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JP3481399B2 - Pressure sensor - Google Patents
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JP3481399B2 - Pressure sensor - Google Patents

Pressure sensor

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Publication number
JP3481399B2
JP3481399B2 JP22916696A JP22916696A JP3481399B2 JP 3481399 B2 JP3481399 B2 JP 3481399B2 JP 22916696 A JP22916696 A JP 22916696A JP 22916696 A JP22916696 A JP 22916696A JP 3481399 B2 JP3481399 B2 JP 3481399B2
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JP
Japan
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diaphragm
opposing
pressure
facing
pressure sensor
Prior art date
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宏 齋藤
智広 井上
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Panasonic Electric Works Co Ltd
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Matsushita Electric Works Ltd
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Publication date
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  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、歪みゲージ型半導
体圧力センサに関するものである。 【0002】 【従来の技術】従来、この種の圧力センサとして、実開
平3−88137に開示されたものが存在する。このも
のは、図12に示すように、局部的に薄く形成することに
より板状のダイヤフラムA1が設けられたシリコン製の基
板A と、ダイヤフラムA1に対向して基板A に接合された
ガラス基板(接合部材)B と、を備え、ガラス基板B と
の対向面A2とは反対の反対面A3からの圧力を受けること
によるダイヤフラムA1の撓み量でもって圧力変化を検出
するものである。詳しくは、このダイヤフラムはA1、そ
のガラス基板B との対向面A2にSiO2 膜A4が形成され
ている。 【0003】一般に、この種の圧力センサは、ガラス基
板B と基板A との接合時に加熱を伴うから、放熱ととも
にガラス基板B とダイヤフラムA1のとの間の対向空間A5
が減圧となる。そうすると、この接合時に、ダイヤフラ
ムA1が反対面A3からの外圧を受けると、ガラス基板B へ
向かって容易に撓んでガラス基板B と接合してしまっ
て、圧力センサを製作できなくなってしまうが、実開平
3−88137に開示されたものは、そのダイヤフラム
A1におけるガラス基板B との対向面A2にSiO2膜A4が
形成されているから、ガラス基板B と接合することが無
く、圧力センサを製作できるようになっている。 【0004】 【発明が解決しようとする課題】上記した従来の圧力セ
ンサにあっては、ダイヤフラムA1は、前述したように、
ガラス基板B との対向面A2にSiO2 膜A4が形成され
て、ガラス基板B と接合することが無くなり、圧力セン
サを製作できるようになっている。 【0005】しかしながら、ダイヤフラムA1におけるガ
ラス基板B との対向面A2にSiO2膜A4を形成する比較
的複雑な工程を必要とするために、製作に手間がかかっ
ていた。 【0006】本発明は、上記の点に着目してなされたも
ので、その目的とするところは、手間をかけることな
く、確実に製作することができる圧力センサを提供する
ことにある。 【0007】 【課題を解決するための手段】上記した課題を解決する
ために、請求項1記載のものは、局部的に薄く形成する
ことにより板状のダイアフラムが設けられたシリコン製
の基板と、ダイアフラムに対向配置された対向部材と、
接合される対向部材と共に基板を収容するパッケージ
と、を備え、対向部材との対向面とは反対面からの圧力
を受けることによるダイアフラムの撓み量でもって圧力
変化を検出する圧力センサにおいて、前記対向部材又は
前記パッケージの少なくとも一方は、前記ダイアフラム
との間の対向空間に連通する連通孔が外方面から貫通し
て設けられ、前記対向部材には、過大な圧力が伝達され
て前記ダイアフラムが撓むことによりそのダイアフラム
に当接し得る突起が設けられた構成にしている。従っ
て、対向部材とダイアフラムとの間の対向空間は、その
対向空間に連通する連通孔が対向部材又はパッケージの
外方面から貫通して設けられているから、対向部材とパ
ッケージとの接合時に加熱を伴っても、放熱とともに対
向空間が減圧になることがなく、ダイアフラムが対向部
材との対向面とは反対面からの外圧を受けても、対向部
材へ向かって撓んで対向部材と接合してしまうことがな
くなり、確実に製作することができる。しかも、従来例
のように、ダイアフラムにおけるガラス基板との対向面
にSiO2膜を形成するという比較的複雑な工程ではな
く、対向部材又はパッケージに外方面から対向空間に連
通する連通孔を設けるという比較的単純な工程を必要と
するだけであるから、製作に手間がかからなくなる。さ
らに、過大な圧力が伝達されて対向部材側に撓んだダイ
アフラムが突起を介して対向部材に当接することによ
り、その撓みが規制される場合に、対向部材に設けられ
た突起の高さを変えることによって、撓み量を調節する
ことができる。 【0008】 【0009】 【0010】 【0011】 【0012】 【0013】 【0014】 【発明の実施の形態】本発明に関連する第1参考例を図
1及び図2に基づいて以下に説明する。 【0015】1 は結晶方位(100)面を有した両面が
研磨されたn型のシリコン製の基板であって、後述する
接合部材2 側がKOH又はNaOHにより異方性エッチ
ングされて、接合部材2 と対向することとなる対向面1a
を底面に有した凹部1bが設けられる。この凹部1bの底部
は、後述するダイヤフラム1cとなるものであって、Si
2 をマスクとしてボロンがイオン注入又は熱拡散され
ることにより、歪みゲージ抵抗1dが設けられる。また、
この基板1 は、Alが真空蒸着により、配線パターン
(図示せず)及び電極パッド1eが設けられる。この電極
パッド1eは、Au線又はAl線でもってワイヤボンディ
ングされることによって、外部基板(図示せず)に設け
られた配線パターンと接続される。 【0016】次に、凹部1bの底部は、その対向面1aとは
反対側が、SiNやSiO 2 をマスクとして、例えば3
5%のKOH水溶液によりエッチングされることによ
り、局部的に薄く形成されることにより板状のダイヤフ
ラム1cとなる。また、このダイヤフラム1cは、その対向
面1aとは反対面側の反対面1fにSiO2 膜(図示せず)
がコーティングされている。なお、SiN膜がコーティ
ングされてもよい。 【0017】次に、陽極接合により、基板1 、後述する
接合部材2 及び台座3 を接合する。詳しくは、基板1 を
陽極とし、接合部材2 及び台座3 を負極として、約40
0°Cの真空雰囲気中において、直流電圧を約400〜
600V印加するすることにより、陽極接合する。こう
して、基板1 のダイヤフラム1cは、接合部材2 とは間に
対向空間1gを有して対向することとなる。 【0018】接合部材2 は、硬質ガラスにより、約0.
