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JP3437702B2 - Substrate processing equipment - Google Patents
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JP3437702B2 - Substrate processing equipment - Google Patents

Substrate processing equipment

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JP3437702B2
JP3437702B2 JP01651196A JP1651196A JP3437702B2 JP 3437702 B2 JP3437702 B2 JP 3437702B2 JP 01651196 A JP01651196 A JP 01651196A JP 1651196 A JP1651196 A JP 1651196A JP 3437702 B2 JP3437702 B2 JP 3437702B2
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processing liquid
tank
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  • Weting (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、搬送される基板に
それぞれ異なる複数の処理液を供給する基板処理装置に
関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus for supplying a plurality of different processing liquids to a transported substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶や半導体等の基板は、複数の処理槽
が連設された処理槽内に、コンベヤベルトやローラ等の
搬送手段によって略水平姿勢で順番に搬送され、各処理
槽内で各種の処理液が供給されることによって所定の処
理が施される。上記処理液は、例えば、現像液、洗浄
液、エッチング液、剥離液、純水など性状の異なる液が
用いられ、各処理槽では異なった処理液が供給される。
上記各処理槽間には基板を通す開口部を備えた仕切壁が
設けられ、上記開口部によって処理槽間の基板の搬送を
可能にしているとともに、仕切壁によって隣接した処理
槽の処理液が混ざり合わないようにしている。
2. Description of the Related Art Substrates such as liquid crystals and semiconductors are sequentially transported in a substantially horizontal posture by a transporting means such as a conveyor belt or rollers into a processing bath in which a plurality of processing baths are arranged in series. Predetermined processing is performed by supplying various processing liquids. As the processing liquid, for example, a developing liquid, a cleaning liquid, an etching liquid, a stripping liquid, pure water, or the like having different properties is used, and different processing liquids are supplied to the respective processing tanks.
A partition wall having an opening through which a substrate is passed is provided between the processing tanks, and the opening allows the substrates to be transferred between the processing tanks. I try not to mix them.

【0003】しかしながら、上手側処理槽において処理
液を供給された基板が開口部を通って下手側処理槽に搬
送されると、下手側処理槽に移行した基板には上手側の
処理液が付着しているため、下手側処理槽において基板
上で上手側の処理液と下手側の処理液とが相互に混ざり
合い、下手側の処理液の性状が変化して基板が処理不良
になるという問題が生じる。
However, when the substrate to which the processing liquid is supplied in the upper processing tank is conveyed to the lower processing tank through the opening, the upper processing liquid adheres to the substrate transferred to the lower processing tank. Therefore, in the lower processing tank, the upper processing liquid and the lower processing liquid are mixed with each other on the substrate, and the property of the lower processing liquid changes, resulting in defective processing of the substrate. Occurs.

【0004】また、上手側処理槽においては、基板に供
給した処理液を回収して再度基板に供給する、いわゆる
処理液の循環使用を行うことが一般的である。この場
合、上手側処理槽から下手側処理槽に搬送される基板に
上手側の処理液が付着していると、上手側の処理液が上
手側処理槽から下手側処理槽に持ち出され、上手側処理
槽において循環使用する処理液が減少してしまう。この
上手側の処理液の減少を補うため、新しい処理液を追加
しなければならず、そのため生産コストが増大するとい
う問題点が発生する。
Further, in the good side processing tank, it is general to carry out a so-called circulating use of the processing liquid, in which the processing liquid supplied to the substrate is recovered and supplied again to the substrate. In this case, if the processing liquid on the right side adheres to the substrate transferred from the processing tank on the right side to the processing tank on the lower side, the processing liquid on the right side is taken out from the processing tank on the right side to the processing tank on the lower side, The processing liquid circulated in the side processing tank is reduced. In order to compensate for the decrease in the processing solution on the good side, a new processing solution has to be added, which causes a problem that the production cost increases.

【0005】これらの問題を回避する対策の採用された
基板処理装置として、上手側処理槽と下手側処理槽との
境界部分に基板の表裏面に対向したエアーナイフを設
け、このエアーナイフからの基板表裏面への気体の吐出
によって上手側の処理液が下手側処理槽に持ち出されな
いようにした液切り装置を設けたものが知られている。
As a substrate processing apparatus adopting measures for avoiding these problems, air knives facing the front and back surfaces of the substrate are provided at the boundary between the upper processing tank and the lower processing tank. It is known that a liquid draining device is provided so that the processing liquid on the upper side is not taken out to the processing tank on the lower side by discharging gas to the front and back surfaces of the substrate.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記上手側
処理槽の出口部分にエアーナイフが設けられているもの
は、エアーナイフからの気体の吐出によって、基板の表
裏面が部分的に乾燥する。この部分的な乾燥により、上
手側の処理液が乾燥して基板の表裏面に処理液からなる
薄膜が被着する。また、上手側処理槽における処理が現
像処理の場合、レジストが除去されるべき基板の表面に
残存するレジストが乾燥し、レジストの薄膜が被着す
る。このように基板の表裏面が部分的に乾燥すると、つ
まり、基板の表裏面に部分的に薄膜が被着すると、下手
側処理槽において下手側の処理液を基板に供給した際
に、薄膜が被着した部分においては洗浄処理等で所望の
処理が進行し難くなる。すなわち、薄膜が被着した部分
と、被着していない部分とで処理の進行具合に差が生じ
るので、基板の表裏面に斑点状や帯状のムラが発生する
のである。かかるムラは、最終製品にも影響を与え、最
終製品が液晶表示器の場合には、表示ムラとして表れ
る。
By the way, in the case where an air knife is provided at the exit portion of the above-mentioned upper processing tank, the front and back surfaces of the substrate are partially dried by the discharge of gas from the air knife. Due to this partial drying, the processing liquid on the right side is dried and a thin film of the processing liquid is deposited on the front and back surfaces of the substrate. Further, when the processing in the superior processing tank is the development processing, the resist remaining on the surface of the substrate from which the resist should be removed dries and a thin film of the resist is deposited. Thus, when the front and back surfaces of the substrate are partially dried, that is, when the thin film is partially deposited on the front and back surfaces of the substrate, the thin film is formed when the processing liquid on the lower side is supplied to the substrate in the lower processing tank. It becomes difficult for a desired treatment to proceed in the deposited portion due to cleaning treatment or the like. That is, since there is a difference in the progress of processing between the part where the thin film is applied and the part where the thin film is not applied, spot-like or band-like unevenness occurs on the front and back surfaces of the substrate. Such unevenness also affects the final product and appears as display unevenness when the final product is a liquid crystal display.

【0007】上記ムラを発生させないためには、基板の
表裏面を部分的に乾燥させずに、上手側処理槽から下手
側処理槽に基板を搬送すればよい。しかしながら上手側
処理槽からの上手側の処理液の持ち出しをできるだけ少
なくするとともに、基板の表裏面を部分的に乾燥させな
いように上記液切り装置に設けられたエアーナイフから
吐出される気体の圧力や流量を調節することは非常に困
難であった。
In order to prevent the unevenness from occurring, the substrate may be transferred from the upper processing tank to the lower processing tank without partially drying the front and back surfaces of the substrate. However, the pressure of the gas discharged from the air knife provided in the above liquid draining device is controlled so as to minimize the carry-out of the processing liquid on the upstream side from the upstream processing tank and prevent the front and back surfaces of the substrate from being partially dried. It was very difficult to control the flow rate.

