JP3508167B2 - シリコンの精製方法およびシリコンの予備処理装置 - Google Patents
シリコンの精製方法およびシリコンの予備処理装置Info
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- JP3508167B2 JP3508167B2 JP18518393A JP18518393A JP3508167B2 JP 3508167 B2 JP3508167 B2 JP 3508167B2 JP 18518393 A JP18518393 A JP 18518393A JP 18518393 A JP18518393 A JP 18518393A JP 3508167 B2 JP3508167 B2 JP 3508167B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、太陽電池等用の原料と
して使用することができる高純度シリコンとする処理を
行う前の、予備処理としてボロンの除去を主体として行
うシリコンの精製方法およびシリコンの予備処理装置に
関するものである。
して使用することができる高純度シリコンとする処理を
行う前の、予備処理としてボロンの除去を主体として行
うシリコンの精製方法およびシリコンの予備処理装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば太陽電池に使用されるシリコンで
は、比抵抗 0.1Ωcm以上のものが使用されるが、このよ
うなシリコンではシリコン中に含有される不純物は ppm
オーダまで除去されている必要がある。これに対して従
来種々の方法が検討されており、不純物としてはボロン
及び炭素が最も除去しにくい元素であることが知られて
いる。
は、比抵抗 0.1Ωcm以上のものが使用されるが、このよ
うなシリコンではシリコン中に含有される不純物は ppm
オーダまで除去されている必要がある。これに対して従
来種々の方法が検討されており、不純物としてはボロン
及び炭素が最も除去しにくい元素であることが知られて
いる。
【０００３】特開平4-228414号公報では、シリカあるい
はシリカを主成分とする容器内に溶融シリコンを保持
し、これにプラズマジェットを噴射しシリコン中のボロ
ンと炭素を除去する方法が開示されている。また、特開
平4-193706号公報では、底部にガス吹込み羽口を有する
シリカを主体とする容器内でシリコンを溶解し、該羽口
からガスを吹き込み同様にシリコン中のボロンと炭素を
除去する方法が開示されている。
はシリカを主成分とする容器内に溶融シリコンを保持
し、これにプラズマジェットを噴射しシリコン中のボロ
ンと炭素を除去する方法が開示されている。また、特開
平4-193706号公報では、底部にガス吹込み羽口を有する
シリカを主体とする容器内でシリコンを溶解し、該羽口
からガスを吹き込み同様にシリコン中のボロンと炭素を
除去する方法が開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
4-228414号公報に開示されている方法では、ボロンと炭
素の除去反応がシリコン浴のプラズマジェット照射部で
進行するために処理時間の短縮には限度がある。また、
特開平4-193706号公報に開示されている方法では、容器
の底に設置した羽口からガスを吹き込んでボロンと炭素
を除去するので、極く短時間で溶融シリコンからこれら
を除去しようとするとガスの吹込み量を増大する必要が
ある。この結果シリコン浴の攪拌が強化されて羽口が著
しく損傷して炉の寿命が短くなるので、羽口の損傷を抑
えながら処理するためには処理時間の短縮に限度があ
る。
4-228414号公報に開示されている方法では、ボロンと炭
素の除去反応がシリコン浴のプラズマジェット照射部で
進行するために処理時間の短縮には限度がある。また、
特開平4-193706号公報に開示されている方法では、容器
の底に設置した羽口からガスを吹き込んでボロンと炭素
を除去するので、極く短時間で溶融シリコンからこれら
