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JP3436809B2 - 原料ガス改質器 - Google Patents
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JP3436809B2 - 原料ガス改質器 - Google Patents

原料ガス改質器

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JP3436809B2
JP3436809B2 JP30460494A JP30460494A JP3436809B2 JP 3436809 B2 JP3436809 B2 JP 3436809B2 JP 30460494 A JP30460494 A JP 30460494A JP 30460494 A JP30460494 A JP 30460494A JP 3436809 B2 JP3436809 B2 JP 3436809B2
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収 田島
淳浩 船橋
滋 坂本
治 岡田
晋 高見
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Osaka Gas Co Ltd
Sanyo Electric Co Ltd
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Osaka Gas Co Ltd
Sanyo Electric Co Ltd
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    • H01M8/00Fuel cells; Manufacture thereof
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    • H01M8/0612Combination of fuel cells with means for production of reactants or for treatment of residues with means for production of gaseous reactants from carbon-containing material
    • H01M8/0625Combination of fuel cells with means for production of reactants or for treatment of residues with means for production of gaseous reactants from carbon-containing material in a modular combined reactor/fuel cell structure
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    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【産業上の利用分野】本発明は原料ガス改質器、詳しく
は加熱触媒を介して原料ガスの性質を改質するための原
料ガス改質器に関する。 【0002】 【従来の技術】この種の原料ガス改質器として図4に示
すようなものが既存する。即ち、下部に熱源2をもつ燃
焼室としての第1筒体3の外域に間隔を置いて第2筒体
4が套嵌状に配されると共に、該第2筒体4の上面を閉
塞して第1筒体3内を上昇する燃焼ガスの反射壁4aと
成され、前記第2筒体4の外域には第3筒体5が配され
該第3筒体5の内周面と前記第2筒体4の外周面との間
に触媒6を充填する一方、第3筒体5の上面を原料ガス
供給口5bを具備した天蓋5aで閉塞し、前記熱源2で
発生させた燃焼ガス7を反射壁4aで燃焼ガス通路7a
に誘導して、ここで前記触媒6を加熱すると共に、前記
原料ガス供給口5bから供給した原料ガスGを前記加熱
された触媒6内を通過させることで触媒反応により前記
原料ガスGの性質を改質するように成されている。 【0003】 【発明の解決しようとする課題】ところが、前記原料ガ
ス改質器においては、高熱で第1筒体内を上昇する燃焼
ガス7を燃焼ガス通路7aに誘導するための反射壁の高
さ位置が充填された触媒の上面位置より上方に設けられ
ており、前記両者間に上下差を形成する状態となってい
た。 【0004】従って、熱源で発生した燃焼ガスは、燃焼
ガス通路において触媒を加熱する以前に、前記上下差外
周域を含む空間域で無駄な放熱をして著しい熱損失とな
るばかりか、供給された空間域内の原料ガスを過度に加
熱するので、この過度に加熱された高温の原料ガスが触
媒の上部に接触すると該触媒の上層部に熱的なダメージ
を与え、触媒を劣化させてその寿命を短命にするといっ
た問題があった。 【0005】本発明は前者問題点に鑑みて提案するもの
で、その目的は、燃焼ガスを熱損失させることなく有効
に利用できながら、供給された原料ガスが過度に加熱さ
れるのを解消し、触媒自体の劣化や、第2筒体上部の熱
損を防止できて耐久性に飛んだ原料ガス改質器を簡単な
構成で提供することにある。 【0006】 【課題を解決するための手段】本発明は、前記目的達成
