JP3485949B2

JP3485949B2 - 微小可動体

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Publication number: JP3485949B2
Application number: JP25124693A
Authority: JP
Inventors: 照伸秋山
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 1992-08-31
Filing date: 1993-08-30
Publication date: 2004-01-13
Anticipated expiration: 2019-01-13
Also published as: JPH06217561A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、静電力や磁力などで駆
動する微小な可動体、いわゆる、マイクロマシン（以
下、マイクロマシン）に関する。さらに詳しくは、シリ
コンウエハ上に集積回路を構成するために利用されてい
る多結晶シリコンに微細加工技術をほどこして製作した
多結晶シリコン可動体や、各種の半導体材料や、金属材
料、プラスチック材料などに微細加工技術をほどこして
製作した微小形状のマイクロマシンに係わるものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、マイクロマシンに関する代表的な
研究の例として、微小なロータとステータを組み合わせ
た回転型マイクロロータがある（庄野克房著「ＣＭＯＳ
ＬＳＩエンジニヤリング」ｐｐ．２７３〜２８２（日
刊工業新聞社）参照）。その構成を図１７に示す。図１
７（ａ）は平面図であり、図１７（ｂ）は縦断側面図を
示す。基板１０１上にはキャップ付きのシャフト１０２
が設けられており、その周囲にはロータ電極１０３が配
設され、さらに、そのロータ電極１０３の外周にはステ
ータ電極１０４が配設されている。ロータ電極１０３と
ステータ電極１０４とは基板上の同じ高さに設けられて
おり、ロータ電極１０３を挟んで対向するステータ電極
１０４間に電圧を順次印加することにより、ロータ電極
１０３とステータ電極１０４との間に発生する静電力に
よってロータ電極１０３が回転する。以下、上記従来技
術の製法の一例を説明する。構造材料である多結晶シリ
コンは、モノシランの熱分解（ＣＶＤ法）によって析出
する。レジストを用いた写真食刻技術がシャフトやロー
タの微細加工に用いられる。多結晶シリコンは、フレオ
ン・酸素のプラズマエッチングにより加工される。多結
晶シリコンは熱酸化ＳｉＯ_２あるいはＣＶＤＳｉＯ_２
によってつつみ込むように製作される。これらの工程を
繰り返すことにより微小機械可動体としてのマイクロマ
シンが組み立てられる。なお、犠牲材料であるＳｉＯ_２
は、製作工程の最後にエッチング液により取り除かれ
る。

【０００３】次に、従来のマイクロマシンの他の例とし
て、マイクロミラーについて説明する（「オプチカル
マイクロシャッタズアンドトーショナルマイクロ
ミラーズフォアライトモジュレータアレーズ
（ＯＰＴＩＣＡＬＭＩＣＴＯＳＨＵＴＴＥＲＳＡＮ
ＤＴＯＲＳＩＯＮＡＬＭＩＣＲＯＮＩＲＲＯＲＳＦ
ＯＲＬＩＧＨＴＭＯＤＵＬＡＴＯＲＡＲＲＡＹ
Ｓ）」、ＩＥＥＥＭＥＭＳ’９３，ＦｏｒｔＬａｕ
ｄｅｒｄａｌｅ，Ｆｌｏｒｉｄａ，ｐｐ．１２４−１２
７参照）。これは、多結晶シリコンを用いて形成さ
れ、シリコン基板上に両端が固定された両持ち梁と、両
持ち梁によって支えられたねじれ振動子と、ねじれ振動
子に平行にシリコン基板上に設けられた電極によって構
成され、電極とねじれ振動子との間に電圧を印加するこ
とによりねじれ振動子に取り付けられた鏡面を回転させ
る。

【０００４】さらに他の従来技術として、一方向に変位
する静電アクチュエータがある。例えば、固定電極の櫛
歯と噛み合う櫛歯状の可動電極を持つ可動部材を一方向
にのみ案内するために弾性支持バネなどの案内部材を備
え、変位量の増大を図るものである（特開平５−７６１
８６号特許公開公報）。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】マイクロマシンの最大
の特徴は、ミクロンレベルの寸法で形成される点にあ
る。このため、従来から、できるだけ簡素な構造のマイ
クロマシンが待ち望まれていた。簡素な構造のマイクロ
マシンでなければ、微小な個別部品を組み立てて微小な
機械システムを構成することはできないからである。従
って、製作課程であるウエハプロセスの各工程において
も、組み立てられた形（完成形状）になるように製作課
程が進められなければならない。

【０００６】マイクロマシンの別な特徴は、従来にない
微小な運動を実現できる点である。このため、従来か
ら、マイクロマシンにふさわしい動きが待ち望まれてい
た。即ち、例えば、巨視的スケールの汎用機械では重力
や慣性の影響を強く受けるため、加える力はそれに打ち
勝つ大きさでなければならないが、ミクロンオーダのマ
イクロマシンでは当然のことながら重力や慣性の影響が
小さいので、新たな概念でマイクロマシンの実用化研究
に取り組む必要がある。しかるに、従来のマイクロマシ
ンでは、単に上記巨視的スケールの汎用機械を微小化す
るに留まっていた。そして、マイクロマシンの微小性を
活かした特異な動きを実現する構造や、マイクロマシン
を動作させるために加える力、その伝達方法など、マイ
クロマシンそれ自体の構造を含めてマイクロマシンにふ
さわしい方式の発見が切望されていた。

【０００７】ところが、前記従来技術によれば、マイク
ロマシンの初歩的な試みであるマイクロロータの例でも
分かるように、ロータの周囲に配置された多数のステー
タ電極に電圧を切り替えながら与えるための配線や電極
構造だけでなく、ロータやミラーを支える機構などを含
めて、マイクロマシンの構造が複雑になってしまうとい
う欠点がある。

【０００８】しかも、従来技術によれば、ロータの回転
力は、回転角度に応じて半径方向に対向するステータと
ロータとの端面間の静電力で与えられる。その結果、せ
っかくの静電力も有効に活用され得ず、効率よく静電力
を機械力に変換したり、力の伝達をさせることができな
い。

【０００９】さらに、マイクロロータに限らず前記のマ
イクロミラーでは、ロータやミラーの回転速度や回転角
度、位置（変位）を制御するために、微小なロータやミ
ラーの運動状態や位置を正確に検出するための高度な検
出手段を設けなければならず、結果としてマイクロマシ
ン全体が複雑化、大型化し、マイクロマシンを実用化す
る上での大きな障害になっていた。