3〜0.6mmの厚みに形成され、ダイヤフラム1cとの
間の対向空間1gに連通する連通孔2aが、ピンを振動させ
て穿孔する、いわゆる超音波加工法又は放電加工によ
り、外方面から貫通して設けられ、ダイヤフラム1cの対
向面1aに大気圧の基準圧が印加されるようになる。この
接合部材2 の連通孔2aは、図1及び図2に示すように、
ダイヤフラム1cに当接される箇所とは異なる箇所に設け
られている。 【0019】台座3 は、基板1 と共に圧力センサチップ
10を構成するものであって、硬質ガラスにより、約0.
5〜2mmの厚みに形成され、基板1 の反対面1f側へ至
る圧力導入孔3aが、ピンを振動させて穿孔する、いわゆ
る超音波加工法又は放電加工により設けられる。この圧
力導入孔3aに、気体又は液体が導入されることにより、
基板1 のダイヤフラム1cに圧力が伝達される。このよう
に、ダイヤフラム1cは、その対向面1aには大気圧の基準
圧が印加された状態で、反対面1fには気体又は液体が導
入されることにより圧力が伝達されて、ダイヤフラム1c
が撓むため、その歪みゲージ抵抗1dでもって、反対面1f
に伝達された気体又は液体の圧力を計測することができ
る。 【0020】なお、ダイヤフラム1cの反対面1f側に過大
な圧力が伝達されたときは、ダイヤフラム1cは、図2に
示すように、その対向面1aが接合部材2 に当接すること
により、その撓みが規制されるので、撓み過ぎによる破
壊が防止される。 【0021】かかる圧力センサにあっては、接合部材2
とダイヤフラム1cとの間の対向空間1gは、その対向空間
1gに連通する連通孔2aが接合部材2 の外方面から貫通し
て設けられているから、接合部材2 と基板1 との接合時
に加熱を伴っても、放熱とともに対向空間1gが減圧にな
ることがなく、ダイヤフラム1cが接合部材2 との間の対
向面1aとは反対側の反対面1fからの外圧を受けても、接
合部材2 へ向かって撓んで接合部材2 と接合してしまう
ことがなくなり、確実に製作することができる。しか
も、従来例のように、ダイヤフラム1cにおけるガラス基
板との対向面にSiO2 膜を形成するという比較的複雑
な工程ではなく、接合部材2 に外方面から対向空間に連
通する連通孔2aを設けるという比較的単純な工程を必要
とするだけであるから、製作に手間がかからなくなる。 【0022】また、ダイヤフラム1cは、その対向面1aと
は反対側の反対面1fにSiO 2 がコーティングされてい
るから、水、油、ガス等の腐食性流体により圧力が伝達
されても、腐食するようなことがなくなる。さらに、連
通孔2aが、ダイヤフラム1cに当接される箇所とは異なる
箇所に設けられているから、ダイヤフラム1cは、過大な
圧力が伝達されて撓んだ場合に、確実に接合部材2 に当
接して、撓みが規制されるので、撓み過ぎによる破壊が
防止される。 【0023】次に、本発明に関連する第2参考例を図3
に基づいて以下に説明する。なお、第1参考例と実質的
に同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、第1
参考例と異なるところのみ記す。第1参考例では、対向
空間1gは、基板1 に凹部1bが設けられることにより形成
されているが、本参考例では、接合部材2 に凹部2bが設
けられることにより形成された構成となっている。 【0024】詳しくは、接合部材2 は、機械的な研磨又
は弗酸等による化学的なエッチングにより凹部2bが設け
られる。 【0025】かかる圧力センサにあっては、第1参考例
の効果に加えて、接合部材2 は、基板1 のように、局部
的に薄く形成することにより板状のダイヤフラム1cが設
けられているわけではないから、基板1 に凹部1bを設け
て対向空間1gを形成する場合程、丁寧に加工しなくても
よくなり、第1参考例よりも、製作が一段とやり易くな
る。 【0026】次に、本発明に関連する第3参考例を図4
及び図5に基づいて以下に説明する。なお、第1参考例
と実質的に同一の機能を有する部材には同一の符号を付
し、第1参考例と異なるところのみ記す。第1参考例
は、接合部材2 におけるダイヤフラム1cとの対向面2c
は、平坦状であるが、本参考例では、突起2dが設けられ
た構成となっている。 【0027】詳しくは、接合部材2 は、弗酸等による化
学的なエッチングにより、先端面が略平坦状の突起2dが
設けられる。なお、この化学的なエッチングの開始位置
を、圧力センサチップの平面図である図4に、破線によ
り示している。従って、ダイヤフラム1cは、過大な圧力
が伝達されて撓んで突起2dに当接しても、クラック等が
発生しないようになっている。また、この突起2dは、ダ
イヤフラム1cが撓んで突起2dに当接しても、ダイヤフラ
ム1cに設けられた歪みゲージ抵抗1dに当接して破損させ
ないよう、歪みゲージ抵抗1dとは対向しない位置に設け
られている。なお、突起2dは、機械的な研磨により設け
られてもよい。 【0028】かかる圧力センサにあっては、第1参考例
の効果に加えて、過大な圧力が伝達されて接合部材2 側
に撓んだダイヤフラム1cが突起2dを介して接合部材2 に
当接することにより、その撓みが規制される場合に、接
合部材2 に設けられた突起2dの高さを変えることによっ
て、ダイヤフラム1cの撓み量を調節することができる。 【0029】次に、本発明に関連する第4参考例を図6
に基づいて以下に説明する。なお、第3参考例と実質的
に同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、第3
参考例と異なるところのみ記す。第3参考例では、接合
部材2 は、硬質ガラス製であるが、本参考例では、シリ
