JP3447553B2 - Semiconductor package - Google Patents
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は複数の半導体チップ
をパッケージ内部に有する半導体パッケージに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor package having a plurality of semiconductor chips inside the package.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体素子は、通常、シリコンウェハー
からチップを製造した後、各チップをエポキシ樹脂等で
パッケージして電子部品として使用するが、電子部品の
小型化や趨勢に伴い半導体素子の高集積化が進められて
きており、パッケージ自体の小型化と、1つのパッケー
ジに複数のチップを包装する試みとが行われている。2. Description of the Related Art Generally, semiconductor elements are manufactured as chips from a silicon wafer and then used as electronic parts by packaging each chip with epoxy resin or the like. Integration has been promoted, and attempts have been made to reduce the size of the package itself and package a plurality of chips in one package.
【0003】図6は、従来のパッケージ構造の1つであ
るスタックドパッケージである。このパッケージにおい
ては、上部チップ61と下部チップ62とを上下に配置
している。上部チップ61および下部チップ62は、そ
れぞれワイヤーボンディング63によって図示しないチ
ップパッド(入出力端子)からデバイスピン64に接続
されている。構造全体は、エホキシ樹脂等のモルディン
グコンパウンドで覆われている。FIG. 6 shows a stacked package which is one of conventional package structures. In this package, an upper chip 61 and a lower chip 62 are arranged vertically. The upper chip 61 and the lower chip 62 are connected to the device pins 64 from chip pads (input / output terminals) (not shown) by wire bonding 63. The entire structure is covered with a molding compound such as epoxy resin.
【0004】このような構造のパッケージの場合、個々
の半導体チップをテストすることが非常に困難である。
例えば、従来のスタックドパッケージの構成例として、
上部チップがマイクロコンピュータチップ、下部チップ
がメモリーチップで構成されている場合がある。上記の
場合には、個々の半導体チップをテストする方法とし
て、2つの半導体チップの全てのデバイスピンを、半導
体パッケージのデバイスピンに出力することで個々の半
導体チップのテストを可能にする第1のテスト方法があ
る。In the case of a package having such a structure, it is very difficult to test individual semiconductor chips.
For example, as a configuration example of a conventional stacked package,
In some cases, the upper chip is a microcomputer chip and the lower chip is a memory chip. In the above case, as a method of testing the individual semiconductor chips, the first semiconductor chip test is enabled by outputting all the device pins of the two semiconductor chips to the device pins of the semiconductor package. There is a test method.
【0005】また、例えば上部マイクロコンピュータチ
ップの1つの出力端子と下部メモリーチップの1つの入
力端子がシステム構成の仕様上共通のデバイスピンにワ
イヤーボンディングされている場合があるが、この場
合、パッケージング後の出荷テストにおいて、システム
全体の基本動作のみのテストしかできず個々のチップの
テストが不可能である。そのため、これを回避するため
にそれぞれのチップに複雑なテスト回路を組み込み個々
に分離することでテスト可能とする第2のテスト方法が
ある。In some cases, for example, one output terminal of the upper microcomputer chip and one input terminal of the lower memory chip are wire-bonded to a common device pin according to the system configuration specifications. In this case, packaging is performed. In the subsequent shipping test, only the basic operation of the entire system can be tested and individual chips cannot be tested. Therefore, in order to avoid this, there is a second test method that makes it possible to test by incorporating a complicated test circuit in each chip and separating each individually.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の第1の
テスト方法では、半導体チップの全ての入出力端子をパ
ッケージのデバイスピンに出力するため、パッケージに
設けるデバイスピン数の増加につながることとなってい
た。However, in the first test method described above, all the input / output terminals of the semiconductor chip are output to the device pins of the package, which leads to an increase in the number of device pins provided in the package. Was becoming.
【0007】また、第2のテスト方法では、複雑なテス
ト回路の追加によって、デバイスピン数の削減や、品質
の低下を防ぐことは可能であるがチップサイズが増大す
る等の様々な問題が生じていた。Further, in the second test method, it is possible to reduce the number of device pins and prevent deterioration of quality by adding a complicated test circuit, but various problems such as an increase in chip size occur. Was there.
【0008】また、上部チップと下部チップの組み合わ
せがメモリーチップ同士のスタックドパッケージの場
合、各チップのそれぞれのバッファを一括して不動作状
態にするために、全てのバッファの構成を換え個々の半
導体チップのテストを可能としているが、この場合もチ
ップサイズが増大するという問題を生じていた。Further, when the combination of the upper chip and the lower chip is a stacked package of memory chips, in order to collectively make the respective buffers of the respective chips inoperative, the configurations of all the buffers are changed. Although it is possible to test a semiconductor chip, this also causes a problem of increasing the chip size.
【0009】また、システム全体としてテストを行う従
来の場合には、システムとしての全テストパターンを行
う必要があり、また期待値を新たに用意する必要があ
り、開発コストの上昇、テストコスト上昇となってい
た。Further, in the conventional case where a test is performed on the entire system, it is necessary to perform all the test patterns for the system, and it is necessary to newly prepare an expected value, resulting in an increase in development cost and an increase in test cost. Was becoming.
