JP3497463B2 - Hot plate unit for semiconductor manufacturing equipment - Google Patents
Hot plate unit for semiconductor manufacturing equipmentInfo
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- JP3497463B2 JP3497463B2 JP2000356425A JP2000356425A JP3497463B2 JP 3497463 B2 JP3497463 B2 JP 3497463B2 JP 2000356425 A JP2000356425 A JP 2000356425A JP 2000356425 A JP2000356425 A JP 2000356425A JP 3497463 B2 JP3497463 B2 JP 3497463B2
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- casing
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置用
ホットプレートユニットに関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体製造プロセスにおいて、例えば感
光性樹脂塗布工程を経たシリコンウェハを加熱乾燥させ
る場合、通常、ホットプレートと呼ばれる加熱装置が用
いられる。
【0003】この種の装置の従来例としては、例えば特
公平4−13837号公報に開示されたもの等がある。
同公報における装置は、電熱部材としての窒化アルミニ
ウム焼結体製のホットプレートと、そのプレートに設け
られる抵抗体とからなる。抵抗体はホットプレートを構
成するセラミック基材間に挟持されている。プレートの
側方に突出している抵抗体の両端部は、それぞれ配線を
介して電源に接続される。
【0004】そして、ホットプレートの上面側に被加熱
物であるシリコンウェハを載置し、この状態で抵抗体に
通電することにより、シリコンウェハが数百℃に加熱さ
れるようになっている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、抵抗体への
通電により所定時間の加熱を行なって感光性樹脂を乾燥
させた場合、まずホットプレートをある程度低い温度ま
で放冷し、その後でシリコンウェハを取り外す必要があ
る。しかしながら、放冷にはある程度の時間を要し、こ
のことが生産性の向上を図るうえで障害となっている。
【0006】そこで、例えば前記プレートの下面側に冷
却用配管を設けてその配管に冷却水を通じることによ
り、プレートを強制的に冷却して冷却時間を短縮せんと
する対策が考えられる。しかし、このような対策では、
ユニット全体の構造が複雑になるばかりでなく、嵩張っ
て大型化してしまうおそれがある。
【0007】また、ホットプレートの下面側にエアを吹
き付けることにより、プレートを強制的に冷却して冷却
時間を短縮せんとする対策も考えられる。しかし、この
ような対策では、エアに含まれる水分や塵埃によって装
置の周囲が汚染されてしまうおそれがあり、現時点では
実現性に乏しい。
【0008】 本発明は上記の課題に鑑みてなされたも
のであり、その目的は、構造の複雑化や大型化を伴うこ
となく、短時間で冷却しうる半導体製造装置用ホットプ
レートユニットを提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、請求項1に記載の発明では、ケーシングの開口部
に、抵抗体を有するセラミック製のホットプレートを設
置してなるホットプレートユニットであって、前記ケー
シングには、冷却用流体を供給する流体供給ポートと、
冷却用流体を排出する流体排出ポートもしくは冷却用流
体を排出する開口を設けてなるとともに、冷却するため
の流体を流通可能な空間が前記ケーシングと前記ホット
プレートとにより構成されてなり、前記ケーシングにお
ける配線引き出し部には、シール構造が設けられている
ことを特徴とする半導体製造装置用ホットプレートユニ
ットをその要旨とする。
【0010】以下、本発明の「作用」について説明す
る。本発明によると、ケーシングとホットプレートとに
より構成された空間に流体を流通することによって、ホ
ットプレートを強制的に冷却することが可能となり、放
冷に比べて短時間で済むようになる。また、冷却用配管
等の設置も不要なため、ユニット全体の構造が複雑化し
たり、嵩張って大型化してしまう心配もない。しかも、
ケーシングにおける配線引き出し部がシールされること
で、当該部分を介した装置外部への流体の漏れ出しが防
止され、前記空間により高い密閉性が確保される。さら
に、引き出された配線が配線引出し部の開口縁に直接当
たって擦れるようなことがなくなるため、配線に与える
ダメージが小さくなり、装置の信頼性も向上する。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明を具体化した一実施
形態のホットプレートユニット1を図1,図2に基づき
詳細に説明する。
【0012】図1,図2に示されるホットプレートユニ
ット1は、ケーシング2及びホットプレート3を主要な
構成要素として備えている。ケーシング2は有底状の金
属製部材(ここではアルミニウム製部材)であって、断
面円形状の開口部4をその上部側に備えている。このケ
ーシング2の底部2aの中心部における3箇所には、図
示しないリフトピンが挿通されるピン挿通スリーブ5が
設けられている。これらのリフトピンは、シリコンウェ
ハW1を3点で支持した状態で同シリコンウェハW1を
昇降させる。底部2aの外周部には、ホットプレート3
に電流を供給するリード線6を挿通するための配線引出
用孔7が形成されている。
【0013】本実施形態のホットプレート3は、感光性
樹脂が塗布されたシリコンウェハW1を200〜300
℃にて乾燥させるための低温用ホットプレート3であ
る。このホットプレート3は、セラミック焼結体からな
る板状基材9に、抵抗体としての配線抵抗10を設ける
