JP3457653B2 - 有機反射防止膜の組成物及びその製造方法 - Google Patents
有機反射防止膜の組成物及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は２４８ｎｍ ＫｒＦ
および１９３ｎｍ ＡｒＦを用いたリソグラフィー用フ
ォトレジストを使用する超微細パターン形成工程におい
て、下部膜層の反射を防止して光およびフォトレジスト
自体の厚さの変化による定在波（standing wave）を除
去することができる反射防止用有機物質に関し、特に、
６４Ｍ、２５６Ｍ、１Ｇ、４ＧＤＲＡＭの超微細パター
ンの形成時に使用できる有機反射防止化合物およびその
製造方法に関する。また、本発明はこのような有機反射
防化合物を含む反射防止の組成物と、これを用いた反射
防止膜およびその製造方法に関する。
および１９３ｎｍ ＡｒＦを用いたリソグラフィー用フ
ォトレジストを使用する超微細パターン形成工程におい
て、下部膜層の反射を防止して光およびフォトレジスト
自体の厚さの変化による定在波（standing wave）を除
去することができる反射防止用有機物質に関し、特に、
６４Ｍ、２５６Ｍ、１Ｇ、４ＧＤＲＡＭの超微細パター
ンの形成時に使用できる有機反射防止化合物およびその
製造方法に関する。また、本発明はこのような有機反射
防化合物を含む反射防止の組成物と、これを用いた反射
防止膜およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体の製造工程中、超微細パターンの
形成工程ではウェーハ上の下部膜層の光学的性質および
減光膜厚さの変動による定在波、反射ノッチング（refl
ectivenotching）と、下部膜からの回折光および反射光
によるＣＤ（critical dimension）の変動が不可避に起
こる。したがって、露光源で使用する光の波長帯におい
て光を良好に吸収する有機物質を導入して下部膜層で反
射を防止できるようにする反射防止膜の導入が提案され
てきた。
形成工程ではウェーハ上の下部膜層の光学的性質および
減光膜厚さの変動による定在波、反射ノッチング（refl
ectivenotching）と、下部膜からの回折光および反射光
によるＣＤ（critical dimension）の変動が不可避に起
こる。したがって、露光源で使用する光の波長帯におい
て光を良好に吸収する有機物質を導入して下部膜層で反
射を防止できるようにする反射防止膜の導入が提案され
てきた。
【０００３】反射防止膜は使用される物質の種類によっ
て無機系反射防止膜と有機系反射防止膜に区分するか、
その機構（mechanism）によって吸収系反射防止膜と干
渉系反射防止膜に分類する。３６５ｎｍ波長のＩ−線
（Ｉ−line）を用いた微細パターンの形成工程では主に
無機系反射防止膜が使用され、吸収系としてはＴｉＮお
よび無定型カーボン（Amorphous Ｃ）が、干渉系として
は主にＳｉＯＮが使用されてきた。
て無機系反射防止膜と有機系反射防止膜に区分するか、
その機構（mechanism）によって吸収系反射防止膜と干
渉系反射防止膜に分類する。３６５ｎｍ波長のＩ−線
（Ｉ−line）を用いた微細パターンの形成工程では主に
無機系反射防止膜が使用され、吸収系としてはＴｉＮお
よび無定型カーボン（Amorphous Ｃ）が、干渉系として
は主にＳｉＯＮが使用されてきた。
【０００４】ＫｒＦ光を用いる超微細パターンの形成工
程では主に無機系としてＳｉＯＮが使用されてきたが、
無機系反射防止膜の場合は光源である１９３ｎｍにおけ
る干渉現状を制御する物質がまだ発表されていなかった
ので、近年では、反射防止膜として有機系化合物を使用
する努力が続いている。
程では主に無機系としてＳｉＯＮが使用されてきたが、
無機系反射防止膜の場合は光源である１９３ｎｍにおけ
る干渉現状を制御する物質がまだ発表されていなかった
ので、近年では、反射防止膜として有機系化合物を使用
する努力が続いている。
【０００５】有機反射防止膜は次のような基本条件を要
する。
する。
【０００６】第一に、工程適用の際、フォトレジストが
溶媒によって溶解されて剥がれる現象が起こらないこ
と。そのためには成形膜が架橋構造をなすように設計さ
れる必要があり、この時、副産物として化学物質が生じ
てはならない。
溶媒によって溶解されて剥がれる現象が起こらないこ
と。そのためには成形膜が架橋構造をなすように設計さ
れる必要があり、この時、副産物として化学物質が生じ
てはならない。
【０００７】第二に、反射防止膜への酸またはアミンの
ような化学物質の出入りがあってはならない。万一、反
射防止膜から酸が移行すれば、パターンの下面にアンダ
ーカッティング(undercutting)が発生し、アミンのよう
な塩基が移行すれば、フッティング(footing)現象が生
ずる傾向があるからである。
ような化学物質の出入りがあってはならない。万一、反
射防止膜から酸が移行すれば、パターンの下面にアンダ
ーカッティング(undercutting)が発生し、アミンのよう
な塩基が移行すれば、フッティング(footing)現象が生
ずる傾向があるからである。
【０００８】第三に、フォトレジスト層をマスクとして
利用してエッチングプロセスを効果的に行い得るため
に、反射防止膜は上部のフォトレジスト層に比べて速い
エッチング速度を持たなければならない。
利用してエッチングプロセスを効果的に行い得るため
に、反射防止膜は上部のフォトレジスト層に比べて速い
エッチング速度を持たなければならない。
【０００９】第四に、従って、反射防止膜はできるだけ
薄膜でも十分に反射防止膜として役目を果たすべきであ
る。
薄膜でも十分に反射防止膜として役目を果たすべきであ
る。
【００１０】また、既存の有機反射防止膜は、第一に、
発色団を含有した重合体と、これを互い架橋させる架橋
剤(単分子物)及び添加剤(熱変酸化剤)、または、第二
に、自ら架橋反応が可能で発色団を含有した重合体及び
添加剤(熱変酸化剤)の２種類の形態で大きく区別できる
が、前記２種類の形態の有機反射防止膜は重合反応時に
設計された比率によって発色団の含有量が決まるので、
ｋ値の調節がほとんど不可能であり、ｋ値を変化させる
ためには更に合成しなければならない問題点がある。
発色団を含有した重合体と、これを互い架橋させる架橋
剤(単分子物)及び添加剤(熱変酸化剤)、または、第二
に、自ら架橋反応が可能で発色団を含有した重合体及び
添加剤(熱変酸化剤)の２種類の形態で大きく区別できる
が、前記２種類の形態の有機反射防止膜は重合反応時に
設計された比率によって発色団の含有量が決まるので、
ｋ値の調節がほとんど不可能であり、ｋ値を変化させる
ためには更に合成しなければならない問題点がある。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】前述の問題点を解決す
るために本発明は、新規な反射防止膜用重合体及びその
製造方法と、前記重合体を用いた反射防止膜及びその製
造方法を提供することにその目的がある。
るために本発明は、新規な反射防止膜用重合体及びその
製造方法と、前記重合体を用いた反射防止膜及びその製
造方法を提供することにその目的がある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明において、有機反
射防止膜で使われる化合物の基本構造式を下記化学式
［化３］及び化学式［化４］に表した。
射防止膜で使われる化合物の基本構造式を下記化学式
［化３］及び化学式［化４］に表した。
【００１３】
【化３】
【００１４】
【化４】
【００１５】上式［化３］ないし［化４］中、Ｒa、Ｒd
はそれぞれ水素またはメチル基、Ｒ aないしＲd、Ｒ1な