【0010】本発明は、前記の問題点を解消するために
なされたものであって、複数の半導体チップを備える半
導体パッケージであって、デバイスピン数の増加や複雑
なテスト回路の追加なしで個々の半導体チップのテスト
を可能とする半導体パッケージを提供する事を目的とす
る。The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and is a semiconductor package including a plurality of semiconductor chips, which can be manufactured individually without increasing the number of device pins or adding a complicated test circuit. It is an object of the present invention to provide a semiconductor package that enables the testing of the semiconductor chip.
【0011】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するため、次の構成を有する。第1の発明は、共通
のデバイスピンに接続する2以上の半導体チップを有す
る半導体パッケージであって、デバイスピンに印加され
た制御信号に基づき前記デバイスピンと内部回路間の導
通と非導通を制御可能とするバッファ部を有する半導体
パッケージである。The present invention has the following constitution in order to achieve the above object. A first invention is a semiconductor package having two or more semiconductor chips connected to a common device pin, wherein conduction and non-conduction between the device pin and an internal circuit can be controlled based on a control signal applied to the device pin. Is a semiconductor package having a buffer section.
【0012】第2の発明は、共通のデバイスピンに接続
する2以上の半導体チップを有する半導体パッケージで
あって、デバイスピンに印加された制御信号に基づき入
出力端子と内部回路間の導通と非導通を制御可能とする
バッファと、テスト用スイッチとリセット用スイッチに
接続する制御信号保持部とを備えた切り離し回路を、入
力出端子と内部回路との間に設け、テスト用スイッチを
ONし、リセットスイッチをOFFすることでいずれか
のバッファを導通とし、テスト用スイッチをOFFし、
リセットスイッチをONすることで全バッファが導通す
ることとなる半導体パッケージである。A second aspect of the present invention, common to a semiconductor package having two or more semiconductor chips to be connected to the device pins, conduction between the input and output terminals and the internal circuit based on a control signal applied to the device pins and non A disconnection circuit having a buffer capable of controlling conduction and a control signal holding unit connected to the test switch and the reset switch is provided between the input / output terminal and the internal circuit, and the test switch is turned ON, Turn off the reset switch to make one of the buffers conductive, turn off the test switch,
This is a semiconductor package in which all the buffers are turned on by turning on the reset switch.
【0013】第3の発明は、切り離し回路を内蔵した半
導体チップを積層して設けたことを特徴とする第2の発
明に記載の半導体パッケージである。A third invention, the second origination, characterized in that provided by stacking semiconductor chips having a built-in decoupling circuits
It is a semiconductor package according to Akira.
【0014】第4の発明は、リセット用スイッチを第1
導電型トランジスタで構成した半導体チップを一方に積
層し、リセット用スイッチを第2導電型トランジスタで
構成した半導体チップを他方に積層することを特徴とす
る第3の発明に記載の半導体パッケージである。[0014] The fourth aspect of the present invention, first the reset switch
The semiconductor package according to the third aspect of the invention is characterized in that a semiconductor chip formed of a conductivity type transistor is stacked on one side and a reset switch is formed on a semiconductor chip formed of the second conductivity type transistor on the other side.
【0015】第1の発明によれば、制御信号に基づき共
通のデバイスピンに接続される半導体チップを電気的に
切り離すことができる。共通のデバイスピンとの間にバ
ッファを設けない半導体チップとバッファを設けた半導
体チップがある場合には、バッファを非導通とすること
でテストに必要なバッファを設けない半導体チップのみ
のテストが可能となる。共通のデバイスピンと内部回路
間に全てバッファを設けている場合には、テストを行い
たい半導体チップに設けたバッファを導通とし、その他
のバッファを非導通とすることで、1の半導体チップま
たは2以上の半導体チップを選択的に試験することが可
能となる。また、共通のデバイスピンに接続された半導
体チップに設けた全バッファを導通とすることで半導体
パッケージを通常の動作が可能となる。According to the first aspect of the invention, the semiconductor chip connected to the common device pin can be electrically disconnected based on the control signal. If there is a semiconductor chip that does not have a buffer between it and a common device pin or a semiconductor chip that has a buffer, it is possible to test only the semiconductor chip that does not have the buffer required for the test by making the buffer non-conductive. Become. When all the buffers are provided between the common device pin and the internal circuit, the buffer provided in the semiconductor chip to be tested is made conductive, and the other buffers are made non-conductive so that one semiconductor chip or two or more semiconductor chips are provided. It becomes possible to selectively test the semiconductor chips. Further, by making all the buffers provided in the semiconductor chip connected to the common device pin conductive, the semiconductor package can be operated normally.
