JP3444064B2 - 有機金属化学蒸着による銅薄膜形成用有機銅化合物 - Google Patents
有機金属化学蒸着による銅薄膜形成用有機銅化合物Info
- Publication number
- JP3444064B2 JP3444064B2 JP31081495A JP31081495A JP3444064B2 JP 3444064 B2 JP3444064 B2 JP 3444064B2 JP 31081495 A JP31081495 A JP 31081495A JP 31081495 A JP31081495 A JP 31081495A JP 3444064 B2 JP3444064 B2 JP 3444064B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper
- thin film
- forming
- compound
- copper thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は有機金属化学蒸着に
よる銅薄膜形成用有機銅化合物に係り、特に、半導体装
置のコンタクト及び配線等の銅薄膜を有機金属化学蒸着
法（MetalorganicChemical Vapor Deposition：以下
「ＭＯＣＶＤ法」と称す。）により形成するに際して、
蒸着原料として用いるのに適した有機銅化合物に関す
る。
よる銅薄膜形成用有機銅化合物に係り、特に、半導体装
置のコンタクト及び配線等の銅薄膜を有機金属化学蒸着
法（MetalorganicChemical Vapor Deposition：以下
「ＭＯＣＶＤ法」と称す。）により形成するに際して、
蒸着原料として用いるのに適した有機銅化合物に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置のコンタクト及び配線
等の各種銅薄膜をＭＯＣＶＤ法により形成するに際して
用いられる蒸着原料としては後掲の構造式(II)で表され
る（ビニルトリメチルシラン）（１，１，１，５，５，
５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタンジオナト）銅
(I) や、（プロピルトリメチルシラン）（１，１，１，
５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタンジオナ
ト）銅(I) から成る有機銅化合物が用いられていること
は良く知られるところである。
等の各種銅薄膜をＭＯＣＶＤ法により形成するに際して
用いられる蒸着原料としては後掲の構造式(II)で表され
る（ビニルトリメチルシラン）（１，１，１，５，５，
５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタンジオナト）銅
(I) や、（プロピルトリメチルシラン）（１，１，１，
５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタンジオナ
ト）銅(I) から成る有機銅化合物が用いられていること
は良く知られるところである。
【０００３】このような蒸着原料を用いてＭＯＣＶＤ法
により銅薄膜を形成するには、例えば、図１の概略説明
図に示す如く、反応炉７内に設けたヒーター６上に基板
５を置き、一方、この反応炉７と連接して設けた加熱炉
３内で、気化容器２内の上記有機銅化合物からなる蒸着
原料１を気化させ、得られた蒸気を配管４から導入され
るＡｒ等のキャリアガスで反応炉７内に送給して拡散さ
せ、加熱基板５上に銅を析出させる。なお、図中、８は
真空引配管である。この方法は熱分解型ＭＯＣＶＤ法と
称される。
により銅薄膜を形成するには、例えば、図１の概略説明
図に示す如く、反応炉７内に設けたヒーター６上に基板
５を置き、一方、この反応炉７と連接して設けた加熱炉
３内で、気化容器２内の上記有機銅化合物からなる蒸着
原料１を気化させ、得られた蒸気を配管４から導入され
るＡｒ等のキャリアガスで反応炉７内に送給して拡散さ
せ、加熱基板５上に銅を析出させる。なお、図中、８は
真空引配管である。この方法は熱分解型ＭＯＣＶＤ法と
称される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、銅薄膜
蒸着原料として知られる上記従来の銅(I) 錯体からなる
有機銅化合物は、一般に酸素に対して極めて敏感であ
り、当該化合物の合成時に残存する酸素や各種物性測定
時や保存時に混入する酸素で容易に酸化される。そし
て、銅(I) 錯体の酸化により、系内の溶存酸素量に応じ
