏ］＋［Ｓ］)
の値が本発明の上限値を超えているため、スパッタの発
生が多くなり、スパッタ評価が低かった。Comparative Example No. 18 is (C) / ([O] + [S])
Is more than the upper limit of the present invention, the occurrence of spatter is increased, and the sputter evaluation is low.
【００６９】比較例No.１９は、遊離Ｃの量が多いた
め、スパッタの発生が多くなり、スパッタ評価が低かっ
た。また、ワイヤの送給時において、ワイヤ送給系の詰
まり量が多くなった。In Comparative Example No. 19, since the amount of free C was large, the occurrence of spatter increased, and the evaluation of spatter was low. Also, the amount of clogging of the wire feeding system during wire feeding has increased.
【００７０】比較例No.２０は、ワイヤ中のＣ量が本発
明の上限値を超えているため、溶接金属強が大きくなり
すぎた。比較例No.２１は、ワイヤ中のＣ量が本発明の
下限値未満であるため、溶接金属強が小さくなった。In Comparative Example No. 20, since the C content in the wire exceeded the upper limit of the present invention, the weld metal strength was too large. In Comparative Example No. 21, since the C content in the wire was less than the lower limit of the present invention, the weld metal strength was small.
【００７１】比較例No.２２は、ワイヤ中のＳｉ量が本
発明の下限値未満であるため、ビード外観が劣った。比
較例No.２３は、ワイヤ中のＳｉ量が本発明の上限値を
超えているため、スラグ量が過剰になった。Comparative Example No. 22 was inferior in bead appearance because the amount of Si in the wire was less than the lower limit of the present invention. In Comparative Example No. 23, since the amount of Si in the wire exceeded the upper limit of the present invention, the amount of slag was excessive.
【００７２】比較例No.２４は、ワイヤ中のＭｎ量が本
発明の下限値未満であるため、溶接金属強度が小さくな
った。比較例No.２５は、ワイヤ中のＭｎ量が本発明の
上限値を超えているため、溶接金属強度が大きくなっ
た。In Comparative Example No. 24, since the Mn content in the wire was less than the lower limit of the present invention, the weld metal strength was low. In Comparative Example No. 25, since the amount of Mn in the wire exceeded the upper limit of the present invention, the weld metal strength was increased.
【００７３】比較例No.２６は、ワイヤ中のＳ量が本発
明の下限値未満であるため、ビード形状が凸になった。
比較例No.２７は、ワイヤ中のＳ量が本発明の上限値を
超えているため、スパッタの発生が多くなり、スパッタ
評価が低かった。In Comparative Example No. 26, since the amount of S in the wire was less than the lower limit of the present invention, the bead shape became convex.
In Comparative Example No. 27, since the amount of S in the wire exceeded the upper limit of the present invention, the occurrence of spatter increased and the sputter evaluation was low.
【００７４】比較例No.２８は、ワイヤ中のＯ量が本発
明の下限値未満であるため、ビード形状が凸になった。
比較例No.２９は、ワイヤ中のＯ量が本発明の上限値を
超えているため、スパッタの発生が多くなり、スパッタ
評価が低かった。In Comparative Example No. 28, since the amount of O in the wire was less than the lower limit of the present invention, the bead shape became convex.
In Comparative Example No. 29, since the amount of O in the wire exceeded the upper limit of the present invention, the occurrence of spatter increased and the sputter evaluation was low.
【００７５】[0075]
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、ワ
イヤの化学成分を所定の範囲に規定し、ワイヤ中のＯ量
及びＳ量に対しワイヤの表面に脱酸効果が極めて高い遊
離Ｃを所定の範囲の量を塗布することにより、ＣＯ2シ
ールドガス溶接における高電流時のスパッタの発生を抑
制することができる。As described in detail above, according to the present invention, the chemical composition of the wire is defined within a predetermined range, and the surface of the wire has a very high deoxidizing effect on the amount of O and S in the wire. By applying C in an amount within a predetermined range, it is possible to suppress the occurrence of spatter at a high current in CO 2 shield gas welding.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 浅井 法廣 神奈川県藤沢市宮前字裏河内100番１ 株式会社神戸製鋼所藤沢事業所内 (72)発明者 輿石 房樹 神奈川県藤沢市宮前字裏河内100番１ 株式会社神戸製鋼所藤沢事業所内 (56)参考文献 特開 平８−19893（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−314375（ＪＰ，Ａ) 特開 平12−141080（ＪＰ，Ａ) 特開 昭50−92841（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−126995（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B23K 35/00 - 35/368 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Norihiro Asai 100-1 Urakawachi, Miyama-ji, Fujisawa-shi, Kanagawa Prefecture Inside the Fujisawa Works of Kobe Steel Co., Ltd. 100-1 Kobe Steel, Ltd. Fujisawa Works (56) References JP-A-8-19893 (JP, A) JP-A-9-314375 (JP, A) JP-A-12-141080 (JP, A) JP-A-50-92841 (JP, A) JP-A-61-26995 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) B23K 35/00-35/368
Claims (3)
条件で使用される炭酸ガスシールドアーク溶接用ソリッ
ドワイヤにおいて、ワイヤ中の化学成分として、Ｏ：
０．００１乃至０．０３質量％、Ｓ：０．０００５乃至
０．０２質量％、Ｃ：０．００５乃至０．１５質量％、
Ｓｉ：０．２乃至１．２質量％、Ｍｎ：１．０乃至２．
２質量％を含有し、残部がＦｅ及び不可避的不純物から
なり、ワイヤの表面に遊離Ｃがワイヤ１０ｋｇ当たり
０．００５乃至３ｇ塗布され、ワイヤ中の化学成分とし
ての前記Ｏの含有量を［Ｏ］、前記Ｓの含有量を［Ｓ］
とし、ワイヤ表面に塗布した前記遊離Ｃ量を（Ｃ）とす
るとき、Ａ＝（Ｃ）／（［Ｏ］＋［Ｓ］）で表されるパ
ラメータＡの値は５乃至１０００であり、ワイヤの表面
にＭｏＳ 2 がワイヤ１０ｋｇ当たり０．００１乃至１ｇ
塗布されており、前記ＭｏＳ 2 の塗布量を（ＭｏＳ 2 ）と
するとき、前記（Ｃ）と前記（ＭｏＳ 2 ）との比（Ｃ）
／（ＭｏＳ 2 ）は１以上であることを特徴とするガスシ
ールドアーク溶接用メッキ無しソリッドワイヤ。1. High current welding in which droplets transfer to globules
Used for carbon dioxide shielded arc welding
In the wire, O:
0.001 to 0.03% by mass, S: 0.0005 to 0.02% by mass, C: 0.005 to 0.15% by mass,
Si: 0.2 to 1.2% by mass, Mn: 1.0 to 2.