【0016】これにより半導体パッケージにおいて複雑
なテスト回路を半導体チップ中に組み込むことなく、パ
ッケージ内部の共通のデバイスピンに接続される各半導
体チップを完全分離して個々の半導体チップの性能確
認、故障個所発見等の試験を実施できる。本発明では入
出力端子の外部接続状態を初期設定するルーチンが増え
るだけでテストパターンや期待値はウェハーテストに用
いたものを再利用できる。また、テスト終了時には、本
来の動作を行うため全てのバッファを導通可能であるの
で容易にテスト等が可能となる。As a result, each semiconductor chip connected to the common device pin inside the package is completely separated without incorporating a complicated test circuit in the semiconductor package into the semiconductor chip, and the performance of each individual semiconductor chip is confirmed and the failure point is detected. Tests such as discovery can be carried out. In the present invention, the test patterns and expected values used in the wafer test can be reused only by increasing the routine for initializing the external connection state of the input / output terminals. Further, at the end of the test, all the buffers can be turned on to perform the original operation, so that the test or the like can be easily performed.
【0017】第2の発明によれば、共通のデバイスピン
に接続した半導体チップの入出力端子と内部回路間に切
り離し回路を設けているから、共通のデバイスピンに接
続した各半導体チップを電気的にデバイスピンから切り
離すことが可能となった。共通のデバイスピンと各内部
回路間のいずれかに切り離し回路を設けた場合は、該切
り離し回路のバッファを非導通とすることで、切り離し
回路を設けていない半導体チップのテストを個別にでき
る。共通のデバイスピンと各内部回路間の全てに切り離
し回路を設けている場合には、テストを行いたい半導体
チップに設けた切り離し回路のバッファを導通とし、そ
の他の切り離し回路のバッファを非導通とすることで、
1の半導体チップまたは2以上の半導体チップを選択的
に試験することが可能となる。また、共通のデバイスピ
ンに接続された半導体チップに設けた切り離し回路の全
バッファを導通とすることで、半導体パッケージは通常
の動作が可能となる。According to the second aspect of the invention, since the disconnecting circuit is provided between the input / output terminal of the semiconductor chip connected to the common device pin and the internal circuit, each semiconductor chip connected to the common device pin is electrically connected. It is now possible to disconnect from the device pin. When the disconnection circuit is provided between the common device pin and each internal circuit, the test of the semiconductor chip not provided with the disconnection circuit can be individually performed by setting the buffer of the disconnection circuit to be non-conductive. If a disconnection circuit is provided between the common device pin and each internal circuit, make the buffers of the disconnection circuits provided in the semiconductor chip to be tested conductive and the buffers of other disconnection circuits nonconductive. so,
It is possible to selectively test one semiconductor chip or two or more semiconductor chips. Further, by making all the buffers of the disconnection circuit provided in the semiconductor chip connected to the common device pin conductive, the semiconductor package can operate normally.
【0018】これにより半導体パッケージにおいて複雑
なテスト回路を半導体チップ中に組み込むことなく、パ
ッケージ内部の半導体チップを完全分離して個々の半導
体チップの性能確認、故障個所発見等の試験を実施でき
る。本発明では入出力端子の外部接続状態を初期設定す
るルーチンが増えるだけでテストパターンや期待値はウ
ェハーテストに用いたものを再利用できる。また、テス
ト終了時には、本来の動作を行うため全てのバッファを
導通可能であるので容易にテスト等が可能となる。Thus, without incorporating a complicated test circuit in the semiconductor package, the semiconductor chips inside the package can be completely separated and a test such as performance confirmation of each semiconductor chip and detection of a failure point can be performed. In the present invention, the test patterns and expected values used in the wafer test can be reused only by increasing the routine for initializing the external connection state of the input / output terminals. Further, at the end of the test, all the buffers can be turned on to perform the original operation, so that the test or the like can be easily performed.
【0019】第3の発明によれば、小型化を目的とした
積層した半導体チップに対して有効に性能試験等が可能
となる。According to the third invention, it is possible to effectively perform a performance test or the like on the stacked semiconductor chips for the purpose of downsizing.
【0020】第4の発明によれば、更に切り離し回路の
テスト状態と実動作状態の切り替えを共通のリセット信
号による簡単な回路で行うことができるので、切り離し
回路が小スペースにて構成でき、限られた半導体チップ
スペースにおいて内部回路の有効利用が図れることとな
る。また、積層パッケージにおける個別チップテストの
ための端子数増大を最小限にできる。According to the fourth aspect of the present invention, since the switching between the test state and the actual operating state of the disconnection circuit can be performed by a simple circuit using a common reset signal, the disconnection circuit can be constructed in a small space, and the limit is limited. It is possible to effectively use the internal circuit in the provided semiconductor chip space. Further, it is possible to minimize the increase in the number of terminals for the individual chip test in the stacked package.
【0021】[0021]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態を詳細に説明する。
(第1の実施の形態)図1は、本発明に係る半導体パッ
ケージであるスタックドパッケージ内部の一部を示す斜
視図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. (First Embodiment) FIG. 1 is a perspective view showing a part of the inside of a stacked package which is a semiconductor package according to the present invention.
