JP3508964B2 - Liquid crystal display device and manufacturing method thereof - Google Patents
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Landscapes
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- Thin Film Transistor (AREA)
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、たとえばＯＡ機器
等の画像情報あるいは文字情報の表示装置として用いら
れる液晶表示装置に係り、特に、薄膜トランジスタを用
いたアクティブマトリクス方式の液晶表示装置に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device used as a display device for image information or character information in, for example, OA equipment, and more particularly to an active matrix liquid crystal display device using thin film transistors.
【０００２】[0002]
【従来の技術】液晶表示装置は、その画質向上と製造コ
スト削減を同時に達成することを、最大の技術課題とし
ている。2. Description of the Related Art In a liquid crystal display device, it is a major technical task to simultaneously improve its image quality and reduce its manufacturing cost.
【０００３】画質に関しては、薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）のリーク電流や汚染等による液晶材料の抵抗値の低
下に起因する液晶駆動電圧の低下や、ＴＦＴのゲート／
ソース間の寄生容量によるフィードスルー電圧に起因す
る液晶駆動信号への直流成分の重畳を防止するために液
晶容量と並列に補助容量として、付加容量を設けること
が一般に行われている。Regarding image quality, a thin film transistor (TF)
T) The decrease in the liquid crystal drive voltage due to the decrease in the resistance value of the liquid crystal material due to the leakage current, the contamination, etc.
In order to prevent a DC component from being superimposed on a liquid crystal drive signal due to a feedthrough voltage due to a parasitic capacitance between sources, an additional capacitance is generally provided as an auxiliary capacitance in parallel with the liquid crystal capacitance.
【０００４】そして、付加容量の構造としてはさまざま
なものが提案されているが、このうち特開平２−１３７
８２６号公報（第一の従来技術）に記載されたものでは
五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）と窒化シリコン（ＳｉＮ）
の２層絶縁膜を有する容量が開示されている。Various structures have been proposed as the structure of the additional capacitance, of which, Japanese Patent Laid-Open No. 2-137.
No. 826 (first prior art) discloses tantalum pentoxide (Ta 2 O 5 ) and silicon nitride (SiN).
The capacitor having the two-layer insulating film is disclosed.
【０００５】また、コスト削減に関してはＴＦＴ基板
（ＴＦＴが形成されている側の基板）の製造工程短縮が
有効となるが、たとえば特開平２−２２８６３２号公報
（第二の従来技術）において、複数の膜の加工形状を同
一としてホト及びエッチング工程を削減し工程数を低減
する方法が開示されている。すなわち、ＴＦＴを構成す
る半導体層とゲート絶縁膜（ＳｉＮ）を同一のホトマス
クで加工しており、この結果、付加容量を構成する誘電
体層は半導体膜とゲート絶縁膜の２層構造となっている
点が特徴的な構成となっている。Further, in terms of cost reduction, it is effective to shorten the manufacturing process of the TFT substrate (the substrate on which the TFT is formed). For example, in JP-A-2-228632 (second prior art), there are a plurality of A method for reducing the number of photo-etching steps by reducing the number of photo-etching steps by making the processed shape of the film the same is disclosed. That is, the semiconductor layer forming the TFT and the gate insulating film (SiN) are processed by the same photomask, and as a result, the dielectric layer forming the additional capacitance has a two-layer structure of the semiconductor film and the gate insulating film. It has a characteristic structure.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、第一の
従来技術では、ＴＦＴの形成部に半導体層のパターンを
残し、付加容量の形成部では半導体層を除去しなければ
ならず、ゲート絶縁膜のＳｉＮと半導体層のホト及びエ
ッチング工程は別々のホトマスクを用いる必要がある。
そのため、製造工程が多くなりコストを低減できないと
いう問題がある。However, in the first prior art, the semiconductor layer pattern must be left in the TFT formation portion and the semiconductor layer must be removed in the additional capacitance formation portion. It is necessary to use separate photomasks for the photo and etching steps of SiN and the semiconductor layer.
Therefore, there is a problem that the number of manufacturing processes increases and the cost cannot be reduced.
【０００７】また、第二の従来技術では、付加容量部の
誘電体層として半導体膜とゲート絶縁膜の積層膜を使用
しているため、実際に画素を駆動したときに半導体層と
絶縁膜の界面の界面準位による電荷の充放電に起因する
過渡応答により液晶印加電圧が保持期間中に減衰し、付
加容量の本来の目的である電荷を保持する作用が得られ
ず、良好な表示性能を得ることが困難となる問題があ
る。Further, in the second prior art, since the laminated film of the semiconductor film and the gate insulating film is used as the dielectric layer of the additional capacitance portion, when the pixel is actually driven, the semiconductor layer and the insulating film are separated from each other. The liquid crystal applied voltage is attenuated during the holding period due to the transient response caused by the charge / discharge of the electric charge due to the interface state of the interface, and the original purpose of the additional capacitance, that is, the function of holding the electric charge, is not obtained, and good display performance There is a problem that is difficult to obtain.
【０００８】本発明はこのような事情に基づいてなされ
たものであり、その目的は、その製造工程を短縮でき、
しかも良好な画質の得られる液晶表示装置およびその製
造方法を提供することにある。The present invention has been made under these circumstances, and an object thereof is to shorten the manufacturing process,
Moreover, it is an object of the present invention to provide a liquid crystal display device which can obtain good image quality and a manufacturing method thereof.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。Among the inventions disclosed in the present application, a brief description will be given to the outline of typical ones.
It is as follows.
【００１０】すなわち、透明基板上に形成された複数の
走査電極と、前記走査電極と交差するように形成された
複数の映像信号電極と、前記走査電極と映像信号電極に
接続された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ
に接続された画素電極と、前記画素電極に接続された補
助容量と、少なくとも前記薄膜トランジスタを被覆する
保護絶縁膜とを備える液晶表示装置において、前記補助
容量は、走査電極と、前記走査電極の表面及び側面を被
覆するように形成された走査電極の自己酸化膜と、前記
走査電極表面上でのみ前記自己酸化膜と接触する上部電
極とから構成され、かつ前記薄膜トランジスタを構成す
る半導体膜とゲート絶縁膜は略同一の平面形状を有する
ことを特徴とするものである。なお、上記表面とは走査
電極または共通電極の、側面を除く、基板と略平行な上
表面を指す。That is, a plurality of scanning electrodes formed on a transparent substrate, a plurality of video signal electrodes formed so as to intersect the scanning electrodes, and a thin film transistor connected to the scanning electrodes and the video signal electrodes, In a liquid crystal display device including a pixel electrode connected to the thin film transistor, an auxiliary capacitor connected to the pixel electrode, and a protective insulating film covering at least the thin film transistor, the auxiliary capacitor includes a scanning electrode and a scanning electrode. A self-oxidation film of the scanning electrode formed so as to cover the surface and the side surface of the scanning electrode, and a semiconductor film that is composed of an upper electrode that is in contact with the self-oxidation film only on the scanning electrode surface, and that constitutes the thin film transistor, The gate insulating film is characterized by having substantially the same planar shape. The above-mentioned surface refers to the upper surface of the scanning electrode or the common electrode that is substantially parallel to the substrate, excluding the side surfaces.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】以下、本発明による液晶表示装置
およびその製造方法の各実施例を図面を用いて説明す
る。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of a liquid crystal display device and a manufacturing method thereof according to the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１２】まず、図１１は本発明による液晶表示装置
の全体を示す等価回路図である。同図に示す液晶表示装
置は、液晶表示パネル１００と、その外付け部品として
の垂直走査回路Ｖ、映像信号駆動回路Ｈおよび電源回路
ＳＵＰとから構成されている。First, FIG. 11 is an equivalent circuit diagram showing the entire liquid crystal display device according to the present invention. The liquid crystal display device shown in the figure includes a liquid crystal display panel 100, and a vertical scanning circuit V, a video signal drive circuit H, and a power supply circuit SUP as external components.