【００１０】しかも、前記の従来技術によれば、いずれ
も、電圧を加えない状態では、１ピッチづつのピッチ運
動やそれにともなって必要になるラッチ機能が実現でき
ないという基本的な課題を有していた。

【００１１】本発明は、上記の従来技術が有していた種
々の課題に鑑みてなされたもので、マイクロマシンを実
現するためにふさわしい簡素な構造を持ち、しかも、静
電力を効率よく機械力に変換して外部に伝達でき、マイ
クロマシンそれ自体に制御機能を内在し、ピッチ運動や
ラッチ機能をも実現可能な微小な可動体を提供するこを
目的としており、また、多結晶シリコンのもつ弾性を利
用して、加えた静電気引力を前進運動にかえ、確実に運
動するミクロの可動体をシリコンウエハ上に形成するこ
とを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の微小可動体では、少なくとも一対の電極
と、前記一対の電極の電極間隔を弾性力で可変に支える
弾性支持部材とを備えるものである。

【００１３】また、この発明の微小可動体では、絶縁膜
を介してシリコン基板と多結晶シリコン板との間に交流
パルスを加え、その立ち上がりにおいて多結晶シリコン
板のブッシング支持部につらなる多結晶シリコン棒にひ
ねりをあたえ、立ち下がりにおいてひねられた多結晶シ
リコン棒がもとにもどることを利用して、ブッシング支
持部がピッチ運動をすることを特徴とする。

【００１４】そして、前記多結晶シリコン棒のひねりに
加えて、多結晶シリコン板がたわむことをも利用するこ
とが好ましい。

【００１５】

【作用】上記のように構成された微小可動体の一対の電
極に電圧を加えると、電極間に静電力が働き、弾性支持
部材の弾性変形とあいまって電極間隔を恋化させ、電極
から電圧を取り除いた後は、弾性支持部材に蓄えられた
弾性復元力が働き、電極間隔を所定に復元させ、この動
作がそれ自体に制御機能を有し、これらの動作を繰り返
しても微小可動体が安定に運動するように作用する。

【００１６】本発明は、たとえば断面積３ミクロン×３
ミクロンの多結晶シリコン棒の弾性定数の測定に関する
物性的研究から、新たな力の伝達方法を発見したことに
よりなされたものである。具体的に説明すれば、モノシ
ランの熱分解によって析出された多結晶シリコンを微細
加工技術を用いて加工した多結晶シリコン棒（たとえば
長さ５００ミクロン）では、弾性定数が１５０ＧＰａで
あり、その値は単結晶シリコンでの値に匹敵する。弾性
限界内で歪を加え、そののち力を取り除くと、多結晶シ
リコン棒はもとの形状にもどる。たわみだけでなく、ね
じりに関しても同様である。

【００１７】そして、本発明は、この多結晶シリコンの
機械的物性にも着目し、絶縁膜を介してシリコン基板と
多結晶シリコン板との間に交流パルスを加え、その立ち
上がりにおいて多結晶シリコン板のブッシング支持部に
つらなる多結晶シリコン棒にひねりをあたえ、立ち下が
りにおいてひねられた多結晶シリコン棒がもとにもどる
ことを利用して、ブッシング支持部がピッチ運動をする
という現象そのものが、前記の目的にも合うことをつき
とめ、これを提供するものである。

【００１８】また、ブッシング支持部がピッチ運動をす
るのに、前記の多結晶シリコン棒のひねりに加えて、多
結晶シリコン板がたわむことを利用してもよい。

【００１９】

【実施例】以下、本発明のいくつかの実施例について、
図面を参照して説明する。なお、以下の説明において、
同一要素には同一符号を付して説明の重複を避けてい
る。

【００２０】先ず、本発明の第一の実施例について説明
する。図１において、微小可動体としてのマイクロマシ
ンには、可動部１００と駆動部３００が設けられてお
り、可動部１００を構成するシリコン基板１の上面には
凹凸が形成され、シリコン基板１の上面に接して駆動部
３００が設けられている。駆動部３００には弾性支持部
材としてのスプリング支持体１２が設けられており、ス
プリング支持体１２は一対の電極１１１、１１２が互い
に対向して電極間隔ｄを可変にするように保持してい
る。そして、電極１１１の一端にはツメ１３が設けられ
ており、ツメ１３はシリコン基板１の上面の凹凸に噛み
合っている。なお、電極１１２は図示されぬ取付具によ
って外部に固定されている。

【００２１】以下、図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）を参照
して上記実施例の動作原理を説明する。電極１１１、１
１２間に電圧を加えると（図２（ａ））、これらの電極
１１１、１１２の間には静電力が働き、スプリング支持
体１２が弾性変形することによって電極１１１が電極１
１２側に吸引され、電圧が加わらないときに比べて電極
間隔ｄが狭くなる（図２（ｂ））。ついで、これらの電
極１１１、１１２間から電圧が取り除かれると、スプリ
ング支持体１２の弾性復元力によって電極１１１が電極
１１２から離れ、電極間隔ｄが広がって元に戻る（図２
（ｃ））。このとき、電極１１１の一端のツメ１３がシ
リコン基板１の凹溝を図中矢印方向に押しやり、シリコ
ン基板１で形成された可動部１００を駆動部３００に対
して相対的に移動させる。そして、電極１１１、１１２
間に加える電圧を入切して上記動作を繰り返す事によっ
て可動部１００をピッチ運動（歩進駆動）する。

【００２２】上記実施例によれば、一回の電圧印加によ
ってシリコン基板１上に刻まれた凹凸一ピッチに対応し
た変位量が確保され、しかも、その変位力は、スプリン
グ支持体１２の持つ弾性復元力に相当し、しかも、電圧
を切ってもその変位位置が保持される。つまり、上記構
成のマイクロマシンでは、それ自体に制御機能が内在
し、静電力と弾性力の組み合わせによって効率よく機械
的な原動力を得ている。