を除去しようとするとガスの吹込み量を増大する必要が
ある。この結果シリコン浴の攪拌が強化されて羽口が著
しく損傷して炉の寿命が短くなるので、羽口の損傷を抑
えながら処理するためには処理時間の短縮に限度があ
る。
【０００５】本発明は上記の問題を解決するために、上
記の処理を行う前の予備処理として好適なボロンの除去
を主体としたシリコンの精製方法およびシリコンの予備
処理装置を提供することを目的とする。すなわち、本発
明で提供されるシリコンの予備処理装置を用い、シリコ
ンの精製方法を実施することにより上記処理の負担が軽
減され、最終的にボロンを除去する時間が短縮されるこ
とになる。
記の処理を行う前の予備処理として好適なボロンの除去
を主体としたシリコンの精製方法およびシリコンの予備
処理装置を提供することを目的とする。すなわち、本発
明で提供されるシリコンの予備処理装置を用い、シリコ
ンの精製方法を実施することにより上記処理の負担が軽
減され、最終的にボロンを除去する時間が短縮されるこ
とになる。
【０００６】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明に係る
シリコンの精製方法は、シリコンの精製を行う反応容器
内において、 Ar ガスを導入しつつ、原料シリコンを溶解
・保持用容器の中で溶解して溶融シリコンとし、所定量
の水蒸気を含む Ar ガスを導入して、前記溶解・保持用容
器の下方に1vol％以上、 40vol ％以下の水蒸気を含むAr
ガス雰囲気層を形成し、該雰囲気層中に前記溶解・保持
容器から溶融シリコンを滴下させ、滴下シリコンを受け
容器で受けると共に、滴下シリコン中のボロンと前記水
蒸気とが反応して生成された酸化ガスおよび使用後のガ
スのガス排出を行い、前記原料シリコンを精製すること
を特徴とするシリコンの精製方法である。あるいはさら
に前記滴下シリコンに向けて水滴を照射することを特徴
とするシリコンの精製方法であり、さらに望ましくは、
前記滴下シリコンの液滴の平均直径が30mm以下であるシ
リコンの精製方法である。また、本発明に係るシリコン
の予備処理装置は、シリコンの精製を行う反応容器であ
る、チャンバ内の上部に、原料シリコンを溶解、保持す
る容器が設けられ、該溶解・保持用容器は、溶融シリコ
ンを滴下できるように構成されており、一方、前記チャ
ンバ内の下部に、滴下後シリコンを受ける受け容器が設
けられ、さらに前記チャンバには、その上部に前記 Ar ガ
ス導入口が設置されていると共に、前記溶解・保持用容
器の直下に相当する高さ方向中間位置に H 2O − Ar 混合ガ
ス導入口が設置され、その下部にガス排出口が設置され
ていることを特徴とするシリコンの予備処理装置であ
る。
シリコンの精製方法は、シリコンの精製を行う反応容器
内において、 Ar ガスを導入しつつ、原料シリコンを溶解
・保持用容器の中で溶解して溶融シリコンとし、所定量
の水蒸気を含む Ar ガスを導入して、前記溶解・保持用容
器の下方に1vol％以上、 40vol ％以下の水蒸気を含むAr
ガス雰囲気層を形成し、該雰囲気層中に前記溶解・保持
容器から溶融シリコンを滴下させ、滴下シリコンを受け
容器で受けると共に、滴下シリコン中のボロンと前記水
蒸気とが反応して生成された酸化ガスおよび使用後のガ
スのガス排出を行い、前記原料シリコンを精製すること
を特徴とするシリコンの精製方法である。あるいはさら
に前記滴下シリコンに向けて水滴を照射することを特徴
とするシリコンの精製方法であり、さらに望ましくは、
前記滴下シリコンの液滴の平均直径が30mm以下であるシ
リコンの精製方法である。また、本発明に係るシリコン
の予備処理装置は、シリコンの精製を行う反応容器であ
る、チャンバ内の上部に、原料シリコンを溶解、保持す
る容器が設けられ、該溶解・保持用容器は、溶融シリコ
ンを滴下できるように構成されており、一方、前記チャ
ンバ内の下部に、滴下後シリコンを受ける受け容器が設
けられ、さらに前記チャンバには、その上部に前記 Ar ガ
ス導入口が設置されていると共に、前記溶解・保持用容