【００１３】図中、ＸｉＧ、Ｘｉ＋１Ｇ、…は緑色フィ
ルタＧが形成される画素に接続された映像信号電極であ
る。同様にＸｉＢ、Ｘｉ＋１Ｂ、…は青色フィルタが、
ＸｉＲ、Ｘｉ＋１Ｒ、…は赤色フィルタＲが形成される
画素に接続された映像信号電極である。Ｙｉ、Ｙｉ＋
１、…は図中に示した画素列Ｘ１、Ｘ２、…を選択する
走査電極１０であり、これらの走査電極１０は垂直走査
回路Ｖに接続されている。また、映像信号電極は映像信
号駆動回路Ｈに接続されている。電源回路ＳＵＰは一つ
の電圧源から複数の分圧した安定化された電圧源を得る
ための電源回路やホスト（上位演算処理装置）からの陰
極線管用の情報を液晶表示パネル用の情報に変換する回
路を含む回路である。In the figure, XiG, Xi + 1G, ... Are video signal electrodes connected to the pixels in which the green filters G are formed. Similarly, XiB, Xi + 1B, ... Are blue filters,
XiR, Xi + 1R, ... Are video signal electrodes connected to the pixels in which the red filter R is formed. Yi, Yi +
The scanning electrodes 10 for selecting the pixel columns X1, X2, ... Shown in the drawing are connected to the vertical scanning circuit V. The video signal electrodes are connected to the video signal drive circuit H. The power supply circuit SUP converts information for a cathode ray tube from a power supply circuit or a host (upper processing unit) to obtain a plurality of divided and stabilized voltage sources from one voltage source into information for a liquid crystal display panel. It is a circuit including a circuit.
【００１４】なお、カラー表示用の一画素を構成する３
個の各単位画素には、それぞれ薄膜トランジスタＴＦ
Ｔ、と補助容量が備えられ、これらについては後に詳述
する。It is to be noted that 3 which constitutes one pixel for color display
Each unit pixel has a thin film transistor TF.
T and a storage capacitor are provided, which will be described in detail later.
【００１５】図１２は、前記液晶表示パネル１００の断
面を示す図である。同図において、液晶層５０６を基準
に下部のガラス基板上には、互いに直交する走査電極１
０と映像信号電極１４がマトリクス状に形成され、その
交点近傍に形成された薄膜トランジスタＴＦＴを介して
ＩＴＯからなる画素電極１３を駆動するようになってい
る。FIG. 12 is a view showing a cross section of the liquid crystal display panel 100. In the figure, on the lower glass substrate based on the liquid crystal layer 506, the scanning electrodes 1 orthogonal to each other are provided.
0 and the video signal electrode 14 are formed in a matrix, and the pixel electrode 13 made of ITO is driven through the thin film transistor TFT formed near the intersection thereof.
【００１６】また、液晶層５０６を挟んで対向する対向
ガラス基板５０８上にはＩＴＯよりなる対向電極５１０
及びカラーフィルタ５０７、カラーフィルタ保護膜５１
１、遮光用ブラックマトリクスパターンを形成する遮光
膜５１２が形成されている。A counter electrode 510 made of ITO is formed on a counter glass substrate 508 which faces the liquid crystal layer 506 with the liquid crystal layer 506 interposed therebetween.
And color filter 507, color filter protective film 51
1. A light blocking film 512 forming a black matrix pattern for light blocking is formed.
【００１７】同図の中央部は１画素分の断面を示し、左
側は一対のガラス基板１、５０８の左側縁部分で外部引
きだし端子の存在する部分の断面を示し、右側は一対の
ガラス基板１、５０８の右側縁部分で外部引きだし端子
の存在しない部分の断面を示している。左側、右側のそ
れぞれに示すシールＳＬは液晶層５０６を封止するよう
に構成されており、液晶封入口（図示していない）を除
くガラス基板１、５０８の縁全体に沿って形成されてい
る。このシール剤は、例えばエポキシ樹脂で形成されて
いる。The center of the figure shows a cross section for one pixel, the left side shows the cross section of the left edge portion of the pair of glass substrates 1 and 508 where the external lead terminals are present, and the right side shows the pair of glass substrates 1. , 508 shows a cross section of the right side edge portion where there is no external lead terminal. The seal SL shown on each of the left side and the right side is configured to seal the liquid crystal layer 506, and is formed along the entire edges of the glass substrates 1 and 508 excluding the liquid crystal sealing port (not shown). . This sealing agent is made of, for example, an epoxy resin.
【００１８】対向ガラス基板５０８側の対向電極５１０
は少なくともその一箇所において銀ペースト材ＳＩＬに
よりガラス基板１に引き出された外部引き出し配線に接
続されている。この外部接続配線は走査電極配線１０、
ソース電極１５、映像信号電極１４のそれぞれと同一製
造工程で形成されるようになっている。The counter electrode 510 on the counter glass substrate 508 side
Is connected to the external lead-out wire drawn out to the glass substrate 1 by the silver paste material SIL at at least one position thereof. The external connection wiring is the scanning electrode wiring 10,
The source electrode 15 and the video signal electrode 14 are formed in the same manufacturing process.
【００１９】配向膜ＯＲＩ１、ＯＲＩ２、画素電極１
３、保護絶縁膜２３、カラーフィルタ保護膜５１１、ゲ
ート絶縁膜２１のそれぞれの層はシールＳＬの内側に形
成されている。偏光板５０５はそれぞれ一対のガラス基
板１、５０８の外側表面に形成されている。Alignment films ORI1 and ORI2, pixel electrode 1
3, the protective insulating film 23, the color filter protective film 511, and the gate insulating film 21 are formed inside the seal SL. The polarizing plates 505 are formed on the outer surfaces of the pair of glass substrates 1 and 508, respectively.
【００２０】液晶層５０６は液晶分子の向きを設定する
下部配向膜ＯＲＩ１と上部配向膜ＯＲＩ２の間に封入さ
れ、前記シールＳＬによってシールされている。下部配
向膜ＯＲＩ１はガラス基板１側の保護絶縁膜２３の上部
に形成されている。対向ガラス基板５０８の内側の表面
には、遮光膜５１２、カラーフィルタ５０７、カラーフ
ィルタ保護膜５１１、対向電極５１０及び上部配向膜Ｏ
ＲＩ２が順次積層して設けられている。The liquid crystal layer 506 is enclosed between the lower alignment film ORI1 and the upper alignment film ORI2 that set the orientation of the liquid crystal molecules, and is sealed by the seal SL. The lower alignment film ORI1 is formed on the protective insulating film 23 on the glass substrate 1 side. On the inner surface of the counter glass substrate 508, a light shielding film 512, a color filter 507, a color filter protective film 511, a counter electrode 510 and an upper alignment film O.
RI2 is sequentially stacked.
【００２１】この液晶表示装置はガラス基板１側と対向
ガラス基板５０８側の層を別々に形成し、その後、上下
ガラス基板１、５０８を互いに重ね合せ、それらの間に
液晶５０６を封入することにより組み立てられるように
なっている。In this liquid crystal display device, layers on the glass substrate 1 side and the counter glass substrate 508 side are formed separately, and then the upper and lower glass substrates 1 and 508 are superposed on each other, and the liquid crystal 506 is sealed between them. It can be assembled.
【００２２】そして、バックライトＢＬからの光の透過
を画素電極１３部分で調節することにより、ＴＦＴ駆動
型のカラー液晶表示装置が構成されるようになってい
る。Then, the transmission of light from the backlight BL is adjusted by the pixel electrode 13 portion, whereby a TFT driving type color liquid crystal display device is constructed.
【００２３】図１３は、ＴＦＴ側の画素配列の平面図を
示している。各画素は走査電極１０が延在する方向に複
数配列され、画素列Ｘ１、Ｘ２、…の各々を構成してい
る。各画素列列Ｘ１、Ｘ２、…のそれぞれの画素は薄膜
トランジスタＴＦＴ、画素電極１３及び補助容量の位置
を同一にしてそれぞれ構成されている。映像信号電極１
４は走査電極１０と交差するように配置され各画素列の
うちの１個の画素電極を介して接続されている。FIG. 13 shows a plan view of a pixel array on the TFT side. A plurality of pixels are arranged in the direction in which the scanning electrodes 10 extend to form each of the pixel columns X1, X2, .... Each pixel of each pixel column column X1, X2, ... Is configured with the same positions of the thin film transistor TFT, the pixel electrode 13, and the auxiliary capacitance. Video signal electrode 1
Reference numeral 4 is arranged so as to cross the scanning electrode 10 and is connected via one pixel electrode in each pixel column.
【００２４】実施例１．図１は、上述した液晶表示パネ
ル１００における単位画素の一実施例を示す断面図（同
図（ａ））および平面図（同図（ｂ））を示している。
同図（ａ）は同図（ｂ）のａ−ａ線に沿った断面図であ
る。 Example 1. FIG. 1 shows a cross-sectional view (FIG. 1A) and a plan view (FIG. 1B) showing an example of a unit pixel in the liquid crystal display panel 100 described above.
FIG. 3A is a sectional view taken along the line aa in FIG.
【００２５】同図において、ガラス基板１上にＡｌから
なる走査電極１０が形成され、その表面は陽極酸化によ
るアルミナ膜２０で被覆されている。走査電極１０のパ
ターン端部は、ガラス基板１側に末広がりとなるテーパ
状に加工されている。In the figure, a scanning electrode 10 made of Al is formed on a glass substrate 1, and its surface is covered with an alumina film 20 by anodic oxidation. The pattern end portion of the scanning electrode 10 is processed into a tapered shape that widens toward the glass substrate 1 side.