コン製となっている。 【0030】詳しくは、接合部材2 は、異方性エッチン
グにより、凹部2b及びその凹部2bの略中央部の突起2dが
設けられる。この接合部材2 は、対向面2cとは反対側の
外方面から、異方性エッチング、プラズマエッチング式
RIE法又はHF水溶液による等方的エッチングによ
り、連通孔2aが設けられる。この接合部材2 は、基板1
と重合した状態で、1000°Cに加熱すると、基板1
に接合される。なお、基板1 は、前述したように、陽極
接合により台座3 と接合される。 【0031】かかる圧力センサにあっては、第3参考例
の効果に加えて、ダイヤフラム1cは、過大な圧力が伝達
されて、シリコン製であるが故に弾性を有した接合部材
2 の突起2dに当接することになるから、当接のときの衝
撃が緩衝されることとなって、ダイヤフラム1cが破損す
るようなことがなくなる。 【0032】また、接合部材2 は、シリコン製であるか
ら、第3参考例よりも薄くするこができ、ひいては、圧
力センサそのものを小型化することができる。 【0033】なお、本参考例では、接合部材2 は、突起
2dが設けられているが、例えば、ダイヤフラム1cの耐久
性を調節する必要がないようなときは、突起2dが設けら
れてなくてもよく、そのときは、接合部材2 の加工がよ
りやり易くなる。また、このように、接合部材2 に突起
2dが設けられないときでも、ダイヤフラム1cは、過大な
圧力が伝達されて、シリコン製であるが故に弾性を有し
た接合部材2 に当接することになるから、当接のときの
衝撃が緩衝されることとなって、破損するようなことが
なくなる。 【0034】次に、本発明に関連する第5参考例を図7
に基づいて以下に説明する。なお、第3参考例と実質的
に同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、第3
参考例と異なるところのみ記す。第3参考例では、接合
部材2 に突起2dが設けられているのに対し、本参考例で
は、基板1 に突起1hが設けられた構成となっている。 【0035】詳しくは、基板1 は、凹部1bが異方性エッ
チングにより設けられるときに、その凹部1bの略中央部
に突起1hが設けられている。 【0036】かかる圧力センサにあっては、第3参考例
の効果に加えて、ダイヤフラム1cは、過大な圧力が伝達
されて、シリコン製であるが故に弾性を有した突起1hを
介して接合部材2 に当接することになるから、当接のと
きの衝撃が緩衝されることとなって、ダイヤフラム1cが
破損するようなことがなくなる。 【0037】次に、本発明の第6参考例を図8及び図9
に基づいて以下に説明する。なお、第5参考例と実質的
に同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、第3
参考例と異なるところのみ記す。第5参考例では、突起
1hは、シリコン製であるのに対し、本参考例では、金属
製である構成となっており、弾性を有したものとなって
いる。 【0038】詳しくは、基板1 は、メッキ法又はスタッ
ドバンプ法により、突起1hが設けられる。メッキ法によ
り突起1hを設ける場合は、例えば、Au、Cu又はAl
等の金属を基板1 上にメッキする。スタッドバンプ法に
より突起1hを設ける場合は、例えば、Au製のワイヤに
よりワイヤボンディングして、図9に示すように、基板
1 への盛付られたパッド部1j及びそのパッド部1jに続く
ワイヤ部1kを形成し、パッド部1jとワイヤ部1kとの境界
部分、いわゆるネック部1mを切断することにより、突起
1hが設けられる。 【0039】かかる圧力センサにあっては、第1参考例
の効果及び第3参考例と同様に撓み量を調節することが
できるという効果に加えて、ダイヤフラム1cは、過大な
圧力が伝達されて、金属製の弾性を有した突起1hを介し
て接合部材2 に当接することになるから、当接のときの
衝撃が緩衝されることとなって、ダイヤフラム1cが破損
するようなことがなくなる。 【0040】次に、本発明の一実施形態を図10及び図11
に基づいて以下に説明する。なお、第1参考例と実質的
に同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、第1
参考例と異なるところのみ記す。第1参考例では、基板
1 は、接合部材2 に接合されているのに対し、本実施形
態では、ダイヤフラム1cに対向配置された対向部材4及
びその対向部材4 に接合されるパッケージ5 により収容
された構成となっている。なお、図10及び図11では、ダ
イヤフラム1cに設けられた歪みゲージ抵抗を省略してい
る。 【0041】詳しくは、この基板1 は、後述するパッケ
ージ5 の底部に、台座3 が接着剤5aにより接着されるこ
とにより搭載され、その電極パッド(図示せず)とパッ
ケージ5 に貫通した外部接続用リード線5bとがワイヤボ
ンディングにより接続されている。そして、この基板1
は、その対向面1a側がゲル状のシリコン樹脂1nにより封
止されている。 【0042】対向部材4 は、詳しく後述するが、パッケ
ージ5 の開口部分を覆うよう被冠されることによって、
シリコン樹脂1nを介してダイアフラム1cと対向し、ダイ
アフラム1cとの間に対向空間1gを形成し、その対向空間
1gに連通する連通孔4aが、外方面から貫通して設けられ
ている。この対向部材4 は、ダイアフラム1cと対向する
対向面に突起4bが設けられている。 【0043】パッケージ5 は、例えばPPS、PBT等
のプラスチックにより、一方が開口した箱状に形成さ
れ、開口部分が対向部材4 により被冠されることによ
り、圧力センサチップ10及び電極パッド1eと外部接続用