【0022】スタックドパッケージは、内部回路1Aと
切り離し回路3Aとパッド(入出力端子)4Aを有する
半導体チップ2Aと、同様に内部回路1Bと切り離し回
路3Bとパッド(入出力端子)4Bを形成する半導体チ
ップ2Bを、半導体チップ底面(素子形成面の反対面)
を向き合わせて設け、共通のデバイスピン5と各パッド
4A,4Bをワイヤー8にをよりワイヤーボンディング
で接続し、同様に共通のリセット信号ピン6とテスト信
号ピン7も前記切り離し回路3A,3Bにワイヤ8によ
り接続されている。The stacked package forms a semiconductor chip 2A having an internal circuit 1A, a disconnecting circuit 3A and a pad (input / output terminal) 4A, and similarly, an internal circuit 1B and a disconnecting circuit 3B and a pad (input / output terminal) 4B. Attach the semiconductor chip 2B to the bottom surface of the semiconductor chip (the surface opposite to the element formation surface).
And the common device pin 5 and each pad 4A, 4B are connected to the wire 8 by more wire bonding. Similarly, the common reset signal pin 6 and test signal pin 7 are also connected to the disconnecting circuits 3A, 3B. It is connected by a wire 8.
【0023】図2に切り離し回路3Aを、図3に切り離
し回路3Bの回路図を示す。図2に示す切り離し回路3
Aは、バッファ9Aとテスト信号用スイッチ10とラッ
チ回路12Aとリセット用スイッチ13Aから構成され
ている。2 shows a circuit diagram of the disconnecting circuit 3A, and FIG. 3 shows a circuit diagram of the disconnecting circuit 3B. Detachment circuit 3 shown in FIG.
A includes a buffer 9A, a test signal switch 10, a latch circuit 12A, and a reset switch 13A.
【0024】バッファ9Aは、図4に示すようにラッチ
回路12Aと接続する信号線12Lがローレベル時に動
作状態となる出力バッファ16Aと入力バッファ17A
から構成している。As shown in FIG. 4, the buffer 9A has an output buffer 16A and an input buffer 17A which are activated when the signal line 12L connected to the latch circuit 12A is at a low level.
It consists of.
【0025】テスト信号用スイッチ10は、Nchトラ
ンジスタであり、ゲート端子はテスト信号端子11に接
続され、ドレイン端子がパッド4Aに、ソース端子がラ
ッチ回路12Aに接続されている。テスト信号用スイッ
チ10は、テスト信号端子11に入力されたテスト信号
ピン7からのテスト信号により制御されるスイッチとし
て機能する。The test signal switch 10 is an Nch transistor having a gate terminal connected to the test signal terminal 11, a drain terminal connected to the pad 4A, and a source terminal connected to the latch circuit 12A. The test signal switch 10 functions as a switch controlled by a test signal from the test signal pin 7 input to the test signal terminal 11.
【0026】ラッチ回路12Aは、図4に示すようイン
バータ2個から構成され、制御信号を保持する回路であ
る。ラッチ回路12Aは、信号線12Lの信号レベルを
保持するものであり、テスト用スイッチ10とバッファ
9Aと後述するリセット用スイッチ13Aに接続されて
いる。The latch circuit 12A is a circuit composed of two inverters as shown in FIG. 4, and holds a control signal. The latch circuit 12A holds the signal level of the signal line 12L, and is connected to the test switch 10, the buffer 9A, and a reset switch 13A described later.
【0027】リセット用スイッチ13Aは、Nchトラ
ンジスタである。Nchトランジスタ10のゲート端子
は、リセット信号端子14に接続され、ドレイン端子が
ラッチ回路12Aに、ソース端子が接地されている。リ
セット用スイッチ13Aは、リセット信号端子14に入
力されたリセット信号ピン6からのリセット信号により
制御されるスイッチとして機能する。The reset switch 13A is an Nch transistor. The gate terminal of the Nch transistor 10 is connected to the reset signal terminal 14, the drain terminal is grounded to the latch circuit 12A, and the source terminal is grounded. The reset switch 13A functions as a switch controlled by the reset signal from the reset signal pin 6 input to the reset signal terminal 14.
【0028】切り離し回路3Bは、図3に示すようにバ
ッファ9Bとテスト信号用スイッチ10とラッチ回路1
2Bとリセット用スイッチ13Bとインバータ15から
構成されている。尚、テスト信号用スイッチ10は、切
り離し回路3Aに示したテスト信号用スイッチ10と同
一であるので説明を省略する。バッファ9Bは、図5に
示すように信号線12Lがハイレベル時に動作状態とな
る出力バッファ16Bと入力バッファ17Bから構成し
ている。The disconnecting circuit 3B includes a buffer 9B, a test signal switch 10 and a latch circuit 1 as shown in FIG.