【００２６】アルミナ膜２０上にはＳｉＮ膜よりなるゲ
ート絶縁膜２１、真性非晶質Ｓｉ（以下、ａ−Ｓｉと称
す）膜３０、ｎ型ａ−Ｓｉ膜３１、映像信号電極（ドレ
イン電極）１４、ソース電極１５とからなる薄膜トラン
ジスタ（以下、ＴＦＴと称す）が形成されている。On the alumina film 20, a gate insulating film 21 made of a SiN film, an intrinsic amorphous Si (hereinafter referred to as a-Si) film 30, an n-type a-Si film 31, a video signal electrode (drain electrode). A thin film transistor (hereinafter, referred to as a TFT) including a source electrode 15 and a source electrode 15 is formed.
【００２７】ガラス基板１上には、インジウム−スズ−
酸化膜（以下、ＩＴＯと称す）からなる画素電極１３が
形成され、その一部はソース電極１５に接続されてい
る。On the glass substrate 1, indium-tin-
A pixel electrode 13 made of an oxide film (hereinafter referred to as ITO) is formed, and a part thereof is connected to the source electrode 15.
【００２８】隣接画素における走査電極１０のアルミナ
膜２０上には、ＩＴＯからなる上部電極１７が設けら
れ、この上部電極１７は、その上層に形成されたＳｉＮ
膜よりなるゲート絶縁膜２１、ａ−Ｓｉ膜３０、ｎ型ａ
−Ｓｉ膜３１の積層膜に形成されるコンタクトホールを
介して、補助容量の補助電極１６が形成されている。そ
して、この補助電極１６の他端は、ガラス基板１上の画
素電極１３と接続されている。本実施例では、補助容量
として、隣接する走査電極上に容量を形成する付加容量
を設けている。An upper electrode 17 made of ITO is provided on the alumina film 20 of the scanning electrode 10 in the adjacent pixel, and the upper electrode 17 is made of SiN formed on the upper layer thereof.
Gate insulating film 21, a-Si film 30, n-type a
The auxiliary electrode 16 of the auxiliary capacitor is formed through the contact hole formed in the laminated film of the -Si film 31. The other end of the auxiliary electrode 16 is connected to the pixel electrode 13 on the glass substrate 1. In this embodiment, as the auxiliary capacitance, an additional capacitance that forms a capacitance on the adjacent scanning electrode is provided.
【００２９】ここで、前記コンタクトホールの周囲の前
記積層膜は、走査電極１０の段差部を充分に被覆する様
に形成されている。さらに、保護絶縁膜２３がＴＦＴ及
び付加容量を被覆するように形成されている。Here, the laminated film around the contact hole is formed so as to sufficiently cover the step portion of the scanning electrode 10. Further, the protective insulating film 23 is formed so as to cover the TFT and the additional capacitance.
【００３０】この実施例における特徴的な構造は、ま
ず、画素電極１３が走査電極１０と同一平面上に形成さ
れ、この走査電極１０上の付加容量の上部電極１７とコ
ンタクトホールを介して補助容量の補助電極１６が接続
されていることにある。In the characteristic structure of this embodiment, first, the pixel electrode 13 is formed on the same plane as the scan electrode 10, and the auxiliary capacitance is formed through the contact hole and the upper electrode 17 of the additional capacitance on the scan electrode 10. The auxiliary electrode 16 of is connected.
【００３１】また、補助容量部において補助電極１６が
コンタクトホールの開口部を完全に被覆し、補助電極１
６のパターン縁部が上部電極１７またはアルミナ膜２０
表面と直接接していないこと、さらには上部電極１７も
しくは画素電極１３が走査電極１０上のアルミナ膜２０
パターン縁辺のテーパ部において分離されていることに
ある。In the auxiliary capacitance portion, the auxiliary electrode 16 completely covers the opening of the contact hole, and the auxiliary electrode 1
The pattern edge of 6 is the upper electrode 17 or the alumina film 20.
It is not in direct contact with the surface, and further, the upper electrode 17 or the pixel electrode 13 has the alumina film 20 on the scanning electrode 10.
They are separated at the tapered portion of the pattern edge.
【００３２】このように構成することによって、アルミ
ナ膜２０のテーパ部を上部電極１７が被覆した場合、あ
るいは上部電極１７に補助電極１６の周縁が接触して形
成された場合に起こりやすいアルミナ膜２０の絶縁耐圧
低下を防止できるようになる。With this structure, the alumina film 20 is likely to occur when the taper portion of the alumina film 20 is covered with the upper electrode 17 or when the peripheral edge of the auxiliary electrode 16 is formed in contact with the upper electrode 17. It becomes possible to prevent the decrease of the withstand voltage.
【００３３】また、アルミナ膜２０上に上部電極１７を
直接設けることにより、半導体／絶縁膜の２層を含む容
量を削減することができる。このため、半導体／絶縁膜
の界面準位による電荷の充放電に起因する過渡応答によ
る液晶印加電圧の保持期間中における減衰を低減するこ
とができて、保持特性を改善できるようになる。Further, by providing the upper electrode 17 directly on the alumina film 20, it is possible to reduce the capacity including the two layers of the semiconductor / insulating film. Therefore, it is possible to reduce the attenuation during the holding period of the liquid crystal applied voltage due to the transient response caused by the charge / discharge of charges due to the interface state of the semiconductor / insulating film, and it is possible to improve the holding characteristic.
【００３４】そして、補助容量を形成する部分のアルミ
ナ膜２０は、上部電極１７及びゲート絶縁膜により保護
されることから、ソース電極１５、映像信号電極１４ま
たはゲート絶縁膜２１の加工工程で、エッチング液やガ
スに曝されることがないので、良好な絶縁特性を維持す
ることもできるようになる。Since the alumina film 20 in the portion forming the auxiliary capacitance is protected by the upper electrode 17 and the gate insulating film, it is etched in the process of processing the source electrode 15, the video signal electrode 14 or the gate insulating film 21. Since it is not exposed to liquid or gas, it also becomes possible to maintain good insulation characteristics.
【００３５】さらに、走査電極１０はテーパ加工されて
いるために、パターン縁辺の角部への電解集中を防止で
き、このことから良好な絶縁特性を得ることができるよ
うになる。Further, since the scanning electrode 10 is tapered, it is possible to prevent electrolytic concentration at the corners of the pattern edge, and to obtain good insulation characteristics.
【００３６】ＳｉＮ膜よりなるゲート絶縁膜２１、ａ−
Ｓｉ膜３０、ｎ型ａ−Ｓｉ膜３１の積層膜を同一のマス
クを用いて同時にエッチング加工するため、ほぼ同一な
パターンを持ちかつ積層膜側面がテーパ形状とすること
ができる。このため工程数を削減できるとともに、ソー
ス電極１５、映像信号電極１４、補助電極１６が段差乗
り越え部で断線することを防止できるようになる。The gate insulating film 21, a− made of a SiN film
Since the laminated film of the Si film 30 and the n-type a-Si film 31 is simultaneously etched using the same mask, it is possible to have substantially the same pattern and the side surfaces of the laminated film to be tapered. Therefore, it is possible to reduce the number of steps, and it is possible to prevent the source electrode 15, the video signal electrode 14, and the auxiliary electrode 16 from being broken at the step-over portion.
【００３７】次に、上述した構成からなる液晶表示装置
の製造方法の一実施例を図２および図３を用いて説明す
る。ここで、各図の工程は図１に示した構成の製造方法
について示している。Next, one embodiment of a method of manufacturing the liquid crystal display device having the above-mentioned structure will be described with reference to FIGS. Here, the process of each figure shows the manufacturing method of the structure shown in FIG.
【００３８】工程１．（図２（ａ））
ガラス基板１上にスパッタ法によりＡｌ膜を３００ｎｍ
堆積して、周知のホトリソグラフィ法により所定の形状
にパターニングして走査電極１０を得る。Step 1. (FIG. 2A) An Al film of 300 nm is formed on the glass substrate 1 by the sputtering method.
The scanning electrode 10 is obtained by depositing and patterning it into a predetermined shape by a well-known photolithography method.
【００３９】工程２．（図２（ｂ））
陽極酸化法により、走査電極１０の表面（側面をも含
む）にアルミナ膜２０を形成する。この場合の陽極酸化
は、たとえば酒石酸をアンモニア水によりｐＨ約７に調
整した溶液をエチレングリコールで希釈した溶液中で行
い、これにより印加電圧１４５Ｖで約２００ｎｍの膜厚
のアルミナ膜を形成できる。Step 2. (FIG. 2B) The alumina film 20 is formed on the surface (including the side surface) of the scanning electrode 10 by the anodic oxidation method. The anodic oxidation in this case is performed, for example, in a solution in which tartaric acid is adjusted to a pH of about 7 with ammonia water and diluted with ethylene glycol, whereby an alumina film having a thickness of about 200 nm can be formed at an applied voltage of 145V.