【００２３】なお、上記実施例の説明では、理解の容易
のために駆動部を外部に固定して可動部を歩進させると
したが、可動部を固定して駆動部を移動させることもで
き、シリコン基板上で駆動部をピッチ運動させることが
できるのは勿論である。また、上記説明ではシリコン基
板を例に取り上げたが、材料や形状はそれに限らず、プ
ラスチックなどの他の材料や、円筒などの他の形状に置
き換える事もできる。

【００２４】次に、上記本発明の第一の実施例の変形例
について図３を参照して以下に説明する。この変形例の
構成が図１に示す実施例の構成と異なる点は以下の通り
である。即ち、駆動部３００の一方の電極１１１は、弾
性支持部材としてのポリイミド弾性板１２１の片面に蒸
着形成されており、他方の電極１１２は、外部に固定さ
れたリジッドなポリイミド固定板上に形成され、電極１
１２の表面は絶縁層２で覆われている。そして、これら
一対の電極１１１、１１２の一端（図中上部）は互いに
固着され、他端（図中下部）は裾広がりに開いている。

【００２５】以下、図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、
（ｄ）を参照して上記実施例の動作原理を説明する。電
極１１１、１１２間に電圧を加えると（図３（ａ））、
これらの電極１１１、１１２の間には静電力が働き、は
じめは電極間隔が狭い図中上部から弾性板１２１を変形
させて電極１１１が電極１１２側に吸引され、電極間隔
ｄが狭くなる（図３（ｂ））。その後、電圧を加え続け
ると、電極１１１は図中下部にまで及んで電極１１２側
に吸引されて絶縁膜２に徐々に張り付いていく（図３
（ｃ））。なお、絶縁膜２は、電極１１１、１１２が静
電力によって吸引されても、両電極間の電圧を短絡しな
いで絶縁を保つ作用をなす。ついで、これらの電極１１
１、１１２間から電圧を取り除くと、弾性板１２１の弾
性復元力によって電極１１１が電極１１２から引き離さ
れ、電極間隔ｄが広がって元に戻る（図３（ｄ））。こ
のとき、電極１１１の一端のツメ１３がシリコン基板１
の凹溝を押しやり、シリコン基板１で形成された可動部
１００を駆動部３００に対して相対移動させる。そし
て、電極１１１、１１２間に加える電圧を入切して上記
動作を繰り返す事によってシリコン基板１をピッチ運動
する。

【００２６】上記変形例によれば、一対の電極間が裾広
がりに形成できるので、裾野の部分での電極間隔を広く
とることができ、結果的に大きなピッチでピッチ運動を
実現できる。しかも、電極間に加える電圧を調整するこ
とによって、電極間の吸引度合い調整できる。これによ
れば、電極間に加える印加電圧量を調整することによっ
て、シリコン基板１上に刻まれた凹凸の任意の数ピッチ
に対応して所望の変位量を得ることもでき、ピッチ運動
を自在に制御することができる。

【００２７】なお、上記変形例の図面の説明では、理解
の容易のために電極１１１にツメ１３を備え、電極１１
２が外部に固定されるとしたが、電極１１２にツメを備
えて電極１１１を外部に固定することもできる。また、
電極１１２の表面に絶縁膜２を設けたが、電極１１２で
はなく電極１１１の表面に絶縁膜２を設けるようにして
もよいのは勿論である。

【００２８】次に、本発明の第二の実施例について図４
乃至図６を参照して以下に説明する。図４は、多結晶シ
リコンで一体形成された可動部５００の構造を示した斜
視図であり、可動部５００は図５に示されるように固定
部６００としてのシリコン基板１上に移動可能に置かれ
る。可動部５００の形状は、断面が概ね逆Ｌ字状に形成
され、可動部５００の水平面の一部には電極１１１が形
成されている。電極１１１の延長面から直角に延びる可
動部５００の他端にはブッシング５０が設けられてい
る。ブッシング５０の上辺はブッシング支持部５１であ
り、その左右には弾性支持部材としての梁１７が突き出
して設けられている。梁１７の突出端は図示されぬ枠体
などを介して外部（移動子）に固定されている。そし
て、当初、可動体５００は、電極１１１がシリコン基板
１に形成されるもう一方の電極（図示されぬ）と平行に
位置し、しかも、ブッシング５０の足５２とシリコン基
板１の表面が機械的に接するように、梁１７によって支
えられている。なお、シリコン基板１の表面は絶縁膜で
覆われており、ブッシング５０の足５２がシリコン基板
１と接触しても、可動部５００と固定部６００の間は電
気的に絶縁されている。

【００２９】以下、図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）を参照
して上記第二の実施例の動作について説明する。可動部
５００の電極１１１と固定部６００のシリコン基板１の
電極の間に電圧を加えると（図５（ａ））、これらの電
極間には静電力が働き、梁１７がねじられることによっ
て電極１１１がシリコン基板１側に吸引され、可動部５
００が傾き、電圧が加わる前に比べて電極間隔ｄが狭く
なる。このとき、可動部５００は梁１７を介して固定さ
れているので、足５２は、電圧を印加する前の位置から
ΔＸだけ、シリコン基板１上でずれる（図５（ｂ））。
次に、電極１１１とシリコン基板１の電極の間から電圧
が取り除かれると、ねじられた梁１７の弾性復元力によ
って電極１１１がシリコン基板１から離れて平行に戻ろ
うとし、電極間隔ｄが広がって可動部５００の姿勢が元
に戻る（図５（ｃ））。このとき、可動部５００は足５
２が支点となって姿勢を戻すので、可動部５００は固定
部６００に対してΔＸだけ相対的に移動する。上記の電
極間に加える電圧を入切することで、可動部と固定部は
相対的にピッチ運動を行う。

【００３０】次に図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）を参照し
て上記第二の実施例の変型例について説明する。なお、
図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）には、固定部６００のシリ
コン基板１側の電極１１２と絶縁膜２が示されており、
この変型例の構成が図４乃至図５に示す実施例の構成と
異なる点は以下の通りである。即ち、図６（ａ）、
（ｂ）においては、梁１７が移動可能な枠体１６に固着
されている点であり、図６（ｂ）においては、梁１７が
電極１１１の近傍に設けられている点であり、図６
（ｃ）においては、枠体１６を外部に固定し、しかも、
シリコン基板１上に絶縁膜２を設け、固定部６００とし
てのシリコン基板１側を移動可能とした点である。

