JP3473504B2

JP3473504B2 - トリフェニルアミン化合物の製造方法

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Publication number: JP3473504B2
Application number: JP18248799A
Authority: JP
Inventors: 浩幸遠藤; 悦雄長谷川
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Current assignee: NEC Corp
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Filing date: 1999-06-28
Publication date: 2003-12-08
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Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はトリフェニルアミン
化合物の製造方法、さらに詳しくは電子写真感光体に含
有される電荷輸送材料（ホール輸送材料）として有用な
トリフェニルアミン化合物の製造方法に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、電子写真方式において使用される
感光体の光導電材料として、セレン（Ｓｅ）、硫化カド
ミウム（ＣｄＳ）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、アモルファス
シリコン（ａ−Ｓｉ）などの無機物質が知られている。
これらの無機感光体は多くの長所を有するが、それと同
時に種々の欠点、例えば有害であること、廃棄が簡単に
できないこと、コスト高であることなどの欠点を有す
る。そのため、近年、これらの欠点のない有機物質を用
いた有機感光体が数多く提案され、実用化されている。

【０００３】これらの感光体の構造としては、電荷キャ
リアを発生する材料（以下、電荷発生材料と称する。）
と、発生した電荷キャリアを受け入れ、これを輸送する
材料（以下、電荷輸送材料と称する。）とを別々の層に
した機能分離型感光体や、これらを同一の層内で行う単
層型感光体などを例示することができる。これらの中で
は、前記機能分離型感光体が、材料選択の幅が広く、か
つ高感度化が可能なため多く採用されている。

【０００４】この機能分離型感光体に用いられる電荷輸
送材料には、ポリビニルカルバゾールなどの高分子光導
電性化合物を用いる場合と、低分子光導電性化合物をバ
インダーポリマー中に分散溶解する場合とがある。高分
子光導電性化合物は、単独では製膜性、接着性が不充分
であり、これらの点を改善するために可塑剤、バインダ
ーポリマーなどが添加されるが、これらの添加により感
度の低減や残留電位の増加を引き起こすことがあり、実
用化は困難である。一方、低分子光導電性化合物はバイ
ンダーポリマーを適当に選択することによって、容易に
機械的特性の優れた感光体を得ることができるが、感度
の点で充分なものとは言えない。

【０００５】例えば、米国特許第３，８２０，９８９号
に記載のジアリールアルカン誘導体は、バインダーポリ
マーに対する相溶性の問題は少ないが、光に対する安定
性が悪く、これを帯電、露光を繰り返す電子写真用の感
光体の感光層に使用すると、この感光体の感度が反復使
用で徐々に低下するという欠点を有する。また、特開昭
５８−６５４４０号公報に記載されているスチルベン化
合物は、電荷保持力および感度は比較的良好であるが、
反復使用時における安定性について満足できるものでは
ない。

【０００６】特公昭６３−０１９８６７号公報に記載さ
れているモノスチリルトリフェニルアミン化合物（下記
化学式（１０１）として例示）、特公平０５−０４２６
６１号公報および特開昭６２−１２０３４６号公報に記
載されているジスチリルトリフェニルアミン化合物（下
記化学式（１０２）として例示）、特公平０６−０９３
１２４号公報および特開昭６３−１６３３６１号公報
に記載されているトリスチリルトリフェニルアミン化合
物（下記化学式（１０３）として例示）は、電荷保持
力、感度が良好で、反復使用時における安定性も良好で
ある。しかし、電荷の移動度がまだ充分ではなく、高速
電子写真感光体用の電荷輸送材料としてはまだ満足でき
るものではない。

【０００７】

【化３】

【０００８】前記化学式（１０１）〜（１０３）に示し
たこれらの化合物は、下記化学式（２０１）で示す、電
荷のホッピングサイトとなるトリフェニルアミン構造
が、１分子内に一つしか含まれていない。よって充分な
電荷移動度を得られないため、充分な光感度を得ること
ができないという問題があった。上述の公報において
は、これらの化合物には種々の置換基を導入してもよい
ことが記載されているが、複数個のトリフェニルアミン
を導入することは示されていない。

