JP3482856B2 - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置およびその製造方法Info
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Description
クス型の液晶表示装置に係り、特に、プラスチック基板
やポリマーフィルム等の軽量で耐熱性に乏しい基板上に
形成するのに好適なＴＦＴアクティブマトリックスの構
造および製造方法に関する。
の表示装置として、薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴと記
す）を用いたアクティブマトリックス方式の液晶ディス
プレイが可搬型のパーソナルコンピュータを中心に広く
用いられつつある。この種の液晶表示装置においては低
コスト化と並んでディスプレイモジュールの軽量化が重
要な課題である。このため、モジュールの重量の大半を
占めるガラス基板を軽量化するため板厚を薄くすること
が行われている。しかしながら、薄板化による軽量化に
はモジュール強度確保の点から限界があり、新たな対策
が必要となっている。このような背景から近年、ポリカ
ーボネイト等の軽量なプラスチック基板上にＴＦＴを形
成する技術の開発が行われている。そのような技術の一
例が、コンファレンスレコードオブザ１７thインターナ
ショナルディスプレイリサーチコンファレンス(Confere
nce Record of the 17th International Display Resea
rchConference）１９９７年，Ｍ−３６頁からＭ−３９
頁に記載されている。
における最大の課題は、基板の耐熱性が低いためいかに
基板にダメージを与えない程度の低温で高性能なＴＦＴ
を形成するかにある。この問題を解決するために例えば
ＴＦＴを構成するＳｉ膜やゲート絶縁膜をスパッタリグ
等により低温で成膜したり、パルスレーザを用いて低温
でＳｉ膜を再結晶化することが試みされている。しかし
ながら、このような低温プロセスで得られるＴＦＴの特
性は実用上十分とはいえない。特に高品質なゲート絶縁
膜の低温形成が解決困難な課題である。さらに、プラス
チック基板は耐熱性のみでなく、耐薬品性にも問題があ
り、ホトリソグラフィ工程やエッチング工程で用いる各
種の薬品に対する耐性についても考慮する必要がある。
高性能なＴＦＴを形成するためには解決すべき技術課題
が多く、従来のプロセス技術の延長では容易には達成で
きない。
めに本発明では以下の手段を講じた。
の基板に挟持された液晶層を有する液晶表示装置の製造
方法において、ガラスあるいはＳｉ等からなる第１の基
板上に複数の走査配線と、これに交差する複数の信号配
線と、前記走査配線と信号配線の交差点近傍にマトリク
ス状に配置された複数の半導体素子と、前記複数の半導
体素子に接続された画素電極からなるアクティブマトリ
クス素子を形成し、前記アクティブマトリクス素子上に
プラスチックやポリマーフィルム等の所望の材料からな
る第２の基板を接合したあと、化学研磨法等の手段で前
記第１の基板を除去し、前記第２の基板に対向するよう
に第３の基板を形成し、これらの間に挟持された液晶層
を形成する製造工程を採用した。
ブマトリクス素子はプラスチック基板の上に直接形成せ
ずに、耐熱性に優れたガラス基板やＳｉ基板上に従来と
同様な製造工程により形成できるので、従来と同様な優
れた特性を有するＴＦＴを形成可能である。また、この
ＴＦＴアクティブマトリクス素子を所望のプラスチック
基板に接着してプラスチック基板を土台として最初のガ
ラス基板等を除去することにより、アクティブマトリク
ス素子を高温の熱処理工程を経ることなくプラスチック
基板上に移すことができるので、軽量な基板上に高性能
なアクティブマトリクス基板を製造できる。
を用いて説明する。
１の実施の形態の製造方法を示す液晶表示装置の各工程
における断面図である。
１３０を形成し、その上にＳｉＯ2よりなる第１の絶縁
膜２５を形成する。次に第１の絶縁膜上に半導体層３
０，ゲート絶縁膜２０，走査配線１０，層間絶縁膜２
２，信号配線１１，ソース電極１２，保護絶縁膜２３を
順次形成し、ＴＦＴアクティブマトリクス素子を形成す
る（図１）。
造法は通常の半導体プロセスに準じた方法でよい。例え
ば、半導体層３０は非晶質シリコン膜を減圧ＣＶＤ法に
より形成温度４５０℃で形成後、エキシマレーザを照射
することにより多結晶シリコン膜に変換する方法により
形成した。また第１の絶縁膜２５，ゲート絶縁膜２０，
層間絶縁膜２２，保護絶縁膜２３はそれぞれプラズマＣ
