JP3464590B2 - 透明導電膜付き基板およびその製造方法 - Google Patents
透明導電膜付き基板およびその製造方法Info
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- JP3464590B2 JP3464590B2 JP16352697A JP16352697A JP3464590B2 JP 3464590 B2 JP3464590 B2 JP 3464590B2 JP 16352697 A JP16352697 A JP 16352697A JP 16352697 A JP16352697 A JP 16352697A JP 3464590 B2 JP3464590 B2 JP 3464590B2
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、導電性が高くしか
も透明性にも優れた透明導電膜付き基板およびその製造
方法に関する。
も透明性にも優れた透明導電膜付き基板およびその製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、太陽電池セル、タッチパネル、平
板型各種表示装置などに使用される透明電極、あるい
は、ショウウインド、冷蔵庫、自動車等のデフロスター
用透明ヒータ、または建物、自動車等の窓や各種表示装
置に使用される電磁波遮蔽あるいは熱線遮蔽用等の基板
に適する透明導電膜付き基板の需要が増加してきた。
板型各種表示装置などに使用される透明電極、あるい
は、ショウウインド、冷蔵庫、自動車等のデフロスター
用透明ヒータ、または建物、自動車等の窓や各種表示装
置に使用される電磁波遮蔽あるいは熱線遮蔽用等の基板
に適する透明導電膜付き基板の需要が増加してきた。
【０００３】従来、透明導電膜付き基板は、酸化インジ
ウムや酸化スズ等の透明導電性酸化物からなる薄膜をス
パッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法とい
った物理的プロセスによる成膜方法で基板上に形成させ
たものが一般的である。
ウムや酸化スズ等の透明導電性酸化物からなる薄膜をス
パッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法とい
った物理的プロセスによる成膜方法で基板上に形成させ
たものが一般的である。
【０００４】〔問題点〕これらの透明導電膜付き基板で
は、導電層が透明導電性酸化物で形成されているもの
は、透明性においては優れているものの導電性において
限界があり、そのために大きな面積の基板では抵抗が悪
くなり適用できない場合もでてきている。また、導電性
の優れた材料としては金属があるが、金属膜を前記の方
法により基板上に形成させた透明導電膜付き基板では、
導電性には優れているものの、透明性の点で実用上の問
題点があった。このように、前記物理的手法による透明
導電膜の形成方法では、成膜に最適な条件範囲が狭く、
また、成膜時には真空容器を必要とするため、結果とし
て成膜コストが高く、さらに、大面積の基板に成膜でき
ないという欠点もあった。
は、導電層が透明導電性酸化物で形成されているもの
は、透明性においては優れているものの導電性において
限界があり、そのために大きな面積の基板では抵抗が悪
くなり適用できない場合もでてきている。また、導電性
の優れた材料としては金属があるが、金属膜を前記の方
法により基板上に形成させた透明導電膜付き基板では、
導電性には優れているものの、透明性の点で実用上の問
題点があった。このように、前記物理的手法による透明
導電膜の形成方法では、成膜に最適な条件範囲が狭く、
また、成膜時には真空容器を必要とするため、結果とし
て成膜コストが高く、さらに、大面積の基板に成膜でき
ないという欠点もあった。
【０００５】一方、塗布液を用いた塗布法による成膜方
法では、例えば、錫やインジウムを含む化合物からゾル
ゲル法や熱分解法を用いて成膜する方法や、金属微粒子
を含む塗布液を基板に塗布して透明導電膜付き基板を製
造する方法が知られているが、これらの方法で得られる
透明導電膜の導電性は、いずれも導電性の点で、前記物
理的プロセスにより得られる透明導電膜よりも劣るとい
う問題点があった。
法では、例えば、錫やインジウムを含む化合物からゾル
ゲル法や熱分解法を用いて成膜する方法や、金属微粒子
を含む塗布液を基板に塗布して透明導電膜付き基板を製
造する方法が知られているが、これらの方法で得られる
透明導電膜の導電性は、いずれも導電性の点で、前記物
理的プロセスにより得られる透明導電膜よりも劣るとい
う問題点があった。
【０００６】また、電磁波シールド用の透明導電膜付き
基板では、透明基板に金属ワイヤーやカーボンワイヤー
で形成された網を張り付けたり、挟み込んだりしたもの
が開発されているが、これらの透明導電膜付き基板で
は、金属ワイヤーやカーボンワイヤー径が数１０μｍ以
上と大きいので、斜め方向からの入射光を遮蔽してしま
い、その結果として透明性が要求を満たすような優れた
ものではなかった。さらには、これらの透明導電膜付き
基板では、ワイヤーが目視できてしまうために、表示素
子などに用いられる場合には、著しい画質の低下を招く
という問題点を生じていた。
基板では、透明基板に金属ワイヤーやカーボンワイヤー
で形成された網を張り付けたり、挟み込んだりしたもの
が開発されているが、これらの透明導電膜付き基板で
は、金属ワイヤーやカーボンワイヤー径が数１０μｍ以
上と大きいので、斜め方向からの入射光を遮蔽してしま
い、その結果として透明性が要求を満たすような優れた
ものではなかった。さらには、これらの透明導電膜付き
基板では、ワイヤーが目視できてしまうために、表示素
子などに用いられる場合には、著しい画質の低下を招く
という問題点を生じていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来技術に
おけるこれらの問題点に鑑みてなされたものであって、
その解決のための具体的な課題は、優れた導電性を有す
るとともに透明性が良好である透明導電膜付き基板およ
びその製造方法を提供することにある。
おけるこれらの問題点に鑑みてなされたものであって、
その解決のための具体的な課題は、優れた導電性を有す
るとともに透明性が良好である透明導電膜付き基板およ
びその製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
透明導電膜付き基板は、基板上に形成された網目構造を
有する触媒層と該触媒層上に形成された金属層とを有
し、前記網目構造の開口径が200μｍ以下であり、前記
金属層の線幅が0.1〜10μｍであり、前記金属層の厚み
が0.1〜10μｍであり、前記網目構造における開口部の
面積と前記金属層の面積との割合が金属層面積／開口部
面積＝５／５以下であることを特徴とするものであり、
基板上に網目構造を有する金属層が形成されるため、所
望の導電性が得られるとともに良好な透明性が得られ
る。
透明導電膜付き基板は、基板上に形成された網目構造を
有する触媒層と該触媒層上に形成された金属層とを有
し、前記網目構造の開口径が200μｍ以下であり、前記
金属層の線幅が0.1〜10μｍであり、前記金属層の厚み
が0.1〜10μｍであり、前記網目構造における開口部の
面積と前記金属層の面積との割合が金属層面積／開口部
面積＝５／５以下であることを特徴とするものであり、
基板上に網目構造を有する金属層が形成されるため、所
望の導電性が得られるとともに良好な透明性が得られ
る。
【０００９】請求項２に係る透明導電膜付き基板は、前
記触媒層を構成する触媒成分にはＡｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｐ
ｄ，Ｒｈ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｒｕ，Ｉｒの金属触媒微粒子を
１種以上含むことを特徴とし、触媒活性の高い成分によ
り網目構造を有する触媒層が形成され、前記触媒層上に
効果的に金属層を形成することができ、高い導電性と良
好な透明性を併せ持つ透明導電膜付き基板が得られる。
記触媒層を構成する触媒成分にはＡｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｐ
ｄ，Ｒｈ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｒｕ，Ｉｒの金属触媒微粒子を
１種以上含むことを特徴とし、触媒活性の高い成分によ
り網目構造を有する触媒層が形成され、前記触媒層上に
効果的に金属層を形成することができ、高い導電性と良
好な透明性を併せ持つ透明導電膜付き基板が得られる。
【００１０】請求項３に係る透明導電膜付き基板は、前
記触媒層を構成する触媒成分にはＺｎＯ，Ｚｎ（ＯＨ）
2 ，ＴｉＯ2 ，Ｎｂ2 Ｏ3 ，ＳｒＴｉＯ3 ，Ｆｅ
2 Ｏ3 ，ＳｎＯ2 ，ＷＯ3 ，ＭｏＯ3 ，Ｖ2 Ｏ5 ，Ｚｒ
Ｏ2 ，Ｂｉ2 Ｏ3 ，ＺｎＳ，ＣｄＳ，ＰｂＳ，Ｂｉ2 Ｓ
3 ，ＳｉＣ，Ｓｉ、またはＫ4 Ｎｂ6 Ｏ18，ＫＴｉ2 Ｎ
ｂＯ7 ，Ｋ3 Ｔｉ5 ＮｂＯ14，ＫＴｉＮｂＯ4 等で示さ
れるニオブ酸アルカリ化合物やニオブ酸チタン酸アルカ