【０００９】

【化４】

【００１０】複数個のトリフェニルアミンを導入して、
上記問題を解決するものとしては、特願平０９−００２
８４４号等に記載されている、下記一般式（２）で表さ
れるトリフェニルアミン化合物がある。

【００１１】

【化５】（式中、Ａｒ¹ 〜Ａｒ⁶ は置換基を有していてもよいフ
ェニル基を示す。Ａｒ¹〜Ａｒ⁶基上の置換基は、炭素数
が１から４のアルキル基、炭素数が１から４のアルコキ
シ基、炭素数が１から４のジアルキルアミノ基、炭素数
が１から４のアルキルチオ基であり、これらの置換基が
フェニル基上に複数置換していてもよく、それら置換基
は同一でも異なっていてもよい。Ｒ¹ 〜Ｒ6 は水素また
はメチル基を示し、同一であっても異なってもよい。Ｒ
⁷〜Ｒ¹²，Ｒ¹⁵〜Ｒ²⁰，Ｒ²³〜Ｒ² ⁸は炭素数が１から４
のアルキル基、炭素数が１から４のアルコキシ基、炭素
数が１から４のジアルキルアミノ基、炭素数が１から４
のアルキルチオ基であり、それら置換基は同一でも異な
っていてもよい。Ｒ¹³，Ｒ¹⁴，Ｒ²¹，Ｒ²²，Ｒ²⁹，Ｒ³⁰
は炭素数が１から４の直鎖アルキル基、炭素数が１から
４の直鎖アルコキシ基を示し、それぞれ同一でも異なっ
ていても良い。）

【００１２】このような上記一般式（２）で表されるト
リフェニルアミン化合物は、従来、４，４’，４”−ト
リホルミルトリファニルアミンもしくは４，４’，４”
−トリアセチルトリフェニルアミン等のトリカルボニル
化合物と、アミノ化合物である亜リン酸エステルとを、
塩基の存在下においてＷｉｔｔｉｇ反応で縮合させるこ
とにより製造されていた。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記ト
リフェニルアミン化合物の製造方法においては、その反
応過程において、トリカルボニル化合物へのカルボニル
基の複数導入を行い、また亜リン酸エステルを中間体と
して経由する必要があった。この場合、トリカルボニル
化合物に複数のカルボニル基を導入することは困難であ
ることが多く、また、亜リン酸エステルは不安定である
ことが多く、目的のトリフェニルアミン化合物を効率よ
く得ることは困難であった。

【００１４】本発明は前記事情に鑑みてなされたもの
で、上記一般式（２）で表されるトリフェニルアミン化
合物を効率よく得ることのできる製造方法を提供するこ
とを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】次に示す、上記一般式
（２）で表されるトリフェニルアミン化合物の製造方法
を前記課題の解決方法とした。第１の発明は、下記一般
式（１）

【００１６】

【化６】（式中Ｒ³¹ およびＲ³² は水素またはメチル基を示し同
一でも異なっていてもよい。Ａｒ⁷ およびＡｒ⁸ は置換
基を有していてもよいフェニル基を示し、同一でも異な
っていてもよい。Ａｒ⁷およびＡｒ⁸基上の置換基は、炭
素数が１から４のアルキル基、炭素数が１から４のアル
コキシ基、炭素数が１から４のジアルキルアミノ基、炭
素数が１から４のアルキルチオ基であり、これらの置換
基がフェニル基上に複数置換してもよく、それら置換基
は同一でも異なっていてもよい。Ｒ ³³〜Ｒ³⁸は炭素数が
１から４のアルキル基、炭素数が１から４のアルコキシ
基、炭素数が１から４のジアルキルアミノ基、炭素数が
１から４のアルキルチオ基であり、それら置換基は同一
でも異なっていてもよい。Ｒ³⁹，Ｒ⁴⁰は炭素数が１から
４の直鎖アルキル基、炭素数が１から４の直鎖アルコキ
シ基を示し、それぞれ同一でも異なっていても良い。Ｘ
はハロゲン元素を表す。）

