JP3465887B2 - Test method for semiconductor integrated circuit - Google Patents
Test method for semiconductor integrated circuitInfo
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Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路(I
C)のテスト方法に閑し、特にICの故障検出のテスト
工程において、少ないテストパタン追加で、クロストー
クノイズの影響による半導体集積回路の故障を除去でき
ようにした半導体集積回路のテスト方法に関する。The present invention relates to a semiconductor integrated circuit (I
In particular, the present invention relates to a semiconductor integrated circuit test method capable of removing a semiconductor integrated circuit failure due to the influence of crosstalk noise by adding a small number of test patterns in a test process for detecting a failure of an IC, in addition to the test method of C).
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体集積回路の開発は、近年プロセス
の微細化が進み、益々高集積度化、高性能化が進んでい
る。こうした状況の中では、クロストークノイズの影響
が出やすいため、しばしば問題となっている。2. Description of the Related Art In the development of semiconductor integrated circuits, process miniaturization has progressed in recent years, resulting in higher integration and higher performance. In such a situation, the influence of crosstalk noise is likely to occur, which is often a problem.
【0003】このクロストークの影響は、(1)隣接配
線のの配線長が長くなるほど(2)配線間隔が狭くなる
ほど(3)ドライバの能力に差が有るほど(4)配線容
量のうち配線間容量の比率が高いほど受けやすい。ま
た、隣接配線が同時に片方が立ち上がり、一方が立ち下
がるような動作の時に、遅延値が大きくなり、同時に同
じ変化を起こす場合は遅延値が小さくなるというクロス
トークの影響が現れる。また、隣接配線の一方が固定値
であり、片方だけが変化したとしても、変化する配線よ
り、固定値の配線のドライブ能力が低く、かつ、配線容
量のうち、配線間容量の比率が高い場合は、固定値の信
号にノイズが生じ、誤動作につながるというクロストー
クの影響が現れる。The influence of this crosstalk is (1) as the wiring length of the adjacent wiring becomes longer, (2) as the wiring interval becomes narrower, (3) as the driver capability becomes different, and (4) between wirings among wiring capacitances. The higher the capacity ratio, the easier it is to receive. In addition, when the adjacent wirings are operated such that one side rises at the same time and one side rises at the same time, the delay value becomes large, and if the same change occurs at the same time, the delay value becomes small. Also, if one of the adjacent wires has a fixed value and only one of them changes, the drive capacity of the wire with a fixed value is lower than that of the changing wire, and the ratio of the inter-wiring capacity to the wiring capacity is high. Causes the influence of crosstalk that noise occurs in a fixed value signal, leading to malfunction.
【0004】このクロストークの影響については、半導
体集積回路の回路設計の段階で遅延変動、ノイズの影響
を考慮して遅延検証、機能検証を行う事で設計保証が行
われている。一方、製造テストにおいては、遅延が原因
で故障となる半導体集積回路のテストにはスキャンパス
を用いたゲートディレイATPGで作成されたテストパ
タンが用いられる。Regarding the influence of this crosstalk, the design is guaranteed by performing delay verification and function verification in consideration of delay variation and noise at the stage of circuit design of the semiconductor integrated circuit. On the other hand, in a manufacturing test, a test pattern created by a gate delay ATPG using a scan path is used for testing a semiconductor integrated circuit that causes a failure due to a delay.
【0005】図8の回路図におけるORゲート回路を使
って、ゲートディレイATPGが作成するパタンについ
て説明する。このOR回路40は、入力信号が入力端子
A,Bから入力し、出力端子Xから出力信号を得てい
る。この場合、出力端子Xの立ち上がりゲート遅延故障
を検出するためには、ゲートディレイATPGツール
は、出力端子Xを立ち上がりの状態にするために、OR
ゲートの入力端子Aと入力端子Bとを、1)入力端子A
が立ち上がり、入力端子Bは0に固定のまま、2)入力
端子Aが立ち上がり、入力端子Bも立ち上がる、3)入
力端子Aが0固定で、入力端子Bが立ち上がるという3
種類の状態にするためのパタンを作ろうと試みて、容易
にその状態に設定できるようなパタン1つを選択して作
成する。A pattern created by the gate delay ATPG using the OR gate circuit in the circuit diagram of FIG. 8 will be described. The OR circuit 40 receives an input signal from the input terminals A and B and obtains an output signal from the output terminal X. In this case, in order to detect the rising gate delay fault of the output terminal X, the gate delay ATPG tool uses OR to bring the output terminal X into the rising state.
Connect the input terminal A and the input terminal B of the gate to 1) the input terminal A.
Rises and the input terminal B remains fixed at 0. 2) The input terminal A rises and the input terminal B also rises. 3) The input terminal A is fixed at 0 and the input terminal B rises.
An attempt is made to create a pattern for making a kind of state, and one pattern that can be easily set to that state is selected and made.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】このような仕組みで生
成されるパタンでは、クロストークの影響が現れるよう
な隣接配線の両方が同時に同じ変化、逆の変化をするよ
うなパタンが含まれるかどうかは分らない。このため、
製造時のテストにおいては、クロストークの影響による
故障は偶発的にしか除去できなかった。In the pattern generated by such a mechanism, it is necessary to determine whether or not both adjacent wirings that have the effect of crosstalk have the same change and the opposite change at the same time. I don't know. For this reason,
In manufacturing tests, failures due to the effects of crosstalk could only be removed by accident.
【0007】別の技術としては、ゲートディレイATP
Gにおけるパタン生成時に、取り得る全ての入力組合せ
をパタンとして生成し、そのパタンを用いて製造テスト
を行う事で、クロストークの影響により故障するような
半導体集積回路の除去を行うという方法が取られてい
た。この方法においては、図8のORゲートの入力端子
A,Bにおいては、2の4乗の32通りのゲートディレ
イテストパタンの組合せが必要となり、これが回路の全
ての端子について必要となるため、端子数のべき乗のパ
タン数が必要となり、クロストークの影響を製造テスト
時に考慮するためには膨大なテストパタンが必要という
問題がある。Another technique is a gate delay ATP
When a pattern in G is generated, all possible input combinations are generated as a pattern, and a manufacturing test is performed using the pattern to remove a semiconductor integrated circuit that fails due to the influence of crosstalk. It was being done. In this method, at the input terminals A and B of the OR gate of FIG. 8, 32 4 gate delay test pattern combinations of 2 4 are required, which is required for all terminals of the circuit. There is a problem in that a huge number of test patterns are required in order to consider the influence of crosstalk at the time of manufacturing test, because the number of powers of a number is required.
【0008】本発明の目的は、クロストークの影響によ
る故障を考慮した製造テストを行うことができると共
に、クロストークの影響による故障を考慮した製造テス
トパタンを最小のパタン数で作成できるようにした半導
体集積回路のテスト方法を提供することにある。An object of the present invention is to make it possible to perform a manufacturing test in consideration of a failure due to the influence of crosstalk, and to make a manufacturing test pattern in consideration of a failure due to the influence of crosstalk with a minimum number of patterns. A test method for a semiconductor integrated circuit is provided.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
のテスト方法の構成は、論理機能を満たすネットリスト
を入力し、スキャンパステスト構造を作り込み、そのネ
ットリストをマスクパタンレイアウトした後、そのレイ
アウトにおけるクロストークの影響が現れやすい危険箇
所を抽出し、この抽出した危険箇所にクロストークの影
響が現れるようなテストパタンをゲートディレイATP
Gで作成するためにテスト回路を付加し、その回路にお
けるートディレイATPGを行って生成されたテストパ
タンを使って製造テストを行うことを特徴とする。A semiconductor integrated circuit test method according to the present invention has a structure in which a netlist satisfying a logical function is input, a scan path test structure is created, and the netlist is mask pattern laid out. A gate delay ATP is used to extract a dangerous point in the layout where a crosstalk effect is likely to appear, and a test pattern in which a crosstalk effect appears at the extracted dangerous point.
It is characterized in that a test circuit is added in order to create in G, and a manufacturing test is performed by using a test pattern generated by performing a gate delay ATPG in the circuit.
【0010】本発明において、論理機能を満たすネット
リストを入力し、スキャンパステスト構造を作り込み、
ネットリスト中の各信号線の0,1への制御性、観測性
が十分でない箇所についてはスキャンFFまたは、外部
端子を追加し、制御性、観測性を向上させるステップ1
と、スキャンパスが挿入された論理機能を満たすネット
リストを入力し、マスクパタンレイアウトを行なうステ
ップ2と、クロストークノイズの影響が及ぶ隣接配線箇
所を抽出するステップ3と、抽出した論理ゲートの入力
信号を、ゲートディレイATPGツールを使って、クロ
ストークノイズが発生しやすい信号値の遷移にするため
のテスト回路を、ステップ3で抽出したの危険箇所情報
ファイルの内容を利用してステップ1のネットリストに
付加するステップ4と、ゲートディレイATPGツール
によりステップ4のテスト回路を使って、ステップ3で
抽出した論理ゲートの入力をクロストークノイズが発生
しやすい信号値となるテストパタンを生成するステップ
5と、ステップ5で追加したテスト回路の外部端子にお
ける期待値を削除するというテストパタン修正のステッ
プ6と、ステップ6で修正したテストパタンにより半導
体集積回路をテストするステップ7とを含むことができ
る。In the present invention, a netlist satisfying a logical function is input, a scan path test structure is created,
Step 1 for improving controllability and observability by adding a scan FF or an external terminal for a portion of the netlist where controllability to 0 and 1 of each signal line and observability are not sufficient
And a step 2 of performing a mask pattern layout by inputting a netlist satisfying the logic function in which the scan path is inserted, a step 3 of extracting an adjacent wiring portion affected by crosstalk noise, and an input of the extracted logic gate. Using the contents of the dangerous point information file extracted in step 3, the test circuit for converting the signal into the transition of the signal value where crosstalk noise is likely to occur using the gate delay ATPG tool. Step 4 of adding to the list, and Step 5 of generating a test pattern having a signal value that easily causes crosstalk noise at the input of the logic gate extracted in Step 3 by using the test circuit of Step 4 by the gate delay ATPG tool. And the expected value at the external terminal of the test circuit added in step 5 is deleted. Step 6 of the test pattern modifications that that may include a step 7 for testing a semiconductor integrated circuit by a test pattern that is modified in step 6.
【0011】本発明において、危険箇所の隣接配線の抽
出は、各配線の配線容量、配線長を抽出し、その隣接配
線間容量を計算し、この隣接配線間容量が所定基準値を
超えた隣接配線を取り出して行い、また全フリップフロ
ップのクロック端子のバックトレース結果から同じドラ
イブ元となるフリップフロップをグループ分けし、この
同じグループの隣接配線が同期関係にあるものを取り出
して行い、さらに隣接配線のドライブ能力に差が基準値
以上あり、そのドライブ能力の小さい方の配線の配線容
量のうちの配線間容量の比率が所定基準値を超えるもの
を取り出して行うことができる。In the present invention, the extraction of the adjacent wiring at the dangerous place is performed by extracting the wiring capacitance and the wiring length of each wiring, calculating the capacitance between the adjacent wirings, and the capacitance between the adjacent wirings exceeds the predetermined reference value. The wiring is taken out, the flip-flops that are the same drive source are divided into groups based on the back trace results of the clock terminals of all the flip-flops, and the wirings in which the adjacent wirings in the same group have a synchronous relationship are taken out. It is possible to take out a drive having a difference in drive capacity of more than a reference value and a ratio of inter-wiring capacitance of a wiring capacity of a wiring having a smaller drive capacity exceeds a predetermined reference value.
【0012】従って、本発明を使って半導体集積回路を
テストする事で、少ないテストパタン追加で、クロスト
ークノイズの影響による半導体集積回路の故障を除去す
ることが可能となるという効果が得られる。Therefore, by testing the semiconductor integrated circuit using the present invention, it is possible to remove the failure of the semiconductor integrated circuit due to the influence of the crosstalk noise by adding a small number of test patterns.
【0013】[0013]
【発明の実施の形態】図1は、本発明の一実施形態を説
明するテスト方法のフロー図である。図1を参照する
と、所望の論理機能を満たすネットリスト1を入力とし
て、スキャンパスを挿入し、同時に制御、観測性が悪い
箇所についてテスト回路を追加し(ステップS1)、マ
スクパタンレイアウト処理を行いマスクパタンデータを
作成する(ステップS2)。配置、配線結果を用いて、
クロストークノイズの影響を受けやすい隣接配線を危険
個所として抽出し(ステップS3)、危険個所ネットフ
ァイル7に記録する。抽出した信号について、ゲートデ
ィレイATPGツールで、クロストークノイズの影響が
出やすいテストパタンを生成させるためのテスト回路を
ステップS1で作成したネットリスト2に追加(ステッ
プS4)する。この時テスト回路は、ネットリスト2に
のみ追加し、レイアウトのマスクパタンには反映しな
い。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is a flow chart of a test method for explaining an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, a scanlist is inserted with a netlist 1 satisfying a desired logical function as an input, and at the same time, a control circuit is added to a test circuit for a portion with poor observability (step S1), and mask pattern layout processing is performed. Mask pattern data is created (step S2). Using the placement and wiring results,
Adjacent wiring susceptible to the influence of crosstalk noise is extracted as a dangerous point (step S3) and recorded in the dangerous point net file 7. With respect to the extracted signal, a gate delay ATPG tool adds a test circuit for generating a test pattern susceptible to the influence of crosstalk noise to the netlist 2 created in step S1 (step S4). At this time, the test circuit is added only to the netlist 2 and is not reflected in the layout mask pattern.
【0014】次に、テスト回路を追加したネットリスト
2についてゲートディレイATPGツールでテストパタ
ンを作成する。次のステップでは半導体集積回路自体に
は実在しないテスト回路として付加された端子について
の期待値を削除するというテストパタン修正処理を行い
(ステップS5)、テストを実施する(ステップS
6)。なお、ファイル3〜7は各ステップの途中でそれ
ぞれの情報を記憶するファイルである。Next, a test pattern is created by the gate delay ATPG tool for the netlist 2 to which the test circuit is added. In the next step, a test pattern correction process of deleting an expected value of a terminal added as a test circuit which does not actually exist in the semiconductor integrated circuit itself is performed (step S5), and the test is performed (step S).
6). The files 3 to 7 are files that store respective information during each step.
【0015】次に、ステップS3のクロストークノイズ
を受けやすい危険箇所抽出処理について説明する。図2
のフロー図を参照すると、レイアウト結果からクロスト
ークノイズの影響度をチェックするため、各配線の配線
容量(ステップS11)、隣接配線長を抽出し(ステッ
プS12)、各配線に対する隣接配線間容量を計算する
(ステップS13)。次に、あらかじめ設定したクロス
トークノイズによる遅延時間遅れ、及び誤動作となる隣
接配線間容量の基準値とステップS13で求めた隣接配
線間容量を比較し、基準値を超える隣接配線(Y)を抽
出し(ステップS14)、危険個所ネットファイル7に
記憶し、基準値を超えない隣接配線(N)は対象外ファ
イル8に記録する。Next, the dangerous point extraction processing which is susceptible to crosstalk noise in step S3 will be described. Figure 2
Referring to the flowchart of FIG. 5, in order to check the degree of influence of crosstalk noise from the layout result, the wiring capacitance of each wiring (step S11), the adjacent wiring length is extracted (step S12), and the capacitance between adjacent wirings for each wiring is calculated. Calculate (step S13). Next, the reference value of the capacitance between the adjacent wirings which causes a delay time delay due to the crosstalk noise and the malfunction, which is set in advance, and the capacitance between the adjacent wirings obtained in step S13 are compared, and the adjacent wiring (Y) exceeding the reference value is extracted. However, the adjacent wiring (N) which is stored in the dangerous place net file 7 and does not exceed the reference value is recorded in the non-target file 8 (step S14).
【0016】次に、図1のネットリスト2を使って、ネ
ットリスト中の全FFのクロック、セット、リセット端
子から、外部入力端子、論理ゲートに到達するまでバッ
クトレースし、クロストークの影響による遅延変動を受
けにくい、配線活性化率が低いリセット、セット信号、
またクロストークノイズの影響をあらかじめ受けないよ
うに配置、配線されるクロック信号名を抽出する(ステ
ップS15)。Next, using the netlist 2 in FIG. 1, backtrace is performed from the clock, set, and reset terminals of all FFs in the netlist to the external input terminals and logic gates, and the effect of crosstalk is caused. Reset, set signal, which has low wiring activation rate and is less susceptible to delay variation
Further, the names of clock signals to be arranged and wired so as not to be affected by the crosstalk noise in advance are extracted (step S15).
【0017】同時に、クロストークノイズの影響による
遅延変動が起きやすい、同時変化が起こる可能性がある
隣接配線を抽出するため、全フリップフロップ(FF)
のクロック端子のバックトレース結果から、同じドライ
ブ元となるFFを同じグループとするようなグループ分
けを行う(ステップS16)。At the same time, all flip-flops (FFs) are used in order to extract adjacent wirings in which delay variations due to the influence of crosstalk noise are likely to occur and simultaneous changes may occur.
Based on the back trace result of the clock terminal, the same drive source FFs are grouped into the same group (step S16).
【0018】次にステップS4で抽出した隣接配線をス
テップS1で作成したネットリスト2上で外部端子に到
達するか、または、FFに到達するまでバックトレース
し、ドライブ元を抽出する(ステップS17)。最後に
ステップS14で抽出した隣接配線で、ステップS15
により抽出した信号名でなくて、かつ、ステップS16
で作成した、FFのグループ分け情報を使って、隣接配
線が同期関係にあるかどうかを、隣接配線のドライブ元
が同じグループに属するかどうかを確認するという方法
でチェックし(ステップS18)、該当する隣接配線
(Y)を抽出して危険個所ネットファイル7に記憶し、
同期関係にない隣接配線(N)を対象外ファイル8に記
録する。。Next, the adjacent wiring extracted in step S4 is backtraced until it reaches an external terminal or reaches FF on the netlist 2 created in step S1 to extract the drive source (step S17). . Finally, with the adjacent wiring extracted in step S14, step S15
Is not the signal name extracted by step S16, and
By using the grouping information of the FF created in step 2, whether or not the adjacent wirings are in a synchronous relationship is checked by checking whether or not the drive source of the adjacent wirings belongs to the same group (step S18). The adjacent wiring (Y) to be extracted is extracted and stored in the dangerous point net file 7,
The adjacent wiring (N) not in the synchronous relationship is recorded in the non-target file 8. .
【0019】次に、クロストークの影響による誤動作が
おきやすい、ドライブ能力が弱い配線とドライブ能力が
強い配線で隣接配線を構成しているような箇所を抽出す
るため、隣接配線のドライバを検索する(ステップS1
9)。ステップS20において、それぞれのドライバの
ドライブ能力を比較し、あらかじめ設定した基準値を超
えるドライブ能力の差がある場合は、ステップS21
で、ドライブ能力が小さい方の配線について、ステップ
S11で求めた配線容量と、ステップS13で求めた配
線間容量から、配線間容量の占める比率を算出する。Next, the driver of the adjacent wiring is searched in order to extract a portion where an adjacent wiring is constituted by a wiring having a weak driving ability and a wiring having a strong driving ability, which is apt to malfunction due to the influence of crosstalk. (Step S1
9). In step S20, the drive capacities of the respective drivers are compared with each other, and if there is a difference in drive capacity that exceeds a preset reference value, step S21.
Then, for the wiring having the smaller drive capacity, the ratio of the inter-wiring capacitance is calculated from the wiring capacitance obtained in step S11 and the inter-wiring capacitance obtained in step S13.
【0020】次にステップS22において、配線間容量
の比率があらかじめ設定した基準比率を超えるような場
合は、その隣接配線を、クロストークノイズの影響を受
けやすいものとして、危険箇所として危険個所ネットフ
ァイル7に記憶する。Next, in step S22, when the capacitance ratio between the wirings exceeds the preset reference ratio, the adjacent wiring is considered to be susceptible to the crosstalk noise, and the dangerous location net file is designated as the dangerous location. Store in 7.
【0021】次に図1のステップS4について、図3の
ブロック図、図4の回路図を参照して説明する。図3に
おいては、半導体集積回路のマスクパタン30の中に機
能ブロック31〜34が設けられ、機能ブロック31か
ら機能ブロック34の間に、対象となる配線11,12
が配設されていることを示している。Next, step S4 of FIG. 1 will be described with reference to the block diagram of FIG. 3 and the circuit diagram of FIG. In FIG. 3, the functional blocks 31 to 34 are provided in the mask pattern 30 of the semiconductor integrated circuit, and the target wirings 11 and 12 are provided between the functional block 31 and the functional block 34.
Is provided.
【0022】また、図4の回路においては、テスト回路
10により、隣接配線11,12をテストし、このテス
ト回路10の出力信号15が外部端子13から出力され
ることを示す。この隣接配線11,12は、図1のステ
ップS3で抽出したクロストークノイズの影響が出やす
い隣接配線である。この信号の値がクロストークノイズ
による遅延増の影響が現れる、隣接配線11の信号が立
ち上がり、隣接配線12の信号が立ち下がるようなテス
トパタンを生成すること目的として、テスト回路10を
追加する。Further, in the circuit of FIG. 4, it is shown that the test circuit 10 tests the adjacent wirings 11 and 12, and the output signal 15 of the test circuit 10 is output from the external terminal 13. The adjacent wires 11 and 12 are adjacent wires that are easily affected by the crosstalk noise extracted in step S3 of FIG. The test circuit 10 is added for the purpose of generating a test pattern in which the value of this signal has an effect of an increase in delay due to crosstalk noise, the signal of the adjacent wiring 11 rises, and the signal of the adjacent wiring 12 falls.
【0023】このテスト回路10は、同時に隣接配線1
1の信号が立ち上がり、隣接配線12の信号が立ち下が
るような入力組合せにおいて出力信号15が立ち上がる
ような回路仕様である。この回路構成について、図1の
ステップS5のゲートディレイATPGツールによるパ
タン生成を行えば、出力信号15の立ち上がりゲートデ
ィレイ故障を追加した外部端子13を用いて検出するパ
タンが作成され、この時、クロストークノイズによる遅
延増の影響が現れる出力信号15が立ち上がり、配線1
2の信号が立ち下がるというパタンが作成される。この
場合、期待値としては、この状態での図3のテスト回路
10として追加した端子13、その他、配線11,12
が影響する外部端子全てに発生される。The test circuit 10 simultaneously operates the adjacent wiring 1
The circuit specifications are such that the output signal 15 rises in an input combination in which the signal 1 rises and the signal on the adjacent wiring 12 falls. With respect to this circuit configuration, if a pattern is generated by the gate delay ATPG tool in step S5 of FIG. 1, a pattern for detecting the rising gate delay fault of the output signal 15 using the external terminal 13 is created. The output signal 15, which is affected by the increase in delay due to the talk noise, rises, and the wiring 1
The pattern that the signal of 2 falls is created. In this case, as expected values, the terminal 13 added as the test circuit 10 of FIG.
Is generated on all external terminals affected by.
【0024】本実施形態の動作について説明する。論理
機能を有するネットリストは、図1のステップS1でス
キャンパスが挿入され、信号0,1の制御性が悪い箇所
については、図5のブロック図に示すような回路が挿入
される。このテスト回路としては、配線11,12の入
力側に、フリップフロップ(以下F/Fという)22,
24と、クロック信号29に同期したF/F26,27
と、これらF/F26,27に従属した同期回路28
と、この同期回路28の出力とF/F22,24の出力
とをテスト信号21のテストモードにより切換えるセレ
クタ23,25とを含むような回路が挿入される。この
ような回路により、スキャンパステスト中は、図5の配
線11,12の信号の0,1の制御性が100%保証さ
れる。The operation of this embodiment will be described. In the netlist having the logical function, a scan path is inserted in step S1 of FIG. 1, and a circuit as shown in the block diagram of FIG. 5 is inserted in a portion where the controllability of signals 0 and 1 is poor. As this test circuit, a flip-flop (hereinafter referred to as F / F) 22,
24 and F / Fs 26 and 27 synchronized with the clock signal 29.
And a synchronizing circuit 28 dependent on these F / Fs 26 and 27.
And a selector 23, 25 for switching the output of the synchronizing circuit 28 and the outputs of the F / Fs 22, 24 depending on the test mode of the test signal 21. With such a circuit, 100% controllability of 0 and 1 of the signals of the wirings 11 and 12 of FIG. 5 is guaranteed during the scan path test.
【0025】図1のステップS1にてスキャンパスが挿
入されたネットリスト2は、図1のステップS2におい
てマスクパタンレイアウトが実施され、図3に示すよう
な半導体集積回路のマスクパターン30が作成される。
続いて、図1のステップS3のクロストークノイズの影
響を受けやすい危険箇所抽出処理を実施する。図2のス
テップS11により、隣接配線長を算出し、ステップS
12において算出した配線長を元に、隣接配線間容量を
算出し、あらかじめ設計者が設定したプロセスによって
変動する配線間容量の基準値と比較し、ステップS13
において基準値を超える隣接配線を抽出する。The net list 2 in which the scan path is inserted in step S1 of FIG. 1 is subjected to mask pattern layout in step S2 of FIG. 1 to form a mask pattern 30 of the semiconductor integrated circuit as shown in FIG. It
Subsequently, a dangerous point extraction process that is easily affected by the crosstalk noise in step S3 of FIG. 1 is performed. The adjacent wiring length is calculated in step S11 of FIG.
Based on the wiring length calculated in 12, the capacitance between adjacent wirings is calculated and compared with the reference value of the capacitance between wirings which varies according to the process set in advance by the designer, and step S13
In, the adjacent wiring exceeding the reference value is extracted.
【0026】本実施形態では、図3のマスクパタン40
における隣接配線11,12が候補として抽出された場
合を例に、その動作を説明していく。図3の機能ブロッ
ク31から機能ブロック34への隣接配線11,12を
拡大したものが図5に相当し、説明を簡単にするため、
関係のある配線のみとし、他は記載しない。図3の配線
11,12は、図5における配線11,12に対応す
る。In this embodiment, the mask pattern 40 shown in FIG.
The operation will be described by taking as an example the case where the adjacent wirings 11 and 12 in FIG. An enlarged view of the adjacent wirings 11 and 12 from the functional block 31 to the functional block 34 of FIG. 3 corresponds to FIG. 5, and for simplification of description,
Only relevant wiring is shown, and the others are not described. The wirings 11 and 12 in FIG. 3 correspond to the wirings 11 and 12 in FIG.
【0027】図1のステップS1により、スキャンパス
が挿入されたネットリスト2を入力し、ネットリスト中
の全FFのクロック端子、セット、リセット端子から論
理ゲートに到達するか、外部入力端子13に到達する
か、FFに到達するまでバックトレースし、トレース途
中のネットをクロック、リセット配線として登録する。
また、同時にクロック端子からバックトレースして求め
たクロックの根元の論理ゲートあるいは、外部入力端子
毎に、それらのFFをグループ分けする。次に、図2の
ステップS16において、ステップS12で抽出した配
線間容量が基準値を超える配線を、外部入力端子に到達
するか、FFに到達するまでバックトレースし、隣接配
線のドライブ元の端子あるいはFFを抽出する。In step S1 of FIG. 1, the netlist 2 in which the scan path is inserted is input and reaches the logic gate from the clock terminals, set and reset terminals of all FFs in the netlist, or the external input terminal 13 is reached. Back trace is performed until it reaches or reaches FF, and the net in the trace is registered as a clock and reset wiring.
At the same time, those FFs are grouped for each logic gate at the root of the clock obtained by back tracing from the clock terminal or each external input terminal. Next, in step S16 of FIG. 2, the wiring whose inter-wiring capacitance extracted in step S12 exceeds the reference value is backtraced until it reaches the external input terminal or reaches FF, and the terminal of the drive source of the adjacent wiring is Alternatively, FF is extracted.
【0028】ステップS17において、ステップS14
で抽出した信号名でないか、また、ドライブ元のFFが
同じグループに属しているものかを判別し、クロック、
セット、リセット信号でなく、同期して動作する隣接配
線を抽出する。図5の配線11と配線12はドライブ元
のFFが、クロック信号29で動作するFF26とFF
27であり、危険箇所として抽出される。In step S17, step S14
It is judged whether it is not the signal name extracted in step 2 or whether the drive source FF belongs to the same group.
Adjacent wirings that operate in synchronization are extracted instead of the set and reset signals. The wiring 11 and the wiring 12 in FIG. 5 are the driving source FFs, and the FFs 26 and FFs operated by the clock signal 29.
27, which is extracted as a dangerous place.
【0029】続いて、図1のステップS4において、ク
ロストークの影響により遅延が増大するような図5の配
線11の信号が立ち上がり、配線12の信号が立ち下が
るテストパタンを生成するために、テスト回路10aを
付加する。このテスト回路10aは、入力信号Aが立ち
上がり、入力信号Bが立ち下がる時に出力信号Yが立上
がるような回路となる。Subsequently, in step S4 of FIG. 1, a test pattern is generated to generate a test pattern in which the signal on the wiring 11 in FIG. 5 rises and the signal on the wiring 12 falls such that the delay increases due to the influence of crosstalk. The circuit 10a is added. The test circuit 10a is a circuit in which the output signal Y rises when the input signal A rises and the input signal B falls.
【0030】図6は、このテスト回路10aの入力端子
17,18からのテストモード信号(TM1,TM2)
を入力とし、出力信号15,16(X,Y)を出力する
テスト回路の真理値表を示す。FIG. 6 shows the test mode signals (TM1, TM2) from the input terminals 17, 18 of the test circuit 10a.
Is a truth table of the test circuit which outputs the output signals 15 and 16 (X, Y).
【0031】図1のステップS4において、テスト回路
が付加されたネットリストは、図1ステップS5におい
てゲートディレイ故障検出用テストパタンがゲートディ
レイATPGツールにより生成され、この時、図5の出
力Yの立ち上がり故障を検出するためのパタンにおい
て、配線11,12の信号に、所望のクロストークの影
響が現れやすいパタンが作られる。In the netlist to which the test circuit is added in step S4 of FIG. 1, a gate delay fault detection test pattern is generated by the gate delay ATPG tool in step S5 of FIG. 1, and at this time, the output Y of FIG. In the pattern for detecting the rising fault, a pattern in which the desired crosstalk is likely to appear in the signals of the wirings 11 and 12 is created.
【0032】次に、図1のステップS6において、図5
の入力端子17,18からのテストモード、出力信号1
5.16のパタンを削除する。図1のステップS6で修
正したテストパタンを用いて、図1のステップS7の製
造テストが実施される。Next, in step S6 of FIG.
Test mode, output signal 1 from input terminals 17 and 18
The pattern of 5.16 is deleted. Using the test pattern corrected in step S6 of FIG. 1, the manufacturing test of step S7 of FIG. 1 is performed.
【0033】図7は本発明の他の実施形態で、その基本
的構成は上記の通りであるが、図1ステップS3のクロ
ストークの影響により誤動作する可能性がある危険箇所
抽出処理について、工夫しているフローを示す。図1に
対して、ステップ15〜18が削除されている。FIG. 7 shows another embodiment of the present invention, the basic configuration of which is as described above, but the device for extracting the dangerous portion which may malfunction due to the influence of the crosstalk in step S3 of FIG. 1 is devised. The flow is shown. Steps 15 to 18 are deleted from FIG.
【0034】この場合も、ステップS11において各配
線の配線容量を算出し、ステップS12〜14におい
て、上記の実施形態と同様に、隣接配線間容量が指定し
た基準値を超える隣接配線を抽出する。次にステップS
17aにおいて、ステップS14で抽出した隣接配線を
論理ゲートに到達するまでバックトレースし、該当の隣
接配線のドライバを抽出する。ステップS20におい
て、それぞれのドライバのドライブ能力を比較し、あら
かじめ設定した基準値を超えるドライブ能力の差がある
場合は、ステップS21で、ドライブ能力が小さい方の
配線について、ステップS12で求めた配線容量と、ス
テップS13で求めた配線間容量から、配線間容量の占
める比率を算出する。次にステップS22において、配
線間容量の比率があらかじめ設定した基準値を超えるよ
うな場合は、その隣接配線を、クロストークノイズの影
響を受けやすいものとして、危険箇所と認識する。Also in this case, the wiring capacitance of each wiring is calculated in step S11, and in steps S12 to S14, the adjacent wirings in which the capacitance between adjacent wirings exceeds the designated reference value are extracted as in the above embodiment. Then step S
In 17a, the adjacent wiring extracted in step S14 is backtraced until it reaches the logic gate, and the driver of the corresponding adjacent wiring is extracted. In step S20, the drive capacities of the respective drivers are compared, and if there is a difference in drive capacity that exceeds a preset reference value, in step S21, the wiring capacity obtained in step S12 is determined for the wiring with the smaller drive capacity. Then, the ratio occupied by the inter-wiring capacitance is calculated from the inter-wiring capacitance obtained in step S13. Next, in step S22, when the ratio of the inter-wiring capacitance exceeds a preset reference value, the adjacent wiring is recognized as a dangerous place because it is susceptible to the crosstalk noise.
【0035】従って、この危険箇所抽出処理を用いた製
造テスト方法は、さらにクロストークの影響が同時動作
による遅延としての影響でなく、ノイズとして誤動作す
るような故障の検出にも効果がある。Therefore, the manufacturing test method using this dangerous point extraction processing is also effective in detecting a failure such that the influence of crosstalk does not act as a delay due to the simultaneous operation but malfunctions as noise.
【0036】[0036]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
スキャンパスを挿入し、レイアウトを実施した後、クロ
ストークの影響により誤動作する可能性のある危険箇所
を抽出し、その箇所についてのみ、クロストークの影響
が現れるようなテストパタンのみを生成し、そのパタン
を用いて製造テストを行う手法であるので、クロストー
クの影響が現れやすい箇所にだけ、クロストークの影響
が製造テストでテスト可能となるパタンの組合せのみを
作成するため、クロストークの影響による故障を製造テ
スト時にテストする際のパタンが最小となり、そのため
のテスト時間も最小に出来、テストコストの増減を最低
限に抑えながら品質を向上させるという効果がある。As described above, according to the present invention,
After inserting the scan path and laying out, extract the dangerous points that may malfunction due to the influence of crosstalk, and generate only the test pattern that shows the influence of crosstalk only at that point. Since this method uses a pattern to perform the manufacturing test, only the pattern combinations where the crosstalk effect can be tested in the manufacturing test are created only in the locations where the crosstalk effect is likely to appear. The pattern at the time of testing the failure at the time of manufacturing test is minimized, the test time therefor can be minimized, and the effect of improving the quality while suppressing the increase and decrease of the test cost to the minimum.
【0037】また、従来例の方法においては、2入力論
理ゲートの出力ゲートディレイ故障検出とクロストーク
の影響による故障検出するためのパタンは16パタンが
必要になるのに対し、本発明では、論理ゲートの出力の
立ちあがり、立ち下がり検出のための2パタンとクロス
トークによる影響をテストする2パタンの合計4パタン
でテストすることが可能となり、テストタイム削減、そ
れによるテストコスト低減という効果がある。Further, in the conventional method, 16 patterns are required for the output gate delay fault detection of the 2-input logic gate and the fault detection due to the influence of crosstalk. It is possible to perform testing with a total of 4 patterns of 2 patterns for detecting rise and fall of the gate output and 2 patterns for testing the influence of crosstalk, which has the effect of reducing the test time and thereby the test cost.
【図1】本発明の第1の実施形態を説明する概略フロー
図である。FIG. 1 is a schematic flow chart illustrating a first embodiment of the present invention.
【図2】図1の詳細な処理を説明するフロー図である。FIG. 2 is a flowchart illustrating detailed processing of FIG.
【図3】図1の隣接配線の配置を説明するレイアウト平
面図である。FIG. 3 is a layout plan view illustrating an arrangement of adjacent wirings in FIG.
【図4】図1の隣接配線をテストする際のブロック図で
ある。FIG. 4 is a block diagram when testing the adjacent wiring of FIG. 1;
【図5】図3の付加回路による処理をする際のブロック
図である。FIG. 5 is a block diagram when processing is performed by the additional circuit in FIG.
【図6】図5のテスト回路の動作を説明する真理値表の
図である。6 is a truth table illustrating the operation of the test circuit of FIG.
【図7】本発明の第2の実施形態を説明する概略フロー
図である。FIG. 7 is a schematic flowchart illustrating a second embodiment of the present invention.
【図8】従来例のOR回路によるストする際のブロック
図である。FIG. 8 is a block diagram at the time of strike by the OR circuit of the conventional example.
1,2 ネットリスト 3〜6 ファイル 7 危険個所ネットファイル 8 対象外ファイル 10,10a テスト回路 11,12 配線(隣接配線) 13,14 外部端子 15,16 出力信号 17,18 入力端子 21 テスト信号 22,24,26,27 フリップフロップ 23,25 セレクタ 28 同期回路 29 クロック信号 30 マスクパタン 31〜34 機能ブロック 40 ORゲート 1,2 netlist 3 to 6 files 7 dangerous place net file 8 non-target files 10, 10a test circuit 11,12 wiring (adjacent wiring) 13, 14 External terminal 15, 16 output signal 17,18 Input terminal 21 Test signal 22, 24, 26, 27 flip-flops 23,25 selector 28 Synchronous circuit 29 clock signals 30 mask patterns 31-34 Function block 40 OR gate
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI H01L 21/822 G01R 31/28 V 27/04 H01L 21/82 C 27/04 T (56)参考文献 特開 平3−208177(JP,A) 特開 平2−238573(JP,A) 特開 平10−308451(JP,A) 特開 平11−44741(JP,A) 特開 平5−35824(JP,A) 特開 平9−319779(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01R 31/28 - 31/3193 G06F 17/50 H01L 21/82 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI H01L 21/822 G01R 31/28 V 27/04 H01L 21/82 C 27/04 T (56) Reference JP-A-3-208177 (JP, A) JP-A-2-238573 (JP, A) JP-A-10-308451 (JP, A) JP-A-11-44741 (JP, A) JP-A-5-35824 (JP, A) Kaihei 9-319779 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) G01R 31/28-31/3193 G06F 17/50 H01L 21/82
Claims (9)
し、スキャンパステスト構造を作り込み、そのネットリ
ストをマスクパタンレイアウトした後、そのレイアウト
におけるクロストークの影響が現れやすい危険箇所を抽
出し、この抽出した危険箇所にクロストークの影響が現
れるようなテストパタンをゲートディレイATPGで作
成するためにテスト回路を付加し、その回路におけるー
トディレイATPGを行って生成されたテストパタンを
使って製造テストを行うことを特徴とする半導体集積回
路のテスト方法。1. A netlist satisfying a logical function is input, a scan path test structure is created, the netlist is subjected to a mask pattern layout, and a danger point in which the influence of crosstalk is likely to appear in the layout is extracted. A test circuit is added in order to create a test pattern with the gate delay ATPG so that the influence of crosstalk appears in the extracted dangerous points, and a manufacturing test is performed using the test pattern generated by performing the gate delay ATPG in the circuit. A method for testing a semiconductor integrated circuit, comprising:
後、ネットリスト中の各信号線の0,1への制御性、観
測性が十分でない箇所についてはスキャンフリップフロ
ップ、または外部端子を追加し、制御、観測性を向上さ
せる処理を追加する請求項1記載の半導体集積回路のテ
スト方法。2. A scan flip-flop or an external terminal is added to a portion of the netlist where controllability to 0 or 1 or observability is not sufficient after the scan path test structure is formed. The method for testing a semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein a process for improving control and observability is added.
たすネットリストを入力し、マスクパタンレイアウトを
行い、クロストークノイズの影響が現れやすい隣接配線
を危険箇所として抽出する請求項2記載の半導体集積回
路のテスト方法。3. The semiconductor integrated circuit according to claim 2, wherein a netlist satisfying a logical function with a scan path inserted is input, a mask pattern layout is performed, and adjacent wirings which are easily affected by crosstalk noise are extracted as dangerous points. Circuit testing method.
配線容量、配線長を抽出し、その隣接配線間容量を計算
し、この隣接配線間容量が所定基準値を超えた隣接配線
を取り出して行う請求項3記載の半導体集積回路のテス
ト方法。4. The extraction of the adjacent wiring at the dangerous place is performed by extracting the wiring capacitance and wiring length of each wiring, calculating the capacitance between the adjacent wirings, and selecting the adjacent wiring whose capacitance between the adjacent wirings exceeds a predetermined reference value. 4. The method for testing a semiconductor integrated circuit according to claim 3, wherein the testing is performed.
プフロップのクロック端子のバックトレース結果から同
じドライブ元となるフリップフロップをグループ分け
し、この同じグループの隣接配線が同期関係にあるもの
を取り出して行う請求項3記載の半導体集積回路のテス
ト方法。5. Extraction of adjacent wiring at a dangerous place is performed by dividing the flip-flops that are the same drive source into groups based on the back trace results of the clock terminals of all the flip-flops, and determining that the adjacent wirings in the same group have a synchronous relationship. 4. The method for testing a semiconductor integrated circuit according to claim 3, wherein the testing is performed.
のドライブ能力に差が基準値以上あり、そのドライブ能
力の小さい方の配線の配線容量のうちの配線間容量の比
率が所定基準値を超えるものを取り出して行う請求項4
または5記載の半導体集積回路のテスト方法。6. The extraction of adjacent wirings at a dangerous place has a difference in drive capacity between adjacent wirings equal to or larger than a reference value, and the ratio of inter-wiring capacity to the wiring capacity of the wiring having a smaller drive capacity is a predetermined reference value. 5. The method of taking out more than 4 pieces and carrying out
Alternatively, the method for testing a semiconductor integrated circuit as described in 5 above.
信号を、ゲートディレイATPGツールを使って、クロ
ストークノイズが発生しやすい信号値の遷移にするため
のテスト回路を、危険箇所の情報を用いてネットリスト
に付加する請求項1記載の半導体集積回路のテスト方
法。7. A test circuit for converting the extracted input signal of the logic gate to the adjacent wiring into a signal value transition that is apt to cause crosstalk noise by using a gate delay ATPG tool, and displaying information of a dangerous point. The method for testing a semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the method is used to add to a net list.
テスト回路を使って、抽出した論理ゲートの入力信号を
クロストークノイズが発生しやすい信号値となるテスト
パタンを生成する請求項7記載の半導体集積回路のテス
ト方法。8. A gate delay ATPG tool
8. The method for testing a semiconductor integrated circuit according to claim 7, wherein the test circuit is used to generate a test pattern in which the input signal of the extracted logic gate has a signal value in which crosstalk noise easily occurs.
期待値を削除することによりテストパタンを修正し、こ
の修正したテストパタンにより半導体集積回路をテスト
する請求項7記載の半導体集積回路のテスト方法。9. The method for testing a semiconductor integrated circuit according to claim 7, wherein the test pattern is corrected by deleting the expected value at the external terminal of the added test circuit, and the semiconductor integrated circuit is tested by the corrected test pattern.
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