【0008】本発明は、上記のような問題点を解決する
ためになされたものであり、基板の上手側処理槽から下
手側処理槽への移行時に基板の表裏面を部分的に乾燥さ
せず、しかも上手側処理液の液切りを必要かつ充分に行
い得る基板処理装置を提供することを目的としている。
The present invention has been made to solve the above problems, and does not partially dry the front and back surfaces of the substrate when the substrate is transferred from the upper processing tank to the lower processing tank. Moreover, it is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus capable of performing necessary and sufficient drainage of the processing liquid on the good side.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
基板を搬送させつつそれぞれ異なる複数の処理液を供給
して所定の処理を施す基板処理装置において、基板の主
面に第1処理液を供給する第1処理液供給手段と、前記
第1処理液供給手段から第1処理液が供給された基板を
ほぼ水平姿勢で支持しつつ搬送するとともに、基板の主
面に向かう方向であり、かつ、基板の搬送方向に対して
逆方向に所定の角度で傾いた方向に、第1処理液を基板
の幅方向に亘って噴射して、第1処理液による処理が施
された後の主面に第1処理液の層が形成された基板の液
切りを行う液切り手段と、液切りされた基板の主面に第
1処理液と異なる第2処理液を供給する第2処理液供給
手段とを有することを特徴とするものである。
The invention according to claim 1 is
In the substrate processing apparatus for performing predetermined processing by supplying a plurality of different processing solution while conveying the substrate, a first processing liquid supplying means for supplying a first processing liquid to the main surface of the substrate, the
The substrate, to which the first processing liquid is supplied from the first processing liquid supply means , is supported while being supported in a substantially horizontal posture, and is directed toward the main surface of the substrate, and in a direction opposite to the transfer direction of the substrate. The first treatment liquid is jetted over the width direction of the substrate in a direction inclined at a predetermined angle to perform the treatment with the first treatment liquid.
Supplying a liquid removal means, the second processing solution different from the first treatment liquid to the main surface of the substrate which is drained off for performing main surface draining of the substrate layer of the first treatment liquid has been formed after being It has a 2nd process liquid supply means, It is characterized by the above-mentioned.

【0010】この発明によれば、搬送手段によって水平
姿勢で搬送される基板に第1処理液供給手段から第1処
理液が供給され、この第1処理液によって基板の主面に
所定の処理が施されたのち、主面に液切り手段によって
搬送方向とは逆方向に斜めに第1処理液が噴射されるた
め、この第1処理液の噴射によって基板の主面に存在す
る処理液が吹き飛ばされ、これによって主面の第1処理
液が噴射された部分よりも下流側には最小限の第1処理
液が薄膜状態で存在するのみとなる。従って、第1処理
液の処理域から第2処理液の処理域への第1処理液の持
ち出し量を減少させ得るようになるため、第1処理液が
第2処理液に多く混入することはなく、第1処理液の第
2処理液への混入による基板処理に対する悪影響が回避
される。
According to the present invention, the first processing liquid is supplied from the first processing liquid supply means to the substrate conveyed in the horizontal position by the conveying means, and the predetermined treatment is applied to the main surface of the substrate by the first processing liquid. After being applied, since the first processing liquid is jetted obliquely in the direction opposite to the transport direction by the liquid draining means on the main surface, the jetting of the first processing liquid blows off the processing liquid present on the main surface of the substrate. As a result, a minimum amount of the first processing liquid is present in a thin film state on the downstream side of the portion of the main surface onto which the first processing liquid is sprayed. Therefore, it is possible to reduce the carry-out amount of the first processing liquid from the processing region of the first processing liquid to the processing region of the second processing liquid, so that a large amount of the first processing liquid is mixed in the second processing liquid. Therefore, the adverse effect on the substrate processing due to the mixing of the first processing liquid with the second processing liquid is avoided.

【0011】また、基板上での第1処理液の液切りのた
めに同じ第1処理液が用いられているため、従来のよう
にエアーナイフからの気体吐出で液切りを行う場合に比
較して、基板の主面が部分的に乾燥することはなく、基
板主面の部分的乾燥によるムラの発生が防止される。
た、請求項2記載の発明は、請求項1に記載の基板処理
装置において、前記液切り手段は、前記第1処理液供給
手段よりも高圧で基板に対して第1処理液を噴射するこ
とを特徴とするものです。また、請求項3記載の発明
は、請求項1又は2に記載の基板処理装置において、前
記第1処理液供給手段による処理液供給中よりも高速で
基板を搬送しつつ前記液切り手段により第1処理液を供
給するように構成されていることを特徴とするである。
Further, since the same first processing liquid is used for draining the first processing liquid on the substrate, as compared with the conventional case where liquid draining is performed by discharging gas from an air knife. Thus, the main surface of the substrate is not partially dried, and unevenness due to partial drying of the main surface of the substrate is prevented. Well
The invention according to claim 2 is the substrate processing according to claim 1.
In the apparatus, the liquid draining means supplies the first processing liquid.
The first processing liquid is jetted onto the substrate at a pressure higher than that of the means.
It is characterized by and. The invention according to claim 3
In the substrate processing apparatus according to claim 1 or 2,
At a higher speed than during supply of the processing liquid by the first processing liquid supply means.
While transporting the substrate, the first processing liquid is supplied by the liquid draining means.
It is characterized in that it is configured to supply.

【0012】また、請求項記載の発明は、請求項1
至3の何れかに記載の発明において、第1処理液供給手
段および液切り手段が設けられた第1処理槽と、第1処
理槽に隣接して配置され、第2処理液供給手段が設けら
れた第2処理槽と、第1処理槽と第2処理槽との間を仕
切るとともに、基板を通過させる開口を有する仕切壁
と、第1処理液供給手段から基板に供給された第1処理
液を回収し、回収した第1処理液を第1処理液供給手段
から基板に供給するように循環する循環手段とを備えて
いることを特徴とするものである。
[0012] The invention of claim 4, wherein the claim 1
In the invention described in any one of 3 to 3, a first processing bath provided with a first processing liquid supply means and a draining means, and a second processing liquid supply means provided adjacent to the first processing bath. And a partition wall having an opening that allows the substrate to pass therethrough and a first processing liquid supplied to the substrate from the first processing liquid supply means. And a circulation unit that circulates the recovered first processing liquid so as to supply the recovered first processing liquid from the first processing liquid supply unit to the substrate.