【００１７】で表される１以上のハロゲン化合物をアン
モニアと反応させることを特徴とする上記一般式（２）
で表されるトリフェニルアミン化合物の製造方法であ
る。第２の発明は、上記一般式（１）で表される化合物
の置換基Ｘが塩素原子あるいは臭素原子あるいはヨウ素
原子であることを特徴とする第１の発明のトリフェニル
アミン化合物の製造方法である。第３の発明は、前記一
般式（１）で表される化合物が４−クロロ−４’−
（Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノ）スチルベンであり、前記一
般式（２）の化合物が４，４’，４”−トリス（４−
（Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノ）スチリル）トリフェニルア
ミンであることを特徴とする第１の発明のトリフェニル
アミン化合物の製造方法である。

【００１８】第４の発明は、第１、２または３のいずれ
かの発明において、一般式（１）で表されるハロゲン化
合物とアンモニアを反応させる際に、反応触媒を用いる
ことを特徴とするトリフェニルアミン化合物の製造方法
である。第５の発明は、第４の発明において、前記反応
触媒として、銅化合物、またはパラジウム化合物、また
は銅化合物とパラジウム化合物とを含む混合物を用いる
ことを特徴とするトリフェニルアミン化合物の製造方法
である。

【００１９】第６の発明は、反応時の圧力が常圧である
ことを特徴とする第１〜５のいずれかひとつのトリフェ
ニルアミン化合物の製造方法である。第７の発明は、反
応時の圧力が常圧よりも高いことを特徴とする第１〜５
のいずれかひとつのトリフェニルアミン化合物の製造方
法である。

【００２０】

【発明の実施の形態】本発明は、上記一般式（１）で表
される１以上のハロゲン化合物（以下、単にハロゲン化
合物（１）と略記することがある。）を、アンモニアと
反応させることを特徴とする上記一般式（２）で表され
るトリフェニルアミン化合物（以下、単にトリフェニル
アミン化合物（２）と略記することがある。）の製造方
法である。

【００２１】上記ハロゲン化合物（１）は以下に示すよ
うにして得られるものである。まず、下記一般式（３）
で表される４−ハロゲノベンジルハライドまたは下記一
般式（４）で表される１−ハロゲノ−４−（１−ハロゲ
ノエチル）ベンゼンを亜リン酸トリエチルと反応させ
て、下記一般式（５）または一般式（６）で表される亜
リン酸エステルを得る。（反応１とする。）

【００２２】

【化７】

【００２３】

【化８】

【００２４】次に、反応１により得られた亜リン酸エス
テルと、下記一般式（７）で表される４−ジアリールア
ミノベンズアルデヒド、または下記一般式（８）で表さ
れる４−ジアリールアミノアセトフェノンとを反応させ
る。（反応２とする。）

【００２５】

【化９】

【００２６】このとき、上記一般式（３）で表される４
−ハロゲノベンジルハライドまたは上記一般式（４）で
表される１−ハロゲノ−４−（１−ハロゲノエチル）ベ
ンゼンにおける置換基Ｘはハロゲン元素を示し、特に塩
素、臭素、ヨウ素が望ましい。また、置換基Ｙはハロゲ
ン元素を示す。置換基ＸとＹは同一でも異なっていても
良い。

【００２７】また、上記反応２は、塩基触媒下におい
て、適当な溶媒中で、室温もしくは加熱して行う。前記
塩基触媒としては、ナトリウムメチラート、ナトリウム
エチラート、カリウムｔ−ブチラートなどのアルコラー
ト、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ナトリウムア
ミド、水素化ナトリウムなどが挙げられる。

