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JP3453735B2 - Thin film magnetic head - Google Patents
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JP3453735B2 - Thin film magnetic head - Google Patents

Thin film magnetic head

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JP3453735B2
JP3453735B2 JP02617697A JP2617697A JP3453735B2 JP 3453735 B2 JP3453735 B2 JP 3453735B2 JP 02617697 A JP02617697 A JP 02617697A JP 2617697 A JP2617697 A JP 2617697A JP 3453735 B2 JP3453735 B2 JP 3453735B2
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magnetic
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gap
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吉田  誠
信也 大山
勤 小柳
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は薄膜磁気ヘッドに関す
る。本発明は、主に、記録素子となる誘導型磁気変換素
子及び再生素子となる磁気抵抗効果(以下MRと称す
る)磁気変換素子を積層して設けた複合型の薄膜磁気ヘ
ッドを開示する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thin film magnetic head. The present invention mainly discloses a composite type thin film magnetic head in which an inductive magnetic conversion element that serves as a recording element and a magnetoresistive effect (hereinafter referred to as MR) magnetic conversion element that serves as a reproducing element are provided in layers.

【0002】[0002]

【従来の技術】誘導型磁気変換素子を記録素子として用
いた薄膜磁気ヘッドにおいて、高面密度記録を達成する
とともに、高周波再生出力特性を向上させるには、記録
ポール幅を極小化しなければならない。記録ポール幅の
極小化について言及した先行技術としては、例えば、特
開平3ー263603号公報を挙げることができる。し
かし、上記先行技術は、製造プロセスを経て完成された
薄膜磁気ヘッドの空気ベアリング面(以下ABS面と称
する)において、ABS面に露出している上部ポール及
び下部ポール部の先端面にエッチング加工を施すことに
より、記録ポール幅を極小化する技術を開示するに留
り、製造プロセスにおいて、記録ポール幅を極小化する
技術を開示するものではない。
2. Description of the Related Art In a thin film magnetic head using an inductive magnetic conversion element as a recording element, the recording pole width must be minimized in order to achieve high surface density recording and improve high frequency reproduction output characteristics. As a prior art which refers to the minimization of the recording pole width, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 3-263603 can be cited. However, in the above-mentioned prior art, in the air bearing surface (hereinafter referred to as ABS surface) of the thin film magnetic head completed through the manufacturing process, the tip surfaces of the upper pole and the lower pole portion exposed on the ABS surface are etched. It does not disclose a technique for minimizing the recording pole width by applying the technique, but does not disclose a technique for minimizing the recording pole width in the manufacturing process.

【0003】次に、再生素子をMR磁気変換素子によっ
て構成し、記録素子を誘導型磁気変換素子によって構成
した複合型の薄膜磁気ヘッドは、MR磁気変換素子の再
生出力が記録媒体の速度に依存しないため、高再生出力
が得られるという利点がある。このような複合型薄膜磁
気ヘッドは、例えば特公昭59−35088号公報に開
示されている。この公知文献に見られるように、従来
は、MR磁気変換素子の上に誘導型磁気変換素子を積層
して設けるのが一般的であった。
Next, in a composite type thin film magnetic head in which the reproducing element is composed of an MR magnetic conversion element and the recording element is composed of an inductive magnetic conversion element, the reproduction output of the MR magnetic conversion element depends on the speed of the recording medium. Therefore, there is an advantage that a high reproduction output can be obtained. Such a composite type thin film magnetic head is disclosed in, for example, Japanese Patent Publication No. 59-35088. As can be seen from this publicly known document, conventionally, it was general to provide an inductive magnetic conversion element by laminating it on an MR magnetic conversion element.

【0004】しかし、特公昭59−35088号公報に
開示されるごとく、MR磁気変換素子の上に誘導型磁気
変換素子を積層して設けた構造では、量産化に当たっ
て、上述した記録ポール幅の極小化に付随する問題点の
他、種々の解決すべき問題点を生じる。
However, as disclosed in Japanese Patent Publication No. 59-35088, in the structure in which the inductive type magnetic conversion element is laminated on the MR magnetic conversion element, the above described recording pole width is minimized in mass production. There are various problems to be solved in addition to the problems associated with conversion.

【0005】まず、MR磁気変換素子の上に誘導型磁気
変換素子を積層して設けた構造では、MR磁気変換素子
が誘導型磁気変換素子の製造プロセス全体を通してその
影響下におかれる。このため、磁気ヘッド全体としての
特性劣化、信頼性の低下及び歩留の低下を招く。
First, in the structure in which the inductive magnetic conversion element is laminated on the MR magnetic conversion element, the MR magnetic conversion element is affected by the entire manufacturing process of the inductive magnetic conversion element. Therefore, the characteristics of the magnetic head as a whole are deteriorated, the reliability is lowered, and the yield is lowered.

【0006】特に、MR磁気変換素子として、スピンバ
ルブ膜、超格子膜またはグラニュラ膜などのGMR膜を
用い、高面記録密度を図った薄膜磁気ヘッドでは、誘導
型磁気ヘッドを製造する際の熱処理温度により、GMR
膜が熱的ダメージを受け、再生出力が大幅に低下してし
まう。例えば、磁性膜にNiーFeを用い、非磁性膜に
Cuを用いたスピンバルブ膜では、誘導型磁気変換素子
の製造プロセスにおいて通常印加される200℃〜25
0℃以上の温度で、NiとCuとが混ざり合ってしま
い、スピンバルブ膜の多層構造が乱れてしまう。
Particularly, in a thin film magnetic head having a high areal recording density by using a GMR film such as a spin valve film, a superlattice film or a granular film as an MR magnetic conversion element, a heat treatment is performed when manufacturing an induction type magnetic head. GMR depending on temperature
The film is thermally damaged and the reproduction output is significantly reduced. For example, in a spin valve film in which Ni—Fe is used for the magnetic film and Cu is used for the non-magnetic film, the temperature of 200 ° C. to 25 ° C. which is usually applied in the manufacturing process of the inductive magnetic conversion element is used.
At a temperature of 0 ° C. or higher, Ni and Cu are mixed with each other, which disturbs the multilayer structure of the spin valve film.

【0007】次に、誘導型磁気変換素子のオーバライト
特性は、コイル支持体(フォトレジスト)のアペックス
角(Apex Angle)及びポール部のスロートハイト(Throat
Height)によって大きく左右される。従って、量産化に
当たって、特性の安定化、信頼性の向上及び歩留向上を
達成するためには、アペックス角及びポール部のスロー
トハイトを正確に制御することがきわめて重要である。
Next, the overwrite characteristics of the induction type magnetic conversion element are as follows: the apex angle of the coil support (photoresist) and the throat height (Throat) of the pole portion.
Height). Therefore, in mass production, it is extremely important to accurately control the apex angle and the throat height of the pole portion in order to stabilize the characteristics, improve reliability, and improve yield.

【0008】また、歩留に大きな影響を及ぼす要因とし
て、誘導型磁気変換素子のスロートハイトと、MR磁気
変換素子のMRハイトとがある。当業者に知られている
ように、スロートハイト及びMRハイトは、コイル膜を
支持する有機質絶縁膜のうち、最下層の絶縁膜の位置
と、スライダの空気ベアリング面(以下ABS面と称す
る)の加工精度とによって決定される。MR磁気変換素
子の上に誘導型磁気変換素子を積層して設けた従来構造
において、スロートハイト及びMRハイトを高精度で設
定するには、既に形成されているMR磁気変換素子に対
して、最下層絶縁膜のためのマスクアライメントを、最
小限の位置合わせ誤差をもって実行しなければならな
い。
Further, factors that greatly affect the yield include the throat height of the inductive magnetic conversion element and the MR height of the MR magnetic conversion element. As known to those skilled in the art, the throat height and the MR height are the positions of the lowermost insulating film of the organic insulating film supporting the coil film and the air bearing surface (hereinafter referred to as ABS surface) of the slider. It is determined by the processing accuracy. In order to set the throat height and the MR height with high accuracy in the conventional structure in which the inductive type magnetic conversion element is laminated on the MR magnetic conversion element, it is necessary to set the maximum value with respect to the already formed MR magnetic conversion element. Mask alignment for the lower insulating film must be performed with a minimum alignment error.

【0009】しかしながら、MR磁気変換素子は、数百
オングストロームの膜厚しかない。しかも、MR磁気変
換素子の上には、下部磁性膜のポール部が存在するた
め、位置合わせとして利用されるMR磁気変換素子の輪
郭が不鮮明になる。このため、MR磁気変換素子に対す
る絶縁膜用マスクアライメントが困難である。この問題
点を解決する手段として、MR磁気変換素子とは異なる
別のパターンを設け、このパターンに対して、絶縁膜用
マスクを位置合わせする方法があるが、この場合には、
付加されたパターンによるアライメント誤差を生じる。
However, the MR magnetic conversion element has a film thickness of only a few hundred angstroms. Moreover, since the pole portion of the lower magnetic film is present on the MR magnetic conversion element, the contour of the MR magnetic conversion element used for alignment becomes unclear. Therefore, it is difficult to align the insulating film mask with the MR magnetic conversion element. As a means for solving this problem, there is a method of providing another pattern different from the MR magnetic conversion element and aligning the insulating film mask with this pattern. In this case,
An alignment error occurs due to the added pattern.

【0010】更に、コイル膜を支持するフォトレジスト
は、その上に形成されるコイル膜のために平坦なコイル
形成面を与えるべく、例えば250℃程度の温度で熱処
理される。この熱処理工程において、フォトレジストが
軟化または溶融し、そのパターンの寸法が大きく変動す
る。更に、コイル膜を形成する時、そのパターンイング
手段として、メッキやミリング等が用いられる。このパ
ターンニング工程において、MR磁気変換素子に対する
基準となる絶縁膜のパターンがミリング等によって、再
度エッチングされ、パターンの後退が発生する。
Further, the photoresist supporting the coil film is heat-treated at a temperature of, for example, about 250 ° C. so as to provide a flat coil forming surface for the coil film formed thereon. In this heat treatment step, the photoresist is softened or melted, and the dimensions of the pattern change greatly. Further, when forming the coil film, plating, milling or the like is used as the patterning means. In this patterning step, the pattern of the insulating film serving as a reference for the MR magnetic conversion element is etched again by milling or the like, and the pattern recedes.

【0011】このようなフォトレジストのパターン変動
が生じると、仮に、MR磁気変換素子または別に設けら
れたパターンに対して、フォトレジスト用フォトマスク
を高精度で位置合わせしたとしても、MR磁気変換素子
に対するフォトレジストの相対位置関係が変動してしま
う。レジストパターン変動は、フォトレジストの膜厚に
よっては、例えば、0.5μm〜0.6μmにも及ぶ。特
に、高周波数用複合型薄膜磁気ヘッドでは、スロートハ
イトが1.00μm以下のものが要求されつつあり、そ
れに対応して、レジストパターン変動を、サブミクロン
単位で正確に制御することが要求されている。
When such a photoresist pattern variation occurs, even if the photoresist photomask is aligned with high accuracy with respect to the MR magnetic conversion element or a separately provided pattern, the MR magnetic conversion element. The relative positional relationship of the photoresist with respect to is changed. The variation of the resist pattern reaches 0.5 μm to 0.6 μm depending on the film thickness of the photoresist. In particular, high frequency composite thin film magnetic heads are required to have a throat height of 1.00 μm or less, and correspondingly, it is required to accurately control the resist pattern variation in submicron units. There is.

【0012】レジストパターン変動の大きい従来技術
は、かかる現状に適応できなくなっており、ABS面の
研磨などの際にMR磁気変換素子及び誘導型磁気変換素
子に特性不良が多発していた。
The conventional technique in which the resist pattern varies greatly cannot be adapted to the current situation, and the MR magnetic conversion element and the induction type magnetic conversion element often have defective characteristics when polishing the ABS surface.

【0013】従来の複合型薄膜磁気ヘッドの更にもう一
つの問題点は、MR磁気変換素子を形成した後、シール
ドギャップ膜を形成し、更に、その上に下部磁性膜を形
成するために、MR磁気変換素子及びシールドギャップ
膜による凹凸が、下部磁性膜の下部ポール部にそのまま
反映され、下部ポール部にも凹凸を生じてしまうことで
ある。このような凹凸を持つ下部ポール部に対して、上
部磁性膜の上部ポール部を形成した場合、磁場の影響
で、記録素子としての高周波特性が劣化することは知ら
れている。下部ポール部の凹凸に起因する高周波特性の
劣化を回避するため、従来は、下部ポール部を形成した
後、例えば半導体製造技術で知られているCMP(Chemi
cal Mechanical Polish)法を適用して、平坦化する工程
が必要であった。
Yet another problem of the conventional composite type thin film magnetic head is that the MR gap is formed after the MR magnetic conversion element is formed, and then the lower magnetic film is formed thereon. The unevenness due to the magnetic conversion element and the shield gap film is reflected as it is on the lower pole portion of the lower magnetic film, and unevenness also occurs on the lower pole portion. It is known that when the upper pole portion of the upper magnetic film is formed on the lower pole portion having such unevenness, the high frequency characteristics of the recording element deteriorate due to the influence of the magnetic field. In order to avoid the deterioration of high frequency characteristics due to the unevenness of the lower pole portion, conventionally, after forming the lower pole portion, for example, CMP (Chemi
A step of flattening by applying the cal mechanical polish method was required.