リード線5bとを接続するワイヤボンディング部分が外力
等から機械的に保護される。このパッケージ5 は、対向
空間に連通する連通孔5c及び基板1 の反対面1f側へ至る
圧力導入孔5dが設けられている。 【0044】なお、ダイヤフラム1cの反対面1f側に過大
な圧力が伝達されたときは、ダイヤフラム1cは、図11に
示すように、その対向面1aが対向部材4 の突起4bに当接
することにより、その撓みが規制されるので、撓み過ぎ
ることによる破壊が防止される。 【0045】かかる圧力センサにあっては、対向部材4
とダイヤフラム1cとの間の対向空間1gは、その対向空間
1gに連通する連通孔4a,5c が対向部材4 及びパッケージ
5 の外方面から貫通して設けられているから、対向部材
4 とパッケージ5 との接合時に半田付けや溶接等により
加熱を伴っても、放熱とともに対向空間が減圧になるこ
とがなく、ダイヤフラム1cが対向部材4 との対向面1aと
は反対側の反対面1fからの外圧を受けても、対向部材4
へ向かって撓んで対向部材4 と接合してしまうことがな
くなり、確実に製作することができる。しかも、従来例
のように、ダイヤフラムに1cおけるガラス基板との対向
面にSiO2 膜を形成するという比較的複雑な工程では
なく、対向部材4 及びパッケージ5 に外方面から対向空
間1gに連通する連通孔4a,5c を設けるという比較的単純
な工程を必要とするだけであるから、製作に手間がかか
らなくなる。 【0046】また、過大な圧力が伝達されて対向部材4
側に撓んだダイヤフラム1cが突起4bを介して対向部材4
に当接することにより、その撓みが規制される場合に、
対向部材4 に設けられた突起4bの高さを変えることによ
って、撓み量を調節することができる。 【0047】なお、本実施形態では、連通孔4a,5c は、
対向部材4 及びパッケージ5 に設けられているが、いず
れか一方に設けられても同様の効果を奏することはで
き、そのときは、連通孔を設ける手間が少なくなって、
加工がよりやり易くなる。 【0048】 【0049】 【0050】 【発明の効果】請求項1記載の発明は、対向部材とダイ
ヤフラムとの間の対向空間は、その対向空間に連通する
連通孔が対向部材又はパッケージの外方面から貫通して
設けられているから、対向部材とパッケージとの接合時
に加熱を伴っても、放熱とともに対向空間が減圧になる
ことがなく、ダイヤフラムが対向部材との対向面とは反
対面からの外圧を受けても、対向部材へ向かって撓んで
対向部材と接合してしまうことがなくなり、確実に製作
することができる。しかも、従来例のように、ダイヤフ
ラムにおけるガラス基板との対向面にSiO 2 膜を形成
するという比較的複雑な工程ではなく、対向部材又はパ
ッケージに外方面から対向空間に連通する連通孔を設け
るという比較的単純な工程を必要とするだけであるか
ら、製作に手間がかからなくなる。さらに、過大な圧力
が伝達されて対向部材側に撓んだダイヤフラムが突起を
介して対向部材に当接することにより、その撓みが規制
される場合に、ダイヤフラム又は対向部材の少なくとも
一方に設けられた突起の高さを変えることによって、撓
み量を調節することができる。 【0051】 【0052】 【0053】 【0054】 【0055】 【0056】
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a strain gauge type semiconductor pressure sensor. 2. Description of the Related Art Conventionally, as this type of pressure sensor, there is one disclosed in Japanese Utility Model Laid-Open No. 3-88137. As shown in FIG. 12, a silicon substrate A provided with a plate-shaped diaphragm A1 by locally forming a thin film as shown in FIG. 12 and a glass substrate bonded to the substrate A opposed to the diaphragm A1 ( A joining member) B, and the pressure change is detected by the amount of deflection of the diaphragm A1 due to the pressure from the opposite surface A3 opposite to the opposite surface A2 to the glass substrate B. Specifically, the diaphragm is A1, SiO 2 film A4 is formed on the opposite surface A2 with its glass substrate B. [0003] Generally, this type of pressure sensor involves heating when the glass substrate B and the substrate A are joined, so that the heat is dissipated and the opposing space A5 between the glass substrate B and the diaphragm A1 is released.