【００２８】前記溶媒としては、トルエン、ベンゼンな
どの芳香族炭化水素、メタノール、エタノール、イソプ
ロピルアルコールなどのアルコール類、ジオキサン、テ
トラヒドロフランなどのエーテル類、Ｎ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミド、ジメチルスルホキシドなどが使用でき
る。特に、トルエン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが
好適である。また、溶媒量は特に制限はなく、１〜１０
倍重量量があれば充分である。反応２における反応温度
は、室温ないし１００℃で進行させるが、好ましくは２
０〜７０℃の間である。反応２終了後は、その反応溶液
を洗浄、抽出、乾燥等の処理をしてから、触媒を濾別等
により除去し、必要に応じて再結晶もしくはカラムクロ
マトグラフィー、蒸留などの公知の方法で、得られたハ
ロゲン化合物（１）の精製を行う。

【００２９】上述のようにして得られたハロゲン化合物
（１）を、アンモニアと反応させる（反応３とする。）
ことにより、目的とするトリフェニルアミン化合物
（２）を得ることができる。一般的に、アンモニアから
のトリフェニルアミン化合物のような３級アミンの合成
は困難であるが、触媒、反応温度、反応圧力を検討した
結果、合成を効率よく進めることのできる本発明が得ら
れた。以下に、その反応条件について説明する。

【００３０】上記反応３に用いられる溶媒としては、ベ
ンゼン、トルエンなどの芳香族系溶媒、ジエチルエーテ
ル、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒など各種
の溶媒を使用することができる。上記反応３の反応触媒
としては、銅触媒もしくはパラジウム触媒もしくは銅触
媒及びパラジウム触媒の混合物が好ましく、銅触媒とし
ては、銅粉末、第一塩化銅、酸化銅等を用いることがで
きる。パラジウム触媒としては、塩化パラジウム、臭化
パラジウム、酢酸パラジウム等を用いることができる。
また、必要に応じて、炭酸カリウム、ナトリウム−ｔ−
ブトキシド等の塩基触媒、トリ−ｔ−ブチルホスフィ
ン、トリ−ｎ−ブチルホスフィン等のアルキルホスフィ
ン触媒を前期触媒に加えても良い。

【００３１】また、反応３の反応温度は常温から溶媒の
沸点までの幅広い温度で反応が可能であるが、７０℃以
上の温度で行うことが望ましい。さらに反応溶媒の沸点
もしくは沸点付近の温度で行うことがより好ましい。ま
た、反応３は通常、１気圧で行うが、アンモニアとして
アンモニアガスを用いる場合は、オートクレーブ等を用
いて加圧条件下で反応を行っても良い。

【００３２】反応３終了後、その反応溶液から、洗浄、
抽出、乾燥、濾過等の処理により、溶媒や過剰量のアン
モニアを除去した後、必要に応じてカラムクロマトグラ
フィー、晶析等により、上記反応３により得られたトリ
フェニルアミン化合物（２）を取り出すことができる。

【００３３】このような製造方法によれば、従来の製造
方法において、困難であったトリフェニルアミンへのカ
ルボニル基の複数導入を行う必要はない。また、亜リン
酸エステルを中間体として経由する必要がない。よっ
て、従来の製造方法よりも効率よく、トリフェニルアミ
ン化合物（２）を得ることができる。

【００３４】

【実施例】以下、本発明を実施例を挙げて詳細に説明す
るが、本発明は、その要旨を越えない限り、以下の実施
例に限定されるものではない。（実施例１）〈１〉亜リン酸エステルの調製（下記反応式（９）に示
す。）まず、還流冷却器を付けた２００ｍｌのナス型フラスコ
をマグネティックスターラーにセットせた。次に、この
フラスコに、４−クロロベンジルクロリド２０ｇ（１２
４ｍｍｏｌ）を入れ、ついで亜リン酸トリエチル２５ｇ
（１５０ｍｍｏｌ）を加えた。次に、このフラスコ内の
反応液を、オイルバスで加熱し、マグネティックスター
ラーで撹拌しながら、８時間還流して反応させた。次
に、反応終了後、フラスコ内の反応液から、未反応亜リ
ン酸トリエチルを、ポンプで減圧しながら留去させた。
そして、フラスコ内の反応液の残留分として、亜リン酸
エステル３０．９ｇを収率９５％で得た。