【0014】誘導型磁気変換素子の上にMR磁気変換素
子を設けた複合型薄膜磁気ヘッドは、既に特開平5ー4
6943号公報に開示されている。しかしながら、この
先行技術は、特に量産化において、MR磁気変換素子と
フォトレジストとの位置合わせに適した構造、及び、フ
ォトレジストのパターン変動を抑制するために有効な技
術を開示していない。
A composite type thin film magnetic head in which an MR magnetic conversion element is provided on an induction type magnetic conversion element has already been disclosed in JP-A-5-4.
It is disclosed in Japanese Patent Publication No. 6943. However, this prior art does not disclose a structure suitable for aligning the MR magnetic conversion element and the photoresist, and a technique effective for suppressing the pattern variation of the photoresist, particularly in mass production.

【0015】[0015]

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、記録
ポール幅を極小化し、高面密度記録を達成するととも
に、高周波再生出力特性を向上させることができるよう
にした薄膜磁気ヘッドを提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a thin film magnetic head capable of minimizing the recording pole width, achieving high surface density recording and improving high frequency reproduction output characteristics. That is.

【0016】本発明のもう一つの課題は、製造プロセス
において、記録ポール幅を極小化するのに適した構造を
持つ薄膜磁気ヘッドを提供することである。
Another object of the present invention is to provide a thin film magnetic head having a structure suitable for minimizing the recording pole width in the manufacturing process.

【0017】本発明の更にもう一つの課題は、極小化さ
れた記録ポール幅を均一に形成できる構造を有する薄膜
磁気ヘッドを提供することである。
Still another object of the present invention is to provide a thin film magnetic head having a structure capable of uniformly forming a minimized recording pole width.

【0018】本発明の更にもう一つの課題は、記録ポー
ルにおける磁界集中を高め、高周波記録特性及び高面密
度記録特性を向上させた薄膜磁気ヘッドを提供すること
である。
Still another object of the present invention is to provide a thin film magnetic head in which the magnetic field concentration in the recording pole is enhanced and the high frequency recording characteristics and the high areal density recording characteristics are improved.

【0019】本発明の更にもう一つの課題は、再生素子
をMR磁気変換素子によって構成し、記録素子を誘導型
磁気変換素子によって構成した複合型であって、記録ポ
ール幅を極小化するのに適した構造を持つ複合型の薄膜
磁気ヘッドを提供することである。
Still another object of the present invention is a composite type in which the reproducing element is composed of an MR magnetic conversion element and the recording element is composed of an inductive magnetic conversion element, and it is necessary to minimize the recording pole width. An object of the present invention is to provide a composite type thin film magnetic head having a suitable structure.

【0020】本発明の更にもう一つの課題は、MR磁気
変換素子が磁気変換素子の製造プロセスによる悪影響を
受けることのない複合型の薄膜磁気ヘッドを提供するこ
とである。
Yet another object of the present invention is to provide a composite type thin film magnetic head in which the MR magnetic conversion element is not adversely affected by the manufacturing process of the magnetic conversion element.

【0021】本発明のもう一つの課題は、MR磁気変換
素子として、スピンバルブ膜、超格子膜またはグラニュ
ラ膜などGMR膜を用いた場合、GMR膜に対して熱的
ダメージを与えることのない複合型の薄膜磁気ヘッドを
提供することである。
Another object of the present invention is to use a GMR film such as a spin valve film, a superlattice film or a granular film as an MR magnetic conversion element, and to prevent thermal damage to the GMR film. Type thin film magnetic head.

【0022】本発明の更にもう一つの課題は、アペック
ス角及びポール部のスロートハイトを正確に制御し得る
複合型の薄膜磁気ヘッドを提供することである。
Still another object of the present invention is to provide a composite type thin film magnetic head capable of accurately controlling the apex angle and the throat height of the pole portion.

【0023】本発明の更にもう一つの課題は、誘導型磁
気変換素子のスロートハイトと、MR磁気変換素子のM
Rハイトとを、高精度で設定し得る複合型の薄膜磁気ヘ
ッドを提供することである。
Still another object of the present invention is to provide a throat height of the inductive magnetic conversion element and an M of the MR magnetic conversion element.
An object of the present invention is to provide a composite type thin film magnetic head capable of accurately setting the R height.

【0024】本発明の更にもう一つの課題は、フォトレ
ジストの熱処理に伴うパターン変動をなくし、スロート
ハイトの狭小化、及び、高精度化に対応できる複合型の
薄膜磁気ヘッドを提供することである。
Still another object of the present invention is to provide a composite type thin film magnetic head capable of eliminating the pattern variation due to the heat treatment of the photoresist, narrowing the throat height and improving the accuracy. .

【0025】本発明の更にもう一つの課題は、CMP法
を適用することなく、平坦な下部ポール部を形成でき、
下部ポール部の凹凸に起因する高周波特性の劣化を生じ
ることのない複合型の薄膜磁気ヘッドを提供することで
ある。
Still another object of the present invention is to form a flat lower pole portion without applying the CMP method,
It is an object of the present invention to provide a composite type thin film magnetic head that does not cause deterioration of high frequency characteristics due to unevenness of the lower pole portion.

【0026】本発明の更にもう一つの課題は、上述した
薄膜磁気ヘッドを製造するのに適した製造方法を提供す
ることである。
Yet another object of the present invention is to provide a manufacturing method suitable for manufacturing the above-mentioned thin film magnetic head.

【0027】[0027]

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ため、本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、基体と、誘導型
磁気変換素子とを含む。前記基体は、前記誘導型磁気変
換素子を支持している。前記誘導型磁気変換素子は、下
部磁性膜と、上部磁性膜と、ギャップ膜と、コイル膜と
で構成される薄膜磁気回路を含んでいる。前記下部磁性
膜は、下部ポール部を有している。前記上部磁性膜は、
前記ギャップ膜を介して、前記下部ポール部と対向する
上部ポール部を有している。このような構造において、
前記上部ポール部は、前記上部磁性膜の下面の一部を突
出させた突起で構成する。
In order to solve the above problems, a thin film magnetic head according to the present invention includes a base and an inductive magnetic conversion element. The base body supports the inductive magnetic conversion element. The inductive magnetic conversion element includes a thin film magnetic circuit including a lower magnetic film, an upper magnetic film, a gap film, and a coil film. The lower magnetic film has a lower pole portion. The upper magnetic film is
It has an upper pole portion facing the lower pole portion through the gap film. In such a structure,
The upper pole portion is composed of a protrusion formed by projecting a part of the lower surface of the upper magnetic film.

【0028】上記構成によれば、記録ポール幅を、上部
ポール部を構成する突起の幅によって決定される値まで
極小化し、高面密度記録を達成するとともに、高周波再
生出力特性を向上させることができる。
According to the above structure, the recording pole width can be minimized to a value determined by the width of the protrusions forming the upper pole portion, high area density recording can be achieved, and high frequency reproduction output characteristics can be improved. it can.

【0029】しかも、上部ポール部は、上部磁性膜の下
面の一部を突出させた突起で構成されているから、記録
ポールにおける磁界集中を高め、高周波記録特性及び高
面密度記録特性を向上させることができる。
Moreover, since the upper pole portion is formed by the projection in which a part of the lower surface of the upper magnetic film is projected, the magnetic field concentration in the recording pole is increased, and the high frequency recording characteristic and the high areal density recording characteristic are improved. be able to.

【0030】更に、上部ポール部を構成する突起の幅
は、上部磁性膜の製造プロセスにおいて、フォトリソグ
ラフィを主とした高精度パターン形成技術によって、き
わめて微細に、かつ、高精度で形成できる。よって、極
小化された記録ポール幅を、量産プロセスの中で、均一
に形成できる。
Further, the width of the protrusions forming the upper pole portion can be formed extremely finely and highly accurately by the high precision pattern forming technique mainly including photolithography in the manufacturing process of the upper magnetic film. Therefore, the minimized recording pole width can be uniformly formed in the mass production process.

【0031】本発明は、更に、上記ポール構造の適用に
おいて、好ましい誘導型磁気変換素子の構造を開示す
る。この誘導型磁気変換素子は、前記基体の表面に凹部
を有する。前記下部磁性膜は、前記凹部の内面に付着さ
れ、更に、前記凹部の内面から前記基体の表面に導出さ
れて前記下部ポール部を構成している。前記コイル膜
は、コイル支持絶縁膜によって支持され、前記凹部内に
配置されている。前記ギャップ膜は、前記下部ポール部
の表面、及び、前記コイル支持絶縁膜の表面を覆ってい
る。
The present invention further discloses a preferred inductive magnetic conversion element structure in the application of the pole structure. This inductive magnetic conversion element has a recess on the surface of the base. The lower magnetic film is attached to the inner surface of the recess, and is further led from the inner surface of the recess to the surface of the base body to form the lower pole portion. The coil film is supported by a coil supporting insulating film and is arranged in the recess. The gap film covers the surface of the lower pole portion and the surface of the coil supporting insulating film.

【0032】上記構造であれば、上部磁性膜を形成すべ
きギャップ膜を平坦化できる。ギャップ膜は上部磁性膜
を形成するためのベースとなる。このため、上部磁性膜
を平坦なギャップ膜上に形成することが可能になり、そ
の全体のパターンの精度のみならず、その一部である上
部ポール部を構成する突起のパターン精度が向上する。
With the above structure, the gap film on which the upper magnetic film is to be formed can be flattened. The gap film serves as a base for forming the upper magnetic film. Therefore, it becomes possible to form the upper magnetic film on the flat gap film, and not only the accuracy of the entire pattern but also the pattern accuracy of the protrusions forming a part of the upper pole portion is improved.

【0033】基体は表面に凹部を有し、絶縁膜はコイル
膜を支持し凹部内に配置されているから、絶縁膜のアペ
ックス角、及び、スロートハイトを、凹部の立ち上がり
面の角度、形状及び深さ等を制御することにより、正確
に制御し得る。
Since the substrate has a concave portion on the surface thereof, and the insulating film supports the coil film and is disposed in the concave portion, the apex angle and throat height of the insulating film are determined by the angle, shape and shape of the rising surface of the concave portion. By controlling the depth and the like, accurate control can be achieved.

【0034】下部磁性膜は、凹部の内面に付着され、更
に内面から基体の表面に導かれて下部ポール部を形成し
ているから、凹部の内面から基体の表面に移る部分に変
曲点(パターンエッジ)が生じる。下部ポール部のスロ
ートハイトは、このパターンエッジを基準にして、高精
度で決定できる。
Since the lower magnetic film is attached to the inner surface of the recess and is further guided from the inner surface to the surface of the base body to form the lower pole portion, the inflection point (the inflection point () from the inner surface of the recess to the surface of the base body. Pattern edge) occurs. The throat height of the lower pole portion can be determined with high accuracy based on this pattern edge.

【0035】コイル膜を支持するコイル支持絶縁膜は、
通常は、フォトレジストでなり、その上に形成されるコ
イル膜のために平坦なコイル形成面を与えるべく、例え
ば250℃程度の温度で熱処理される。この熱処理工程
において、フォトレジストが軟化または溶融しても、絶
縁膜は、セラミックでなる基体に設けられた凹部内に配
置されているのであるから、絶縁膜のパターンが凹部の
パターンによって画定され、パターン変動を生じること
がない。このため、フォトレジストの熱処理に伴うパタ
ーン変動を生じる余地がなく、絶縁膜のアペックス角、
及び、スロートハイトを、凹部の立ち上がり面の角度に
よって定まる正確な値に制御できるようになると共に、
スロートハイトの狭小化にも対応できるようになる。
The coil supporting insulating film for supporting the coil film is
Usually, it is made of photoresist, and is heat-treated at a temperature of, for example, about 250 ° C. to provide a flat coil forming surface for the coil film formed thereon. In this heat treatment step, even if the photoresist is softened or melted, the insulating film is arranged in the recess provided in the base made of ceramic, so that the pattern of the insulating film is defined by the pattern of the recess, No pattern variation will occur. Therefore, there is no room for pattern variation due to the heat treatment of the photoresist, and the apex angle of the insulating film,
And, it becomes possible to control the throat height to an accurate value determined by the angle of the rising surface of the recess,
It will be possible to cope with narrowing of the throat height.

【0036】下部磁性膜は、基体の表面に導かれ、下部
ポール部を形成しているから、下部ポール部の形成され
ている基体の表面を平坦化することにより、下部ポール
部の凹凸を回避することができる。この下部ポール部の
表面に、ほぼ均一な膜厚を有するギャップ膜を付着さ
せ、ギャップ膜の上に上部磁性膜を積層してあるから、
下部ポール部の凹凸に起因する高周波特性の劣化を生じ
る余地がない。この場合、従来と異なって、下部ポール
部を、CMP法を適用して、平坦化する工程が全く不要
であるから、工程の短縮化に寄与することができる。
The lower magnetic film is guided to the surface of the base body to form the lower pole portion. Therefore, by flattening the surface of the base body on which the lower pole portion is formed, unevenness of the lower pole portion is avoided. can do. Since a gap film having a substantially uniform film thickness is attached to the surface of the lower pole portion and the upper magnetic film is laminated on the gap film,
There is no room for deterioration of high frequency characteristics due to unevenness of the lower pole portion. In this case, unlike the prior art, the step of applying the CMP method to the lower pole portion to flatten it is completely unnecessary, which can contribute to the shortening of the step.

【0037】基体に凹部を設けて、その内部に下部磁性
膜及びコイル支持絶縁膜を配置する上記構成は、再生素
子として、MR磁気変換素子を有する複合型の薄膜磁気
ヘッドに、特に有効なものである。この場合、MR磁気
変換素子は、誘導型磁気変換素子の上に積層する。
The above-mentioned structure in which the concave portion is provided in the base body and the lower magnetic film and the coil supporting insulating film are arranged inside the concave portion is particularly effective for a composite type thin film magnetic head having an MR magnetic conversion element as a reproducing element. Is. In this case, the MR magnetic conversion element is laminated on the induction type magnetic conversion element.