ことにより構成されている。この板状基材9は、後述す
るシールリング14を介して、ケーシング2の開口部4
に設置される。これを設置することにより、ケーシング
2の内面側とホットプレート3の下面側との間には、略
密閉された空間S1が形成される。
【0014】ここで、ユニット1の厚さは5mm〜10
0mmに設定されていることがよく、特には10mm〜
50mmに設定されていることがよい。その理由は、ユ
ニット1が厚くなりすぎると、全体が嵩張って大型化し
てしまうからである。逆に、ユニット1を薄くしようと
すると、ホットプレート3やケーシング2を薄く形成し
なければならず、製造が困難になるおそれがあるからで
ある。そして、本実施形態では、以上のことに鑑みて厚
さを20mmに設定している。
【0015】図1に示されるように、ホットプレート3
を構成する板状基材9は円形状であって、ケーシング2
の外形寸法より若干小径となるように設計されている。
配線抵抗10は、板状基材9の下面側において同心円状
ないし渦巻き状に形成されている。ホットプレート3の
中心部には、各リフトピンに対応した3箇所にそれぞれ
ピン挿通孔11が透設されている。
【0016】板状基材9を構成するセラミック焼結体と
しては、耐熱性に優れかつ熱伝導率が高いという性質を
有する窒化物セラミック焼結体を選択することがよい。
窒化物セラミックとしては、例えば窒化アルミニウ
ム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化チタン等のような金
属窒化物セラミックの焼結体が好ましく、なかでも窒化
アルミニウム焼結体が望ましい。その理由は、上記の焼
結体中で熱伝導率が最も高いからである。なおこれらの
他に、炭化ケイ素、炭化ジルコニウム、炭化チタン、炭
化タンタル、炭化タングステン等のような金属炭化物セ
ラミックの焼結体を選択してもよい。
【0017】本実施形態の配線抵抗10は、焼結体であ
る板状基材9に対して導電ペーストを焼き付けることに
より形成されたものである。導電ペーストとしては、金
属粒子、金属酸化物、樹脂、溶剤などを含むものが一般
的に使用される。 導電ペーストに使用される好適な金
属粒子としては、例えば、金、銀、白金、パラジウム、
鉛、タングステン、ニッケル等が挙げられる。これらの
金属は高温に晒されても比較的酸化しにくく、通電によ
り発熱させるにあたって充分大きな抵抗値を示すからで
ある。導電ペーストに使用される好適な金属酸化物とし
ては、例えば、酸化鉛、酸化亜鉛、シリカ、酸化ホウ
素、アルミナ、イットリア、チタニア等が挙げられる。
【0018】図2に示されるように、配線抵抗10の端
部には、外部接続端子としてのパッド10aが形成され
ている。これらのパッド10aには、導電性材料からな
る端子ピン12の基端部がはんだ付けされている。その
結果、各端子ピン12と配線抵抗10との電気的な導通
が図られている。一方、各端子ピン12の先端部には、
リード線6の先端部にあるソケット6aが嵌着されてい
る。従って、リード線6及び端子ピン12を介して配線
抵抗10に電流が供給される結果、配線抵抗10の温度
が上昇し、ホットプレート3全体が加熱される。
【0019】図2に示されるように、ケーシング2の開
口部4の上縁には、複数のねじ孔13が等間隔に透設さ
れている。同じく前記開口部4の上縁には、シール構造
としてのシールリング14が配設されている。同シール
リング14は、環状をなしかつ開口部4の大きさとほぼ
等しくなっている。シールリング14の形成用材料とし
ては、例えば樹脂や、ゴム等のような弾性体などが好ま
しい。シールリング14において各ねじ孔13に対応す
る箇所には、複数のねじ孔15が透設されている。シー
ルリング14の内周面には、ホットプレート3の下面側
外周部を水平に支持するための支持段部16がその全周
にわたって形成されている。なお、支持段部16にホッ
トプレート3を支持させたとき、シールリング14の上
端面の高さとホットプレート3の上面の高さとがほぼ同
一になる。
【0020】そして、本実施形態におけるシールリング
14は、ケーシング2の開口部4の上縁とホットプレー
ト3の下面外周部とがなす隙間をシールすることで、当
該隙間を介したエアの流通を防止する役割を担ってい
る。
【0021】図1,図2に示されるように、シールリン
グ14の上面には、係止リング21がねじ25により固
定されている。この係止リング21は、環状の本体22
と、複数のねじ孔23と、複数の係止片24とを有す
る。支持段部16にセットされたホットプレート3は、
各係止片24によって板厚方向から押圧されることによ
り、シールリング14に挟持固定される。
【0022】図1に示されるように、ケーシング2の底
部2aには、流体供給ポート17及び流体排出ポート1
8がそれぞれボルト等を用いて設置されている。本実施
形態において前記両ポート17,18は、互いに離間し
た位置に配設されている。両ポート17,18は、内端
面及び外端面の両方において開口する流路を備えてい
る。このため、その流路を介してケーシング2の内外が
連通されている。
【0023】流体供給ポート17の外端面側の開口部の
内周面には雌ねじ溝が形成されていて、当該開口部には
図示しない流体供給用の配管の一端が着脱可能となって
いる。この配管の他端は気体圧送ポンプに接続されてい
るため、同配管を介して冷却用流体としてのエアが供給
されるようになっている。一方、流体排出ポート18の
外端面側の開口部の内周面にも雌ねじ溝が形成されてい
て、当該開口部には図示しない流体排出用の配管の一端
が着脱可能となっている。ケーシング2内のエアは、こ
の配管を介して外部に排出される。なお、前記配管の他
端は装置からいくぶん離れた箇所にて開放されている。
【0024】図2に示されるように、上記の配線引出用
孔7には、シール構造としてのシールパッキング8が装
着されている。このシールパッキング8は環状をなして
おり、ゴム等のような好適な弾性体によって形成されて
いる。各リード線6は、このシールパッキング8の貫通
孔に挿通されたうえでケーシング2の外部に引き出され
ている。即ち、本実施形態におけるシールパッキング8
は、各リード線6と配線引出用孔7とがなす隙間をシー