【００４０】工程３．（図２（ｃ））
スパッタ法によりＩＴＯ膜を１２０ｎｍ堆積し、所定の
形状にパターニングして画素電極１３を得る。この場
合、補助容量を形成するアルミナ膜２０上に上部電極１
７も同時に形成する。このように、アルミナ膜２０の形
成直後に補助容量の上部電極１７を形成することによ
り、容量部のアルミナ膜２０が後の工程におけるエッチ
ングガスや薬液に曝されることがなくなり、良好な絶縁
耐圧を保つ構造とすることができる。Step 3. (FIG. 2C) An ITO film is deposited to a thickness of 120 nm by a sputtering method and patterned into a predetermined shape to obtain the pixel electrode 13. In this case, the upper electrode 1 is formed on the alumina film 20 forming the auxiliary capacitance.
7 is also formed at the same time. In this way, by forming the upper electrode 17 of the auxiliary capacitance immediately after the formation of the alumina film 20, the alumina film 20 in the capacitance portion is not exposed to the etching gas or the chemical solution in the subsequent process, and the good withstand voltage is obtained. Can be configured to keep
【００４１】工程４．（図３（ｄ））
プラズマＣＶＤ法により、ＴＦＴのゲート絶縁膜である
ＳｉＮ膜２１、活性層であるａ−Ｓｉ膜３０、及びコン
タクト層となるｎ型ａ−Ｓｉ膜３１を連続して形成す
る。ＳｉＮ膜２１は、たとえばその原料ガスとしてＳｉ
Ｈ４、Ｈ２、ＮＨ３を用い、基板温度を３００℃とする
ことによって、２００ｎｍの厚さに形成する。ａ−Ｓｉ
膜３０は、たとえばその原料ガスとしてＳｉＨ４を用
い、基板温度を２５０℃とすることによって、２５０ｎ
ｍの厚さに形成する。ｎ型ａ−Ｓｉ膜３１は、たとえば
その原料ガスとしてＳｉＨ４及びＰＨ３を用い、基板温
度を２５０℃とすることによって、５０ｎｍの厚さに形
成する。Step 4. (FIG. 3D) By plasma CVD, a SiN film 21 which is a gate insulating film of a TFT, an a-Si film 30 which is an active layer, and an n-type a-Si film 31 which is a contact layer are continuously formed. To do. The SiN film 21 is made of, for example, Si as a raw material gas.
H4, H2, and NH3 are used, and the substrate temperature is set to 300 ° C. to form a film having a thickness of 200 nm. a-Si
The film 30 is made to have a thickness of 250 n by using SiH4 as its source gas and setting the substrate temperature to 250 ° C.
It is formed to a thickness of m. The n-type a-Si film 31 is formed to have a thickness of 50 nm by using, for example, SiH4 and PH3 as its source gas and setting the substrate temperature to 250 ° C.
【００４２】なお、プラズマＣＶＤ法を用いて膜を堆積
する際には、走査電極１０及び共通電極１１は接地電位
にしておくことが望ましい。このようにすることによ
り、ＣＶＤでの膜の堆積中にプラズマの荷電粒子が基板
に入射してもチャージアップすることがないため、工程
中にアルミナ膜が絶縁破壊することを防止できるように
なる。When depositing a film by using the plasma CVD method, it is desirable that the scanning electrode 10 and the common electrode 11 are at the ground potential. By doing so, even if charged particles of plasma are incident on the substrate during the deposition of the film by CVD, charge-up does not occur, and it is possible to prevent dielectric breakdown of the alumina film during the process. .
【００４３】走査電極１０は広い面積に渡って形成され
ているために電荷を蓄積しやすく、一方、形成された容
量は１ｐＦ以下の小さなものであるため、上記のような
対策を施さないと容易に絶縁破壊する。したがって、走
査電極の電位を固定して電荷を蓄積しないようにするこ
とで、上記の不良を防止するためである。Since the scan electrode 10 is formed over a wide area, it is easy to accumulate charges. On the other hand, since the formed capacitance is a small value of 1 pF or less, it is easy unless the above measures are taken. Dielectric breakdown. Therefore, by fixing the potential of the scan electrode so that the charges are not accumulated, the above-mentioned defects are prevented.
【００４４】次に、ＳｉＮ膜２１、ａ−Ｓｉ膜３０、及
びｎ型ａ−Ｓｉ膜３１を同一のホトマスクを用いてほぼ
同一の形状にドライエッチングしパターニングする。エ
ッチングにはたとえばＳＦ６ガスを用いる。ＳＦ６ガス
を用いる場合、各膜のエッチング速度は、ｎ型ａ−Ｓｉ
膜が最も速く、ａ−Ｓｉ膜が２番目に速く、ＳｉＮ膜が
一番遅い。そのため側面のエッチング形状は、図中に示
すように、基板に対する角度が、ＳｉＮ膜、ａ−Ｓｉ
膜、ｎ型ａ−Ｓｉ膜の順に大きくなって、テーパ形状と
なる。このテーパ形状は、後の工程で上層に形成される
ソース電極、映像信号電極、及び補助電極の断線を防止
する上で有効となる。Next, the SiN film 21, the a-Si film 30, and the n-type a-Si film 31 are dry-etched and patterned into substantially the same shape using the same photomask. SF6 gas, for example, is used for etching. When SF6 gas is used, the etching rate of each film is n-type a-Si.
The film is the fastest, the a-Si film is the second fastest, and the SiN film is the slowest. Therefore, as shown in the figure, the etching shape of the side surface is such that the angle with respect to the substrate is the SiN film, a-Si
The film and the n-type a-Si film increase in this order to form a tapered shape. This taper shape is effective in preventing disconnection of the source electrode, the video signal electrode, and the auxiliary electrode, which are formed in the upper layer in a later step.
【００４５】また、ＳｉＮ膜２１、ａ−Ｓｉ膜３０、及
びｎ型ａ−Ｓｉ膜３１を補助容量の走査電極の段差部分
にも同時に形成することにより、容量部のアルミナ膜２
０が後の工程でエッチングガスや薬液に曝されることを
防止でき、良好な絶縁耐圧を保つ構成とすることができ
るようになる。Further, by simultaneously forming the SiN film 21, the a-Si film 30, and the n-type a-Si film 31 also on the step portion of the scan electrode of the auxiliary capacitance, the alumina film 2 of the capacitance portion is formed.
It is possible to prevent 0 from being exposed to an etching gas or a chemical solution in a later step, and it is possible to obtain a structure in which a good withstand voltage is maintained.
【００４６】工程５．（図３（ｅ））
スパッタ法によりＣｒを５０ｎｍ、Ａｌを４００ｎｍ形
成し所定の形状にパターニングして、映像信号電極１
４、ソース電極１３、および補助電極１６を形成する。Step 5. (FIG. 3 (e)) Cr is formed to a thickness of 50 nm and Al is formed to a thickness of 400 nm by a sputtering method and patterned into a predetermined shape.
4, the source electrode 13 and the auxiliary electrode 16 are formed.
【００４７】工程６．（図３（ｆ））
プラズマＣＶＤ法を用いて、保護絶縁膜となるＳｉＮ膜
を堆積し、ＴＦＴ部と補助容量部を被うように、所定の
形状にパターニングし、ＴＦＴ基板を完成する。Step 6. (FIG. 3 (f)) A plasma CVD method is used to deposit a SiN film to serve as a protective insulating film and pattern it into a predetermined shape so as to cover the TFT portion and the auxiliary capacitance portion, thereby completing the TFT substrate.
【００４８】実施例２．図４は、上述した液晶表示パネ
ル１００における単位画素の他の実施例を示す断面図
（同図（ａ））および平面図（同図（ｂ））を示してい
る。同図（ａ）は同図（ｂ）のａ−ａ線に沿った断面図
である。 Example 2. FIG. 4 is a sectional view (FIG. 4A) and a plan view (FIG. 4B) showing another embodiment of the unit pixel in the liquid crystal display panel 100 described above. FIG. 3A is a sectional view taken along the line aa in FIG.
【００４９】同図において、ガラス基板１上にＡｌから
なる走査電極１０が形成され、その表面は陽極酸化によ
るアルミナ膜２０で被覆されている。走査電極のパター
ンの周辺はガラス基板１側へ末広がりになるテーパが加
工されている。In the figure, a scanning electrode 10 made of Al is formed on a glass substrate 1, and its surface is covered with an alumina film 20 by anodic oxidation. The periphery of the scan electrode pattern is processed to have a taper that spreads toward the glass substrate 1 side.