のため、下部に熱源を持つ第1筒体の外域に複数の筒体
が配され、前記第1筒体の上方には該筒体内を上昇する
燃焼ガスを下流側の燃焼ガス通路に誘導する反射壁が設
けられ、前記第1筒体の外域に位置する第2筒体との空
間が、前記反射壁で誘導された燃焼ガスの通路とされ、
更に前記第2筒体の外域に位置する第3筒体との空間に
原料ガス改質触媒が充填され、前記第3筒体の上端は前
記第1筒体の反射壁より上方位置におて原料ガス供給口
を具備した天蓋にて閉塞され、前記原料ガス供給口から
供給された原料ガスが、前記天蓋下面の空間域を経て前
記原料ガス改質触媒に流入しこの原料ガスが燃焼ガスで
加熱された原料ガス改質触媒を通過中に前記原料ガスの
性質を改質するようにした原料ガス改質器において、前
記原料ガス改質触媒の上面が、前記第1筒体における反
射壁の高さ位置と実質的に同一高さもしくはそれ以上に
成されていることを特徴とするものである。 【0007】 【作用】前記構成により、第2筒体と第3筒体との間に
介在させた原料ガス改質触媒の上面が、前記第2筒体の
上面に設けた反射壁との高さ位置と同一高さもしくはそ
れ以上に成していることにより、熱源で発生させた燃焼
ガスは原料ガスを過度に加熱することなく、反射壁で速
やかに下流側に誘導される。そして、原料ガスの改質に
伴う吸熱反応によって温度が低下しがちな触媒上端部に
充分な熱量を与えて該触媒の加熱を行う。従って、燃焼
ガス通路に沿う触媒の温度分布は触媒上端から下端にか
けて徐々に上昇するように改善される。 【0008】 【実施例】本発明の原料ガス改質器を図面の一実施例に
基づいて説明する。図1は本実施例の断面図を示してい
る。該実施例は大別して、熱源2と、該熱源2と連設し
た第1筒体3と、該第1筒体3の外域に設けた第2筒体
4と、該第2筒体4の上端に設けた反射壁4aと、前記
第2筒体4の外域に設けた第3筒体5と、該第3筒体5
の上端に設けた供給口5bをもつ天蓋5aと、前記第2
筒体4と第3筒体5との間に介在させた触媒6とで構成
され、該触媒6の上面位置と前記反射壁4aの高さ位置
とが同一高さとなるように成されている。 【0009】前記熱源2は、例えば火炎式の直火バーナ
等が用いられ、燃焼により発生した熱エネルギーを燃焼
ガス7として後記第1筒体3内へ放出するように成され
ている。前記第1筒体3は、耐火材質の円筒体から成
り、その下端を前記熱源2の放熱部2aに連通させて立
設すると共に、その上端を開口状に成している。 【0010】前記第2筒体4は、前記第1筒体3の外周
面に対して同心円状と成るように均等空間を設けて套嵌
した円筒から成り、その上端を前記第1筒体3の上端よ
り上方位置において、後記反射壁4aで密閉すると共
に、前記均等空間を燃焼ガス通路7aと成されている。
前記反射壁4aは、耐火板材で形成され、前記第1筒体
3内を上昇する燃焼ガス7を当接させて前記燃焼ガス通
路7aに反射誘導するように成されている。 【0011】前記第3筒体5は、前記第2筒体4の外周
面より更に均等間隔離間させた外周域に套嵌させた筒体
から成り、その下端を前記第2筒体4の下端4bより上
方位置で開口すると共に、その上端を前記第2筒体4の
上方位置において後記天蓋5aで閉塞し、該天蓋5a下
面と前記反射壁4aの上面との間に空間域5cを形成す
るように成されている。 【0012】前記天蓋5aは、中央に原料ガスGの貯蔵
部(図示省略)と連通せる原料ガス供給口5bを設けた
耐熱耐蝕板材で形成され、前記第3筒体5の上端に固着
し、前記供給口5bから供給された原料ガスGを前記空
間域5cを経て後記触媒6に導入するように成されてい
る。前記触媒6は、例えばニッケル系や貴金属系の触媒
が用いられ、前記第2筒体4の外周面と第3筒体5の内
周面との間域に、その上面が前記反射壁の高さ位置と同
一高さとなるように均一密度で充填されており、前記燃
焼ガス通路7aを流動する燃焼ガス7の熱エネルギーに
より、第2筒体4の外周面を介して熱されながら触媒6
を通過する原料ガスGの性質を改質するように成されて
いる。 【0013】又、前記第筒体5の外周面には、該外周面
と同心状に所定の空間を離間させた外筒5dを設け、こ
の空間を改質ガス通路5eと成されており、前記外筒5
dの下端は前記第2筒体4の下端と水平面5fを介して
一体的に接続されていると共に、その上端は前記第3筒
体5の天蓋5aに当接固着する一方、上側部位に外方へ
連通する改質ガス出口5gが設けられ、前記触媒で改質
された改質ガスG1が、前記改質ガス通路5eを経て前
記出口5gから放出されるように成されている。 【0014】更に、前記外筒5dの外周域には、該外筒
5dを包囲する状態に有底筒体からなる本体筒1が設け
てあり、該本体筒1の内周面と前記外筒5dの外周面と
の間で燃焼ガス排出路7bを形成し、該排出路7bを介
して利用済みの燃焼ガス7を外部へ排出するように成さ
れている。次に以上のように成された実施例の作用につ
いて説明する。 【0015】該実施例は、供給口5bから供給された原
料ガス(主としてメタンガス)Gを燃焼ガス7で加熱し
た触媒6を通過させて改質反応させ、改質ガス(主とし
て水素)G1を例えば燃料電池のアノード側に利用する
のに供される。具体的には、供給口5bから供給された
原料ガスGは、天蓋5aの下面と反射壁4aの上面との