【００３１】以下、上記変形例の動作原理を説明する。
図６（ａ）の構成では、電極１１１、１１２間に電圧を
加えると、これらの電極１１１、１１２の間には静電力
が働き、梁１７がねじれ弾性変形することによって電極
１１１が電極１１２側に吸引され、電圧が加わらないと
きに比べて電極間隔ｄが狭くなる。このとき、図６
（ａ）においては、梁１７がねじられると同時に枠体１
６が矢印１６１方向に移動する。そして、電圧を切る
と、ねじられていた梁１７が弾性復元する弾性力によっ
て電極１１１が電極１１２から離れ、電極間隔ｄが広が
って元に戻り、枠体１６は矢印１６２の方向に移動す
る。つまり、この変型例では、電圧の入切を繰り返す事
によって枠体１６を紙面の左右方向に振動させる事がで
きる。次に、図６（ｂ）の構成においては、梁１７がね
じられると同時に枠体１６が矢印１６３方向に移動す
る。そして、電圧を切ると、ねじられていた梁１７の弾
性復元力によって枠体１６は矢印１６４の方向に戻り、
上記と同様にして枠体１６を紙面の上下方向に振動させ
る事ができる。さらに、図６（ｃ）においては、枠体１
６が固定されたいるために、ブッシング５０によって絶
縁膜２とそれに連なる電極１１２が矢印１１２１方向に
駆動され、ついで、これらの電極１１１、１１２間から
電圧が取り除かれると、ねじられていた梁１７が弾性復
元することによって電極１１２が矢印１１２２の方向に
移動するので、上記と同様にしてシリコン基板１を紙面
の左右方向に振動させる事ができる。

【００３２】上記変形例によれば、梁１７に弾性支持部
材としてのねじり弾性の機能と、可動部５００と枠体１
６を機械的に結合させる機能とを併せもたせているの
で、微小可動体の構造が簡素化でき、しかも、特別な伝
達機構無しで電極間隔の変位量を振動に変換でき、ある
いは、外部に伝達損失無く取り出すことができる。つま
り、上記構成のマイクロマシンでは、静電力と弾性力の
組み合わせによって効率よく得られた変位量を原動力と
して利用できる。

【００３３】なお、上記説明ではブッシング５０の往復
移動によってシリコン基板１または枠体１６が振動する
としたが、前記図５に説明した動きを取り入れる事によ
って、シリコン基板１または枠体１６を歩進（ピッチ運
動）させる事もできる。なお、この場合、シリコン基板
１または枠体１６に沿って案内用のガイドレールを設け
る事も好ましい。また、図６（ｃ）における変形例の説
明では、理解の容易のために電極１１２を移動するとし
たが、電極１１２とその上面にある絶縁膜２を分離し、
絶縁膜２のみを移動可能とする事もできる。

【００３４】次に、図７乃至図１１を参照して本発明の
第三の実施例について説明する。この実施例の構成が前
記第二の実施例の構成と異なる主要な点は、可動部５０
０に特別な梁などを設けず、固定部６００上に単に載せ
てあり、しかも、可動部５００の少なくとも一部が弾性
部材で形成されている点である。そして、この実施例で
は、可動部５００を固定部６００の上で自在に移動させ
ることができる点に特徴がある。可動部５００は電極１
１１を含めて多結晶シリコンで形成されており、電極１
１１自体が弾性変型可能な弾性支持部材としての機能も
有している。

【００３５】以下、図８（ａ）、（ｂ），（ｃ）を参照
して上記実施例の動作原理を説明する。電極１１１、１
１２間に電圧を加えると（図８（ａ））、これらの電極
１１１、１１２の間には静電力が働き、可動部５００の
電極１１１が固定部６００に静電力で吸引される。この
とき、電極１１１は、それ自体の弾性を活かして変型し
ながら電極１１２側に吸引される。そして、可動部５０
０から延びて固定部６００に接するブッシング足５２
が、電圧印加の前に位置していた位置から図示の矢印方
向にずれる（図８（ｂ））。ついで、これらの電極１１
１、１１２間から電圧が取り除かれると、多結晶シリコ
ンでつくられた電極１１１は、絶縁膜２上を滑り、その
弾性復元力によって電極１１２から離れ、電極間隔ｄが
広がって元に戻る。このとき、可動部５００のブッシン
グ足５２が支点となり、可動部５００は足５２を中心と
して移動するので、可動部５００は固定部６００に対し
てΔＸだけ相対的に移動する（図８（ｃ））。このよう
に、電極１１１、１１２間に加える電圧を入切繰り返し
て上記動作を続ける事によって、可動部５００が固定部
６００上をピッチ運動する。

【００３６】次に、図９（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、
（ｄ）、（ｅ）を参照して上記実施例の変型例と動作を
説明する。なお、図９（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示す変
型例では電極１１１とブッシング５０で挟まれた角αの
頂点部が弾性を有している。また、図９（ｄ）に示す変
型例では電極１１１およびブッシング５０自体も弾性を
有している。さらに図９（ｅ）に示す変型例では角αの
頂点部が弾性を有するとともに電極１１１が固定部６０
０の上面に対して平行に維持されている。そして、上記
変型例によれば、電圧を加えると頂点部の弾性に応じて
角αを変えて電極１１１が固定部６００側に吸引される
（図９（ａ）、（ｂ）、（ｃ））。あるいは、電極１１
１とブッシング５０の弾性に応じて、電極１１１とブッ
シング５０が弾性変型して可動部５００が固定部６００
に吸引される（図９（ｄ））。または、固定部６００に
対して電極１１１が平行状態を保ちながら可動部５００
が変型する（図９（ｅ））。その後、これらの電極から
電圧が取り除かれると、可動部５００が有する弾性復元
力によって電極１１１が固定部６００から離れて元の状
態に戻る。そして、上記に種々の変型例は、例えば、表
示板用のミラーや光集積回路などの光偏向器に利用でき
る。

【００３７】次に、本発明の第三の実施例に係るさらに
別な変形例について図１０を参照して以下に説明する。
この変形例の構成が前記変形例の構成と異なる点は以下
の通りである。即ち、可動部５００には、図７乃至図９
において説明した可動部５００を用いている。そして、
固定部６００の上面には、可動部５００の電極と対向す
る固定部６００の電極１１２上の絶縁膜２を介して、可
動部５００の電極に電圧を供給するための給電電極１１
３がＸＹ平面に格子状に設けられており、可動部５００
の電極１１１と固定部６００の電極１１３は、機械的接
触によって電気的に接続している。