ルすることで、当該隙間を介したエアの流通を防止する
役割を担っている。
【0025】さて、次にこのホットプレートユニット1
の使用方法について説明する。感光性樹脂が塗布された
シリコンウェハW1をホットプレート3上に載置し、こ
の状態で配線抵抗10に通電する。すると、加熱された
ホットプレート3との接触によって、シリコンウェハW
1の温度が次第に上昇する。所定時間のあいだ加熱を行
なうことにより感光性樹脂が充分に乾燥したら、配線抵
抗10への通電を止める。
【0026】ここで、気体圧送ポンプを駆動して流体供
給ポート17側に冷却用のエアを供給し、同ポート17
を介してエアを密閉空間S1内に導入する。流体供給ポ
ート17を経て吐出されたエアは、密閉空間S1内にて
ホットプレート3の下面側に接触しながら、流体排出ポ
ート18のほうに向かって流れる。その際、同エアによ
ってホットプレート3の熱が奪われる。熱を奪って温度
が上昇したエアは、さらに流体排出ポート18を経て再
び空間の外に流出し、汚染の心配のない別の空間にて放
出される。なお、一連のエアの流れは、図1における太
線矢印により概略的に示されている。そして、ホットプ
レート3がある程度低い温度まで冷やされたら、シリコ
ンウェハW1をホットプレート3から取り外す。
【0027】従って、本実施形態によれば以下のような
効果を得ることができる。
(1)このホットプレートユニット1では、上記のごと
く略密閉された空間S1がケーシング2とホットプレー
ト3との間に形成されている。ホットプレート3の下面
側には端子ピン12等の突起物が存在するものの、それ
らはケーシング2とホットプレート3と間に形成された
空間S1内に配置されている。即ち、前記突起物は装置
の外部に非露出となり、いわば保護された状態となる。
従って、突起物の存在如何に関係なく、ケーシング2の
底面を図示しない支持ステージに対して、困難なく取り
付けることができる。
【0028】(2)また、ケーシング2とホットプレー
ト3との間に形成された空間S1は、略密閉されている
ことから、エアを流通可能なものとなっている。このた
め、空間S1内へのエアの流通によってホットプレート
3を強制的に冷却することが可能となり、放冷に比べて
冷却に要する時間が短くて済むようになる。ゆえに、こ
のホットプレートユニット1を用いれば、1回の乾燥処
理に要する時間が確実に短縮され、もって生産性の向上
を図ることができる。
【0029】なお、空間S1は開放状態ではなく略密閉
状態であることから、装置の外部にエアが漏れ出しにく
く、それによって周囲を汚染する心配もない。即ち、本
実施形態によれば、クリーンなユニット1を実現するこ
とができる。
【0030】また、この構成によれば、冷却用配管等の
設置も不要なため、ユニット1全体の構造が複雑化した
り、嵩張って大型化してしまう心配もない。
(3)本実施形態では、ケーシング2にその内外を連通
させる流体供給ポート17と流体排出ポート18とがそ
れぞれ設けられている。従って、両ポート17,18を
介して密閉空間S1内にエアを効率よく循環することに
より、ホットプレート3を強制冷却し、比較的短時間の
うちに低い温度に戻すことができる。
【0031】(4)このホットプレートユニット1で
は、ケーシング2の開口部4の上縁とホットプレート3
の下面外周部との間にシールリング14を設け、当該部
分における隙間のシールを図っている。よって、ケーシ
ング2−ホットプレート3間の隙間を介した装置外部へ
のエア漏れが防止され、空間S1により高い密閉性を確
保できる。このことはエア排出による周囲の汚染防止の
確実化に貢献する。
【0032】(5)また、このホットプレートユニット
1では、さらに底部2aの配線引出用孔7にシールパッ
キング8を設け、その配線引出用孔7にリード線6を挿
通させている。従って、配線引出用孔7を介した装置外
部へのエア漏れが防止され、空間S1により高い密閉性
を確保できる。このこともエア排出による周囲の汚染防
止の確実化に貢献する。
【0033】さらに、引き出されたリード線6が配線引
出し用孔7の開口縁に直接当たって擦れるようなことが
なくなる。このため、リード線6に与えるダメージが小
さくなり、擦れによってリード線6の導体部分が露出し
たり、あるいは導体部分が断線してしまうようなことが
未然に防止される。ゆえに、装置の信頼性が確実に向上
する。
【0034】(6)本実施形態では、ユニット1の厚さ
を上記好適範囲内に設定しているため、製造の困難化及
び大型化を回避することができる。なお、本発明の実施
形態は以下のように変更してもよい。
【0035】・ 密閉性がある程度確保されるのであれ
ば、シールリング14を省略するとともに、ケーシング
2の開口部4の上面に直かに係止リング21をねじ止め
し、この状態で開口部4にホットプレート3を取り付け
てもよい。即ち、ホットプレート3はケーシング2に対
して直接取り付けられることができる。
【0036】・ 配線引き出し部である配線引出用孔7
を、ケーシング2の底部2a以外の場所、例えばケーシ
ング2の側壁部に配設してもよい。同様に、ポート1
7,18をケーシング2の側壁部に配設してもよい。な
お、配線引出用孔7やポート17,18の設置数は、必
要に応じて増減することが勿論可能である。
【0037】・ ケーシング2に区画された密閉空間S
1内には、エア(空気)以外の気体、例えば炭酸ガスや
窒素等の不活性ガスを冷却用流体として流通することも
可能である。また、電気的構成に悪影響を与えないもの
であれば、液体を冷却用流体として流通させることも許
容されうる。
【0038】・ 上記のホットプレート3を構成する板
状基材9に、必要に応じて熱電対を埋め込んでおいても
よい。熱電対によりホットプレート3の温度を測定し、
そのデータをもとに電圧値や電流値を変えることで、温
度制御をすることができるからである。この場合、熱電
対のリード線も同じくシールパッキング8を介して外部
に引き出しておくことがよい。
【0039】・ 図3に示す別例のホットプレートユニ
ット1のように、ケーシング2から流体排出ポート18
を省略して、単なる排気用孔31にしてもよい。即ち、
ユニット1の内部は、必ずしも実施形態のような略密閉
