JP3470066B2 - 半導体レーザの特性測定方法及びそれを用いた特性測定装置 - Google Patents
半導体レーザの特性測定方法及びそれを用いた特性測定装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ピックアップ装
置等に用いられる半導体レーザ素子及び装置の光学特性
を測定する方法及び装置に関し、より詳しくは半導体レ
ーザ素子の出射レーザ光の焦点面上の像である発光点像
と、非焦点面上の像である遠視野像を測定する半導体レ
ーザの特性測定方法及びそれを用いた特性測定装置に関
する。
置等に用いられる半導体レーザ素子及び装置の光学特性
を測定する方法及び装置に関し、より詳しくは半導体レ
ーザ素子の出射レーザ光の焦点面上の像である発光点像
と、非焦点面上の像である遠視野像を測定する半導体レ
ーザの特性測定方法及びそれを用いた特性測定装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザ特性のうち、レーザ光の光
軸の正規の方向からの変位を表わす光軸ズレ角や、レー
ザ光の広がりを表わす遠視野像の半値幅は、集光レンズ
により該レーザ光を光ディスク上に集光しなければなら
ない光ピックアップ装置等に適用する場合には重要な特
性である。また、半導体レーザ素子の構造を推定する手
がかりともなるものである。
軸の正規の方向からの変位を表わす光軸ズレ角や、レー
ザ光の広がりを表わす遠視野像の半値幅は、集光レンズ
により該レーザ光を光ディスク上に集光しなければなら
ない光ピックアップ装置等に適用する場合には重要な特
性である。また、半導体レーザ素子の構造を推定する手
がかりともなるものである。
【０００３】例えば、遠視野像の半値幅が広い半導体レ
ーザ素子は、光の閉じ込めが強いので出力を大きくでき
ないと考えられる。一方、遠視野像の半値幅が狭い素子
は、光の閉じ込めが弱く、発振閾値電流値が高くなって
長時間動作させることができない。このため、最適な遠
視野像の大きさを狙って作製されるが、目標に対してバ
ラつくのが通例である。
ーザ素子は、光の閉じ込めが強いので出力を大きくでき
ないと考えられる。一方、遠視野像の半値幅が狭い素子
は、光の閉じ込めが弱く、発振閾値電流値が高くなって
長時間動作させることができない。このため、最適な遠
視野像の大きさを狙って作製されるが、目標に対してバ
ラつくのが通例である。
【０００４】一方、半導体レーザ素子においては、出射
面である劈開面に対し垂直な方向にレーザ光を出射する
ように製作される。また、半導体レーザ装置において
は、パッケージの基準面に対し垂直な方向にレーザ光を
出射するように製作される。ところが、実際には、半導
体レーザ素子においては出射面に対し完全に垂直な方向
にレーザ光が出射されないことが通例であり、半導体レ
ーザ装置においては個々の内部部品の公差や組立公差等
により基準面に対し完全に垂直な方向には出射されない
ことが通例である。
面である劈開面に対し垂直な方向にレーザ光を出射する
ように製作される。また、半導体レーザ装置において
は、パッケージの基準面に対し垂直な方向にレーザ光を
出射するように製作される。ところが、実際には、半導
体レーザ素子においては出射面に対し完全に垂直な方向
にレーザ光が出射されないことが通例であり、半導体レ
ーザ装置においては個々の内部部品の公差や組立公差等
により基準面に対し完全に垂直な方向には出射されない
ことが通例である。
【０００５】このような半導体レーザ装置および半導体
レーザ素子のレーザ光の遠視野像の半値幅の測定方法と
しては特開平７−６６４７２号公報に、光軸ズレ角を測
定する方法として特開平９−２１４０５７号公報、特開
平９−３０７１９２号公報に開示されたようなものがあ
る。
レーザ素子のレーザ光の遠視野像の半値幅の測定方法と
しては特開平７−６６４７２号公報に、光軸ズレ角を測
定する方法として特開平９−２１４０５７号公報、特開
平９−３０７１９２号公報に開示されたようなものがあ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】以下、光軸ズレ角の測
定について詳しく説明する。遠視野像の測定は光軸ズレ
角の測定と類似の方法により行うことができる。
定について詳しく説明する。遠視野像の測定は光軸ズレ
角の測定と類似の方法により行うことができる。
【０００７】従来例の光軸ズレ角測定装置の全体図を図
９に示す(以下「従来例１」と呼ぶ)。半導体レーザ装置１
０をステムホルダー２４に固定し、受光装置２０を回転
することにより角度方向の強度分布を測定する。また、
光軸基準に対する強度分布のピーク位置との差から光軸
ズレ角が測定される。
９に示す(以下「従来例１」と呼ぶ)。半導体レーザ装置１
０をステムホルダー２４に固定し、受光装置２０を回転
することにより角度方向の強度分布を測定する。また、
光軸基準に対する強度分布のピーク位置との差から光軸
ズレ角が測定される。
【０００８】従来例１の光軸ズレ角測定装置では、受光
装置２０に入射するレーザ光は全体の一部であり、受光
素子２１の信号出力が小さくなる。ピーク位置をより正
確に測定しようとする場合、受光素子２１の前にスリッ
ト２２を設けてやれば良いが、受光素子２１の信号出力
がより一層小さくなるため、結果的にピーク位置精度が
悪くなってしまう。
装置２０に入射するレーザ光は全体の一部であり、受光
素子２１の信号出力が小さくなる。ピーク位置をより正
確に測定しようとする場合、受光素子２１の前にスリッ
ト２２を設けてやれば良いが、受光素子２１の信号出力
がより一層小さくなるため、結果的にピーク位置精度が
悪くなってしまう。
【０００９】上記課題を解決する方法として本出願人
は、特開平９−３０７１９２号公報において、半導体レ
ーザ素子の発光点位置と遠視野像のピーク位置とから光
軸ズレ角を測定する方法を示している(以下「従来例２」
と呼ぶ)。
は、特開平９−３０７１９２号公報において、半導体レ
ーザ素子の発光点位置と遠視野像のピーク位置とから光
軸ズレ角を測定する方法を示している(以下「従来例２」
と呼ぶ)。
【００１０】図１０に、従来例２の光軸ズレ角測定装置