いしＲ18はそれぞれ−Ｈ、−ＯＨ、−ＯＣＯＣＨ3、−
ＣＯＯＨ、−ＣＨ2ＯＨ、または炭素数１ないし５の置
換若しくは非置換された直鎖若しくは分岐鎖のアルキル
またはアルコキシアルキル、ｌ、ｍ、ｎはそれぞれ１〜
５の定数、ｗ、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ０．０１〜０．９
９のモル比をそれぞれ示す。また、Ｒ19および Ｒ20は
それぞれ分岐鎖若しくは直鎖置換されたＣ1〜Ｃ10のア
ルコキシ基、Ｒ21は水素またはメチル基を示す。
はそれぞれ水素またはメチル基、Ｒ aないしＲd、Ｒ1な
いしＲ18はそれぞれ−Ｈ、−ＯＨ、−ＯＣＯＣＨ3、−
ＣＯＯＨ、−ＣＨ2ＯＨ、または炭素数１ないし５の置
換若しくは非置換された直鎖若しくは分岐鎖のアルキル
またはアルコキシアルキル、ｌ、ｍ、ｎはそれぞれ１〜
５の定数、ｗ、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ０．０１〜０．９
９のモル比をそれぞれ示す。また、Ｒ19および Ｒ20は
それぞれ分岐鎖若しくは直鎖置換されたＣ1〜Ｃ10のア
ルコキシ基、Ｒ21は水素またはメチル基を示す。
【００１６】前記化学式［化４］の化合物は、(メト)ア
クロレインを重合させてポリ(メト)アクロレインを製造
した後、製造された結果物を側鎖または主鎖置換された
炭素数１ないし１０のアルキルアルコールと反応させて
製造する。
クロレインを重合させてポリ(メト)アクロレインを製造
した後、製造された結果物を側鎖または主鎖置換された
炭素数１ないし１０のアルキルアルコールと反応させて
製造する。
【００１７】より詳しくは、まず、(メト)アクロレイン
を有機溶媒に溶かして、ここに重合開始剤を添加した
後、真空状態下で６０ないし７０℃の温度で４ないし６
時間の間、重合反応させた後、その結果物に側鎖または
主鎖置換された炭素数１ないし１０のアルキルアルコー
ルを、トリフルオロメチルスルフェン酸を触媒として常
温で２０ないし３０時間反応させて製造する。
を有機溶媒に溶かして、ここに重合開始剤を添加した
後、真空状態下で６０ないし７０℃の温度で４ないし６
時間の間、重合反応させた後、その結果物に側鎖または
主鎖置換された炭素数１ないし１０のアルキルアルコー
ルを、トリフルオロメチルスルフェン酸を触媒として常
温で２０ないし３０時間反応させて製造する。
【００１８】前記製造過程における有機溶媒は、テトラ
ヒドロフラン(ＴＨＦ)、シクロヘキサノン、ジメチルホ
ルムアミド、ジメチルサルホキシド、ジオキサン、メチ
ルエチルケトン、ベンジン、トルエン及びザイレンから
なるグループから選択されたいずれかまたは１種以上を
混合して使用することが好ましくて、重合開始剤は、
２,２−アゾビスイソブチロニトリル(ＡＩＢＮ)、過酸
化ベンゾイル、過酸化アセチル、過酸化ラウリル、t−
ブチルパーアセタート、t−過酢酸ブチル及びジ−ｔ−
過酸化ブチルからなるグループから選択されたいずれか
を使用することが好ましい。また、前記炭素数１ないし
１０のアルキルアルコールはメタノールまたはエタノー
ルを使用することが好ましい。
ヒドロフラン(ＴＨＦ)、シクロヘキサノン、ジメチルホ
ルムアミド、ジメチルサルホキシド、ジオキサン、メチ
ルエチルケトン、ベンジン、トルエン及びザイレンから
なるグループから選択されたいずれかまたは１種以上を
混合して使用することが好ましくて、重合開始剤は、
２,２−アゾビスイソブチロニトリル(ＡＩＢＮ)、過酸
化ベンゾイル、過酸化アセチル、過酸化ラウリル、t−
ブチルパーアセタート、t−過酢酸ブチル及びジ−ｔ−
過酸化ブチルからなるグループから選択されたいずれか
を使用することが好ましい。また、前記炭素数１ないし
１０のアルキルアルコールはメタノールまたはエタノー
ルを使用することが好ましい。
【００１９】前記化学式［化４］の化合物は下記化学式
［化５］ないし化学式［化８］の化合物からなるグルー
プから選択されたいずれかを使用することが好ましい。
［化５］ないし化学式［化８］の化合物からなるグルー
プから選択されたいずれかを使用することが好ましい。
【００２０】
【化５】
【００２１】
【化６】
【００２２】
【化７】
【００２３】
【化８】
【００２４】前記化学式［化５］ないし化学式［化８］
の化合物はアルコール基を有する他の重合体と酸の存在
下で硬化が非常によく起きる。
の化合物はアルコール基を有する他の重合体と酸の存在
下で硬化が非常によく起きる。
【００２５】本発明に係る前記化学式［化３］に表され
る化合物は、９−アントラセンメチルイミンアルキルア
クリレート系単量体と、ヒドロキシアルキルアクリレー
ト系単量体と、グリシジルアクリレート系単量体と、９
−アントラセンアルキルメタクリレートとを溶媒中で反
応させた後、開始剤を入れて重合反応させて製造し、こ
の時、前記溶媒は、一般的な有機溶媒を使用することが
できるが、テトラヒドロフラン、トルエン、ベンゼン、
メチルエチルケトン及びジオキサンからなるグループか
ら選択されたいずれか１種以上を使用することが好まし
い。また、開始剤は、２、２'−アゾビスイソブチロニ
トリル、過酸化アセチル、ｔ−過酸化ブチルからなるグ
ループから選択されたいずれかを使用することが好まし
い。また、記重合反応は、５０ないし９０℃で行われる
ことが好ましくて、各単量体のモル比は０．０１〜０．
９９が好ましい。
る化合物は、９−アントラセンメチルイミンアルキルア
クリレート系単量体と、ヒドロキシアルキルアクリレー
ト系単量体と、グリシジルアクリレート系単量体と、９
−アントラセンアルキルメタクリレートとを溶媒中で反
応させた後、開始剤を入れて重合反応させて製造し、こ
の時、前記溶媒は、一般的な有機溶媒を使用することが
できるが、テトラヒドロフラン、トルエン、ベンゼン、
メチルエチルケトン及びジオキサンからなるグループか
ら選択されたいずれか１種以上を使用することが好まし
い。また、開始剤は、２、２'−アゾビスイソブチロニ
トリル、過酸化アセチル、ｔ−過酸化ブチルからなるグ
ループから選択されたいずれかを使用することが好まし
い。また、記重合反応は、５０ないし９０℃で行われる
ことが好ましくて、各単量体のモル比は０．０１〜０．
９９が好ましい。
【００２６】更に、本発明は、前記化学式［化３］の構
造を有する化合物の中のいずれかと、前記化学式［化
４］の構造を有する化合物の中のいずれかを含むことを
特徴とする反射防止膜の組成物を提供する。
造を有する化合物の中のいずれかと、前記化学式［化
４］の構造を有する化合物の中のいずれかを含むことを
特徴とする反射防止膜の組成物を提供する。
【００２７】更に、本発明は、また前記化学式［化３］
の構造を有する化合物の中のいずれかと前記化学式［化
４］の構造を有する化合物の中のいずれかを含み、更に
アントラセン、９−アントラセンメタノール、９−アン
トラセンカルボニトリル、９−アントラセンカルボキシ
ル酸、ジトラノール、１,２,１０−アントラセントリオ
ル、アントラフラボン酸、９−アントラアルデヒドオキ
シム、９−アントラアルデヒド、２−アミノ−７−メチ
ル−５−沃素−５Ｈ−[１]ベンゾピラノ[２,３−ｂ]ピ
リジン−３−カルボニトリル、１−アミノアントラキノ
ン、アントラキノン−２−カルボキシル酸、１,５−ジ
ヒドロキシアントラキノン、アントロン、９−アントリ
ルトリフルオロメチルケトン、下記化学式［化９］の９
−アルキルアントラセン誘導体、下記化学式［化１０］
の９−カルボキシルアントラセン誘導体及び下記化学式
［化１１］の１−カルボキシルアントラセン誘導体から
なるグループから選択されたいずれか１種以上の化合物
を含む反射防止膜の組成物を提供する。