【００３８】以下に、上記変形例の動作原理を説明す
る。可動部５００が位置するＸＹ平面の番地に対応して
ＸＹマトリクス状に配置された電極１１３を選び、電極
１１３と電極１１２の間に電圧を加えると、電極１１３
と電極１１１は電気的に接続しているので、可動部５０
０の電極１１１と固定部６００の電極１１２の間には静
電力が働き、ついで、電極１１３と電極１１２の間に加
えた電圧を取り除くと可動部５００の電極１１１は電極
１１２から離れ（この間の動作は、前記種々の実施例の
動作と同じである）、先に説明した原理により、可動部
５００は電極１１３のアドレス（番地）選択に応じてＸ
Ｙ平面上を自在の平面移動する。

【００３９】上記変形例によれば、可動部５００に対し
て直接的に配線をすることなく通電できるので、ＸＹ平
面上を自由に動くマイクロマシンを構成できる。しか
も、静電力により駆動されるので、可動部５００は固定
部６００から離れる心配がない。

【００４０】なお、上記変形例の説明では、理解の容易
のために可動部５００を図７乃至図９において説明した
可動部としたが、図１１に示すような別異の可動部とし
てもよい。図１１に示す可動部５００では、可動部５０
０に互いに直角なブッシング５０を２つ設けている。こ
の場合、可動部５００は、２つのブッシング５０の合成
力によって矢印１１１１の方向に移動することができ
る。

【００４１】以上説明したように、上記の各種の実施例
や変形例によれば、電圧を電極間に印加し、それを取り
除くことにより、可動部５００を固定部６００に対して
相対的に一定距離（１ピッチ）だけ移動させることがで
きる。したがって、可動部５００の移動速度は単位時間
あたりに電圧を印加して取り除く回数（サイクル）によ
って決まる。逆に、電圧を印加して取り除く回数（サイ
クル）を制御することで、可動部５００を必要な距離だ
け移動させることができる。しかも、多結晶シリコンで
可動部５００を構成すると、構造が簡単になり、重力や
慣性力の影響を受けない動きが得られる。また、その移
動方向は、固定部６００のなす面内のどの方向にも自在
に移動が可能である。つまり、上記構成のマイクロマシ
ンでは、構造が簡単であるにも拘らず、その運動を制御
しやすいために、マイクロマシンにふさわしい動きを得
ることができる。

【００４２】なお、上記実施例の説明では、理解の容易
のために電極を多結晶シリコンとしたが、他の材料、例
えば、燐青銅や導電性プラスチックなどに置き換える事
もできる。

【００４３】次に、本発明の第四の実施例について図１
２を参照して以下に説明する。微小可動体としてのマイ
クロマシンには、可動部７００と平行に固定部８００が
設けられており、可動部７００には、電極１１１が設け
られており、電極１１１からは弾性支持部材としての２
つの棒状のスプリング支持体１２が絶縁膜２に延びてい
る。２つのスプリング支持体１２は、中心線１１１２と
非平行に円周方向に傾けて、中心線１１１２を中心に円
周上に均等に配設されいる。固定部８００は図示しない
シリコン基板によって構成され、その上面には絶縁膜２
によって覆われた電極１１２が形成されている。

【００４４】以下、図１２（ａ）、（ｂ）を参照して上
記実施例の動作原理を説明する。電極１１１、１１２間
に電圧を加えると、これらの電極１１１、１１２の間に
は静電力が働き、スプリング支持体１２が弾性変形して
円周方向にいっそう傾くことによって電極１１１が電極
１１２側に吸引され、電圧が加わらないときに比べて電
極間隔ｄが狭くなる。そして、電極１１１は中心線１１
１２を中心として矢印１１１３方向に回転する（図１２
（ｂ））。ついで、これらの電極１１１、１１２間から
電圧を取り除くと、スプリング支持体１２が弾性復元す
る弾性力によって電極１１１が電極１１２から離れて元
に戻り、電極間隔ｄが広がる。このとき、電極１１１は
矢印１１１３の方向と反対方向に回転する。

【００４５】上記実施例によれば、ギヤなどの機械運動
変換手段を要さずに、直線的な静電力の吸引ベクトルの
方向（中心線１１１２の方向）とは直交する円周方向
に、直接に回転ベクトルを生じさせる事ができ、しか
も、回転角度を印可電圧量によって微妙に制御でき、さ
らに、電圧を切れば元に戻る自己復帰性のある画期的な
マイクロマシンを実現できる。

【００４６】なお、上記実施例の説明では、理解の容易
のためにスプリング支持体１２を２つとしたが、それ以
上でもよいことは勿論であり、支持体１２の形状も棒状
に限らない。また、必ずしも支持体自体に弾性が必要と
は限らず、支持体と電極部とのつなぎを弾性とする事な
ど各種の変型が可能である。

【００４７】次に、上記本発明を具体的に適用したいく
つかの実施例について図１３乃至図１６を参照して以下
に説明する。先ず、図１３の多結晶シリコン可動体を例
にとって、ブッシング５の支持部がピッチ運動をするこ
とによって、多結晶シリコン可動体が移動する理由を説
明する。

【００４８】図１３の多結晶シリコン可動体の構造を以
下に説明する。多結晶シリコン板４とブッシング５と多
結晶シリコン棒６とガイドブッシング７と多結晶シリコ
ンガイド８とは一体に形成されている。ブッシング５
は、多結晶シリコン板４が静電気引力を受けたときに傾
くように設けた。図１３のＡ−Ａ′における断面が図１
４（ａ）の断面図に示されている。多結晶シリコン棒６
は、多結晶シリコン板４が傾いたときにひねりが生ずる
ように、多結晶シリコン板４と同じ高さでブッシング５
の支持部につらなる位置に形成されている。また、多結
晶シリコンガイド８は２つ以上のガイドブッシング７に
支えられ、多結晶シリコン板４が傾いたときに、多結晶
シリコン棒６と共にひねられないように、おさえる役目
をしている。絶縁膜２と多結晶シリコン可動体との関係
は、図１３のＢ−Ｂ′に沿った図１４（ｂ）の断面図に
示されている。静電気引力を受けたとき、ブッシング５
の底面とガイドブッシング７の一部が絶縁膜２と接す
る。多結晶シリコンレール３と電気的に接することがで
きるのはガイドブッシング７の一部分だけである。全て
の多結晶シリコン部品はドナーまたはアクセプタの不純
物がドープされていて導伝体となっている。また、シリ
コン基板１と多結晶シリコンの部品との間は、犠牲層に
ならない絶縁膜２、例えばＣＶＤＳｉ_３Ｎ_４（窒化シ
リコン）により電気的に絶縁されている。