５００の全体図を示す。
５００の全体図を示す。
【００１１】集光レンズ４０とＣＣＤカメラ６０はケー
ス５０に固定され、一体的に移動可能としている。ＣＣ
Ｄカメラは２次元ＣＣＤ素子６１を有し、該２次元ＣＣ
Ｄ上に形成された像(以下「ＣＣＤ画像」と呼ぶ)は図示し
ないモニターに表示されるとともにコンピュータ７０に
取り込まれる。
ス５０に固定され、一体的に移動可能としている。ＣＣ
Ｄカメラは２次元ＣＣＤ素子６１を有し、該２次元ＣＣ
Ｄ上に形成された像(以下「ＣＣＤ画像」と呼ぶ)は図示し
ないモニターに表示されるとともにコンピュータ７０に
取り込まれる。
【００１２】ここで、ＣＣＤとは、光の強度分布を測定
表示できる受光素子アレーの代表として記載しているも
のであり、電荷結合素子に限定されるものではない。ま
た、用途によっては２次元である必要もない。
表示できる受光素子アレーの代表として記載しているも
のであり、電荷結合素子に限定されるものではない。ま
た、用途によっては２次元である必要もない。
【００１３】モニターに表示されるＣＣＤ画像の一例を
図１１に示す。(ａ)がモニターの表示を示し、(ｂ)は発
光点を含むＸ軸方向の強度分布を表わしている。発光点
像Ｃは、広がりが小さいので発光点の座標Ｘ０は発光点
のどこでとってもあまり変わらないが、通常ピーク付近
の座標が選ばれる。
図１１に示す。(ａ)がモニターの表示を示し、(ｂ)は発
光点を含むＸ軸方向の強度分布を表わしている。発光点
像Ｃは、広がりが小さいので発光点の座標Ｘ０は発光点
のどこでとってもあまり変わらないが、通常ピーク付近
の座標が選ばれる。
【００１４】発光点の座標を測定した後、集光レンズ４
０及びＣＣＤカメラ６０をレーザ光の光軸方向であるＺ
方向にΔＺだけ移動する。半導体レーザ素子１０から見
ると１１１の位置に移動したことになる。その結果、Ｃ
ＣＤ画像に遠視野像Ｄが表示される。該遠視野像Ｄのピ
ーク座標Ｘ１は、コンピュータ７０で解析することによ
り容易に測定できる。発光点像の座標Ｘ０と遠視野像の
座標Ｘ１の差ΔＸから、光軸ズレ角が測定できる。
０及びＣＣＤカメラ６０をレーザ光の光軸方向であるＺ
方向にΔＺだけ移動する。半導体レーザ素子１０から見
ると１１１の位置に移動したことになる。その結果、Ｃ
ＣＤ画像に遠視野像Ｄが表示される。該遠視野像Ｄのピ
ーク座標Ｘ１は、コンピュータ７０で解析することによ
り容易に測定できる。発光点像の座標Ｘ０と遠視野像の
座標Ｘ１の差ΔＸから、光軸ズレ角が測定できる。
【００１５】従来例２では、従来例１に対し半導体レー
ザ素子から出た光はすべて受光素子である２次元ＣＣＤ
６１に集光されるので、受光素子の出力が大きくなる。
特に遠視野像が２次元ＣＣＤ全体に広がるようにしてお
けば、信号対雑音比を最も高くすることができる。
ザ素子から出た光はすべて受光素子である２次元ＣＣＤ
６１に集光されるので、受光素子の出力が大きくなる。
特に遠視野像が２次元ＣＣＤ全体に広がるようにしてお
けば、信号対雑音比を最も高くすることができる。
【００１６】しかし、光軸ズレ角は、発光点の座標Ｘ０
と遠視野像のピークの座標Ｘ１の差ΔＸと、集光レンズ
４０及びＣＣＤカメラ６０の移動量ΔＺから計算される
ため、ΔＺを高精度にモニターするか、常に一定に保た
なければならない。また、光軸ズレ角は、Ｚの絶対値、
即ち、集光レンズ、ＣＣＤカメラ及び半導体レーザ素子
の位置関係によって変化する。このため、測定毎に集光
レンズ４０及びＣＣＤカメラ６０を移動すると測定値が
徐々に変化してしまう。
と遠視野像のピークの座標Ｘ１の差ΔＸと、集光レンズ
４０及びＣＣＤカメラ６０の移動量ΔＺから計算される
ため、ΔＺを高精度にモニターするか、常に一定に保た
なければならない。また、光軸ズレ角は、Ｚの絶対値、
即ち、集光レンズ、ＣＣＤカメラ及び半導体レーザ素子
の位置関係によって変化する。このため、測定毎に集光
レンズ４０及びＣＣＤカメラ６０を移動すると測定値が
徐々に変化してしまう。
【００１７】ΔＺは通常０.２〜０.３mmとわずかであ
り、１０μm以下の誤差で多数回に亘って集光レンズ４
０及びＣＣＤカメラ６０を再現性良く移動し、正確に停
止させることは極めて困難であった。特に、発光点を精
度良く観測するためには良質の光学系を用いる必要が有
り、動かすべき光学系の重量が重くなる。このため、駆
動装置にサーボモータまたはパルスモータを使用し、駆
動機構にボールネジまたはカム等を用いなければならな
い。更に、精密なリニアガイドを設けることが望ましか
った。
り、１０μm以下の誤差で多数回に亘って集光レンズ４
０及びＣＣＤカメラ６０を再現性良く移動し、正確に停
止させることは極めて困難であった。特に、発光点を精
度良く観測するためには良質の光学系を用いる必要が有
り、動かすべき光学系の重量が重くなる。このため、駆
動装置にサーボモータまたはパルスモータを使用し、駆
動機構にボールネジまたはカム等を用いなければならな
い。更に、精密なリニアガイドを設けることが望ましか
った。
【００１８】本発明は、上記のような課題を解決するた
めになされたものであって、発光点像を測定した後、半
導体レーザ素子の出射レーザ光の遠視野像を測定する半
導体レーザの特性測定において、発光点像測定状態から
遠視野像測定状態に再現性、精度を良好に保ったまま変
化させることが可能な半導体レーザの特性測定方法及び
それを用いた特性測定装置を提供することを目的とす
る。
めになされたものであって、発光点像を測定した後、半
導体レーザ素子の出射レーザ光の遠視野像を測定する半
導体レーザの特性測定において、発光点像測定状態から
遠視野像測定状態に再現性、精度を良好に保ったまま変
化させることが可能な半導体レーザの特性測定方法及び
それを用いた特性測定装置を提供することを目的とす
る。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するするためなされたものであり、本発明の半導体レー
ザの特性測定方法は、少なくとも集光レンズ及びＣＣＤ
を用い、半導体レーザの発光点像をＣＣＤ画像として測
定した後、前記半導体レーザ素子の出射レーザ光の遠視
野像をＣＣＤ画像として測定する半導体レーザの特性測