2B, a reset switch 13B, and an inverter 15. Since the test signal switch 10 is the same as the test signal switch 10 shown in the disconnection circuit 3A, its description is omitted. As shown in FIG. 5, the buffer 9B is composed of an output buffer 16B and an input buffer 17B which are in operation when the signal line 12L is at high level.
【0029】リセット用スイッチ13Bは、Pchトラ
ンジスタであり、ゲート端子はインバータ15の出力側
に接続され、ドレインが図示しない電源に接続され、ソ
ース端子がラッチ回路12Bに接続されている。リセッ
ト用スイッチ13Bは、インバータ15からのリセット
信号により制御されるスイッチとして機能するものであ
る。インバータ15は、リセット信号ピン6とワイヤー
8で接続されたリセット信号端子14からのリセット信
号レベルを反転して、Pchトランジスタ13Bのゲー
トに入力する。従って、リセット信号がハイレベルの場
合には、インバータ15を介してローレベルリセット信
号となって、Pchトランジスタであるリセット用スイ
ッチ13Bがオン状態となり、逆にリセット信号がロー
レベルの場合にはインバータ15を介してハイレベルが
Pchトランジスタのゲートに印加されるのでリセット
用スイッチ13Bはオフ状態となる。The reset switch 13B is a Pch transistor having a gate terminal connected to the output side of the inverter 15, a drain connected to a power source (not shown), and a source terminal connected to the latch circuit 12B. The reset switch 13B functions as a switch controlled by a reset signal from the inverter 15. The inverter 15 inverts the reset signal level from the reset signal terminal 14 connected to the reset signal pin 6 by the wire 8 and inputs it to the gate of the Pch transistor 13B. Therefore, when the reset signal is at a high level, it becomes a low level reset signal via the inverter 15, and the reset switch 13B which is a Pch transistor is turned on. On the contrary, when the reset signal is at a low level, the inverter is turned on. Since a high level is applied to the gate of the Pch transistor via 15, the reset switch 13B is turned off.
【0030】尚、本実施の形態では出力バッファ16
A、16B及び入力バッファ17A、17Bの入出力構
成としているが、出力バッファ16A、16Bのみの構
成でも本発明は適用可能である。In the present embodiment, the output buffer 16
Although the input / output configurations of A and 16B and the input buffers 17A and 17B are used, the present invention can be applied to configurations of only the output buffers 16A and 16B.
【0031】(半導体チップ2Aの試験を行う場合)次
に、半導体チップ2Aの試験を行う場合の動作を説明す
る。半導体チップ2Aを試験する場合、まず、リセット
信号ピン6からリセット端子14に入力されるリセット
信号RSをローレベルとし、テスト信号ピン7からテス
ト端子11に入力されるテスト信号TSをハイレベルと
し、更にデバイスピン5からチップパッド4A、チップ
パッド4Bに入力される信号DSをローレベルとして入
力する。このときチップパッド4A、チップパッド4B
から入力された信号DSとバッファ9A、9Bの出力デ
ータの衝突を防ぐためバッファ9A、バッファ9Bは不
動作状態でなければならない。(When Testing Semiconductor Chip 2A) Next, the operation when testing the semiconductor chip 2A will be described. When testing the semiconductor chip 2A, first, the reset signal RS input from the reset signal pin 6 to the reset terminal 14 is set to low level, the test signal TS input to the test terminal 11 from the test signal pin 7 is set to high level, Further, the signal DS input from the device pin 5 to the chip pad 4A and the chip pad 4B is input as a low level. At this time, chip pad 4A and chip pad 4B
The buffer 9A and the buffer 9B must be in an inoperative state in order to prevent a collision between the signal DS input from the buffer 9 and the output data of the buffers 9A and 9B.
【0032】以上の信号を入力することで、テスト用ス
イッチ10はオン状態となり、チップパッド4A、チッ
プパッド4Bに入力されたローレベル信号DSはラッチ
回路12A,12Bに保持される。By inputting the above signals, the test switch 10 is turned on, and the low level signal DS input to the chip pads 4A and 4B is held in the latch circuits 12A and 12B.
【0033】つぎにテスト信号TSをローレベルに遷移
させることによりテスト用スイッチ10はオフ状態とな
る。各ラッチ回路12A,12Bは、ローレベルを保持
した状態となり、出力バッファ16Aはオン状態、出力
バッファ16Bはオフ状態となり半導体チップ2Bが共
通のデバイスピンから切り離され、半導体チップ2Aの
個別の試験が可能となる。Next, the test switch 10 is turned off by shifting the test signal TS to the low level. Each of the latch circuits 12A and 12B is held at a low level, the output buffer 16A is turned on, the output buffer 16B is turned off, the semiconductor chip 2B is separated from the common device pin, and the individual tests of the semiconductor chip 2A are performed. It will be possible.