【0038】上述したように、MR磁気変換素子を、誘
導型磁気変換素子の上に設ける構造であると、誘導型磁
気変換素子を形成した後にMR磁気変換素子を形成でき
る。このため、MR磁気変換素子が誘導型磁気変換素子
の製造プロセスによる悪影響を受けることがなくなる。
As described above, when the MR magnetic conversion element is provided on the induction type magnetic conversion element, the MR magnetic conversion element can be formed after the induction type magnetic conversion element is formed. Therefore, the MR magnetic conversion element is not adversely affected by the manufacturing process of the induction type magnetic conversion element.

【0039】MR磁気変換素子として、スピンバルブ
膜、超格子膜またはグラニュラ膜などのGMR膜を用い
た場合でも、高温アニールを必要とする誘導型磁気変換
素子のコイル膜形成は、GMR膜の形成時に既に終了し
ているので、GMR膜に対して熱的ダメージを与えるこ
とがない。このため、安定したGMR膜を有するMR磁
気変換素子を得ることができる。
Even if a GMR film such as a spin valve film, a superlattice film or a granular film is used as the MR magnetic conversion element, the coil film formation of the induction type magnetic conversion element which requires high temperature annealing is the formation of the GMR film. Since it has already been completed at some time, thermal damage is not given to the GMR film. Therefore, it is possible to obtain an MR magnetic conversion element having a stable GMR film.

【0040】しかも、平坦化された上部磁性膜の上で、
MR磁気変換素子を積層することができるので、平坦な
面上で、MR磁気変換素子のための正確なフォトマスク
位置合わせを行ない、MR磁気変換素子を高精度で形成
できる。
Moreover, on the flattened upper magnetic film,
Since the MR magnetic conversion elements can be stacked, accurate photomask alignment for the MR magnetic conversion elements can be performed on a flat surface, and the MR magnetic conversion elements can be formed with high accuracy.

【0041】更に、下部ポール部のパターンエッジの上
に積層されているギャップ膜、上部磁性膜及び絶縁膜は
非常に薄いものであり、MR磁気変換素子を形成する
際、下部ポール部のパターンエッジを上側から見ること
ができる。このため、パターンエッジを基準にして、M
R磁気変換素子を形成するためのフォトマスクを位置決
めできる。よって、誘導型磁気変換素子に対するMR磁
気変換素子の相対位置を高精度で設定し得る。
Further, since the gap film, the upper magnetic film and the insulating film laminated on the pattern edge of the lower pole portion are very thin, when forming the MR magnetic conversion element, the pattern edge of the lower pole portion is formed. Can be seen from above. Therefore, with reference to the pattern edge, M
A photomask for forming the R magnetic conversion element can be positioned. Therefore, the relative position of the MR magnetic conversion element with respect to the induction type magnetic conversion element can be set with high accuracy.

【0042】本発明の他の目的、構成及び利点は、実施
例を示す図面を参照して、更に詳しく説明する。
Other objects, configurations and advantages of the present invention will be described in more detail with reference to the drawings showing embodiments.

【0043】[0043]

【発明の実施の形態】図1は本発明に係る薄膜磁気ヘッ
ドの断面図、図2は図1に示した薄膜磁気ヘッドの拡大
断面図、図3は図2の3ー3線に沿った断面図である。
図において、寸法は誇張されている。本発明に係る薄膜
磁気ヘッドは、基体1と、記録素子となる誘導型磁気変
換素子2とを含んでいる。
1 is a sectional view of a thin film magnetic head according to the present invention, FIG. 2 is an enlarged sectional view of the thin film magnetic head shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a sectional view taken along line 3-3 of FIG. FIG.
In the figure, the dimensions are exaggerated. The thin-film magnetic head according to the present invention includes a substrate 1 and an inductive magnetic conversion element 2 serving as a recording element.

【0044】基体1は、スライダとなる部分であって、
誘導型磁気変換素子2を支持している。誘導型磁気変換
素子2は、下部磁性膜21と、上部磁性膜23と、ギャ
ップ膜22と、コイル膜241、242とで構成される
薄膜磁気回路を含んでいる。下部磁性膜21は、下部ポ
ール部211を有している。下部ポール部211の先端
が露出する基体1の面10は空気ベアリング面となる。
矢印aは磁気記録媒体が連れ回る空気の流出方向を示し
ている。
The substrate 1 is a portion which becomes a slider,
It supports the inductive magnetic conversion element 2. The inductive magnetic conversion element 2 includes a thin film magnetic circuit including a lower magnetic film 21, an upper magnetic film 23, a gap film 22, and coil films 241 and 242. The lower magnetic film 21 has a lower pole portion 211. The surface 10 of the base 1 on which the tip of the lower pole portion 211 is exposed serves as an air bearing surface.
The arrow a indicates the outflow direction of the air that the magnetic recording medium follows.

【0045】上部磁性膜23は、ギャップ膜22を介し
て、下部ポール部211と対向する上部ポール部231
を有している。上部ポール部231は、上部磁性膜23
の下面の一部を突出させた突起でなる。この構造は、端
的に言って、断面T型の上部ポール部231を提供す
る。
The upper magnetic film 23 has an upper pole portion 231 facing the lower pole portion 211 via the gap film 22.
have. The upper pole portion 231 is made up of the upper magnetic film 23.
Of the lower surface of the projection. This structure provides, in short, a top pole portion 231 having a T-shaped cross section.

【0046】コイル膜241、242はレジストによる
コイル支持絶縁膜25によって支持されている。コイル
膜241、242はCu等の導体材料で形成されてい
る。図示はコイル膜241、242の二層構造となって
いるが、コイル膜は一層でも三層以上でもよい。
The coil films 241 and 242 are supported by the coil supporting insulating film 25 made of resist. The coil films 241 and 242 are formed of a conductor material such as Cu. Although the drawing shows a two-layer structure of the coil films 241, 242, the coil film may have one layer or three or more layers.

【0047】T型の断面を持つ上部ポール部231によ
れば、次のような効果を得ることができる。まず、記録
ポール幅PWを、上部ポール部231を構成する突起の
幅によって決定される値まで極小化し、高面密度記録を
達成するとともに、高周波再生出力特性を向上させるこ
とができる。
According to the upper pole portion 231 having the T-shaped cross section, the following effects can be obtained. First, the recording pole width PW can be minimized to a value determined by the width of the protrusions forming the upper pole portion 231, so that high areal density recording can be achieved and high frequency reproduction output characteristics can be improved.

【0048】次に、上部ポール部231は、上部磁性膜
23の下面の一部を突出させた突起で構成されているか
ら、記録ポールにおける磁界集中を高め、高周波記録特
性及び高面密度記録特性を向上させることができる。
Next, since the upper pole portion 231 is formed by a projection in which a part of the lower surface of the upper magnetic film 23 is projected, the magnetic field concentration in the recording pole is increased, and high frequency recording characteristics and high areal density recording characteristics are achieved. Can be improved.

【0049】更に、上部ポール部231を構成する突起
の幅は、上部磁性膜23の製造プロセスにおいて、フォ
トリソグラフィを主とした高精度パターン形成技術によ
って、きわめて微細に、かつ、高精度で形成できる。よ
って、極小化された記録ポール幅PWを、量産プロセス
の中で、均一に形成できる。
Further, the width of the protrusions forming the upper pole portion 231 can be formed extremely finely and highly accurately in the manufacturing process of the upper magnetic film 23 by the high precision pattern forming technique mainly including photolithography. . Therefore, the minimized recording pole width PW can be uniformly formed in the mass production process.

【0050】実施例において、基体1はAl2O3.TiC等で
なる本体部分11の表面にAl2O3またはSiO2等でなる絶
縁膜12を設け、絶縁膜12の表面上に凹部13を形成
してある。絶縁膜12は例えば10μm程度の膜厚とな
るように形成する。凹部13はイオンミリング等の手段
によって形成できる。凹部13の内面131は、適切な
アペックス角度及びスロートハイトTHが得られる角度
を付けて、立ち上がらせてある。
In the embodiment, the base 1 is provided with an insulating film 12 made of Al 2 O 3 or SiO 2 on the surface of a main body 11 made of Al 2 O 3 .TiC and the like, and a recess 13 is formed on the surface of the insulating film 12. Has been formed. The insulating film 12 is formed to have a film thickness of, for example, about 10 μm. The recess 13 can be formed by means such as ion milling. The inner surface 131 of the recess 13 is raised at an angle that provides an appropriate apex angle and throat height TH.

【0051】誘導型磁気変換素子2の下部磁性膜21
は、凹部13の内面131に付着され、更に基体1の表
面に導かれ、下部ポール部211を形成している。下部
磁性膜21は、凹部13の内面131に付着され、更に
内面131から基体1の表面に導かれて下部ポール部2
11を形成しているから、凹部13の内面131から基
体1の表面に移る部分に変曲点(パターンエッジ)21
0が生じる。
Lower magnetic film 21 of induction type magnetic conversion element 2
Are attached to the inner surface 131 of the recess 13 and are further guided to the surface of the base 1 to form the lower pole portion 211. The lower magnetic film 21 is attached to the inner surface 131 of the recess 13, and is further guided from the inner surface 131 to the surface of the base body 1 so as to reach the lower pole portion 2.
Since 11 is formed, an inflection point (pattern edge) 21 is formed at a portion where the inner surface 131 of the recess 13 moves to the surface of the base 1.
0 occurs.

【0052】ギャップ膜22は、ほぼ均一な膜厚を有し
て下部ポール部211の表面、及び、絶縁膜25の表面
に付着されている。上部磁性膜23は、ギャップ膜22
の上に積層され、ギャップ膜22を介して下部ポール部
211と対向する上部ポール部231を有し、上部ポー
ル部231の後方の接続部232において、下部磁性膜
21と磁気的に結合され、磁気回路を構成している。上
部ポール部231が、上部磁性膜23の下面の一部を突
出させた突起で構成されていることは既に述べた通りで
ある。
The gap film 22 has a substantially uniform film thickness and is attached to the surface of the lower pole portion 211 and the surface of the insulating film 25. The upper magnetic film 23 is the gap film 22.
And has an upper pole portion 231 facing the lower pole portion 211 via the gap film 22, and is magnetically coupled to the lower magnetic film 21 at a connection portion 232 at the rear of the upper pole portion 231. It constitutes a magnetic circuit. As described above, the upper pole portion 231 is formed by the protrusion that is formed by projecting a part of the lower surface of the upper magnetic film 23.

【0053】上記構造であれば、上部磁性膜23を形成
すべきギャップ膜22の表面を平坦化できる。ギャップ
膜22は上部磁性膜23を形成するためのベースとな
る。このため、上部磁性膜23を平坦なギャップ膜22
上に形成することが可能になり、その全体のパターンの
精度のみならず、その一部である上部ポール部231の
パターン精度が向上する。
With the above structure, the surface of the gap film 22 on which the upper magnetic film 23 is to be formed can be flattened. The gap film 22 serves as a base for forming the upper magnetic film 23. Therefore, the upper magnetic film 23 is replaced with the flat gap film 22.
Since it can be formed on the upper surface, not only the accuracy of the entire pattern but also the pattern accuracy of the upper pole portion 231 which is a part thereof is improved.

【0054】基体1は表面に凹部13を有し、絶縁膜2
5はコイル膜241、242を支持し凹部13内に配置
されているから、絶縁膜25のアペックス角、及び、ス
ロートハイトを、凹部13の立ち上がり面の角度、形状
及び深さ等を制御することにより、正確に制御し得る。
The substrate 1 has a concave portion 13 on the surface thereof, and the insulating film 2
Since 5 is arranged in the recess 13 to support the coil films 241, 242, it is necessary to control the apex angle and throat height of the insulating film 25, and the angle, shape and depth of the rising surface of the recess 13. Can be controlled accurately.

【0055】下部磁性膜21は、凹部13の内面131
に付着され、更に内面131から基体1の表面に導かれ
て下部ポール部211を形成しているから、凹部13の
内面131から基体1の表面に移る部分にパターンエッ
ジ210が生じる。下部ポール部211のスロートハイ
トTHは、このパターンエッジ210を基準にして、高
精度で決定できる。
The lower magnetic film 21 has an inner surface 131 of the recess 13.
Further, since the lower pole portion 211 is formed by being guided to the surface of the base body 1 from the inner surface 131, the pattern edge 210 is generated in the portion of the recess 13 that moves from the inner surface 131 to the surface of the base body 1. The throat height TH of the lower pole portion 211 can be determined with high accuracy based on this pattern edge 210.

【0056】コイル膜241、242を支持するコイル
支持絶縁膜25は、通常は、フォトレジストでなり、そ
の上に形成されるコイル膜241、242のために平坦
なコイル形成面を与えるべく、例えば250℃程度の温
度で熱処理される。この熱処理工程において、フォトレ
ジストが軟化または溶融しても、絶縁膜25は、セラミ
ックでなる基体1に設けられた凹部13内に配置されて
いるのであるから、絶縁膜25のパターンが凹部13の
パターンによって画定され、パターン変動を生じること
がない。このため、フォトレジストの熱処理に伴うパタ
ーン変動を生じる余地がなく、絶縁膜25のアペックス
角、及び、スロートハイトTHを、凹部13の立ち上が
り面の角度によって定まる正確な値に制御できるように
なると共に、スロートハイトTHの狭小化にも対応でき
るようになる。
The coil supporting insulating film 25 for supporting the coil films 241, 242 is usually made of photoresist, and is provided, for example, to provide a flat coil forming surface for the coil films 241, 242 formed thereon. Heat treatment is performed at a temperature of about 250 ° C. In this heat treatment process, even if the photoresist is softened or melted, the insulating film 25 is arranged in the concave portion 13 provided in the base body 1 made of ceramic. It is defined by the pattern and does not cause pattern variations. Therefore, there is no room for pattern variation due to the heat treatment of the photoresist, and the apex angle of the insulating film 25 and the throat height TH can be controlled to an accurate value determined by the angle of the rising surface of the recess 13. The narrowing of the throat height TH becomes possible.