て、当該銅(I) 錯体とは蒸気圧の異なる２価の銅(II)錯
体や不揮発性の固体物が生成することで、熱分解性が悪
くなり、気化特性が低下するという欠点があった。
蒸着原料として知られる上記従来の銅(I) 錯体からなる
有機銅化合物は、一般に酸素に対して極めて敏感であ
り、当該化合物の合成時に残存する酸素や各種物性測定
時や保存時に混入する酸素で容易に酸化される。そし
て、銅(I) 錯体の酸化により、系内の溶存酸素量に応じ
て、当該銅(I) 錯体とは蒸気圧の異なる２価の銅(II)錯
体や不揮発性の固体物が生成することで、熱分解性が悪
くなり、気化特性が低下するという欠点があった。
【０００５】本発明は上記従来の問題点を解決し、酸化
による気化特性劣化の問題のない銅薄膜形成用有機銅化
合物を提供することを目的とする。
による気化特性劣化の問題のない銅薄膜形成用有機銅化
合物を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の有機金属化学蒸
着による銅薄膜形成用有機銅化合物は、下記一般式(I)
で表される有機金属化学蒸着による銅薄膜形成用有機銅
化合物において、化合物中の溶存酸素量が０．２ｐｐｍ
未満であることを特徴とする。
着による銅薄膜形成用有機銅化合物は、下記一般式(I)
で表される有機金属化学蒸着による銅薄膜形成用有機銅
化合物において、化合物中の溶存酸素量が０．２ｐｐｍ
未満であることを特徴とする。
【０００７】
【化８】
【０００８】（上記(I) 式中、Ｒ1 ，Ｒ2 は、各々独立
して、水素、炭素数１〜８の直鎖又は分岐状アルキル
基、炭素数１〜４のアルキルシリル基、或いは、フェニ
ル基を示し、Ｒ3 は水素或いは炭素数１〜８の直鎖又は
分岐状アルキル基を示し、Ｒ4 ，Ｒ5 ，Ｒ6 は、各々独
立して、水素、炭素数１〜８の直鎖又は分岐状アルキル
基、炭素数１〜４のアルキルシリル基、或いは、フェニ
ル基を示し、Ｒ7 ，Ｒ8 は、各々独立して、炭素数１〜
８の直鎖又は分岐状アルキル基、或いは、炭素数１〜８
のペルフルオロアルキル基を示し、ｎ１は０，１又は２
で、ｎ２は０又は１であり、＊は二重結合又は三重結合
を示す。ただし、＊が三重結合を示す場合、Ｒ1 及びＲ
2 のいずれか一方は除外される。） かかる本発明の有機金属化学蒸着による銅薄膜形成用有
機銅化合物は、溶存酸素量が０．２ｐｐｍ未満と著しく
少ないため、銅(I) 錯体の酸化により銅(II)錯体や不揮
発性の固体物が生成することは殆どなく、気化特性の低
下の問題は解消される。
して、水素、炭素数１〜８の直鎖又は分岐状アルキル
基、炭素数１〜４のアルキルシリル基、或いは、フェニ
ル基を示し、Ｒ3 は水素或いは炭素数１〜８の直鎖又は
分岐状アルキル基を示し、Ｒ4 ，Ｒ5 ，Ｒ6 は、各々独
立して、水素、炭素数１〜８の直鎖又は分岐状アルキル
基、炭素数１〜４のアルキルシリル基、或いは、フェニ
ル基を示し、Ｒ7 ，Ｒ8 は、各々独立して、炭素数１〜
８の直鎖又は分岐状アルキル基、或いは、炭素数１〜８
のペルフルオロアルキル基を示し、ｎ１は０，１又は２
で、ｎ２は０又は１であり、＊は二重結合又は三重結合
を示す。ただし、＊が三重結合を示す場合、Ｒ1 及びＲ
2 のいずれか一方は除外される。） かかる本発明の有機金属化学蒸着による銅薄膜形成用有
機銅化合物は、溶存酸素量が０．２ｐｐｍ未満と著しく
少ないため、銅(I) 錯体の酸化により銅(II)錯体や不揮
発性の固体物が生成することは殆どなく、気化特性の低
下の問題は解消される。
【０００９】このような本発明の銅薄膜形成用有機銅化
合物としては、具体的には、次の構造式(II)〜(VII) で
表される銅(I) 錯体が挙げられる。
合物としては、具体的には、次の構造式(II)〜(VII) で
表される銅(I) 錯体が挙げられる。
【００１０】
【化９】
【００１１】
【化１０】
【００１２】
【化１１】
【００１３】
【化１２】
【００１４】
【化１３】
【００１５】
【化１４】
【００１６】
【発明の実施の形態】以下に本発明を詳細に説明する。
【００１７】本発明の有機金属化学蒸着による銅薄膜形
成用有機銅化合物は、溶存酸素量が０．２ｐｐｍ未満、
好ましくは、０．１ｐｐｍ以下の、極低溶存酸素量のも
のである。銅薄膜形成用有機銅化合物の溶存酸素量が
０．２ｐｐｍ以上であると銅(I) 錯体の酸化により銅(I
I)錯体や不揮発性の固体物が生成し、熱分解特性及び気
化特性が悪化する。
成用有機銅化合物は、溶存酸素量が０．２ｐｐｍ未満、
好ましくは、０．１ｐｐｍ以下の、極低溶存酸素量のも
のである。銅薄膜形成用有機銅化合物の溶存酸素量が