定方法において、前記集光レンズと前記半導体レーザと
の間隔および前記集光レンズと前記ＣＣＤとの間隔を一
定に保った状態で、前記集光レンズと前記半導体レーザ
の間または前記集光レンズと前記ＣＣＤの間の光路中
に、平行平板からなる補正板を挿入または抜き出すこと
により、前記ＣＣＤ画像を前記発光点像から前記遠視野
像へ変化させることを特徴とする。
するするためなされたものであり、本発明の半導体レー
ザの特性測定方法は、少なくとも集光レンズ及びＣＣＤ
を用い、半導体レーザの発光点像をＣＣＤ画像として測
定した後、前記半導体レーザ素子の出射レーザ光の遠視
野像をＣＣＤ画像として測定する半導体レーザの特性測
定方法において、前記集光レンズと前記半導体レーザと
の間隔および前記集光レンズと前記ＣＣＤとの間隔を一
定に保った状態で、前記集光レンズと前記半導体レーザ
の間または前記集光レンズと前記ＣＣＤの間の光路中
に、平行平板からなる補正板を挿入または抜き出すこと
により、前記ＣＣＤ画像を前記発光点像から前記遠視野
像へ変化させることを特徴とする。
【００２０】好ましくは、前記ＣＣＤは、表面に保護用
ガラスが設けられたＣＣＤであり、前記補正板を挿入し
て前記発光点像をＣＣＤ画像として測定し、前記補正板
を抜き出して前記遠視野像をＣＣＤ画像として測定す
る。
ガラスが設けられたＣＣＤであり、前記補正板を挿入し
て前記発光点像をＣＣＤ画像として測定し、前記補正板
を抜き出して前記遠視野像をＣＣＤ画像として測定す
る。
【００２１】好ましくは、前記発光点像のＣＣＤ画像に
おける座標を測定し、前記遠視野像のピークのＣＣＤ画
像における座標を測定し、前記発光点像のＣＣＤ画像に
おける座標と前記遠視野像のピークのＣＣＤ画像におけ
る座標から前記半導体レーザの光軸ズレ角を測定する。
おける座標を測定し、前記遠視野像のピークのＣＣＤ画
像における座標を測定し、前記発光点像のＣＣＤ画像に
おける座標と前記遠視野像のピークのＣＣＤ画像におけ
る座標から前記半導体レーザの光軸ズレ角を測定する。
【００２２】好ましくは、前記遠視野像の半値幅を前記
ＣＣＤ画像より測定する。
ＣＣＤ画像より測定する。
【００２３】好ましくは、前記発光点像における前記Ｃ
ＣＤの出力レベルと前記遠視野像における前記ＣＣＤの
出力レベルとを略同一にする。
ＣＤの出力レベルと前記遠視野像における前記ＣＣＤの
出力レベルとを略同一にする。
【００２４】また、本発明の半導体レーザ装置の特性測
定装置は、少なくとも集光レンズ及びＣＣＤを有し、半
導体レーザの発光点像をＣＣＤ画像として測定した後、
前記半導体レーザ素子の出射レーザ光の遠視野像をＣＣ
Ｄ画像として測定する半導体レーザの測定装置におい
て、前記集光レンズと前記半導体レーザ素子の間または
前記集光レンズと前記ＣＣＤの間の光路中に、平行平板
から成る補正板を挿入および抜き出し可能に設けたこと
を特徴とする。
定装置は、少なくとも集光レンズ及びＣＣＤを有し、半
導体レーザの発光点像をＣＣＤ画像として測定した後、
前記半導体レーザ素子の出射レーザ光の遠視野像をＣＣ
Ｄ画像として測定する半導体レーザの測定装置におい
て、前記集光レンズと前記半導体レーザ素子の間または
前記集光レンズと前記ＣＣＤの間の光路中に、平行平板
から成る補正板を挿入および抜き出し可能に設けたこと
を特徴とする。
【００２５】好ましくは、前記ＣＣＤは、表面に保護用
ガラスが設けられたＣＣＤとする。
ガラスが設けられたＣＣＤとする。
【００２６】好ましくは、前記補正板をＮＤフィルター
とする。
とする。
【００２７】本発明によれば、移動精度、停止位置精度
の要求されない補正板を移動することにより、半導体レ
ーザの特性測定に用いることが可能な発光点を基準とし
て、一定の光路長移動量の遠視野像を生成することがで
きる。
の要求されない補正板を移動することにより、半導体レ
ーザの特性測定に用いることが可能な発光点を基準とし
て、一定の光路長移動量の遠視野像を生成することがで
きる。
【００２８】さらに、前記補正板を挿入して前記発光点
像をＣＣＤ画像として測定し、前記補正板を抜き出して
前記遠視野像をＣＣＤ画像として測定すれば、前記ＣＣ
Ｄの表面に設けられた保護用ガラスによる疑似ピークの
発生を防止することが可能である。
像をＣＣＤ画像として測定し、前記補正板を抜き出して
前記遠視野像をＣＣＤ画像として測定すれば、前記ＣＣ
Ｄの表面に設けられた保護用ガラスによる疑似ピークの
発生を防止することが可能である。
【００２９】また、前記遠視野像の半値幅を前記ＣＣＤ
画像より測定すれば、半導体レーザ素子又は装置の特性
の測定も可能である。
画像より測定すれば、半導体レーザ素子又は装置の特性
の測定も可能である。
【００３０】また、補正板にＮＤフィルターを用いれ
ば、発光点像のピークと遠視野像のピークのＣＣＤ出力
レベルを同程度とすることができるので精度良く光軸ズ
レ角、及び遠視野像の半値幅を測定することができる。
ば、発光点像のピークと遠視野像のピークのＣＣＤ出力
レベルを同程度とすることができるので精度良く光軸ズ
レ角、及び遠視野像の半値幅を測定することができる。
【００３１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づき詳細に説明する。
に基づき詳細に説明する。
【００３２】［実施の形態１］
実施の形態１について説明する。図１は、本発明の実施
の形態１である光軸ズレ角測定装置１００の全体図を表
わす。また、光軸ズレ角を観測する手順を図２に示す。
なお、従来例２の光軸ズレ角測定装置と同じものには簡
単のため同じ番号を付した。また、ここでも、ＣＣＤと
は、光の強度分布を測定表示できる受光素子アレーの代
表として記載しているものであり、電荷結合素子に限定
されるものではない。また、用途によっては２次元であ
る必要もない。
の形態１である光軸ズレ角測定装置１００の全体図を表
わす。また、光軸ズレ角を観測する手順を図２に示す。
なお、従来例２の光軸ズレ角測定装置と同じものには簡
単のため同じ番号を付した。また、ここでも、ＣＣＤと
は、光の強度分布を測定表示できる受光素子アレーの代
表として記載しているものであり、電荷結合素子に限定
されるものではない。また、用途によっては２次元であ