【００５０】アルミナ膜２０上にはＳｉＮ膜からなるゲ
ート絶縁膜２１、ａ−Ｓｉ膜３０、ｎ型ａ−Ｓｉ膜３
１、映像信号電極１４、ソース電極１５からなるＴＦＴ
が形成されている。On the alumina film 20, a gate insulating film 21 made of a SiN film, an a-Si film 30, an n-type a-Si film 3 are formed.
1, a TFT including a video signal electrode 14 and a source electrode 15
Are formed.
【００５１】また、ガラス基板１上には、ＩＴＯからな
る画素電極１３が形成され、その一端はソース電極１５
に接続されている。画素電極１３の他端は表面にアルミ
ナ膜２０を形成した隣接画素の走査電極１０上まで延在
され、この延在部において補助容量が形成されている。A pixel electrode 13 made of ITO is formed on the glass substrate 1, and one end of the pixel electrode 13 is a source electrode 15.
It is connected to the. The other end of the pixel electrode 13 extends to the scanning electrode 10 of the adjacent pixel having the alumina film 20 formed on the surface thereof, and an auxiliary capacitance is formed in this extending portion.
【００５２】さらに、補助容量部のＩＴＯ膜は、その上
層にＳｉＮ膜よりなるゲート絶縁膜２１、ａ−Ｓｉ膜３
０、ｎ型ａ−Ｓｉ膜３１の積層膜が形成され、この積層
体に形成されたコンタクトホールを介して補助容量の補
助電極１６と接続されている。そして、補助電極１６
は、その他端がガラス基板上の画素電極１３と接続され
た冗長構造となっている。Further, the ITO film of the auxiliary capacitance portion has a gate insulating film 21 made of a SiN film and an a-Si film 3 as an upper layer thereof.
A laminated film of 0 and n-type a-Si film 31 is formed, and is connected to the auxiliary electrode 16 of the auxiliary capacitor through a contact hole formed in this laminated body. Then, the auxiliary electrode 16
Has a redundant structure in which the other end is connected to the pixel electrode 13 on the glass substrate.
【００５３】さらに、ＴＦＴ及び補助容量を被覆するよ
うにＳｉＮ膜よりなる保護絶縁膜２３が形成されてい
る。Further, a protective insulating film 23 made of a SiN film is formed so as to cover the TFT and the auxiliary capacitance.
【００５４】この実施例の特徴的な構成は、まず、画素
電極１３が走査電極１０と同一平面上に形成され、その
一端を走査電極１０上まで延在させ、その延在部を補助
容量として構成したところにある。In the characteristic configuration of this embodiment, first, the pixel electrode 13 is formed on the same plane as the scanning electrode 10, one end thereof is extended to above the scanning electrode 10, and the extended portion is used as an auxiliary capacitance. It is in the place where it was configured.
【００５５】また、走査電極１０の段差乗り越え部にお
いて画素電極１３が万一切れた場合のことを考慮し、補
助電極１６を冗長構造とするとともに、補助容量部の画
素電極１３上にコンタクトホールを設け、このコンタク
トホールの開口部を完全に補助電極１６で被覆し、前記
補助電極１６のパターン縁部が画素電極１３またはアル
ミナ膜２０の表面と直接接していない構成となってい
る。このようにすることによって、画素電極１３に補助
電極１６のパターン縁が接した場合に起こりやすいアル
ミナ膜の絶縁耐圧低下を防止することができるようにな
る。In consideration of the case where the pixel electrode 13 is damaged in the step overrun of the scanning electrode 10, the auxiliary electrode 16 has a redundant structure and a contact hole is formed on the pixel electrode 13 of the auxiliary capacitance part. The opening of this contact hole is completely covered with the auxiliary electrode 16, and the pattern edge of the auxiliary electrode 16 is not in direct contact with the surface of the pixel electrode 13 or the surface of the alumina film 20. By doing so, it becomes possible to prevent a decrease in the dielectric strength of the alumina film, which tends to occur when the pattern edge of the auxiliary electrode 16 contacts the pixel electrode 13.
【００５６】また、アルミナ膜２００上に画素電極１３
を延在して直接重ねたことにより、コンタクトホールを
形成する半導体／絶縁膜の２層を含む容量を削減するこ
とができ、半導体／絶縁膜の界面準位による電荷の充放
電に起因する過渡応答による液晶印加電圧の保持期間中
における減衰を低減することができ、保持特性を改善で
きる。The pixel electrode 13 is formed on the alumina film 200.
By extending and directly overlapping, the capacitance including the two layers of the semiconductor / insulating film forming the contact hole can be reduced, and the transient caused by the charge / discharge of charges due to the interface state of the semiconductor / insulating film can be reduced. Attenuation of the liquid crystal applied voltage due to the response during the holding period can be reduced, and the holding characteristic can be improved.
【００５７】また、補助容量を形成する部分のアルミナ
膜２０は、画素電極１３及びゲート絶縁膜２１により保
護されることから、ソース電極１５、映像信号電極１４
またはゲート絶縁膜２１の加工工程で、エッチングガス
や薬液に曝されることがないので、良好な絶縁特性を維
持できる。Further, since the alumina film 20 in the portion forming the auxiliary capacitance is protected by the pixel electrode 13 and the gate insulating film 21, the source electrode 15 and the video signal electrode 14 are protected.
Alternatively, since the gate insulating film 21 is not exposed to an etching gas or a chemical solution in the process of processing, it is possible to maintain good insulating characteristics.
【００５８】そして、走査電極１０がテーパ加工されて
いるために、画素電極１３が走査電極１０の段差乗り越
え部で切れることを防止できるとともに、走査電極１０
のパターン縁辺の角部への電解集中を防止でき、良好な
絶縁特性を得られる。Since the scanning electrode 10 is tapered, it is possible to prevent the pixel electrode 13 from being cut off at the step-over portion of the scanning electrode 10, and the scanning electrode 10 can be prevented.
Electrolytic concentration can be prevented from concentrating on the corners of the pattern edge, and good insulation characteristics can be obtained.
【００５９】さらに、ＳｉＮ膜よりなるゲート絶縁膜２
１、ａ−Ｓｉ膜３０、ｎ型ａ−Ｓｉ膜３１の積層膜を同
一のマスクを用いて同時にエッチング加工するため、ほ
ぼ同一なパターンを持ちかつ積層膜側面がテーパ形状と
なる。このため工程数を削減できるとともに、ソース電
極１５、映像信号電極１４、補助電極１６が段差乗り越
え部で断線してしまうことも防止できる。Further, the gate insulating film 2 made of SiN film
Since the laminated film of 1, the a-Si film 30 and the n-type a-Si film 31 are simultaneously etched using the same mask, the laminated film has almost the same pattern and the side faces of the laminated film are tapered. Therefore, it is possible to reduce the number of steps, and it is possible to prevent the source electrode 15, the video signal electrode 14, and the auxiliary electrode 16 from being broken at the step-over portion.
【００６０】さらに、補助容量の上部電極として画素電
極を延在して形成しているため、実施例１と比較した場
合、走査電極１０と画素電極１３を近づけて形成するこ
とができ、これによって開口率を向上できる効果をも奏
する。Further, since the pixel electrode is formed so as to extend as the upper electrode of the auxiliary capacitor, the scanning electrode 10 and the pixel electrode 13 can be formed closer to each other as compared with the first embodiment. It also has the effect of improving the aperture ratio.
【００６１】なお、このような構成からなる液晶表示パ
ネルの製造方法は、図２、図３に示した工程とほぼ同じ
であり、画素電極１３の形成にあって、図１に示した上
部電極１７と一体に形成するところが異なるのみであ
る。The method of manufacturing the liquid crystal display panel having such a structure is almost the same as the steps shown in FIGS. 2 and 3, and in forming the pixel electrode 13, the upper electrode shown in FIG. The only difference is that it is formed integrally with 17.
【００６２】実施例３．図５は、上述した液晶表示パネ
ル１００における単位画素の他の実施例を示す断面図
（同図（ａ））および平面図（同図（ｂ））を示してい
る。同図（ａ）は同図（ｂ）のａ−ａ線に沿った断面図
である。 Example 3. FIG. 5 shows a cross-sectional view (FIG. 5A) and a plan view (FIG. 5B) showing another embodiment of the unit pixel in the liquid crystal display panel 100 described above. FIG. 3A is a sectional view taken along the line aa in FIG.