の構造を有する化合物の中のいずれかと前記化学式［化
４］の構造を有する化合物の中のいずれかを含み、更に
アントラセン、９−アントラセンメタノール、９−アン
トラセンカルボニトリル、９−アントラセンカルボキシ
ル酸、ジトラノール、１,２,１０−アントラセントリオ
ル、アントラフラボン酸、９−アントラアルデヒドオキ
シム、９−アントラアルデヒド、２−アミノ−７−メチ
ル−５−沃素−５Ｈ−[１]ベンゾピラノ[２,３−ｂ]ピ
リジン−３−カルボニトリル、１−アミノアントラキノ
ン、アントラキノン−２−カルボキシル酸、１,５−ジ
ヒドロキシアントラキノン、アントロン、９−アントリ
ルトリフルオロメチルケトン、下記化学式［化９］の９
−アルキルアントラセン誘導体、下記化学式［化１０］
の９−カルボキシルアントラセン誘導体及び下記化学式
［化１１］の１−カルボキシルアントラセン誘導体から
なるグループから選択されたいずれか１種以上の化合物
を含む反射防止膜の組成物を提供する。
【００２８】
【化９】
【００２９】
【化１０】
【００３０】
【化１１】
【００３１】（上式中、Ｒ1ないしＲ5はそれぞれ−Ｈ、
−ＯＨ、−ＣＨ2ＯＨ、または炭素数１ないし５の置換
若しくは非置換された直鎖若しくは分岐鎖のアルキルま
たはアルコキシアルキルを示す。）
−ＯＨ、−ＣＨ2ＯＨ、または炭素数１ないし５の置換
若しくは非置換された直鎖若しくは分岐鎖のアルキルま
たはアルコキシアルキルを示す。）
【００３２】更に、本発明は、前記化学式［化３］の構
造を有する化合物の中のいずれかと前記化学式［化４］
の構造を有する化合物の中のいずれかを有機溶媒に溶解
させた後、この溶液を単独でまたは前記アントラセン誘
導体グループから選択されたいずれか１種以上の化合物
を添加した溶液を濾過して下部層に塗布した後、ハード
ベーキングして製造することを特徴とする反射防止膜を
提供する。この時、前記有機溶媒は、一般的な有機溶媒
が使用できるが、エチル−３−エトキシプロピオネー
ト、メチル−３−メトキシプロピオネート、シクロヘキ
サノン、プロピレングリコールメチルエーテルアセテー
トからなるグループから選択されたいずれかであること
が好ましい。 また、ハードベーキング時の温度は１０
０〜３００℃であることが好ましい。
造を有する化合物の中のいずれかと前記化学式［化４］
の構造を有する化合物の中のいずれかを有機溶媒に溶解
させた後、この溶液を単独でまたは前記アントラセン誘
導体グループから選択されたいずれか１種以上の化合物
を添加した溶液を濾過して下部層に塗布した後、ハード
ベーキングして製造することを特徴とする反射防止膜を
提供する。この時、前記有機溶媒は、一般的な有機溶媒
が使用できるが、エチル−３−エトキシプロピオネー
ト、メチル−３−メトキシプロピオネート、シクロヘキ
サノン、プロピレングリコールメチルエーテルアセテー
トからなるグループから選択されたいずれかであること
が好ましい。 また、ハードベーキング時の温度は１０
０〜３００℃であることが好ましい。
【００３３】更に、本発明はまた、本発明に係る反射防
止膜の組成物のいずれかを使用して提供されたことを特
徴とする半導体素子を提供する。
止膜の組成物のいずれかを使用して提供されたことを特
徴とする半導体素子を提供する。
【００３４】前述のように構成された本発明は、まず重
合体の自体が２４８ｎｍの波長で吸収がよく起きるよう
に吸光度が大きい発色団を有した単量体を二つ（アント
ラセンメチルエミンアルキルアクリレート系単量体、ア
ントラセンメチルメタクリレート）で合成して、これを
高分子の第１の重合体（前記化学式［化３］の構造を有
する化合物）で合成した。発色団を持つ単量体の中の一
つは弱い塩基性を持っているので、成膜した後、酸度の
不均衡によるアンダーカッティングを防止するように設
計した。また有機反射防止膜に成形性、気密性、耐溶解
性を与えるためにコーティングの後、ハードベーク時架
橋反応が起きることができるように樹脂内のアルコール
基と反応して架橋結合が持つことができる高分子の第２
の重合体（化学式［化４］の構造を有する化合物)を合
成して、前記第１の重合体と共に混合して熱反応により
架橋物を形成できるようにしたものである。特に、本発
明で用いた架橋剤らは、重合体の形態で架橋反応におい
て効率性が極大化されるように設計したので、第１の重
合体の比率を調節することによって、有機反射防止膜の
ｋ値を自由に調節することが可能である。
合体の自体が２４８ｎｍの波長で吸収がよく起きるよう
に吸光度が大きい発色団を有した単量体を二つ（アント
ラセンメチルエミンアルキルアクリレート系単量体、ア
ントラセンメチルメタクリレート）で合成して、これを
高分子の第１の重合体（前記化学式［化３］の構造を有
する化合物）で合成した。発色団を持つ単量体の中の一
つは弱い塩基性を持っているので、成膜した後、酸度の
不均衡によるアンダーカッティングを防止するように設
計した。また有機反射防止膜に成形性、気密性、耐溶解
性を与えるためにコーティングの後、ハードベーク時架
橋反応が起きることができるように樹脂内のアルコール
基と反応して架橋結合が持つことができる高分子の第２
の重合体（化学式［化４］の構造を有する化合物)を合
成して、前記第１の重合体と共に混合して熱反応により
架橋物を形成できるようにしたものである。特に、本発
明で用いた架橋剤らは、重合体の形態で架橋反応におい
て効率性が極大化されるように設計したので、第１の重
合体の比率を調節することによって、有機反射防止膜の
ｋ値を自由に調節することが可能である。
【００３５】また、本発明の反射防止膜樹脂は、ハイド
ロカーボン系の全ての溶媒に対して良好な溶解性を持っ
ており、ハードベーク時にはいかなる溶媒でも溶解され
ない耐溶解性を持っている。更に、パターンの形成時、
アンダーカッティング及びフーチングがおきないだけで
なく、特にアクリレート系の高分子で形成されているの
で、エッチング時フォトレジスト膜に比べて良好なエッ
チング速度を持つことによって、エッチング選択比を増
加させた。
ロカーボン系の全ての溶媒に対して良好な溶解性を持っ
ており、ハードベーク時にはいかなる溶媒でも溶解され
ない耐溶解性を持っている。更に、パターンの形成時、
アンダーカッティング及びフーチングがおきないだけで
なく、特にアクリレート系の高分子で形成されているの
で、エッチング時フォトレジスト膜に比べて良好なエッ
チング速度を持つことによって、エッチング選択比を増
加させた。
【００３６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施例につ
いて説明する。本実施例は本発明の権利範囲を限定する
ものではなく、ただ例示として提示されたものである。
いて説明する。本実施例は本発明の権利範囲を限定する
ものではなく、ただ例示として提示されたものである。
【００３７】実施例１：ポリ[９−アントラセンメチル
イミンエチルアクリレート(２−ヒドロキシエチルアク
リレート)−グリシジルメチルメタクリレート(９−アン
トラセンメチルメタクリレート)の製造
イミンエチルアクリレート(２−ヒドロキシエチルアク
リレート)−グリシジルメチルメタクリレート(９−アン
トラセンメチルメタクリレート)の製造
【００３８】９−アントラセンメチルイミンエチルアク
リレート単量体０．１モル、２−ヒドロキシエチルアク
リレート０．３モル、グリシジルメチルメタクリレート
０．３モル、及び９―アントラセンメチルメタクリレー
ト０．３モルを５００ｍｌの丸底フラスコに入れて混合
する。続いて、予め準備したテトラヒドロフラン３００
ｇを撹拌させながら前記混合物に加える。続いて、２,
２−アゾビスイソブチルロニトリルを０．１ｇ〜３．０