【0057】下部磁性膜21は、基体1の表面に導か
れ、下部ポール部211を形成しているから、下部ポー
ル部211の形成されている基体1の表面を平坦化する
ことにより、下部ポール部211の凹凸を回避すること
ができる。この下部ポール部211の表面に、ほぼ均一
な膜厚を有するギャップ膜22を付着させ、ギャップ膜
22の上に上部磁性膜23を積層してあるから、下部ポ
ール部211の凹凸に起因する高周波特性の劣化を生じ
る余地がない。この場合、従来と異なって、下部ポール
部211を、CMP法を適用して、平坦化する工程が全
く不要であるから、工程の短縮化に寄与することができ
る。
The lower magnetic film 21 is guided to the surface of the base body 1 and forms the lower pole portion 211. Therefore, by planarizing the surface of the base body 1 on which the lower pole portion 211 is formed, the lower pole film 211 is formed. It is possible to avoid the unevenness of the portion 211. Since the gap film 22 having a substantially uniform film thickness is attached to the surface of the lower pole portion 211 and the upper magnetic film 23 is laminated on the gap film 22, the high frequency caused by the unevenness of the lower pole portion 211 is high. There is no room for characteristic deterioration. In this case, unlike the conventional case, the step of applying the CMP method to the lower pole portion 211 to flatten it is not necessary at all, which can contribute to the shortening of the step.

【0058】基体1に凹部13を設けて、その内部に下
部磁性膜21及びコイル支持絶縁膜25を配置する上記
構成は、再生素子として、MR磁気変換素子3を有する
複合型の薄膜磁気ヘッドに、特に有効なものである。こ
の場合、MR磁気変換素子3は、アルミナ等の無機絶縁
膜6を介して、上部磁性膜23の上に積層する。MR磁
気変換素子3の上には、アルミナ等の絶縁膜7を介し
て、上部シ−ルド膜4が積層されている。上部シ−ルド
膜4は、パーマロイやフェライト等の磁性材料で形成さ
れ、保護膜26により保護されている。
The above structure in which the base 1 is provided with the recess 13 and the lower magnetic film 21 and the coil supporting insulating film 25 are disposed inside the recess 13 is a composite type thin film magnetic head having the MR magnetic conversion element 3 as a reproducing element. , Especially effective. In this case, the MR magnetic conversion element 3 is laminated on the upper magnetic film 23 with the inorganic insulating film 6 such as alumina interposed therebetween. An upper shield film 4 is laminated on the MR magnetic conversion element 3 with an insulating film 7 made of alumina or the like interposed therebetween. The upper shield film 4 is made of a magnetic material such as permalloy or ferrite, and is protected by the protective film 26.

【0059】MR磁気変換素子3としては、異方性MR
素子、GMR素子または強磁性トンネル接合素子等を用
いることができる。異方性MR素子は、代表的には、Ni
-Fe、Ni-Co等の強磁性薄膜材料を用いて形成される。異
方性MR素子では、通常、入力磁界に対して直線性のよ
い検出信号を得るためバイアス磁界が加えられる。バイ
アス磁界を発生する手段として、異方性MR素子に直接
バイアス導体膜を成膜し、バイアス導体膜に流す電流に
よる発生磁界を利用してバイアスを加えるシャントバイ
アス方式、異方性MR素子に近接して薄膜永久磁石を配
置し、薄膜永久磁石の発生磁界を利用するマグネットバ
イアス方式等が知られており、本発明では、何れの構造
も採用できる。
As the MR magnetic conversion element 3, an anisotropic MR is used.
An element, a GMR element, a ferromagnetic tunnel junction element, or the like can be used. Anisotropic MR elements are typically Ni
-It is formed by using a ferromagnetic thin film material such as Fe or Ni-Co. In an anisotropic MR element, a bias magnetic field is usually applied to obtain a detection signal having good linearity with respect to an input magnetic field. As a means for generating a bias magnetic field, a bias conductor film is directly formed on an anisotropic MR element, and a shunt bias method is applied to apply a bias by using a magnetic field generated by a current flowing through the bias conductor film. Then, a magnet bias system or the like in which a thin film permanent magnet is arranged and a magnetic field generated by the thin film permanent magnet is utilized is known, and any structure can be adopted in the present invention.

【0060】GMR素子としては、スピンバルブ膜、超
格子GMR膜及びグラニュラ膜など、これまで提案さ
れ、またはこれから提案されることのあるものを用いる
ことができる。強磁性トンネル接合素子は、強磁性膜/
絶縁膜/強磁性膜の接合構造を持ち、両強磁性膜の磁化
の相対角度に依存して現れるトンネル効果を利用したも
のである。
As the GMR element, a spin valve film, a superlattice GMR film, a granular film or the like which has been proposed or may be proposed can be used. The ferromagnetic tunnel junction element is a ferromagnetic film /
It has a junction structure of an insulating film / ferromagnetic film and utilizes the tunnel effect that appears depending on the relative angle of magnetization of both ferromagnetic films.

【0061】上述したように、MR磁気変換素子3は、
誘導型磁気変換素子2の上に設けられているので、誘導
型磁気変換素子2を形成した後にMR磁気変換素子3を
形成できる。このため、MR磁気変換素子3が誘導型磁
気変換素子2の製造プロセスによる悪影響を受けること
がなくなる。
As described above, the MR magnetic conversion element 3 has
Since it is provided on the inductive magnetic conversion element 2, the MR magnetic conversion element 3 can be formed after forming the inductive magnetic conversion element 2. Therefore, the MR magnetic conversion element 3 is not adversely affected by the manufacturing process of the inductive magnetic conversion element 2.

【0062】MR磁気変換素子3として、スピンバルブ
膜、超格子膜またはグラニュラ膜などのGMR膜を用い
た場合でも、高温アニールを必要とする誘導型磁気変換
素子2のコイル膜形成は、GMR膜の形成時には既に終
了しているので、GMR膜に対して熱的ダメージを与え
るがない。このため、安定したGMR膜を有するMR磁
気変換素子3を得ることができる。
Even if a GMR film such as a spin valve film, a superlattice film or a granular film is used as the MR magnetic conversion element 3, the coil film formation of the induction type magnetic conversion element 2 which requires high temperature annealing is performed by the GMR film. Since it has already been completed at the time of formation, there is no thermal damage to the GMR film. Therefore, the MR magnetic conversion element 3 having a stable GMR film can be obtained.

【0063】しかも、平坦化された上部磁性膜23の上
で、MR磁気変換素子3を積層することができるので、
MR磁気変換素子3を、平坦な面上で正確なフォトマス
ク位置合わせを行ない、高精度で形成できる。
Moreover, since the MR magnetic conversion element 3 can be laminated on the flattened upper magnetic film 23,
The MR magnetic conversion element 3 can be formed with high accuracy by performing accurate photomask alignment on a flat surface.

【0064】更に、下部ポール部211のパターンエッ
ジ210の上に積層されているギャップ膜22、上部磁
性膜23及び絶縁膜6等は非常に薄いものであり、MR
磁気変換素子3を形成する際、下部ポール部211のパ
ターンエッジ210を、これらの積層膜を通して上側か
ら見ることができる。このため、パターンエッジ210
を基準にして、MR磁気変換素子3を形成するためのフ
ォトマスクを位置決めできる。よって、誘導型磁気変換
素子2に対するMR磁気変換素子3の相対位置を高精度
で設定し得る。
Further, the gap film 22, the upper magnetic film 23, the insulating film 6 and the like laminated on the pattern edge 210 of the lower pole portion 211 are very thin, and the MR
When forming the magnetic conversion element 3, the pattern edge 210 of the lower pole portion 211 can be seen from above through these laminated films. Therefore, the pattern edge 210
With reference to, the photomask for forming the MR magnetic conversion element 3 can be positioned. Therefore, the relative position of the MR magnetic conversion element 3 with respect to the induction type magnetic conversion element 2 can be set with high accuracy.

【0065】ギャップ膜22はほぼ均一な膜厚を有して
絶縁膜25の表面に付着されており、上部磁性膜23は
ギャップ膜22の上に積層されているから、上部磁性膜
23を平坦なギャップ膜22上で形成できる。MR磁気
変換素子3を誘導型磁気変換素子2の下側に配置してい
た従来例の場合、上部磁性膜23のポール部の付近に、
コイル膜を支持する絶縁膜の形状に起因する激しい凹凸
を生じ、そのために記録特性に重大な影響を与える上部
ポール部を、正確なパターンとなるように形成すること
が困難であった。これに対して、本発明においては、上
部磁性膜23及び上部ポール部231を平坦なギャップ
膜22上で形成できるので、上部ポール部231を正確
にパターンニングし、優れた記録特性を確保することが
できる。
Since the gap film 22 has a substantially uniform thickness and is attached to the surface of the insulating film 25, and the upper magnetic film 23 is laminated on the gap film 22, the upper magnetic film 23 is flattened. It can be formed on the gap film 22. In the case of the conventional example in which the MR magnetic conversion element 3 is arranged below the inductive magnetic conversion element 2, in the vicinity of the pole portion of the upper magnetic film 23,
It has been difficult to form the upper pole portion having an accurate pattern, which causes severe unevenness due to the shape of the insulating film that supports the coil film, and thus seriously affects the recording characteristics. On the other hand, in the present invention, since the upper magnetic film 23 and the upper pole portion 231 can be formed on the flat gap film 22, the upper pole portion 231 can be accurately patterned to ensure excellent recording characteristics. You can

【0066】次に図4〜図19を参照して、図1〜図3
に示した本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明
する。本発明に係る薄膜磁気ヘッドの構造は、これらの
製造方法の説明に用いられている図面及びその説明によ
って、更に明らかになる。
Next, referring to FIGS. 4 to 19, FIGS.
A method of manufacturing the thin film magnetic head according to the present invention shown in FIG. The structure of the thin-film magnetic head according to the present invention will be further clarified by the drawings and the description used for explaining these manufacturing methods.

【0067】まず、図4及び図5に示すように、Al2O3.
TiC等でなる本体部分11の表面にAl2O3またはSiO2等で
なる絶縁膜12を設け、絶縁膜12の表面上に凹部13
を形成する。絶縁膜12は例えば5〜10μm程度の膜
厚となるように形成する。凹部13はイオンミリング等
の手段によって、適切なアペックス角度及びスロートハ
イトが得られるように角度を付けて形成する。空気ベア
リング面10側に位置する基体1の表面には、溝15が
設けられ、後方の凸部14にも溝16が形成されてい
る。
First, as shown in FIGS. 4 and 5, Al 2 O 3 .
An insulating film 12 made of Al 2 O 3 or SiO 2 is provided on the surface of the main body 11 made of TiC or the like, and a recess 13 is formed on the surface of the insulating film 12.
To form. The insulating film 12 is formed to have a film thickness of, for example, about 5 to 10 μm. The concave portion 13 is formed by means of ion milling or the like with an angle so that an appropriate apex angle and throat height can be obtained. A groove 15 is provided on the surface of the base body 1 located on the air bearing surface 10 side, and a groove 16 is also formed on the rear convex portion 14.

【0068】次に、図6、図7に示すように、部磁性膜
21は、凹部13の内面131に付着され、更に内面1
31から基体1に形成された溝15の表面に導かれて下
部ポール部211が形成される。下部ポール部211に
おいて、凹部13の内面131から溝15の表面に移る
部分にパターンエッジ210が生じる。下部磁性膜21
は代表的にはパーマロイをスパッタ成膜することによっ
て形成できる。下部磁性膜21のうち、溝15内に付着
された部分が下部ポール部211となり、凹部13の内
面131に付された部分がヨーク部分となり、溝16に
付された部分が上部磁性膜(後述)との接続部分とな
る。下部ポール部211のポール幅PWは、溝15の幅
によって正確に定まる。このため、最終的に得られる記
録ポール幅を、溝15の幅によって決定される値まで極
小化し、高面密度記録を達成するとともに、高周波再生
出力特性を向上させることができる。
Next, as shown in FIGS. 6 and 7, the partial magnetic film 21 is attached to the inner surface 131 of the recess 13, and further the inner surface 1
The lower pole portion 211 is formed by being guided from 31 to the surface of the groove 15 formed in the base body 1. In the lower pole portion 211, a pattern edge 210 is formed at a portion where the inner surface 131 of the recess 13 moves to the surface of the groove 15. Lower magnetic film 21
Can be typically formed by sputtering permalloy. Of the lower magnetic film 21, the portion attached to the groove 15 becomes the lower pole portion 211, the portion attached to the inner surface 131 of the recess 13 becomes the yoke portion, and the portion attached to the groove 16 is the upper magnetic film (described later). ) And the connection part. The pole width PW of the lower pole portion 211 is accurately determined by the width of the groove 15. Therefore, the finally obtained recording pole width can be minimized to a value determined by the width of the groove 15, high surface density recording can be achieved, and high frequency reproduction output characteristics can be improved.

【0069】この後、溝15内に位置する下部ポール部
211の表面をエッチングして、下部ポール部211の
表面と基体1の表面との間に段差g1を生じさせる。図
6及び図7はエッチング工程終了後の様子を示してい
る。エッチング方法として、イオンミリングが用いられ
るほか、アルゴンプラズマによるスパッタエッチング等
を用いることもできる。
After that, the surface of the lower pole portion 211 located in the groove 15 is etched to form a step g1 between the surface of the lower pole portion 211 and the surface of the base 1. 6 and 7 show a state after the etching process is completed. As the etching method, besides ion milling, sputter etching using argon plasma or the like can be used.