る必要もない。
【００３３】図１に示すように、本実施の形態の主な構
成は、集光レンズ４０と半導体レーザ装置１０内の半導
体レーザ素子１１との間の光路中に挿入または抜き出す
ことにより、ＣＣＤ画像を発光点像から遠視野像へ変化
させる補正板３０を設けたものである。
成は、集光レンズ４０と半導体レーザ装置１０内の半導
体レーザ素子１１との間の光路中に挿入または抜き出す
ことにより、ＣＣＤ画像を発光点像から遠視野像へ変化
させる補正板３０を設けたものである。
【００３４】図２に示すように、本実施の形態における
測定は、まず、半導体レーザ装置１０は、光軸ズレ角測
定装置１００のステムホルダー２４に固定される(Ｓ
１)。ステムホルダー２４の下面と半導体レーザ装置の
ステム１２の上面を突き当てることにより、半導体レー
ザ装置１０の光軸ズレ角測定装置１００に対する位置が
決まる。半導体レーザ装置１０は、集光レンズ４０のＮ
Ａの大きい側に設置する。これは、半導体レーザ素子１
１の発光点位置を拡大して、精度良く観測するためであ
る。
測定は、まず、半導体レーザ装置１０は、光軸ズレ角測
定装置１００のステムホルダー２４に固定される(Ｓ
１)。ステムホルダー２４の下面と半導体レーザ装置の
ステム１２の上面を突き当てることにより、半導体レー
ザ装置１０の光軸ズレ角測定装置１００に対する位置が
決まる。半導体レーザ装置１０は、集光レンズ４０のＮ
Ａの大きい側に設置する。これは、半導体レーザ素子１
１の発光点位置を拡大して、精度良く観測するためであ
る。
【００３５】最初、基準となる半導体レーザ装置１０と
集光レンズ４０の間の光路内に補正板３０を挿入した状
態で、半導体レーザ素子１１を発振閾値付近の低電流で
発光させ(Ｓ２)、半導体レーザ素子１１の発光点像を図
示しないＣＲＴ上に表示されるよう、集光レンズ４０と
２次元ＣＣＤカメラ６０の光学系を一体でＺ方向に移動
して調整する(Ｓ３)。図３にＣＲＴ上に表示されるＣＣ
Ｄ画像を示す。発光点像Ｃは、従来例２と同様、広がり
の小さい点となる。なお、集光レンズ４０と２次元ＣＣ
Ｄカメラ６０を固定して光学系を形成するケース５０に
は、外部からの光が２次元ＣＣＤ６１に入射することを
防止する効果もある。
集光レンズ４０の間の光路内に補正板３０を挿入した状
態で、半導体レーザ素子１１を発振閾値付近の低電流で
発光させ(Ｓ２)、半導体レーザ素子１１の発光点像を図
示しないＣＲＴ上に表示されるよう、集光レンズ４０と
２次元ＣＣＤカメラ６０の光学系を一体でＺ方向に移動
して調整する(Ｓ３)。図３にＣＲＴ上に表示されるＣＣ
Ｄ画像を示す。発光点像Ｃは、従来例２と同様、広がり
の小さい点となる。なお、集光レンズ４０と２次元ＣＣ
Ｄカメラ６０を固定して光学系を形成するケース５０に
は、外部からの光が２次元ＣＣＤ６１に入射することを
防止する効果もある。
【００３６】なお、図３は本実施の形態においてモニタ
ーに表示されるＣＣＤ画像の一例を示すものであり、
(ａ)がモニターの表示を示し、(ｂ)が発光点を含むＸ軸
方向の強度分布を表わしている。
ーに表示されるＣＣＤ画像の一例を示すものであり、
(ａ)がモニターの表示を示し、(ｂ)が発光点を含むＸ軸
方向の強度分布を表わしている。
【００３７】以後、ステムホルダー２４の下面と半導体
レーザ装置１０のステム１２の上面を突き当てることに
より、半導体レーザの発光点の光軸方向の位置精度は、
悪い場合でも±８０μm以下、通常は±３０μm以下に抑
えることができる。この精度は、光軸ズレ角の測定に十
分な精度であった。以上で光軸ズレ角測定装置の調整が
終了し、基準半導体レーザ装置を取り外す。
レーザ装置１０のステム１２の上面を突き当てることに
より、半導体レーザの発光点の光軸方向の位置精度は、
悪い場合でも±８０μm以下、通常は±３０μm以下に抑
えることができる。この精度は、光軸ズレ角の測定に十
分な精度であった。以上で光軸ズレ角測定装置の調整が
終了し、基準半導体レーザ装置を取り外す。
【００３８】次に、被測定半導体レーザ装置をステムホ
ルダーに固定する(Ｓ４)。低電流で発光させて発光点像
の位置座標、例えばＸ座標を測定する(Ｓ５)。光路は点
線のようになる。次に、補正板３０を光路から引抜く
(Ｓ６)と、実効的に集光レンズ４０及びＣＣＤカメラ６
０が被測定半導体レーザ素子側より離れる方向に移動し
たことになり、半導体レーザ素子１１から見ると図１０
の半導体レーザ素子１１１の位置へ移動したことにな
る。その結果、半導体レーザ素子１１の出射レーザ光の
光路は、実線のように、交点で表わされる集光点が２次
元ＣＣＤ上から集光レンズ４０側に移動し、ＣＣＤ画像
として図３の遠視野像Ｄが生成される。このとき、遠視
野像Ｄは大きく広がっているので、発光点像Ｃのピーク
に対し遠視野像のピークはＣＣＤ出力レベルに対し小さ
くなるのが普通である。
ルダーに固定する(Ｓ４)。低電流で発光させて発光点像
の位置座標、例えばＸ座標を測定する(Ｓ５)。光路は点
線のようになる。次に、補正板３０を光路から引抜く
(Ｓ６)と、実効的に集光レンズ４０及びＣＣＤカメラ６
０が被測定半導体レーザ素子側より離れる方向に移動し
たことになり、半導体レーザ素子１１から見ると図１０
の半導体レーザ素子１１１の位置へ移動したことにな
る。その結果、半導体レーザ素子１１の出射レーザ光の
光路は、実線のように、交点で表わされる集光点が２次
元ＣＣＤ上から集光レンズ４０側に移動し、ＣＣＤ画像
として図３の遠視野像Ｄが生成される。このとき、遠視
野像Ｄは大きく広がっているので、発光点像Ｃのピーク
に対し遠視野像のピークはＣＣＤ出力レベルに対し小さ
くなるのが普通である。
【００３９】なお、本実施の形態では、２次元ＣＣＤ６
１に丁度収まる程度の遠視野像を発生させるため、補正
板３０には厚さ１mmの透明なガラス板を用いた。補正板
３０の重量は数十グラムであり、Ｘ方向の停止位置、Ｚ
軸方向の位置は少々変化しても良い。このため補正板３
０の移動には、高速に移動できて安価なエアーシリン
ダ、サーボモータ等を使用することができる。また、実
効的な集光レンズ４０及びＣＣＤカメラ６０のＺ軸方向
の移動量は、補正板３０の厚さと屈折率により決まるの