ＶＤ法により形成した。形成温度は３５０℃である。ま
た、走査配線１０，信号配線１１，ソース電極１２，画
素電極１３０はそれぞれスパッタリング法で形成した。
各膜のパターニングは通常のフォトリソグラフィ法によ
って行った。
基板上に接着層としてエポキシ樹脂２９を塗布し、さら
にポリエステルからなるプラスチック基板１００を接合
する（図２）。
機械研磨法によりガラス基板１を研磨し除去する（図
３）。
ＴＯからなる画素電極１３０がエッチングストッパとし
ての役割を果たすので、基板を削りすぎてＴＦＴ素子に
ダメージを与えることを防止できる。以上の工程により
プラスチック基板上に形成されたＴＦＴアクティブマト
リクス素子を得る。
ための配向膜ＯＲＩ２を塗布し、焼成後ラビング処理を
施す（図４）。
フィルター膜５０７とＩＴＯよりなる対向電極５１０
と、配向処理を施した配向膜ＯＲＩ１を形成したプラス
チックからなる対向基板５０８と先に形成したＴＦＴ基
板をスペーサビーサ等を用いて４ミクロンの間隔を持っ
て対向配置し、その間に液晶組成物５０６を封入しプラ
スチック基板を用いた液晶セルが完成する（図５）。
回路を実装して液晶表示装置が完成する。
最初の基板がガラスであるので、ＴＦＴアクティブマト
リクス素子自体の製造法は通常の半導体プロセスに準じ
た方法を用いることができるので、高性能なＴＦＴを得
ることができる。ＴＦＴの性能が優れていることによ
り、高精細の画像を容易に表示できる。
Ｔ基板の外部に接続する例を述べたが、高性能なＴＦＴ
を利用して駆動回路をもＴＦＴで構成し、同じプラスチ
ック基板上に形成することも容易となる。このようにす
ることにより、実装に係る部品数を削減し、コストを低
減できる。
を後から接合するので基板の材質は様々なものを使用可
能であり、本実施例の様にプラスチック基板を用いるこ
とにより極めて軽量な表示装置を実現できる。上記実施
例では基板としてポリエステルを用いたが、基板はこれ
に限られるものではなく、ポリカーボネイト，アクリル
基板やＰＥＴなどのプラスチックフィルムも用いること
ができる。特にプラスチックフィルムを基板に用いるこ
とにより曲げることが可能な表示装置が得られる。その
ような例を次に示す。
第２の実施の形態の製造方法を示す液晶表示装置の各工
程における断面図である。
に、Ａｌよりなる反射型の画素電極１３１を形成し、そ
の上にＳｉＯ2 よりなる第１の絶縁膜２５を形成する。
次に第１の絶縁膜上に半導体層３０，ゲート絶縁膜２
０，走査配線１０，層間絶縁膜２２，信号配線１１，ソ
ース電極１２，保護絶縁膜２３を順次形成し、ＴＦＴア
クティブマトリクス素子を形成する（図６）。
基板上に接着層としてエポキシ樹脂２９を塗布し、さら
にＰＥＴからなるプラスチックフィルム１０１を接合す
る（図７）。
機械研磨法によりガラス基板１を研磨し除去する（図
８）。
分散液晶（ＰＤＬＣ）５５０を塗布する（図９）。
たＰＥＴからなる対向基板５１８を高分子分散液晶５５
０上に接着してＰＥＴ基板上の反射型の液晶セルが完成
する（図１０）。
ルムを用い、さらに液晶層にシート状の高分子分散液晶
を用いたので、極めて軽量薄型で折り曲げ可能な表示装
置が実現できる。
基板がガラスであるので、ＴＦＴアクティブマトリクス
素子自体の製造法は通常の半導体プロセスに準じた方法
を用いることができるので、高性能なＴＦＴを得ること
ができる。ＴＦＴの性能が優れていることにより、高精
細の画像を容易に表示できる。
Ｔ基板の外部に接続する例を述べたが、高性能なＴＦＴ
を利用して駆動回路をもＴＦＴで構成し、同じプラスチ
ック基板上に形成することも容易となる。このようにす
ることにより、実装に係る部品数を削減し、コストを低
減できる。
の第３の実施の形態の製造方法を示す液晶表示装置の各
工程における断面図である。
に、ＩＴＯよりなる外部接続端子１３２を形成し、その
上にＳｉＯ2 よりなる第１の絶縁膜２５を形成する。次
に第１の絶縁膜上に半導体層３０，ゲート絶縁膜２０，
走査配線１０，層間絶縁膜２２，信号配線１１，ソース
電極，保護絶縁膜２３，Ａｌよりなる反射型画素電極１
３１を順次形成し、ＴＦＴアクティブマトリクス素子を
形成する（図１１）。
高分子分散液晶（ＰＤＬＣ）５５０を塗布する（図１
２）。
たポリエステルからなる対向基板５０８を高分子分散液
晶５５０上に接着する（図１３）。
台として、化学機械研磨法によりガラス基板１を研磨し
除去する（図１４）。
ＴＯからなる外部接続端子１３２がエッチングストッパ
としての役割を果たすので、基板を削りすぎてＴＦＴ素
子にダメージを与えることを防止できる。以上の工程に