０．２ｐｐｍ以上であると銅(I) 錯体の酸化により銅(I
I)錯体や不揮発性の固体物が生成し、熱分解特性及び気
化特性が悪化する。
【００１８】このような極低酸素量の銅薄膜形成用有機
銅化合物を得るには、合成後の銅薄膜形成用有機銅化合
物を真空脱気処理するなどして脱酸素を行えば良い。
銅化合物を得るには、合成後の銅薄膜形成用有機銅化合
物を真空脱気処理するなどして脱酸素を行えば良い。
【００１９】なお、本発明の有機金属化学蒸着による銅
薄膜形成用有機銅化合物は、前記一般式(I) で表される
銅(I) 錯体よりなるものであるが、具体的には、前記構
造式(II)で表される（ビニルトリメチルシラン）（１，
１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタ
ンジオナト）銅(I) 、前記構造式(III) で表される（ブ
テニルトリメチルシラン）（１，１，１，５，５，５−
ヘキサフルオロ−２，４−ペンタンジオナト）銅(I) 、
前記構造式(IV)で表される（ビストリメチルシリルエテ
ン）（１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，
４−ペンタンジオナト）銅(I) 、前記構造式(V) で表さ
れる（プロペニルトリメチルシラン）（１，１，１，
５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタンジオナ
ト）銅(I)、前記構造式(VI)で表される（トリメチルプ
ロペニルジメチルエチルシラン）（１，１，１，５，
５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタンジオナト）
銅(I)、前記構造式(VII) で表される（トリメチルシリ
ルアセチレン）（１，１，１，５，５，５−ヘキサフル
オロ−２，４−ペンタンジオナト）銅(I) が挙げられ
る。
薄膜形成用有機銅化合物は、前記一般式(I) で表される
銅(I) 錯体よりなるものであるが、具体的には、前記構
造式(II)で表される（ビニルトリメチルシラン）（１，
１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタ
ンジオナト）銅(I) 、前記構造式(III) で表される（ブ
テニルトリメチルシラン）（１，１，１，５，５，５−
ヘキサフルオロ−２，４−ペンタンジオナト）銅(I) 、
前記構造式(IV)で表される（ビストリメチルシリルエテ
ン）（１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，
４−ペンタンジオナト）銅(I) 、前記構造式(V) で表さ
れる（プロペニルトリメチルシラン）（１，１，１，
５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタンジオナ
ト）銅(I)、前記構造式(VI)で表される（トリメチルプ
ロペニルジメチルエチルシラン）（１，１，１，５，
５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタンジオナト）
銅(I)、前記構造式(VII) で表される（トリメチルシリ
ルアセチレン）（１，１，１，５，５，５−ヘキサフル
オロ−２，４−ペンタンジオナト）銅(I) が挙げられ
る。
【００２０】このような本発明の有機銅化合物は、従来
の有機銅化合物と同様の操作で熱分解型ＭＯＣＶＤ法等
のＭＯＣＶＤ法による銅薄膜蒸着原料として用いること
ができる。
の有機銅化合物と同様の操作で熱分解型ＭＯＣＶＤ法等
のＭＯＣＶＤ法による銅薄膜蒸着原料として用いること
ができる。
【００２１】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をより具体的に
説明する。
説明する。
【００２２】実施例１
前記構造式(II)で表される銅(I) 錯体を合成し、次の
〜の処置を施し、溶存酸素量の異なる４種類のサンプ
ルを用意した。なお、各サンプルの溶存酸素量は、市販
の蛍光式酸素センサを用いた液体用溶存酸素測定計を用
い、一定量のサンプルの液面から内部にセンサ部を浸沈
させる方式により行なった。
〜の処置を施し、溶存酸素量の異なる４種類のサンプ
ルを用意した。なお、各サンプルの溶存酸素量は、市販
の蛍光式酸素センサを用いた液体用溶存酸素測定計を用
い、一定量のサンプルの液面から内部にセンサ部を浸沈
させる方式により行なった。
【００２３】 合成後、直ちに液体窒素温度まで冷却
し、減圧下（１０-2ｔｏｒｒ）真空脱気を行う操作を５