【００３５】

【化１０】

【００３６】〈２〉塩素化合物の調製（下記反応（１
０）に示す。）まず、乾燥管、滴下ロートを取り付けた２００ｍｌ三口
フラスコに水素化ナトリウム０．５ｇ（２０ｍｍｌ）
と、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド５０ｍｌを加え懸濁
液とし、マグネティックスターラーで撹拌した。次に、
このフラスコに上記〈１〉により得られた亜リン酸エス
テル５．０ｇ（１９ｍｍｏｌ）を加え、室温で１時間撹
拌した。次に、滴下ロートに４−（４’，４”−ジメチ
ルジフェニルアミノ）ベンズアルデヒド５．７ｇ（１９
ｍｍｏｌ）のＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１５ｍｌ溶
液を加えて４０℃で１０時間反応させた。反応終了後、
上記反応溶液に水を加え、トルエンで３回抽出した。次
に、この抽出した有機溶液を、飽和食塩水で水層が中性
になるまで洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥した。
次に、この溶液から、濾過により硫酸マグネシウムを取
り除いた後、トルエン溶媒を減圧下留去した。そして、
残留分においてトルエン−リグロインの７：３混合溶媒
で再結晶を行い、４−クロロ−４’−（Ｎ，Ｎ−ジトリ
ルアミノ）スチルベン６．６ｇを収率８５％で得た。

【００３７】

【化１１】

【００３８】〈３〉トリフェニルアミンの調製（下記反
応式（１１）に示す。）アンモニアトラップのついたジムロート冷却管、ガス導
入管を付けた１００ｍｌの３口フラスコに、〈２〉によ
り得た、４−クロロ−４‘−（Ｎ，Ｎ−ジトリルアミ
ノ）スチルベン２．０ｇ（４．９ｍｍｏｌ）とナトリウ
ム−ｔ−ブトキシド０．４４ｇ（５．５ｍｍｏｌ）、酢
酸パラジウム０．１１ｇ（０．５ｍｍｏｌ）、トリ−ｔ
−ブチルホスフィン０．５ｍｌを加え、さらにｏ−キシ
レンを３０ｍｌ加えた。そして、前記ガス導入管から、
アンモニアガスを３口フラスコ内に導入しながら、反応
液をマグネティックスターラーで激しく攪拌させ、さら
にオイルバスを用いて反応液を加熱し、１２０℃で５時
間反応させた。

【００３９】

【化１２】

【００４０】反応終了後、３口フラスコ内の反応溶液の
温度を室温まで戻し、反応溶液を１０％の塩酸５０ｍｌ
で１回、さらに水５０ｍｌで３回洗浄した。次に、この
反応溶液を硫酸マグネシウムで乾燥したあと、この溶液
から濾過により硫酸マグネシウムを取り除き、溶媒を減
圧下留去した。そして、このろ液において、トルエン溶
媒でシリカゲルクロマトグラフィー単離を行い、さらに
トルエン−リグロイン７：３混合溶媒で再結晶を行い、
４，４’，４”−トリス（４−（Ｎ，Ｎ−ジトリルアミ
ノ）スチリル）トリフェニルアミンの黄色粉末０．１ｇ
を収率５．３％で得た。

【００４１】〈４〉上記トリフェニルアミンの電子写真
感光体に適用した例アルミニウム基板上に、メトキシメチル化ナイロン（ユ
ニチカ（株）製、Ｔ−８）よりなるアンダーコート層
（０．１μｍ厚）を形成し、該アンダーコート層上に、
ｎ型チタニルフタロシアニンとポリビニルブチラール
（積水化学（株）製、ＢＸ−１）を含む電荷発生層
（０．１μｍ厚）を形成した。さらに、その上に上記
〈３〉で得られた４，４’，４”−トリス（４−（Ｎ，
Ｎ−ジトリルアミノ）スチリル）トリフェニルアミンと
ポリカーボネート（三菱瓦斯化学（株）製、ユーピロン
Ｚ−２００）（０．８：１重量比）のジクロロエタン溶
液を塗布し、９０℃で６０分間乾燥させて２０μｍ厚の
電荷輸送層を形成させた。