【0070】次に、図8に示すように、凹部13の内部
に、コイル膜241、242を支持した絶縁膜25を充
填する。絶縁膜25は凹部13のエッジよりは高くなら
ないように形成する。そのような手段としては、レジス
トエッチバック法を採用することができる。
Next, as shown in FIG. 8, the inside of the recess 13 is filled with the insulating film 25 supporting the coil films 241 and 242. The insulating film 25 is formed so as not to be higher than the edge of the recess 13. As such means, a resist etch back method can be adopted.

【0071】絶縁膜25はフォトレジスト膜でなる。コ
イル膜241、242の形成プロセスは従来と異なると
ころはない。コイル膜241、242の形成に当たって
は、コイル形成面の平坦化のために、200〜250℃
程度の熱処理をする。また、絶縁膜25は、半導体の平
坦化技術で多く用いられているSOG(Spin on Glass)
法を用いて形成してもよいし、あるいはCVD法で形成
したシリコン酸化膜や窒化膜であってもよい。
The insulating film 25 is a photoresist film. The process of forming the coil films 241 and 242 is no different from the conventional process. In forming the coil films 241, 242, the temperature is 200 to 250 ° C. in order to flatten the coil forming surface.
Heat it for a while. Further, the insulating film 25 is SOG (Spin on Glass) which is often used in the semiconductor flattening technology.
Method, or a silicon oxide film or a nitride film formed by a CVD method.

【0072】絶縁膜25のパターンは凹部13のパター
ンによって画定され、パターン変動を生じることがな
い。このため、フォトレジストの熱処理に伴うパターン
変動を生じる余地がなく、絶縁膜25のアペックス角
度、及び、スロートハイトTHを、凹部13の立ち上が
り面131の角度によって定まる正確な値に制御できる
ようになると共に、スロートハイトTHの狭小化にも対
応できるようになる。コイル膜241、242の形成時
にミリング等によるパターンニング処理が行なわれた場
合でも、絶縁膜25にパターン変動が生じる余地がな
い。
The pattern of the insulating film 25 is defined by the pattern of the concave portion 13 and does not cause a pattern variation. Therefore, there is no room for pattern variation due to the heat treatment of the photoresist, and the apex angle of the insulating film 25 and the throat height TH can be controlled to an accurate value determined by the angle of the rising surface 131 of the recess 13. At the same time, it becomes possible to cope with the narrowing of the throat height TH. Even if patterning processing such as milling is performed when forming the coil films 241, 242, there is no room for the pattern variation in the insulating film 25.

【0073】次に、図9、図10に示すように、下部ポ
ール部211の表面、及び、絶縁膜25の表面に、ほぼ
均一な膜厚となるように、ギャップ膜22を付着させ
る。ギャップ膜22は代表的にはAl2O3でなり、例えば
1000〜2000オングストロームの膜厚となるよう
に付着させる。アルミナの他、シリコン酸化膜や、シリ
コン窒化膜を用いてもよい。
Next, as shown in FIGS. 9 and 10, the gap film 22 is attached to the surface of the lower pole portion 211 and the surface of the insulating film 25 so as to have a substantially uniform film thickness. The gap film 22 is typically made of Al 2 O 3 , and is attached so as to have a film thickness of, for example, 1000 to 2000 Å. Other than alumina, a silicon oxide film or a silicon nitride film may be used.

【0074】ここで、ギャップ膜22は、下部ポール部
211の上では、段差g1に応じた段差g2が生じるよ
うに付着させる。このような段差g2は、段差g1に対
するギャップ膜22の膜厚を適切に選択することによっ
て得ることができる。
Here, the gap film 22 is attached on the lower pole portion 211 so that a step g2 corresponding to the step g1 is produced. Such a step g2 can be obtained by appropriately selecting the film thickness of the gap film 22 with respect to the step g1.

【0075】次に、図11に示すように、凸部14の上
おいて、上部磁性膜を結合させるためのスルーホール2
20を、ギャップ膜22に設ける。
Next, as shown in FIG. 11, the through hole 2 for coupling the upper magnetic film is provided on the convex portion 14.
20 is provided on the gap film 22.

【0076】次に図12、図13に示すように、ギャッ
プ膜22の上から、上部磁性膜23を付着させる。上部
磁性膜23は、ギャップ膜22に付された段差g2を埋
めるように形成され、それによって、上部磁性膜23の
下面の一部を突出させた突起でなる上部ポール部231
が形成される。上部ポール部231はギャップ膜22を
介して下部ポール部211と対向し、それによって変換
ギャップが形成される。
Next, as shown in FIGS. 12 and 13, an upper magnetic film 23 is deposited on the gap film 22. The upper magnetic film 23 is formed so as to fill the step g2 formed on the gap film 22, and as a result, the upper pole portion 231 which is a protrusion formed by projecting a part of the lower surface of the upper magnetic film 23.
Is formed. The upper pole portion 231 faces the lower pole portion 211 via the gap film 22, and thereby a conversion gap is formed.

【0077】上述のように、上部ポール部231は、ギ
ャップ膜22に付された段差g2を埋めるように形成さ
れ、上部磁性膜23の下面の一部を突出させた突起とし
て形成されるので、記録ポール幅を、溝15の幅によっ
て決定される値まで極小化し、高面密度記録を達成する
とともに、高周波再生出力特性を向上させることができ
る。
As described above, since the upper pole portion 231 is formed so as to fill the step g2 formed on the gap film 22 and is formed as a projection in which a part of the lower surface of the upper magnetic film 23 is projected, The recording pole width can be minimized to a value determined by the width of the groove 15, high area density recording can be achieved, and high frequency reproduction output characteristics can be improved.

【0078】上部磁性膜23の後方に位置する接続部2
32は、スルーホール220を通して、下部磁性膜21
の後方に結合され、これによって、下部磁性膜21及び
上部磁性膜23による磁気回路が完成する。ここで、上
部磁性膜23は、ギャップ膜22によって平坦化された
面上に形成できるので、フォトリソグラフィによるパタ
ーン形成がきわめて高精度で実行できる。
The connecting portion 2 located behind the upper magnetic film 23.
Reference numeral 32 denotes a lower magnetic film 21 through the through hole 220.
Of the lower magnetic film 21 and the upper magnetic film 23 to complete the magnetic circuit. Here, since the upper magnetic film 23 can be formed on the surface flattened by the gap film 22, the pattern formation by photolithography can be performed with extremely high accuracy.

【0079】次に、図14、図15に示すように、上部
磁性膜23の上にシールドギャップ膜6を形成した後、
シールドギャップ膜6の上にMR磁気変換素子3を、フ
ォトリソグラフィの適用によって形成する。MR磁気変
換素子3をフォトリソグラフィによって形成する場合、
下部ポール部211のパターンエッジ210をターゲッ
トとして利用できる。パターンエッジ210は、誘導型
磁気変換素子2のスロートハイトTHを決める基準とな
っているから、パターンエッジ210を仲介として、誘
導型磁気変換素子2と、MR磁気変換素子3とを正確に
位置決めすることができる。
Next, as shown in FIGS. 14 and 15, after forming the shield gap film 6 on the upper magnetic film 23,
The MR magnetic conversion element 3 is formed on the shield gap film 6 by applying photolithography. When the MR magnetic conversion element 3 is formed by photolithography,
The pattern edge 210 of the lower pole portion 211 can be used as a target. Since the pattern edge 210 serves as a reference for determining the throat height TH of the inductive magnetic conversion element 2, the inductive magnetic conversion element 2 and the MR magnetic conversion element 3 are accurately positioned with the pattern edge 210 as an intermediary. be able to.

【0080】次に、図16、図17に示すように、MR
磁気変換素子3の上に、例えばアルミナ膜などでなる膜
厚1000〜2000オングストロームのシールドギャ
ップ膜7を積層する。
Next, as shown in FIG. 16 and FIG.
A shield gap film 7 made of, for example, an alumina film and having a film thickness of 1000 to 2000 angstrom is laminated on the magnetic conversion element 3.

【0081】次に、図18、図19に示すように、シー
ルドギャップ膜7の上に、例えばパーマロイでなるシー
ルド膜4を形成する。この後、アルミナなどでなる保護
膜25(図1〜図4参照)を付着させる。この後、切
断、研磨加工など、通常の磁気ヘッド製造工程を経て、
薄膜磁気ヘッドが得られる。
Next, as shown in FIGS. 18 and 19, the shield film 4 made of, for example, permalloy is formed on the shield gap film 7. After that, a protective film 25 made of alumina or the like (see FIGS. 1 to 4) is attached. After this, through the usual magnetic head manufacturing processes such as cutting and polishing,
A thin film magnetic head is obtained.

【0082】MR磁気変換素子3は、膜ストレスに起因
するMR変化率の変動や、狭トラック面を形成する際の
加工研磨ストレスに起因する特性変動を招くことがある
ので、保護膜25を、シリコン酸化膜とアルミナ膜との
組み合わせ、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜との組み
合わせ、あるいは、半導体パッシバション膜で多く使用
されているリンやボロンがドープされているシリコン酸
化膜もしくはアルミナ膜の組み合わせによって構成して
もよい。
The MR magnetic transducer 3 may cause a change in MR change rate due to film stress and a characteristic change due to processing polishing stress when forming a narrow track surface. Composed of a combination of a silicon oxide film and an alumina film, a combination of a silicon oxide film and a silicon nitride film, or a combination of a silicon oxide film or an alumina film doped with phosphorus or boron that is often used in semiconductor passivation films. You may.

【0083】図20は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの更
に別の実施例を示す断面図、図21は図20に示した薄
膜磁気ヘッドの拡大断面図である。図において、図1〜
図19と同一の構成部分については同一の参照符号を付
し、説明は省略する。この実施例では、絶縁膜25は、
表面が下部ポール部211の表面よりも低い位置にあ
る。絶縁膜25の表面と下部ポール部211の表面との
間に発生する段差d1を埋めるように、無機絶縁膜10
0が充填されており、下部ポール部211の表面及び無
機絶縁膜100の表面にギャップ膜22が付着されてい
る。無機絶縁膜100はギャップ膜22と同質の材料、
例えばAl23またはSiO2等を用いることができ
る。この実施例の利点は、絶縁膜25の表面が下部ポー
ル部211の表面よりも低い位置にあるため、スロート
ハイトTHの基準及びMR磁気変換素子3のフォトマス
ク位置合わせ基準になるパターンエッジ210が、より
鮮明になることである。
FIG. 20 is a sectional view showing still another embodiment of the thin film magnetic head according to the present invention, and FIG. 21 is an enlarged sectional view of the thin film magnetic head shown in FIG. In the figure,
The same components as those in FIG. 19 are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted. In this embodiment, the insulating film 25 is
The surface is lower than the surface of the lower pole portion 211. The inorganic insulating film 10 is formed so as to fill the step d1 generated between the surface of the insulating film 25 and the surface of the lower pole portion 211.
0 is filled, and the gap film 22 is attached to the surface of the lower pole portion 211 and the surface of the inorganic insulating film 100. The inorganic insulating film 100 is made of the same material as the gap film 22,
For example, Al 2 O 3 or SiO 2 can be used. The advantage of this embodiment is that the surface of the insulating film 25 is located lower than the surface of the lower pole portion 211, so that the pattern edge 210 serving as the reference of the throat height TH and the photomask alignment reference of the MR magnetic conversion element 3 is , To be clearer.

【0084】次に図22〜図39を参照して、図20、
図21に示した本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法
を説明する。
Next, referring to FIGS. 22 to 39, FIG.
A method of manufacturing the thin film magnetic head according to the present invention shown in FIG. 21 will be described.

【0085】まず、図22及び図23に示すように、Al
2O3.TiC等でなる本体部分11の表面にAl2O3またはSiO2
等でなる絶縁膜12を設け、絶縁膜12の表面上に凹部
13を形成する。
First, as shown in FIGS. 22 and 23, Al
Al 2 O 3 or SiO 2 on the surface of the main body 11 made of 2 O 3 .TiC or the like.
And the like, and the recess 13 is formed on the surface of the insulating film 12.

【0086】次に、図24、図25に示すように、凹部
13の内面131及び基体1の表面上に下部磁性膜21
を付着させる。
Next, as shown in FIGS. 24 and 25, the lower magnetic film 21 is formed on the inner surface 131 of the recess 13 and the surface of the substrate 1.
Attach.

【0087】次に、図26に示すように、凹部13の内
部にコイル膜241、242を支持した絶縁膜25を充
填する。絶縁膜25は、下部ポール部211の表面より
も、下部磁性膜21の厚みd1分だけ低くなるように形
成する。
Next, as shown in FIG. 26, the inside of the recess 13 is filled with the insulating film 25 supporting the coil films 241 and 242. The insulating film 25 is formed to be lower than the surface of the lower pole portion 211 by the thickness d1 of the lower magnetic film 21.

【0088】次に、図27、図28に示すように、絶縁
膜25の表面と下部ポール部211の表面との間に発生
する段差d1よりも大きな膜厚を有して、下部ポール部
211及び絶縁膜25を覆うように、無機絶縁膜100
を形成する。
Next, as shown in FIGS. 27 and 28, the lower pole portion 211 has a film thickness larger than the step d1 generated between the surface of the insulating film 25 and the surface of the lower pole portion 211. And the inorganic insulating film 100 so as to cover the insulating film 25.
To form.

【0089】次に図29、図30に示すように、無機絶
縁膜100の表面を研磨して下部ポール部211の表面
にほぼ一致するように平坦化する。この平坦化は、CM
P法を適用することによって行なうことができる。
Next, as shown in FIGS. 29 and 30, the surface of the inorganic insulating film 100 is polished to be flattened so as to substantially coincide with the surface of the lower pole portion 211. This flattening is CM
This can be done by applying the P method.