回繰り返し、更にアルゴンガス（純度９９．９９９％）
でバブリング（流量は５０ｍｌ／分で一定）を５分間行
った後、３時間放置したもの。このものの溶存酸素量は
０．０５ｐｐｍであった。
し、減圧下（１０-2ｔｏｒｒ）真空脱気を行う操作を５
回繰り返し、更にアルゴンガス（純度９９．９９９％）
でバブリング（流量は５０ｍｌ／分で一定）を５分間行
った後、３時間放置したもの。このものの溶存酸素量は
０．０５ｐｐｍであった。
【００２４】 合成後、直ちに液体窒素温度まで冷却
し、減圧下（１０-2ｔｏｒｒ）真空脱気を行う操作を１
０回繰り返し、更にアルゴンガス（純度９９．９９９
％）でバブリング（流量は５０ｍｌ／分で一定）を３０
分間行った後、２４時間放置したもの。このものの溶存
酸素量は０．１ｐｐｍであった。
し、減圧下（１０-2ｔｏｒｒ）真空脱気を行う操作を１
０回繰り返し、更にアルゴンガス（純度９９．９９９
％）でバブリング（流量は５０ｍｌ／分で一定）を３０
分間行った後、２４時間放置したもの。このものの溶存
酸素量は０．１ｐｐｍであった。
【００２５】 合成後４８時間放置したもの。このも
のの溶存酸素量は０．２ｐｐｍであった。
のの溶存酸素量は０．２ｐｐｍであった。
【００２６】 合成後、７２時間放置したもの。この
ものの溶存酸素量は０．４ｐｐｍであった。
ものの溶存酸素量は０．４ｐｐｍであった。
【００２７】各サンプルについて、熱天秤による熱重量
減少をみることで気化特性を調べた。即ち、アルゴン気
流下、５℃／分の一定速度で室温より５００℃に昇温し
た際の重量減少を調べ、結果を図２（ａ）〜（ｄ）に示
した。
減少をみることで気化特性を調べた。即ち、アルゴン気
流下、５℃／分の一定速度で室温より５００℃に昇温し
た際の重量減少を調べ、結果を図２（ａ）〜（ｄ）に示
した。
【００２８】実施例２
前記構造式(III) で表される銅(I) 錯体を合成し、実施
例１と同様にして４種類のサンプルを用意し、同様に熱
重量減少分析で気化特性を調べ、結果を図３（ａ）〜
（ｄ）に示した。
例１と同様にして４種類のサンプルを用意し、同様に熱
重量減少分析で気化特性を調べ、結果を図３（ａ）〜
（ｄ）に示した。
【００２９】実施例３
前記構造式(IV)で表される銅(I) 錯体を合成し、実施例
１と同様にして４種類のサンプルを用意し、同様に熱重
量減少分析で気化特性を調べ、結果を図４（ａ）〜
（ｄ）に示した。
１と同様にして４種類のサンプルを用意し、同様に熱重
量減少分析で気化特性を調べ、結果を図４（ａ）〜
（ｄ）に示した。
【００３０】実施例４
前記構造式(V) で表される銅(I) 錯体を合成し、実施例
１と同様にして４種類のサンプルを用意し、同様に熱重
量減少分析で気化特性を調べ、結果を図５（ａ）〜
（ｄ）に示した。
１と同様にして４種類のサンプルを用意し、同様に熱重
量減少分析で気化特性を調べ、結果を図５（ａ）〜
（ｄ）に示した。
【００３１】実施例５
前記構造式(VI)で表される銅(I) 錯体を合成し、実施例
１と同様にして４種類のサンプルを用意し、同様に熱重
量減少分析で気化特性を調べ、結果を図６（ａ）〜
（ｄ）に示した。
１と同様にして４種類のサンプルを用意し、同様に熱重
量減少分析で気化特性を調べ、結果を図６（ａ）〜
（ｄ）に示した。
【００３２】実施例６
前記構造式(VII) で表される銅(I) 錯体を合成し、実施
例１と同様にして４種類のサンプルを用意し、同様に熱
重量減少分析で気化特性を調べ、結果を図７（ａ）〜
（ｄ）に示した。
例１と同様にして４種類のサンプルを用意し、同様に熱
重量減少分析で気化特性を調べ、結果を図７（ａ）〜
（ｄ）に示した。
【００３３】図２〜７より、溶存酸素量が０．２ｐｐｍ
未満のものであれば、１５０〜２００℃程度の低温で速
やかに完全気化し、揮発性、熱分解性、気化時の熱安定
性に劣る従来の銅(I) 錯体を安定化させ、気化特性を改
善することができることがわかる。
未満のものであれば、１５０〜２００℃程度の低温で速
やかに完全気化し、揮発性、熱分解性、気化時の熱安定
性に劣る従来の銅(I) 錯体を安定化させ、気化特性を改
善することができることがわかる。
【００３４】これに対して、溶存酸素量が０．２ｐｐｍ
以上のものでは、気化終了後、約２０〜３０％程度の非
分解残留物が生成している。
以上のものでは、気化終了後、約２０〜３０％程度の非
分解残留物が生成している。
【００３５】なお、実施例１〜６において、前記，
の処理を施したものについて、各々、各サンプルを１ケ
月保存し、その後、熱重量減少分析で気化特性を調べた
ところ、いずれも保存前と同様の結果が得られ、気化安