ｇ入れた後、前記混合物を窒素雰囲気下で６０℃ないし
７５℃温度で５〜２０時間反応させる。反応の終了後、
この溶液をエチルエーテルまたはノルマル−ヘキサン溶
媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、下記化学式
［化１２］のようなポリ[９−アントラセンメチルイミ
ンエチルアクリレート (２−ヒドロキシエチルアクリレ
ート)−グリシジルメチルメタクリレート（９―アント
ラセンメチルメタクリレート）]の樹脂が得られる(収
率:８３％)。
リレート単量体０．１モル、２−ヒドロキシエチルアク
リレート０．３モル、グリシジルメチルメタクリレート
０．３モル、及び９―アントラセンメチルメタクリレー
ト０．３モルを５００ｍｌの丸底フラスコに入れて混合
する。続いて、予め準備したテトラヒドロフラン３００
ｇを撹拌させながら前記混合物に加える。続いて、２,
２−アゾビスイソブチルロニトリルを０．１ｇ〜３．０
ｇ入れた後、前記混合物を窒素雰囲気下で６０℃ないし
７５℃温度で５〜２０時間反応させる。反応の終了後、
この溶液をエチルエーテルまたはノルマル−ヘキサン溶
媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、下記化学式
［化１２］のようなポリ[９−アントラセンメチルイミ
ンエチルアクリレート (２−ヒドロキシエチルアクリレ
ート)−グリシジルメチルメタクリレート（９―アント
ラセンメチルメタクリレート）]の樹脂が得られる(収
率:８３％)。
【００３９】
【化１２】
【００４０】実施例２：ポリ[９−アントラセンメチル
イミンエチルメタクリレート(２−ヒドロキシエチルメ
タクリレート)−グリシジルメチルアクリレート(９−ア
ントラセンメチルメタクリレート)の製造
イミンエチルメタクリレート(２−ヒドロキシエチルメ
タクリレート)−グリシジルメチルアクリレート(９−ア
ントラセンメチルメタクリレート)の製造
【００４１】９−アントラセンメチルイミンエチルメタ
クリレート単量体０．１モル、２−ヒドロキシエチルメ
タクリレート０．３モル、グリシジルメチルアクリレー
ト０．３モル、及び９―アントラセンメチルメタクリレ
ート０．３モルを５００ｍｌの丸底フラスコに入れて混
合する。続いて、予め準備したテトラヒドロフラン３０
０ｇを撹拌させながら前記混合物に加える。続いて、
２,２−アゾビスイソブチルロニトリルを０．１ｇ〜
３．０ｇ入れた後、前記混合物を窒素雰囲気下で６０℃
ないし７５℃温度で５〜２０時間反応させる。反応の終
了後、この溶液をエチルエーテルまたはノルマル−ヘキ
サン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、下記
化学式［化１３］のようなポリ[９−アントラセンメチ
ルイミンエチルメタクリレート (２−ヒドロキシエチル
メタクリレート)−グリシジルメチルアクリレート（９
―アントラセンメチルメタクリレート）]の樹脂が得ら
れる(収率:８４％)。
クリレート単量体０．１モル、２−ヒドロキシエチルメ
タクリレート０．３モル、グリシジルメチルアクリレー
ト０．３モル、及び９―アントラセンメチルメタクリレ
ート０．３モルを５００ｍｌの丸底フラスコに入れて混
合する。続いて、予め準備したテトラヒドロフラン３０
０ｇを撹拌させながら前記混合物に加える。続いて、
２,２−アゾビスイソブチルロニトリルを０．１ｇ〜
３．０ｇ入れた後、前記混合物を窒素雰囲気下で６０℃
ないし７５℃温度で５〜２０時間反応させる。反応の終
了後、この溶液をエチルエーテルまたはノルマル−ヘキ
サン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、下記
化学式［化１３］のようなポリ[９−アントラセンメチ
ルイミンエチルメタクリレート (２−ヒドロキシエチル
メタクリレート)−グリシジルメチルアクリレート（９
―アントラセンメチルメタクリレート）]の樹脂が得ら
れる(収率:８４％)。
【００４２】
【化１３】
【００４３】実施例３：ポリ[９−アントラセンメチル
イミンプロピルアクリレート(３−ヒドロキシプロピル
アクリレート)−グリシジルメチルメタクリレート(９−
アントラセンメチルメタクリレート)の製造
イミンプロピルアクリレート(３−ヒドロキシプロピル
アクリレート)−グリシジルメチルメタクリレート(９−
アントラセンメチルメタクリレート)の製造
【００４４】９−アントラセンメチルイミンプロピルア
クリレート単量体０．１モル、３−ヒドロキシプロピル
アクリレート０．３モル、グリシジルメチルメタクリレ
ート０．３モル、９―アントラセンメチルメタクリレー
ト０．３モルを５００ｍｌの丸底フラスコに入れて混合
する。続いて、予め準備したテトラヒドロフラン３００
ｇを撹拌させながら前記混合物に加える。続いて、２,
２−アゾビスイソブチルロニトリルを０．１ｇ〜３．０
ｇ入れた後、前記混合物を窒素雰囲気下で６０℃ないし
７５℃温度で５〜２０時間反応させる。反応の終了後、
この溶液をエチルエーテルまたはノルマル−ヘキサン溶
媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、下記化学式
［化１４］のようなポリ[９−アントラセンメチルイミ
ンプロピルアクリレート (３−ヒドロキシプロピルアク
リレート)−グリシジルメチルメタクリレート（９―ア
ントラセンメチルメタクリレート）]の樹脂が得られる
(収率:８４％)。
クリレート単量体０．１モル、３−ヒドロキシプロピル
アクリレート０．３モル、グリシジルメチルメタクリレ
ート０．３モル、９―アントラセンメチルメタクリレー
ト０．３モルを５００ｍｌの丸底フラスコに入れて混合
する。続いて、予め準備したテトラヒドロフラン３００
ｇを撹拌させながら前記混合物に加える。続いて、２,
２−アゾビスイソブチルロニトリルを０．１ｇ〜３．０
ｇ入れた後、前記混合物を窒素雰囲気下で６０℃ないし
７５℃温度で５〜２０時間反応させる。反応の終了後、
この溶液をエチルエーテルまたはノルマル−ヘキサン溶
媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、下記化学式
［化１４］のようなポリ[９−アントラセンメチルイミ
ンプロピルアクリレート (３−ヒドロキシプロピルアク
リレート)−グリシジルメチルメタクリレート（９―ア
ントラセンメチルメタクリレート）]の樹脂が得られる
(収率:８４％)。
【００４５】
【化１４】
【００４６】実施例４：ポリ[９−アントラセンメチル
イミンプロピルメタクリレート(２−ヒドロキシエチル
メタクリレート)−グリシジルメチルメタクリレート(９
−アントラセンメチルメタクリレート)]の製造
イミンプロピルメタクリレート(２−ヒドロキシエチル
メタクリレート)−グリシジルメチルメタクリレート(９
−アントラセンメチルメタクリレート)]の製造
【００４７】９−アントラセンメチルイミンプロピルメ
タクリレート単量体０．１モル、２−ヒドロキシエチル
メタクリレート０．３モル、グリシジルメチルメタクリ
レート０．３モル、９―アントラセンメチルメタクリレ
ート０．３モルを５００ｍｌの丸底フラスコに入れて混
合する。続いて、予め準備したテトラヒドロフラン３０
０ｇを撹拌させながら前記混合物に加える。続いて、
２,２−アゾビスイソブチルロニトリルを０．１ｇ〜
３．０ｇ入れた後、前記混合物を窒素雰囲気下で６０℃
ないし７５℃温度で５〜２０時間反応させる。反応の終
了後、この溶液をエチルエーテルまたはノルマル−ヘキ
サン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、下記
化学式［化１５］のようなポリ[９−アントラセンメチ