状態の空間になっていなくても(言い換えると開放状態
の空間であっても)よい。この構成によれば、部品点数
が減り、ユニット1の構造が簡略化される。
【0040】・ 図4に示す別例のホットプレートユニ
ット1のように構成してもよい。即ち、ここでは有底状
でないケーシング2Aを用いている。このような底なし
のケーシング2Aの内側には、開口としての排気用孔3
1を有する金属製の中底板41が設けられている。この
別例の中底板41は、略コ字状の支持金具42によって
支持された状態で、ねじ43及びナット44を用いてケ
ーシング2Aの被固定部45の上面に固定されている。
そして、この別例の構造においても、空間が密閉状態で
はなくなっている。エアはケーシング2Aと中底板41
との隙間からも外部に抜け出すことが可能となってい
る。前記中底板41には開口が形成されていてもよい。
【0041】ここで、前記図4の別例のホットプレート
3の製造工程の一例を説明する。
(1)窒化アルミニウム粉末(トクヤマ社製、平均粒径
1.1μm)100重量部、酸化イットリウム(Y
2O3:イットリア、平均粒径0.4μm)4重量部、ア
クリル系樹脂バインダ(三井化学製SA−545 酸価
0.5)12重量部を混合し、成形型に入れて成形体と
した。
【0042】(2)成形体を窒素雰囲気中で350℃、
4時間加熱して、アクリル系樹脂バインダを熱分解させ
た。
(3)成形体を1890℃、圧力150kg/cm2の
条件で3時間ホットプレスして、窒化アルミニウム焼結
体を得た。
【0043】(4)上記(3)で得た焼結体の底面に、
スクリーン印刷にて導電ペーストを印刷した。印刷パタ
ーンは、同心円状のパターンとした。導電ペーストとし
ては、プリント配線板のスルーホール形成に使用されて
いる徳力化学研究所製の「ソルベストPS603D」を
使用した。この導電ペーストは、銀・鉛ペーストであ
り、銀100重量部に対して、酸化鉛(5重量%)、酸
化亜鉛(55重量%)、シリカ(10重量%)、酸化ホ
ウ素(25重量%)及びアルミナ(5重量%)からなる
金属酸化物を7.5重量部含むものであった。
【0044】(5)次に、導電ペーストを印刷した焼結
体を780℃で加熱、焼成して、導電ペースト中の銀、
鉛を焼結させるとともに、それを焼結体に焼き付け、抵
抗体の一部(発熱体)を形成した。銀・鉛の発熱体は、
厚さが5μm、幅が2.4mm、面積抵抗率が7.7m
Ω/□であった。
【0045】(6)硫酸ニッケル80g/l、次亜リン
酸ナトリウム24g/l、酢酸ナトリウム12g/l、
ほう酸8g/l、塩化アンモニウム6g/lを含む水溶
液からなる無電解ニッケルめっき浴に、上記(4)で作
製した焼結体を浸漬した。そして、錫・鉛の発熱体の表
面に厚さ1μmの金属被覆層(ニッケル層)を析出させ
て、抵抗体としての配線抵抗10とした。
【0046】(7)電源との接続を確保するための端子
を取り付ける部分に、スクリーン印刷により、銀・鉛は
んだペースト(田中貴金属社製)を印刷してはんだ層を
形成した。次いで、はんだ層の上にコバール製の端子ピ
ン12を載置して、300℃で加熱リフローし、端子ピ
ン12を接続パッド10aの表面に取り付けた。
【0047】(8)温度制御のための熱電対を有底穴に
挿入し、かつポリイミド樹脂を充填した後、190℃で
2時間硬化させ、ホットプレート3を得た。そして、こ
のホットプレート3を図3のユニット1に組み込んだ。
シールリング14の材料としてはフッ素樹脂を使用し
た。このユニット1について140℃まで温度を上昇さ
せた後、流体供給ポート17から空気を流し込んで90
℃に降温するまでの冷却時間を測定したところ、3分で
あった。
【0048】さらに、前記(1)〜(8)の手順でホッ
トプレート3を製造するとともに、そのホットプレート
3を内部に空気の流路を設けたアルミニウム板に接触さ
せ、これを比較例とした。この比較例について140℃
まで温度を上昇させた後、空気を流し込んで90℃に降
温するまでの冷却時間を測定したところ、8分であっ
た。
【0049】次に、特許請求の範囲に記載された技術的
思想のほかに、前述した実施形態によって把握される技
術的思想をその効果とともに以下に列挙する。
(1) 請求項1において、前記配線引き出し部に設け
られたシール構造は、弾性体からなる環状のシールパッ
キングであること。従って、この技術的思想1に記載の
発明によれば、シールパッキングに挿通された配線と配
線引き出し部との間に隙間ができにくくなり、装置外部
への流体の漏れ出しがより確実に防止され、密閉性が向
上する。
【0050】(2) 請求項1または技術的思想におい
て、前記流体はエア(空気)であること。従って、この
技術的思想2に記載の発明によれば、低反応性であり抵
抗体間ショートの心配がなく、かつ低コスト化にも有利
である。
【0051】
【発明の効果】以上詳述したように、請求項1に記載の
発明によれば、構造の複雑化や大型化を伴うことなく、
短時間で冷却しうる半導体製造装置用ホットプレートユ
ニットを提供することができる。また、よりいっそうク
リーンなものとすることができる。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a hot plate unit for a semiconductor manufacturing apparatus . 2. Description of the Related Art In a semiconductor manufacturing process, for example, when heating and drying a silicon wafer after a photosensitive resin coating step, a heating device called a hot plate is usually used. [0003] As a conventional example of this type of apparatus, there is, for example, one disclosed in Japanese Patent Publication No. 4-13837.