Is reduced in pressure. Then, when the diaphragm A1 receives an external pressure from the opposite surface A3 during this joining, the diaphragm A1 easily bends toward the glass substrate B and joins with the glass substrate B, so that the pressure sensor cannot be manufactured. The diaphragm disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 3-88137 has a diaphragm.
Since the SiO 2 film A4 is formed on the surface A2 of A1 facing the glass substrate B, the pressure sensor can be manufactured without bonding to the glass substrate B. In the conventional pressure sensor described above, the diaphragm A1 is, as described above,
Since the SiO 2 film A4 is formed on the surface A2 facing the glass substrate B, the SiO 2 film A4 is not bonded to the glass substrate B, so that a pressure sensor can be manufactured. However, since a relatively complicated process of forming the SiO 2 film A4 on the surface A2 of the diaphragm A1 facing the glass substrate B is required, the production is troublesome. The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a pressure sensor which can be reliably manufactured without any trouble. [0007] In order to solve the above-mentioned problems, the present invention is characterized in that a silicon substrate provided with a plate-like diaphragm formed locally thinly is provided. An opposing member disposed opposing the diaphragm,
A package for accommodating the substrate together with the opposing member to be joined, wherein the pressure sensor detects a pressure change by a flexure amount of the diaphragm caused by receiving a pressure from a surface opposite to the opposing surface with the opposing member. At least one of the member and the package is provided with a communication hole communicating with an opposing space between the diaphragm and the diaphragm from an outer surface, and excessive pressure is transmitted to the opposing member to bend the diaphragm. and a configuration in which contact may protrusion is provided on its diaphragm <br/> by. Therefore, in the facing space between the facing member and the diaphragm, since a communication hole communicating with the facing space is provided through the facing member or the outer surface of the package, heating is performed when the facing member and the package are joined. Even with this, the opposed space is not decompressed with heat radiation, and even if the diaphragm receives an external pressure from the surface opposite to the opposed member, the diaphragm bends toward the opposed member and joins with the opposed member. Is eliminated, and it can be manufactured reliably. Moreover, it is not a comparatively complicated process of forming an SiO2 film on the surface of the diaphragm facing the glass substrate as in the conventional example, but rather providing a communicating hole from the outer surface to the facing space in the facing member or package. Since only a simple process is required, the production does not take much effort. Further, when excessive pressure is transmitted and the diaphragm bent toward the opposing member comes into contact with the opposing member via the protrusion, and when the deflection is regulated, the height of the protrusion provided on the opposing member is increased. By changing, the amount of deflection can be adjusted. A first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 and 2. . Reference numeral 1 denotes an n-type silicon substrate having both sides polished and having a crystal orientation (100) plane. The bonding member 2 side described later is anisotropically etched with KOH or NaOH to form a bonding member 2. Opposing surface 1a that faces
Is provided on the bottom surface. The bottom of the recess 1b is a made of a diaphragm 1c described later, Si
O 2 Is ion-implanted or thermally diffused by using as a mask, thereby providing a strain gauge resistor 1d. Also,
This substrate 1 is provided with a wiring pattern (not shown) and electrode pads 1e by vacuum evaporation of Al. The electrode pad 1e is connected to a wiring pattern provided on an external substrate (not shown) by wire bonding with an Au line or an Al line. Next, the bottom of the concave portion 1b is formed on the side opposite to the opposing surface 1a by using SiN or SiO 2 as a mask.
The plate-shaped diaphragm 1c is formed by being locally thinned by etching with a 5% KOH aqueous solution. The diaphragm 1c has an SiO 2 film (not shown) on an opposite surface 1f opposite to the opposite surface 1a.
Is coated. Note that a SiN film may be coated. Next, the substrate 1, the bonding member 2 and the pedestal 3, which will be described later, are bonded by anodic bonding. Specifically, the substrate 1 is used as an anode, the bonding member 2 and the pedestal 3 are used as negative electrodes, and
In a vacuum atmosphere of 0 ° C., a DC voltage of about 400 to
By applying 600 V, anodic bonding is performed. Thus, the diaphragm 1c of the substrate 1 faces the bonding member 2 with the facing space 1g therebetween. The joining member 2 is made of hard glass and has a thickness of about 0.1 mm.
A communication hole 2a formed to a thickness of 3 to 0.6 mm and communicating with an opposing space 1g between the diaphragm 1c and the diaphragm 1c is pierced by vibrating a pin. The reference pressure of the atmospheric pressure is applied to the facing surface 1a of the diaphragm 1c. As shown in FIGS. 1 and 2, the communication hole 2a of the joining member 2
It is provided at a place different from the place where it comes into contact with the diaphragm 1c. The pedestal 3 is a pressure sensor chip together with the substrate 1.