器の直下に相当する高さ方向中間位置に H 2O − Ar 混合ガ
ス導入口が設置され、その下部にガス排出口が設置され
ていることを特徴とするシリコンの予備処理装置であ
る。
【０００７】
【作用】まず、本発明のシリコンの精製方法の実施態様
について説明する。以下に言う、不活性ガスとは、 Ar ガ
スのことである。本発明に係るシリコンの精製方法は、
反応容器内において原料シリコンを、 Ar ガスを導入しつ
つ、チャンバ内の上部に設けた溶解・保持用容器中で溶
解し、保持する原料シリコンの溶解・保持過程と、所定
量の水蒸気を含む Ar ガスを導入して、溶解・保持用容器
の下方に形成した水蒸気を含む Ar ガス雰囲気層中に溶融
シリコンを滴下する溶融シリコンの滴下過程を経て精製
するようにしている。 （ｉ）溶解し、保持する溶解・保持過程での作用） 原料となるシリコンを、シリカを主成分とする容器、あ
るいは黒鉛を主成分とする容器などの中で溶解、保持す
る。ここで、溶融シリコンの保持温度は特に限定されな
い。
について説明する。以下に言う、不活性ガスとは、 Ar ガ
スのことである。本発明に係るシリコンの精製方法は、
反応容器内において原料シリコンを、 Ar ガスを導入しつ
つ、チャンバ内の上部に設けた溶解・保持用容器中で溶
解し、保持する原料シリコンの溶解・保持過程と、所定
量の水蒸気を含む Ar ガスを導入して、溶解・保持用容器
の下方に形成した水蒸気を含む Ar ガス雰囲気層中に溶融
シリコンを滴下する溶融シリコンの滴下過程を経て精製
するようにしている。 （ｉ）溶解し、保持する溶解・保持過程での作用） 原料となるシリコンを、シリカを主成分とする容器、あ
るいは黒鉛を主成分とする容器などの中で溶解、保持す
る。ここで、溶融シリコンの保持温度は特に限定されな
い。
【０００８】（ｉｉ）溶融シリコンの滴下過程を含む以
降の過程での作用 溶融シリコンの滴下は、容器の底及び／又は横壁部に設
置されている排出口から、あるいは容器を傾動させるこ
とによって容器の上部から溶融シリコンを所定の速度で
流出させることによって行うことができる。溶融シリコ
ンを保持する容器の下方には、水蒸気を含む不活性ガス
の層が形成されており、滴下した溶融シリコンはこのガ
ス層を通過し、ガス層の下方に設置してある別の容器で
受けられる。その結果滴下し、容器内に入ったシリコン
に含有されるボロン濃度は滴下前の溶融シリコンに含有
されるボロン濃度よりも低減する。
降の過程での作用 溶融シリコンの滴下は、容器の底及び／又は横壁部に設
置されている排出口から、あるいは容器を傾動させるこ
とによって容器の上部から溶融シリコンを所定の速度で
流出させることによって行うことができる。溶融シリコ
ンを保持する容器の下方には、水蒸気を含む不活性ガス
の層が形成されており、滴下した溶融シリコンはこのガ
ス層を通過し、ガス層の下方に設置してある別の容器で
受けられる。その結果滴下し、容器内に入ったシリコン
に含有されるボロン濃度は滴下前の溶融シリコンに含有
されるボロン濃度よりも低減する。
【０００９】シリコン中のボロンは気相中の水蒸気と反
応して酸化ガスとして除去されると考えられる。このた
め、効率よくボロンを除去するには滴下される溶融シリ
コンの界面積を大きくする必要がある。従って、滴下さ
れる溶融シリコンの液滴の平均直径はできるだけ小さい
方がよく、30mm以下が望ましい。これより大きく又は連
続した流れになると、滴下後のシリコンのボロン濃度は
滴下前の溶融シリコンのボロン濃度とほぼ等しくボロン
除去の効果がなくなる。
応して酸化ガスとして除去されると考えられる。このた
め、効率よくボロンを除去するには滴下される溶融シリ
コンの界面積を大きくする必要がある。従って、滴下さ
れる溶融シリコンの液滴の平均直径はできるだけ小さい
方がよく、30mm以下が望ましい。これより大きく又は連
続した流れになると、滴下後のシリコンのボロン濃度は
滴下前の溶融シリコンのボロン濃度とほぼ等しくボロン
除去の効果がなくなる。
【００１０】滴下する溶融シリコンが通過する不活性ガ
ス層中の水蒸気の濃度が1vol％未満ではボロンの除去に
ほとんど効果がないので、1vol％以上の水蒸気濃度が要
求される。不活性ガス層中の水蒸気の濃度が高すぎる
と、滴下するシリコンの酸化も著しくなり、シリコンの
歩留りが低下する。このため、水蒸気濃度は、40vol ％
以下、さらに望ましくは20vol ％以下である。
ス層中の水蒸気の濃度が1vol％未満ではボロンの除去に
ほとんど効果がないので、1vol％以上の水蒸気濃度が要
求される。不活性ガス層中の水蒸気の濃度が高すぎる
と、滴下するシリコンの酸化も著しくなり、シリコンの
歩留りが低下する。このため、水蒸気濃度は、40vol ％
以下、さらに望ましくは20vol ％以下である。
【００１１】本発明では、滴下シリコンに向けて水滴を
照射することによって、ボロンの除去をより効率的にな
し得る。
照射することによって、ボロンの除去をより効率的にな
し得る。
【００１２】
【実施例】図１は本発明を実施する際に用いる装置の縦
断面図の一例である。（ｉ）溶解・保持過程で、 シリコン１はシリカ坩堝２内
で抵抗式ヒータ３によって加熱溶融され、保持される。
坩堝上方のチャンバ１１に設置されたAr導入口４からシ
リコンの酸化を防ぐためにArが流されている。坩堝２の
底に設置されている滴下孔はストッパ５で塞がれてい
る。（ｉｉ）溶融シリコンの滴下過程を含む以降の過程で、
シリコンの滴下を始めるときはストッパ５を上方に持ち
上げ、滴下孔とストッパ５の先端との距離を適当に調整
し、滴下シリコン６の大きさを調整する。
断面図の一例である。（ｉ）溶解・保持過程で、 シリコン１はシリカ坩堝２内
で抵抗式ヒータ３によって加熱溶融され、保持される。
坩堝上方のチャンバ１１に設置されたAr導入口４からシ
リコンの酸化を防ぐためにArが流されている。坩堝２の
底に設置されている滴下孔はストッパ５で塞がれてい
る。（ｉｉ）溶融シリコンの滴下過程を含む以降の過程で、
シリコンの滴下を始めるときはストッパ５を上方に持ち
上げ、滴下孔とストッパ５の先端との距離を適当に調整
し、滴下シリコン６の大きさを調整する。
【００１３】この滴下シリコン６は、溶解・保持用容器
であるシリカ坩堝２の下方に設置した坩堝台７上のシリ
カ製の受け坩堝８で受けられ、蓄積される。シリカ坩堝
２の直下に相当するチャンバ１１の高さ方向中間位置に
設置してあるガス導入口９からH2O −Ar混合ガスを流
す。ガス導入口４と９から導入されたガスは最終的にチ
ャンバ１１の下部に設置してあるガス排出口１０からチ
ャンバ１１の外に排出される。また、水滴発生器１２か
ら水滴１３が照射され、ここを滴下シリコンが通過す
る。
であるシリカ坩堝２の下方に設置した坩堝台７上のシリ
カ製の受け坩堝８で受けられ、蓄積される。シリカ坩堝
２の直下に相当するチャンバ１１の高さ方向中間位置に
設置してあるガス導入口９からH2O −Ar混合ガスを流
す。ガス導入口４と９から導入されたガスは最終的にチ
ャンバ１１の下部に設置してあるガス排出口１０からチ
ャンバ１１の外に排出される。また、水滴発生器１２か
ら水滴１３が照射され、ここを滴下シリコンが通過す
る。
【００１４】 （比較例）
図１に概略を示した装置によって、 2kgのシリコンを、
内径 150mm、深さ 150mmのシリカ坩堝２内で抵抗式ヒー
タ３によって加熱溶融した。坩堝上部に設置されたAr導
入口４からシリコンの酸化を防ぐためにArを25l/min チ
ャンバ１１内に流す。次にストッパ５を持ち上げて溶融
シリコンを滴下させ、受け坩堝８で回収した。このとき
の滴下中のシリコンの平均径は20mmであった。滴下前の
シリコンのボロン濃度と、滴下し回収したシリコンのボ
ロン濃度を表１に示す。
内径 150mm、深さ 150mmのシリカ坩堝２内で抵抗式ヒー
タ３によって加熱溶融した。坩堝上部に設置されたAr導
入口４からシリコンの酸化を防ぐためにArを25l/min チ
ャンバ１１内に流す。次にストッパ５を持ち上げて溶融
シリコンを滴下させ、受け坩堝８で回収した。このとき
の滴下中のシリコンの平均径は20mmであった。滴下前の
シリコンのボロン濃度と、滴下し回収したシリコンのボ
ロン濃度を表１に示す。
【００１５】（実施例１）
比較例と全く同一の装置によって、 2kgのシリコンを加
熱溶融した。坩堝上部に設置されたAr導入口４からArを
10l/min チャンバ１１内に流し、溶融用坩堝２の直下に
設置してあるガス導入口９から1vol％H2O −Ar混合ガス
を15l/min 流した。この状態でストッパ５を持ち上げて
溶融シリコンを滴下させ、受け坩堝８で回収した。この
ときの滴下中のシリコンの平均径は20mmであった。滴下
前のシリコンのボロン濃度と、滴下後に回収したシリコ
ンのボロン濃度を表１に示す。
熱溶融した。坩堝上部に設置されたAr導入口４からArを
10l/min チャンバ１１内に流し、溶融用坩堝２の直下に
設置してあるガス導入口９から1vol％H2O −Ar混合ガス
を15l/min 流した。この状態でストッパ５を持ち上げて
溶融シリコンを滴下させ、受け坩堝８で回収した。この
ときの滴下中のシリコンの平均径は20mmであった。滴下
前のシリコンのボロン濃度と、滴下後に回収したシリコ
ンのボロン濃度を表１に示す。
【００１６】（実施例２）
比較例と全く同一の装置によって、 2kgのシリコンを加
熱溶融した。坩堝上部に設置されたAr導入口４からArを
10l/min チャンバ１１内に流し、溶解用坩堝２の直下に
設置してあるガス導入口９から5vol％H2O −Ar混合ガス
を15l/min 流した。この状態でストッパ５を持ち上げて
溶融シリコンを滴下させ、受け坩堝８で回収した。この
ときの滴下中のシリコンの平均径は15mmであった。滴下
前のシリコンのボロン濃度と、滴下後に回収したシリコ
ンのボロン濃度を表１に示す。
熱溶融した。坩堝上部に設置されたAr導入口４からArを
10l/min チャンバ１１内に流し、溶解用坩堝２の直下に
設置してあるガス導入口９から5vol％H2O −Ar混合ガス
を15l/min 流した。この状態でストッパ５を持ち上げて
溶融シリコンを滴下させ、受け坩堝８で回収した。この
ときの滴下中のシリコンの平均径は15mmであった。滴下
前のシリコンのボロン濃度と、滴下後に回収したシリコ
ンのボロン濃度を表１に示す。
【００１７】（実施例３）
比較例と全く同一の装置によって、 2kgのシリコンを加
熱溶解した。坩堝上部に設置されたAr導入口４からArを
10l/min チャンバ１１内に流し、溶解用坩堝２の直下に
設置してあるガス導入口９から5vol％H2O −Ar混合ガス
を15l/min 流した。この状態でストッパ５を持ち上げて
溶融シリコンを滴下させ、受け坩堝８で回収した。この
とき水滴発生器１２から約50μm の水滴１３が照射さ
れ、ここを滴下するシリコンが通過した。このときの滴
下中のシリコンの平均径は10mmであった。滴下前のシリ
コンのボロン濃度と、滴下し回収したシリコンのボロン
濃度を表１に示す。
熱溶解した。坩堝上部に設置されたAr導入口４からArを
10l/min チャンバ１１内に流し、溶解用坩堝２の直下に
設置してあるガス導入口９から5vol％H2O −Ar混合ガス
を15l/min 流した。この状態でストッパ５を持ち上げて
溶融シリコンを滴下させ、受け坩堝８で回収した。この
とき水滴発生器１２から約50μm の水滴１３が照射さ
れ、ここを滴下するシリコンが通過した。このときの滴
下中のシリコンの平均径は10mmであった。滴下前のシリ
コンのボロン濃度と、滴下し回収したシリコンのボロン
濃度を表１に示す。
【００１８】（実施例４）
比較例と全く同一の装置によって、 2kgのシリコンを加
熱溶解した。坩堝上部に設置されたAr導入口４からArを
10l/min チャンバ１１内に流し、溶解用坩堝２の直下に
設置してあるガス導入口９から水蒸気濃度を 1〜60vol
％まで変化させたH2O −Ar混合ガスを15l/min 流した。
この状態でストッパ５を持ち上げて溶融シリコンを滴下
させ、受け坩堝８で回収した。このときの滴下中のシリ
コンの平均径は25mmであった。H2O −Ar混合ガス中の水
蒸気濃度と滴下前後のシリコン中のボロン濃度の比の関