定性のみならず、保存安定性も著しく良好であることが
確認された。
の処理を施したものについて、各々、各サンプルを１ケ
月保存し、その後、熱重量減少分析で気化特性を調べた
ところ、いずれも保存前と同様の結果が得られ、気化安
定性のみならず、保存安定性も著しく良好であることが
確認された。
【００３６】また、実施例１において、前記のサンプ
ル中に生成していた不揮発性の黄色固体析出物について
熱重量減少分析を行ったところ、図８に示す如く、５０
０℃の高温でも分解しないものであることが確認され
た。
ル中に生成していた不揮発性の黄色固体析出物について
熱重量減少分析を行ったところ、図８に示す如く、５０
０℃の高温でも分解しないものであることが確認され
た。
【００３７】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の有機金属化
学蒸着による銅薄膜形成用有機銅化合物によれば、熱分
解性が良く気化特性に優れ、保存安定性も良好な銅薄膜
形成用有機銅化合物が提供される。
学蒸着による銅薄膜形成用有機銅化合物によれば、熱分
解性が良く気化特性に優れ、保存安定性も良好な銅薄膜
形成用有機銅化合物が提供される。
【図１】熱分解型ＭＯＣＶＤ法を説明する装置の概略断
面図である。
面図である。
【図２】実施例１における熱重量減少分析の結果を示す
グラフである。
グラフである。
【図３】実施例２における熱重量減少分析の結果を示す
グラフである。
グラフである。
【図４】実施例３における熱重量減少分析の結果を示す
グラフである。
グラフである。
【図５】実施例４における熱重量減少分析の結果を示す
グラフである。
グラフである。
【図６】実施例５における熱重量減少分析の結果を示す
グラフである。
グラフである。
【図７】実施例６における熱重量減少分析の結果を示す
グラフである。
グラフである。
【図８】不揮発性の黄色固体析出物の熱重量減少分析の
結果を示すグラフである。
結果を示すグラフである。
１ 蒸着原料
２ 気化容器
３ 加熱炉
４ キャリアガス導入配管
５ 基板
６ ヒーター
７ 反応炉
８ 真空引配管
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平５−59551（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−70162（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−70163（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−215982（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−252266（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C07F 7/08
C23C 16/18
H01L 21/285 301
H01L 21/3205
ＣＡ（ＳＴＮ)
ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (7)
- 【請求項１】 下記一般式(I) で表される有機金属化学
蒸着による銅薄膜形成用有機銅化合物において、化合物
中の溶存酸素量が０．２ｐｐｍ未満であることを特徴と
する有機金属化学蒸着による銅薄膜形成用有機銅化合
物。 【化１】 （上記(I) 式中、Ｒ1 ，Ｒ2 は、各々独立して、水素、
炭素数１〜８の直鎖又は分岐状アルキル基、炭素数１〜
４のアルキルシリル基、或いは、フェニル基を示し、Ｒ
3 は水素或いは炭素数１〜８の直鎖又は分岐状アルキル
基を示し、Ｒ4 ，Ｒ5 ，Ｒ6 は、各々独立して、水素、
炭素数１〜８の直鎖又は分岐状アルキル基、炭素数１〜
４のアルキルシリル基、或いは、フェニル基を示し、Ｒ
7 ，Ｒ8 は、各々独立して、炭素数１〜８の直鎖又は分
岐状アルキル基、或いは、炭素数１〜８のペルフルオロ
アルキル基を示し、ｎ１は０，１又は２で、ｎ２は０又
は１であり、＊は二重結合又は三重結合を示す。ただ
し、＊が三重結合を示す場合、Ｒ1 及びＲ2 のいずれか
一方は除外される。） - 【請求項２】 請求項１において、銅薄膜形成用有機銅
化合物が下記構造式(II)で表される化合物であることを
特徴とする有機金属化学蒸着による銅薄膜形成用有機銅
化合物。 【化２】 - 【請求項３】 請求項１において、銅薄膜形成用有機銅
化合物が下記構造式(III) で表される化合物であること
を特徴とする有機金属化学蒸着による銅薄膜形成用有機