ルイミンプロピルメタクリレート (２−ヒドロキシエチ
ルメタクリレート)−グリシジルメチルメタクリレート
（９―アントラセンメチルメタクリレート）]の樹脂が
得られる(収率:８３％)。
タクリレート単量体０．１モル、２−ヒドロキシエチル
メタクリレート０．３モル、グリシジルメチルメタクリ
レート０．３モル、９―アントラセンメチルメタクリレ
ート０．３モルを５００ｍｌの丸底フラスコに入れて混
合する。続いて、予め準備したテトラヒドロフラン３０
０ｇを撹拌させながら前記混合物に加える。続いて、
２,２−アゾビスイソブチルロニトリルを０．１ｇ〜
３．０ｇ入れた後、前記混合物を窒素雰囲気下で６０℃
ないし７５℃温度で５〜２０時間反応させる。反応の終
了後、この溶液をエチルエーテルまたはノルマル−ヘキ
サン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、下記
化学式［化１５］のようなポリ[９−アントラセンメチ
ルイミンプロピルメタクリレート (２−ヒドロキシエチ
ルメタクリレート)−グリシジルメチルメタクリレート
（９―アントラセンメチルメタクリレート）]の樹脂が
得られる(収率:８３％)。
【００４８】
【化１５】
【００４９】実施例５：ポリ[９−アントラセンメチル
イミンプロピルメタクリレート(３−ヒドロキシプロピ
ルアクリレート)−グリシジルメチルメタクリレート(９
−アントラセンメチルメタクリレート)] の製造
イミンプロピルメタクリレート(３−ヒドロキシプロピ
ルアクリレート)−グリシジルメチルメタクリレート(９
−アントラセンメチルメタクリレート)] の製造
【００５０】９−アントラセンメチルイミンプロピルメ
タクリレート単量体０．１モル、３−ヒドロキシプロピ
ルアクリレート０．３モル、グリシジルメチルメタクリ
レート０．３モル、９―アントラセンメチルメタクリレ
ート０．３モルを５００ｍｌの丸底フラスコに入れて混
合する。続いて、予め準備したテトラヒドロフラン３０
０ｇを撹拌させながら前記混合物に加える。続いて、
２,２−アゾビスイソブチルロニトリルを０．１ｇ〜
３．０ｇ入れた後、前記混合物を窒素雰囲気下で６０℃
ないし７５℃温度で５〜２０時間反応させる。反応の終
了後、この溶液をエチルエーテルまたはノルマル−ヘキ
サン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、下記
化学式［化１６］のようなポリ[９−アントラセンメチ
ルイミンプロピルメタクリレート (３−ヒドロキシプロ
ピルアクリレート)−グリシジルメチルメタクリレート
（９―アントラセンメチルメタクリレート）]の樹脂が
得られる(収率:８３％)。
タクリレート単量体０．１モル、３−ヒドロキシプロピ
ルアクリレート０．３モル、グリシジルメチルメタクリ
レート０．３モル、９―アントラセンメチルメタクリレ
ート０．３モルを５００ｍｌの丸底フラスコに入れて混
合する。続いて、予め準備したテトラヒドロフラン３０
０ｇを撹拌させながら前記混合物に加える。続いて、
２,２−アゾビスイソブチルロニトリルを０．１ｇ〜
３．０ｇ入れた後、前記混合物を窒素雰囲気下で６０℃
ないし７５℃温度で５〜２０時間反応させる。反応の終
了後、この溶液をエチルエーテルまたはノルマル−ヘキ
サン溶媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、下記
化学式［化１６］のようなポリ[９−アントラセンメチ
ルイミンプロピルメタクリレート (３−ヒドロキシプロ
ピルアクリレート)−グリシジルメチルメタクリレート
（９―アントラセンメチルメタクリレート）]の樹脂が
得られる(収率:８３％)。
【００５１】
【化１６】
【００５２】実施例６：ポリ[９−アントラセンメチル
イミンプロピルメタクリレート(４−ヒドロキシブチル
アクリレート)−グリシジルメチルメタクリレート(９−
アントラセンメチルメタクリレート)]の製造
イミンプロピルメタクリレート(４−ヒドロキシブチル
アクリレート)−グリシジルメチルメタクリレート(９−
アントラセンメチルメタクリレート)]の製造
【００５３】９−アントラセンメチルイミンプロピルメ
タクリレート単量体０．１モル、４−ヒドロキシブチル
アクリレート０．３モル、グリシジルメチルメタクリレ
ート０．３モル、９―アントラセンメチルメタクリレー
ト０．３モルを５００ｍｌの丸底フラスコに入れて混合
する。続いて、予め準備したテトラヒドロフラン３００
ｇを撹拌させながら前記混合物に加える。続いて、２,
２−アゾビスイソブチルロニトリルを０．１ｇ〜３．０
ｇ入れた後、前記混合物を窒素雰囲気下で６０℃ないし
７５℃温度で５〜２０時間反応させる。反応の終了後、
この溶液をエチルエーテルまたはノルマル−ヘキサン溶
媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、下記化学式
［化１７］のようなポリ[９−アントラセンメチルイミ
ンプロピルメタクリレート (４−ヒドロキシブチルアク
リレート)−グリシジルメチルメタクリレート（９―ア
ントラセンメチルメタクリレート）]の樹脂が得られる
(収率:８０％)。
タクリレート単量体０．１モル、４−ヒドロキシブチル
アクリレート０．３モル、グリシジルメチルメタクリレ
ート０．３モル、９―アントラセンメチルメタクリレー
ト０．３モルを５００ｍｌの丸底フラスコに入れて混合
する。続いて、予め準備したテトラヒドロフラン３００
ｇを撹拌させながら前記混合物に加える。続いて、２,
２−アゾビスイソブチルロニトリルを０．１ｇ〜３．０
ｇ入れた後、前記混合物を窒素雰囲気下で６０℃ないし
７５℃温度で５〜２０時間反応させる。反応の終了後、
この溶液をエチルエーテルまたはノルマル−ヘキサン溶
媒に沈殿させた後、濾過して乾燥させると、下記化学式
［化１７］のようなポリ[９−アントラセンメチルイミ
ンプロピルメタクリレート (４−ヒドロキシブチルアク
リレート)−グリシジルメチルメタクリレート（９―ア
ントラセンメチルメタクリレート）]の樹脂が得られる
(収率:８０％)。
【００５４】
【化１７】
【００５５】実施例７：反射防止膜の製造
【００５６】化学式［化３］の構造を有する実施例１な
いし６により製造された重合体(樹脂)のいずれかと化学
式［化４］の構造を有する重合体の中のいずれかをプロ
ピレングリコールメチルエーテルアセタートの溶媒に溶
解する。この溶液に、単独でまたは前記アントラセン誘
導体グループから選択されたいずれか１種以上の添加剤
の０．１〜３０重量％を添加して完全に溶かする。続い
て、この溶液を濾過してウェーハ上に塗布し、コーティ
ングされたウェーハを、１００〜３００℃で１０〜１０
００秒の間ハードベーキングする。その後、形成された
反射防止膜の上に、感光物質を塗布して超微細パターン
の形成工程を行う。
いし６により製造された重合体(樹脂)のいずれかと化学
式［化４］の構造を有する重合体の中のいずれかをプロ
ピレングリコールメチルエーテルアセタートの溶媒に溶
解する。この溶液に、単独でまたは前記アントラセン誘
導体グループから選択されたいずれか１種以上の添加剤
の０．１〜３０重量％を添加して完全に溶かする。続い
て、この溶液を濾過してウェーハ上に塗布し、コーティ
ングされたウェーハを、１００〜３００℃で１０〜１０
００秒の間ハードベーキングする。その後、形成された
反射防止膜の上に、感光物質を塗布して超微細パターン
の形成工程を行う。
【００５７】
【発明の効果】以上のように、本発明で用いた架橋剤
は、重合体の形態で架橋反応において効率性が極大化さ
れるように設計したので、第１の重合体の比率を調節す
ることによって、有機反射防止膜のｋ値を自由に調節す