【0034】(半導体チップ2Bの試験を行う場合)次
に、半導体チップ2Bの試験を行う場合の動作を説明す
る。半導体チップ2Bを試験する場合、まず、リセット
信号RSをローレベルとし、テスト信号TSをハイレベ
ルとし、デバイスピンかたの信号DSをハイレベルとし
てを入力する。尚、信号DSとバッファ9A,9Bの出
力データの衝突を防ぐためバッファ9A、バッファ9B
は不動作状態でなければならない。(When Testing Semiconductor Chip 2B) Next, the operation when testing the semiconductor chip 2B will be described. When testing the semiconductor chip 2B, first, the reset signal RS is set to the low level, the test signal TS is set to the high level, and the signal DS for the device pins is input to the high level. In order to prevent the signal DS from colliding with the output data of the buffers 9A and 9B, the buffers 9A and 9B
Must be inactive.
【0035】これによりテスト用スイッチ10はオン状
態となり、チップパッド4A、チップパッド4Bに入力
されたハイレベル信号DSは各ラッチ回路12A,12
Bに保持される。As a result, the test switch 10 is turned on, and the high level signal DS input to the chip pads 4A and 4B receives the latch circuits 12A and 12A.
Held in B.
【0036】つぎにテスト信号TSをローレベルに遷移
させることによりテスト用スイッチ10はオフ状態とな
る。ラッチ回路12A,12Bはハイレベルを保持した
状態となり、出力バッファ16Aはオフ状態、出力バッ
ファ16Bはオン状態となりチップ1Aが共通のデバイ
スピン5から切り離され、チップ2Aの個別の試験が可
能となる。Next, the test switch 10 is turned off by shifting the test signal TS to the low level. The latch circuits 12A and 12B are kept at a high level, the output buffer 16A is in an off state, the output buffer 16B is in an on state, and the chip 1A is separated from the common device pin 5, so that the chips 2A can be individually tested. .
【0037】(各チップの試験ではなく実動作状態の場
合)次に、各チップの試験ではなく実動作状態の場合に
ついて説明する。実動作の場合、まず、テスト信号ピン
7にローレベルのテスト信号TSを入力する。これによ
り各テスト用スイッチ10はオフ状態となる。(In Case of Actual Operation State, Not in Test of Each Chip) Next, a case of actual operation state in place of a test of each chip will be described. In the case of actual operation, first, the low-level test signal TS is input to the test signal pin 7. As a result, each test switch 10 is turned off.
【0038】次に、リセット信号ピン6にハイレベルの
リセット信号RSを入力することで、各リセットスイッ
チ13A ,13Bはそれぞれオン状態となり、ラッチ
回路12Aはローレベル、ラッチ12Bは電源電圧によ
るハイレベルを保持した状態となり、出力バッファ16
A、出力バッファ16Bは共にオン状態となる。すなわ
ち実動作状態でのバッファ9A、9Bとして機能するこ
ととなる。Next, by inputting a high level reset signal RS to the reset signal pin 6, the reset switches 13A and 13B are turned on, the latch circuit 12A is at a low level, and the latch 12B is at a high level due to the power supply voltage. Holds the output buffer 16
Both A and the output buffer 16B are turned on. That is, it functions as the buffers 9A and 9B in the actual operation state.
【0039】(第2の実施の形態)図6は、スタックド
パッケージ内の半導体チップ2Cがマイクロコンピュー
タチップ、半導体チップ2Dがメモリーチップである場
合のスタックドパッケージ内部の一部斜視図である。な
お、第1の実施の形態と同一構成については同一符号を
付して説明を省略する。(Second Embodiment) FIG. 6 is a partial perspective view of the inside of the stacked package when the semiconductor chip 2C in the stacked package is a microcomputer chip and the semiconductor chip 2D is a memory chip. The same components as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.
【0040】4Aは、マイクロコンピュータチップ2C
のメモリリード出力信号用のパッド4Aであり、4Bは
メモリーチップ2Dのアウトプットイネーブル信号用の
パッド4Bである。前記2端子4A,4Bは、システム
構成の仕様上、共通のデバイスピン5にワイヤーボンデ
ィング可能である。4A is a microcomputer chip 2C
4A is a pad 4A for a memory read output signal, and 4B is a pad 4B for an output enable signal of the memory chip 2D. The two terminals 4A and 4B can be wire-bonded to the common device pin 5 in terms of system configuration specifications.
【0041】また、外部ペリフェラル制御信号などの共
通でないデバイスピン5Bにワイヤーボンディングされ
るパッド4Eとデバイスピン5Cにワイヤーボンディン
グされるパッド4Fが設けてある。A pad 4E that is wire-bonded to a device pin 5B that is not common to external peripheral control signals and a pad 4F that is wire-bonded to the device pin 5C are provided.
【0042】本第2の実施の形態においても、マイクロ
コンピュータ内部回路1Cとパッド4A間に切り離し回
路3Aを設け、またメモリー内部回路1Dとパッド4B
間に切り離し回路3Bを設けることによりテスト信号T
S、リセット信号RSの状態によって、共通のデバイス
ピン5にワイヤーボンディングされるマイクロコンピュ
ータチップ2Cのパッド4Aとメモリーチップ2Dのパ
ッド4Bは電気的に切り離される。Also in the second embodiment, the separation circuit 3A is provided between the microcomputer internal circuit 1C and the pad 4A, and the memory internal circuit 1D and the pad 4B are also provided.