銅化合物。 【化３】 - 【請求項４】 請求項１において、銅薄膜形成用有機銅
化合物が下記構造式(IV)で表される化合物であることを
特徴とする有機金属化学蒸着による銅薄膜形成用有機銅
化合物。 【化４】 - 【請求項５】 請求項１において、銅薄膜形成用有機銅
化合物が下記構造式(V) で表される化合物であることを
特徴とする有機金属化学蒸着による銅薄膜形成用有機銅
化合物。 【化５】 - 【請求項６】 請求項１において、銅薄膜形成用有機銅
化合物が下記構造式(VI)で表される化合物であることを
特徴とする有機金属化学蒸着による銅薄膜形成用有機銅
化合物。 【化６】 - 【請求項７】 請求項１において、銅薄膜形成用有機銅
化合物が下記構造式(VII) で表される化合物であること
を特徴とする有機金属化学蒸着による銅薄膜形成用有機
銅化合物。 【化７】
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31081495A JP3444064B2 (ja) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | 有機金属化学蒸着による銅薄膜形成用有機銅化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31081495A JP3444064B2 (ja) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | 有機金属化学蒸着による銅薄膜形成用有機銅化合物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09151189A JPH09151189A (ja) | 1997-06-10 |
| JP3444064B2 true JP3444064B2 (ja) | 2003-09-08 |
Family
ID=18009742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31081495A Expired - Fee Related JP3444064B2 (ja) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | 有機金属化学蒸着による銅薄膜形成用有機銅化合物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3444064B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002105639A (ja) * | 2000-09-25 | 2002-04-10 | L'air Liquide | Ｍｏｃｖｄ処理用の銅原料液及びその製造方法 |
| JP4622098B2 (ja) * | 2000-12-25 | 2011-02-02 | 東ソー株式会社 | 安定化された珪素含有アルケン銅錯体及びその製造方法 |
| JP4529434B2 (ja) * | 2003-12-11 | 2010-08-25 | 東ソー株式会社 | 多置換ビニルシラン化合物を含んで成る銅錯体及び銅錯体組成物 |
-
1995
- 1995-11-29 JP JP31081495A patent/JP3444064B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09151189A (ja) | 1997-06-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5085731A (en) | Volatile liquid precursors for the chemical vapor deposition of copper | |
| US5144049A (en) | Volatile liquid precursors for the chemical vapor deposition of copper | |
| US5372849A (en) | Chemical vapor deposition of iron, ruthenium, and osmium | |
| KR940005327B1 (ko) | 구리의 화학적 증착 방법 | |
| EP0533070B1 (en) | Volatile precursors for copper CVD | |
| US6184403B1 (en) | MOCVD precursors based on organometalloid ligands | |