リ化合物の、光触媒微粒子を１種以上含むことを特徴と
し、触媒活性の高い成分により網目構造を有する触媒層
が形成され、金属層形成時にその光触媒効果を利用し
て、前記触媒層上に効果的に金属層を形成することがで
き、高い導電性と良好な透明性を併せ持つ透明導電膜付
き基板が得られる。
記触媒層を構成する触媒成分にはＺｎＯ，Ｚｎ（ＯＨ）
2 ，ＴｉＯ2 ，Ｎｂ2 Ｏ3 ，ＳｒＴｉＯ3 ，Ｆｅ
2 Ｏ3 ，ＳｎＯ2 ，ＷＯ3 ，ＭｏＯ3 ，Ｖ2 Ｏ5 ，Ｚｒ
Ｏ2 ，Ｂｉ2 Ｏ3 ，ＺｎＳ，ＣｄＳ，ＰｂＳ，Ｂｉ2 Ｓ
3 ，ＳｉＣ，Ｓｉ、またはＫ4 Ｎｂ6 Ｏ18，ＫＴｉ2 Ｎ
ｂＯ7 ，Ｋ3 Ｔｉ5 ＮｂＯ14，ＫＴｉＮｂＯ4 等で示さ
れるニオブ酸アルカリ化合物やニオブ酸チタン酸アルカ
リ化合物の、光触媒微粒子を１種以上含むことを特徴と
し、触媒活性の高い成分により網目構造を有する触媒層
が形成され、金属層形成時にその光触媒効果を利用し
て、前記触媒層上に効果的に金属層を形成することがで
き、高い導電性と良好な透明性を併せ持つ透明導電膜付
き基板が得られる。
【００１１】請求項４に係る透明導電膜付き基板は、前
記金属層を構成する金属成分にはＡｕ，Ｐｔ，Ａｇ，Ｃ
ｕ，Ｐｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｗ，Ｎｉ，Ｐｂ，Ｆｅ，Ｃｒ，
Ｚｎの１種以上を含むことを特徴とし、網目構造に形成
された触媒層上に析出して網目構造の金属層を形成し、
高い導電性と良好な透明性を併せ持つ透明導電膜付き基
板が得られる。
記金属層を構成する金属成分にはＡｕ，Ｐｔ，Ａｇ，Ｃ
ｕ，Ｐｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｗ，Ｎｉ，Ｐｂ，Ｆｅ，Ｃｒ，
Ｚｎの１種以上を含むことを特徴とし、網目構造に形成
された触媒層上に析出して網目構造の金属層を形成し、
高い導電性と良好な透明性を併せ持つ透明導電膜付き基
板が得られる。
【００１２】また、請求項５に係る、前記網目構造の開
口径が200μｍ以下であり、前記金属層の線幅が0.1〜10
μｍであり、前記金属層の厚みが0.1〜10μｍであり、
前記網目構造における開口部の面積と前記金属層の面積
との割合が金属層面積／開口部面積＝５／５以下である
透明導電膜付き基板の製造方法は、請求項２記載の触媒
成分を含有する塗布液をスプレー法により基板に塗布し
て網目構造の触媒層を形成し、次いで、その基板を請求
項４記載の金属成分を含む無電解メッキ液に浸漬する
か、あるいは、その無電解メッキ液を前記基板上に塗布
して、前記触媒層上に網目状の金属層を形成させること
を特徴とするもので、網目状に連結した触媒層を形成
し、その触媒層を利用して触媒層上にのみ金属層を設け
ることができるようにして、高い導電性と良好な透明性
を併せ持つ透明導電膜付き基板を容易に製造できるよう
にするものである。
口径が200μｍ以下であり、前記金属層の線幅が0.1〜10
μｍであり、前記金属層の厚みが0.1〜10μｍであり、
前記網目構造における開口部の面積と前記金属層の面積
との割合が金属層面積／開口部面積＝５／５以下である
透明導電膜付き基板の製造方法は、請求項２記載の触媒
成分を含有する塗布液をスプレー法により基板に塗布し
て網目構造の触媒層を形成し、次いで、その基板を請求
項４記載の金属成分を含む無電解メッキ液に浸漬する
か、あるいは、その無電解メッキ液を前記基板上に塗布
して、前記触媒層上に網目状の金属層を形成させること
を特徴とするもので、網目状に連結した触媒層を形成
し、その触媒層を利用して触媒層上にのみ金属層を設け
ることができるようにして、高い導電性と良好な透明性
を併せ持つ透明導電膜付き基板を容易に製造できるよう
にするものである。
【００１３】また、請求項６に係る、前記網目構造の開
口径が200μｍ以下であり、前記金属層の線幅が0.1〜10
μｍであり、前記金属層の厚みが0.1〜10μｍであり、
前記網目構造における開口部の面積と前記金属層の面積
との割合が金属層面積／開口部面積＝５／５以下である
透明導電膜付き基板の製造方法は、請求項３記載の触媒
成分を含有する塗布液を、スプレー法にて基板に塗布し
て網目構造の触媒層を形成し、次いで、その基板を請求
項４記載の金属成分を含む無電解メッキ液に浸漬するか
あるいはその無電解メッキ液を前記触媒層を形成した基
板上に塗布するとともに、前記基板上に放射線を照射し
て、前記触媒層上に網目状金属層を形成させることを特
徴とするもので、網目状に連結した触媒層を形成し、そ
の光触媒効果を利用して触媒層上にのみ金属層を設ける
ことができるようにして、効果的に網目構造を有する金
属層を形成させ、高い導電性と良好な透明性を併せ持つ
透明導電膜付き基板を容易に製造できるようにするもの
である。
口径が200μｍ以下であり、前記金属層の線幅が0.1〜10
μｍであり、前記金属層の厚みが0.1〜10μｍであり、
前記網目構造における開口部の面積と前記金属層の面積
との割合が金属層面積／開口部面積＝５／５以下である
透明導電膜付き基板の製造方法は、請求項３記載の触媒
成分を含有する塗布液を、スプレー法にて基板に塗布し
て網目構造の触媒層を形成し、次いで、その基板を請求
項４記載の金属成分を含む無電解メッキ液に浸漬するか
あるいはその無電解メッキ液を前記触媒層を形成した基
板上に塗布するとともに、前記基板上に放射線を照射し
て、前記触媒層上に網目状金属層を形成させることを特
徴とするもので、網目状に連結した触媒層を形成し、そ
の光触媒効果を利用して触媒層上にのみ金属層を設ける
ことができるようにして、効果的に網目構造を有する金
属層を形成させ、高い導電性と良好な透明性を併せ持つ
透明導電膜付き基板を容易に製造できるようにするもの
である。
【００１４】また、請求項７に係る、前記網目構造の開
口径が200μｍ以下であり、前記金属層の線幅が0.1〜10
μｍであり、前記金属層の厚みが0.1〜10μｍであり、
前記網目構造における開口部の面積と前記金属層の面積
との割合が金属層面積／開口部面積＝５／５以下である
透明導電膜付き基板の製造方法は、請求項２記載の触媒
成分を含有する塗布液を、網目状溝部を有する基板に塗
布して網目構造の触媒層を形成し、次いで、その基板を
請求項４記載の金属成分を含む無電解メッキ液に浸漬す
るか、あるいは、その無電解メッキ液を前記触媒層を形
成した基板上に塗布することによって、前記触媒層上に
網目状の金属層を形成させることを特徴とするもので、
網目状溝部に形成した触媒層を利用して触媒層上にのみ
金属層を設けることができるようにして、高い導電性と
良好な透明性を併せ持つ透明導電膜付き基板を容易に製
造できるようにするものである。
口径が200μｍ以下であり、前記金属層の線幅が0.1〜10
μｍであり、前記金属層の厚みが0.1〜10μｍであり、
前記網目構造における開口部の面積と前記金属層の面積
との割合が金属層面積／開口部面積＝５／５以下である
透明導電膜付き基板の製造方法は、請求項２記載の触媒
成分を含有する塗布液を、網目状溝部を有する基板に塗
布して網目構造の触媒層を形成し、次いで、その基板を
請求項４記載の金属成分を含む無電解メッキ液に浸漬す
るか、あるいは、その無電解メッキ液を前記触媒層を形
成した基板上に塗布することによって、前記触媒層上に
網目状の金属層を形成させることを特徴とするもので、
網目状溝部に形成した触媒層を利用して触媒層上にのみ
金属層を設けることができるようにして、高い導電性と
良好な透明性を併せ持つ透明導電膜付き基板を容易に製
造できるようにするものである。
【００１５】また、請求項８に係る、前記網目構造の開
口径が200μｍ以下であり、前記金属層の線幅が0.1〜10
μｍであり、前記金属層の厚みが0.1〜10μｍであり、
前記網目構造における開口部の面積と前記金属層の面積
との割合が金属層面積／開口部面積＝５／５以下である
透明導電膜付き基板の製造方法は、請求項３記載の触媒
成分を含有する塗布液を、網目状溝部を有する基板に塗
布して網目構造の触媒層を形成し、次いで、その基板を
請求項４記載の金属成分を含む無電解メッキ液に浸漬す
るかあるいはその無電解メッキ液を前記触媒層を形成し
た基板上に塗布するとともに、前記基板上に放射線を照
射して、前記触媒層上に網目状金属層を形成させること
を特徴とするもので、網目状溝部に形成した触媒層の光
触媒効果を利用して効果的に触媒層上にのみ金属層を設
けることができるようにして、高い導電性と良好な透明
性を併せ持つ透明導電膜付き基板を容易に製造できるよ
うにするものである。
口径が200μｍ以下であり、前記金属層の線幅が0.1〜10
μｍであり、前記金属層の厚みが0.1〜10μｍであり、
前記網目構造における開口部の面積と前記金属層の面積
との割合が金属層面積／開口部面積＝５／５以下である
透明導電膜付き基板の製造方法は、請求項３記載の触媒
成分を含有する塗布液を、網目状溝部を有する基板に塗
布して網目構造の触媒層を形成し、次いで、その基板を
請求項４記載の金属成分を含む無電解メッキ液に浸漬す
るかあるいはその無電解メッキ液を前記触媒層を形成し
た基板上に塗布するとともに、前記基板上に放射線を照
射して、前記触媒層上に網目状金属層を形成させること
を特徴とするもので、網目状溝部に形成した触媒層の光
触媒効果を利用して効果的に触媒層上にのみ金属層を設
けることができるようにして、高い導電性と良好な透明
性を併せ持つ透明導電膜付き基板を容易に製造できるよ
うにするものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につき
詳細に説明する。ただし、この実施の形態は、本発明の
趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するもの
であり、特に指定のない限り、発明内容を限定するもの
ではない。
詳細に説明する。ただし、この実施の形態は、本発明の
趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するもの
であり、特に指定のない限り、発明内容を限定するもの
ではない。
【００１７】この実施の形態においては、ガラスやプラ
スチック等の透明基板上に、網目状に連結した触媒層を
形成させ、その触媒層上にのみ金属層を設けることによ
って網目状金属層を形成し、透明導電膜付き基板とする
ものである。すなわち、この透明導電膜付き基板の導電
性は、触媒層上に形成された網目状に連結した金属層に
よって発揮され、また、透明性は、前記金属層が網目状
に開口した構造をとることによって確保される。
スチック等の透明基板上に、網目状に連結した触媒層を
形成させ、その触媒層上にのみ金属層を設けることによ
って網目状金属層を形成し、透明導電膜付き基板とする
ものである。すなわち、この透明導電膜付き基板の導電
性は、触媒層上に形成された網目状に連結した金属層に
よって発揮され、また、透明性は、前記金属層が網目状
に開口した構造をとることによって確保される。
【００１８】基板上に形成される触媒層は、触媒粒子表
面で無電解メッキ液中の還元剤から電子をもらい受け、
その電子を無電解メッキ中の析出させるべき金属イオン
に供与することによって、触媒層上に金属を還元析出さ
せる働きをするものである。また、光触媒層では、光触
媒粒子は半導体であるので、そのエネルギキャップに相
当する波長以上のエネルギをもつ放射線を吸収すること
によって、価電子帯の電子が伝導帯に移り、その電子を
無電解メッキ液中の金属イオンに供与することによって
光触媒層上に金属が還元析出する。
面で無電解メッキ液中の還元剤から電子をもらい受け、
その電子を無電解メッキ中の析出させるべき金属イオン
に供与することによって、触媒層上に金属を還元析出さ
せる働きをするものである。また、光触媒層では、光触
媒粒子は半導体であるので、そのエネルギキャップに相
当する波長以上のエネルギをもつ放射線を吸収すること
によって、価電子帯の電子が伝導帯に移り、その電子を
無電解メッキ液中の金属イオンに供与することによって
光触媒層上に金属が還元析出する。
【００１９】これらの触媒層の厚みについて特に制限は
ない。また、網目状に連結した触媒層上に形成される金
属層の厚みは 0.05 μｍ以上、好ましくは 0.1μｍ以上
の厚みとすることで優れた導電性を付与することが可能
となる。
ない。また、網目状に連結した触媒層上に形成される金
属層の厚みは 0.05 μｍ以上、好ましくは 0.1μｍ以上
の厚みとすることで優れた導電性を付与することが可能
となる。
【００２０】この金属層の厚みが 0.05 μｍより薄くな
ると触媒層上に形成される金属層が島状になり、金属層
が連結されなくなるために導電性は著しく悪化する。ま
た、金属層が 10 μｍを超えるような場合では、導電性
はそれ以上に向上しないばかりでなく、金属層の厚みが
厚くなりすぎると、斜め方向から入射する可視光を遮蔽
してしまうために、表示装置などで用いられる場合に
は、視野角の低下を招き、好ましくない。従って、金属
層の厚みは 0.1〜 10 μｍに設定するのが好適である。
このような金属層を形成することにより、表面抵抗で10
-3〜102 Ω／□レベルの優れた導電性を発揮させること
が可能となる。
ると触媒層上に形成される金属層が島状になり、金属層
が連結されなくなるために導電性は著しく悪化する。ま
た、金属層が 10 μｍを超えるような場合では、導電性
はそれ以上に向上しないばかりでなく、金属層の厚みが
厚くなりすぎると、斜め方向から入射する可視光を遮蔽
してしまうために、表示装置などで用いられる場合に
は、視野角の低下を招き、好ましくない。従って、金属
層の厚みは 0.1〜 10 μｍに設定するのが好適である。
このような金属層を形成することにより、表面抵抗で10
-3〜102 Ω／□レベルの優れた導電性を発揮させること
が可能となる。
【００２１】次いで、綱目構造に形成された金属層部分
の面積は、金属層面積／開口部面積＝５／５以下とす
る。すなわち、本発明における透明導電膜付き基板の透
明性は、金属層が不透明な材料であるために金属層面積
／開口部面積で決定されるから、金属層面積／開口部面
積＝５／５を超えるような場合では透明性が悪く、極め
て視認性の悪い透明導電膜付き基板となる。
の面積は、金属層面積／開口部面積＝５／５以下とす
る。すなわち、本発明における透明導電膜付き基板の透
明性は、金属層が不透明な材料であるために金属層面積
／開口部面積で決定されるから、金属層面積／開口部面
積＝５／５を超えるような場合では透明性が悪く、極め
て視認性の悪い透明導電膜付き基板となる。
【００２２】さらには、連続した金属層の１つ１つの網
目の平均的な開口径は、200 μｍ以下とする。200 μｍ
以上になると網目構造の金属層部分が肉眼で認識できる
ために透明導電膜付き基板の外観を損ねてしまう。ま
た、網目の平均的な大きさが 0.5μｍと可視光波長より
小さい場合には、可視光の透過性が低下するので好まし
くない。したがって、網目構造の開口径は可視光波長以
上 200μｍ以下の範囲になるようにすることが望まし
い。
目の平均的な開口径は、200 μｍ以下とする。200 μｍ
以上になると網目構造の金属層部分が肉眼で認識できる
ために透明導電膜付き基板の外観を損ねてしまう。ま
た、網目の平均的な大きさが 0.5μｍと可視光波長より
小さい場合には、可視光の透過性が低下するので好まし
くない。したがって、網目構造の開口径は可視光波長以
上 200μｍ以下の範囲になるようにすることが望まし
い。
【００２３】また、網目構造をとる金属層の線幅は、
0.1〜 10 μｍの範囲が好ましい。金属層の線幅がこの
範囲を超えて小さい場合には金属層が連結した網目状に
なりずらく、導電性の低下を招き、一方、金属層の線幅
がこの範囲を超えて大きい場合には金属層の網目構造が
肉眼で認識できたり、あるいは透明性の向上が計れなか
ったりするので好ましくない。このような構造を有する
金属層とすることによって、透過率 40 ％以上の良好な
透明性を発揮させることが可能となる。
0.1〜 10 μｍの範囲が好ましい。金属層の線幅がこの
範囲を超えて小さい場合には金属層が連結した網目状に
なりずらく、導電性の低下を招き、一方、金属層の線幅
がこの範囲を超えて大きい場合には金属層の網目構造が
肉眼で認識できたり、あるいは透明性の向上が計れなか
ったりするので好ましくない。このような構造を有する
金属層とすることによって、透過率 40 ％以上の良好な
透明性を発揮させることが可能となる。
【００２４】綱目状に連結させる触媒層の材質として
は、触媒層上にのみ優先的に金属層を析出させる必要が
あるために、触媒能の高い貴金属材料、具体的にはＡ
ｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｒｕ，Ｉｒ
の金属微粒子、あるいは光照射により触媒能を発揮する
ことのできる光触媒材料、具体的にはＺｎＯ，Ｚｎ（Ｏ
Ｈ）2 ，ＴｉＯ2 ，Ｎｂ2 Ｏ3 ，ＳｒＴｉＯ3 ，Ｆｅ2
Ｏ3 ，ＳｎＯ2 ，ＷＯ3 ，ＭｏＯ3 ，Ｖ2 Ｏ5 ，ＺｒＯ
2 ，Ｂｉ2 Ｏ3 ，ＺｎＳ，ＣｄＳ，ＰｂＳ，Ｂｉ
2Ｓ3 ，ＳｉＣ，Ｓｉ、または、Ｋ4 Ｎｂ6 Ｏ18，ＫＴ
ｉ2 ＮｂＯ7 ，Ｋ3 Ｔｉ5ＮｂＯ14，ＫＴｉＮｂＯ4 等
で示されるニオブ酸アルカリ化合物やニオブ酸チタン酸
アルカリ化合物の、光触媒微粒子が好適である。
は、触媒層上にのみ優先的に金属層を析出させる必要が
あるために、触媒能の高い貴金属材料、具体的にはＡ
ｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｒｕ，Ｉｒ
の金属微粒子、あるいは光照射により触媒能を発揮する
ことのできる光触媒材料、具体的にはＺｎＯ，Ｚｎ（Ｏ
Ｈ）2 ，ＴｉＯ2 ，Ｎｂ2 Ｏ3 ，ＳｒＴｉＯ3 ，Ｆｅ2
Ｏ3 ，ＳｎＯ2 ，ＷＯ3 ，ＭｏＯ3 ，Ｖ2 Ｏ5 ，ＺｒＯ
2 ，Ｂｉ2 Ｏ3 ，ＺｎＳ，ＣｄＳ，ＰｂＳ，Ｂｉ
2Ｓ3 ，ＳｉＣ，Ｓｉ、または、Ｋ4 Ｎｂ6 Ｏ18，ＫＴ
ｉ2 ＮｂＯ7 ，Ｋ3 Ｔｉ5ＮｂＯ14，ＫＴｉＮｂＯ4 等
で示されるニオブ酸アルカリ化合物やニオブ酸チタン酸
アルカリ化合物の、光触媒微粒子が好適である。
【００２５】前記触媒種は単独もしくは２種以上の成分
を含む混合系、あるいは光触媒種に金属触媒種を担持さ
せた触媒も用いることが可能である。また、触媒微粒子
の大きさは、特に制限はないが、粒子の大きさが小さい
方が触媒活性が強くなるので、平均粒径 0.001〜0.1 μ
ｍの触媒微粒子を用いることがより効果的である。
を含む混合系、あるいは光触媒種に金属触媒種を担持さ
せた触媒も用いることが可能である。また、触媒微粒子
の大きさは、特に制限はないが、粒子の大きさが小さい
方が触媒活性が強くなるので、平均粒径 0.001〜0.1 μ
ｍの触媒微粒子を用いることがより効果的である。
【００２６】触媒層上に形成させる金属層の材質として
は、導電性が良好で、かつメッキ法で触媒上に析出可能
な金属種としてＡｕ，Ｐｔ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ｉｎ，
Ｓｎ，Ｗ，Ｎｉ，Ｐｂ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｚｎ，Ｃｏが好ま
しい。これらの金属種は単独あるいは２種以上の成分か
らなるＡｇ−Ｐｄ，Ｐｄ−Ｃｕ，Ｎｉ−Ｂ，Ｎｉ−Ｃｏ
−Ｐ等の合金でも差し支えない。
は、導電性が良好で、かつメッキ法で触媒上に析出可能
な金属種としてＡｕ，Ｐｔ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ｉｎ，
Ｓｎ，Ｗ，Ｎｉ，Ｐｂ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｚｎ，Ｃｏが好ま
しい。これらの金属種は単独あるいは２種以上の成分か
らなるＡｇ−Ｐｄ，Ｐｄ−Ｃｕ，Ｎｉ−Ｂ，Ｎｉ−Ｃｏ
−Ｐ等の合金でも差し支えない。
【００２７】網目構造の触媒層の形成方法は、特に制限
されないが、例えば、前記触媒微粒子を分散させた塗布
液をスプレー法にて基板上に塗布し乾燥させることによ
って容易に作成できる。スプレー法を適用した網目構造
を有する触媒層の生成過程は、図１に示すように、ま
ず、スプレーノズルから吹き出された塗布液の液滴１が
基板２に衝突することで液滴が押し潰されたクレーター
状の塗布液の膜１ａが形成され（図１（Ａ），
（Ｂ））、その後、クレーター状の塗布液の膜１ａから
溶剤が蒸発してゆく（図１（Ｃ））。この溶剤の蒸発過
程において、膜１ａ中に残存する溶剤の表面張力が蒸発
の進行につれて大きくなるように塗布液の溶剤調整をし
ておくと、基板２に対する濡れ性が低下することが駆動
力となって液の凝集が引き起こされ、クレーター状の塗
布液の膜は液滴１つ１つに対応したリング３を形成し
（図１（Ｄ））、各リング３が連結した網目状構造の触
媒層４が形成される（図１（Ｅ））。
されないが、例えば、前記触媒微粒子を分散させた塗布
液をスプレー法にて基板上に塗布し乾燥させることによ
って容易に作成できる。スプレー法を適用した網目構造
を有する触媒層の生成過程は、図１に示すように、ま
ず、スプレーノズルから吹き出された塗布液の液滴１が
基板２に衝突することで液滴が押し潰されたクレーター
状の塗布液の膜１ａが形成され（図１（Ａ），
（Ｂ））、その後、クレーター状の塗布液の膜１ａから
溶剤が蒸発してゆく（図１（Ｃ））。この溶剤の蒸発過
程において、膜１ａ中に残存する溶剤の表面張力が蒸発
の進行につれて大きくなるように塗布液の溶剤調整をし
ておくと、基板２に対する濡れ性が低下することが駆動
力となって液の凝集が引き起こされ、クレーター状の塗
布液の膜は液滴１つ１つに対応したリング３を形成し
（図１（Ｄ））、各リング３が連結した網目状構造の触
媒層４が形成される（図１（Ｅ））。
【００２８】この触媒層の網目構造はスプレー条件と塗
布液の配合により制御する。スプレー条件としては、ス
プレーノズル構造、ノズル径、噴霧圧、ノズルと基板と
の距離、基板温度等の制御要因があり、また、塗布液の
配合には、溶剤配合、触媒成分の固形分量やバインダー
成分の添加量などの制御要因がある。目的とする触媒層
の網目構造を得るためには、これらの制御要因の最適値
を実験的に求めた上で適用する。
布液の配合により制御する。スプレー条件としては、ス
プレーノズル構造、ノズル径、噴霧圧、ノズルと基板と
の距離、基板温度等の制御要因があり、また、塗布液の
配合には、溶剤配合、触媒成分の固形分量やバインダー
成分の添加量などの制御要因がある。目的とする触媒層
の網目構造を得るためには、これらの制御要因の最適値
を実験的に求めた上で適用する。
【００２９】また、他の網目構造を有する触媒層の形成
方法としては、網目状溝部を有するガラスやプラスチッ
ク等の透明基板上に、その溝部のみに触媒層を形成させ
る方法を適用することもできる。この形成方法では、透
明基板上の網目構造溝部は、基板に細いスクラッチ傷を
付けることにより得られる。
方法としては、網目状溝部を有するガラスやプラスチッ
ク等の透明基板上に、その溝部のみに触媒層を形成させ
る方法を適用することもできる。この形成方法では、透
明基板上の網目構造溝部は、基板に細いスクラッチ傷を
付けることにより得られる。
【００３０】スクラッチ傷を付ける用具としては、基板
表面に細かい傷を付けられるものであれば、研磨粉、研
磨紙、ブラシ等のいずれの用具形態であっても良く、材
質についても金属、セラミック、プラスチック等のよう
にガラス、プラスチック基板に傷を付けられるものであ
ればいずれの材質であっても良い。
表面に細かい傷を付けられるものであれば、研磨粉、研
磨紙、ブラシ等のいずれの用具形態であっても良く、材
質についても金属、セラミック、プラスチック等のよう
にガラス、プラスチック基板に傷を付けられるものであ
ればいずれの材質であっても良い。
【００３１】スクラッチ傷を付ける方法としては、これ
らの用具を用いて、基板上を何方向かに擦ることによ
り、網目状溝が得られる。ここで目的とする溝の幅、深
さ、溝間隔を持つ網目状溝を得るには、前記用具の材
質、径等の選定、および、基板を擦る際の回数、荷重等
の制御要因につき、予め実験的に求めた最適な制御要因
を適用して調整する。
らの用具を用いて、基板上を何方向かに擦ることによ
り、網目状溝が得られる。ここで目的とする溝の幅、深
さ、溝間隔を持つ網目状溝を得るには、前記用具の材
質、径等の選定、および、基板を擦る際の回数、荷重等
の制御要因につき、予め実験的に求めた最適な制御要因
を適用して調整する。
【００３２】網目構造の触媒層は、網目状溝部を有する
透明基板上に触媒層を形成、その後、水洗を行うことに
よって得られる。すなわち、網目状溝部を有する透明基
板上に、前記触媒微粒子を分散させた塗布液を塗布した
り、基板を液に浸漬することによって触媒層を形成す
る。その後、透明基板の洗浄を行うことにより溝部以外
の触媒層を除去し、網目状溝部の触媒層のみを残すこと
によって、網目状触媒層を形成する。この網目状構造
は、適切な溝間距離、溝線幅の網目状溝部を有する透明
基板の選択、塗料中の触媒固形分濃度、塗布条件、洗浄
条件等の制御要因につき、予め実験的に求めた最適な制
御要因によって調整することが好ましい。
透明基板上に触媒層を形成、その後、水洗を行うことに
よって得られる。すなわち、網目状溝部を有する透明基
板上に、前記触媒微粒子を分散させた塗布液を塗布した
り、基板を液に浸漬することによって触媒層を形成す
る。その後、透明基板の洗浄を行うことにより溝部以外
の触媒層を除去し、網目状溝部の触媒層のみを残すこと
によって、網目状触媒層を形成する。この網目状構造
は、適切な溝間距離、溝線幅の網目状溝部を有する透明
基板の選択、塗料中の触媒固形分濃度、塗布条件、洗浄
条件等の制御要因につき、予め実験的に求めた最適な制
御要因によって調整することが好ましい。
【００３３】次に、触媒層上への金属層の形成方法を説
明する。金属触媒微粒子からなる触媒層上への金属層の
形成方法は、析出させるべき金属成分を含有する無電解
メッキ液に、前記網目構造の触媒層を有する基板を浸漬
させたり、あるいは、基板上に無電解メッキ液を塗布す
ることによって、触媒層上にのみ金属層を析出・生成さ
せて、網目構造の導電層を形成させる。
明する。金属触媒微粒子からなる触媒層上への金属層の
形成方法は、析出させるべき金属成分を含有する無電解
メッキ液に、前記網目構造の触媒層を有する基板を浸漬
させたり、あるいは、基板上に無電解メッキ液を塗布す
ることによって、触媒層上にのみ金属層を析出・生成さ
せて、網目構造の導電層を形成させる。
【００３４】また、光触媒微粒子からなる触媒層への金
属層の形成方法は、析出させるべき金属成分を含有する
無電解メッキ液に、前記網目構造の触媒層を有する基板
を浸漬させたり、あるいは、基板上に無電解メッキ液を
塗布するとともに、前記基板上に放射線を照射して、光
触媒微粒子が放射線を吸収することにより、光触媒微粒
子中の電子を無電解メッキ液の金属イオンに供与し、触
媒層上にのみ金属層を析出・生成させて、網目構造の導
電層を形成させる。
属層の形成方法は、析出させるべき金属成分を含有する
無電解メッキ液に、前記網目構造の触媒層を有する基板
を浸漬させたり、あるいは、基板上に無電解メッキ液を
塗布するとともに、前記基板上に放射線を照射して、光
触媒微粒子が放射線を吸収することにより、光触媒微粒
子中の電子を無電解メッキ液の金属イオンに供与し、触
媒層上にのみ金属層を析出・生成させて、網目構造の導
電層を形成させる。
【００３５】無電解メッキによる金属層の形成時におい
て、光触媒微粒子に照射させる放射線としては、紫外
線、可視光線、電子線等が挙げられるが、特に紫外線が
好ましい。また、放射線源としては、水銀ランプ、メタ
ルハライドランプ、キセノンランプ、エキシマレーザ等
が用いられる。
て、光触媒微粒子に照射させる放射線としては、紫外
線、可視光線、電子線等が挙げられるが、特に紫外線が
好ましい。また、放射線源としては、水銀ランプ、メタ
ルハライドランプ、キセノンランプ、エキシマレーザ等
が用いられる。
【００３６】ただし、無電解メッキ時間を長くしすぎる
と、触媒層だけでなく、開口部にも金属メッキ膜が生成
し始めるため、透明性を低下させる原因となって好まし
くないから、無電解メッキの主な制御要因である温度−
時間条件については、実験的に見出した最適条件を適用
して調整する。
と、触媒層だけでなく、開口部にも金属メッキ膜が生成
し始めるため、透明性を低下させる原因となって好まし
くないから、無電解メッキの主な制御要因である温度−
時間条件については、実験的に見出した最適条件を適用
して調整する。
【００３７】このような触媒層および金属層の形成方法
を適用することにより、容易に透明導電膜付き基板を製
造することができる。この実施形態の透明導電膜付き基
板では、使用目的に応じて、導電層上に透明性を有する
各種樹脂のオーバーコート層を設けたり、透明性のフィ
ルムを張り付けて使用しても差し支えない。
を適用することにより、容易に透明導電膜付き基板を製
造することができる。この実施形態の透明導電膜付き基
板では、使用目的に応じて、導電層上に透明性を有する
各種樹脂のオーバーコート層を設けたり、透明性のフィ
ルムを張り付けて使用しても差し支えない。
【００３８】
〔触媒微粒子分散液の調整〕
(1) Ｐｄコロイド分散液の調整
ＰｄＣｌ2 1.67 ｇを 0.02 規定ＨＣｌ溶液 165ｇ に
入れて溶解させた溶液にクエン酸ナトリウム２水塩 2.8
ｇを純水 219ｇに溶解させた溶液を加えて攪拌混合し、
それを還元材である水素化ホウ素ナトリウム 0.18 ｇを
純水 3620 ｇに溶解させた溶液を加えてＰｄコロイドを
生成した。ついで、この液を限外濾過装置にて洗浄して
不純物を除去し、Ｐｄコロイド固形分が１ｗｔ％になる
まで濃縮して、Ｐｄコロイド分散液を調整した。この場
合におけるｐｄコロイドの平均粒径は 0.005μｍであっ
た。
入れて溶解させた溶液にクエン酸ナトリウム２水塩 2.8
ｇを純水 219ｇに溶解させた溶液を加えて攪拌混合し、
それを還元材である水素化ホウ素ナトリウム 0.18 ｇを
純水 3620 ｇに溶解させた溶液を加えてＰｄコロイドを
生成した。ついで、この液を限外濾過装置にて洗浄して
不純物を除去し、Ｐｄコロイド固形分が１ｗｔ％になる
まで濃縮して、Ｐｄコロイド分散液を調整した。この場
合におけるｐｄコロイドの平均粒径は 0.005μｍであっ
た。
【００３９】(2) ＺｎＯ微粒子分散液の調整
ＺｎＯ超微粒子粉末（住友大阪セメント（株）製ＺｎＯ
＃100 平均粒径 0.01μｍ）１ｇを純水 99 ｇに入れ、
サンドミルにて解砕分散させてＺｎＯ固形分が１ｗｔ％
のＺｎＯ分散液を調整した。
＃100 平均粒径 0.01μｍ）１ｇを純水 99 ｇに入れ、
サンドミルにて解砕分散させてＺｎＯ固形分が１ｗｔ％
のＺｎＯ分散液を調整した。
【００４０】(3) ＴｉＯ2 微粒子分散液の調整
アナターゼ型ＴｉＯ2 超微粒子粉末（石原産業（株）製
ＳＴ−０１ 平均粒径0.02 μｍ）１ｇを純水 99 ｇに
入れ、サンドミルにて解砕分散させてＴｉＯ2固形分が
１ｗｔ％のＴｉＯ2 分散液を網整した。
ＳＴ−０１ 平均粒径0.02 μｍ）１ｇを純水 99 ｇに
入れ、サンドミルにて解砕分散させてＴｉＯ2固形分が
１ｗｔ％のＴｉＯ2 分散液を網整した。
【００４１】〔実施例１〕
触媒含有塗布液の調整
Ｐｄコロイド分散液 10 ｇ
エタノール 60 ｇ
ブチルセロソルブ 3 ｇ
純水 27 ｇ
を秤量し、混合して塗布液を調整した。
【００４２】 触媒層の形成
で調整した触媒含有塗布液を、スプレー装置により、
ノズルタイプ （ノズル No.1650、ノズルキャップ No.64）
噴霧圧 3 ｋｇ／ｃｍ2
ノズル−基板矩離 10 ｃｍ
基板温度 60 ℃
のスプレー条件にて、ソーダライムガラス基板上に塗布
し、その基板を 150℃で乾燥して網目構造を有する触媒
層を基板上に形成させた。
し、その基板を 150℃で乾燥して網目構造を有する触媒
層を基板上に形成させた。
【００４３】 金属層の形成
で得られた触媒層が形成された基板を、無電解Ｃｕメ
ッキ液（奥野製薬工業（株）製ＯＰＣ−カッパー）に 4
0 ℃で３分間浸漬し、触媒層上にＣｕの無電解メッキ層
を形成させることにより透明導電膜付き基板を作成し
た。
ッキ液（奥野製薬工業（株）製ＯＰＣ−カッパー）に 4
0 ℃で３分間浸漬し、触媒層上にＣｕの無電解メッキ層
を形成させることにより透明導電膜付き基板を作成し
た。
【００４４】 透明導電膜付き基板の評価
作成された透明導電膜付き基板について、以下の評価を
行い、その結果を表１に示した。 金属層の網目構造評価；金属網目の平均線幅、平均線間隔および平均開口径等 について走査電子顕微鏡により観察し測定した。 金属層の厚みはトンネル電子顕微鏡にて測定した。 表面抵抗 ；２端子の直流抵抗測定により算出した。 透過率 ；分光光度計により膜の透過率を測定した。
行い、その結果を表１に示した。 金属層の網目構造評価；金属網目の平均線幅、平均線間隔および平均開口径等 について走査電子顕微鏡により観察し測定した。 金属層の厚みはトンネル電子顕微鏡にて測定した。 表面抵抗 ；２端子の直流抵抗測定により算出した。 透過率 ；分光光度計により膜の透過率を測定した。
【００４５】〔実施例２〕実施例１で作成した網目構造
をもつ触媒層が形成された基板を、実施例１と同様の無
電解Ｃｕメッキ液に 40 ℃で５分間浸漬し、触媒層上に
Ｃｕの無電解メッキ層を形成させることにより透明導電
膜付き基板を作成した。実施例１と同様の評価を行い、
その結果を表１に示した。
をもつ触媒層が形成された基板を、実施例１と同様の無
電解Ｃｕメッキ液に 40 ℃で５分間浸漬し、触媒層上に
Ｃｕの無電解メッキ層を形成させることにより透明導電
膜付き基板を作成した。実施例１と同様の評価を行い、
その結果を表１に示した。
【００４６】〔実施例３〕
触媒含有塗布液の調整
Ｐｄコロイド分散液 40 ｇ
エタノール 57 ｇ
ブチルセロソルブ 3 ｇ
を秤量し、混合して塗布液を調整した。
【００４７】 触媒層の形成
で調整した触媒含有塗布液を、スプレー装置により、
ノズルタイプ （ノズルNo.16650、ノズルキヤップNo.64 ）
噴霧圧 1.5 ｋｇ／ｃｍ2
ノズル−基板距離 10 ｃｍ
基板温度 60 ℃
のスプレー条件にて、ソーダライムガラス基板状に塗布
した後、その基板を 150℃で乾燥して網目構造を有する
触媒層を基板状に形成させた。
した後、その基板を 150℃で乾燥して網目構造を有する
触媒層を基板状に形成させた。
【００４８】 金属層の形成
で得られた触媒層が形成された基板を、無電解Ｃｕメ
ッキ液（奥野製薬工業（株）製ＯＰＣ−カッパー）に 4
0 ℃で１５分間浸漬し、触媒層上にＣｕの無電解メッキ
層を形成させることにより透明導電膜付き基板を作成し
た。 透明導電膜付き基板の評価 実施例１と同様の評価を行い、その結果を表１に示し
た。
ッキ液（奥野製薬工業（株）製ＯＰＣ−カッパー）に 4
0 ℃で１５分間浸漬し、触媒層上にＣｕの無電解メッキ
層を形成させることにより透明導電膜付き基板を作成し
た。 透明導電膜付き基板の評価 実施例１と同様の評価を行い、その結果を表１に示し
た。
【００４９】〔実施例４〕
触媒含有塗布液の調整
ＺｎＯ分散液 20 ｇ
エタノール 60 ｇ
ブチルセロソルブ 3 ｇ
純水 17 ｇ
を秤量し、混合して塗布液を調整した。
【００５０】 触媒層の形成
で調整した触媒含有塗布液を、スプレー装置により、
ノズルタイプ （ノズルNo.1650 、ノズルキャップNo.64 ）
噴霧圧 1.5 ｋｇ／ｃｍ2
ノズル−基板距離 10 ｃｍ
基板温度 60 ℃
のスプレー条件にて、ソーダライムガラス基板状に塗布
し、その基板を 150℃で乾燥することにより網目構造を
有する触媒層を基板状に形成させた。
し、その基板を 150℃で乾燥することにより網目構造を
有する触媒層を基板状に形成させた。
【００５１】 無電解銀メッキ液の調整
ＡｇＮＯ3 3.5ｇを純水 60 ｇに溶解させた溶液に、水
酸化ナトリウム 2.5ｇを溶解させた溶液 60 ｇを加えて
沈殿物を生成させ、 10 ％アンモニア水を加えて沈殿物
を再溶解させて、溶液Ａを調整した。次いで、還元液と
して、ブドウ糖 45 ｇ、酒石酸 4ｇを純水 1000 ｇに溶
解させた溶液にエタノールを加えて、溶液Ｂを調整し
た。溶液Ａと溶被Ｂを混合して、無電解Ａｇメッキ液を
調整した。
酸化ナトリウム 2.5ｇを溶解させた溶液 60 ｇを加えて
沈殿物を生成させ、 10 ％アンモニア水を加えて沈殿物
を再溶解させて、溶液Ａを調整した。次いで、還元液と
して、ブドウ糖 45 ｇ、酒石酸 4ｇを純水 1000 ｇに溶
解させた溶液にエタノールを加えて、溶液Ｂを調整し
た。溶液Ａと溶被Ｂを混合して、無電解Ａｇメッキ液を
調整した。
【００５２】 金属層の形成
で得られた触媒層が形成された基板を、で調整した
無電解Ａｇメッキ液に25℃で 10 分間、 500Ｗ水銀ラン
プにより照射しながら浸漬し、触媒層上にＡｇの無電解
メッキ層を形成させることにより透明導電膜付き基板を
作成した。 透明導電膜付き基板の評価 実施例１と同様の評価を行い、その結果を表１に示し
た。
無電解Ａｇメッキ液に25℃で 10 分間、 500Ｗ水銀ラン
プにより照射しながら浸漬し、触媒層上にＡｇの無電解
メッキ層を形成させることにより透明導電膜付き基板を
作成した。 透明導電膜付き基板の評価 実施例１と同様の評価を行い、その結果を表１に示し
た。
【００５３】〔実施例５〕
触媒含有塗布液の調整
ＴｉＯ2 分散液 20 ｇ
エタノール 60 ｇ
ブチルセロソルブ 3 ｇ
純水 17 ｇ
を秤量、混合して塗布液を調整した。
【００５４】 触媒層の形成
で調整した触媒含有塗布液を、スプレー装置により
ノズルタイプ （ノズルNo.1650 、ノズルキヤツプNo.64 ）
噴霧圧 1.5ｋｇ／ｃｍ2
ノズル−基板距離 10 ｃｍ
基板温度 60 ℃
のスプレー条件にて、ソーダライムガラス基板上に塗布
し、その基板を 150℃で乾燥して、網目構造を有する触
媒層を基板上に形成させた。
し、その基板を 150℃で乾燥して、網目構造を有する触
媒層を基板上に形成させた。
【００５５】 金属層の形成
で得られた触媒層が形成された基板を、実施例４の
で調整した無電解Ａｇメッキ液に 25 ℃で 10 分間、 5
00Ｗ水銀ランプにより照射しながら浸漬し、触媒層上に
Ａｇの無電解メッキ層を形成させることにより透明導電
膜付き基板を作成した。 透明導電膜付き基板の評価 実施例１と同様の評価を行い、その結果を表１に示し
た。
で調整した無電解Ａｇメッキ液に 25 ℃で 10 分間、 5
00Ｗ水銀ランプにより照射しながら浸漬し、触媒層上に
Ａｇの無電解メッキ層を形成させることにより透明導電
膜付き基板を作成した。 透明導電膜付き基板の評価 実施例１と同様の評価を行い、その結果を表１に示し
た。
【００５６】
【表１】
【００５７】〔実施例６〕
触媒含有塗布液の調整
Ｐｄコロイド分散液 10 ｇ
ブチルセロソルブ 20 ｇ
純水 70 ｇ
を秤量、混合して塗布液を調整した。
【００５８】 触媒層の形成
ポリカーボネート基板上を研磨紙（＃1500）で擦り、平
均溝幅 2.0μｍ、平均溝深さ 1.0μｍ、平均溝間距離 2
0 μｍの網目状溝部が形成された基板に、スピンコータ
ー装置によりで得られた触媒含有塗布液を 150ｒｐｍ
で塗布し、乾燥を行い、その後、基板を純水で５分間洗
浄して、網目状構造を有する触媒層を基板上に形成させ
た。
均溝幅 2.0μｍ、平均溝深さ 1.0μｍ、平均溝間距離 2
0 μｍの網目状溝部が形成された基板に、スピンコータ
ー装置によりで得られた触媒含有塗布液を 150ｒｐｍ
で塗布し、乾燥を行い、その後、基板を純水で５分間洗
浄して、網目状構造を有する触媒層を基板上に形成させ
た。
【００５９】 金属層の形成
で得られた触媒層が形成された基板を、無電解Ｃｕメ
ッキ液（奥野製薬工業（株）製ＯＰＣ−750 ）に 25 ℃
で 5分間浸漬し、触媒層上にＣｕの無電解メッキ層を形
成させることにより透明導電膜付き基板を作成した。 透明導電膜付き基板の評価 実施例１と同様の評価を行い、その結果を表２に示し
た。
ッキ液（奥野製薬工業（株）製ＯＰＣ−750 ）に 25 ℃
で 5分間浸漬し、触媒層上にＣｕの無電解メッキ層を形
成させることにより透明導電膜付き基板を作成した。 透明導電膜付き基板の評価 実施例１と同様の評価を行い、その結果を表２に示し
た。
【００６０】〔実施例７〕実施例６と同様の基板に触媒
層を形成し、ついで基板を５分間水洗を行い網目状触媒
層を形成した。実施例６と同様の無電解メッキ液に前記
基板を 25 ℃で 10 分間浸漬し、触媒層にＣｕの無電解
メッキ層を形成して、透明導電膜付き基板を作成した。
実施例１と同様の評価を行い、その結果を表２に示し
た。
層を形成し、ついで基板を５分間水洗を行い網目状触媒
層を形成した。実施例６と同様の無電解メッキ液に前記
基板を 25 ℃で 10 分間浸漬し、触媒層にＣｕの無電解
メッキ層を形成して、透明導電膜付き基板を作成した。
実施例１と同様の評価を行い、その結果を表２に示し
た。
【００６１】〔実施例８〕アクリル基板上を研磨紙（＃
1000）で擦り、平均溝幅 5.0μｍ、平均溝深さ 1.0μ
ｍ、平均溝間距離 50 μｍの網目状溝部が形成された透
明基板に、実施例６と同様に触媒層を形成し、その後、
基板を純水で５分間洗浄して、網目状構造を有する触媒
層を基板上に形成させた。こうして得られた触媒層が形
成された基板を、無電解Ｃｕメッキ液（奥野製薬工業
（株）製ＯＰＣ−750 ）に 25 ℃で 30 分間浸漬し、触
媒層上にＣｕの無電解メッキ層を形成させることにより
透明導電膜付き基板を作成した。実施例１と同様の評価
を行い、その結果を表２に示した。
1000）で擦り、平均溝幅 5.0μｍ、平均溝深さ 1.0μ
ｍ、平均溝間距離 50 μｍの網目状溝部が形成された透
明基板に、実施例６と同様に触媒層を形成し、その後、
基板を純水で５分間洗浄して、網目状構造を有する触媒
層を基板上に形成させた。こうして得られた触媒層が形
成された基板を、無電解Ｃｕメッキ液（奥野製薬工業
（株）製ＯＰＣ−750 ）に 25 ℃で 30 分間浸漬し、触
媒層上にＣｕの無電解メッキ層を形成させることにより
透明導電膜付き基板を作成した。実施例１と同様の評価
を行い、その結果を表２に示した。
【００６２】〔実施例９〕
触媒含有塗布液の調整
ＺｎＯ分散液 20 ｇ
ブチルセロソルブ 20 ｇ
純水 60 ｇ
を秤量、混合して塗布液を調整した。
【００６３】 触媒層の形成
透明ポリカーボネート基板上を研磨紙（＃1000）で擦
り、平均溝幅 2.0μｍ、平均溝深さ 1.0μｍ、平均溝間
距離 50 μｍの網目状溝部が形成された基板に、スピン
コーター装置によりで得られた触媒含有塗布液を 150
ｒｐｍで塗布し、乾燥を行い、その後、基板を純水で５
分間洗浄して、網目状構造を有する触媒層を基板上に形
成させた。
り、平均溝幅 2.0μｍ、平均溝深さ 1.0μｍ、平均溝間
距離 50 μｍの網目状溝部が形成された基板に、スピン
コーター装置によりで得られた触媒含有塗布液を 150
ｒｐｍで塗布し、乾燥を行い、その後、基板を純水で５
分間洗浄して、網目状構造を有する触媒層を基板上に形
成させた。
【００６４】 金属層の形成
で得られた触媒層が形成された基板を、実施例４の
で調整した無電解Ａｇメッキ液に、 25 ℃で 10 分間、
500Ｗ水銀ランプにより照射しながら浸漬し、触媒層上
にＡｇの無電解メッキ層を形成させることにより透明導
電膜付き基板を作成した。 透明導電膜付き基板の評価 実施例１と同様の評価を行い、その結果を表２に示し
た。
で調整した無電解Ａｇメッキ液に、 25 ℃で 10 分間、
500Ｗ水銀ランプにより照射しながら浸漬し、触媒層上
にＡｇの無電解メッキ層を形成させることにより透明導
電膜付き基板を作成した。 透明導電膜付き基板の評価 実施例１と同様の評価を行い、その結果を表２に示し
た。
【００６５】〔実施例１０〕
触媒含有塗布液の調整
ＴｉＯ2 分散液 20 ｇ
ブチルセロソルブ 20 ｇ
純水 60 ｇ
を秤量、混合して塗布液を調整した。
【００６６】 触媒層の形成
で得られた塗布液を用い、実施例９と同様にして、網
目状構造を有する触媒層を基板上に形成させた。 金属層の形成 で得られた触媒層が形成された基板を、実施例９と同
様にして、触媒層上にＡｇの無電解メッキ層を形成さ
せ、透明導電膜付き基板を作成した。 透明導電膜付き基板の評価 実施例１と同様の評価を行い、その結果を表２に示し
た。
目状構造を有する触媒層を基板上に形成させた。 金属層の形成 で得られた触媒層が形成された基板を、実施例９と同
様にして、触媒層上にＡｇの無電解メッキ層を形成さ
せ、透明導電膜付き基板を作成した。 透明導電膜付き基板の評価 実施例１と同様の評価を行い、その結果を表２に示し
た。
【００６７】
【表２】
【００６８】
【発明の効果】以上のように、本発明の請求項１に係る
透明導電膜付き基板では、基板上に形成された網目構造
を有する触媒層と該触媒層上に形成された金属層とを有
し、前記網目構造の開口径が200μｍ以下であり、前記
金属層の線幅が0.1〜10μｍであり、前記金属層の厚み
が0.1〜10μｍであり、前記網目構造における開口部の
面積と前記金属層の面積との割合が金属層面積／開口部
面積＝５／５以下であることによって、所望の導電性が
得られるとともに良好な透明性が確保され、表示装置等
によって要望されている透明電極あるいは電磁波遮蔽ま
たは熱線遮蔽用基板に適する高い導電性と優れた透明性
を併せ持つ基板を提供することができる。
透明導電膜付き基板では、基板上に形成された網目構造
を有する触媒層と該触媒層上に形成された金属層とを有
し、前記網目構造の開口径が200μｍ以下であり、前記
金属層の線幅が0.1〜10μｍであり、前記金属層の厚み
が0.1〜10μｍであり、前記網目構造における開口部の
面積と前記金属層の面積との割合が金属層面積／開口部
面積＝５／５以下であることによって、所望の導電性が
得られるとともに良好な透明性が確保され、表示装置等
によって要望されている透明電極あるいは電磁波遮蔽ま
たは熱線遮蔽用基板に適する高い導電性と優れた透明性
を併せ持つ基板を提供することができる。
【００６９】請求項２に係る透明導電膜付き基板では、
前記触媒層を構成する触媒成分にはＡｕ，Ａｇ，Ｐｔ，
Ｐｄ，Ｒｈ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｒｕ，Ｉｒの金属触媒微粒子
を１種以上含むことから、触媒活性の高い成分により網
目構造を有する触媒層が形成でき、前記触媒層上に効果
的に金属層を形成することにより、高い導電性と良好な
透明性を併せ持つ透明導電膜付き基板を得ることができ
る。
前記触媒層を構成する触媒成分にはＡｕ，Ａｇ，Ｐｔ，
Ｐｄ，Ｒｈ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｒｕ，Ｉｒの金属触媒微粒子
を１種以上含むことから、触媒活性の高い成分により網
目構造を有する触媒層が形成でき、前記触媒層上に効果
的に金属層を形成することにより、高い導電性と良好な
透明性を併せ持つ透明導電膜付き基板を得ることができ
る。
【００７０】請求項３に係る透明導電膜付き基板では、
前記触媒層を構成する触媒成分にはＺｎＯ，Ｚｎ（Ｏ
Ｈ）2 ，ＴｉＯ2 ，Ｎｂ2 Ｏ3 ，ＳｒＴｉＯ3 ，Ｆｅ2
Ｏ3 ，ＳｎＯ2 ，ＷＯ3 ，ＭｏＯ3 ，Ｖ2 Ｏ5 ，ＺｒＯ
2 ，Ｂｉ2 Ｏ3 ，ＺｎＳ，ＣｄＳ，ＰｂＳ，Ｂｉ
2 Ｓ3 ，ＳｉＣ，Ｓｉ、またはＫ4 Ｎｂ6 Ｏ18，ＫＴｉ
2 ＮｂＯ7 ，Ｋ3 Ｔｉ5 ＮｂＯ14，ＫＴｉＮｂＯ4 等で
示されるニオブ酸アルカリ化合物やニオブ酸チタン酸ア
ルカリ化合物の、光触媒微粒子を１種以上含むことか
ら、触媒活性の高い成分により網目構造を有する触媒層
が形成され、金属層形成時にその光触媒効果を利用し
て、前記触媒層上に効果的に金属層を形成することがで
き、高い導電性と良好な透明性を併せ持つ透明導電膜付
き基板を得ることができる。
前記触媒層を構成する触媒成分にはＺｎＯ，Ｚｎ（Ｏ
Ｈ）2 ，ＴｉＯ2 ，Ｎｂ2 Ｏ3 ，ＳｒＴｉＯ3 ，Ｆｅ2
Ｏ3 ，ＳｎＯ2 ，ＷＯ3 ，ＭｏＯ3 ，Ｖ2 Ｏ5 ，ＺｒＯ
2 ，Ｂｉ2 Ｏ3 ，ＺｎＳ，ＣｄＳ，ＰｂＳ，Ｂｉ
2 Ｓ3 ，ＳｉＣ，Ｓｉ、またはＫ4 Ｎｂ6 Ｏ18，ＫＴｉ
2 ＮｂＯ7 ，Ｋ3 Ｔｉ5 ＮｂＯ14，ＫＴｉＮｂＯ4 等で
示されるニオブ酸アルカリ化合物やニオブ酸チタン酸ア
ルカリ化合物の、光触媒微粒子を１種以上含むことか
ら、触媒活性の高い成分により網目構造を有する触媒層
が形成され、金属層形成時にその光触媒効果を利用し
て、前記触媒層上に効果的に金属層を形成することがで
き、高い導電性と良好な透明性を併せ持つ透明導電膜付
き基板を得ることができる。
【００７１】請求項４に係る透明導電膜付き基板では、
金属成分にＡｕ，Ｐｔ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ｉｎ，Ｓ
ｎ，Ｗ，Ｎｉ，Ｐｂ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｚｎの１種以上を含
むことから、網目構造に形成された触媒層上に析出して
網目構造の金属層を形成することによって、高い導電性
と良好な透明性を併せ持つ透明導電膜付き基板を得るこ
とができる。
金属成分にＡｕ，Ｐｔ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ｉｎ，Ｓ
ｎ，Ｗ，Ｎｉ，Ｐｂ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｚｎの１種以上を含
むことから、網目構造に形成された触媒層上に析出して
網目構造の金属層を形成することによって、高い導電性
と良好な透明性を併せ持つ透明導電膜付き基板を得るこ
とができる。
【００７２】また、請求項５に係る、網目構造の開口径
が200μｍ以下であり、金属層の線幅が0.1〜10μｍであ
り、前記金属層の厚みが0.1〜10μｍであり、前記網目
構造における開口部の面積と前記金属層の面積との割合
が金属層面積／開口部面積＝５／５以下である透明導電
膜付き基板の製造方法では、網目状に連結した触媒層を
形成し、その触媒層を利用して触媒層上にのみ金属層を
設けることができるようにして、高い導電性と優れた透
明性を併せ持つ透明導電膜付き基板を容易に製造でき、
表示装置等の透明電極あるいは電磁波遮蔽または熱線遮
蔽用基板に適する材料を安価にし、また大型化すること
ができる。
が200μｍ以下であり、金属層の線幅が0.1〜10μｍであ
り、前記金属層の厚みが0.1〜10μｍであり、前記網目
構造における開口部の面積と前記金属層の面積との割合
が金属層面積／開口部面積＝５／５以下である透明導電
膜付き基板の製造方法では、網目状に連結した触媒層を
形成し、その触媒層を利用して触媒層上にのみ金属層を
設けることができるようにして、高い導電性と優れた透
明性を併せ持つ透明導電膜付き基板を容易に製造でき、
表示装置等の透明電極あるいは電磁波遮蔽または熱線遮
蔽用基板に適する材料を安価にし、また大型化すること
ができる。
【００７３】また、請求項６に係る、網目構造の開口径
が200μｍ以下であり、金属層の線幅が0.1〜10μｍであ
り、前記金属層の厚みが0.1〜10μｍであり、前記網目
構造における開口部の面積と前記金属層の面積との割合
が金属層面積／開口部面積＝５／５以下である透明導電
膜付き基板の製造方法では、網目状に連結した触媒層を
形成し、その光触媒効果を利用して効果的に触媒層上に
のみ金属層を設けることができ、高い導電性と良好な透
明性を併せ持つ透明導電膜付き基板を容易に製造でき、
表示装置等の透明電極あるいは電磁波遮蔽または熱線遮
蔽用基板に適する材料を安価にし、また大型化すること
ができる。
が200μｍ以下であり、金属層の線幅が0.1〜10μｍであ
り、前記金属層の厚みが0.1〜10μｍであり、前記網目
構造における開口部の面積と前記金属層の面積との割合
が金属層面積／開口部面積＝５／５以下である透明導電
膜付き基板の製造方法では、網目状に連結した触媒層を
形成し、その光触媒効果を利用して効果的に触媒層上に
のみ金属層を設けることができ、高い導電性と良好な透
明性を併せ持つ透明導電膜付き基板を容易に製造でき、
表示装置等の透明電極あるいは電磁波遮蔽または熱線遮
蔽用基板に適する材料を安価にし、また大型化すること
ができる。
【００７４】また、請求項７に係る、網目構造の開口径
が200μｍ以下であり、金属層の線幅が0.1〜10μｍであ
り、前記金属層の厚みが0.1〜10μｍであり、前記網目
構造における開口部の面積と前記金属層の面積との割合
が金属層面積／開口部面積＝５／５以下である透明導電
膜付き基板の製造方法では、網目状溝部に触媒層を形成
して効果的に網目状触媒層を形成させることができ、そ
の触媒層上に網目状金属層を形成できて、高い導電性と
良好な透明性を併せ持つ大型化可能な透明導電膜付き基
板を容易に製造できる。
が200μｍ以下であり、金属層の線幅が0.1〜10μｍであ
り、前記金属層の厚みが0.1〜10μｍであり、前記網目
構造における開口部の面積と前記金属層の面積との割合
が金属層面積／開口部面積＝５／５以下である透明導電
膜付き基板の製造方法では、網目状溝部に触媒層を形成
して効果的に網目状触媒層を形成させることができ、そ
の触媒層上に網目状金属層を形成できて、高い導電性と
良好な透明性を併せ持つ大型化可能な透明導電膜付き基
板を容易に製造できる。
【００７５】また、請求項８に係る、網目構造の開口径
が200μｍ以下であり、金属層の線幅が0.1〜10μｍであ
り、前記金属層の厚みが0.1〜10μｍであり、前記網目
構造における開口部の面積と前記金属層の面積との割合
が金属層面積／開口部面積＝５／５以下である透明導電
膜付き基板の製造方法では、網目状溝部に形成した触媒
層の光触媒効果を利用して、効果的に触媒層上にのみ金
属層を設けることができ、高い導電性と良好な透明性を
併せ持つ大型化可能な透明導電膜付き基板を容易に製造
できる。
が200μｍ以下であり、金属層の線幅が0.1〜10μｍであ
り、前記金属層の厚みが0.1〜10μｍであり、前記網目
構造における開口部の面積と前記金属層の面積との割合
が金属層面積／開口部面積＝５／５以下である透明導電
膜付き基板の製造方法では、網目状溝部に形成した触媒
層の光触媒効果を利用して、効果的に触媒層上にのみ金
属層を設けることができ、高い導電性と良好な透明性を
併せ持つ大型化可能な透明導電膜付き基板を容易に製造
できる。
【図１】本発明の一実施形態による網目構造を有する触
媒層の生成過程を示す製造工程説明図であり、（Ａ）は
塗布液の液滴が基板に衝突する状態、（Ｂ）は基板に衝
突した液滴がクレータ状の膜を形成した状態、（Ｃ）は
クレータ状の膜から溶剤が蒸発していく状態、（Ｄ）は
溶剤が蒸発してリング状に固化した状態、（Ｅ）は各液
滴がリング状に固化して連結し網目状構造を形成した状
態である。
媒層の生成過程を示す製造工程説明図であり、（Ａ）は
塗布液の液滴が基板に衝突する状態、（Ｂ）は基板に衝
突した液滴がクレータ状の膜を形成した状態、（Ｃ）は
クレータ状の膜から溶剤が蒸発していく状態、（Ｄ）は
溶剤が蒸発してリング状に固化した状態、（Ｅ）は各液
滴がリング状に固化して連結し網目状構造を形成した状
態である。
１ 液滴
１ａ （クレーター状の塗布液の）膜
２ 基板
３ リング
４ 触媒層
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭62−90982（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−238709（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−205388（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−283889（ＪＰ，Ａ)
実開 昭64−24325（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01B 5/14
C23C 18/18
H01L 31/04
H05K 9/00
Claims (8)
- 【請求項１】基板上に形成された網目構造を有する触媒
層と該触媒層上に形成された金属層とを有し、前記網目
構造の開口径が200μｍ以下であり、前記金属層の線幅
が0.1〜10μｍであり、前記金属層の厚みが0.1〜10μｍ
であり、前記網目構造における開口部の面積と前記金属
層の面積との割合が金属層面積／開口部面積＝５／５以
下であることを特徴とする透明導電膜付き基板。 - 【請求項２】前記触媒層を構成する触媒成分には、Ａ
ｕ，Ｐｔ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｒｕ，Ｉｒ
の金属触媒微粒子を１種以上含むことを特徴とする請求
項１記載の透明導電膜付き基板。 - 【請求項３】前記触媒層を構成する触媒成分には、Ｚｎ
Ｏ，Ｚｎ（ＯＨ）２，ＴｉＯ２，Ｎｂ２Ｏ３，ＳｒＴｉ
Ｏ３，Ｆｅ２Ｏ３，ＳｎＯ２，ＷＯ３，ＭｏＯ３，Ｖ２
Ｏ５，ＺｒＯ２，Ｂｉ２Ｏ３，ＺｎＳ，ＣｄＳ，Ｐｂ
Ｓ，Ｂｉ２Ｓ３，ＳｉＣ，Ｓｉ、または、Ｋ４Ｎｂ６Ｏ
１８，ＫＴｉ２ＮｂＯ７，Ｋ３Ｔｉ５ＮｂＯ１４，ＫＴ
ｉＮｂＯ４等で示されるニオブ酸アルカリ化合物やニオ
ブ酸チタン酸アルカリ化合物の、光触媒微粒子を１種以
上含むことを特徴とする請求項１〜２記載の透明導電膜
付き基板。 - 【請求項４】前記金属層を構成する金属成分にはＡｕ，
Ａｇ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｗ，Ｎｉ，Ｐ
ｂ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｚｎの１種以上を含むことを特徴とす
る請求項１〜３記載の透明導電膜付き基板。 - 【請求項５】請求項２記載の触媒成分を含有する塗布液
をスプレー法により基板に塗布して網目構造の触媒層を
形成し、次いで、その基板を請求項４記載の金属成分を
含む無電解メッキ液に浸漬するか、あるいは、その無電
解メッキ液を前記基板上に塗布して、前記触媒層上に網
目状の金属層を形成させることを特徴とする前記網目構
造の開口径が200μｍ以下であり、前記金属層の線幅が
0.1〜10μｍであり、前 記金属層の厚みが0.1〜10μｍで
あり、前記網目構造における開口部の面積と前記金属層
の面積との割合が金属層面積／開口部面積＝５／５以下
である透明導電膜付き基板の製造方法。 - 【請求項６】請求項３記載の触媒成分を含有する塗布液
を、スプレー法にて基板に塗布して網目構造の触媒層を
形成し、次いで、その基板を請求項４記載の金属成分を
含む無電解メッキ液に浸漬するかあるいはその無電解メ
ッキ液を前記触媒層を形成した基板上に塗布するととも
に、前記基板上に放射線を照射して、前記触媒層上に網
目状金属層を形成させることを特徴とする前記網目構造
の開口径が200μｍ以下であり、前記金属層の線幅が0.1
〜10μｍであり、前記金属層の厚みが0.1〜10μｍであ
り、前記網目構造における開口部の面積と前記金属層の
面積との割合が金属層面積／開口部面積＝５／５以下で
ある透明導電膜付き基板の製造方法。 - 【請求項７】請求項２記載の触媒成分を含有する塗布液
を、網目状溝部を有する基板に塗布して網目構造の触媒
層を形成し、次いで、その基板を請求項４記載の金属成
分を含む無電解メッキ液に浸漬するか、あるいは、その
無電解メッキ液を前記触媒層を形成した基板上に塗布す
ることによって、前記触媒層上に網目状の金属層を形成
させることを特徴とする前記網目構造の開口径が200μ
ｍ以下であり、前記金属層の線幅が0.1〜10μｍであ
り、前記金属層の厚みが0.1〜10μｍであり、前記網目
構造における開口部の面積と前記金属層の面積との割合
が金属層面積／開口部面積＝５／５以下である透明導電
膜付き基板の製造方法。 - 【請求項８】請求項３記載の触媒成分を含有する塗布液
を、網目状溝部を有する基板に塗布して網目構造の触媒
層を形成し、次いで、その基板を請求項４記載の金属成
分を含む無電解メッキ液に浸漬するかあるいはその無電
解メッキ液を前記触媒層を形成した基板上に塗布すると
ともに、前記基板上に放射線を照射して、前記触媒層上
に網目状金属層を形成させることを特徴とする前記網目
構造の開口径が200μｍ以下であり、前記金属層の線幅
が0.1〜10μｍであり、前記金属層の厚みが0.1〜10μｍ
であり、前記網目構造における開口部の面積と前記金属
層の面積との割 合が金属層面積／開口部面積＝５／５以
下である透明導電膜付き基板の製造方法。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP16352697A JP3464590B2 (ja) | 1997-06-06 | 1997-06-06 | 透明導電膜付き基板およびその製造方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16352697A JP3464590B2 (ja) | 1997-06-06 | 1997-06-06 | 透明導電膜付き基板およびその製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
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| JPH10340629A JPH10340629A (ja) | 1998-12-22 |
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Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16352697A Expired - Fee Related JP3464590B2 (ja) | 1997-06-06 | 1997-06-06 | 透明導電膜付き基板およびその製造方法 |
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| JP5207728B2 (ja) | 2006-12-21 | 2013-06-12 | 富士フイルム株式会社 | 導電膜およびその製造方法 |
| JP2008204632A (ja) * | 2007-02-16 | 2008-09-04 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 薄片状化合物 |
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| JP5353705B2 (ja) * | 2007-10-26 | 2013-11-27 | コニカミノルタ株式会社 | 透明導電性フィルム及びその製造方法 |
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| JP2010093040A (ja) * | 2008-10-08 | 2010-04-22 | Bridgestone Corp | 光透過性電磁波シールド材及びその製造方法 |
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| FR2961219B1 (fr) * | 2010-06-09 | 2012-07-13 | Essilor Int | Procede de preparation a basse temperature de revetements mesostructures electroconducteurs |
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| DE102013114572A1 (de) | 2013-12-19 | 2015-06-25 | Leibniz-Institut Für Neue Materialien Gemeinnützige Gmbh | Verfahren zur Herstellung strukturierter metallischer Beschichtungen |
-
1997
- 1997-06-06 JP JP16352697A patent/JP3464590B2/ja not_active Expired - Fee Related
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