The apparatus disclosed in the publication includes a hot plate made of an aluminum nitride sintered body as an electric heating member, and a resistor provided on the plate. The resistor is sandwiched between ceramic substrates constituting a hot plate. Both ends of the resistor protruding to the side of the plate are respectively connected to a power supply via wiring. [0004] A silicon wafer to be heated is placed on the upper surface side of the hot plate, and a current is applied to the resistor in this state, whereby the silicon wafer is heated to several hundred degrees Celsius. When the photosensitive resin is dried by heating the resistor for a predetermined period of time by energizing the resistor, the hot plate is first cooled to a somewhat lower temperature, and then cooled. It is necessary to remove the silicon wafer. However, it takes a certain amount of time to cool, and this is an obstacle to improving the productivity. Therefore, for example, a countermeasure may be taken to provide a cooling pipe on the lower surface side of the plate and pass cooling water through the pipe, thereby forcibly cooling the plate to reduce the cooling time. However, with such measures,
Not only is the structure of the whole unit complicated, but also the unit may be bulky and large. [0007] A countermeasure to reduce the cooling time by forcibly cooling the plate by blowing air on the lower surface side of the hot plate is also conceivable. However, with such a measure, the surroundings of the device may be contaminated by moisture or dust contained in the air, which is not feasible at present. The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a hot plate unit for a semiconductor manufacturing apparatus which can be cooled in a short time without complicating the structure or increasing the size. It is in. According to the first aspect of the present invention, a ceramic hot plate having a resistor is provided at an opening of a casing. A hot plate unit, wherein the cable
A fluid supply port for supplying a cooling fluid to the thing,
Fluid discharge port or cooling flow for discharging cooling fluid
It has an opening for discharging the body and for cooling
Fluid can flow space is constituted by said hot plate and the casing, the wire lead portion in the casing, the hot plate unit for a semiconductor manufacturing apparatus characterized by seal structure is provided This is the gist. Hereinafter, the "action" of the present invention will be described. According to the present invention, it is possible to forcibly cool the hot plate by flowing the fluid through the space formed by the casing and the hot plate, and it is possible to perform the cooling in a shorter time than the cooling. In addition, since there is no need to provide a cooling pipe or the like, there is no fear that the structure of the entire unit becomes complicated or bulky and large. Moreover,
By sealing the wiring lead-out portion in the casing, leakage of the fluid to the outside of the device through the portion is prevented, and higher airtightness is secured in the space. Further, since the drawn wiring does not directly rub against the opening edge of the wiring drawing portion, damage to the wiring is reduced, and the reliability of the device is improved. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a hot plate unit 1 according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. The hot plate unit 1 shown in FIGS. 1 and 2 includes a casing 2 and a hot plate 3 as main components. The casing 2 is a bottomed metal member (in this case, an aluminum member), and has an opening 4 having a circular cross section on an upper side thereof. Pin insertion sleeves 5 through which lift pins (not shown) are inserted are provided at three places at the center of the bottom 2 a of the casing 2. These lift pins raise and lower the silicon wafer W1 while supporting the silicon wafer W1 at three points. A hot plate 3 is provided on the outer periphery of the bottom 2a.
Is formed with a wire drawing hole 7 for inserting a lead wire 6 for supplying a current to the wire. The hot plate 3 of the present embodiment is provided with a silicon wafer W1 on which a photosensitive resin is applied.
This is a low-temperature hot plate 3 for drying at a temperature of 0 ° C. This hot plate 3 is configured by providing a wiring resistance 10 as a resistor on a plate-like base material 9 made of a ceramic sintered body. The plate-shaped base material 9 is connected to the opening 4 of the casing 2 via a seal ring 14 described later.
Installed in By installing this, a substantially sealed space S1 is formed between the inner surface side of the casing 2 and the lower surface side of the hot plate 3. Here, the thickness of the unit 1 is 5 mm to 10 mm.
It is often set to 0 mm, especially 10 mm ~
It may be set to 50 mm. The reason is that if the unit 1 is too thick, the whole becomes bulky and large. Conversely, if the unit 1 is to be made thinner, the hot plate 3 and the casing 2 must be made thinner, which may make production difficult. In the present embodiment, the thickness is set to 20 mm in consideration of the above. [0015] As shown in FIG.
Is formed in a circular shape, and the casing 2
It is designed to have a slightly smaller diameter than the external dimensions of.
The wiring resistor 10 is formed concentrically or spirally on the lower surface side of the plate-shaped base material 9. In the center of the hot plate 3, pin insertion holes 11 are provided at three positions corresponding to the respective lift pins. As the ceramic sintered body constituting the plate-shaped substrate 9, it is preferable to select a nitride ceramic sintered body having excellent heat resistance and high thermal conductivity.