【００４９】以上のように構成された図１３の多結晶シ
リコン可動体におけるブッシング５の支持部のピッチ運
動は前記図５に示した通りである。ただし、図５はピッ
チ運動を説明しやすくするために、図１４（ａ）の断面
図を簡略化して描いている。

【００５０】説明は、多結晶シリコン可動体に静電気引
力が作用していない状態から出発する（図５（ａ））。
多結晶シリコンレール３とシリコン基板１との間に交流
パルス電圧を印加し、多結晶シリコン可動体とシリコン
基板１間にパルスの立ち上がりにおいて静電気引力を作
用する。多結晶シリコン板４は基板方向に引き寄せら
れ、ブッシング５の支持部を中心として、傾いた状態に
なり（図５（ｂ））、ブッシング５は、ブッシング５支
持部を中心とした多結晶シリコン棒６のひねり（回転運
動）のために、その底面を距離ΔＸだけ移動させる。こ
のときの多結晶シリコン板４の傾きは、作用させた静電
気引力の大きさに依存し、多結晶シリコン板４の端が絶
縁膜に接するまで傾き、さらにそれ以上静電気引力が作
用する場合は、多結晶シリコン板４にたわみを伴う。ま
た、多結晶シリコン棒６には、静電気引力によって多結
晶シリコンガイド８が固定されているために、多結晶シ
リコン板４の傾きに応じたひねりが与えられる。

【００５１】多結晶シリコン可動体に作用している静電
気引力を取り除くと（パルスの立ち下がり時）、多結晶
シリコン板４は、多結晶シリコン棒６に生じているひね
りと、場合によっては多結晶シリコン板４に生じている
たわみも含めた力よって、もとの位置より距離ΔＸだけ
移動したブッシング５の底面を中心にして引き起こされ
る（図５（ｃ））。このとき、多結晶シリコンガイド８
は、静電気引力による固定が解かれるために、多結晶シ
リコン板４が引き起こされるのと同時に、その位置を距
離ΔＸだけ移動する。その結果、繰り返しのパルスによ
りブッシング５支持部は距離ΔＸづつ移動するというピ
ッチ運動をする。したがって、多結晶シリコン可動体を
パルスの数に比例して任意の距離だけ移動させることが
できる。

【００５２】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説
明する。図１３に、本発明である多結晶シリコン可動体
の第五の実施例を示す。２本の多結晶シリコンレール３
（幅２０ミクロン、高さ０．３ミクロン）が間隔１８０
ミクロンで形成されている。多結晶シリコン板４、ブッ
シング５、多結晶シリコン棒６、ガイドブッシング７、
多結晶シリコンガイド８は、高濃度に燐がドープされた
厚さ１．５ミクロンの一層の多結晶シリコンにより、一
体に形成されている。また、これらからなる多結晶シリ
コン可動体は、厚さ０．３ミクロンのＣＶＤＳｉ_３Ｎ
_４からなる絶縁膜２によって、シリコン基板１から電気
的に絶縁されている。

【００５３】ブッシング５（長さ８０ミクロン、幅８ミ
クロン、高さ１．７ミクロン）は、多結晶シリコン板４
（長さ１００ミクロン、幅５０ミクロン）が静電気引力
を受けたときに傾くようにもうけた。図１３のＡ−Ａ′
における断面が図１４（ａ）の断面図に示されている。
多結晶シリコン棒６（長さ１０ミクロン、幅４ミクロ
ン）は、多結晶シリコン板４が傾いたときにひねりが生
ずるように、多結晶シリコン板４と同じ高さでブッシン
グ５支持部につらなる位置に形成されている。また、多
結晶シリコンガイド８（長さ８０ミクロン、幅３０ミク
ロン）は２つ以上のガイドブッシング７（長さ１８ミク
ロン、幅８ミクロン、高さ１．７ミクロン）に支えら
れ、多結晶シリコン板４が傾いたときに、多結晶シリコ
ン棒６と共にひねられないように、おさえる役目をして
いる。絶縁膜２と多結晶シリコン可動体との関係は、図
１３のＢ−Ｂ′に沿った図１４（ｂ）の断面図に示され
る。静電気引力を受けたとき、ブッシング５の底面とガ
イドブッシング７の一部が絶縁膜２と接する。多結晶シ
リコンレール３と電気的に接することができるのはガイ
ドブッシング７の一部分だけである。

【００５４】この多結晶シリコン可動体は、たとえばＳ
ｉＯ_２を犠牲材料とし、多結晶シリコンを構造材料とす
るマイクロマシンを作る技術によって実現できる。しか
し、このままでは犠牲材料のエッチングによって、多結
晶シリコン可動体が多結晶シリコンレール３から外れて
しまう。したがって、犠牲材料のエッチングの間、この
多結晶シリコン可動体をシリコン基板１上の多結晶シリ
コンレール３の上にとどめておく機構が必要となる。

【００５５】この上記の実施例の場合、一例として、幅
４ミクロン、長さ５０ミクロンの細い梁を１個の多結晶
シリコンガイド８に１本取り付け、その片側を絶縁膜２
上に固定し、電気的に動作させられる多結晶シリコン可
動体の動く力によって、その梁が折れて切断されること
を利用した機構を用いて、多結晶シリコン可動体を多結
晶シリコンレール３の上にとどめている。

【００５６】多結晶シリコンを構造材料として、十分に
ミクロなスケールに構成された多結晶シリコン可動体を
動作させるには、単にシリコン基板１と２本の多結晶シ
リコンレール３との間に交流パルス電圧を印加するだけ
でよい。たとえば、単相のＡＣ（正弦波）１００Ｖ、５
０Ｈｚをあたえてもよい。すると、この多結晶シリコン
可動体は、ブッシング５支持部におきるピッチ運動を繰
り返し行い、２本の多結晶シリコンレール３にそって、
レールがなくなるところまでシリコン基板１の上を動い
て行く。