10. The hard glass is used to form about 0.1.
A pressure introducing hole 3a formed to a thickness of 5 to 2 mm and reaching the opposite surface 1f side of the substrate 1 is provided by a so-called ultrasonic machining method or an electric discharge machining method in which a pin is vibrated to form a hole. By introducing a gas or a liquid into the pressure introduction hole 3a,
Pressure is transmitted to the diaphragm 1c of the substrate 1. As described above, the diaphragm 1c is in a state where the reference pressure of the atmospheric pressure is applied to the opposed surface 1a, and the pressure is transmitted by introducing the gas or the liquid to the opposite surface 1f, and the diaphragm 1c is
Bends, the opposite surface 1f with its strain gauge resistance 1d
Can measure the pressure of the gas or liquid transmitted to it. When an excessive pressure is transmitted to the opposite surface 1f of the diaphragm 1c, the diaphragm 1c is bent as its opposite surface 1a contacts the joining member 2 as shown in FIG. Is regulated, so breakage due to excessive bending
Breakage is prevented. In such a pressure sensor, the joining member 2
The opposing space 1g between the diaphragm 1c and the
Since the communication hole 2a communicating with 1g is provided to penetrate from the outer surface of the joining member 2, even when heating is performed at the time of joining the joining member 2 and the substrate 1, the facing space 1g is decompressed with heat radiation. Even if the diaphragm 1c receives an external pressure from the opposite surface 1f opposite to the facing surface 1a between the joining member 2 and the diaphragm 1c, the diaphragm 1c may bend toward the joining member 2 and join with the joining member 2. It can be manufactured reliably. Moreover, unlike the conventional example, a relatively complicated process of forming an SiO 2 film on the surface of the diaphragm 1c facing the glass substrate is not a relatively complicated process, but the connecting member 2 is provided with a communication hole 2a communicating from the outer surface to the facing space. It requires only a relatively simple process, so that production is not troublesome. Further, since the diaphragm 1c is coated with SiO 2 on the opposite surface 1f opposite to the opposite surface 1a, even if pressure is transmitted by a corrosive fluid such as water, oil, gas, etc. You won't have to. Further, since the communication hole 2a is provided at a location different from the location at which the diaphragm 1c is in contact with the diaphragm 1c, the diaphragm 1c reliably contacts the joining member 2 when excessive pressure is transmitted and flexes. The contact is restricted in bending, so that destruction due to excessive bending is prevented. Next, a second reference example related to the present invention is shown in FIG.
This will be described below based on Incidentally, members having the first reference example substantially the same function are denoted by the same reference numerals, the first
Only the differences from the reference example will be described. In the first embodiment , the facing space 1g is formed by providing the recess 1b in the substrate 1, but in the present embodiment , the facing space 1g is formed by providing the recess 2b in the joining member 2. I have. More specifically, the concave portion 2b is provided in the bonding member 2 by mechanical polishing or chemical etching using hydrofluoric acid or the like. In such a pressure sensor, in addition to the effect of the first reference example , the joining member 2 is locally formed to be thin like the substrate 1 so that the plate-like diaphragm 1c is formed. Since it is not necessarily provided, it is not necessary to process it as carefully as when the concave portion 1b is provided in the substrate 1 to form the facing space 1g, and the production becomes easier than in the first reference example . Next, a third reference example related to the present invention is shown in FIG.
This will be described below with reference to FIG. Incidentally, members having the first reference example <br/> substantially the same function are denoted by the same reference numerals, it referred only differs from the first embodiment. In the first reference example , the surface 2c of the joining member 2 facing the diaphragm 1c is shown.
Is flat, but in the present reference example, the projection 2d is provided. More specifically, the joining member 2 is provided with a projection 2d having a substantially flat tip surface by chemical etching using hydrofluoric acid or the like. The start position of the chemical etching is indicated by a broken line in FIG. 4 which is a plan view of the pressure sensor chip. Therefore, the diaphragm 1c is exposed to excessive pressure.
Is transmitted and bent to abut on the protrusion 2d so that cracks and the like do not occur. Further, the projection 2d is provided at a position not opposed to the strain gauge resistor 1d so that even if the diaphragm 1c is bent and abuts on the projection 2d, the projection 2d does not abut on the strain gauge resistor 1d provided on the diaphragm 1c and is damaged. ing. Note that the protrusion 2d may be provided by mechanical polishing. In such a pressure sensor, in addition to the effect of the first reference example , a diaphragm 1c, which has received excessive pressure and is bent toward the joining member 2 side, is connected to the joining member 2 via a projection 2d. When the deflection of the diaphragm 1c is adjusted by changing the height of the projection 2d provided on the joining member 2, when the deflection of the diaphragm 1c is restricted by the contact with the second member 2, the deflection of the diaphragm 1c can be adjusted. Next, a fourth reference example relating to the present invention is shown in FIG.
This will be described below based on Incidentally, like reference numerals denote members having a third reference example substantially the same function, the third
Only the differences from the reference example will be described. In the third embodiment , the joining member 2 is made of hard glass, but in this embodiment, it is made of silicon. More specifically, the joining member 2 is provided with a recess 2b and a projection 2d substantially at the center of the recess 2b by anisotropic etching. The joining member 2 is provided with a communication hole 2a from an outer surface opposite to the opposing surface 2c by anisotropic etching, plasma etching RIE, or isotropic etching using an HF aqueous solution. This joining member 2 is
When heated to 1000 ° C. in a state of polymerization with
Joined to. The substrate 1 is bonded to the pedestal 3 by anodic bonding as described above. In such a pressure sensor, in addition to the effect of the third reference example , the diaphragm 1c is made of silicon so that an excessive pressure is transmitted and the elastic bonding member is made of silicon.
Since it comes into contact with the second protrusion 2d, the impact at the time of contact is buffered, and the diaphragm 1c is not damaged. Further, since the joining member 2 is made of silicon, it can be made thinner than in the third embodiment , so that the pressure sensor itself can be downsized. In this embodiment, the joining member 2 is formed as a projection.