で繰り返し移動しても安定で変化しなかった。
１に丁度収まる程度の遠視野像を発生させるため、補正
板３０には厚さ１mmの透明なガラス板を用いた。補正板
３０の重量は数十グラムであり、Ｘ方向の停止位置、Ｚ
軸方向の位置は少々変化しても良い。このため補正板３
０の移動には、高速に移動できて安価なエアーシリン
ダ、サーボモータ等を使用することができる。また、実
効的な集光レンズ４０及びＣＣＤカメラ６０のＺ軸方向
の移動量は、補正板３０の厚さと屈折率により決まるの
で繰り返し移動しても安定で変化しなかった。
【００４０】図３の遠視野像をコンピュータに取り込ん
だ後、該遠視野像のピークのＸ座標Ｘ１を算出し(Ｓ
８)、発光点像のＸ座標Ｘ０との差から被測定半導体レ
ーザ装置の光軸ズレ角を測定する(Ｓ９)。これは、従来
例２の場合と同様である。実際には、あらかじめ基準半
導体レーザ装置を一定角度回転したときの回転角度θと
２次元ＣＣＤ上のＸ座標の移動量ΔＸの関係を測定して
おき、ΔＸを求めてθを算出する。本実施の形態の光軸
ズレ角測定装置では、２０倍の集光レンズを用いた。２
次元ＣＣＤ６１の全体でＸ座標の移動量ΔＸと光軸ズレ
角θはほぼ比例した。
だ後、該遠視野像のピークのＸ座標Ｘ１を算出し(Ｓ
８)、発光点像のＸ座標Ｘ０との差から被測定半導体レ
ーザ装置の光軸ズレ角を測定する(Ｓ９)。これは、従来
例２の場合と同様である。実際には、あらかじめ基準半
導体レーザ装置を一定角度回転したときの回転角度θと
２次元ＣＣＤ上のＸ座標の移動量ΔＸの関係を測定して
おき、ΔＸを求めてθを算出する。本実施の形態の光軸
ズレ角測定装置では、２０倍の集光レンズを用いた。２
次元ＣＣＤ６１の全体でＸ座標の移動量ΔＸと光軸ズレ
角θはほぼ比例した。
【００４１】測定終了後、補正板３０を再度光路に挿入
し(Ｓ１０)、被測定半導体レーザ装置を交換して(Ｓ１
１及びＳ４)、同様の測定を継続する。
し(Ｓ１０)、被測定半導体レーザ装置を交換して(Ｓ１
１及びＳ４)、同様の測定を継続する。
【００４２】なお、本実施の形態の光軸ズレ角測定方法
及び測定装置を用いて半導体レーザの遠視野像特性を測
定することも可能である。
及び測定装置を用いて半導体レーザの遠視野像特性を測
定することも可能である。
【００４３】即ち、図２のステップＳ８において、遠視
野像のピークのＸ座標を計算すると同時に、該ピークを
含むＸ軸方向の直線上で、該ピークを挟み該ピークの値
の１／２になる２つの点のＸ座標の間隔を計算し、ΔＸ
とθとの間隔から広がり角に換算することにより、半導
体レーザ素子のｐｎ接合面を含む方向の遠視野像の半値
全幅θｈを測定することができる。これは、本実施の形
態においては、半導体レーザ素子のｐｎ接合面を含む方
向が２次元ＣＣＤのＸ方向に対応していることによる。
一方、半導体レーザ素子のｐｎ接合面に対し垂直な方向
の遠視野像の半値全幅θｖも、該ピークを含むＺ軸方向
の直線上で該ピークを挟み該ピークの値の１／２になる
２つの点のＹ座標の間隔を計算し、ΔＹとθとの間隔か
ら広がり角に換算すれば良い。
野像のピークのＸ座標を計算すると同時に、該ピークを
含むＸ軸方向の直線上で、該ピークを挟み該ピークの値
の１／２になる２つの点のＸ座標の間隔を計算し、ΔＸ
とθとの間隔から広がり角に換算することにより、半導
体レーザ素子のｐｎ接合面を含む方向の遠視野像の半値
全幅θｈを測定することができる。これは、本実施の形
態においては、半導体レーザ素子のｐｎ接合面を含む方
向が２次元ＣＣＤのＸ方向に対応していることによる。
一方、半導体レーザ素子のｐｎ接合面に対し垂直な方向
の遠視野像の半値全幅θｖも、該ピークを含むＺ軸方向
の直線上で該ピークを挟み該ピークの値の１／２になる
２つの点のＹ座標の間隔を計算し、ΔＹとθとの間隔か
ら広がり角に換算すれば良い。
【００４４】なお、本実施の形態では、Ｘ座標のみによ
り半導体レーザ装置の光軸ズレ角を測定したが、これは
半導体レーザ装置を光ピックアップ等に組み込む場合Ｘ
方向の光軸ズレ角を一定の値以下にする必要があるため
である。
り半導体レーザ装置の光軸ズレ角を測定したが、これは
半導体レーザ装置を光ピックアップ等に組み込む場合Ｘ
方向の光軸ズレ角を一定の値以下にする必要があるため
である。
【００４５】また、ＣＣＤ画像をコンピュータに取り込
んで解析することにより、遠視野像のピークだけでな
く、強度×座標の平均値である重心の座標を計算するこ
とも可能である。強度が波打つように変動する場合や、
図３のように非対称な形状をしていてその平均値で評価
したい場合、光軸ズレ角を２次元的に測定したい場合等
には重心の座標を用いることが有効である。任意の方向
への光軸ズレ角も、同様の方法により測定することが可
能であることは言うまでもない。
んで解析することにより、遠視野像のピークだけでな
く、強度×座標の平均値である重心の座標を計算するこ
とも可能である。強度が波打つように変動する場合や、
図３のように非対称な形状をしていてその平均値で評価
したい場合、光軸ズレ角を２次元的に測定したい場合等
には重心の座標を用いることが有効である。任意の方向
への光軸ズレ角も、同様の方法により測定することが可
能であることは言うまでもない。
【００４６】本実施の形態では、補正板を入れた状態で
発光点像を観測し、補正板３０を除去することにより遠
視野像を生成している。この理由について、図４を参照
しながら説明する。
発光点像を観測し、補正板３０を除去することにより遠
視野像を生成している。この理由について、図４を参照
しながら説明する。
【００４７】補正板３０を抜き出して出射レーザ光がＣ
ＣＤ上に結像している状態から、光路中に補正板３０入
れると、上述の場合と逆に集光点が集光レンズから遠い
側に移動する。このとき、図４(ａ)のように収束光が２
次元ＣＣＤ６１に入射する。通常、ＣＣＤは素子を保護
するために表面に保護用ガラス６１１を備えている。上
記のように収束光が２次元ＣＣＤ６１に入射すると、一
部の光は、２次元ＣＣＤで反射し、収束しながらＣＣＤ
保護用ガラス６１１表面で反射して再度２次元ＣＣＤ６
１に入射する。このＣＣＤ保護用ガラス６１１表面で反
射して再度２次元ＣＣＤ６１に入射した光は、ＣＣＤ画