By providing the disconnection circuit 3B between them, the test signal T
Depending on the state of S and the reset signal RS, the pad 4A of the microcomputer chip 2C and the pad 4B of the memory chip 2D which are wire-bonded to the common device pin 5 are electrically separated.
【0043】従って、デバイスピン5に加える信号DS
とリセット信号ピン6に加えるリセット信号RS及びテ
スト信号ピン7に加えるテスト信号TSの状態により、
マイクロコンピュータチップ2Cとメモリーチップ2D
の動作確認等のテストを個別に行うモ−ドと、両チップ
を適切に有機的に関連づけて実際の使用モ−ドに簡単に
切り換えることができた。Therefore, the signal DS applied to the device pin 5 is
And the state of the reset signal RS applied to the reset signal pin 6 and the test signal TS applied to the test signal pin 7,
Microcomputer chip 2C and memory chip 2D
It was possible to easily switch to the actual use mode by organically associating both chips with the mode in which the tests such as the operation confirmation are individually performed.
【0044】また、パッド4Eとパッド4Fは個別にデ
バイスピン5Bとデバイスピン5Cを有するため、内部
で電気的に切り離す必要がない場合には、内部回路であ
る各チップ1C,1Dとパッド4E,4F間に切り離し
回路を設ける必要なく、より効率のよい半導体チップの
パッケ−ジを提供できる。Further, since the pads 4E and 4F individually have the device pins 5B and 5C, if it is not necessary to electrically disconnect them internally, the chips 1C and 1D, which are internal circuits, and the pads 4E, It is possible to provide a more efficient package of a semiconductor chip without providing a disconnection circuit between the 4Fs.
【0045】なお、上記の実施の形態例では、本発明の
好適例を説明したが、本発明はこれに限定されないこと
はもちろんである。Although the preferred embodiment of the present invention has been described in the above embodiment, the present invention is not limited to this.
【0046】例えば、上記実施の形態では、半導体パッ
ケ−ジ内に2個のチップを備える場合について説明して
いるが、2個以上の複数個の半導体チップを備えて、切
り離し回路内のテスト用スイッチのトランジスタスイッ
チのしきい値の異なる切り離し回路を設け、テスト信号
に印加する電圧レベルを制御して切り換え回路を選択す
る機能を付加して複数個の半導体チップ内の1のチップ
のみを選択的に試験等できることも可能であり、本発明
の技術的範囲に含まれるものである。For example, in the above-described embodiment, the case where two chips are provided in the semiconductor package has been described, but a plurality of semiconductor chips of two or more are provided for testing in the disconnection circuit. A disconnection circuit with different thresholds of the transistor switch of the switch is provided, and the function of controlling the voltage level applied to the test signal to select the switching circuit is added to selectively select only one of the plurality of semiconductor chips. It is also possible to carry out tests, etc., and is included in the technical scope of the present invention.
【0047】かかる形態とすることで、半導体チップの
小型化によりパッケ−ジ内に複数の半導体チップを含め
ることができる場合、例えば2層以上の積層チップや同
一平面に複数の内部回路や半導体チップを配置する等に
も、適切に各チップの機能等の試験を可能となり信頼性
向上に寄与するものとなる。With such a configuration, when a plurality of semiconductor chips can be included in the package due to miniaturization of the semiconductor chip, for example, a laminated chip having two or more layers or a plurality of internal circuits or semiconductor chips on the same plane. Even when arranging the chips, it is possible to appropriately test the function of each chip, which contributes to the improvement of reliability.
【0048】また切り離し回路を構成するテスト用スイ
ッチであるトランジスタ、導通と非導通を制御するバッ
ファ、制御信号を保持するラッチ回路等も限定するもの
でなく、同様の効果を奏するものであればよい。Further, the transistor which is a test switch which constitutes the disconnection circuit, the buffer which controls conduction and non-conduction, the latch circuit which holds the control signal, and the like are not limited, and may have any similar effects. .
【0049】[0049]
【発明の効果】以上説明した通り、第1、第2の発明に
よれば、共通のデバイスピンに2以上のチップが接続さ
れている半導体パッケ−ジにおいて、複雑な回路を追加
することなく、パッケージ内部の個々の半導体チップを
機能的に完全分離することができる。これにより半導体
チップ各々個別の試験プログラム資産の活用が可能で試
験が容易になる。例えば、ウェハーテストのプログラム
の再利用ができる。As described above, according to the first and second aspects of the invention, in a semiconductor package in which two or more chips are connected to a common device pin, without adding a complicated circuit, The individual semiconductor chips inside the package can be functionally completely separated. This makes it possible to utilize the test program resources for each individual semiconductor chip and facilitate testing. For example, the wafer test program can be reused.