| Pinkas et al. | Mechanistic Role of H2O and the Ligand in the Chemical Vapor Deposition of Cu, Cu2O, CuO, and Cu3N from Bis (1, 1, 1, 5, 5, 5-hexafluoropentane-2, 4-dionato) copper (II) | |
| US6099903A (en) | MOCVD processes using precursors based on organometalloid ligands | |
| Baum et al. | Chemical vapor deposited copper from alkyne stabilized copper (I) hexafluoroacetylacetonate complexes | |
| Jain et al. | Chemical vapor deposition of copper from (hfac) CuL (L= VTMS and 2-butyne) in the presence of water, methanol, and dimethyl ether | |
| JP3444064B2 (ja) | 有機金属化学蒸着による銅薄膜形成用有機銅化合物 | |
| US6130345A (en) | Copper (1) precursors for chemical deposit in gas phase of metallic copper | |
| JP4771516B2 (ja) | 化学気相成長材料及び化学気相成長方法 | |
| US6340768B1 (en) | MOCVD precursors based on organometalloid ligands | |
| KR20000013302A (ko) | 화학 증착법을 위한 유기 구리 전구체 | |
| EP0989133A2 (en) | Solution of copper compound for the copper film deposition from chemical vapor deposition and the method of synthesis | |
| US6656255B2 (en) | Copper source liquid for MOCVD processes and method for the preparation thereof | |
| US6281377B1 (en) | Substituted cycloalkene new copper precursors for chemical vapor deposition of copper metal thin films | |
| KR100648786B1 (ko) | 화학 기상 성장용 구리 원료 및 이것을 이용한 박막의제조방법 | |
| Doppelt et al. | Use of single-source, mixed-metal precursors for chemical vapor deposition of Cu-Sn alloys | |
| JP4512248B2 (ja) | ビス（アルキルシクロペンタジエニル）ルテニウムの製造方法及びその方法により製造されるビス（アルキルシクロペンタジエニル）ルテニウム並びにルテニウム薄膜又はルテニウム化合物薄膜の化学気相蒸着方法 | |
| US5348631A (en) | Method and apparatus for synthesizing lead β-diketonates | |
| JP2757762B2 (ja) | 蒸気圧の高い有機金属化学蒸着による銀薄膜形成用有機銀化合物 | |
| JPH0730451B2 (ja) | アルミニウム層の化学気相成長方法 | |
| JP3284689B2 (ja) | 蒸気圧の高い有機金属化学蒸着による銅薄膜形成用有機銅化合物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20030527 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080627 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090627 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |