JP3498134B2 - 電解めっきの前処理方法 - Google Patents
電解めっきの前処理方法Info
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- JP3498134B2 JP3498134B2 JP01171699A JP1171699A JP3498134B2 JP 3498134 B2 JP3498134 B2 JP 3498134B2 JP 01171699 A JP01171699 A JP 01171699A JP 1171699 A JP1171699 A JP 1171699A JP 3498134 B2 JP3498134 B2 JP 3498134B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電解めっきの前処
理方法に関するものである。
理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、高分子材料からなる成形品に電
解めっきを施す場合、工程数が非常に多く（１５工
程）、生産性、コスト面等で問題がある。
解めっきを施す場合、工程数が非常に多く（１５工
程）、生産性、コスト面等で問題がある。
【０００３】このため、従来から成形品の表面に簡単に
電解めっき膜を形成できる方法が望まれている。
電解めっき膜を形成できる方法が望まれている。
【０００４】ところで、成形品に紫外線レーザを照射す
ると、このレーザ照射領域が導電化することが判明して
いる。したがって、このレーザ照射により導電パターン
を形成できれば、工程数が２となり、前記問題の解決が
期待できる。
ると、このレーザ照射領域が導電化することが判明して
いる。したがって、このレーザ照射により導電パターン
を形成できれば、工程数が２となり、前記問題の解決が
期待できる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記レ
ーザ照射による方法では、次のような問題点があり採用
されるに至っていないのが現状である。
ーザ照射による方法では、次のような問題点があり採用
されるに至っていないのが現状である。
【０００６】すなわち、レーザを高フルーエンスで照射
した場合、照射領域（特定箇所）の周囲が導電化し、パ
ターン制御性が得られないという不具合を有する。この
ため、低フルーエンスで行う必要があるが、それでは導
電性が不十分となり、電解めっき膜の形成が困難とな
る。したがって、レーザの照射回数を増大させる必要が
生じ、作業性が悪化する。具体的に、レーザを、０．０
４Ｊ／ｃｍ2／１パルスの低フルーエンスで照射した場
合、十分な導電性を得るための照射回数は１０００パル
ス以上である。
した場合、照射領域（特定箇所）の周囲が導電化し、パ
ターン制御性が得られないという不具合を有する。この
ため、低フルーエンスで行う必要があるが、それでは導
電性が不十分となり、電解めっき膜の形成が困難とな
る。したがって、レーザの照射回数を増大させる必要が
生じ、作業性が悪化する。具体的に、レーザを、０．０
４Ｊ／ｃｍ2／１パルスの低フルーエンスで照射した場
合、十分な導電性を得るための照射回数は１０００パル
ス以上である。
【０００７】また、レーザを低フルーエンスで照射した
場合、照射領域の表面粗さが小さくなり、形成しためっ
きが剥離しやすい。
場合、照射領域の表面粗さが小さくなり、形成しためっ
きが剥離しやすい。
【０００８】そこで、本発明は、特定箇所を効率的に、
しかも強固にめっき可能とする電解めっきの前処理方法
を提供することを課題とする。
しかも強固にめっき可能とする電解めっきの前処理方法
を提供することを課題とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、レーザ照
射により成形品の表面が導電化する原因が、アブレーシ
ョンにより発生する除去飛散物（以下、デブリーと記載
する。）が主要因であることを突き止めた。そして、前
記デブリーは、成形品に無機フィラーを含有させること
により飛散しにくくできることを見出した。
射により成形品の表面が導電化する原因が、アブレーシ
ョンにより発生する除去飛散物（以下、デブリーと記載
する。）が主要因であることを突き止めた。そして、前
記デブリーは、成形品に無機フィラーを含有させること
により飛散しにくくできることを見出した。
【００１０】本発明は、前記課題を解決するための手段
として、電解めっきの前処理方法を、高分子材料に無機
フィラーを添加し、得られた高分子成形品にレーザを照
射するようにしたものである。
として、電解めっきの前処理方法を、高分子材料に無機
フィラーを添加し、得られた高分子成形品にレーザを照
射するようにしたものである。
【００１１】この構成により、添加した無機フィラー
が、高フルーエンス照射時の導電性の高いデブリーの照
射領域以外への飛散を防止する。したがって、レーザ照
射領域に所望の導電パターンを形成することができ、こ
の導電パターンに電解めっき膜を形成することが可能と
なる。
が、高フルーエンス照射時の導電性の高いデブリーの照
射領域以外への飛散を防止する。したがって、レーザ照
射領域に所望の導電パターンを形成することができ、こ
の導電パターンに電解めっき膜を形成することが可能と
なる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る電解めっきの
前処理方法の実施形態を説明する。
前処理方法の実施形態を説明する。
【００１３】この電解めっきの前処理方法では、高分子
材料に無機フィラーを添加し、得られた高分子成形品に
レーザを照射するだけでよい。
材料に無機フィラーを添加し、得られた高分子成形品に
レーザを照射するだけでよい。
【００１４】この場合、前記高分子材料には、液晶ポリ
マ（ＬＣＰ：Liquid Crystal Polymer）、ポリエーテル
スルホン、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボネ
ート、ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンオキサ
イド、ポリアセタール、ポリエチレンテレフタレート、
ポリアミド、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン
（ＡＢＳ）、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテ
ルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリスルホ
ン、ポリイミド、エポキシ樹脂、又は、これらの複合樹
脂等が使用可能である。
マ（ＬＣＰ：Liquid Crystal Polymer）、ポリエーテル
スルホン、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボネ
ート、ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンオキサ
イド、ポリアセタール、ポリエチレンテレフタレート、
ポリアミド、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン
（ＡＢＳ）、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテ
ルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリスルホ
ン、ポリイミド、エポキシ樹脂、又は、これらの複合樹
脂等が使用可能である。
【００１５】前記無機フィラーとしては、ガラスフィラ
ー、セラミックス粒子等が挙げられ、その高分子材料に
対する添加量は１０〜５０重量％とすると、より一層デ
ブリーの飛散を抑制することが可能となり、パターン分
解能を向上させることができる。
ー、セラミックス粒子等が挙げられ、その高分子材料に
対する添加量は１０〜５０重量％とすると、より一層デ
ブリーの飛散を抑制することが可能となり、パターン分
解能を向上させることができる。
【００１６】また、前記レーザとしては、エキシマレー
ザ（波長λ＝１９３〜３５１ｎｍ）、ＹＡＧ第２高調波
（波長λ＝５３２ｎｍ）、ＹＡＧ第３高調波（波長λ＝
３５５ｎｍ）、Ａｒイオンレーザ（λ＝４５７．９〜５
１４．５ｎｍ）等の波長が６００ｎｍ以下のものであれ
ば使用できる。
ザ（波長λ＝１９３〜３５１ｎｍ）、ＹＡＧ第２高調波
（波長λ＝５３２ｎｍ）、ＹＡＧ第３高調波（波長λ＝
３５５ｎｍ）、Ａｒイオンレーザ（λ＝４５７．９〜５
１４．５ｎｍ）等の波長が６００ｎｍ以下のものであれ
ば使用できる。
【００１７】また、前記レーザによる投入エネルギーの
総計を１０〜５００J／ｃｍ2とすると、レーザ照射領域
の導電性を電解めっき膜の形成に適した状態とすること
が可能となる。
総計を１０〜５００J／ｃｍ2とすると、レーザ照射領域
の導電性を電解めっき膜の形成に適した状態とすること
が可能となる。
【００１８】特に、前記レーザの照射条件を、フルーエ
ンス（単位パルスの単位面積当たりのエネルギー：Ｊ／
ｃｍ2／１パルス）及び照射回数が、レーザ照射領域で
電解めっきに適した導電性となるように設定するのがよ
い。具体的には、レーザのフルーエンス及び照射回数
が、図１に示すグラフの領域Ａ内のいずれかの値となる
ように設定すればよい。また、無機フィラーを添加する
と、無機フィラーは高分子材料に比べて加工されにくい
ために残留し、レーザ照射領域にさらに大きな凹凸を形
成することができるので、電解めっき膜を形成した場
合、より一層その密着性を高めることが可能となる。
ンス（単位パルスの単位面積当たりのエネルギー：Ｊ／
ｃｍ2／１パルス）及び照射回数が、レーザ照射領域で
電解めっきに適した導電性となるように設定するのがよ
い。具体的には、レーザのフルーエンス及び照射回数
が、図１に示すグラフの領域Ａ内のいずれかの値となる
ように設定すればよい。また、無機フィラーを添加する
と、無機フィラーは高分子材料に比べて加工されにくい
ために残留し、レーザ照射領域にさらに大きな凹凸を形
成することができるので、電解めっき膜を形成した場
合、より一層その密着性を高めることが可能となる。
【００１９】このように、前述の前処理方法によれば、
高分子材料に無機フィラーを添加しているので、成形品
のレーザ照射領域のみを導電化することができる。した
がって、電解めっきを行うと、レーザ照射領域のみに電
解めっき膜を形成することが可能である。なお、前処理
段階で化学物質を一切使用せず、無電解めっき時には硫
酸銅溶液を使用するだけであるため、環境上も好まし
い。
高分子材料に無機フィラーを添加しているので、成形品
のレーザ照射領域のみを導電化することができる。した
がって、電解めっきを行うと、レーザ照射領域のみに電
解めっき膜を形成することが可能である。なお、前処理
段階で化学物質を一切使用せず、無電解めっき時には硫
酸銅溶液を使用するだけであるため、環境上も好まし
い。
【００２０】
【実施例】以下、本発明に係る電解めっきの前処理方法
を、実施例によりさらに詳細に説明する。
を、実施例によりさらに詳細に説明する。
【００２１】（比較実施例１） 高分子材料として何も
添加しないＬＣＰを使用し、この材料を射出成形して成
形品を得た。そして、得られた成形品の表面に、ＫｒＦ
エキシマレーザ（波長λ＝２４８ｎｍ）を、フルーエン
ス０．０４Ｊ／ｃｍ2／１パルス、照射回数２００パル
ス、発振周波数２０Ｈｚにより、大気中で照射した。続
いて、前記成形品を、硫酸銅浴中に１時間浸漬して電解
めっきを施した。この場合、レーザ照射領域には電解め
っき膜は得られなかった。これは、フルーエンスが小さ
いため、前記照射回数では十分な導電パターンを形成す
ることができなかったためと考えられる。
添加しないＬＣＰを使用し、この材料を射出成形して成
形品を得た。そして、得られた成形品の表面に、ＫｒＦ
エキシマレーザ（波長λ＝２４８ｎｍ）を、フルーエン
ス０．０４Ｊ／ｃｍ2／１パルス、照射回数２００パル
ス、発振周波数２０Ｈｚにより、大気中で照射した。続
いて、前記成形品を、硫酸銅浴中に１時間浸漬して電解
めっきを施した。この場合、レーザ照射領域には電解め
っき膜は得られなかった。これは、フルーエンスが小さ
いため、前記照射回数では十分な導電パターンを形成す
ることができなかったためと考えられる。
【００２２】（比較実施例２） 高分子材料として何も
添加しないＬＣＰを使用し、この材料を射出成形して成
形品を得た。そして、得られた成形品の表面に、ＫｒＦ
エキシマレーザを、フルーエンス０．０４Ｊ／ｃｍ2／
１パルス、照射回数１０００パルス、発振周波数２０Ｈ
ｚにより、大気中で照射した。続いて、前記成形品を、
硫酸銅浴中に１時間浸漬して電解めっきを施した。この
場合、レーザ照射領域には電解めっき膜を形成すること
ができたが、前述のように、フルーエンスを小さく抑え
て照射回数を多くする必要があり、導電パターンの形成
に長時間を要するので、実用的ではない。
添加しないＬＣＰを使用し、この材料を射出成形して成
形品を得た。そして、得られた成形品の表面に、ＫｒＦ
エキシマレーザを、フルーエンス０．０４Ｊ／ｃｍ2／
１パルス、照射回数１０００パルス、発振周波数２０Ｈ
ｚにより、大気中で照射した。続いて、前記成形品を、
硫酸銅浴中に１時間浸漬して電解めっきを施した。この
場合、レーザ照射領域には電解めっき膜を形成すること
ができたが、前述のように、フルーエンスを小さく抑え
て照射回数を多くする必要があり、導電パターンの形成
に長時間を要するので、実用的ではない。
【００２３】（実施例） 高分子材料としてＬＣＰを使
用し、これに、無機フィラーとして、直径φ１０μｍの
ガラスフィラーを４０重量％添加した。そして、この材
料を射出成形し、得られた成形品の表面に、ＫｒＦエキ
シマレーザを、フルーエンス０．２Ｊ／ｃｍ2／１パル
ス、照射回数２００パルス、発振周波数２０Ｈｚによ
り、大気中で照射した。続いて、前記成形品を、硫酸銅
浴中に１時間浸漬した。これにより、レーザ照射領域
に、短時間で電解めっき膜を形成することができた。
用し、これに、無機フィラーとして、直径φ１０μｍの
ガラスフィラーを４０重量％添加した。そして、この材
料を射出成形し、得られた成形品の表面に、ＫｒＦエキ
シマレーザを、フルーエンス０．２Ｊ／ｃｍ2／１パル
ス、照射回数２００パルス、発振周波数２０Ｈｚによ
り、大気中で照射した。続いて、前記成形品を、硫酸銅
浴中に１時間浸漬した。これにより、レーザ照射領域
に、短時間で電解めっき膜を形成することができた。
【００２４】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係る電解めっきの前処理方法によれば、高分子材料に
無機フィラーを添加し、得られた高分子成形品にレーザ
を照射するようにしたので、発生する導電性を有するデ
ブリーの飛散範囲をレーザ照射領域のみに制限すること
が可能となる。したがって、レーザ照射領域のみを導電
化して電解めっき膜を形成することができ、品質の安定
させて生産性を高めることが可能である。
に係る電解めっきの前処理方法によれば、高分子材料に
無機フィラーを添加し、得られた高分子成形品にレーザ
を照射するようにしたので、発生する導電性を有するデ
ブリーの飛散範囲をレーザ照射領域のみに制限すること
が可能となる。したがって、レーザ照射領域のみを導電
化して電解めっき膜を形成することができ、品質の安定
させて生産性を高めることが可能である。
【図１】 フルーエンスと照射回数の違いによる照射領
域の状態を示すグラフである。
域の状態を示すグラフである。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 田中 宏和
京都府京都市右京区花園土堂町10番地
オムロン株式会社内
(72)発明者 新納 弘之
茨城県つくば市東１−１ 工業技術院物
質工学工業技術研究所内
(72)発明者 矢部 明
茨城県つくば市東１−１ 工業技術院物
質工学工業技術研究所内
(56)参考文献 特開 平４−183873（ＪＰ，Ａ)
特開2000−212757（ＪＰ，Ａ)
特開2000−212755（ＪＰ，Ａ)
国際公開02／070780（ＷＯ，Ａ１)
特許3399434（ＪＰ，Ｂ２)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C25D 5/56
Claims (8)
- 【請求項１】 高分子材料に無機フィラーを添加し、得
られた高分子成形品にレーザを照射することを特徴とす
る電解めっきの前処理方法。 - 【請求項２】 前記レーザの波長は、６００ｎｍ以下で
あることを特徴とする請求項１に記載の電解めっきの前
処理方法。 - 【請求項３】 前記レーザのフルーエンスは、０．１〜
０．５Ｊ／ｃｍ2／１パルスであることを特徴とする請
求項１又は２に記載の電解めっきの前処理方法。 - 【請求項４】 前記レーザによる投入エネルギーの総計
が１０〜５００J／ｃｍ2であることを特徴とする請求項
１ないし３のいずれか１項に記載の電解めっきの前処理
方法。 - 【請求項５】 前記レーザを、フルーエンス及び照射回
数が、レーザ照射領域で電解めっきに適した導電性とな
るように照射することを特徴とする請求項１ないし４の
いずれか１項に記載の電解めっきの前処理方法。 - 【請求項６】 前記無機フィラーはガラスフィラー又は
セラミック粒子であることを特徴とする請求項１ないし
５のいずれか１項に記載の電解めっきの前処理方法。 - 【請求項７】 前記無機フィラーは１０〜５０重量％添
加することを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１
項に記載の電解めっきの前処理方法。 - 【請求項８】 前記高分子材料は、ＬＣＰ、ポリエーテ
ルスルホン、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボ
ネート、ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンオキ
サイド、ポリアセタール、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリアミド、ＡＢＳ、ポリフェニレンサルファイ
ド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケト
ン、ポリスルホン、ポリイミド、エポキシ樹脂、又は、
これらの複合樹脂であることを特徴とする請求項１ない
し７のいずれか１項に記載の電解めっきの前処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01171699A JP3498134B2 (ja) | 1999-01-20 | 1999-01-20 | 電解めっきの前処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01171699A JP3498134B2 (ja) | 1999-01-20 | 1999-01-20 | 電解めっきの前処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000212793A JP2000212793A (ja) | 2000-08-02 |
| JP3498134B2 true JP3498134B2 (ja) | 2004-02-16 |
Family
ID=11785778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01171699A Expired - Lifetime JP3498134B2 (ja) | 1999-01-20 | 1999-01-20 | 電解めっきの前処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3498134B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3399434B2 (ja) * | 2001-03-02 | 2003-04-21 | オムロン株式会社 | 高分子成形材のメッキ形成方法と回路形成部品とこの回路形成部品の製造方法 |
| JP4367623B2 (ja) * | 2004-01-14 | 2009-11-18 | 住友電気工業株式会社 | 多孔質延伸ポリテトラフルオロエチレンシート製または多孔質延伸ポリテトラフルオロエチレンフィルム製の電気回路部品の製造方法、及び電気回路部品 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000212755A (ja) | 1999-01-20 | 2000-08-02 | Agency Of Ind Science & Technol | 無電解めっきの前処理方法 |
| JP2000212757A (ja) | 1999-01-20 | 2000-08-02 | Agency Of Ind Science & Technol | パラジウム触媒付着方法 |
| WO2002070780A1 (en) | 2001-03-02 | 2002-09-12 | Omron Corporation | Method for plating polymer molding material, circuit forming component and method for producing circuit forming component |
-
1999
- 1999-01-20 JP JP01171699A patent/JP3498134B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000212755A (ja) | 1999-01-20 | 2000-08-02 | Agency Of Ind Science & Technol | 無電解めっきの前処理方法 |
| JP2000212757A (ja) | 1999-01-20 | 2000-08-02 | Agency Of Ind Science & Technol | パラジウム触媒付着方法 |
| WO2002070780A1 (en) | 2001-03-02 | 2002-09-12 | Omron Corporation | Method for plating polymer molding material, circuit forming component and method for producing circuit forming component |
| JP3399434B2 (ja) | 2001-03-02 | 2003-04-21 | オムロン株式会社 | 高分子成形材のメッキ形成方法と回路形成部品とこの回路形成部品の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000212793A (ja) | 2000-08-02 |
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