JP3478376B2 - ポジ型感光性樹脂組成物 - Google Patents
ポジ型感光性樹脂組成物Info
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Description
性に優れるポジ型感光性樹脂組成物に関するものであ
る。
縁膜には耐熱性が優れ、又卓越した電気特性、機械的特
性等を有するポリイミド樹脂が用いられているが、近年
半導体素子の高集積化、大型化、封止樹脂パッケージの
薄型化、小型化、半田リフローによる表面実装への移行
等により耐熱サイクル性、耐熱ショック性等の著しい向
上の要求があり、更に高性能のポリイミド樹脂が必要と
されるようになってきた。一方、ポリイミド樹脂自身に
感光性を付与する技術が最近注目を集めてきており、例
えば感光性ポリイミド樹脂として、下記式(3)等があ
る。
簡略化でき、工程短縮の効果はあるが、現像の際にN−
メチル−2−ピロリドン等の溶剤が必要となるため、安
全、取扱いにおいて問題がある。そこで最近では、アル
カリ水溶液で現像ができるポジ型の感光性樹脂が開発さ
れている。例えば、特公平1−46862号公報におい
てはポリベンゾオキサゾール前駆体とジアゾキノン化合
物より構成されるポジ型感光性樹脂が開示されている。
これは高い耐熱性、優れた電気特性、微細加工性を有
し、ウェハーコート用のみならず層間絶縁用樹脂として
の可能性も有している。このポジ型の感光性樹脂の現像
メカニズムは、未露光部のジアゾキノン化合物がアルカ
リ性水溶液に不溶であり、露光することによりジアゾキ
ノン化合物が化学変化を起こし、アルカリ性水溶液に可
溶となる。この露光部と未露光部での溶解性の差を利用
し、未露光部のみの塗膜パターンの作成が可能となる。
ハーコート用として用いた場合、ウェハーコート樹脂と
封止樹脂との界面において剥離が発生し、半導体の信頼
性を低下させるという問題がしばしば発生する。その原
因はウェハーコート樹脂と封止樹脂との密着性が低いた
めであり、より封止樹脂との密着性に優れた感光性樹脂
が求められるようになっている。
の密着性に優れるポジ型感光性樹脂を提供することを目
的とする。
で示されるポリアミド(A)100重量部と感光性ジア
ゾキノン化合物(B)1〜100重量部と一般式(2)
で表わされるフェノール化合物(C)1〜30重量部か
らなることを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物であ
る。
を表わし、R6 、R7 、R8 、R9 、R10及びR11はそ
れぞれ水素原子、ハロゲン原子、水酸基、アルキル基、
アルコキシ基、シクロアルキル基の内から選ばれた1つ
を示す)
るビスアミノフェノールとYの構造を有するジカルボン
酸からなり、このポリアミドを約300〜400℃で加
熱すると閉環し、ポリベンゾオキサゾールという耐熱性
樹脂に変化する。本発明のポリアミド(1)のXは、例
えば、
い。この中で特に好ましいものとしては、
は、例えば、
い。これらの中で特に好ましいものとしては、
のZは、例えば
い。式(1)のZは、例えば、シリコンウエハーのよう
な基板に対して、特に密着性が必要な場合に用いるが、
その使用割合bについては最大40.0モル%まで使用
することができる。40.0モル%を越えると樹脂の溶
解性が極めて低下し、スカムが発生し、パターン加工が
できない。なお、これらX、Y、Zの使用にあたって
は、それぞれ1種類であっても2種類以上の混合物であ
っても構わない。
は、1,2−ベンゾキノンジアジドあるいは1,2−ナ
フトキノンジアジド構造を有する化合物であり、米国特
許明細書2,772,972号、第2,797,213
号、第3,669,658号により公知の物質である。
例えば、下記のものが挙げられる。
記のものがある。
アミド(A)への配合量は、ポリアミド100重量部に
対し、1〜100重量部で、配合量が1重量部未満だと
樹脂のパターニング性が不良であり、逆に100重量部
を越えるとフイルムの引張り伸び率が著しく低下する。
要により感光特性を高めるためにジヒドロピリジン誘導
体を加えることができる。ジヒドロピリジン誘導体とし
ては、例えば2,6−ジメチル−3,5−ジアセチル−
4−(2′−ニトロフェニル)−1,4−ジヒドロピリ
ジン、4−(2′−ニトロフェニル)−2,6−ジメチ
ル−3,5−ジカルボエトキシ−1,4−ジヒドロピリ
ジン、4−(2′,4′−ジニトロフエニル)−2,6
−ジメチル−3,5−カルボメトキシ−1,4−ジヒド
ロピリジン等を挙げることができる。
は、更に一般式(2)で表わされるフェノール化合物を
含有させることが重要である。
を表わし、R6 、R7 、R8 、R9 、R10及びR11はそ
れぞれ水素原子、ハロゲン原子、水酸基、アルキル基、
アルコキシ基、シクロアルキル基の内から選ばれた1つ
を示す) 一般式(2)で表わされるフェノール化合物を特公平1
−46862号において示されているポリベンゾオキサ
ゾール前駆体とジアゾキノン化合物より構成されるポジ
型感光性樹脂に加えるとその作用機構は不明であるが封
止樹脂との密着性が向上することを見い出した。本発明
で用いられるフェノール化合物としては、例えば下記の