ることが可能である。
は、重合体の形態で架橋反応において効率性が極大化さ
れるように設計したので、第１の重合体の比率を調節す
ることによって、有機反射防止膜のｋ値を自由に調節す
ることが可能である。
【００５８】また、本発明の反射防止膜樹脂は、重合体
の自体が２４８ｎｍの波長で吸収が起きるように吸光度
が大きい発色団を有した二つの単量体を含み、この中の
一つの発色団は弱い塩基性を持っているので 成膜した
後、酸度の不均衡によるアンダーカッティングを防止す
る効果を現す。
の自体が２４８ｎｍの波長で吸収が起きるように吸光度
が大きい発色団を有した二つの単量体を含み、この中の
一つの発色団は弱い塩基性を持っているので 成膜した
後、酸度の不均衡によるアンダーカッティングを防止す
る効果を現す。
【００５９】更に、本発明の反射防止膜樹脂は、ハイド
ロカーボン系の全ての溶媒に対して良好な溶解性を持っ
ており、ハードベーク時にはいかなる溶媒でも溶解され
ない耐溶解性を持っている。更に、パターンの形成時、
アンダーカッティング及びフーチングがおきないだけで
なく、特にアクリレート系の高分子で形成されているの
で、エッチング時フォトレジスト膜に比べて良好なエッ
チング速度を持つことによって、エッチング選択比を増
加させた。
ロカーボン系の全ての溶媒に対して良好な溶解性を持っ
ており、ハードベーク時にはいかなる溶媒でも溶解され
ない耐溶解性を持っている。更に、パターンの形成時、
アンダーカッティング及びフーチングがおきないだけで
なく、特にアクリレート系の高分子で形成されているの
で、エッチング時フォトレジスト膜に比べて良好なエッ
チング速度を持つことによって、エッチング選択比を増
加させた。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 ジャエ チャン ユン
大韓民国 ギュンギ−ドー イーチョン
−シ ダエワル−ミュン サドン−リ
ヒュンダイ アパートメント 107−
1304
(72)発明者 ジュン スー リー
大韓民国 ギュンギ−ドー イーチョン
−シ ブバル−エウプ シンハ−リ サ
ミク アパートメント 103−302
(72)発明者 キー ホー バイク
大韓民国 ギュンギ−ドー イーチョン
−シ ジュンポ−ドン ダエウー アパ
ートメント 203−402
(56)参考文献 特開2001−192422（ＪＰ，Ａ)
特開2001−49231（ＪＰ，Ａ)
特開2001−192411（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−204328（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−109640（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−27324（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−249311（ＪＰ，Ａ)
特表 平10−500429（ＪＰ，Ａ)
国際公開97／030119（ＷＯ，Ａ１)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G03F 7/00 - 7/42
C08F 220/18
H01L 21/027
Claims (17)
- 【請求項１】 以下に示す化学式［化１］の構造を有す
る化合物。 【化１】 (式中、ＲaないしＲdは水素またはメチル基、Ｒaないし
Ｒd、Ｒ1ないしＲ18はそれぞれ−Ｈ、−ＯＨ、−ＯＣＯ
ＣＨ3、−ＣＯＯＨ、−ＣＨ2ＯＨ、または炭素数１ない
し５の置換若しくは非置換された直鎖若しくは分岐鎖の
アルキルまたはアルコキシアルキル、ｌ、ｍ、ｎはそれ
ぞれ１〜５の定数、ｗ、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ０．０１
〜０．９９のモル比をそれぞれ示す。) - 【請求項２】 請求項１に記載の化学式［化１］で表さ
れる化合物において、 Ｒa、Ｒbはそれぞれ水素、ＲC、Ｒdはそれぞれメチル
基、ＲaないしＲd、Ｒ1ないしＲ18はそれぞれ水素、
ｌ、ｍ、ｎはそれぞれ２、２、１、ｗ、ｘ、ｙ、ｚはそ
れぞれ０．１、０．３、０．３、０．３である請求項１
に記載のポリ[９-アントラセンメチルイミンエチルアク
リレート(２−ヒドロキシエチルアクリレート)−グリシ
ジルメチルメタクリレート(９−アントラセンメチルメ
タクリレート)]。 - 【請求項３】 請求項１に記載の化学式［化１］で表さ
れる化合物において、 Ｒa、Ｒb、Ｒdはそれぞれメチル基、ＲCは水素、Ｒaな
いしＲd、Ｒ1ないしＲ1 8はそれぞれ水素、ｌ、ｍ、ｎは
それぞれ２、ｗ、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ０．１、０．
３、０．３、０．３である請求項１に記載のポリ[アン
トラセンメチルイミンエチルメタクリレート(２−ヒド
ロキシエチルメタクリレート)−グリシジルメチルアク
リレート(９−アントラセンメチルメタクリレート)]。 - 【請求項４】 請求項１に記載の化学式［化１］で表さ
れる化合物において、 Ｒa、Ｒbはそれぞれ水素、ＲC、Ｒd はメチル基、Ｒaな
いしＲd、Ｒ1ないしＲ 18はそれぞれ水素、ｌ、ｍ、ｎは
それぞれ３、３、２、ｗ、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ０．
１、０．３、０．３、０．３である請求項１に記載のポ
リ[アントラセンメチルイミンプロピルアクリレート(３
−ヒドロキシプロピルアクリレート)−グリシジルメチ
ルメタクリレート(９−アントラセンメチルメタクリレ
ート)]。 - 【請求項５】 請求項１に記載の化学式［化１］で表さ
れる化合物において、 Ｒa、Ｒb、ＲC 、Ｒd はそれぞれ水素、ＲaないしＲd、
Ｒ1ないしＲ18はそれぞれ水素、ｌ、ｍ、ｎはそれぞれ
３、２、２、ｗ、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ０．１、０．
３、０．３、０．３である請求項１に記載のポリ[アン
トラセンメチルイミンプロピルメタクリレート(２−ヒ
ドロキシエチルメタクリレート)−グリシジルメチルメ
タクリレート(９−アントラセンメチルメタクリレー
ト)]。 - 【請求項６】 請求項１に記載の化学式［化１］で表さ
れる化合物において、 Ｒa、ＲC、Ｒdはそれぞれメチル基、Ｒbは水素、Ｒaな
いしＲd、Ｒ1ないしＲ1 8はそれぞれ水素、ｌ、ｍ、ｎは
それぞれ３、３、２、ｗ、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ０．
１、０．３、０．３、０．３である請求項１に記載のポ
リ[アントラセンメチルイミンプロピルメタクリレート
(３−ヒドロキシプロピルアクリレート)−グリシジルメ
チルメタクリレート(９−アントラセンメチルメタクリ
レート)]。 - 【請求項７】 請求項１に記載の化学式［化１］で表さ
れる化合物において、 Ｒa、ＲC、Ｒdはそれぞれメチル基、Ｒbは水素、Ｒaな
いしＲd、Ｒ1ないしＲ1 8はそれぞれ水素、ｌ、ｍ、ｎは
それぞれ３、４、２、ｗ、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ０．
１、０．３、０．３、０．３である請求項１に記載のポ
リ[アントラセンメチルイミンプロピルメタクリレート
(４−ヒドロキシブチルアクリレート)−グリシジルメチ
ルメタクリレート(９−アントラセンメチルメタクリレ
ート)]。 - 【請求項８】 ９−アントラセンメチルイミンアルキル
アクリレート系単量体と、ヒドロキシアルキルアクリレ