Although 2d is provided, for example, when it is not necessary to adjust the durability of the diaphragm 1c, the projection 2d may not be provided, in which case the processing of the joining member 2 becomes easier. Become. Also, as described above, the projections
Even when 2d is not provided, since excessive pressure is transmitted to the diaphragm 1c and the diaphragm 1c comes into contact with the elastic joining member 2 because it is made of silicon, the shock at the time of contact is buffered. As a result, damage will not occur. Next, a fifth reference example relating to the present invention will be described with reference to FIG.
This will be described below based on Incidentally, like reference numerals denote members having a third reference example substantially the same function, the third
Only the differences from the reference example will be described. In the third reference example , a projection 2d is provided on the joining member 2, whereas in this reference example, a projection 1h is provided on the substrate 1. More specifically, when the concave portion 1b is provided by anisotropic etching, the substrate 1 is provided with a projection 1h substantially at the center of the concave portion 1b. In this pressure sensor, in addition to the effect of the third reference example , the diaphragm 1c receives the excessive pressure and transmits the elastic projection 1h because it is made of silicon. Therefore, the impact at the time of contact is buffered, and the diaphragm 1c is not damaged. Next, a sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
This will be described below based on Incidentally, like reference numerals denote members having a fifth reference example substantially the same function, the third
Only the differences from the reference example will be described. In the fifth reference example , the protrusion
1h is made of silicon, whereas in the present reference example, it is made of metal and has elasticity. More specifically, the substrate 1 is provided with projections 1h by plating or stud bumping. When the projection 1h is provided by a plating method, for example, Au, Cu or Al
Is plated on the substrate 1. In the case where the protrusion 1h is provided by the stud bump method, for example, wire bonding is performed using an Au wire, and as shown in FIG.
1 to form a pad portion 1j and a wire portion 1k following the pad portion 1j, and cut a boundary portion between the pad portion 1j and the wire portion 1k, that is, a so-called neck portion 1m, to thereby form a projection.
1h is provided. [0039] In the such pressure sensors, in addition to the effect that it is possible to adjust the amount of bending like the effect of the first reference example <br/> and third reference example, the diaphragm 1c is excessive
Since the pressure is transmitted and comes into contact with the joining member 2 via the metal elastic projection 1h, the impact at the time of the contact is buffered, and the diaphragm 1c is damaged. No more. Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
This will be described below based on Incidentally, members having the first reference example substantially the same function are denoted by the same reference numerals, the first
Only the differences from the reference example will be described. In the first reference example , the substrate
1 is joined to the joining member 2, whereas in the present embodiment, it is configured to be housed by the opposing member 4 arranged facing the diaphragm 1 c and the package 5 joined to the opposing member 4. . In FIGS. 10 and 11, the strain gauge resistance provided on the diaphragm 1c is omitted. More specifically, the substrate 1 is mounted on the bottom of a package 5 to be described later by bonding the pedestal 3 with an adhesive 5a, and its electrode pads (not shown) and external connection through the package 5 are provided. Lead wire 5b is connected by wire bonding. And this board 1
Is sealed on its opposing surface 1a side with a gel-like silicon resin 1n. As will be described later in detail, the facing member 4 is covered by covering the opening of the package 5 so as to cover the opening.
It faces the diaphragm 1c via the silicon resin 1n, and forms a facing space 1g between the diaphragm 1c and the facing space.
A communication hole 4a communicating with 1g is provided to penetrate from the outer surface. The opposing member 4 has a projection 4b on an opposing surface opposing the diaphragm 1c. The package 5 is formed of a plastic such as PPS, PBT or the like in a box shape with one opening, and the opening is covered with the facing member 4 so that the pressure sensor chip 10 and the electrode pads 1e are connected to the outside. The wire bonding portion connecting to the connection lead wire 5b is mechanically protected from external force or the like. The package 5 is provided with a communication hole 5c communicating with the opposing space and a pressure introduction hole 5d reaching the opposite surface 1f side of the substrate 1. When an excessive pressure is transmitted to the opposite surface 1f of the diaphragm 1c, the diaphragm 1c is brought into contact with the projection 4b of the opposite member 4 by the opposing surface 1a as shown in FIG. Since the bending is restricted, destruction due to excessive bending is prevented. In such a pressure sensor, the opposing member 4
The opposing space 1g between the diaphragm 1c and the
The communication holes 4a and 5c communicating with 1g are the opposing member 4 and the package.
5 through the outer surface
Even when heating is performed by soldering, welding, or the like at the time of joining the package 4 and the package 5, the opposed space is not depressurized with heat radiation, and the diaphragm 1c is opposed to the opposed surface 1a of the opposed member 4 opposite to the opposed surface 1a. Even if external pressure from 1f is received,
It does not bend toward and is not joined to the opposing member 4, and it can be manufactured reliably. Moreover, it is not a relatively complicated process of forming an SiO 2 film on the surface of the diaphragm 1c facing the glass substrate as in the conventional example, but is connected to the facing member 1 and the package 5 from the outer surface to the facing space 1g. Since only a relatively simple process of providing the communication holes 4a and 5c is required, the production is not troublesome. Further, the excessive pressure is transmitted and the opposing member 4
The diaphragm 1c bent to the side faces the opposing member 4 via the projection 4b.