【００５７】図１５に、本発明である多結晶シリコン可
動体の第六の実施例を示す。上記の第五の実施例と異な
るところは、多結晶シリコンレール３が１本であり、２
つの多結晶シリコン板４が１つの多結晶シリコンガイド
８をはさんで、多結晶シリコンレール３を中心線とした
対称な位置に同じ大きさに作られていることである。ま
た、２つの多結晶シリコン板４にはそれぞれ１本づつし
か多結晶シリコン棒６がつながっていないことも第五の
実施例と異なるところである。

【００５８】この多結晶シリコン可動体も、シリコン基
板１と多結晶シリコンレール３との間に交流パルス電圧
を与えることによって、多結晶シリコンレール３にそっ
て移動する。このとき、２つの多結晶シリコン板４は同
じ電位になっており、それぞれのブッシング５の支持部
は同じタイミングでピッチ運動をしている。２つの多結
晶シリコン板４は同じ方向に、同じ速さで移動する。こ
の多結晶シリコン可動体は与えられるパルスの数に正確
に比例した移動をする。

【００５９】また、２つ以上の多結晶シリコン板４が、
１つの多結晶シリコンガイド８につながり、それぞれの
ブッシング５支持部が同時にピッチ運動するかたちの多
結晶シリコン可動体でもよい。

【００６０】さらに、第五の実施例のように、２つの多
結晶シリコンガイド８に、２つ以上の多結晶シリコン板
４をつないだかたちの多結晶シリコン可動体でもよい。

【００６１】第五の実施例および第六の実施例に示した
多結晶シリコン可動体は、多結晶シリコン棒６に生ずる
ひねりに加えて、多結晶シリコン板４に生ずるたわみも
利用しながら移動するものでもよい。

【００６２】また、多結晶シリコン可動体の移動速度
は、構造材料に用いている多結晶シリコンの機械的物性
やそのサイズにも依存するので、上記の大きさ以外にそ
れぞれの目的に合わせた大きさでもよい。

【００６３】図１６に、本発明の他の実施例である多結
晶シリコン可動体の第七の実施例を示す。この第七の実
施例は、リング状に形成した直径の異なる２つの多結晶
シリコンガイド８を、中心を同じにして配置し、その間
に第五の実施例で示したかたちの多結晶シリコン板４と
ブッシング５と多結晶シリコン棒６を、多結晶シリコン
棒６がその半径方向にそうように２組配置し、それらを
一層の多結晶シリコン膜で一体に形成したものである。

【００６４】この多結晶シリコン可動体は、シャフト１
０を中心に回転できるように形成されていて、内側の多
結晶シリコンガイド８が、キャップ９によってシャフト
１０から外れないように押さえられている。したがっ
て、第五、第六の実施例には必要であった犠牲材料エッ
チング時の、細い奨を用いた機構は必要ない。また、外
側の多結晶シリコンガイド８は、ガイドブッシング７を
通して多結晶シリコンレール３から電位を与えられる。

【００６５】この第七の実施例は多結晶シリコン板４を
２つ備えているが、１つであっても、そのブッシング５
支持部がピッチ運動するのであれば、この多結晶シリコ
ン可動体は回転することがでる。したがって、この実施
例では、ブッシング５と一体に形成された多結晶シリコ
ン板４が、少なくとも１つ以上あればよい。

【００６６】また、外側の多結晶シリコンガイド８を省
略して、外側の多結晶シリコン棒６の端にガイドブッシ
ング７のみを取り付けた形であっても、内側の多結晶シ
リコン棒６がひねられることによって回転することがで
き、そのような多結晶シリコン可動体でもよい。

【００６７】以上の説明のようにように、本発明はシリ
コン基板１を片側電極として、多結晶シリコン可動体に
交流パルス電圧を与え、移動させるものである。

【００６８】ミクロな多結晶シリコン可動体の移動でき
る範囲は、多結晶シリコンレール３を用いることによっ
て、シリコンウエハ全面に及ぼすこともできる。

【００６９】また、大きな静電気引力を得るのに、多結
晶シリコン板４の面積を大きくするか、ブッシング５の
高さを低くするだけでよく、技術的になんら複雑なこと
はない。

【００７０】さらに、パルスの立ち上がりで多結晶シリ
コン棒６にひねりを生ずると同時に多結晶シリコンガイ
ド８もシリコン基板１に引き付けておくので、多結晶シ
リコン可動体が基板から離れたり、レールからはずれる
ことはない。

【００７１】本発明によれば、１回のピッチ運動によっ
て多結晶シリコン可動体が移動できる距離ΔＸはごくわ
ずかであるが、移動できる距離は与えるパルスの数によ
り正確に制御することができる。また、与える単相電源
の周波数や振幅を変えることによって移動速度を変える
ことができる。

【００７２】いくつもの多結晶シリコン板４を多結晶シ
リコンガイド８を共通にしてアレイ状に形成することに
よって、多結晶シリコン可動体をシリコンウエハの２次
元平面上で自由に移動させうる。

【００７３】さらに、第七の実施例のように回転体とし
て構成した場合は、他の歯車と連結して動力を伝えるマ
イクロマシンのシステムを構成することができる。

【００７４】

【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので配線や電極構造だけでなく、駆動機構の構造
が単純で、静電力と弾性力を有効に活用して効率よく機
械力に変換・伝達でき、それ自体に制御機能を内在し、
ピッチ運動やラッチ機能をも実現可能な微小な可動体を
提供できる。さらに、多結晶シリコンのもつ弾性を利用
して、加えた静電気引力を前進運動にかえ、確実に運動
するミクロの可動体をシリコンウエハ上に形成すること
ができる。結果としてマイクロマシン全体が簡素化、小
型化できるので、マイクロマシンを実用化する上で大き
な効果を発揮する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第一の実施例を示す構成図である。