As the nitride ceramic, for example, a sintered body of a metal nitride ceramic such as aluminum nitride, silicon nitride, boron nitride, titanium nitride or the like is preferable, and among them, an aluminum nitride sintered body is desirable. The reason is that the thermal conductivity is the highest in the above-mentioned sintered body. In addition to these, a sintered body of a metal carbide ceramic such as silicon carbide, zirconium carbide, titanium carbide, tantalum carbide, tungsten carbide, or the like may be selected. The wiring resistor 10 of the present embodiment is formed by baking a conductive paste on a plate-like base material 9 which is a sintered body. As the conductive paste, those containing metal particles, metal oxides, resins, solvents and the like are generally used. Suitable metal particles used for the conductive paste, for example, gold, silver, platinum, palladium,
Lead, tungsten, nickel and the like can be mentioned. This is because these metals are relatively unlikely to be oxidized even when exposed to a high temperature, and exhibit a sufficiently large resistance value when generating heat by energization. Suitable metal oxides used for the conductive paste include, for example, lead oxide, zinc oxide, silica, boron oxide, alumina, yttria, titania, and the like. As shown in FIG. 2, a pad 10a as an external connection terminal is formed at an end of the wiring resistor 10. The base ends of the terminal pins 12 made of a conductive material are soldered to these pads 10a. As a result, electrical continuity between each terminal pin 12 and the wiring resistor 10 is achieved. On the other hand, at the tip of each terminal pin 12,
A socket 6a at the tip of the lead wire 6 is fitted. Accordingly, a current is supplied to the wiring resistor 10 via the lead wire 6 and the terminal pin 12, and as a result, the temperature of the wiring resistor 10 increases, and the entire hot plate 3 is heated. As shown in FIG. 2, a plurality of screw holes 13 are formed in the upper edge of the opening 4 of the casing 2 at regular intervals. Similarly, a seal ring 14 as a seal structure is disposed on the upper edge of the opening 4. The seal ring 14 has an annular shape and is substantially equal in size to the opening 4. As a material for forming the seal ring 14, for example, an elastic body such as resin or rubber is preferable. A plurality of screw holes 15 are provided at locations corresponding to the respective screw holes 13 in the seal ring 14. On the inner peripheral surface of the seal ring 14, a supporting step 16 for horizontally supporting the outer peripheral portion on the lower surface side of the hot plate 3 is formed over the entire periphery thereof. When the hot plate 3 is supported by the supporting step 16, the height of the upper end surface of the seal ring 14 and the height of the upper surface of the hot plate 3 are substantially the same. The seal ring 14 in the present embodiment seals a gap formed between the upper edge of the opening 4 of the casing 2 and the outer peripheral portion of the lower surface of the hot plate 3 so that air flows through the gap. Has a role to prevent. As shown in FIGS. 1 and 2, on the upper surface of the seal ring 14, a locking ring 21 is fixed by screws 25. The locking ring 21 has an annular main body 22.
And a plurality of screw holes 23 and a plurality of locking pieces 24. The hot plate 3 set on the supporting step 16 is
By being pressed from the plate thickness direction by each locking piece 24, it is clamped and fixed to the seal ring 14. As shown in FIG. 1, a fluid supply port 17 and a fluid discharge port 1 are provided at the bottom 2a of the casing 2.
8 are respectively installed using bolts or the like. In this embodiment, the ports 17 and 18 are disposed at positions separated from each other. Both ports 17 and 18 have flow paths that open on both the inner end face and the outer end face. For this reason, the inside and the outside of the casing 2 are communicated through the flow path. A female screw groove is formed on the inner peripheral surface of the opening on the outer end surface side of the fluid supply port 17, and one end of a fluid supply pipe (not shown) is detachable from the opening. The other end of the pipe is connected to a gas pressure pump, so that air as a cooling fluid is supplied through the pipe. On the other hand, a female screw groove is also formed on the inner peripheral surface of the opening on the outer end surface side of the fluid discharge port 18, and one end of a fluid discharge pipe (not shown) is detachable from the opening. The air in the casing 2 is discharged to the outside through this pipe. The other end of the pipe is open at a location slightly away from the apparatus. As shown in FIG. 2, a seal packing 8 as a seal structure is mounted in the wiring drawing hole 7. The seal packing 8 has an annular shape and is formed of a suitable elastic body such as rubber. Each lead wire 6 is inserted into the through hole of the seal packing 8 and then drawn out of the casing 2. That is, the seal packing 8 in the present embodiment.
Plays a role of preventing the flow of air through the gap by sealing the gap formed between each lead wire 6 and the wiring lead-out hole 7. Next, this hot plate unit 1
How to use will be described. The silicon wafer W1 coated with the photosensitive resin is placed on the hot plate 3, and the wiring resistor 10 is energized in this state. Then, by contact with the heated hot plate 3, the silicon wafer W
The temperature of 1 gradually increases. When the photosensitive resin is sufficiently dried by heating for a predetermined time, the power supply to the wiring resistor 10 is stopped. Here, the gas pressure pump is driven to supply cooling air to the fluid supply port 17 side.
Is introduced into the closed space S1 through the air. The air discharged through the fluid supply port 17 flows toward the fluid discharge port 18 while contacting the lower surface of the hot plate 3 in the closed space S1. At this time, the heat of the hot plate 3 is taken away by the air. The air whose temperature has risen by removing heat flows out of the space again through the fluid discharge port 18 and is discharged to another space where there is no concern about contamination. Note that a series of air flows is schematically indicated by thick arrows in FIG. Then, when the hot plate 3 is cooled down to a somewhat low temperature, the silicon wafer W1 is removed from the hot plate 3. Therefore, according to the present embodiment, the following effects can be obtained. (1) In the hot plate unit 1, the substantially closed space S1 is formed between the casing 2 and the hot plate 3 as described above. Although there are projections such as terminal pins 12 on the lower surface side of the hot plate 3, they are arranged in a space S1 formed between the casing 2 and the hot plate 3. That is, the protrusion is not exposed to the outside of the device, and is in a protected state as it were.