【0013】この発明によれば、基板は、第1処理槽内
において主面に第1処理液供給手段によって第1処理液
が供給され、ついで液切り手段による第1処理液の主面
への噴射供給によって液切りされた状態で仕切壁の開口
を通って第2処理槽内に搬送され、ここで主面に第2処
理液供給手段から第2処理液が供給されて所定の処理が
施される。そして、第1処理槽において基板に供給され
た第1処理液は、循環手段によって回収されて循環使用
されるため、第1処理液の使用量を節減し得るようにな
る。
According to the present invention, the substrate is supplied with the first processing liquid by the first processing liquid supply means on the main surface in the first processing tank, and then the substrate is supplied with the first processing liquid by the liquid draining means. The liquid is drained by the jet supply and conveyed through the opening of the partition wall into the second treatment tank, where the second treatment liquid is supplied from the second treatment liquid supply means to the main surface to perform a predetermined treatment. To be done. Then, since the first processing liquid supplied to the substrate in the first processing tank is recovered by the circulation means and is circulated and used, the amount of the first processing liquid used can be reduced.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】図1は、本発明に係る基板処理装
置1の一実施形態を示す説明図である。基板処理装置1
は、複数の処理槽11が相互に隣接するように並設され
て形成されている。各処理槽11は、上部に基板Bを処
理する直方体形状の基板処理室12を有している。各基
板処理室12は仕切壁13を挟んで互いに形成され、こ
の仕切壁13には基板Bを通過させる開口部13aが形
成されている。基板Bは、これらの開口部13aを通っ
て図1の左方の処理槽11から右方の処理槽11に向か
って順次搬送されるようになっている。基板処理室12
の下部にはすり鉢形状の漏斗部12aが設けられ、これ
に基板Bに供給された処理液が集液されるようになって
いる。
1 is an explanatory view showing an embodiment of a substrate processing apparatus 1 according to the present invention. Substrate processing apparatus 1
Is formed by arranging a plurality of processing tanks 11 in parallel so as to be adjacent to each other. Each processing tank 11 has a rectangular parallelepiped substrate processing chamber 12 for processing the substrate B at the top. The substrate processing chambers 12 are formed so as to sandwich a partition wall 13, and the partition wall 13 has an opening 13a through which the substrate B passes. The substrate B is sequentially transported from the processing tank 11 on the left side in FIG. 1 toward the processing tank 11 on the right side in FIG. 1 through these openings 13a. Substrate processing chamber 12
A mortar-shaped funnel portion 12a is provided in the lower part of the substrate, and the processing liquid supplied to the substrate B is collected therein.

【0015】各処理槽11内には、基板Bの搬送方向に
直交した軸心を有する複数のローラ(搬送手段)14が
搬送方向に沿って並設されている。これらローラ14
は、基板処理室12内で上記開口部13aとほぼ同一の
高さ位置に設定されて並設されている。基板Bは、これ
らローラ14上に載置された状態でローラ14の回転駆
動により開口部13aを通って上手側の処理槽11から
下手側の処理槽11に移動するようになっている。以
下、図1においては、中央部分の左側の処理槽11を上
手側処理槽2、右側の処理槽11を下手側処理槽3と呼
ぶ。
Inside each processing tank 11, a plurality of rollers (conveying means) 14 having an axis perpendicular to the conveying direction of the substrate B are arranged in parallel along the conveying direction. These rollers 14
Are set in the substrate processing chamber 12 at substantially the same height as the opening 13a and arranged side by side. The substrate B placed on the rollers 14 is moved by the rotation of the rollers 14 through the opening 13a to move from the upper processing tank 11 to the lower processing tank 11. Hereinafter, in FIG. 1, the processing tank 11 on the left side of the central portion is referred to as the upper processing tank 2, and the processing tank 11 on the right side is referred to as the lower processing tank 3.

【0016】上手側処理槽2の適所には上手側処理槽2
内のローラ14を同期させながら一斉に回転させる上手
側駆動手段142が設けられている。この上手側駆動手
段142は、図略の駆動モータ、タイミングベルトや歯
車等を組み合わせた駆動力伝達手段等を有しており、駆
動モータの駆動力が駆動力伝達手段を介して上手側処理
槽2内の各ローラ14に伝達され、これによって各ロー
ラ14が回転するようになっている。
The proper side treatment tank 2 is provided at a proper position.
There is provided an upper-hand side driving means 142 for rotating the inner rollers 14 simultaneously while synchronizing them. The superior drive means 142 has a drive motor (not shown), a drive force transmission means such as a timing belt and a gear, and the like, and the drive force of the drive motor is transmitted through the drive force transmission means to the superior processing tank. It is transmitted to each of the rollers 14 in the No. 2 so that each of the rollers 14 is rotated.

【0017】また、下手側処理槽3の適所にも基板処理
室12内のローラ14を同期させながら一斉に回転させ
る上手側駆動手段142と同一構成の下手側駆動手段1
43が設けられ、これによって下手側処理槽3内の各ロ
ーラ14が回転するようになっている。
Further, the lower side driving means 1 having the same structure as the upper side driving means 142 for rotating the rollers 14 in the substrate processing chamber 12 at the appropriate places of the lower side processing tank 3 in synchronization with each other.
43 is provided so that each roller 14 in the lower processing tank 3 can rotate.

【0018】上記上手側処理槽2は、基板処理室12内
のローラ14列の上方に配設された上手側散液管21を
有しており、この上手側散液管21からローラ14上の
基板Bの表面に向けて上手側処理液Xが供給されるよう
にしている。この上手側処理液Xの供給によって基板B
の表面に所定の処理が施されるようになっている。基板
Bの処理に使用された上手側処理液Xは、基板Bの縁部
から落下し、漏斗部12aを介してその下部に設けられ
た上手側液留タンク22に回収されるようになってい
る。
The above-mentioned upper side processing tank 2 has an upper side liquid sprinkling tube 21 arranged above the row of rollers 14 in the substrate processing chamber 12, and from this upper side liquid sprinkling tube 21 onto the rollers 14. The processing liquid X on the right side is supplied toward the surface of the substrate B. The substrate B is supplied by the supply of the processing liquid X on the good side.
The surface of is subjected to a predetermined treatment. The good processing liquid X used for processing the substrate B drops from the edge portion of the substrate B and is collected in the good liquid distilling tank 22 provided below the funnel portion 12a. There is.

【0019】この上手側液留タンク22と上記上手側散
液管21との間には、上手側液留タンク22内の上手側
処理液Xを上手側散液管21に供給する上手側処理液供
給管路23が配設されている。この上手側処理液供給管
路23には、上流側から処理液供給ポンプ23aおよび
フィルタ23bが順次設けられ、上記処理液供給ポンプ
23aの駆動によって上手側液留タンク22内の上手側
処理液Xが循環使用されるようになっている。
Between the upper side liquid distilling tank 22 and the upper side liquid sprinkling pipe 21, the upper side processing liquid X for supplying the upper hand side processing liquid X in the upper side liquid distilling tank 22 to the upper side liquid sprinkling pipe 21 is supplied. A liquid supply conduit 23 is provided. A processing liquid supply pump 23a and a filter 23b are sequentially provided from the upstream side to the upper processing liquid supply pipe 23, and the upper processing liquid X in the upper liquid distilling tank 22 is driven by driving the processing liquid supply pump 23a. Are being used in circulation.

【0020】上記下手側処理槽3は、基板処理室12内
のローラ14列の上方に配設された複数の下手側散液管
31を有している。この下手側散液管31からローラ1
4上の基板Bの表面に向けて下手側処理液Yが供給さ
れ、これによって基板Bの表面に所定の処理が施される
ようになっている。そして、基板Bの処理に使用された
下手側処理液Yは、基板Bの縁部から落下し、漏斗部1
2aを介してその下部に設けられた下手側液留タンク3
2に回収されるようになっている。
The lower processing bath 3 has a plurality of lower liquid spray pipes 31 arranged above the row of rollers 14 in the substrate processing chamber 12. Roller 1 from this lower side spray pipe 31
The lower-side processing liquid Y is supplied toward the surface of the substrate B on the substrate 4, so that the surface of the substrate B is subjected to predetermined processing. Then, the lower processing liquid Y used for processing the substrate B drops from the edge portion of the substrate B, and the funnel portion 1
Lower side liquid distilling tank 3 provided at the bottom through 2a
It is supposed to be collected in 2.