像に疑似スポットとして現われ、コンピュータ７０にＣ
ＣＤ画像を取り込んで遠視野像のピークを計算するとき
の障害となる。また、遠視野特性を計算する場合にも大
きな誤差を発生させる要因となる。
ＣＤ上に結像している状態から、光路中に補正板３０入
れると、上述の場合と逆に集光点が集光レンズから遠い
側に移動する。このとき、図４(ａ)のように収束光が２
次元ＣＣＤ６１に入射する。通常、ＣＣＤは素子を保護
するために表面に保護用ガラス６１１を備えている。上
記のように収束光が２次元ＣＣＤ６１に入射すると、一
部の光は、２次元ＣＣＤで反射し、収束しながらＣＣＤ
保護用ガラス６１１表面で反射して再度２次元ＣＣＤ６
１に入射する。このＣＣＤ保護用ガラス６１１表面で反
射して再度２次元ＣＣＤ６１に入射した光は、ＣＣＤ画
像に疑似スポットとして現われ、コンピュータ７０にＣ
ＣＤ画像を取り込んで遠視野像のピークを計算するとき
の障害となる。また、遠視野特性を計算する場合にも大
きな誤差を発生させる要因となる。
【００４８】一方、補正板３０を入れた状態で発光点像
を生成しておき、補正板３０を除去して遠視野像を発生
させると、逆に集光点位置が集光レンズ４０に近くな
る。このため２次元ＣＣＤ６１の手前で収束するので、
図４(ｂ)のように２次元ＣＣＤには発散光が入射する。
その結果、図４(ａ)のような疑似スポットの発生が無
い。ＣＣＤ表面にＣＣＤ保護用ガラスが無いか、十分厚
い場合にはこのような問題は発生しない。
を生成しておき、補正板３０を除去して遠視野像を発生
させると、逆に集光点位置が集光レンズ４０に近くな
る。このため２次元ＣＣＤ６１の手前で収束するので、
図４(ｂ)のように２次元ＣＣＤには発散光が入射する。
その結果、図４(ａ)のような疑似スポットの発生が無
い。ＣＣＤ表面にＣＣＤ保護用ガラスが無いか、十分厚
い場合にはこのような問題は発生しない。
【００４９】［実施の形態２］
本実施の形態２の半導体レーザ特性測定装置２００の全
体図を図５に示す。本実施の形態において、上記実施の
形態１と異なる点は、上記実施の形態１で補正板３０と
して透明な平行平板を用いたのに対して、ＮＤフィルタ
ー３１を用いた点であり、それを除けば上記実施の形態
１と同じである。このＮＤフィルター３１は、光の透過
率が数％程度で、半導体レーザの波長範囲において透過
率の波長依存性が殆ど無いものである。
体図を図５に示す。本実施の形態において、上記実施の
形態１と異なる点は、上記実施の形態１で補正板３０と
して透明な平行平板を用いたのに対して、ＮＤフィルタ
ー３１を用いた点であり、それを除けば上記実施の形態
１と同じである。このＮＤフィルター３１は、光の透過
率が数％程度で、半導体レーザの波長範囲において透過
率の波長依存性が殆ど無いものである。
【００５０】半導体レーザ素子は、発振閾値と呼ばれる
電流値以下の電流値と発振閾値以上の電流値では、入力
電流に対する出力光強度の割合は劇的に変化する。実施
の形態１では、半導体レーザ素子に流す電流量を発振閾
値電流値程度としていた。上述したように、発光点像の
ピークと遠視野像のピークでは、信号の大きさが数倍異
なるのが普通である。しかし、ピークの座標や遠視野像
の半値幅を正確に測定するためには、ピークにおける信
号の大きさがＣＣＤ信号出力の最大値に近いことが望ま
しい。即ち、発光点像のピークも遠視野像のピークも、
同程度のＣＣＤ信号出力になることが望ましい。
電流値以下の電流値と発振閾値以上の電流値では、入力
電流に対する出力光強度の割合は劇的に変化する。実施
の形態１では、半導体レーザ素子に流す電流量を発振閾
値電流値程度としていた。上述したように、発光点像の
ピークと遠視野像のピークでは、信号の大きさが数倍異
なるのが普通である。しかし、ピークの座標や遠視野像
の半値幅を正確に測定するためには、ピークにおける信
号の大きさがＣＣＤ信号出力の最大値に近いことが望ま
しい。即ち、発光点像のピークも遠視野像のピークも、
同程度のＣＣＤ信号出力になることが望ましい。
【００５１】本実施の形態では、ピーク光強度の大きい
発光点を測定する場合にはＮＤフィルターからなる補正
板３１を挿入し、ピーク光強度の小さい遠視野像を測定
する場合はＮＤフィルターをはずしているので、図６に
示したように、発光点像ＣのピークのＣＣＤ出力レベル
と遠視野像ＤのピークのＣＣＤ出力レベルを同程度とす
ることができた。
発光点を測定する場合にはＮＤフィルターからなる補正
板３１を挿入し、ピーク光強度の小さい遠視野像を測定
する場合はＮＤフィルターをはずしているので、図６に
示したように、発光点像ＣのピークのＣＣＤ出力レベル
と遠視野像ＤのピークのＣＣＤ出力レベルを同程度とす
ることができた。
【００５２】なお、図６は本実施の形態においてモニタ
ーに表示されるＣＣＤ画像の一例をに示すものであり、
(ａ)がモニターの表示を示し、(ｂ)が発光点を含むＸ軸
方向の強度分布を表わしている。
ーに表示されるＣＣＤ画像の一例をに示すものであり、
(ａ)がモニターの表示を示し、(ｂ)が発光点を含むＸ軸
方向の強度分布を表わしている。
【００５３】［実施の形態３］
実施の形態３の半導体レーザ特性測定装置の全体図を図
７に示す。
７に示す。
【００５４】本実施の形態では、上記実施の形態２の半
導体レーザ特性測定装置と同様に補正板３０をＮＤフィ
ルターとし、ＣＣＤカメラ６２に電子シャッタ付きのも
のを用いた。その他の点は、上記実施の形態１と同様の
ものである。また、電子シャッター付きＣＣＤカメラ６
２では、常に、最も信号の大きい部分の信号の大きさが
出力の最大値となるように制御されている。
導体レーザ特性測定装置と同様に補正板３０をＮＤフィ
ルターとし、ＣＣＤカメラ６２に電子シャッタ付きのも
のを用いた。その他の点は、上記実施の形態１と同様の
ものである。また、電子シャッター付きＣＣＤカメラ６
２では、常に、最も信号の大きい部分の信号の大きさが
出力の最大値となるように制御されている。
【００５５】発振閾値が様々な半導体レーザ素子を測定
する場合、図２のＳ２で設定した電流値では、被測定半
導体レーザ素子の発振閾値を十分越えた電流値になって
しまう場合がある。なお、補正板にＮＤフィルターを用
いたのは、電子シャッターの制御範囲を超えた信号が入