ート系単量体と、グリシジルアクリレート系単量体と、
９-アントラセンアルキルメタクリレート単量体とを溶
媒中で反応させた後、開始剤を入れて重合反応させるこ
とを特徴とする請求項１項に記載の化合物の製造方法。 - 【請求項９】 前記溶媒は、テトラヒドロフラン、トル
エン、ベンゼン、メチルエチルケトン、ジオキサンから
なるグループから選択されたいずれか１種以上を使用す
ることを特徴とする請求項８に記載の製造方法。 - 【請求項１０】 前記開始剤は、２、２'−アゾビスイ
ソブチロニトリル、過酸化アセチル、過酸化ラウリル、
ｔ−過酸化ブチルからなるグループから選択されたいず
れか１種以上を使用することを特徴とする請求項８に記
載の製造方法。 - 【請求項１１】 前記重合反応は、５０ないし９０℃で
行われることを特徴とする請求項８に記載の製造方法。 - 【請求項１２】 前記化学式［化１］の構造を有する化
合物の中のいずれかと、下記化学式［化２］の構造を有
する化合物の中のいずれかとを共に含むことを特徴とす
る反射防止膜の組成物。 【化２】 （上式中、Ｒ19および Ｒ20はそれぞれ分岐鎖若しくは
直鎖置換されたＣ1〜Ｃ 10のアルコキシ基、Ｒ21は水素
またはメチル基を示す。） - 【請求項１３】 前記化学式［化１］の構造を有する化
合物の中のいずれかと前記化学式［化２］の構造を有す
る化合物の中のいずれかを含み、更にアントラセン、９
−アントラセンメタノール、９−アントラセンカルボニ
トリル、９−アントラセンカルボキシル酸、ジトラノー
ル、１,２,１０−アントラセントリオル、アントラフラ
ボン酸、９−アントラアルデヒドオキシム、９−アント
ラアルデヒド、２−アミノ−７−メチル−５−沃素−５
Ｈ−[１]ベンゾピラノ[２,３−ｂ]ピリジン−３−カル
ボニトリル、１−アミノアントラキノン、アントラキノ
ン−２−カルボキシル酸、１,５−ジヒドロキシアント
ラキノン、アントロン、９−アントリルトリフルオロメ
チルケトン、９−アルキルアントラセン誘導体、９−カ
ルボキシルアントラセン誘導体、１−カルボキシルアン
トラセン誘導体からなるグループから選択されたいずれ
か１種以上の化合物を含む請求項１７に記載の反射防止
膜の組成物。 - 【請求項１４】 前記化学式［化１］の構造を有する化
合物の中のいずれかと前記化学式［化２］の構造を有す
る化合物の中のいずれかを有機溶媒に溶解させた後、こ
の溶液を単独でまたはアントラセン、９−アントラセン
メタノール、９−アントラセンカルボニトリル、９−ア
ントラセンカルボキシル酸、ジトラノール、１,２,１０
−アントラセントリオル、アントラフラボン酸、９−ア
ントラアルデヒドオキシム、９−アントラアルデヒド、
２−アミノ−７−メチル−５−沃素−５Ｈ−[１]ベンゾ
ピラノ[２,３−ｂ]ピリジン−３−カルボニトリル、１
−アミノアントラキノン、アントラキノン−２−カルボ
キシル酸、１,５−ジヒドロキシアントラキノン、アン
トロン、９−アントリルトリフルオロメチルケトン、９
−アルキルアントラセン誘導体、９−カルボキシルアン
トラセン誘導体及び１−カルボキシルアントラセン誘導
体からなるグループから選択されたいずれか１つ以上の
化合物を添加した溶液を濾過した後、下部層に塗布し、
次いでハードベークしてなることを特徴とする反射防止
膜の製造方法。 - 【請求項１５】 前記有機溶媒は、エチル−３−エト
キシプロピオネート、メチル−３−メトキシプロピオネ
ート、シクロヘキサノン、プロピレングリコールメチル
エーテルアセテートからなるグループから選択され、該
有機溶媒を使用して、前記溶媒を反射防止膜樹脂の２０
０〜５０００重量％の量で使用することを特徴とする請
求項１４に記載の製造方法。 - 【請求項１６】 ハードベーク時の温度は、１００〜
３００℃であることを特徴とする請求項１４に記載の製
造方法。 - 【請求項１７】 請求項１２または１３に記載の反射防
止膜の組成物のいずれかを使用して製造されたことを特
徴とする半導体素子。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2000-37274 | 2000-06-30 | ||
| KR1020000037274A KR100721182B1 (ko) | 2000-06-30 | 2000-06-30 | 유기반사방지막 조성물 및 그의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002072488A JP2002072488A (ja) | 2002-03-12 |
| JP3457653B2 true JP3457653B2 (ja) | 2003-10-20 |
Family
ID=19675508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001200454A Expired - Fee Related JP3457653B2 (ja) | 2000-06-30 | 2001-07-02 | 有機反射防止膜の組成物及びその製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6486283B2 (ja) |
| JP (1) | JP3457653B2 (ja) |
| KR (1) | KR100721182B1 (ja) |
| CN (1) | CN1175009C (ja) |
| DE (1) | DE10133718B4 (ja) |
| GB (1) | GB2364314B (ja) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100721181B1 (ko) * | 2000-06-30 | 2007-05-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기반사방지막 조성물 및 그의 제조방법 |
| KR100687850B1 (ko) * | 2000-06-30 | 2007-02-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기반사방지막 조성물 및 그의 제조방법 |
| KR100734249B1 (ko) * | 2000-09-07 | 2007-07-02 | 삼성전자주식회사 | 축합환의 방향족 환을 포함하는 보호기를 가지는 감광성폴리머 및 이를 포함하는 레지스트 조성물 |
| JP3597523B2 (ja) * | 2002-08-27 | 2004-12-08 | 東京応化工業株式会社 | リソグラフィー用下地材 |
| US7056826B2 (en) * | 2003-01-07 | 2006-06-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method of forming copper interconnects |
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| TWI363251B (en) * | 2003-07-30 | 2012-05-01 | Nissan Chemical Ind Ltd | Sublayer coating-forming composition for lithography containing compound having protected carboxy group |
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| KR101156969B1 (ko) | 2005-03-02 | 2012-06-20 | 주식회사 동진쎄미켐 | 유기 반사방지막 형성용 유기 중합체 및 이를 포함하는 유기 조성물 |