係、ならびにH2O −Ar混合ガス中の水蒸気濃度と酸化物
を除去したシリコンの歩留りとの関係を図２に示す。
熱溶解した。坩堝上部に設置されたAr導入口４からArを
10l/min チャンバ１１内に流し、溶解用坩堝２の直下に
設置してあるガス導入口９から水蒸気濃度を 1〜60vol
％まで変化させたH2O −Ar混合ガスを15l/min 流した。
この状態でストッパ５を持ち上げて溶融シリコンを滴下
させ、受け坩堝８で回収した。このときの滴下中のシリ
コンの平均径は25mmであった。H2O −Ar混合ガス中の水
蒸気濃度と滴下前後のシリコン中のボロン濃度の比の関
係、ならびにH2O −Ar混合ガス中の水蒸気濃度と酸化物
を除去したシリコンの歩留りとの関係を図２に示す。
【００１９】（実施例５）
比較例と全く同一の装置によって、 2kgのシリコンを加
熱溶解した。坩堝上部に設置されたAr導入口４からArを
10l/min チャンバ１１内に流し、溶解用坩堝２の直下に
設置してあるガス導入口９から5vol％H2O −Ar混合ガス
を15l/min 流した。この状態でストッパ５を持ち上げて
溶融シリコンを滴下させ、受け坩堝８で回収した。この
とき、滴下孔とストッパ５の先端との距離を調整し、滴
下シリコン６の平均粒径を 5〜50mmまで変化させた。滴
下中のシリコンの大きさと滴下前後のシリコン中のボロ
ン濃度の比の関係を図３に示す。
熱溶解した。坩堝上部に設置されたAr導入口４からArを
10l/min チャンバ１１内に流し、溶解用坩堝２の直下に
設置してあるガス導入口９から5vol％H2O −Ar混合ガス
を15l/min 流した。この状態でストッパ５を持ち上げて
溶融シリコンを滴下させ、受け坩堝８で回収した。この
とき、滴下孔とストッパ５の先端との距離を調整し、滴
下シリコン６の平均粒径を 5〜50mmまで変化させた。滴
下中のシリコンの大きさと滴下前後のシリコン中のボロ
ン濃度の比の関係を図３に示す。
【００２０】本発明の実施例では、表１からわかるよう
に、シリコン中のボロンは必ずしも太陽電池用として十
分な量まで低減されないが、これに前記した従来技術を
併用することにより十分な結果を得ることができる。
に、シリコン中のボロンは必ずしも太陽電池用として十
分な量まで低減されないが、これに前記した従来技術を
併用することにより十分な結果を得ることができる。
【００２１】
【表１】
【００２２】
【発明の効果】本発明によってシリコンから除去しにく
いボロンを予め容易に低減しておくことができるので、
前記した特開平4-228414号公報や特開平4-193706号公報
などで開示されるボロン除去処理の負担が軽減され、最
終的にボロンを除去する時間が短縮される。
いボロンを予め容易に低減しておくことができるので、
前記した特開平4-228414号公報や特開平4-193706号公報
などで開示されるボロン除去処理の負担が軽減され、最
終的にボロンを除去する時間が短縮される。
【図１】本発明を実施する際に用いる装置の一例を示す
縦断面図。
縦断面図。
【図２】H2O −Ar混合ガス中の水蒸気濃度と滴下前後の
シリコン中のボロン濃度の比の関係ならびにH2O −Ar混
合ガス中の水蒸気濃度と酸化物を除去したシリコンの歩
留りとの関係を示すグラフ。
シリコン中のボロン濃度の比の関係ならびにH2O −Ar混
合ガス中の水蒸気濃度と酸化物を除去したシリコンの歩
留りとの関係を示すグラフ。
【図３】滴下シリコンの大きさと滴下前後のシリコン中
のボロン濃度の比の関係を示すグラフ。
のボロン濃度の比の関係を示すグラフ。
１ シリコン
２ シリカ坩堝（溶解・保持用容器）
３ 抵抗式ヒータ
４ Ar導入口
５ ストッパ
６ 滴下シリコン６’滴下後シリコン
７ 坩堝台
８ 受け坩堝（受け容器）
９ H2O −Ar混合ガス導入口
１０ ガス排出口
１１ チャンバ（反応容器）
１２ 水滴発生器
１３ 水滴
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 西川 浩二