【００４２】この膜の塗工性は良好で、塗膜強度も充分
な膜が得られた。また、電子写真特性の評価は、川口電
機社製の静電記録試験装置（ＥＰＡ８１００）を用い
て−６ｋＶのコロナ放電で帯電させた後、３秒間暗減衰
させ、５ルックスの白色光を５秒間照射し、その表面電
位が１／２になるまでの時間（秒）を求め、半減露光量
を得た。また、白色光５秒照射後の残留表面電位を測定
した。その結果、初期の半減露光量は０．２３８（ルッ
クス・秒）で、残留表面電位は−３（ボルト）であり、
優れた光感度を示した。また、１０００回後の測定値は
半減露光量０．２４１（ルックス・秒）、残留表面電位
−５（ボルト）と初期測定値とほぼ同様で、優れた繰り
返し安定性を示した。

【００４３】（実施例２）アンモニアトラップのついた
ジムロート冷却管、ガス導入管を付けた１００ｍｌの３
口フラスコに、〈２〉より得た４−クロロ−４‘−
（Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノ）スチルベン２．０ｇ（４．
９ｍｍｏｌ）と、炭酸カリウム０．７６ｇ（５．５ｍｍ
ｏｌ）、第一塩化銅０．４９ｇ（０．５ｍｍｏｌ）を加
え、さらにｏ−キシレンを３０ｍｌ加えた。次に、前記
ガス導入管から、アンモニアガスを３口フラスコ内に導
入しながら、反応液をマグネティックスターラーで激し
く攪拌させ、さらにオイルバスを用いて反応液を加熱
し、１２０℃で５時間反応させた。そして、反応終了
後、実施例１と同様の処理を行い、４，４’，４”−ト
リス（４−（Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノ）スチリル）トリ
フェニルアミンを収率４．８％で得た。

【００４４】（実施例３）４−クロロ−４’−（Ｎ，Ｎ
−ジトリルアミノ）スチルベンの代わりに、４−ブロモ
−４’−（Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノ）スチルベン２．２
ｇ（４．９ｍｍｏｌ）を用い、実施例１と同様の反応を
行うことにより、４，４’，４”−トリス（４−（Ｎ，
Ｎ−ジトリルアミノ）スチリル）トリフェニルアミンを
収率１０．３％で得た。

【００４５】（実施例４）実施例１で行った反応をフラ
スコ内ではなく、オートクレーブ中で行い、反応圧力３
０気圧の反応条件で、４，４’，４”−トリス（４−
（Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノ）スチリル）トリフェニルア
ミンを収率１１．２％で得た。

【００４６】実施例２〜４で得られた４，４’，４”−
トリス（４−（Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノ）スチリル）ト
リフェニルアミンを用いて、実施例１と同様に、電子写
真感光体を作成し、その半減露光量、残留表面電位を測
定したところ同様の結果が得られた。

【００４７】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明の製造方法
により、高速電子写真感光体用の電荷輸送材料として有
用なトリフェニルアミン化合物を効率よく製造すること
ができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩＣ０７Ｃ 323/35 Ｃ０７Ｃ 323/35 Ｇ０３Ｇ 5/06 ３１３Ｇ０３Ｇ 5/06 ３１３ // Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ (56)参考文献特開平11−279127（ＪＰ，Ａ) 特開平11−343270（ＪＰ，Ａ) 特開平７−330688（ＪＰ，Ａ) 特開平５−255206（ＪＰ，Ａ) 特開平９−292724（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C07C 209/00 C07C 211/00 C07C 213/00 C07C 217/00 C07C 323/00