| CN100425630C (zh) * | 2006-04-19 | 2008-10-15 | 苏州市成技新材料开发有限公司 | 含硅偶联剂共聚物成膜树脂及其有机防反射涂膜 |
| KR100870746B1 (ko) * | 2006-11-27 | 2008-11-26 | 삼성전자주식회사 | 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 커패시터 제조 방법 |
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Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE3100077A1 (de) | 1981-01-03 | 1982-08-05 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Lichtempfindliches gemisch, das einen naphthochinondiazidsulfonsaeureester enthaelt, und verfahren zur herstellung des naphthochinondiazidsulfonsaeureesters |
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| US5919599A (en) * | 1997-09-30 | 1999-07-06 | Brewer Science, Inc. | Thermosetting anti-reflective coatings at deep ultraviolet |
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| JPH11249311A (ja) * | 1998-03-03 | 1999-09-17 | Jsr Corp | 反射防止膜形成用組成物 |
| TW457403B (en) | 1998-07-03 | 2001-10-01 | Clariant Int Ltd | Composition for forming a radiation absorbing coating containing blocked isocyanate compound and anti-reflective coating formed therefrom |
| KR100465864B1 (ko) * | 1999-03-15 | 2005-01-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기 난반사방지 중합체 및 그의 제조방법 |
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| KR100310252B1 (ko) * | 1999-06-22 | 2001-11-14 | 박종섭 | 유기 반사방지 중합체 및 그의 제조방법 |
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| FR2803850B1 (fr) * | 2000-06-13 | 2002-05-17 | Hyundai Electronics Ind | Composition de revetement anti-reflechissant, procede de preparation et dispositif a semiconducteur |
| KR100687851B1 (ko) * | 2000-06-30 | 2007-02-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기반사방지막 조성물 및 그의 제조방법 |
| KR100721181B1 (ko) * | 2000-06-30 | 2007-05-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기반사방지막 조성물 및 그의 제조방법 |
-
2000
- 2000-06-30 KR KR1020000037274A patent/KR100721182B1/ko not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-06-25 US US09/888,893 patent/US6486283B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-06-28 DE DE10133718A patent/DE10133718B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2001-06-28 GB GB0115795A patent/GB2364314B/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-06-30 CN CNB01123296XA patent/CN1175009C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-07-02 JP JP2001200454A patent/JP3457653B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001192422A (ja) | 1999-12-23 | 2001-07-17 | Hyundai Electronics Ind Co Ltd | 有機反射防止化合物及びその製造方法 |
| JP2001192411A (ja) | 1999-12-23 | 2001-07-17 | Hyundai Electronics Ind Co Ltd | 乱反射防止膜用重合体とその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2364314B (en) | 2002-06-12 |
| GB0115795D0 (en) | 2001-08-22 |
| JP2002072488A (ja) | 2002-03-12 |
| GB2364314A (en) | 2002-01-23 |
| US20020123586A1 (en) | 2002-09-05 |
| US6486283B2 (en) | 2002-11-26 |
| CN1331255A (zh) | 2002-01-16 |
| DE10133718A1 (de) | 2002-02-14 |
| CN1175009C (zh) | 2004-11-10 |
| KR20020002910A (ko) | 2002-01-10 |
| KR100721182B1 (ko) | 2007-05-23 |
| DE10133718B4 (de) | 2007-12-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080801 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090801 Year of fee payment: 6 |
|
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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