【００６３】同図において、ガラス基板１上にＡｌより
なる走査電極１０と共通電極１１が形成され、その表面
は陽極酸化によるアルミナ膜２０によって被覆されてい
る。走査電極及び共通電極のパターンの周辺はガラス基
板１側へ末広がりとなるテーパが加工されている。In the figure, a scanning electrode 10 and a common electrode 11 made of Al are formed on a glass substrate 1, and the surfaces thereof are covered with an alumina film 20 by anodic oxidation. The periphery of the pattern of the scanning electrode and the common electrode is processed to have a taper that spreads toward the glass substrate 1 side.
【００６４】走査電極１０のアルミナ膜２０上にはＳｉ
Ｎ膜よりなるゲート絶縁膜２１、ａ−Ｓｉ膜３０、ｎ型
ａ−Ｓｉ膜３１、映像信号電極１４、ソース電極１５よ
りなるＴＦＴが形成されている。Si is formed on the alumina film 20 of the scanning electrode 10.
A TFT including a gate insulating film 21 made of an N film, an a-Si film 30, an n-type a-Si film 31, a video signal electrode 14, and a source electrode 15 is formed.
【００６５】ガラス基板１上には、ＩＴＯ膜からなる画
素電極１３が形成され、この画素電極１３の一端はソー
ス電極１５に接続されている。画素電極１３は、表面に
アルミナ膜２０を形成した共通電極１０を乗り越えて形
成され、この乗り越えた部分において補助容量が形成さ
れている。本実施例では補助容量として、画素内の共通
電極上に容量を形成する蓄積容量を設けている。A pixel electrode 13 made of an ITO film is formed on the glass substrate 1, and one end of this pixel electrode 13 is connected to the source electrode 15. The pixel electrode 13 is formed so as to extend over the common electrode 10 having the alumina film 20 formed on the surface thereof, and an auxiliary capacitance is formed in the portion where the common electrode 10 is crossed over. In this embodiment, a storage capacitor that forms a capacitor on the common electrode in the pixel is provided as the auxiliary capacitor.
【００６６】さらに、補助容量部の画素電極１３は、そ
の上層においてＳｉＮ膜よりなるゲート絶縁膜２１、ａ
−Ｓｉ膜３０、ｎ型ａ−Ｓｉ膜３１の積層膜が形成さ
れ、この積層膜に形成されたコンタクトホールを介して
補助容量の補助電極１６に接続されている。Further, the pixel electrode 13 of the auxiliary capacitance portion has a gate insulating film 21, a made of a SiN film as an upper layer thereof.
A laminated film of the -Si film 30 and the n-type a-Si film 31 is formed, and is connected to the auxiliary electrode 16 of the auxiliary capacitor through a contact hole formed in this laminated film.
【００６７】そして、この補助電極１６の端部は、ガラ
ス基板１上の画素電極１３と接続されて冗長構造となっ
ている。The end of the auxiliary electrode 16 is connected to the pixel electrode 13 on the glass substrate 1 to form a redundant structure.
【００６８】さらに、ＴＦＴ及び補助容量を被覆するよ
うにＳｉＮ膜よりなる保護絶縁膜２３が形成されてい
る。Further, a protective insulating film 23 made of a SiN film is formed so as to cover the TFT and the auxiliary capacitance.
【００６９】この実施例の特徴的な構成は、補助容量を
共通電極１１上に画素電極１３を用いて設けたところに
ある。このように共通電極１１を走査電極１０から分離
して形成することにより、走査電極１０の容量を小さく
でき、走査信号１０の伝搬遅延を小さくできるため、画
面の高精細化を図ることができ、大型化しても良好な画
質を得られる。The characteristic structure of this embodiment is that the auxiliary capacitance is provided on the common electrode 11 by using the pixel electrode 13. By forming the common electrode 11 separately from the scan electrode 10 in this way, the capacitance of the scan electrode 10 can be reduced and the propagation delay of the scan signal 10 can be reduced, so that high definition of the screen can be achieved. Good image quality can be obtained even if the size is increased.
【００７０】なお、このような構成からなる液晶表示パ
ネルの製造方法は、図２、図３に示した工程とほぼ同じ
であり、共通電極１１の形成にあって、走査電極１０と
同時に形成し、その陽極化成も走査電極１０のそれと同
時に行うことに相違があるのみである。The method of manufacturing the liquid crystal display panel having such a structure is almost the same as the steps shown in FIGS. 2 and 3, and the common electrode 11 is formed simultaneously with the scanning electrode 10. The only difference is that the anodization is performed simultaneously with the scanning electrode 10.
【００７１】実施例４．図６は、上述した液晶表示パネ
ル１００における単位画素の他の実施例を示す断面図
（同図（ａ））および平面図（同図（ｂ））を示してい
る。同図（ａ）は同図（ｂ）のａ−ａ線に沿った断面図
である。 Example 4. FIG. 6 is a sectional view (FIG. 6A) and a plan view (FIG. 6B) showing another embodiment of the unit pixel in the liquid crystal display panel 100 described above. FIG. 3A is a sectional view taken along the line aa in FIG.
【００７２】同図において、ガラス基板１上にＡｌより
なる走査電極１０と共通電極１１が形成され、その表面
は陽極酸化によるアルミナ膜２０で被覆されている。走
査電極と共通電極のパターンの周辺は、ガラス基板１側
に末広がりとなるテーパが加工されている。In the figure, a scan electrode 10 and a common electrode 11 made of Al are formed on a glass substrate 1, and the surfaces thereof are covered with an alumina film 20 by anodic oxidation. A taper that spreads toward the glass substrate 1 side is formed around the pattern of the scanning electrodes and the common electrode.
【００７３】走査電極１０のアルミナ膜２０上にはＳｉ
Ｎ膜よりなるゲート絶縁膜２１、ａ−Ｓｉ膜３０、ｎ型
ａ−Ｓｉ膜３１、映像信号電極１４、ソース電極１５よ
りなるＴＦＴが形成されている。Si is formed on the alumina film 20 of the scanning electrode 10.
A TFT including a gate insulating film 21 made of an N film, an a-Si film 30, an n-type a-Si film 31, a video signal electrode 14, and a source electrode 15 is formed.
【００７４】ガラス基板１上にはＩＴＯ膜からなる画素
電極１３が形成され、ソース電極１５は一方の画素電極
１３に接続されている。A pixel electrode 13 made of an ITO film is formed on the glass substrate 1, and the source electrode 15 is connected to one pixel electrode 13.
【００７５】共通電極１１のアルミナ膜２０上にはＩＴ
Ｏからなる上部電極１７が設けられ、この上部電極１７
は、その上層に形成されたＳｉＮ膜よりなるゲート絶縁
膜２１、ａ−Ｓｉ膜３０、ｎ型ａ−Ｓｉ膜３１の積層膜
のコンタクトホールを介して補助容量の補助電極１６が
接続されている。IT is formed on the alumina film 20 of the common electrode 11.
An upper electrode 17 made of O is provided.
Is connected to the auxiliary electrode 16 of the auxiliary capacitor via the contact hole of the laminated film of the gate insulating film 21, the a-Si film 30, and the n-type a-Si film 31, which are formed on the upper layer of the SiN film. .
【００７６】この補助電極１６の端部は共通電極１１と
隣接するガラス基板１上の画素電極１３と接続されてい
る。The end portion of the auxiliary electrode 16 is connected to the pixel electrode 13 on the glass substrate 1 adjacent to the common electrode 11.
【００７７】そして、ＴＦＴ及び補助容量を被覆するよ
うにＳｉＮ膜よりなる保護絶縁膜２３が形成されてい
る。Then, a protective insulating film 23 made of a SiN film is formed so as to cover the TFT and the auxiliary capacitance.
【００７８】この実施例の特徴的な構成は、実施例１と
比較して、共通電極１１上に上部電極１７を設けて補助
容量を形成したところにある。この共通電極１１を走査
電極１０から分離して形成することにより、走査電極１
０の容量を小さくでき、走査信号の伝播遅延を小さくす
ることができる。したがって、画質の高精細化が図れ、
大型化しても良好な画質が得られるようになる。The characteristic structure of this embodiment is that an auxiliary capacitor is formed by providing an upper electrode 17 on the common electrode 11 as compared with the first embodiment. By forming the common electrode 11 separately from the scan electrode 10, the scan electrode 1
The capacitance of 0 can be reduced, and the propagation delay of the scanning signal can be reduced. Therefore, high definition image quality can be achieved,
Good image quality can be obtained even if the size is increased.
【００７９】なお、このような構成からなる液晶表示パ
ネルの製造方法は、実施例３に示した場合の工程とほぼ
同じであり、画素電極１３は、上部電極１７と分離させ
て同時に形成することに相違があるのみである。The method of manufacturing the liquid crystal display panel having such a structure is almost the same as the process shown in the third embodiment, and the pixel electrode 13 is formed separately from the upper electrode 17. There is only a difference.