【0090】次に、図31、図32に示すように、下部
ポール部211の表面をエッチングして、下部ポール部
211の表面と基体1の表面との間に段差g1を生じさ
せる。エッチング方法として、前述したように、イオン
ミリングが用いられるほか、アルゴンプラズマによるス
パッタエッチング等を用いることもできる。
Next, as shown in FIGS. 31 and 32, the surface of the lower pole portion 211 is etched to form a step g1 between the surface of the lower pole portion 211 and the surface of the substrate 1. As described above, as the etching method, ion milling may be used, or sputter etching using argon plasma may be used.

【0091】次に、図33、34に示すように、無機絶
縁膜100の上に、ギャップ膜22を付着させる。ギャ
ップ膜22は、下部ポール部211の上では、段差g1
に応じた段差g2が生じるように付着させる。ギャップ
膜22は代表的にはAl2O3でなる。アルミナの他、シリ
コン酸化膜や、シリコン窒化膜を用いてもよい。
Next, as shown in FIGS. 33 and 34, the gap film 22 is attached on the inorganic insulating film 100. The gap film 22 has a step g1 above the lower pole portion 211.
It is attached so that a step g2 corresponding to The gap film 22 is typically made of Al 2 O 3 . Other than alumina, a silicon oxide film or a silicon nitride film may be used.

【0092】次に、図35、図36に示すように、ギャ
ップ膜22の上に上部磁性膜23を付着させる。上部磁
性膜23は、ギャップ膜22に付された段差g2を埋め
るように形成され、それによって、上部磁性膜23の下
面の一部を突出させた突起でなる上部ポール部231が
形成される。上部ポール部231はギャップ膜22を介
して下部ポール部211と対向し、それによって変換ギ
ャップが形成される。記録ポール幅は、上部ポール部2
31の突起の幅まで極小化される。このため、高面密度
記録を達成するとともに、高周波再生出力特性を向上さ
せることができる。
Next, as shown in FIGS. 35 and 36, the upper magnetic film 23 is deposited on the gap film 22. The upper magnetic film 23 is formed so as to fill the step g2 formed on the gap film 22, thereby forming the upper pole portion 231 which is a projection obtained by projecting a part of the lower surface of the upper magnetic film 23. The upper pole portion 231 faces the lower pole portion 211 via the gap film 22, and thereby a conversion gap is formed. The width of the recording pole is the upper pole 2
The width of the protrusion 31 is minimized. Therefore, it is possible to achieve high surface density recording and improve high frequency reproduction output characteristics.

【0093】また、上部磁性膜23は上部ポール部23
1の後方の接続部において、スルーホール220を通し
て、下部磁性膜21と磁気的に結合される。ここで、上
部磁性膜23は、ギャップ膜22によって平坦化された
面上に形成できるので、フォトリソグラフィによるパタ
ーン形成がきわめて高精度で実行できる。
The upper magnetic film 23 is the upper pole portion 23.
1 is magnetically coupled to the lower magnetic film 21 through the through hole 220 at the connection portion at the rear of 1. Here, since the upper magnetic film 23 can be formed on the surface flattened by the gap film 22, the pattern formation by photolithography can be performed with extremely high accuracy.

【0094】この後の工程は、図14〜図19に示した
通りであり、それによって図20、図21に示した構造
の薄膜磁気ヘッドが得られる。
The subsequent steps are as shown in FIGS. 14 to 19, whereby the thin film magnetic head having the structure shown in FIGS. 20 and 21 is obtained.

【0095】図20及び図21に示した薄膜磁気ヘッド
は、更に、図37〜図51に示した製造方法によっても
製造することができる。
The thin film magnetic head shown in FIGS. 20 and 21 can also be manufactured by the manufacturing method shown in FIGS. 37 to 51.

【0096】まず図37、図38に示すように、既に説
明した手段に従って、基体1の表面に凹部13を形成す
る。
First, as shown in FIGS. 37 and 38, the recess 13 is formed on the surface of the substrate 1 by the means already described.

【0097】次に図39、図40に示すように、凹部1
3及び基体1の表面上に下部磁性膜21を付着させ、下
部磁性膜21の少なくとも下部ポール部211の表面
に、下部磁性膜21とは材質が異なり、かつ、下部磁性
膜21との間で選択エッチングの可能な金属膜200を
形成する。選択エッチングの可能な金属膜200として
は、下部磁性膜21がパーマロイで構成された場合、モ
リブデンを挙げることができる。モリブデンのほか、T
i、TiN、Ta、Ni等を用いてもよい。
Next, as shown in FIGS. 39 and 40, the recess 1
3 and the lower magnetic film 21 on the surface of the base 1, and at least the surface of the lower pole portion 211 of the lower magnetic film 21 is made of a material different from that of the lower magnetic film 21 and between the lower magnetic film 21 and the lower magnetic film 21. A metal film 200 that can be selectively etched is formed. An example of the metal film 200 that can be selectively etched is molybdenum when the lower magnetic film 21 is made of permalloy. In addition to molybdenum, T
You may use i, TiN, Ta, Ni, etc.

【0098】次に、図41に示すように、凹部13の内
部に、コイル膜241、242を支持したコイル支持絶
縁膜25を充填する。
Next, as shown in FIG. 41, the inside of the recess 13 is filled with the coil supporting insulating film 25 supporting the coil films 241 and 242.

【0099】次に、図42、図43に示すように、基体
1の表面、下部ポール部211上の金属膜200の表面
及びコイル支持絶縁膜25の表面に無機絶縁膜100を
付着させる。
Next, as shown in FIGS. 42 and 43, the inorganic insulating film 100 is attached to the surface of the substrate 1, the surface of the metal film 200 on the lower pole portion 211, and the surface of the coil supporting insulating film 25.

【0100】次に、図44、45に示すように、無機絶
縁膜100の表面を、金属膜200の表面が露出するま
でエッチングする。下部磁性膜21がパーマロイで構成
された場合、金属膜200がモリブデンでなる場合は前
述したように、フレオン系ドライエッチングによって、
金属膜200を選択的にエッチングを行なうことができ
る。
Next, as shown in FIGS. 44 and 45, the surface of the inorganic insulating film 100 is etched until the surface of the metal film 200 is exposed. When the lower magnetic film 21 is made of permalloy and the metal film 200 is made of molybdenum, as described above, by the Freon-based dry etching,
The metal film 200 can be selectively etched.

【0101】上述のようにして、金属膜200を選択的
にエッチングすることにより、図46、図47に示すよ
うに、下部ポール部211を露出させ、下部ポール部2
11の表面と無機絶縁膜100の表面との間に、金属膜
200の除去による段差g1を生じさせる。
By selectively etching the metal film 200 as described above, the lower pole portion 211 is exposed and the lower pole portion 2 is exposed, as shown in FIGS.
A step g1 is formed between the surface of the metal film 11 and the surface of the inorganic insulating film 100 by removing the metal film 200.

【0102】次に、図48、図49に示すように、下部
ポール部211、及び、コイル支持絶縁膜25の表面を
覆うギャップ膜22を付着させる。ギャップ膜22は、
下部ポール部211の上では、段差g1に応じた段差g
2が生じるように付着させる。
Next, as shown in FIGS. 48 and 49, the gap film 22 covering the lower pole portion 211 and the surface of the coil supporting insulating film 25 is attached. The gap film 22 is
On the lower pole portion 211, a step g corresponding to the step g1
Attach so that 2 results.

【0103】次に、図50、図51に示すように、ギャ
ップ膜22の上に上部磁性膜23を積層する。上部磁性
膜23は、ギャップ膜22に付された段差g2を埋める
ように形成され、それによって、上部磁性膜23の下面
の一部を突出させた突起でなる上部ポール部231が形
成される。上部ポール部231は、ギャップ膜22に付
された段差g2内に位置して下部ポール部211と対向
する。また、上部磁性膜23は上部ポール部231の後
方の接続部において、下部磁性膜21と磁気的に結合さ
れる。
Next, as shown in FIGS. 50 and 51, the upper magnetic film 23 is laminated on the gap film 22. The upper magnetic film 23 is formed so as to fill the step g2 formed on the gap film 22, thereby forming the upper pole portion 231 which is a projection obtained by projecting a part of the lower surface of the upper magnetic film 23. The upper pole portion 231 is located in the step g2 attached to the gap film 22 and faces the lower pole portion 211. In addition, the upper magnetic film 23 is magnetically coupled to the lower magnetic film 21 at the connection portion behind the upper pole portion 231.

【0104】この後の工程は、図14〜図19に示した
通りであり、それによって図20、図21に示した構造
の薄膜磁気ヘッドが得られる。
The subsequent steps are as shown in FIGS. 14 to 19, whereby the thin film magnetic head having the structure shown in FIGS. 20 and 21 is obtained.

【0105】図52は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの更
に別の実施例を示す断面図、図53は図52の53ー5
3線に沿った断面図である。図において、先に示した図
面と同一の構成部分には同一の参照符号を付してある。
実施例において、溝15は、相対する側端縁が上方に向
かって開く傾斜面となっている。かかる構成によると、
極小化された記録ポール幅を得る場合、拡張された溝の
開口部を通して、上部磁性膜23を、ギャップ膜22上
に付着させることができる。このため、極小化された記
録ポール幅を均一に形成できる。次に、この点につい
て、製造方法を参照して具体的に説明する。
FIG. 52 is a sectional view showing still another embodiment of the thin film magnetic head according to the present invention, and FIG. 53 is 53-5 of FIG.
It is sectional drawing which followed the 3 line. In the drawings, the same components as those shown in the previous drawings are designated by the same reference numerals.
In the embodiment, the groove 15 has an inclined surface whose opposite side edges open upward. According to this configuration,
To obtain the minimized recording pole width, the upper magnetic film 23 can be attached onto the gap film 22 through the opening of the expanded groove. Therefore, the minimized recording pole width can be formed uniformly. Next, this point will be specifically described with reference to the manufacturing method.

【0106】図54〜図62は図52、図53に示した
薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す図である。まず、図5
4及び図55に示すように、下部ポール部211の表面
をエッチングして、実質的に基体1の一部を構成する無
機絶縁膜100の表面との間に段差g1を生じさせた
後、図56に示すように、段差を生じている両側端縁を
エッチングして、上方に向かって開く傾斜面101、1
02を形成する。
54 to 62 are views showing a method of manufacturing the thin film magnetic head shown in FIGS. 52 and 53. First, FIG.
4 and FIG. 55, after the surface of the lower pole portion 211 is etched to form a step g1 between the surface of the inorganic insulating film 100 that substantially forms a part of the base body 1, As shown by 56, both side edges having a step are etched to open upward, inclined surfaces 101, 1
02 is formed.

【0107】次に、図57、図58に示すように、無機
絶縁膜100の上に、ギャップ膜22を付着させる。ギ
ャップ膜22は、下部ポール部211の上では、段差g
1に応じた段差g2が生じるように付着させる。ギャッ
プ膜22の詳細については、既に述べた。
Next, as shown in FIGS. 57 and 58, the gap film 22 is deposited on the inorganic insulating film 100. The gap film 22 has a step g on the lower pole portion 211.
It is attached so that a step g2 corresponding to 1 is generated. The details of the gap film 22 have already been described.

【0108】次に、図59、図60に示すように、ギャ
ップ膜22の上に上部磁性膜23を付着させる。上部磁
性膜23の上部ポール部231はギャップ膜22を介し
て下部ポール部211と対向し、それによって変換ギャ
ップが形成される。この場合、上部磁性膜23は、傾斜
面101、102によって拡張された開口部を通して、
上ギャップ膜22上に付着させることができる。このた
め、極小化された記録ポール幅を均一に形成できる。
Next, as shown in FIGS. 59 and 60, the upper magnetic film 23 is deposited on the gap film 22. The upper pole portion 231 of the upper magnetic film 23 faces the lower pole portion 211 with the gap film 22 in between, thereby forming a conversion gap. In this case, the upper magnetic film 23 passes through the opening expanded by the inclined surfaces 101 and 102,
It can be attached on the upper gap film 22. Therefore, the minimized recording pole width can be formed uniformly.

【0109】この後、図61、図62に示すように、上
部磁性膜23の表面を平坦化する。この後の工程は、図
14〜図19に示した通りであり、それによって図5
2、図53に示した構造の薄膜磁気ヘッドが得られる。
Thereafter, as shown in FIGS. 61 and 62, the surface of the upper magnetic film 23 is flattened. Subsequent steps are as shown in FIGS.
2, a thin film magnetic head having the structure shown in FIG. 53 is obtained.

【0110】図63は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの更
に別の実施例を示す断面図、図64は図63の64ー6
4線に沿った断面図である。先に示した実施例と同一の
構成部分には同一の参照符号を付し、説明は省略する。
この実施例の特徴は、上部ポール部231が、飽和磁束
密度の異なる複数の磁性膜233、234でなることで
ある。複数の磁性膜233、234の少なくとも一つ
は、飽和磁束密度が他の膜よりも高い磁性材料(Hiー
Bs材)を用いる。特に好ましくは、飽和磁束密度の高
い磁性膜233は、ギャップ膜22に隣接して設けられ
る。
FIG. 63 is a cross-sectional view showing still another embodiment of the thin film magnetic head according to the present invention, and FIG. 64 is 64-6 of FIG.
It is sectional drawing which followed the 4 line. The same components as those of the above-described embodiment are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
The feature of this embodiment is that the upper pole portion 231 is composed of a plurality of magnetic films 233 and 234 having different saturation magnetic flux densities. At least one of the plurality of magnetic films 233 and 234 uses a magnetic material (Hi-Bs material) having a higher saturation magnetic flux density than other films. Particularly preferably, the magnetic film 233 having a high saturation magnetic flux density is provided adjacent to the gap film 22.