Therefore, the bottom surface of the casing 2 can be attached to the support stage (not shown) without difficulty regardless of the presence of the protrusion. (2) The space S1 formed between the casing 2 and the hot plate 3 is substantially sealed, so that air can be circulated. Therefore, the hot plate 3 can be forcibly cooled by the flow of air into the space S1, and the time required for cooling can be reduced as compared with the case of cooling. Therefore, if this hot plate unit 1 is used, the time required for one drying process is reliably reduced, and the productivity can be improved. Since the space S1 is not in an open state but in a substantially closed state, it is difficult for air to leak out of the apparatus, and there is no risk of contaminating the surroundings. That is, according to the present embodiment, a clean unit 1 can be realized. Further, according to this configuration, since there is no need to provide a cooling pipe or the like, there is no fear that the structure of the entire unit 1 becomes complicated or bulky and large. (3) In the present embodiment, the casing 2 is provided with a fluid supply port 17 and a fluid discharge port 18 that communicate the inside and outside thereof. Therefore, by efficiently circulating the air into the closed space S1 through the ports 17 and 18, the hot plate 3 can be forcibly cooled and returned to a low temperature in a relatively short time. (4) In the hot plate unit 1, the upper edge of the opening 4 of the casing 2 and the hot plate 3
The seal ring 14 is provided between the outer peripheral portion of the lower surface and the outer peripheral portion of the seal member to seal a gap in the portion. Therefore, air leakage to the outside of the device through the gap between the casing 2 and the hot plate 3 is prevented, and higher sealing performance can be secured in the space S1. This contributes to ensuring the prevention of surrounding pollution by air discharge. (5) Further, in the hot plate unit 1, a seal packing 8 is further provided in the wiring drawing hole 7 in the bottom portion 2a, and the lead wire 6 is inserted through the wiring drawing hole 7. Therefore, air leakage to the outside of the device through the wiring lead-out hole 7 is prevented, and higher sealing performance can be secured in the space S1. This also contributes to the prevention of surrounding pollution by air discharge. Furthermore, the lead wire 6 that is drawn out does not directly rub against the opening edge of the wiring drawing hole 7 and is rubbed. For this reason, damage to the lead wire 6 is reduced, and it is possible to prevent the conductor portion of the lead wire 6 from being exposed by the rubbing or the conductor portion from being disconnected. Therefore, the reliability of the device is reliably improved. (6) In this embodiment, since the thickness of the unit 1 is set within the above-mentioned preferred range, it is possible to avoid difficulties in manufacturing and an increase in size. Note that the embodiment of the present invention may be modified as follows. If the hermeticity is ensured to some extent, the seal ring 14 is omitted, and the locking ring 21 is screwed directly to the upper surface of the opening 4 of the casing 2. The hot plate 3 may be attached to the hot plate. That is, the hot plate 3 can be directly attached to the casing 2. A wiring lead-out hole 7 serving as a wiring lead-out part;
May be provided at a place other than the bottom 2 a of the casing 2, for example, on a side wall of the casing 2. Similarly, port 1
7 and 18 may be arranged on the side wall of the casing 2. The number of wiring holes 7 and ports 17 and 18 can be increased or decreased as needed. The closed space S partitioned by the casing 2
A gas other than air (air), for example, an inert gas such as carbon dioxide gas or nitrogen gas, can be circulated as a cooling fluid in 1. In addition, as long as it does not adversely affect the electrical configuration, it is acceptable to allow the liquid to flow as a cooling fluid. A thermocouple may be embedded in the plate-like base material 9 constituting the hot plate 3 as needed. Measure the temperature of the hot plate 3 with a thermocouple,
This is because the temperature can be controlled by changing the voltage value or the current value based on the data. In this case, it is preferable that the lead wire of the thermocouple is also drawn out to the outside via the seal packing 8. As shown in another example of the hot plate unit 1 shown in FIG.
May be omitted and a simple exhaust hole 31 may be used. That is,
The interior of the unit 1 does not necessarily have to be a substantially closed space as in the embodiment (in other words, it may be an open space). According to this configuration, the number of components is reduced, and the structure of the unit 1 is simplified. It may be configured as another example of the hot plate unit 1 shown in FIG. That is, here, the casing 2A having no bottomed shape is used. Inside such a bottomless casing 2A, an exhaust hole 3 as an opening is provided.
1 is provided. The intermediate bottom plate 41 of this another example is fixed to the upper surface of the fixed portion 45 of the casing 2A using screws 43 and nuts 44 while being supported by a substantially U-shaped support fitting 42.
In this alternative structure, the space is not closed. The air flows through the casing 2A and the midsole plate 41.