When the deflection is regulated by contacting the
By changing the height of the protrusion 4b provided on the facing member 4, the amount of bending can be adjusted. In this embodiment, the communication holes 4a and 5c are
Although provided on the opposing member 4 and the package 5, the same effect can be obtained even if provided on one of them, and in that case, the trouble of providing the communication hole is reduced,
Processing becomes easier. According to the first aspect of the present invention, the opposed member and the die
The opposing space between the diaphragm and the diaphragm communicates with the opposing space.
The communication hole penetrates from the outer surface of the facing member or package.
Since it is provided, when joining the opposing member and the package
Even when heating is applied, the opposite space is decompressed with heat radiation
And the diaphragm is opposite the surface facing the opposing member.
Deflected toward the opposing member even when receiving external pressure from the opposite surface
Eliminates joining with opposing members, ensuring production
can do. Moreover, as in the conventional example, the diaphragm
A SiO 2 film is formed on the ram facing the glass substrate
Rather than the relatively complicated process of
A communication hole is provided in the package from the outside to the facing space.
Only requires the relatively simple process of
You will not have to make it. In addition, excessive pressure
Is transmitted and the diaphragm bent toward the opposing member
Contact with the opposing member via
At least one of the diaphragm or the opposing member
By changing the height of the protrusion provided on one side,
The amount can be adjusted. [0051]

【図面の簡単な説明】 【図1】本発明に関連する第1参考例の断面図である。 【図2】同上のダイヤフラムの撓む状態を示す断面図で
ある。 【図3】本発明に関連する第2参考例の断面図である。 【図4】本発明に関連する第3参考例の断面図である。 【図5】同上の圧力センサチップの平面図である。 【図6】本発明に関連する第4参考例の断面図である。 【図7】本発明に関連する第5参考例の断面図である。 【図8】本発明に関連する第6参考例の断面図である。 【図9】同上の突起をスタッドバンプ法により設ける場
合の手順を示す説明図である。 【図10】本発明の一実施形態の断面図である。 【図11】同上のダイヤフラムの撓む状態を示す断面図
である。 【図12】従来例の断面図である。 【符号の説明】 1 基板 1a 対向面 1c ダイヤフラム 1f 反対面 1g 対向空間 1h 突起 2 接合部材 2a 連通孔 2b 凹部 2d 突起 4 対向部材 4a 連通孔 4b 突起 5 パッケージ 5c 連通孔
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a sectional view of a first reference example related to the present invention . FIG. 2 is a cross-sectional view showing a state in which the diaphragm is bent. FIG. 3 is a sectional view of a second reference example related to the present invention . FIG. 4 is a sectional view of a third reference example related to the present invention. FIG. 5 is a plan view of the same pressure sensor chip. FIG. 6 is a sectional view of a fourth reference example related to the present invention. FIG. 7 is a sectional view of a fifth reference example related to the present invention. FIG. 8 is a sectional view of a sixth reference example related to the present invention . FIG. 9 is an explanatory view showing a procedure when the projection is provided by a stud bump method. FIG. 10 is a cross-sectional view of one embodiment of the present invention. FIG. 11 is a cross-sectional view showing a state in which the diaphragm is bent. FIG. 12 is a sectional view of a conventional example. [Description of Signs] 1 Substrate 1a Opposing surface 1c Diaphragm 1f Opposite surface 1g Opposing space 1h Projection 2 Joining member 2a Communication hole 2b Depression 2d Projection 4 Opposing member 4a Communication hole 4b Projection 5 Package 5c Communication hole

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−155971(JP,A) 特開 平7−159432(JP,A) 特開 平8−178776(JP,A) 特開 昭64−61641(JP,A) 特開 平6−88762(JP,A) 実開 平3−19940(JP,U) 実公 平4−12436(JP,Y2) 特表 平4−506257(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01L 9/04 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-59-155971 (JP, A) JP-A-7-159432 (JP, A) JP-A-8-178776 (JP, A) JP-A 64-64 61641 (JP, A) JP-A-6-88762 (JP, A) JP-A-3-19940 (JP, U) JP-A-4-12436 (JP, Y2) JP-A-4-506257 (JP, A) (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) G01L 9/04

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】 【請求項1】 局部的に薄く形成することにより板状の
ダイアフラムが設けられたシリコン製の基板と、ダイア
フラムに対向配置された対向部材と、接合される対向部
材と共に基板を収容するパッケージと、を備え、対向部
材との対向面とは反対面からの圧力を受けることによる
ダイアフラムの撓み量でもって圧力変化を検出する圧力
センサにおいて、 前記対向部材又は前記パッケージの少なくとも一方は、
前記ダイアフラムとの間の対向空間に連通する連通孔が
外方面から貫通して設けられ、前記対向部材には、過大
な圧力が伝達されて前記ダイアフラムが撓むことにより
のダイアフラムに当接し得る突起が設けられているこ
とを特徴とする圧力センサ。
(57) [Claims 1] A silicon substrate provided with a plate-shaped diaphragm by locally forming a thin film, an opposing member arranged opposite to the diaphragm, and an opposing member to be joined. A package for accommodating the substrate together with the member, wherein the pressure sensor detects a pressure change by the amount of deflection of the diaphragm by receiving a pressure from a surface opposite to the surface facing the facing member, wherein the facing member or the package At least one of
Said diaphragm communicating hole communicating with the opposing space between are provided to penetrate from the outside face, said the opposing member, <br/> its diaphragm by the diaphragm excessive pressure is transmitted to flex A pressure sensor provided with a protrusion capable of contacting the pressure sensor.
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