【００８０】実施例５．図７は、上述した液晶表示パネ
ル１００における単位画素の他の実施例を示す断面図
（同図（ａ））および平面図（同図（ｂ））を示してい
る。同図（ａ）は同図（ｂ）のａ−ａ線に沿った断面図
である。 Example 5. FIG. 7 shows a sectional view (FIG. 7A) and a plan view (FIG. 7B) showing another embodiment of the unit pixel in the liquid crystal display panel 100 described above. FIG. 3A is a sectional view taken along the line aa in FIG.
【００８１】同図において、ガラス基板１上にＡｌより
なる走査電極１０が形成され、その表面は陽極酸化によ
るアルミナ膜２０で被覆されている。走査電極のパター
ンの周辺はガラス基板１側に末広がりとなるテーパが加
工されている。In the figure, a scanning electrode 10 made of Al is formed on a glass substrate 1, and its surface is covered with an alumina film 20 by anodic oxidation. The periphery of the scanning electrode pattern is tapered so as to spread toward the glass substrate 1 side.
【００８２】アルミナ膜２０上にはＳｉＮ膜よりなるゲ
ート絶縁膜２１、ａ−Ｓｉ膜３０、ｎ型ａ−Ｓｉ膜３
１、映像信号電極１４、ソース電極１５よりなるＴＦＴ
が形成されている。On the alumina film 20, a gate insulating film 21 made of a SiN film, an a-Si film 30, an n-type a-Si film 3 are formed.
1, a TFT including a video signal electrode 14 and a source electrode 15
Are formed.
【００８３】隣接画素の走査電極１０のアルミナ膜２０
上には、ＩＴＯ膜からなる上部電極１７が設けられ、Ｓ
ｉＮ膜よりなるゲート絶縁膜２１、ａ−Ｓｉ膜３０、ｎ
型ａ−Ｓｉ膜３１の積層膜が、走査電極１０の段差部を
覆いかつ一端が上部電極１７上に重なるように形成され
ている。Alumina film 20 of scan electrodes 10 of adjacent pixels
An upper electrode 17 made of an ITO film is provided on the
The gate insulating film 21 made of an iN film, the a-Si film 30, n
A laminated film of the type a-Si film 31 is formed so as to cover the step portion of the scanning electrode 10 and have one end overlapping the upper electrode 17.
【００８４】そして、この積層膜上を通して補助電極１
６と、前記上部電極１７及びガラス基板上の画素電極１
３とが接続されている。Then, the auxiliary electrode 1 is passed through this laminated film.
6 and the pixel electrode 1 on the upper electrode 17 and the glass substrate
3 and 3 are connected.
【００８５】ＴＦＴ及び補助容量を被覆するようにＳｉ
Ｎ膜よりなる保護絶縁膜２３が形成されている。Si so as to cover the TFT and the auxiliary capacitor
A protective insulating film 23 made of an N film is formed.
【００８６】本実施例の特徴的な構造は、走査電極１０
と同一平面上に形成された画素電極１３が、ＳｉＮ膜よ
りなるゲート絶縁膜２１、ａ−Ｓｉ膜３０、ｎ型ａ−Ｓ
ｉ膜３１の積層膜上を通った補助電極１６を介しての
み、走査電極１０上の補助容量の上部電極１７と接続し
ていることにある。The characteristic structure of this embodiment is that the scanning electrode 10
The pixel electrode 13 formed on the same plane as the gate insulating film 21 made of a SiN film, the a-Si film 30, the n-type a-S
It is to be connected to the upper electrode 17 of the auxiliary capacitance on the scanning electrode 10 only through the auxiliary electrode 16 that passes over the laminated film of the i film 31.
【００８７】また、補助容量部において、補助電極１６
のパターン縁部がアルミナ膜２０表面と直接接していな
いこと、そして上部電極１７もしくは画素電極１３が走
査電極１０上のアルミナ膜２０のパターン縁辺のテーパ
部に接していないことにある。このようにすることによ
って、アルミナ膜２０のテーパ部を上部電極１７が被覆
した場合もしくはアルミナ膜２０に補助電極１６のパタ
ーン縁が接した場合に起こりやすいアルミナ膜２０の絶
縁耐圧低下を防止することができるようになる。In the auxiliary capacitance section, the auxiliary electrode 16
The pattern edge portion of No. 3 is not in direct contact with the surface of the alumina film 20, and the upper electrode 17 or the pixel electrode 13 is not in contact with the taper portion of the pattern edge of the alumina film 20 on the scanning electrode 10. By doing so, it is possible to prevent a decrease in withstand voltage of the alumina film 20, which is likely to occur when the tapered portion of the alumina film 20 is covered with the upper electrode 17 or the pattern edge of the auxiliary electrode 16 contacts the alumina film 20. Will be able to.
【００８８】また、アルミナ膜２０上に上部電極１７を
直接設けたこと、及び補助電極１６の走査電極１０の乗
り越え部のみに半導体／絶縁膜パターンが設けられてい
ることにより、半導体／絶縁膜からなる容量を実施例１
よりも削減することができ、半導体／絶縁膜の界面準位
による電荷の充放電に起因する過渡応答による液晶印加
電圧の保持期間中における減衰を低減することができ、
保持特性を改善できる。Further, since the upper electrode 17 is directly provided on the alumina film 20 and the semiconductor / insulating film pattern is provided only on the portion of the auxiliary electrode 16 over the scanning electrode 10, the semiconductor / insulating film is removed. Example 1
It is possible to further reduce, and it is possible to reduce the attenuation during the holding period of the liquid crystal applied voltage due to the transient response due to the charge / discharge of charges due to the interface level of the semiconductor / insulating film,
The retention characteristics can be improved.
【００８９】また、半導体／絶縁膜を補助電極１６の乗
り越え部側だけに設けたことにより、補助容量部の走査
電極１０の幅を、実施例１よりも狭くし画素電極を大き
くできるため、開口率の向上が図れる。Further, since the semiconductor / insulating film is provided only on the side where the auxiliary electrode 16 is crossed over, the width of the scanning electrode 10 in the auxiliary capacitance portion can be made narrower than that in the first embodiment, and the pixel electrode can be made larger. The rate can be improved.
【００９０】補助容量を形成する部分のアルミナ膜２０
は、上部電極１７及びゲート絶縁膜により保護されるこ
とから、ソース電極１５、映像信号電極１４またはゲー
ト絶縁膜２１の加工工程で、エッチング液やガスに曝さ
れることがなく、良好な絶縁特性を維持できるようにな
る。Alumina film 20 in the portion forming the auxiliary capacitance
Is protected by the upper electrode 17 and the gate insulating film, so that the source electrode 15, the video signal electrode 14 or the gate insulating film 21 is not exposed to an etching solution or gas in the process of processing, and has good insulating characteristics. Will be able to maintain.
【００９１】また、走査電極１０がテーパ加工されてい
るために、パターン縁辺の角部への電解集中を防止でき
るため、良好な絶縁特性が得られる。Further, since the scanning electrode 10 is tapered, it is possible to prevent the electric field from concentrating on the corners of the edge of the pattern, so that good insulation characteristics can be obtained.
【００９２】そして、ＳｉＮ膜よりなるゲート絶縁膜２
１、ａ−Ｓｉ膜３０、ｎ型ａ−Ｓｉ膜３１の積層膜を同
一のマスクを用いて同時にエッチング加工するため、各
々の膜はほぼ同一なパターンを持ちかつ側面がテーパ形
状となる。このため工程数を削減できるとともに、ソー
ス電極１５、映像信号電極１４、補助電極１６が走査電
極１０の段差乗り越え部で断線することを防止できる。
また、図中に示したように画素電極の段差部も前記積層
膜で覆うと、画素電極段差での補助電極１６の断線を防
止できるようになる。Then, the gate insulating film 2 made of the SiN film
Since the laminated film of 1, the a-Si film 30 and the n-type a-Si film 31 is simultaneously etched by using the same mask, each film has substantially the same pattern and the side surfaces are tapered. Therefore, the number of steps can be reduced, and the source electrode 15, the video signal electrode 14, and the auxiliary electrode 16 can be prevented from being disconnected at the step-over portion of the scanning electrode 10.
Further, as shown in the drawing, when the step portion of the pixel electrode is also covered with the laminated film, it becomes possible to prevent the breakage of the auxiliary electrode 16 at the step of the pixel electrode.
【００９３】なお、このような構成からなる液晶表示パ
ネルの製造方法は、実施例１に示した場合の工程とほぼ
同じであり、ゲート絶縁膜２１、積層膜等の形成にあた
ってそのパターンに相違があるのみである。The manufacturing method of the liquid crystal display panel having such a structure is almost the same as the process shown in the first embodiment, and the pattern is different when forming the gate insulating film 21, the laminated film and the like. There is only.