千葉県千葉市中央区川崎町１番地 川崎
製鉄株式会社 技術研究本部内
(72)発明者 寺嶋 久榮
千葉県千葉市中央区川崎町１番地 川崎
製鉄株式会社 技術研究本部内
(56)参考文献 英国特許897730（ＧＢ，Ｂ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C01B 33/037
Claims (4)
- 【請求項１】 シリコンの精製を行う反応容器内におい
て、 Ar ガスを導入しつつ、原料シリコンを溶解・保持用
容器の中で溶解して溶融シリコンとし、所定量の水蒸気
を含む Ar ガスを導入して、前記溶解・保持用容器の下方
に1vol％以上、 40vol ％以下の水蒸気を含むArガス雰囲
気層を形成し、該雰囲気層中に前記溶解・保持容器から
溶融シリコンを滴下させ、滴下シリコンを受け容器で受
けると共に、滴下シリコン中のボロンと前記水蒸気とが
反応して生成された酸化ガスおよび使用後のガスのガス
排出を行い、前記原料シリコンを精製することを特徴と
するシリコンの精製方法。 - 【請求項２】 前記滴下シリコンに向けて水滴を照射す
ることを特徴とする請求項１記載のシリコンの精製方
法。 - 【請求項３】 前記滴下シリコンの液滴の平均直径が30
mm以下であることを特徴とする請求項１又は２記載のシ
リコンの精製方法。 - 【請求項４】 シリコンの精製を行う反応容器である、
チャンバ内の上部に、原料シリコンを溶解、保持する容
器が設けられ、該溶解・保持用容器は、溶融シリコンを
滴下できるように構成されており、一方、前記チャンバ
内の下部に、滴下後シリコンを受ける受け容器が設けら
れ、さらに前記チャンバには、その上部に前記 Ar ガス導
入口が設置されていると共に、前記溶解・保持用容器の
直下に相当する高さ方向中間位置に H 2O − Ar 混合ガス導
入口が設置され、その下部にガス排出口が設置されてい
ることを特徴とするシリコンの予備処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18518393A JP3508167B2 (ja) | 1993-07-27 | 1993-07-27 | シリコンの精製方法およびシリコンの予備処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18518393A JP3508167B2 (ja) | 1993-07-27 | 1993-07-27 | シリコンの精製方法およびシリコンの予備処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0733426A JPH0733426A (ja) | 1995-02-03 |
| JP3508167B2 true JP3508167B2 (ja) | 2004-03-22 |
Family
ID=16166303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18518393A Expired - Fee Related JP3508167B2 (ja) | 1993-07-27 | 1993-07-27 | シリコンの精製方法およびシリコンの予備処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3508167B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101028411B1 (ko) * | 2009-03-27 | 2011-04-13 | 최종오 | 폴리 실리콘의 제조방법 및 제조장치 |
-
1993
- 1993-07-27 JP JP18518393A patent/JP3508167B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0733426A (ja) | 1995-02-03 |
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