【図２】本発明の第一の実施例における動作原理を説明
するための説明図である。

【図３】本発明の第一の実施例に係る変形例の構造と動
作原理を説明するための説明図である。

【図４】本発明の第二の実施例の構成を示す斜視図であ
る。

【図５】本発明の第二の実施例の動作原理を説明するた
めの説明図である。

【図６】本発明の第二の実施例の変形例の構成と動作原
理を説明するための説明図である。

【図７】本発明の第三の実施例の構成を示す斜視図であ
る。

【図８】本発明の第三の実施例の動作原理を示す説明図
である。

【図９】本発明の第三の実施例に係る変形例を示す説明
図である。

【図１０】本発明の第三の実施例の変形例を示す斜視図
である。

【図１１】本発明の第三の実施例に係る変形例を示す斜
視図である。

【図１２】本発明の第四の実施例の構成と動作原理を説
明するための説明図である。

【図１３】本発明の第五の実施例の構成を示す斜視図で
ある。

【図１４】本発明の第五の実施例の構成を示す断面図で
ある。

【図１５】本発明の第六の実施例の構成を示す斜視図で
ある。

【図１６】本発明の第七の実施例の構成を示す斜視図で
ある。

【図１７】本発明を説明するための従来例

【符号の説明】

１シリコン基板２絶縁膜３多結晶シリコンレール４多結晶シリコン板５、５０ブッシング５１ブッシング支持部５２ブッシング足６多結晶シリコン棒７ガイドブッシング８多結晶シリコンガイド９キャップ１０シャフト１１１電極１１２電極１１３電極１２スプリング支持体１２１弾性板１３ツメ１６枠体１７梁１００、５００、７００可動部２００、６００、８００固定部３００駆動部１０１基板１０２シャフト１０３ロータ電極１０４ステータ電極１６１、１６２、１６３、１６４矢印１１１１、１１２２、１１２１矢印１１１３矢印

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開平４−211218（ＪＰ，Ａ) 特開平１−186179（ＪＰ，Ａ) 特開平４−127833（ＪＰ，Ａ) 特開昭58−108976（ＪＰ，Ａ) 特開平５−56666（ＪＰ，Ａ) 特開平５−116757（ＪＰ，Ａ) 特表平４−500045（ＪＰ，Ａ) 秋山照伸他２名，多結晶シリコンで作ったターンテーブルとスライダ −静電気力によるステップ運動−，第70期通常総会講演会講演論文集（ＩＩＩ），日本，社団法人日本機械学会，1993年３月25日，Ｎｏ．930−９，Ｐ515−517 庄野克房他１名，シリコンを使った静電モータ，日本ロボット学会誌，日本，社団法人ロボット学会，1990年８月，８巻４号，Ｐ89−91 (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H02N 1/00 H02N 11/00 B81B 3/00 B81B 5/00

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁膜を介してシリコン基板と多結晶シ
リコン板との間に交流パルスを加え、その立ち上がりにおいて、多結晶シリコン板のブッシング支持部につらなる多結晶
シリコン棒にひねりをあたえ、立ち下がりにおいて、ひねられた多結晶シリコン棒がもとにもどることを利用
して、ブッシング支持部がピッチ運動をする、ことを特徴とする微小可動体。
【請求項２】多結晶シリコン棒のひねりに加えて、多
結晶シリコン板がたわむことも利用した請求項１に記載
の微小可動体。
【請求項３】電極を有する固定部と、電極と、ブッシングと、前記電極と前記ブッシングとを
連結するブッシング支持部と、を有し、少なくとも一部
が弾性部材で形成された可動部と、前記固定部の電極と前記可動部の電極との間に介在され
る絶縁膜と、を備えることを特徴とする微小可動体。
【請求項４】前記可動部が一体形成されていることを
特徴とする請求項３に記載の微小可動体。
【請求項５】前記可動部を支持するとともにねじり変
形する弾性支持部材を有することを特徴とする請求項３
又は４に記載の微小可動体。
【請求項６】前記弾性支持部材が前記可動部のブッシ
ング支持部を支持することを特徴とする請求項３及至５
のいずれか一項に記載の微小可動体。
【請求項７】電極と、前記電極上に絶縁膜を介してな
る導電性を有するレールと、を有する固定部と、電極と、ブッシングと、前記電極と前記ブッシングとを
連結するブッシング支持部と、前記ブッシング支持部に
接続する弾性支持部材と、前記弾性支持部材に接続する
ガイドと、前記ガイドと前記導電性レールに接するガイ
ドブッシングと、を有する可動部と、を備え、前記固定部の電極と前記導電性レールにパルスを印加す
ることで、前記可動部電極が前記固定部側に引き寄せら
れ、前記ブッシングが前記固定部上で移動し、ピッチ運
動を行い、該可動部が該導電性レールに沿って移動す
る、ことを特徴とする微小可動体。
【請求項８】前記可動部の電極、前記ブッシング、前
記ブッシング支持部と前記弾性支持部材、前記ガイド、
前記ガイドブッシング、前記導電性レールは、ドナー又はアクセプタの不純物がドープされた導電性を
有する多結晶シリコンからなる、ことを特徴とする請求項７に記載の微小可動体。
【請求項９】パルスを印加することで前記可動部電極
が前記固定部に接してたわみ変形することを特徴とする
請求項３乃至８のいずれか一項に記載の微小可動体。
【請求項１０】前記弾性支持部材が多結晶シリコンか
らなることを特徴とする請求項３及至９のいずれか一項
に記載の微小可動体。
【請求項１１】パルスを印加することで、前記電極と
前記ブッシングとで挟まれた頂点部が弾性変形すること
を特徴とする請求項３に記載の微小可動体。
【請求項１２】パルスを印加することで、前記ブッシ
ングが弾性変形することを特徴とする請求項３又は１１
に記載の微小可動体。
【請求項１３】前記固定部が給電電極を有することを
特徴とする請求項３に記載の微小可動体。
【請求項１４】２つのブッシングを有することを特徴
とする請求項３又は１３に記載の微小可動体。
【請求項１５】前記可動部の少なくとも一部が多結晶
シリコンからなることを特徴とする請求項３及至１４の
いずれか一項に記載の微小可動体。
【請求項１６】前記弾性支持部材が前記可動部の電極
を支持することを特徴とする請求項３に記載の微小可動
体。
【請求項１７】前記可動部がスプリング支持体を有す
ることを特徴とする請求項１６に記載の微小可動体。
【請求項１８】前記固定部が、絶縁膜を有するシリコ
ン基板からなることを特徴とする請求項３及至１7のい
ずれか一項に記載の微小可動体。