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】下記一般式（１）【化１】（式中Ｒ³¹ およびＲ³² は水素またはメチル基を示し同
一でも異なっていてもよい。Ａｒ⁷ およびＡｒ⁸ は置換
基を有していてもよいフェニル基を示し、同一でも異な
っていてもよい。Ａｒ⁷およびＡｒ⁸基上の置換基は、炭
素数が１から４のアルキル基、炭素数が１から４のアル
コキシ基、炭素数が１から４のジアルキルアミノ基、炭
素数が１から４のアルキルチオ基であり、これらの置換
基がフェニル基上に複数置換してもよく、それら置換基
は同一でも異なっていてもよい。Ｒ ³³〜Ｒ³⁸は炭素数が
１から４のアルキル基、炭素数が１から４のアルコキシ
基、炭素数が１から４のジアルキルアミノ基、炭素数が
１から４のアルキルチオ基であり、それら置換基は同一
でも異なっていてもよい。Ｒ³⁹，Ｒ⁴⁰は炭素数が１から
４の直鎖アルキル基、炭素数が１から４の直鎖アルコキ
シ基を示し、それぞれ同一でも異なっていても良い。Ｘ
はハロゲン元素を表す。）で表される１以上のハロゲン
化合物をアンモニアと反応させることを特徴とする下記
一般式（２）【化２】（式中、Ａｒ¹ 〜Ａｒ⁶ は置換基を有していてもよいフ
ェニル基を示す。Ａｒ¹〜Ａｒ⁶基上の置換基は、炭素数
が１から４のアルキル基、炭素数が１から４のアルコキ
シ基、炭素数が１から４のジアルキルアミノ基、炭素数
が１から４のアルキルチオ基であり、これらの置換基が
フェニル基上に複数置換していてもよく、それら置換基
は同一でも異なっていてもよい。Ｒ¹ 〜Ｒ⁶ は水素また
はメチル基を示し、同一であっても異なってもよい。Ｒ
⁷〜Ｒ¹²，Ｒ¹⁵〜Ｒ²⁰，Ｒ²³〜Ｒ² ⁸は炭素数が１から４
のアルキル基、炭素数が１から４のアルコキシ基、炭素
数が１から４のジアルキルアミノ基、炭素数が１から４
のアルキルチオ基であり、それら置換基は同一でも異な
っていてもよい。Ｒ¹³，Ｒ¹⁴，Ｒ²¹，Ｒ²²，Ｒ²⁹，Ｒ³⁰
は炭素数が１から４の直鎖アルキル基、炭素数が１から
４の直鎖アルコキシ基を示し、それぞれ同一でも異なっ
ていても良い。）で表されるトリフェニルアミン化合物
の製造方法。
【請求項２】前記一般式（１）で表されるハロゲン化
合物の置換基Ｘが塩素原子あるいは臭素原子あるいはヨ
ウ素原子であることを特徴とする請求項１に記載のトリ
フェニルアミン化合物の製造方法。
【請求項３】前記一般式（１）で表されるハロゲン化
合物が４−クロロ−４’−（Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノ）
スチルベンであり、前記一般式（２）で表されるトリフ
ェニルアミン化合物が４，４’，４”−トリス（４−
（Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノ）スチリル）トリフェニルア
ミンであることを特徴とする請求項１に記載のトリフェ
ニルアミン化合物の製造方法。
【請求項４】前記一般式（１）で表されるハロゲン化
合物とアンモニアを反応させる際に、反応触媒を用いる
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の
トリフェニルアミン化合物の製造方法。
【請求項５】前記反応触媒として、銅化合物、または
パラジウム化合物、または銅化合物とパラジウム化合物
とを含む混合物を用いることを特徴とする請求項４に記
載のトリフェニルアミン化合物の製造方法。
【請求項６】反応時の圧力が常圧であることを特徴と
する請求項１〜５のいずれか一項に記載のトリフェニル
アミン化合物の製造方法。
【請求項７】反応時の圧力が常圧よりも高いことを特
徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載のトリフェ
ニルアミン化合物の製造方法。