よりプラスチック基板上に形成されたＴＦＴアクティブ
マトリクス素子を得る。
動するドライバ回路６００をソルダーＳＬＤを介して、
対向基板とは反対側の面に露出した外部接続端子１３２
にボンディングして液晶表示装置が完成する（図１
５）。
置をＴＦＴ基板側から見た全体平面図およびＡ−Ａ′で
の断面図である。従来の液晶表示装置では、ＴＦＴ基板
の表面にドライバ回路を実装するためのボンディングパ
ッドを形成する必要があったため表示エリアの周辺にこ
のための領域を取る必要があり、額縁と呼ばれる表示領
域周辺部分の面積を縮小することには限界があったが、
本実施の形態の液晶表示装置ではドライバ回路をＴＦＴ
基板の裏面に実装できるので、図１７からわかるように
ＴＦＴ基板と対向基板は同じ大きさにすることができ、
額縁を縮小できる効果がある。よって、従来に比べてよ
りコンパクトな端末機器を構成することができる。
び構成は、上記の３つの例に限定されるものではない。
例えば、ＴＦＴとしては、非晶質シリコンを用いた逆ス
タガ型の素子も同様に用いることができる。また、単結
晶シリコン基板上に形成したＭＯＳトランジスタであっ
ても、ガラス基板を研磨する工程でシリコン基板を研磨
除去するようにすることにより適用可能である。また、
液晶表示モードについても、例えば、ＴＮ液晶や高分子
分散液晶以外にも、ゲストホスト液晶や強誘電液晶等も
同様に用いることができる。
ク基板やポリマーフィルム等の軽量で耐熱性に乏しい基
板上にも高性能のＴＦＴを形成できる。
の製造方法を示す断面模式図。
の製造方法を示す断面模式図。
の製造方法を示す断面模式図。
の製造方法を示す断面模式図。
の製造方法を示す断面模式図。
の製造方法を示す断面模式図。
の製造方法を示す断面模式図。
の製造方法を示す断面模式図。
の製造方法を示す断面模式図。
置の製造方法を示す断面模式図。
置の製造方法を示す断面模式図。
置の製造方法を示す断面模式図。
置の製造方法を示す断面模式図。
置の製造方法を示す断面模式図。
置の製造方法を示す断面模式図。
平面模式図。
断面模式図。
２…ソース電極、１５…接続電極、２０…ゲート絶縁
膜、２２…層間絶縁膜、２３…保護絶縁膜、２５…第１
の絶縁膜、２９…エポキシ樹脂、３０…半導体層、１０
０…プラスチックフィルム、１０１…ＰＥＴフィルム、
ＯＲＩ１，ＯＲＩ２…配向膜、１３０，１３１…画素電
極、５０５…偏光板、５０６…液晶組成物、５０７…カ
ラーフィルター膜、５０８，５１８…対向基板、５１０
…対向電極、５１２…遮光膜、５５０…高分子分散液
晶、ＳＬＤ…ソルダー、ＤＩＳ…表示領域、６００…ド
ライバ回路。
Claims (3)
- 【請求項１】第一の基板上に外部接続端子を形成する工
程と、 該外部接続端子上に絶縁膜を形成する工程と、 該絶縁膜上に複数の走査配線と、該複数の走査配線に交
差する複数の信号配線と、前記走査配線と前記信号配線
の交差点近傍にマトリクス状に配置された複数の半導体
素子と、前記複数の半導体素子に接続された画素電極か
らなるアクティブマトリクス素子を形成する工程と、 前記アクティブマトリクス素子上に前記液晶層を形成す
る工程と、 前記液晶層上に対向基板を形成する工程と、 前記第一の基板を除去して前記外部接続電極を露出させ
る工程と、 駆動回路を内蔵したドライバチップを、前記対向基板と
反対の面において前記外部接続端子と接続する工程と、
を有する液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項２】第一の基板上に外部接続電極端子を接続す
る工程と、 前記外部接続電極上に絶縁膜を形成する工程と、 該絶縁膜上に複数の走査配線と、該複数の走査配線に交
差する複数の信号配線と、前記走査配線と前記信号配線
の交差点近傍にマトリクス状に配置された複数の半導体
素子と、前記複数の半導体素子に接続された画素電極か
らなるアクティブマトリクス素子を形成する工程と、 前記第一の基板に対向する対向基板を配置し、これらの
間に液晶層を形成する工程と、 前記第一の基板を除去して前記外部接続電極を露出させ
る工程と、 駆動回路を内蔵したドライバチップを、前記対向基板と
反対の面において前記外部接続端子と接続する工程と、
を有する液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項３】前記第一の基板、前記対向基板の少なくと
も一方が、有機化合物を主成分とする材料又は金属箔で
あることを特徴とする請求項１又は２に記載の製造方
法。
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