【0111】かかる構成によると、極小化された記録ポ
ールにおいて、磁界集中を高め、高周波記録特性及び高
面密度記録特性を向上させることができる。磁性膜23
3を構成するのに適したHiーBs材としては、磁性膜
234を通常組成のパーマロイによって構成した場合、
Niー50%、Feー50%の比率のパーマロイを用いることができ
る。実施例とは異なって、下部磁性膜21または上部磁
性膜23及び下部磁性膜21の両者を、HiーBs材を
含む積層膜構造としてもよい。
With such a structure, it is possible to enhance the magnetic field concentration and improve the high frequency recording characteristics and the high areal density recording characteristics in the miniaturized recording pole. Magnetic film 23
As a Hi-Bs material suitable for forming No. 3, when the magnetic film 234 is made of permalloy having a normal composition,
Permalloy having a ratio of Ni-50% and Fe-50% can be used. Unlike the embodiment, both the lower magnetic film 21 or both the upper magnetic film 23 and the lower magnetic film 21 may have a laminated film structure containing a Hi-Bs material.

【0112】図65〜図73は図63、図64に示した
薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す図である。既に説明し
た工程に従って、図65及び図66に示すように、下部
ポール部211の表面をエッチングして、無機絶縁膜1
00の表面との間に段差g1を生じさせる。
65 to 73 are views showing a method of manufacturing the thin film magnetic head shown in FIGS. 63 and 64. According to the steps already described, as shown in FIGS. 65 and 66, the surface of the lower pole portion 211 is etched to form the inorganic insulating film 1
A step difference g1 is generated between the surface of No. 00 and the surface of No. 00.

【0113】次に、図67、図68に示すように、無機
絶縁膜100及び下部ポール部211の上に、ギャップ
膜22を付着させる。ギャップ膜22は、下部ポール部
211の上では、段差g1に応じた段差g2が生じるよ
うに付着させる。ギャップ膜22の詳細については、既
に述べた。
Next, as shown in FIGS. 67 and 68, the gap film 22 is attached on the inorganic insulating film 100 and the lower pole portion 211. The gap film 22 is attached on the lower pole portion 211 so that a step g2 corresponding to the step g1 is generated. The details of the gap film 22 have already been described.

【0114】次に、図69、図70に示すように、ギャ
ップ膜22の上に第1の上部磁性膜233を積層する。
Next, as shown in FIGS. 69 and 70, a first upper magnetic film 233 is laminated on the gap film 22.

【0115】次に、図71、図72に示すように、第1
の上部磁性膜233の表面をエッチングする。このエッ
チングは、第1の上部磁性膜233が溝15内にのみ残
るように行なう。また、エッチング手段としては、ミリ
ングまたはアルゴンプラズマによるスパッタエッチ等を
採用することができる。
Next, as shown in FIGS. 71 and 72, the first
The surface of the upper magnetic film 233 is etched. This etching is performed so that the first upper magnetic film 233 remains only in the groove 15. Further, as the etching means, milling or sputter etching using argon plasma can be adopted.

【0116】上記エッチング工程を経ることにより、溝
15内に付着されている第1の上部磁性膜233の上部
ポール部が、ギャップ膜22を介して下部ポール部21
1と対向するようになる。
Through the above etching process, the upper pole portion of the first upper magnetic film 233 attached in the groove 15 is changed to the lower pole portion 21 via the gap film 22.
It comes to face 1.

【0117】次に、図73に示すように、第1の上部磁
性膜233の上に、第1の上部磁性膜とは飽和磁束密度
の異なる第2の上部磁性膜234を付着させる。この後
の工程は、既に述べた通りであり、それによって図6
3、図64に示した構造の薄膜磁気ヘッドが得られる。
Next, as shown in FIG. 73, a second upper magnetic film 234 having a saturation magnetic flux density different from that of the first upper magnetic film 233 is deposited on the first upper magnetic film 233. Subsequent steps are as previously described, whereby FIG.
3. A thin film magnetic head having the structure shown in FIG. 64 is obtained.

【0118】図74は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの更
に別の実施例を示す断面図である。実施例において、先
に示した実施例と同一の構成部分には、同一の参照符号
を付してある。この実施例の特徴は、凹部13が本体部
分11に形成されており、絶縁膜12は、凹部13の内
面及び本体部分11の表面に、その形状を保存して付着
されていることである。従って、絶縁膜12の膜厚が先
に説明した実施例と比較して著しく薄くなる。このた
め、放熱性が向上する。
FIG. 74 is a sectional view showing still another embodiment of the thin film magnetic head according to the present invention. In the embodiment, the same components as those in the above-described embodiment are designated by the same reference numerals. The feature of this embodiment is that the concave portion 13 is formed in the main body portion 11, and the insulating film 12 is attached to the inner surface of the concave portion 13 and the surface of the main body portion 11 while preserving its shape. Therefore, the film thickness of the insulating film 12 becomes remarkably thin as compared with the above-described embodiments. Therefore, heat dissipation is improved.

【0119】説明及び図示は省略するが、実施例の多様
な組み合わせが可能であることは言うまでもない。
Although description and illustration are omitted, it goes without saying that various combinations of the embodiments are possible.

【0120】[0120]

【発明の効果】以上述べたように、本発明に係る薄膜磁
気ヘッドによれば、次のような効果が得られる。 (a)記録ポール幅を極小化し、高面密度記録を達成す
るとともに、高周波再生出力特性を向上させ得る薄膜磁
気ヘッドを提供することができる。 (b)製造プロセスにおいて、記録ポール幅を極小化す
るのに適した構造を持つ薄膜磁気ヘッドを提供すること
ができる。 (c)極小化された記録ポール幅を均一に形成できる構
造を有する薄膜磁気ヘッドを提供することができる。 (d)記録ポールにおける磁界集中を高め、高周波記録
特性及び高面密度記録特性を向上させた薄膜磁気ヘッド
を提供することができる。 (e)再生素子をMR磁気変換素子によって構成し、記
録素子を誘導型磁気変換素子によって構成した複合型で
あって、記録ポール幅を極小化するのに適した構造を持
つ薄膜磁気ヘッドを提供することができる。 (f)MR磁気変換素子が磁気変換素子の製造プロセス
による悪影響を受けることのない複合型薄膜磁気ヘッド
を提供することができる。 (g)MR磁気変換素子として、スピンバルブ膜、超格
子膜またはグラニュラ膜などGMR膜を用いた場合、G
MR膜に対して熱的ダメージを与えることのない高面記
録密度用複合型薄膜磁気ヘッドを提供することができ
る。 (h)アペックス角及びポール部のスロートハイトを正
確に制御し得る複合型薄膜磁気ヘッドを提供することが
できる。 (i)誘導型磁気変換素子のスロートハイトと、MR磁
気変換素子のMRハイトとを、高精度で設定し得る複合
型薄膜磁気ヘッドを提供することができる。 (j)フォトレジストの熱処理に伴うパターン変動をな
くし、スロートハイトの狭小化に対応できる高周波数用
複合型薄膜磁気ヘッドを提供することができる。 (k)CMP法を適用することなく、平坦な下部ポール
部を形成でき、下部ポール部の凹凸に起因する高周波特
性の劣化を生じることのない複合型薄膜磁気ヘッドを提
供することができる。
As described above, according to the thin film magnetic head of the present invention, the following effects can be obtained. (A) It is possible to provide a thin film magnetic head that can minimize the recording pole width to achieve high areal density recording and improve high frequency reproduction output characteristics. (B) It is possible to provide a thin film magnetic head having a structure suitable for minimizing the recording pole width in the manufacturing process. (C) It is possible to provide a thin film magnetic head having a structure capable of uniformly forming a minimized recording pole width. (D) It is possible to provide a thin film magnetic head in which the magnetic field concentration in the recording pole is increased and the high frequency recording characteristics and the high areal density recording characteristics are improved. (E) A composite type thin-film magnetic head having a structure in which a reproducing element is composed of an MR magnetic conversion element and a recording element is composed of an inductive magnetic conversion element, and which has a structure suitable for minimizing a recording pole width. can do. (F) It is possible to provide a composite type thin film magnetic head in which the MR magnetic conversion element is not adversely affected by the manufacturing process of the magnetic conversion element. (G) When a GMR film such as a spin valve film, a superlattice film or a granular film is used as the MR magnetic conversion element, G
It is possible to provide a composite type thin film magnetic head for high areal recording density which does not cause thermal damage to the MR film. (H) It is possible to provide a composite type thin film magnetic head capable of accurately controlling the apex angle and the throat height of the pole portion. (I) It is possible to provide a composite thin film magnetic head capable of setting the throat height of the inductive magnetic conversion element and the MR height of the MR magnetic conversion element with high accuracy. (J) It is possible to provide a high-frequency composite thin-film magnetic head capable of eliminating the pattern variation due to the heat treatment of the photoresist and coping with the narrowing of the throat height. (K) It is possible to provide a composite thin-film magnetic head in which a flat lower pole portion can be formed without applying the CMP method and deterioration of high frequency characteristics due to unevenness of the lower pole portion does not occur.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの断面図である。FIG. 1 is a sectional view of a thin film magnetic head according to the present invention.

【図2】図1に示した薄膜磁気ヘッドの拡大断面図であ
る。
FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of the thin film magnetic head shown in FIG.

【図3】図2の3ー3線に沿った断面図である。FIG. 3 is a sectional view taken along line 3-3 of FIG.

【図4】図1〜図3に示した薄膜磁気ヘッドの製造工程
を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a manufacturing process of the thin film magnetic head shown in FIGS.

【図5】図4の5ー5線に沿った断面図である。5 is a cross-sectional view taken along line 5-5 of FIG.

【図6】図4及び図5に示した工程の後の工程を示す図
である。
FIG. 6 is a diagram showing a step that follows the step shown in FIGS. 4 and 5.

【図7】図6の7ー7線に沿った断面図である。7 is a cross-sectional view taken along line 7-7 of FIG.

【図8】図6及び図7に示した工程の後の工程を示す図
である。
FIG. 8 is a diagram showing a step that follows the step shown in FIGS. 6 and 7.

【図9】図8に示した工程の後の工程を示す図である。9 is a diagram showing a step that follows the step shown in FIG.

【図10】図9の10ー10線に沿った断面図である。10 is a sectional view taken along the line 10-10 of FIG.

【図11】図9及び図10に示した工程の後の工程を示
す図である。
11 is a diagram showing a step that follows the step shown in FIGS. 9 and 10. FIG.

【図12】図11に示した工程の後の工程を示す図であ
る。
12 is a diagram showing a step that follows the step shown in FIG.

【図13】図12の13ー13線に沿った断面図であ
る。
13 is a sectional view taken along line 13-13 of FIG.

【図14】図12及び図13に示した工程の後の工程を
示す図である。
FIG. 14 is a diagram showing a step that follows the step shown in FIGS. 12 and 13.

【図15】図14の15ー15線に沿った断面図であ
る。
15 is a cross-sectional view taken along line 15-15 of FIG.

【図16】図14及び図15に示した工程の後の工程を
示す図である。
16 is a diagram showing a step that follows the step shown in FIGS. 14 and 15. FIG.

【図17】図16の17ー17線に沿った断面図であ
る。
17 is a sectional view taken along line 17-17 of FIG.

【図18】図16及び図17に示した工程の後の工程を
示す図である。
FIG. 18 is a diagram showing a step that follows the step shown in FIGS. 16 and 17.

【図19】図18の19ー19線に沿った断面図であ
る。
19 is a sectional view taken along the line 19-19 of FIG.

【図20】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの別の実施例を
示す断面図である。
FIG. 20 is a cross-sectional view showing another embodiment of the thin film magnetic head according to the present invention.

【図21】図20の21ー21線に沿った断面図であ
る。
21 is a cross-sectional view taken along line 21-21 of FIG.

【図22】図20及び図21に示した薄膜磁気ヘッドの
製造工程を示す図である。
22 is a diagram showing a manufacturing process of the thin-film magnetic head shown in FIGS. 20 and 21. FIG.

【図23】図22の23ー23線に沿った断面図であ
る。
23 is a cross-sectional view taken along line 23-23 of FIG.

【図24】図22及び図23に示した工程の後の工程を
示す図である。
FIG. 24 is a diagram showing a step that follows the step shown in FIGS. 22 and 23.

【図25】図24の25ー25線に沿った断面図であ
る。
25 is a cross-sectional view taken along the line 25-25 of FIG.

【図26】図24及び図25に示した工程の後の工程を
示す図である。
FIG. 26 is a diagram showing a step that follows the step shown in FIGS. 24 and 25.

【図27】図26に示した工程の後の工程を示す図であ
る。
27 is a diagram showing a step that follows the step shown in FIG. 26. FIG.

【図28】図27の28ー28線に沿った断面図であ
る。
28 is a cross-sectional view taken along the line 28-28 of FIG.

【図29】図27及び図28に示した工程の後の工程を
示す図である。
29 is a diagram showing a step that follows the step shown in FIGS. 27 and 28. FIG.

【図30】図29の30ー30線に沿った断面図であ
る。
30 is a sectional view taken along the line 30-30 of FIG.

【図31】図29及び図30に示した工程の後の工程を
示す図である。
FIG. 31 is a diagram showing a step that follows the step shown in FIGS. 29 and 30.

【図32】図31の32ー32線に沿った断面図であ
る。
32 is a sectional view taken along the line 32-32 of FIG.

【図33】図31及び図32に示した工程の後の工程を
示す図である。
FIG. 33 is a diagram showing a step that follows the step shown in FIGS. 31 and 32.