ものが挙げられるがこれらに限定されない。
ポリアミド(A)100重量に対して0.1〜30重量
部が好ましい。添加量が0.1重量部未満だと密着性向
上の効果が得られず、又は添加量が30重量を超えると
現像時の膜減りが大きくなり実用性に欠ける。
は、必要によりレベリング剤、シランカップリング剤等
の添加剤を添加することができる。本発明においてはこ
れらの成分を溶剤に溶解し、ワニス状にして使用する。
溶剤としては、N−メチル−2−ピロリドン、γ−ブチ
ロラクトン、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチル
スルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレ
ングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコール
モノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチ
ルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メ
チル−1,3−ブチレングリコールアセテート、1,3
−ブチレングリコール−3−モノメチルエーテル、ピル
ビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メチル−3−メトキ
シプロピオネート等を単独でも混合して用いてもよい。
法は、まず該組成物を適当な支持体、例えば、シリコン
ウエハー、セラミック、アルミ基板等に塗布する。塗布
方法としては、スピンナーを用いた回転塗布、スプレー
コーターを用いた噴霧塗布、浸漬、印刷、ロールコーテ
ィング等がある。次に、60〜120℃でプリベークし
て塗膜を乾燥後、所望のパターン形状に化学線を照射す
る。化学線としては、X線、電子線、紫外線、可視光線
等が使用できるが、200〜500nmの波長のものが
好ましい。次に照射部を現像液で溶解除去することによ
りレリーフパターンを得る。現像液としては、水酸化ナ
トリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナ
トリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無
機アルカリ類、エチルアミン、n−プロピルアミン等の
第1アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミ
ン等の第2アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチ
ルアミン等の第3アミン類、ジメチルエタノールアミ
ン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルア
ンモニウムヒドロキシド等の第4級アンモニウム塩等の
アルカリ類の水溶液、及びこれにメタノール、エタノー
ルのごときアルコール類等の水溶性有機溶媒や界面活性
剤を適当量添加した水溶液を好適に使用することができ
る。現像方法としては、スプレー、バドル、浸漬、超音
波等の方式が可能である。次に、現像によって形成した
レリーフパターンをリンスする。リンス液としては、蒸
留水を使用する。次に加熱処理を行い、オキサゾール環
を形成し、耐熱性に富む最終パターンを得る。
半導体用途のみならず、多層回路の層間絶縁やフレキシ
ブル銅張板のカバーコート、ソルダーレジスト膜や液晶
配向膜等としても有用である。
る。 <実施例1> *ポリアミドの合成 2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)
ヘキサフルオロプロパン36.6重量部(0.100モ
ル)をN,N−ジメチルアセトアミド150重量部及び
ピリジン33.2(0.420モル)重量部に溶解し
た。次にシクロヘキサノン100重量部に溶解したテレ
フタル酸クロリド17.0重量部(0.084モル)と
イソフタル酸クロリド4.3重量部(0.021モル)
を−10〜−15℃で30分かけて滴下し、その後室温
で4時間攪拌し反応を終了した。反応混合物を濾過した
後、溶液を水中に投入し目的の一般式(1)で示され、
Xが下記式X−1、Yが下記式Y−1及びY−2の混合
で、a=100、b=0からなるポリアミド(A1 )を
沈殿させた。沈殿物を濾集し水で充分洗浄した後、真空
下80℃で1昼夜乾燥させた。
造を有するジアゾキノン(Q1)20重量部、下記式の
構造を有するフェノール化合物(P−1)5重量部をN
−メチル−2−ピロリドン300重量部に溶解した後、
0.2μmのテフロンフィルターで濾過し感光性樹脂組
成物を得た。
ピンコーターを用いてと塗布した後、ホットプレート1
20℃で4分乾燥し、膜厚約7μmの塗膜を得た。この
塗膜にg線ステッパー露光機NSR−1505G3A
(ニコン(株)製)によりレチクルを通して50mJ/
cm2 から20mJ/cm2 づつ増やして540mJ/
cm2 まで露光を行った。次に1.40%のテトラメチ
ルアンモニウムヒドロキシド水溶液に80秒浸漬するこ
とによって露光部を溶解除去した後、純水で30秒間リ