【0021】この下手側液留タンク32と上記下手側散
液管31との間には、下手側液留タンク32内の下手側
処理液Yを下手側散液管31に供給する下手側処理液供
給管路33が配設されており、この下手側処理液供給管
路33には、上流側から処理液供給ポンプ33aおよび
フィルタ33bが設けられ、上記処理液供給ポンプ33
aの駆動によって下手側液留タンク32内の下手側処理
液Yが循環使用されるようになっている。
Between the lower side liquid distilling tank 32 and the lower side liquid sprinkling pipe 31, the lower side processing liquid Y in the lower side liquid distilling tank 32 is supplied to the lower side liquid sprinkling pipe 31. A liquid supply pipeline 33 is provided, and the processing liquid supply pipeline 33 is provided with a processing liquid supply pump 33a and a filter 33b from the upstream side.
By driving a, the lower processing liquid Y in the lower liquid distilling tank 32 is circulated and used.

【0022】本実施形態においては、上手側処理槽2内
で、上手側処理液Xとしてアルカリ性の現像液を用いて
基板Bの表面に形成されたレジスト膜を現像処理し、下
手側処理槽3内で下手側処理液Yとして洗浄水を用いて
現像処理後の基板Bを洗浄処理している。
In this embodiment, the resist film formed on the surface of the substrate B is developed in the upper processing tank 2 by using an alkaline developer as the upper processing liquid X, and the lower processing tank 3 is processed. The substrate B after the development processing is cleaned by using cleaning water as the lower side processing liquid Y therein.

【0023】上記両処理槽2,3間の仕切壁13の上手
側処理槽2側には、上手側処理液X供給された基板B
の表面に上手側処理液Xを噴射するリキッドナイフ(液
切り手段)4が設けられている。このリキッドナイフ4
には、上手側液留タンク22内の上手側処理液Xを昇圧
した高圧処理液Xaが供給されるようにしている。その
ために、リキッドナイフ4と上手側液留タンク22との
間に高圧管路24が配設され、この高圧管路24に高圧
液送ポンプ24aおよびフィルタ24bが直列で付設さ
れている。従って、高圧液送ポンプ24aを駆動させる
ことにより、上手側液留タンク22内の上手側処理液X
が高圧液送ポンプ24aに吸引昇圧され、高圧管路24
を通り、フィルタ24bを介してリキッドナイフ4に供
給されることになる。
The substrate B to which the upper processing liquid X is supplied is provided on the upper processing tank 2 side of the partition wall 13 between the processing tanks 2 and 3.
A liquid knife (liquid draining means) 4 for injecting the good-side treatment liquid X is provided on the surface of the. This liquid knife 4
Is supplied with the high-pressure processing liquid Xa obtained by pressurizing the upper-side processing liquid X in the upper-side liquid distilling tank 22. Therefore, a high-pressure pipe 24 is provided between the liquid knife 4 and the upper-side liquid distilling tank 22, and a high-pressure liquid feed pump 24a and a filter 24b are attached in series to the high-pressure pipe 24. Therefore, by driving the high-pressure liquid feed pump 24a, the upper processing liquid X in the upper liquid distilling tank 22 is processed.
Is suction-pressurized by the high-pressure liquid feed pump 24a, and the high-pressure line 24
And is supplied to the liquid knife 4 via the filter 24b.

【0024】図2は、仕切壁13の上流側に設けられた
リキッドナイフ4の一実施形態を示す一部切欠き斜視図
であり、図3はリキッドナイフ4の横断面図である。こ
れらの図に示すように、リキッドナイフ4は、ナイフ本
体41と、このナイフ本体41内に設けられた液通路4
2と、この液通路42に連通した液噴射口43aを有す
るノズル部43とを具備して形成されている。上記液通
路42は、ナイフ本体41の長手方向の略全長に亘って
形成されている。上記液噴射口43aは、長手方向にス
リット状に形成され、このスリット状の液噴射口43a
から、図2に示すように、高圧処理液Xaがカーテン状
で吐出されるようになっている。
FIG. 2 is a partially cutaway perspective view showing an embodiment of the liquid knife 4 provided on the upstream side of the partition wall 13, and FIG. 3 is a cross-sectional view of the liquid knife 4. As shown in these figures, the liquid knife 4 includes a knife body 41 and a liquid passage 4 provided in the knife body 41.
2 and a nozzle portion 43 having a liquid injection port 43a communicating with the liquid passage 42. The liquid passage 42 is formed over substantially the entire length of the knife body 41 in the longitudinal direction. The liquid ejection port 43a is formed in a slit shape in the longitudinal direction, and the slit-shaped liquid ejection port 43a is formed.
Therefore, as shown in FIG. 2, the high-pressure treatment liquid Xa is discharged in a curtain shape.

【0025】また、ナイフ本体41の上流側の側部に
は、幅方向の略中央部に雄ネジ(図3)の螺設された筒
状の連結部44が設けられており、この連結部44は液
通路42に連通している。上記上手側処理液供給管路2
3の下流端には袋ナット状のジョイント部材23cが敷
設されており、このジョイント部材23cを連結部44
に螺着することによって上手側処理液供給管路23とリ
キッドナイフ4とが接続されるようになっている。
Further, on the upstream side of the knife body 41, there is provided a cylindrical connecting portion 44 in which a male screw (FIG. 3) is screwed at a substantially central portion in the width direction. 44 communicates with the liquid passage 42. Above-mentioned processing liquid supply pipeline 2
A cap nut-shaped joint member 23c is laid at the downstream end of 3, and the joint member 23c is connected to the connecting portion 44.
The upper processing liquid supply pipe line 23 and the liquid knife 4 are connected to each other by being screwed into the.

【0026】また、上手側処理槽2は、仕切壁13の上
手側に立設された幅方向一対の支柱13bを有し(図2
では右方の支柱13bは図示を省略している)、これら
一対の支柱13bの上部に互いに対向するように円柱状
の支持ロッド13cが一体に突設されている一方、ナイ
フ本体41の幅方向両側部には上記各支持ロッド13c
に外嵌する一対の外嵌筒45が一体に突設され(図2で
は右方の外嵌筒45は図示を省略している)、左右の外
嵌筒45がそれぞれに対応した支持ロッド13cに外嵌
されることによってリキッドナイフ4が支持ロッド13
cの軸心回りに回動可能になっている。
The upper processing tank 2 has a pair of columns 13b in the width direction which are erected on the upper side of the partition wall 13 (see FIG. 2).
The column 13b on the right side is not shown in the figure), and the columnar support rods 13c are integrally projectingly provided on the upper portions of the pair of columns 13b so as to face each other. Each support rod 13c on both sides
A pair of outer fitting cylinders 45 externally fitted to the support rod 13c are provided integrally with each other (the right outer fitting cylinder 45 is not shown in FIG. 2), and the left and right outer fitting cylinders 45 correspond to the corresponding support rods 13c. When the liquid knife 4 is fitted onto the support rod 13,
It is rotatable about the axis of c.

【0027】そして、上記各外嵌筒45には、外周面か
ら筒内に向けて貫通した締結ネジ46が螺着されてお
り、この締結ネジ46を締結することによってリキッド
ナイフ4の支持ロッド13c回りの回動がロックされる
ようにしている。従って、締結ネジ46を弛めた状態で
リキッドナイフ4を支持ロッド13c回りに回動させ、
リキッドナイフ4が所望の傾斜姿勢になった時点で締結
ネジ46を締め付けることにより、上記設定されたリキ
ッドナイフ4の傾斜姿勢が維持される。
A fastening screw 46 penetrating from the outer peripheral surface toward the inside of the barrel is screwed to each of the outer fitting barrels 45. By fastening the fastening screw 46, the support rod 13c of the liquid knife 4 is secured. The rotation is locked. Therefore, the liquid knife 4 is rotated around the support rod 13c with the fastening screw 46 loosened,
By tightening the fastening screw 46 when the liquid knife 4 reaches the desired tilted posture, the set tilted posture of the liquid knife 4 is maintained.