【0050】また、デバイスピンごとにバッファの動作
/不動作状態が設定可能なので、切り離しが必要な半導
体チップにのみバッファ等を追加すればよいので、テス
ト回路追加によるオーバーヘッドを最小限に押さえるこ
とができる。Further, since the operating / non-operating state of the buffer can be set for each device pin, it is only necessary to add the buffer and the like to the semiconductor chip that needs to be separated, so that the overhead due to the addition of the test circuit can be minimized. it can.
【0051】更に、入出力端子毎に個別に分離できるの
で、半導体チップの種類を問わず、それぞれのチップの
テストプログラム資産の再利用が可能となる。Further, since the input / output terminals can be individually separated, the test program resources of each chip can be reused regardless of the type of the semiconductor chip.
【0052】第3の発明によれば、小型化に適した半導
体パッケ−ジへの適用が可能となり、また更に第4の発
明によれば共通のリセット信号等により半導体チップの
テスト状態と実動作状態の切り替えを簡単な回路で効率
よく行うことが可能となり、必要不可欠な性能確認、故
障判断等を行うにあたり有益なものとなる。また、テス
ト状態設定信号のための端子の数を最小限にできる。According to the third invention, it is possible to apply to a semiconductor package suitable for miniaturization, and according to the fourth invention, the test state and the actual operation of the semiconductor chip by a common reset signal or the like. It becomes possible to efficiently switch the states with a simple circuit, which is useful for performing essential performance confirmation and failure judgment. Also, the number of terminals for the test state setting signal can be minimized.
【図1】本発明の第1の実施形態に係る半導体パッケ−
ジ内の1部の斜視図である。FIG. 1 is a semiconductor package according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a perspective view of a part of the interior.
【図2】本発明の第1の実施形態に係る一方の切り離し
回路の説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram of one disconnection circuit according to the first embodiment of the present invention.
【図3】本発明の第1の実施形態に係る他方の切り離し
回路の説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram of the other disconnection circuit according to the first embodiment of the present invention.
【図4】本発明の第1の実施形態に係る一方の切り離し
回路の説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram of one disconnection circuit according to the first embodiment of the present invention.
【図5】本発明の第1の実施形態に係る他方の切り離し
回路の説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram of the other disconnecting circuit according to the first embodiment of the present invention.
【図6】本発明の第2の実施形態に係る半導体パッケ−
ジ内の1部の斜視図である。FIG. 6 is a semiconductor package according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a perspective view of a part of the interior.
【図7】従来の半導体パッケ−ジの断面図である。FIG. 7 is a sectional view of a conventional semiconductor package.
1A、1B 内部回路 2A、2B 半導体チップ 3A、3B 切り離し回路 4A、4B パッド 5 デバイスピン 9A、9B バッファ 10 テスト用スイッチ 12A、12B ラッチ回路 13A、13B リセット用スイッチ 1C、1D 内部回路 2C、2D 半導体チップ 1A, 1B internal circuit 2A, 2B semiconductor chip 3A, 3B disconnection circuit 4A, 4B pad 5 device pins 9A, 9B buffer 10 Test switch 12A, 12B Latch circuit 13A, 13B reset switch 1C, 1D internal circuit 2C, 2D semiconductor chip
Claims (3)
半導体チップを有する半導体パッケージであって、 デバイスピンに印加された制御信号に基づき入出力端子
と内部回路間の導通と非導通を制御可能とするバッファ
部と、 テスト用スイッチとリセット用スイッチに接続する制御
信号保持部とを備えた切り離し回路を、入力出端子と内
部回路との間に設け、 テスト用スイッチをONし、リセット用スイッチをOF
Fすることでいずれかのバッファ部を導通とし、 テスト用スイッチをOFFし、リセット用スイッチをO
Nすることで全バッファ部が導通することとなる 半導体
パッケージ。1. A semiconductor package having two or more semiconductor chips connected to a common device pin, wherein conduction and non-conduction between an input / output terminal and an internal circuit are controlled based on a control signal applied to the device pin. Buffer part that can control conduction, and control that connects to test switch and reset switch
A disconnection circuit with a signal holding
It is installed between the internal circuit and the test switch, and the reset switch is open.
When F is turned on, one of the buffers becomes conductive, the test switch is turned off, and the reset switch is turned on.
A semiconductor package in which all buffers become conductive by turning on N.
積層して設けたことを特徴とする請求項1に記載の半導
体パッケージ。2. A semiconductor chip containing a disconnection circuit
The semiconductor package according to claim 1, wherein the semiconductor package is provided by stacking .
ジスタで構成した半導体チップを一方に積層し、リセッ
ト用スイッチを第2導電型トランジスタで構成した半導
体チップを他方に積層することを特徴とする請求項2に
記載の半導体パッケージ。3. A reset switch is a first conductivity type transistor.
A semiconductor chip composed of transistors is stacked on one side and
Semiconductor switch with a second conductivity type transistor
The semiconductor package according to claim 2 , wherein the body chip is laminated on the other side .
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