ンスした。その結果、露光量200mJ/cm2 の照射
した部分よりパターンが成形されていることが確認でき
た。(感度は200mJ/cm2 )。この時の残膜率
(現像後の膜厚/現像前の膜厚)は83.6%であっ
た。
シリコンウエハー上に塗布し、プリベークした後、オー
ブン中30分/150℃、30分/250℃、30分/
350℃の順で加熱、樹脂を硬化させた。更に硬化膜の
上に半導体封止用エポキシ樹脂組成物(住友ベークライ
ト(株)製、EME−6300H)を2×2×2mm
(横×縦×高さ)の大きさに成形した。テンシロンを用
いて、ポリベンゾオキサゾール樹脂硬化膜上に成形した
封止用エポキシ樹脂組成物を引き剥がし、剪断強度を測
定した結果、3.6kg/mm2 であった。
化合物を下記式P−2に替えて評価を行った。 <実施例3>実施例1におけるフェノール化合物を下記
式P−3に替えて評価を行った。 <実施例4>実施例1におけるフェノール化合物を下記
式P−4に替えて評価を行った。 <実施例5>実施例1におけるフェノール化合物を下記
式P−5に替えて評価を行った。 <実施例6>実施例1におけるフェノール化合物の添加
量を10重量部に増やして評価を行った。
の合成において、テレフタル酸クロリド、イソフタル酸
クロリドの替わりにジフェニルエーテル4,4′−ジカ
ルボン酸クロリドに替え、一般式(1)で示され、Xが
下記式X−1、Yが下記式Y−3で、a=100、b=
0からなるポリアミド(A2 )を合成し、その他は実施
例1と同様の評価を行った。
の合成において、テレフタル酸クロリド、イソフタル酸
クロリドの替わりにジフェニルエーテル4,4′−ジカ
ルボン酸クロリドを用い、また、2,2−ビス(3−ア
ミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパ
ンの替わりに、3,3′−ジアミノ−4,4′−ジヒド
ロキシジフェニルスルホンを用いて、一般式(1)で示
され、Xが下記式X−2、Yが下記式Y−3で、a=1
00、b=0からなるポリアミド(A3 )の合成をし、
その他は実施例1と同様の評価を行った。
の合成において、テレフタル酸クロリド、イソフタル酸
クロリドの替わりにジフェニルエーテル4,4′−ジカ
ルボン酸クロリドを用い、又2,2−ビス(3−アミノ
−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンの
替わりに、3,3′−ジアミノ−4,4′−ジヒドロキ
シジフェニルエーテルを用いて、一般式(1)で示さ
れ、Xが下記式X−3、Yが下記式Y−3で、a=10
0、b=0からなるポリアミド(A4 )の合成をし、更
にジアゾキノンとして下記式構造のジアゾキノン(Q
2)を使用し、感光性樹脂組成物を得、その他は実施例
1と同様の評価を行った。
ドの合成において2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒド
ロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンを34.8重
量部(0.095モル)に減らし、替わりに、1,3−
ビス(3−アミノプロピル)−1,1,3,3−テトラ
メチルジシロキサン1.24重量部(0.005モル)
を加え、一般式(1)で示され、Xが下記式X−1、Y
が下記式Y−1及びY−2の混合、Zが下記式Z−1
で、a=95、b=5からなるポリアミド(A5 )の合
成をし、その他は実施例1と同様の評価を行った。
化合物を添加しないで評価を行った。 <比較例2>実施例7におけるフェノール化合物を添加
しないで評価を行った。 <比較例3>実施例8におけるフェノール化合物を添加
しないで評価を行った。 <比較例4>実施例1におけるフェノール化合物の添加
量を0.05重量部に減らして評価を行った。 <比較例5>実施例1におけるフェノール化合物の添加
量を40重量部に増して評価を行った。以上実施例1〜
8、比較例1〜5の評価結果を表1に示す。
ターンが得れ、封止樹脂との密着性に優れるポジ型感光
性樹脂組成物を得ることができる。
Claims (4)
- 【請求項1】 一般式(1)で示されるポリアミド
(A)100重量部と感光性ジアゾキノン化合物(B)
1〜100重量部と一般式(2)で表わされるフェノー
ル化合物(C)1〜30重量部からなることを特徴とす
るポジ型感光性樹脂組成物。 【化1】 【化2】 (式中、R5 は水素原子またはアルキル基を表わし、R
6 、R7 、R8 、R9 、R10およびR11はそれぞれ水素
原子、ハロゲン原子、水酸基、アルキル基、アルコキシ
基、シクロアルキル基の内から選ばれた1つを示す) - 【請求項2】 一般式(1)のポリアミドにおけるX
が、下記より選ばれてなる請求項1記載のポジ型感光性
樹脂組成物。 【化3】 - 【請求項3】 一般式(1)のポリアミドにおけるY
が、下記より選ばれてなる請求項1又は2記載のポジ型
感光性樹脂組成物。 【化4】 - 【請求項4】 感光性ジアゾキノン化合物(B)が、下
記より選ばれてなる請求項1、2又は3記載のポジ型感
光性樹脂組成物。 【化5】
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