【0028】上記ノズル部43の液通路の水平面に対す
る傾斜角度αは、5°〜80°の範囲内の角度に設定さ
れている。その理由は、傾斜角度αが5°未満である
と、液噴射口43aから噴射された噴射液流が基板Bの
表面をなでるようにして通過してしまうため、基板Bの
表面に付着している上手側処理液Xを確実に除去するこ
とができないからであり、傾斜角度が80°を越える
と、基板B上に吐出された上手側処理液Xによる下手側
に向かう液流が形成されるため、上手側処理液Xの持出
し量が増加するからである。ちなみに、本実施形態にお
いては、上記傾斜角度αは、30°に設定されている。
The inclination angle α of the nozzle portion 43 with respect to the horizontal plane of the liquid passage is set within the range of 5 ° to 80 °. The reason is that if the inclination angle α is less than 5 °, the jet liquid flow jetted from the liquid jet port 43a passes through the surface of the substrate B while stroking it, and thus adheres to the surface of the substrate B. This is because it is not possible to reliably remove the existing upper processing liquid X, and when the inclination angle exceeds 80 °, a liquid flow toward the lower side due to the upper processing liquid X discharged onto the substrate B is formed. Therefore, the carry-out amount of the good-side processing liquid X is increased. Incidentally, in the present embodiment, the inclination angle α is set to 30 °.

【0029】上記下手側散液管31は、図1に示すよう
に、下手側処理槽3内において基板Bの搬送方向に直交
する方向に平行に複数本が配設されている。この下手側
散液管31の底部には、複数の散液ノズルが等ピッチで
並設され、下手側液留タンク32から下手側処理液供給
管路33を通して供給された下手側処理液Yがこれら複
数の散液ノズルから基板B表面に供給されるようになっ
ている。
As shown in FIG. 1, a plurality of lower liquid sprinkling tubes 31 are arranged in the lower processing tank 3 in parallel to the direction orthogonal to the substrate B transport direction. A plurality of sprinkling nozzles are juxtaposed at equal pitches at the bottom of the lower-hand side sprinkling pipe 31, and the lower-hand side treatment liquid Y supplied from the lower-hand side liquid distilling tank 32 through the lower-hand side treatment liquid supply pipe line 33 The liquid is supplied onto the surface of the substrate B from the plurality of liquid spray nozzles.

【0030】従って、ローラ14の回転駆動によって上
手側処理槽2から下手側処理槽3に搬送される基板B
は、仕切壁13の開口部13aを通過するに際し、その
表面は、図2に示すように、斜め上方からリキッドナイ
フ4の液噴射口43aからの高圧処理液Xaの噴射を受
ける。そして、基板Bの表面に形成された上手側処理液
層X1は、上記液噴射口43aからの上流側に向かう液
流によって上流側に押しやられた状態になるため、開口
部13aを通過する基板Bの表面には上手側処理液層X
1が取り除かれた状態になる。
Therefore, the substrate B conveyed from the upper processing tank 2 to the lower processing tank 3 by the rotational driving of the roller 14
When passing through the opening 13a of the partition wall 13, the surface thereof receives the high-pressure treatment liquid Xa from the liquid jet port 43a of the liquid knife 4 from diagonally above, as shown in FIG. The upper-side processing liquid layer X1 formed on the surface of the substrate B is pushed to the upstream side by the liquid flow from the liquid injection port 43a toward the upstream side, and thus the substrate passing through the opening 13a. On the surface of B, the good side processing liquid layer X
1 is removed.

【0031】図4は、基板処理装置1の制御系の一実施
形態を示すブロック図である。この図および図1に示す
ように、基板処理装置1は、基板処理装置1の運転を制
御するための制御手段5を有している。この制御手段5
は、内部に図略の搬送制御手段と、液切り制御手段と、
基板揺動制御手段とを有している。
FIG. 4 is a block diagram showing an embodiment of the control system of the substrate processing apparatus 1. As shown in this figure and FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 has a control means 5 for controlling the operation of the substrate processing apparatus 1. This control means 5
Is a transfer control means (not shown), a drainage control means, and
Substrate swing control means.

【0032】上記搬送制御手段は、基板Bを上手側処理
槽2内で処理したり、下手側処理槽3で処理するときは
基板を低速(略1m/min)で搬送するとともに、基
板Bを上手側処理槽2から下手側処理槽3に搬送すると
きは高速(略8m/min)で搬送するように上手側駆
動手段142および下手側駆動手段143に制御信号を
出力するものである。また、上記液切り制御手段は、搬
送制御手段の上記制御に同期して基板Bの上手側処理槽
2から下手側処理槽3への搬送開始時にリキッドナイフ
4から高圧処理液Xaを噴射させる制御信号を高圧液送
ポンプ24aに出力するものである。さらに、上記基板
揺動制御手段は、基板Bへの上手側処理液Xの供給中は
基板Bを搬送方向に揺動させる制御信号を上手側駆動手
段142に出力するものである。
When the substrate B is processed in the upper processing tank 2 or in the lower processing tank 3, the transfer control means transfers the substrate at a low speed (approximately 1 m / min) and also transfers the substrate B. When carrying from the upper hand side processing tank 2 to the lower hand side processing tank 3, a control signal is outputted to the upper hand side driving means 142 and the lower hand side driving means 143 so as to carry at a high speed (about 8 m / min). The liquid draining control means controls the liquid knife 4 to inject the high-pressure processing liquid Xa at the start of the transfer of the substrate B from the upper processing tank 2 to the lower processing tank 3 in synchronization with the control of the transfer control means. The signal is output to the high-pressure liquid feed pump 24a. Further, the substrate swing control means outputs a control signal for swinging the substrate B in the transport direction to the upstream drive means 142 while the upstream processing liquid X is being supplied to the substrate B.

【0033】一方、上手側処理槽2の基板処理室12に
は、上流側の開口部13a付近に基板Bの基板処理室1
2内への進入を検出する第1位置センサ51が設けられ
ているとともに、同下流側の開口部13a付近に基板B
の上手側処理槽2からの進出を検出する第2位置センサ
52が設けられている。そして、基板処理装置1の稼働
中は各処理槽2,3の処理液供給ポンプ23a,33a
の運転が継続された状態で、これら各位置センサ51,
52の検出信号が制御手段5に逐一入力されるととも
に、制御手段5はこの検出信号に基づく制御信号を高圧
液送ポンプ24a、上手側駆動手段142、および下手
側駆動手段143に出力することによって基板処理装置
1の運転制御が実行されるようになっている。
On the other hand, in the substrate processing chamber 12 of the superior processing bath 2, the substrate processing chamber 1 for the substrate B is provided near the opening 13a on the upstream side.
2 is provided with a first position sensor 51 for detecting the entry into the inside of the substrate 2, and the substrate B is provided near the opening 13a on the downstream side.
A second position sensor 52 for detecting the advance from the upper processing tank 2 is provided. Then, during the operation of the substrate processing apparatus 1, the processing liquid supply pumps 23a and 33a of the processing tanks 2 and 3 are provided.
Of the position sensors 51,
The detection signal of 52 is input to the control means 5 one by one, and the control means 5 outputs a control signal based on this detection signal to the high-pressure liquid feed pump 24a, the upper hand side driving means 142, and the lower hand side driving means 143. The operation control of the substrate processing apparatus 1 is executed.

【0034】例えば、第2位置センサ52が基板Bを検
出した時点に制御手段5からの制御信号によって上手側
駆動手段142が一旦停止され、ついで所定のタイムピ
ッチで上手側駆動手段142が正逆駆動される。
For example, when the second position sensor 52 detects the substrate B, the control signal from the control means 5 temporarily stops the upper drive means 142, and then the normal drive means 142 is reversed at a predetermined time pitch. Driven.

【0035】この上手側駆動手段142の正逆駆動によ
って各ローラ14は正逆回転し、これによってローラ1
4上の基板Bは搬送方向に沿って揺動されることにな
る。そして、揺動している基板Bは、その表面に上手側
散液管21からの上手側処理液Xが供給され、所定の処
理が施される。なお、制御手段5内には、上記揺動のた
めの制御信号を出力する図略の基板揺動制御手段を有し
ている。
The rollers 14 rotate in the forward and reverse directions by the forward and reverse drive of the upper drive means 142, whereby the rollers 1 are rotated.
The substrate B on 4 is swung along the transport direction. Then, the oscillating substrate B is supplied with the upper-side processing liquid X from the upper-side liquid sprinkling tube 21 on its surface and is subjected to a predetermined process. The control means 5 has a substrate swing control means (not shown) that outputs a control signal for swinging.

【0036】ついで、所定の時間が経過すると、制御手
段5からの制御信号によって高圧液送ポンプ24aが駆
動されるとともに、上手側駆動手段142および下手側
駆動手段143は高速駆動され、これによって上手側処
理槽2および下手側処理槽3内のローラ14は高速で正
転され、これによって基板Bは高速(8m/min)で
上手側処理槽2から下手側処理槽3に搬送される。
Then, after a lapse of a predetermined time, the high-pressure liquid feed pump 24a is driven by the control signal from the control means 5, and the upper-hand side driving means 142 and the lower-hand side driving means 143 are driven at high speed. The rollers 14 in the side processing tank 2 and the lower processing tank 3 are normally rotated at a high speed, so that the substrate B is transferred from the upper processing tank 2 to the lower processing tank 3 at a high speed (8 m / min).

【0037】この高速搬送状態の基板Bの表面にリキッ
ドナイフ4から高圧処理液Xaが噴射供給され、この噴
射液によって、図2に示すように、基板Bの表面に形
成された上手側処理液層X1が上流側に押しやられ、高
圧処理液Xaの被噴射点より下流側の基板Bの表面に上
手側処理液Xが薄く均一に存在した状態になる。
The high-pressure processing liquid Xa is jetted and supplied from the liquid knife 4 onto the surface of the substrate B in the high-speed transport state, and the jetting flow of the jetting liquid causes the high-side processing formed on the surface of the substrate B as shown in FIG. The liquid layer X1 is pushed to the upstream side, and the good-side processing liquid X is thinly and uniformly present on the surface of the substrate B on the downstream side of the injection point of the high-pressure processing liquid Xa.

【0038】そして、基板Bがリキッドナイフ4の下部
を通過し終わると、それを第2位置センサ52が検出
し、これに基づく制御手段5からの制御信号によって高
圧液送ポンプ24aの駆動が停止されるとともに、上手
側駆動手段142および下手側駆動手段143が通常の
駆動に戻され、これによって下手側処理槽3内に導入さ
れた基板Bは通常の搬送速度でローラ14で搬送され、
下手側散液管31からの下手側処理液Yを供給されるこ
とによる処理が施される。
When the substrate B has finished passing through the lower portion of the liquid knife 4, the second position sensor 52 detects it and the control signal from the control means 5 based on this detects that the driving of the high-pressure liquid feed pump 24a is stopped. At the same time, the upper-side driving means 142 and the lower-side driving means 143 are returned to the normal drive, whereby the substrate B introduced into the lower-side processing tank 3 is conveyed by the rollers 14 at a normal conveying speed,
Processing is performed by supplying the lower processing liquid Y from the lower liquid sprinkling tube 31.

【0039】このような基板処理装置1の運転制御は、
基板Bが上手側処理槽2に導入される都度実行され、基
板Bの搬送に伴った上手側処理液Xの下手側処理槽3内
への持ち出し量を最小限度に抑えた状態で連続的に順次
基板Bに所定の処理が施されることになる。
Operation control of such a substrate processing apparatus 1 is as follows.
It is executed every time the substrate B is introduced into the good side processing bath 2, and continuously in a state where the carry-out amount of the good side processing liquid X accompanying the transfer of the substrate B into the lower side processing bath 3 is minimized. The substrate B is sequentially subjected to a predetermined process.

【0040】本発明は、以上詳述したように、上手側処
理槽2と下手側処理槽3との境界部分の上手側処理槽2
側にリキッドナイフ4を設け、このリキッドナイフ4か
ら搬送中の基板Bの表面に向けて噴射液流が上流側に向
かうように斜めに高圧処理液Xaを噴射するものである
ため、この噴射液流によって基板Bの表面に形成されて
いる上手側処理液層X1が上手側に押しやられ、基板B
の表面には、上手側処理液Xが極めて薄く均一に存在す
るのみとなる。
In the present invention, as described in detail above, the upper side processing tank 2 at the boundary between the upper side processing tank 2 and the lower side processing tank 3
Since the liquid knife 4 is provided on the side, and the high-pressure processing liquid Xa is jetted obliquely from the liquid knife 4 toward the surface of the substrate B being conveyed, the high-pressure processing liquid Xa is jetted obliquely. The good side processing liquid layer X1 formed on the surface of the substrate B is pushed to the good side by the flow,
The treatment liquid X on the right side is extremely thin and uniformly present on the surface of the.

【0041】従って、基板Bが上手側処理槽2から下手
側処理槽3に搬送されても、下手側処理槽3内への上手
側処理液Xの混入は最小限度に留められているため、下
手側処理槽3おいて、上手側処理液Xが下手側処理液Y
による基板Bの処理に悪影響を及ぼすことはない。
Therefore, even if the substrate B is transferred from the upper processing tank 2 to the lower processing tank 3, the mixing of the upper processing liquid X into the lower processing tank 3 is kept to a minimum. In the lower processing tank 3, the upper processing liquid X is the lower processing liquid Y.
Does not adversely affect the processing of the substrate B.

【0042】また、上手側処理槽2内においては、高圧
処理液Xaとして上手側液留タンク22内の上手側処理
液Xが用いられ、この上手側処理液Xは循環使用される
ようにしているため、上手側処理液Xの持ち出し量が減
少し、上手側処理液Xの補給量を削減する上で有効であ
る。
Further, in the high-side processing tank 2, the high-side processing liquid X in the high-side liquid distilling tank 22 is used as the high-pressure processing liquid Xa, and the high-side processing liquid X is circulated and used. Therefore, the carry-out amount of the good processing liquid X is reduced, which is effective in reducing the supply amount of the good processing liquid X.

【0043】しかも、従来のように基板Bの表面に気流
を供給して液切りを行うものではないため、上手側処理
槽2から下手側処理槽3に移動した基板Bの表面が部分
的に乾燥することはなく、部分乾燥に起因した基板B表
面のムラの発生が確実に防止される。
Moreover, unlike the prior art, the air is not supplied to the surface of the substrate B to drain the liquid, so that the surface of the substrate B moved from the upper processing tank 2 to the lower processing tank 3 is partially There is no drying, and the occurrence of unevenness on the surface of the substrate B due to partial drying is reliably prevented.

【0044】本発明は、上記の実施形態のほか以下の実
施形態を採用し得るものである。
The present invention can employ the following embodiments in addition to the above embodiments.

【0045】(1)上記実施形態では、リキッドナイフ
4は、仕切壁13に穿設された開口部13aの上縁部に
のみ設けられているが、開口部13aの下縁部にも設け
るようにし、下縁部に設けたリキッドナイフによって基
板Bの裏面にも処理液を噴射するようにしてもよい。こ
うすることによって基板Bの裏面に上手側処理液Xが付
着していても下手側処理液Yへの上手側処理液Xの混入
が確実に抑制される。
(1) In the above embodiment, the liquid knife 4 is provided only at the upper edge of the opening 13a formed in the partition wall 13, but may be provided at the lower edge of the opening 13a. Alternatively, the treatment liquid may be sprayed onto the back surface of the substrate B by a liquid knife provided at the lower edge portion. By doing so, even if the upper processing liquid X is attached to the back surface of the substrate B, the mixing of the upper processing liquid X into the lower processing liquid Y is reliably suppressed.

【0046】(2)上記実施形態では、リキッドナイフ
4から吹き出される高圧処理液Xaに上手側液留タンク
22内の上手側処理液Xが適用されているが、本発明
は、リキッドナイフ4から噴出される高圧処理液Xaが
上手側液留タンク22からのものに限定されるものでは
なく、上手側処理液Xと同一のものであるなら他の処理
液源からのものを導入するようにしてもよい。
(2) In the above embodiment, the high-hand side treatment liquid X in the high-hand side liquid distilling tank 22 is applied to the high-pressure treatment liquid Xa blown out from the liquid knife 4, but the present invention is not limited to this. The high-pressure processing liquid Xa ejected from the above is not limited to that from the upper-side liquid distilling tank 22, and if it is the same as the upper-side processing liquid X, it may be introduced from another processing liquid source. You may

【0047】(3)上記実施形態では、リキッドナイフ
4の液噴射口43aは、基板Bの搬送方向に直交した方
向(長手方向)に延びるスリット状の開口によって形成
されているが、液噴射口43aをスリット状にする代わ
りに、扇状に液を噴射するノズルを採用してもよい。
(3) In the above embodiment, the liquid jet port 43a of the liquid knife 4 is formed by a slit-shaped opening extending in the direction (longitudinal direction) orthogonal to the transport direction of the substrate B. Instead of forming the slit 43a into a slit shape, a nozzle that ejects the liquid in a fan shape may be adopted.

【0048】(4)上記実施形態では、基板Bを搬送す
る搬送手段として回転駆動するローラ14が用いられて
いるが、本発明は、搬送手段がローラ14に限定される
ものではなく、コンベヤベルトを用いてもよい。この場
合、リキッドナイフ4は、基板Bの上面側にのみ設けら
れる。
(4) In the above embodiment, the roller 14 which is rotationally driven is used as the transporting means for transporting the substrate B, but the transporting means is not limited to the roller 14 in the present invention, and a conveyor belt is used. May be used. In this case, the liquid knife 4 is provided only on the upper surface side of the substrate B.

【0049】(5)上記の実施形態では、上手側処理液
Xに現像液を、下手側処理液Yに純水を用いていたが、
上手側処理液Xが基板Bの表裏面を洗浄する洗剤等を含
む洗浄液であり、下手側処理液Yが洗浄液を基板Bから
洗い流す純水であってもよい。また、上手側処理液Xが
基板Bの表面に形成された金属薄膜をエッチングする
のエッチング液であり、下手側処理液Yがエッチング
液を基板Bから洗い流す純水であってもよい。さらに、
上手側処理液Xがエッチング処理された基板Bの表面に
被着したレジスト膜を剥離する剥離液であり、下手側処
理液Yが剥離液を置換するイソプロピルアルコール等の
置換液または剥離液を洗い流す純水であってもよい。
(5) In the above embodiment, the developer is used as the upper processing liquid X and the pure water is used as the lower processing liquid Y.
The upper processing liquid X may be a cleaning liquid containing a detergent or the like for cleaning the front and back surfaces of the substrate B, and the lower processing liquid Y may be pure water that rinses the cleaning liquid from the substrate B. Further, the treatment liquid X on the good side is an acid for etching the metal thin film formed on the surface of the substrate B.
And the lower-side processing liquid Y may be pure water that rinses the etching liquid from the substrate B. further,
The upper processing liquid X is a stripping liquid for stripping the resist film deposited on the surface of the substrate B subjected to the etching treatment, and the lower processing liquid Y is a washing liquid for displacing the stripping liquid or a stripping liquid such as isopropyl alcohol. It may be pure water.

【0050】(6)上記の実施形態においては、上手側
処理液Xに処理液供給ポンプ23aと高圧液送ポンプ2
4aとの2台のポンプが用いられ、処理液供給ポンプ2
3aによって吐出された上手側処理液Xは上手側散液管
21から散液され、高圧液送ポンプ24aによって吐出
された上手側処理液Xはリキッドナイフ4から噴射され
るようにしているが、このように2台のポンプを採用す
る代わりに、1台のポンプによる上手側処理液Xの吐出
で上手側散液管21からの散液と、リキッドナイフ4か
らの液噴射を賄うようにしてもよい。
(6) In the above embodiment, the processing liquid supply pump 23a and the high-pressure liquid supply pump 2 are supplied to the upper processing liquid X.
Two pumps 4a and 4a are used, and the processing liquid supply pump 2
The upper processing liquid X discharged by 3a is sprinkled from the upper liquid dispersion pipe 21, and the upper processing liquid X discharged by the high-pressure liquid feed pump 24a is jetted from the liquid knife 4. As described above, instead of using two pumps, the one side pump discharges the superior side treatment liquid X to cover the sprinkling from the superior side sprinkling pipe 21 and the liquid jet from the liquid knife 4. Good.

【0051】[0051]

【発明の効果】上記請求項1乃至3記載の発明によれ
ば、液切り手段によって、基板の搬送方向に対して逆方
向に所定の角度で傾いた方向に、第1処理液を基板の幅
方向に亘って噴射して、主面に第1処理液の層が形成さ
れた基板の液切りが行われるようにしているため、この
第1処理液の噴射によって基板の主面に存在する処理液
が吹き飛ばされ、これによって主面の第1処理液が噴射
された部分よりも下流側には最小限の第1処理液が薄膜
状態で存在するのみとなり、第1処理液の処理域から第
2処理液の処理域への第1処理液の持ち出し量を減少さ
せることができ、第2処理液に、第1処理液が混入され
ることはなく、第1処理液の第2処理液への混入による
基板処理に対する悪影響が回避される。
According to the invention described in claims 1 to 3 , the first processing liquid is applied to the width of the substrate by the liquid draining means in a direction inclined at a predetermined angle in the opposite direction to the substrate transport direction. Since the substrate having the layer of the first treatment liquid formed on the principal surface is drained by spraying in the direction, the treatment existing on the principal surface of the substrate by the ejection of the first treatment liquid. The liquid is blown away, and as a result, only a minimum amount of the first processing liquid is present in a thin film state on the downstream side of the portion of the main surface onto which the first processing liquid is sprayed. It is possible to reduce the carry-out amount of the first processing liquid to the processing region of the two processing liquids, and the first processing liquid is not mixed with the second processing liquid. The adverse effect on the substrate processing due to the inclusion of the is avoided.

【0052】また、基板上での第1処理液の液切りのた
めに同じ第1処理液が用いられているため、従来のよう
にエアーナイフからの気体吐出で液切りを行う場合に比
較して、基板の主面が部分的に乾燥することはなく、基
板主面の部分的乾燥によるムラの発生が防止されるの
、かかるムラが最終製品に影響を与えることがなくな
り、最終製品が液晶表示器の場合にあっては、表示ムラ
が表われることを防止できる。
Further, since the same first processing liquid is used for draining the first processing liquid on the substrate, as compared with the conventional case where liquid is drained by discharging gas from an air knife. Te, never the main surface of the substrate is partially dried, the occurrence of unevenness by partial drying of the substrate main surface is Ru is prevented
In, it no can take unevenness affect the final product
If the final product is a liquid crystal display,
Can be prevented from appearing .

【0053】上記請求項記載の発明によれば、循環手
段によって第1処理液供給手段から基板に供給され、回
収された第1処理液が第1処理液供給手段から再度基板
に循環供給されるため、第1処理液の使用量を節減する
ことができる。
According to the fourth aspect of the invention, the first processing liquid is supplied from the first processing liquid supply means to the substrate by the circulation means, and the recovered first processing liquid is circulated and supplied again from the first processing liquid supply means to the substrate. Therefore, the amount of the first processing liquid used can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係る基板処理装置の一実施形態を示す
説明図である。
FIG. 1 is an explanatory diagram showing an embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention.

【図2】仕切壁の開口部に設けられたリキッドナイフの
一実施形態を示す一部切欠き斜視図である。
FIG. 2 is a partially cutaway perspective view showing an embodiment of a liquid knife provided in an opening of a partition wall.

【図3】図2に示すリキッドナイフの横断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of the liquid knife shown in FIG.

【図4】基板処理装置の制御系の一実施形態を示すブロ
ック図である。
FIG. 4 is a block diagram showing an embodiment of a control system of the substrate processing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板処理装置 11 処理槽 12 基板処理室 13 仕切壁 13a 開口部 13b 支柱 14 ローラ(搬送手段) 2 上手側処理槽 21 上手側散液管 22 液留タンク 23 上手側処理液供給管路 23a 処理液供給ポンプ 23b フィルタ 24 高圧管路 24a 高圧液送ポンプ 3 上手側処理槽 31 下手側散液管 32 液留タンク 33 下手側処理液供給管路 33a 処理液供給ポンプ 33b フィルタ 4 リキッドナイフ 41 ナイフ本体 42 液通路 43 ノズル部 43a 液噴射口 X 上手側処理液 X1 上手側処理液層 Xa 高圧処理液 Y 下手側処理液 Y1 下手側処理液層 1 Substrate processing equipment 11 processing tank 12 Substrate processing room 13 partition walls 13a opening 13b prop 14 rollers (conveying means) 2 Good side processing tank 21 Hand side sprinkler tube 22 Liquid retention tank 23 Good side processing liquid supply line 23a Treatment liquid supply pump 23b filter 24 high pressure pipeline 24a High-pressure liquid feed pump 3 Good side processing tank 31 Lower Dispersion Tube 32 liquid storage tank 33 Lower processing liquid supply line 33a Treatment liquid supply pump 33b filter 4 Liquid knife 41 knife body 42 liquid passage 43 Nozzle part 43a Liquid injection port X Good side processing liquid X1 Good side processing liquid layer Xa High pressure treatment liquid Y Lower processing solution Y1 Lower processing liquid layer

フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI H01L 21/68 H01L 21/30 564Z 569D 21/306 J (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/304 H01L 21/027 H01L 21/306 H01L 21/68 Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 identification code FI H01L 21/68 H01L 21/30 564Z 569D 21/306 J (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/304 H01L 21/027 H01L 21/306 H01L 21/68

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 基板を搬送させつつそれぞれ異なる複数
の処理液を供給して所定の処理を施す基板処理装置にお
いて、 基板の主面に第1処理液を供給する第1処理液供給手段
と、前記第1処理液供給手段から 第1処理液が供給された基
板をほぼ水平姿勢で支持しつつ搬送するとともに、基板
の主面に向かう方向であり、かつ、基板の搬送方向に対
して逆方向に所定の角度で傾いた方向に、第1処理液を
基板の幅方向に亘って噴射して、第1処理液による処理
が施された後の主面に第1処理液の層が形成された基板
の液切りを行う液切り手段と、 液切りされた基板の主面に第1処理液と異なる第2処理
液を供給する第2処理液供給手段と、を有することを特
徴とする基板処理装置。
1. A substrate processing apparatus for supplying a plurality of different processing liquids while carrying a substrate to perform a predetermined processing, and a first processing liquid supply means for supplying a first processing liquid to a main surface of the substrate, The substrate, to which the first processing liquid is supplied from the first processing liquid supply means , is supported while being supported in a substantially horizontal posture and is directed toward the main surface of the substrate, and is in a direction opposite to the transfer direction of the substrate. The first treatment liquid is sprayed over the width direction of the substrate in a direction inclined at a predetermined angle to the treatment with the first treatment liquid.
A liquid removing means for performing a first liquid removing of the substrate layers are formed of the treatment liquid to the main surface after is performed, the second processing liquid that is different from the first treatment liquid to the main surface of the substrate that is drained off the And a second processing liquid supply means for supplying the second processing liquid.
【請求項2】2. 請求項1に記載の基板処理装置においThe substrate processing apparatus according to claim 1.
て、hand, 前記液切り手段は、前記第1処理液供給手段よりも高圧The liquid draining means has a higher pressure than the first processing liquid supply means.
で基板に対して第1処理液を噴射することを特徴とするCharacterized in that the first processing liquid is sprayed onto the substrate by
基板処理装置。Substrate processing equipment.
【請求項3】3. 請求項1又は2に記載の基板処理装置にThe substrate processing apparatus according to claim 1 or 2.
おいて、Be careful 前記第1処理液供給手段による処理液供給中よりも高速Faster than during the supply of the processing liquid by the first processing liquid supply means
で基板を搬送しつつ前記液切り手段により第1処理液をWhile transporting the substrate with the
供給するように構成されていることを特徴とする基板処Substrate processing characterized in that it is configured to supply
理装置。Processing equipment.
【請求項4】 請求項1乃至3のいずれかに記載の基板
処理装置において、 第1処理液供給手段および液切り手段が設けられた第1
処理槽と、 第1処理槽に隣接して配置され、第2処理液供給手段が
設けられた第2処理槽と、 第1処理槽と第2処理槽との間を仕切るとともに、基板
を通過させる開口を有する仕切壁と、 第1処理液供給手段から基板に供給された第1処理液を
回収し、回収した第1処理液を第1処理液供給手段から
基板に供給するように循環する循環手段と、を備えてい
ることを特徴とする基板処理装置。
4. The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, the first processing liquid supplying means and draining means are provided 1
The processing tank and the second processing tank, which is disposed adjacent to the first processing tank and is provided with the second processing liquid supply means, separates the first processing tank and the second processing tank from each other and passes through the substrate. A partition wall having an opening for allowing the first processing liquid to be supplied to the substrate from the first processing liquid supply means is collected, and the collected first processing liquid is circulated so as to be supplied from the first processing liquid supply means to the substrate. A substrate processing apparatus comprising: a circulation unit.
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