らないようにするためである。
する場合、図２のＳ２で設定した電流値では、被測定半
導体レーザ素子の発振閾値を十分越えた電流値になって
しまう場合がある。なお、補正板にＮＤフィルターを用
いたのは、電子シャッターの制御範囲を超えた信号が入
らないようにするためである。
【００５６】ＣＣＤに電子シャッタ付きのものを用いる
ことにより、このような問題を防ぐことができ、ＣＣＤ
出力レベルを同じとすることができるので、より正確な
発光点像の座標が計算でき、光軸ズレ角及び遠視野像の
半値幅をより精度良く測定することが可能となる。
ことにより、このような問題を防ぐことができ、ＣＣＤ
出力レベルを同じとすることができるので、より正確な
発光点像の座標が計算でき、光軸ズレ角及び遠視野像の
半値幅をより精度良く測定することが可能となる。
【００５７】図８は本実施の形態においてモニターに表
示されるＣＣＤ画像の一例を示すものであり、(ａ)がモ
ニターの表示を示し、(ｂ)が発光点を含むＸ軸方向の強
度分布を表わしている。図８に示すように、本実施の形
態では、上記実施の形態２と同様に、ピーク光強度の大
きい発光点を測定する場合にはＮＤフィルターからなる
補正板３１を挿入し、ピーク光強度の小さい遠視野像を
測定する場合はＮＤフィルターをはずしているので、発
光点像ＣのピークのＣＣＤ出力レベルと遠視野像Ｄのピ
ークのＣＣＤ出力レベルを同程度とすることができた。
示されるＣＣＤ画像の一例を示すものであり、(ａ)がモ
ニターの表示を示し、(ｂ)が発光点を含むＸ軸方向の強
度分布を表わしている。図８に示すように、本実施の形
態では、上記実施の形態２と同様に、ピーク光強度の大
きい発光点を測定する場合にはＮＤフィルターからなる
補正板３１を挿入し、ピーク光強度の小さい遠視野像を
測定する場合はＮＤフィルターをはずしているので、発
光点像ＣのピークのＣＣＤ出力レベルと遠視野像Ｄのピ
ークのＣＣＤ出力レベルを同程度とすることができた。
【００５８】以上の説明は半導体レーザ装置について行
ったが、半導体レーザ素子の場合も同様である。但し、
半導体レーザ素子の破壊を防止するために、通常パルス
電流で半導体レーザ素子を発光させること、及び、素子
にコレットを押圧して電流を流すこと、が必要である。
なお、上記実施の形態のように半導体レーザ装置の測定
では、ステムホルダー２４の下面を半導体レーザ装置１
０のステム１２の上面に突き当てるようにして位置決め
したが、半導体レーザ素子の測定の場合にも、基準位置
の位置決めを行なって光軸ズレ角を測定すれば良い。
ったが、半導体レーザ素子の場合も同様である。但し、
半導体レーザ素子の破壊を防止するために、通常パルス
電流で半導体レーザ素子を発光させること、及び、素子
にコレットを押圧して電流を流すこと、が必要である。
なお、上記実施の形態のように半導体レーザ装置の測定
では、ステムホルダー２４の下面を半導体レーザ装置１
０のステム１２の上面に突き当てるようにして位置決め
したが、半導体レーザ素子の測定の場合にも、基準位置
の位置決めを行なって光軸ズレ角を測定すれば良い。
【００５９】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、移動精度、停止位置精度の要求されない補正
板を移動することにより、半導体レーザの特性測定に用
いることが可能な、発光点を基準として一定の光路長移
動量の遠視野像を生成することができる。
によれば、移動精度、停止位置精度の要求されない補正
板を移動することにより、半導体レーザの特性測定に用
いることが可能な、発光点を基準として一定の光路長移
動量の遠視野像を生成することができる。
【００６０】さらに、補正板を挿入して発光点像をＣＣ
Ｄ画像として測定し、補正板を抜き出して遠視野像をＣ
ＣＤ画像として測定すれば、前記ＣＣＤの表面に設けら
れた保護用ガラスによる疑似ピークの発生を防止するこ
とが可能である。
Ｄ画像として測定し、補正板を抜き出して遠視野像をＣ
ＣＤ画像として測定すれば、前記ＣＣＤの表面に設けら
れた保護用ガラスによる疑似ピークの発生を防止するこ
とが可能である。
【００６１】また、遠視野像の半値幅を前記ＣＣＤ画像
より測定すれば、半導体レーザ素子又は装置の遠視野像
特性の測定も可能である。
より測定すれば、半導体レーザ素子又は装置の遠視野像
特性の測定も可能である。
【００６２】また、補正板にＮＤフィルターを用いれ
ば、発光点像のピークと遠視野像のピークのＣＣＤ出力
レベルを同程度とすることができるので精度良く光軸ズ
レ角、及び遠視野像の半値幅を測定することができる。
ば、発光点像のピークと遠視野像のピークのＣＣＤ出力
レベルを同程度とすることができるので精度良く光軸ズ
レ角、及び遠視野像の半値幅を測定することができる。
【図１】本発明の実施の形態１の半導体レーザの光軸ズ
レ角測定装置の全体図である。
レ角測定装置の全体図である。
【図２】本発明の実施の形態の半導体レーザの光軸ズレ
角測定方法を説明するフローチャートである。
角測定方法を説明するフローチャートである。
【図３】本発明の実施の形態１の半導体レーザの光軸ズ
レ角測定装置における２次元ＣＣＤ画像を説明する図で
ある。
レ角測定装置における２次元ＣＣＤ画像を説明する図で
ある。
【図４】ＣＣＤ画像に疑似ピークが発生する原理を示し
た図。
た図。
【図５】本発明の実施の形態２の半導体レーザの光軸ズ
レ角測定装置の全体図である。
レ角測定装置の全体図である。
【図６】本発明の実施の形態２の半導体レーザの光軸ズ
レ角測定装置における２次元ＣＣＤ画像を説明する図で
ある。
レ角測定装置における２次元ＣＣＤ画像を説明する図で
ある。
【図７】本発明の実施の形態３の半導体レーザの光軸ズ
レ角測定装置の全体図である。
レ角測定装置の全体図である。
【図８】本発明の実施の形態３の半導体レーザの光軸ズ
レ角測定装置における２次元ＣＣＤ画像を説明する図で
ある。
レ角測定装置における２次元ＣＣＤ画像を説明する図で
ある。
【図９】従来例１の半導体レーザの光軸ズレ角測定装置
の全体図を表わす図である。
の全体図を表わす図である。
【図１０】従来例２の半導体レーザの光軸ズレ角測定装
置の全体図を表わす図である。
置の全体図を表わす図である。
【図１１】従来例２の半導体レーザの光軸ズレ角測定装
置における２次元ＣＣＤ画像を説明する図である。
置における２次元ＣＣＤ画像を説明する図である。
１０ …半導体レーザ装置
１１ …半導体レーザ素子
３０ …透明平行平板補正板
３１ …ＮＤフィルター補正板
４０ …集光レンズ
６０ …ＣＣＤカメラ
６１ …ＣＣＤ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平７−66472（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−138957（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−235630（ＪＰ，Ａ)
特開 昭64−20403（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−202347（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−307192（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−5032（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−253441（ＪＰ，Ａ)
特開 昭60−142276（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−233571（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01S 5/00 - 5/50
G01M 11/00
H01L 21/66
Claims (8)
- 【請求項１】 少なくとも集光レンズ及びＣＣＤを用
い、半導体レーザの発光点像をＣＣＤ画像として測定し
た後、前記半導体レーザの出射レーザ光の遠視野像をＣ
ＣＤ画像として測定する半導体レーザの特性測定方法に
おいて、前記集光レンズと前記半導体レーザとの間隔および前記
集光レンズと前記ＣＣＤとの間隔を一定に保った状態
で、 前記集光レンズと前記半導体レーザの間または前記
集光レンズと前記ＣＣＤの間の光路中に、平行平板から
なる補正板を挿入または抜き出すことにより、前記ＣＣ
Ｄ画像を前記発光点像から前記遠視野像へ変化させるこ
とを特徴とする半導体レーザの特性測定方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体レーザの特性測定
方法において、前記ＣＣＤは、表面に保護用ガラスが設けられたＣＣＤ
であり、 前記補正板を挿入して前記発光点像をＣＣＤ画像として
測定し、前記補正板を抜き出して前記遠視野像をＣＣＤ
画像として測定することを特徴とする半導体レーザの特
性測定方法。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の半導体レーザの
特性測定方法において、 前記発光点像のＣＣＤ画像における座標を測定し、 前記遠視野像のピークのＣＣＤ画像における座標を測定
し、 前記発光点像のＣＣＤ画像における座標と前記遠視野像
のピークのＣＣＤ画像における座標から前記半導体レー
ザの光軸ズレ角を測定することを特徴とする半導体レー
ザの特性測定方法。 - 【請求項４】 請求項１または２記載の半導体レーザの
特性測定方法において、 前記遠視野像の半値幅を前記ＣＣＤ画像より測定するこ
とを特徴とする半導体レーザの特性測定方法。 - 【請求項５】 請求項１乃至４の何れか一つに記載の半
導体レーザの特性測定方法において、 前記発光点像における前記ＣＣＤの出力レベルと前記遠
視野像における前記ＣＣＤの出力レベルとを略同一にし
たことを特徴とする半導体レーザの特性測定方法。 - 【請求項６】 少なくとも集光レンズ及びＣＣＤを有
し、半導体レーザの発光点像をＣＣＤ画像として測定し
た後、前記半導体レーザの出射レーザ光の遠視野像をＣ
ＣＤ画像として測定する半導体レーザの特性測定装置に
おいて、 前記集光レンズと前記半導体レーザの間または前記集光
レンズと前記ＣＣＤの間の光路中に、平行平板から成る
補正板を挿入および抜き出し可能に設けたことを特徴と
する半導体レーザの特性測定装置。 - 【請求項７】 請求項６記載の半導体レーザの特性測定
装置において、前記ＣＣＤは、表面に保護用ガラスが設けられたＣＣＤ
であ ることを特徴とする半導体レーザの特性測定装置。 - 【請求項８】 請求項６記載の半導体レーザ特性測定装
置において、 前記補正板をＮＤフィルターとしたことを特徴とする半
導体レーザ特性測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24463699A JP3470066B2 (ja) | 1999-08-31 | 1999-08-31 | 半導体レーザの特性測定方法及びそれを用いた特性測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24463699A JP3470066B2 (ja) | 1999-08-31 | 1999-08-31 | 半導体レーザの特性測定方法及びそれを用いた特性測定装置 |
Publications (2)
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|---|---|
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|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|---|
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-
1999
- 1999-08-31 JP JP24463699A patent/JP3470066B2/ja not_active Expired - Lifetime
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