2% by mass, the balance consisting of Fe and unavoidable impurities, 0.005 to 3 g of free C was applied to the surface of the wire per 10 kg of the wire, and the content of O as a chemical component in the wire was changed to [O ], The content of S is [S]
And then, when the free amount of C was applied to the wire surface (C), and the value of the parameter A is expressed by A = (C) / ([ O] + [S]) is Ri 5 to 1000 der, Wire surface
0.001 to 1g of MoS 2 per 10kg of wire
Are applied, the coating amount of the MoS 2 and (MoS 2)
The ratio (C) of (C) and (MoS 2 )
/ (MoS 2 ) is 1 or more, a solid wire without plating for gas shielded arc welding.
１０乃至０．３５質量％を含有することを特徴とする請
求項１に記載のガスシールドアーク溶接用メッキ無しソ
リッドワイヤ。2. As a chemical component in the wire, Ti: 0.
The unplated solid wire for gas shielded arc welding according to claim 1, comprising 10 to 0.35% by mass.
条件で使用される炭酸ガスシールドアーク溶接用ソリッ
ドワイヤにおいて、ワイヤ中の化学成分として、Ｏ：
０．００１乃至０．０１５質量％、Ｓ：０．００１乃至
０．０１５質量％、Ｃ：０．０１乃至０．０８質量％、
Ｓｉ：０．４乃至１．０質量％、Ｍｎ：１．０乃至２．
０質量％、Ｔｉ：０．１５乃至０．３０質量％を含有
し、残部がＦｅ及び不可避的不純物からなり、ワイヤの
表面に遊離Ｃがワイヤ１０ｋｇ当たり０．０１乃至２ｇ
塗布され、ワイヤ中の化学成分としての前記Ｏの含有量
を［Ｏ］、前記Ｓの含有量を［Ｓ］とし、ワイヤ表面に
塗布した前記遊離Ｃ量を（Ｃ）とするとき、Ａ＝（Ｃ）
／（［Ｏ］＋［Ｓ］）で表されるパラメータＡの値は１
０乃至５００であり、ワイヤの表面にＭｏＳ 2 がワイヤ
１０ｋｇ当たり０．００１乃至１ｇ塗布されており、前
記ＭｏＳ 2 の塗布量を（ＭｏＳ 2 ）とするとき、前記
（Ｃ）と前記（ＭｏＳ 2 ）との比（Ｃ）／（ＭｏＳ 2 ）は
１以上であることで あることを特徴とするガスシールド
アーク溶接用メッキ無しソリッドワイヤ。3. High current welding in which a droplet transfers to a globule.
Used for carbon dioxide shielded arc welding
In the wire, O:
0.001 to 0.015% by mass, S: 0.001 to 0.015% by mass, C: 0.01 to 0.08% by mass,
Si: 0.4 to 1.0% by mass, Mn: 1.0 to 2.
0% by mass, Ti: 0.15 to 0.30% by mass, the balance being Fe and unavoidable impurities, free C on the surface of the wire 0.01 to 2 g per 10 kg of the wire
When the content of O as a chemical component in the applied wire is [O], the content of S is [S], and the free C amount applied to the wire surface is (C), A = (C)
The value of the parameter A represented by / ([O] + [S]) is 1
0 to 500 der Ri, MoS 2 is wire on the surface of the wire
0.001 to 1g is applied per 10kg.
When the coating amount of the serial MoS 2 and (MoS 2), wherein
(C) and the (MoS 2) the ratio of the (C) / (MoS 2) is
Gas shielded arc welding plating without solid wire, wherein Oh Rukoto by 1 or more.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP37287399A JP3436511B2 (en) | 1999-12-28 | 1999-12-28 | Unplated solid wire for gas shielded arc welding |
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