【図34】図33の34ー34線に沿った断面図であ
る。
34 is a cross-sectional view taken along the line 34-34 in FIG. 33.

【図35】図33及び図34に示した工程の後の工程を
示す図である。
FIG. 35 is a diagram showing a step that follows the step shown in FIGS. 33 and 34.

【図36】図35の36ー36線に沿った断面図であ
る。
36 is a cross-sectional view taken along the line 36-36 of FIG. 35.

【図37】図20及び図21に示した薄膜磁気ヘッドを
製造する別の方法を示すである。
FIG. 37 shows another method of manufacturing the thin film magnetic head shown in FIGS. 20 and 21.

【図38】図37の38ー38線に沿った断面図であ
る。
38 is a cross-sectional view taken along the line 38-38 of FIG. 37.

【図39】図37及び図38に示す工程の後の工程を示
す図である。
FIG. 39 is a diagram showing a step that follows the step shown in FIGS. 37 and 38.

【図40】図39の39ー39線に沿った断面図であ
る。
FIG. 40 is a sectional view taken along the line 39-39 of FIG. 39.

【図41】図39及び図40に示した工程の後の工程を
示す図である。
41 is a diagram showing a step after the step shown in FIGS. 39 and 40. FIG.

【図42】図41に示した工程の後の工程を示す図であ
る。
42 is a diagram showing a step that follows the step shown in FIG. 41. FIG.

【図43】図42の43ー43線に沿った断面図であ
る。
43 is a cross-sectional view taken along line 43-43 of FIG.

【図44】図42及び図43に示した工程の後の工程を
示す図である。
44 is a diagram showing a step that follows the step shown in FIGS. 42 and 43. FIG.

【図45】図44の45ー45線に沿った断面図であ
る。
45 is a cross-sectional view taken along line 45-45 of FIG. 44.

【図46】図44及び図45に示した工程の後の工程を
示す図である。
FIG. 46 is a diagram showing a step after the step shown in FIGS. 44 and 45.

【図47】図46の47ー47線に沿った断面図であ
る。
47 is a sectional view taken along the line 47-47 in FIG. 46.

【図48】図46及び図47に示した工程の後の工程を
示す図である。
48 is a diagram showing a step that follows the step shown in FIGS. 46 and 47. FIG.

【図49】図48の49ー49線に沿った断面図であ
る。
49 is a sectional view taken along the line 49-49 in FIG.

【図50】図48及び図49に示した工程の後の工程を
示す図である。
50 is a diagram showing a step that follows the step shown in FIGS. 48 and 49. FIG.

【図51】図50の51ー51線に沿った断面図であ
る。
51 is a cross-sectional view taken along line 51-51 of FIG.

【図52】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの他の実施例を
示す断面図である。
52 is a sectional view showing another embodiment of the thin film magnetic head according to the present invention. FIG.

【図53】図52の53ー53線に沿った断面図であ
る。
53 is a cross-sectional view taken along the line 53-53 in FIG. 52.

【図54】図52及び図53に示した薄膜磁気ヘッドの
製造方法を示す図である。
54 is a diagram showing a method of manufacturing the thin film magnetic head shown in FIGS. 52 and 53. FIG.

【図55】図54の55ー55線に沿った断面図であ
る。
55 is a sectional view taken along the line 55-55 in FIG. 54.

【図56】図54及び図55に示した工程の後の工程を
示す断面図である。
FIG. 56 is a cross-sectional view showing a step after the step shown in FIGS. 54 and 55.

【図57】図56に示した工程の後の工程を示す図であ
る。
57 is a diagram showing a step that follows the step shown in FIG. 56. FIG.

【図58】図57の58ー58線に沿った断面図であ
る。
58 is a cross-sectional view taken along the line 58-58 of FIG. 57.

【図59】図57及び図58に示した工程の後の工程を
示す図である。
FIG. 59 is a diagram showing a step that follows the step shown in FIGS. 57 and 58.

【図60】図59の60ー60線に沿った断面図であ
る。
FIG. 60 is a sectional view taken along the line 60-60 of FIG. 59.

【図61】図59及び図60に示した工程の後の工程を
示す図である。
FIG. 61 is a diagram showing a step that follows the step shown in FIGS. 59 and 60.

【図62】図61の62ー62線に沿った断面図であ
る。
62 is a sectional view taken along the line 62-62 in FIG. 61.

【図63】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの他の実施例を
示す断面図である。
FIG. 63 is a sectional view showing another embodiment of the thin film magnetic head according to the present invention.

【図64】図63の64ー64線に沿った断面図であ
る。
64 is a sectional view taken along the line 64-64 in FIG. 63.

【図65】図63及び図64に示した薄膜磁気ヘッドの
製造工程を示す図である。
FIG. 65 is a diagram showing a manufacturing process of the thin-film magnetic head shown in FIGS. 63 and 64.

【図66】図65の66ー66線に沿った断面図であ
る。
66 is a sectional view taken along the line 66-66 of FIG. 65.

【図67】図65及び図66に示した工程の後の工程を
示す図である。
67 is a diagram showing a step that follows the step shown in FIGS. 65 and 66. FIG.

【図68】図67の68ー68線に沿った断面図であ
る。
68 is a cross-sectional view taken along the line 68-68 in FIG. 67.

【図69】図67及び図68に示した工程の後の工程を
示す図である。
FIG. 69 is a diagram showing a step that follows the step shown in FIGS. 67 and 68.

【図70】図69の70ー70線に沿った断面図であ
る。
70 is a sectional view taken along the line 70-70 in FIG. 69.

【図71】図69及び図70に示した工程の後の工程を
示す図である。
71 is a diagram showing a step that follows the step shown in FIGS. 69 and 70. FIG.

【図72】図71の72ー72線に沿った断面図であ
る。
72 is a sectional view taken along the line 72-72 in FIG. 71.

【図73】図71及び図72に示した工程の後の工程を
示す図である。
73 is a diagram showing a step that follows the step shown in FIGS. 71 and 72. FIG.

【図74】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの他の実施例を
示す断面図である。
FIG. 74 is a sectional view showing another embodiment of the thin-film magnetic head according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基体 2 誘導型磁気変換素子 3 MR磁気変換素子 13 凹部 21 下部磁性膜 22 ギャップ膜 23 上部磁性膜 241、242 コイル膜 211 下部ポール部 231 上部ポール部 1 base 2-induction type magnetic conversion element 3 MR magnetic transducer 13 recess 21 Lower magnetic film 22 Gap film 23 Upper magnetic film 241,242 coil film 211 Lower pole part 231 Upper pole part

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小柳 勤 東京都中央区日本橋1丁目13番1号 テ ィーディーケイ株式会社内 (56)参考文献 特開 平5−166132(JP,A) 特開 平1−96814(JP,A) 特開 平2−68704(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G11B 5/31 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Tsutomu Koyanagi 1-13-1 Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo TDK Corporation (56) References JP-A-5-166132 (JP, A) JP-A-1 -96814 (JP, A) JP-A-2-68704 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) G11B 5/31

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 基体上に、少なくとも誘導型磁気変換素
子を有する薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、 前記基体の表面に凹部及び溝を形成し、 前記凹部、前記溝及び前記基体の表面上に下部磁性膜を
付着させ、 前記溝内に位置する前記下部磁性膜の下部ポール部の表
面をエッチングして、前記下部ポール部の表面と前記基
体の前記表面との間に段差を生じさせ、 前記凹部の内部に、コイル膜を支持したコイル支持絶縁
膜を充填し、 前記下部ポール部の表面、及び、前記コイル支持絶縁膜
の表面を覆うギャップ膜を付着させ、前記ギャップ膜
は、前記下部ポール部の上では、前記段差に応じた段差
が生じるように付着させ、 前記ギャップ膜の上に上部磁性膜を積層し、前記上部磁
性膜の上部ポール部を、前記ギャップ膜に付された前記
段差内に付着させて前記下部ポール部と対向させ、前記
上部ポール部の後方の接続部において、前記下部磁性膜
と磁気的に結合させる薄膜磁気ヘッドの製造方法。
1. A method of manufacturing a thin film magnetic head having at least an inductive magnetic conversion element on a base, comprising forming a recess and a groove on the surface of the base, the recess, the groove and the surface of the base. A lower magnetic film is attached on the upper surface, and the surface of the lower pole portion of the lower magnetic film located in the groove is etched to form a step between the surface of the lower pole portion and the surface of the base. The inside of the recess is filled with a coil supporting insulating film supporting a coil film, and a gap film covering the surface of the lower pole portion and the surface of the coil supporting insulating film is attached, and the gap film is The upper pole portion of the upper magnetic film is attached to the gap film, and the upper magnetic film is laminated on the gap film so that a step corresponding to the step is formed on the lower pole portion. The above A method of manufacturing a thin film magnetic head, wherein the thin film magnetic head is attached inside a step so as to face the lower pole portion, and is magnetically coupled to the lower magnetic film at a connection portion behind the upper pole portion.
【請求項2】 請求項1に記載された製造方法であっ
て、 更に、前記上部磁性膜の上に、絶縁膜を介して磁気抵抗
効果型磁気変換素子を積層する薄膜磁気ヘッドの製造方
法。
2. The manufacturing method according to claim 1, further comprising: stacking a magnetoresistive effect type magnetic conversion element on the upper magnetic film via an insulating film.
【請求項3】 請求項1に記載された製造方法であっ
て、 前記下部ポール部の表面と、前記基体の前記表面との間
に段差を生じさせた後、前記ギャップ膜を付着させる
前、前記段差によって生じた溝の相対する両側端縁をエ
ッチングして、上方に向かって開く傾斜面を形成する薄
膜磁気ヘッドの製造方法。
3. The manufacturing method according to claim 1, wherein after a step is formed between the surface of the lower pole portion and the surface of the base body, and before the gap film is attached, A method of manufacturing a thin film magnetic head, wherein opposite side edges of a groove formed by the step are etched to form an inclined surface that opens upward.
【請求項4】 基体上に少なくとも誘導型磁気変換素子
を有する薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、 前記基体の表面に凹部を形成し、前記凹部及び前記基体
の表面上に下部磁性膜を付着させ、 前記下部磁性膜の少なくとも下部ポール部の表面に、前
記下部磁性膜と材質が異なり、かつ、前記下部磁性膜と
の間で選択エッチングの可能な金属膜を付着させ、 前記凹部の内部に、コイル膜を支持したコイル支持絶縁
膜を充填し、 前記基体の表面、前記下部ポール部上の前記金属膜の表
面及び前記コイル支持絶縁膜の表面に、無機絶縁膜を付
着させ、 前記無機絶縁膜の表面を、前記金属膜の表面が露出する
までエッチングし、 前記金属膜を選択的にエッチングして前記下部ポール部
を露出させ、前記下部ポール部の表面と前記基体の前記
表面との間に、前記金属膜のエッチングによる段差を生
じさせ、 前記下部ポール部、及び、前記コイル支持絶縁膜の表面
にギャップ膜を付着させ、前記ギャップ膜は、前記下部
ポール部の上では、前記段差に応じた段差が生じるよう
に付着させ、 前記ギャップ膜の上に上部磁性膜を付着させ、前記上部
磁性膜の上部ポール部を、前記ギャップ膜に付された前
記段差内に付着させて前記下部ポール部と対向させ、前
記上部ポール部の後方の接続部において、前記下部磁性
膜と磁気的に結合させる薄膜磁気ヘッドの製造方法。
4. A method of manufacturing a thin film magnetic head having at least an inductive magnetic conversion element on a base, comprising forming a recess on the surface of the base, and forming a lower magnetic film on the surface of the recess and the base. A metal film having a material different from that of the lower magnetic film and capable of being selectively etched with the lower magnetic film is attached to at least the surface of the lower pole portion of the lower magnetic film. A coil supporting insulating film supporting a coil film, and an inorganic insulating film is adhered to the surface of the base body, the surface of the metal film on the lower pole portion and the surface of the coil supporting insulating film. The surface of the insulating film is etched until the surface of the metal film is exposed, the metal film is selectively etched to expose the lower pole portion, and the surface of the lower pole portion and the surface of the substrate are exposed. A gap is formed between the surface and the surface by etching the metal film, and a gap film is attached to the surface of the lower pole portion and the coil supporting insulating film. , So as to form a step corresponding to the step, an upper magnetic film is attached on the gap film, and an upper pole portion of the upper magnetic film is attached in the step provided on the gap film. A method of manufacturing a thin-film magnetic head in which a lower magnetic film is magnetically coupled at a connection portion behind the upper pole portion by facing the lower pole portion.
【請求項5】 請求項4に記載された製造方法であっ
て、 更に、前記上部磁性膜の上に、絶縁膜を介して磁気抵抗
効果型磁気変換素子を積層する薄膜磁気ヘッドの製造方
法。
5. The method for manufacturing a thin film magnetic head according to claim 4, further comprising a magnetoresistive effect type magnetic conversion element laminated on the upper magnetic film with an insulating film interposed therebetween.
【請求項6】 請求項4に記載された製造方法であっ
て、 前記下部ポール部の表面と前記基体の前記表面との間
に、前記金属膜のエッチングによる段差を生じさせた
後、前記ギャップ膜を付着させる前、前記段差によって
生じた溝の相対する両側端縁をエッチングして、上方に
向かって開く傾斜面を形成する薄膜磁気ヘッドの製造方
法。
6. The manufacturing method according to claim 4, wherein a step is formed between the surface of the lower pole portion and the surface of the base by etching the metal film, and then the gap is formed. A method of manufacturing a thin film magnetic head, wherein, before attaching a film, opposite side edges of a groove formed by the step are etched to form an inclined surface that opens upward.
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