It is possible to get out of the gap from the gap. An opening may be formed in the midsole plate 41. Here, an example of a manufacturing process of the hot plate 3 of another example of FIG. 4 will be described. (1) 100 parts by weight of aluminum nitride powder (manufactured by Tokuyama Corporation, average particle size 1.1 μm), yttrium oxide (Y
4 parts by weight of 2 O 3 : yttria, average particle diameter 0.4 μm) and 12 parts by weight of an acrylic resin binder (SA-545 manufactured by Mitsui Chemicals, acid value 0.5) were mixed and put into a mold to obtain a molded body. . (2) 350 ° C. in a nitrogen atmosphere
By heating for 4 hours, the acrylic resin binder was thermally decomposed. (3) The compact was hot-pressed at 1890 ° C. and a pressure of 150 kg / cm 2 for 3 hours to obtain an aluminum nitride sintered body. (4) On the bottom surface of the sintered body obtained in (3),
The conductive paste was printed by screen printing. The printing pattern was a concentric pattern. As the conductive paste, “SOLVEST PS603D” manufactured by Tokurika Kagaku Kenkyusho, which is used for forming through holes in a printed wiring board, was used. This conductive paste is a silver / lead paste, and based on 100 parts by weight of silver, lead oxide (5% by weight), zinc oxide (55% by weight), silica (10% by weight), and boron oxide (25% by weight). And 7.5 parts by weight of a metal oxide comprising alumina and 5% by weight. (5) Next, the sintered body on which the conductive paste is printed is heated and fired at 780 ° C. to obtain silver in the conductive paste,
While sintering the lead, it was baked on a sintered body to form a part of the resistor (heating element). Silver / lead heating elements
5 μm in thickness, 2.4 mm in width, and 7.7 m in sheet resistivity
Ω / □. (6) Nickel sulfate 80 g / l, sodium hypophosphite 24 g / l, sodium acetate 12 g / l,
The sintered body prepared in the above (4) was immersed in an electroless nickel plating bath composed of an aqueous solution containing 8 g / l of boric acid and 6 g / l of ammonium chloride. Then, a metal coating layer (nickel layer) having a thickness of 1 μm was deposited on the surface of the tin / lead heating element to obtain a wiring resistor 10 as a resistor. (7) A silver / lead solder paste (manufactured by Tanaka Kikinzoku Co., Ltd.) was printed by screen printing on a portion where a terminal for securing connection to a power supply was to be formed, to form a solder layer. Next, the terminal pins 12 made of Kovar were placed on the solder layer, and heated and reflowed at 300 ° C. to attach the terminal pins 12 to the surfaces of the connection pads 10a. (8) A thermocouple for temperature control was inserted into the bottomed hole and filled with a polyimide resin, and cured at 190 ° C. for 2 hours to obtain a hot plate 3. Then, the hot plate 3 was incorporated in the unit 1 of FIG.
As a material of the seal ring 14, a fluororesin was used. After the temperature of the unit 1 is raised to 140 ° C., air is supplied from the fluid supply port 17 to 90 °
When the cooling time until the temperature was lowered to ° C. was measured, it was 3 minutes. Further, the hot plate 3 was manufactured according to the above-mentioned procedures (1) to (8), and the hot plate 3 was brought into contact with an aluminum plate provided with an air flow passage therein. This was used as a comparative example. . 140 ° C. for this comparative example
After the temperature was increased until the temperature was lowered to 90 ° C. by flowing air, the cooling time was 8 minutes. Next, in addition to the technical ideas described in the claims, the technical ideas grasped by the above-described embodiments will be listed below together with their effects. (1) In Claim 1, the seal structure provided in the wiring lead-out portion is an annular seal packing made of an elastic body. Therefore, according to the invention described in the technical idea 1, it is difficult to form a gap between the wiring inserted into the seal packing and the wiring lead-out portion, and leakage of the fluid to the outside of the device is more reliably prevented. , Sealing performance is improved. (2) In Claim 1 or the technical idea, the fluid is air (air). Therefore, according to the invention described in the technical idea 2, the reactivity is low, there is no fear of short-circuit between the resistors, and it is advantageous for cost reduction. As described in detail above, according to the first aspect of the present invention, the structure is not complicated and the size is not increased.
A hot plate unit for a semiconductor manufacturing apparatus that can be cooled in a short time can be provided. Further, it can be made even cleaner.
【図面の簡単な説明】
【図1】実施形態のホットプレートユニットを示す概略
断面図。
【図2】同じくその部分拡大断面図。
【図3】別例のホットプレートユニットを示す概略断面
図。
【図4】別例のホットプレートユニットを示す概略断面
図。
【符号の説明】
1…ホットプレートユニット、2,2A…ケーシング、
3…ホットプレート、4…開口部、6…配線としてのリ
ード線、7…配線引き出し部としての配線引出用孔、8
…シール構造としてのシールパッキング、10…抵抗体
としての配線抵抗、S1…空間。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a schematic sectional view showing a hot plate unit according to an embodiment. FIG. 2 is a partially enlarged sectional view of the same. FIG. 3 is a schematic sectional view showing another example of a hot plate unit. FIG. 4 is a schematic sectional view showing another example of a hot plate unit. [Explanation of reference numerals] 1 ... hot plate unit, 2, 2A ... casing,
Reference numeral 3 denotes a hot plate, 4 denotes an opening, 6 denotes a lead wire as a wiring, 7 denotes a wiring drawing hole as a wiring drawing part, 8
... Seal packing as a seal structure, 10 ... Wiring resistance as a resistor, S1 ... Space.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平7−130830(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/68 H01L 21/027 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-7-130830 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21/68 H01L 21/027
Claims (1)
ラミック製のホットプレートを設置してなるホットプレ
ートユニットであって、前記ケーシングには、冷却用流
体を供給する流体供給ポートと、冷却用流体を排出する
流体排出ポートもしくは冷却用流体を排出する開口を設
けてなるとともに、冷却するための流体を流通可能な空
間が前記ケーシングと前記ホットプレートとにより構成
されてなり、前記ケーシングにおける配線引き出し部に
は、シール構造が設けられていることを特徴とする半導
体製造装置用ホットプレートユニット。(57) in All Claims opening of 1. A casing, cell having a resistor
A hot plate unit provided with a hot plate made of lamic , wherein a cooling flow is provided in the casing.
Fluid supply port to supply body and discharge cooling fluid
Provide a fluid discharge port or an opening to discharge cooling fluid.
A space through which a fluid for cooling can flow is constituted by the casing and the hot plate, and a wiring structure in the casing is provided with a seal structure. Hot plate unit for semiconductor manufacturing equipment.
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