空間域5cを経て、第2筒体4と第3筒体5との間に充
填され、燃焼ガス7により所定温度(600℃〜750
℃)に加熱されている触媒6を通過中に反応してその性
質を改質され、改質ガスG1(水素)となって改質ガス
通路5eを介して放出口5gから放出され、例えば燃料
電池(図示省略)のアノード側に反応用燃料として供給
される。 【0016】この場合、熱源2で発生させた高温の燃焼
ガス7を燃焼ガス通路7aに誘導するための反射壁4a
の位置が、充填されている触媒6の上面位置と同一高さ
位置に設けられていることにより、前記空間域5cに存
在する未反応の原料ガスGを不用意に加熱しすぎること
がなく、そのため、反応に必要な適正温度(実施例では
600℃)で触媒6に流入させることができる。しか
も、原料ガスGが、触媒6に流入して、活発に改質反応
(吸熱反応)を行う触媒上部(入口域)に対して燃焼ガ
スによって効率よく加熱するので、図3に温度分布線X
で示すように適正な温度域を経過する起伏のない平坦な
分布線で徐々に適正温度(実施例では700℃〜750
℃)に向かって変化させることができる。この結果、原
料ガスGを常に安定的に最適の加熱温度で改質反応させ
られ触媒6の出口では理想的な適正温度700℃〜75
0℃を保った良質の改質ガスG1を得ることができる。 【0017】尚、前記図3の、温度分布線X1は従来の
改質器における実測値である。図3の温度分布は直径1
00mmの円筒形触媒(高さ約400mm、厚み20mm)を
用いて実測したものである。続いて本発明に係る他例と
して第2実施例について説明する。図2は該第2実施例
を示し、同一部材は同記号を付しその説明を省略する。 【0018】第2実施例は、先に説明した第1実施例と
基本構成は全く同様で、第2筒体4の上端を上方へHだ
け延長し、反射壁4aの上方に更に保護板4cを設けた
ものである。この場合空間域5c内に存在する原料ガス
Gの温度が反射壁4aの上面で加熱されるのを積極的に
保護でき、触媒流入前の原料ガスGの温度を適正温度
(600℃)に安定的に維持することにおいて顕著な効
を奏することができる。 【0019】更に、前記保護板4cを断熱材料で構成す
る場合は前記効果を一層助長することができる。 【0020】 【発明の効果】以上説明したように本発明は燃焼ガスを
燃焼ガス通路に誘導する反射壁の高さ位置と、充填され
た触媒上面の高さ位置とが同一高さ位置もしくは触媒上
面がそれ以上高さとしていることにより、供給された原
料ガスが過度に加熱されるのを解消すると共に、原料ガ
スが流入する触媒上部を効率よく加熱することができる
ので、燃焼ガス通路に沿って触媒温度を徐々に高めるよ
うな温度分布が実現でき、これによって良質の改質ガス
を得ることができるといった効果を有するものである。
【図面の簡単な説明】 【図1】本発明の原料ガス改質器の断面図である。 【図2】本発明の原料ガス改質器の他例を示す断面図で
ある。 【図3】本発明と従来例とを比較した温度分布の変化を
示す図である。 【図4】従来の原料ガス改質器を示す断面図である。 【符号の説明】 2 熱源 3 第1筒体 4 第2筒体 4a 反射壁 5 第3筒体 5a 天蓋 5b 供給口 5c 空間域 6 触媒 7 燃焼ガス 7a 燃焼ガス通路 G 原料ガス G1 改質ガス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 坂本 滋 大阪府守口市京阪本通2丁目5番5号 三洋電機株式会社内 (72)発明者 岡田 治 大阪市中央区平野町四丁目1番2号 大 阪瓦斯株式会社内 (72)発明者 高見 晋 大阪市中央区平野町四丁目1番2号 大 阪瓦斯株式会社内 (56)参考文献 特開 平6−115902(JP,A) 特開 平7−291603(JP,A) 実開 昭60−89234(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) B01J 8/00 - 8/46 C01B 3/38 H01M 8/06 B01J 19/24 C10G 1/00 - 75/04

Claims (1)

  1. (57)【特許請求の範囲】 【請求項1】 下部に熱源をもつ第1筒体の外域に複数
    の筒体が配され、前記第1筒体の上方には該筒体内を上
    昇する燃焼ガスを下流側の燃焼ガス通路に誘導する反射
    壁が設けられ、前記第1筒体の外域に位置する第2筒体と
    の空間が前記反射壁で誘導された燃焼ガスの通路とさ
    れ、更に前記第2筒体の外域に位置する第3筒体との空間
    に原料ガス改質触媒が充填され、前記第3筒体の上端は
    前記第1筒体の反射壁より上方位置において原料ガス供
    給口を具備した天蓋にて閉塞され、前記原料ガス供給口
    から供給された原料ガスが、前記天蓋下面の空間域を経
    て前記原料ガス改質触媒に流入し、この原料ガスが燃焼
    ガスで加熱された原料ガス改質触媒を通過中に前記原料
    ガスの性質を改質するようにした原料ガス改質器におい
    て、 前記原料ガス改質触媒の上面が、前記第1筒体における
    反射壁の高さ位置と実質的に同一高さもしくはそれ以上
    に成されていることを特徴とする原料ガス改質器。
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