【００９４】実施例６．図８は、上述した液晶表示パネ
ル１００における単位画素の他の実施例を示す断面図
（同図（ａ））および平面図（同図（ｂ））を示してい
る。同図（ａ）は同図（ｂ）のａ−ａ線に沿った断面図
である。 Example 6. FIG. 8 shows a cross-sectional view (FIG. 8A) and a plan view (FIG. 8B) showing another embodiment of the unit pixel in the liquid crystal display panel 100 described above. FIG. 3A is a sectional view taken along the line aa in FIG.
【００９５】同図において、ガラス基板１上にＡｌより
なる走査電極１０と共通電極１１が形成され、その表面
は陽極酸化によるアルミナ膜２０で被覆されている。In the figure, a scanning electrode 10 and a common electrode 11 made of Al are formed on a glass substrate 1, and the surfaces thereof are covered with an alumina film 20 by anodic oxidation.
【００９６】走査電極１０と共通電極１１のパターン周
辺はガラス基板１側へ末広がりになるテーパが加工され
ている。走査電極１０のアルミナ膜２０上にはＳｉＮ膜
よりなるゲート絶縁膜２１、ａ−Ｓｉ膜３０、ｎ型ａ−
Ｓｉ膜３１、映像信号電極１４、ソース電極１５よりな
るＴＦＴが形成されている。The periphery of the pattern of the scanning electrode 10 and the common electrode 11 is processed to have a taper that spreads toward the glass substrate 1 side. On the alumina film 20 of the scanning electrode 10, a gate insulating film 21 made of a SiN film, an a-Si film 30, an n-type a-
A TFT including the Si film 31, the video signal electrode 14, and the source electrode 15 is formed.
【００９７】ガラス基板１上にはＩＴＯ膜からなる画素
電極１３が形成され、ソース電極１５は一つの画素電極
に接続されている。A pixel electrode 13 made of an ITO film is formed on the glass substrate 1, and the source electrode 15 is connected to one pixel electrode.
【００９８】共通電極１１のアルミナ膜２０上にはＩＴ
Ｏ膜からなる上部電極１７が設けられ、また、ＳｉＮ膜
からなるゲート絶縁膜２１、ａ−Ｓｉ膜３０、ｎ型ａ−
Ｓｉ膜３１の積層膜が、その一端を上部電極１７に重ね
るようにして、形成されている。IT is formed on the alumina film 20 of the common electrode 11.
An upper electrode 17 made of an O film is provided, a gate insulating film 21 made of a SiN film, an a-Si film 30, an n-type a-.
A laminated film of the Si film 31 is formed so that one end thereof overlaps with the upper electrode 17.
【００９９】補助容量の補助電極１６は、その一端が画
素電極１３と接続され、前記積層膜上を通って前記上部
電極１７に接続され、再び反対側の積層膜上を通って、
別の画素電極１３と接続されている。One end of the auxiliary electrode 16 of the auxiliary capacitor is connected to the pixel electrode 13, passes through the laminated film, is connected to the upper electrode 17, and passes through the laminated film on the opposite side again.
It is connected to another pixel electrode 13.
【０１００】ＴＦＴ及び補助容量を被覆するようにＳｉ
Ｎ膜よりなる保護絶縁膜２３が形成されている。Si so as to cover the TFT and the auxiliary capacitance
A protective insulating film 23 made of an N film is formed.
【０１０１】本実施例では、上記実施例５を基本的構成
として、共通電極１１上に上部電極１７を設けて補助容
量を形成したところに特徴がある。共通電極１１を走査
電極１０から分離して形成することにより、走査電極１
０の容量を小さくできることから、走査信号の伝搬遅延
を小さくでき、画面を高精細化でき、たとえ大型化して
も良好な画質を得ることができるようになる。The present example is characterized in that the above example 5 is used as a basic structure and the auxiliary electrode is formed by providing the upper electrode 17 on the common electrode 11. By forming the common electrode 11 separately from the scan electrode 10, the scan electrode 1
Since the capacity of 0 can be made small, the propagation delay of the scanning signal can be made small, the screen can be made high definition, and good image quality can be obtained even if it is made large.
【０１０２】なお、このような構成からなる液晶表示パ
ネルの製造方法は、実施例４に示した場合の工程とほぼ
同じであり、ゲート絶縁膜２１、積層膜等に形成にあた
ってそのパターンに相違があるのみである。The manufacturing method of the liquid crystal display panel having such a structure is almost the same as the process shown in the fourth embodiment, and the pattern is different when forming the gate insulating film 21, the laminated film and the like. There is only.
【０１０３】実施例７．図９は、上述した液晶表示パネ
ル１００における単位画素の他の実施例を示す断面図
（同図（ａ））および平面図（同図（ｂ））を示してい
る。同図（ａ）は同図（ｂ）のａ−ａ線に沿った断面図
である。 Example 7. 9A and 9B are a sectional view (FIG. 9A) and a plan view (FIG. 9B) showing another embodiment of the unit pixel in the liquid crystal display panel 100 described above. FIG. 3A is a sectional view taken along the line aa in FIG.
【０１０４】同図において、ガラス基板１上にＡｌから
なる走査電極１０が形成され、その表面は陽極酸化によ
るアルミナ膜２０で被覆されている。In the figure, a scanning electrode 10 made of Al is formed on a glass substrate 1, and its surface is covered with an alumina film 20 by anodic oxidation.
【０１０５】走査電極１０のパターンの周辺はガラス基
板１側に末広がりをもつテーパが加工されている。アル
ミナ膜２０上にはＳｉＮ膜よりなるゲート絶縁膜２１、
真性非晶質Ｓｉ（ａ−Ｓｉ）膜３０、ｎ型ａ−Ｓｉ膜３
１、映像信号電極１４、ソース電極１５からなる薄膜ト
ランジスタＴＦＴが形成されている。The periphery of the pattern of the scanning electrode 10 is processed into a taper having a divergent end on the glass substrate 1 side. On the alumina film 20, a gate insulating film 21 made of a SiN film,
Intrinsic amorphous Si (a-Si) film 30, n-type a-Si film 3
1, a thin film transistor TFT including the video signal electrode 14 and the source electrode 15 is formed.
【０１０６】ガラス基板１上には、画素電極１３が形成
され、その一端はソース電極１５に接続されている。A pixel electrode 13 is formed on the glass substrate 1, and one end thereof is connected to the source electrode 15.
【０１０７】隣接画素の走査電極１０のアルミナ膜２０
上には、ＳｉＮよりなるゲート絶縁膜２１、ａ−Ｓｉ膜
３０、ｎ型ａ−Ｓｉ膜３１の積層膜が形成され、その積
層膜に形成されたコンタクトホールを介して、補助容量
の補助電極１６が接触されている。補助電極１６の他端
はガラス基板１上の画素電極１３と接続されている。こ
の場合、前記積層膜は走査電極１０の段差部を被覆する
様に形成されている。Alumina film 20 of scan electrodes 10 of adjacent pixels
A laminated film of a gate insulating film 21 made of SiN, an a-Si film 30, and an n-type a-Si film 31 is formed on the upper surface, and an auxiliary electrode of an auxiliary capacitor is formed through a contact hole formed in the laminated film. 16 are in contact. The other end of the auxiliary electrode 16 is connected to the pixel electrode 13 on the glass substrate 1. In this case, the laminated film is formed so as to cover the step portion of the scanning electrode 10.
【０１０８】ＴＦＴおよび補助容量を被覆するようにＳ
ｉＮ膜よりなる保護絶縁膜２３が形成されている。S to cover the TFT and auxiliary capacitance
A protective insulating film 23 made of an iN film is formed.
【０１０９】本実施例の特徴的な構成は、画素電極１３
が走査電極１０と同一平面上に形成され、かつ走査電極
１０の自己酸化膜であるアルミナ膜２０と、補助容量の
補助電極１６がコンタクトホールを介することにより接
触していることにある。The characteristic structure of this embodiment is that the pixel electrode 13
Is formed on the same plane as the scan electrode 10, and the alumina film 20 which is the self-oxidation film of the scan electrode 10 is in contact with the auxiliary electrode 16 of the auxiliary capacitor through the contact hole.
【０１１０】また、補助容量部において補助電極１６が
コンタクトホールの開口部を完全に被覆し、前記補助電
極のパターン縁部がアルミナ膜２０パターン縁辺に接し
ていないことも特徴である。Another feature is that the auxiliary electrode 16 completely covers the opening of the contact hole in the auxiliary capacitance portion, and the pattern edge of the auxiliary electrode is not in contact with the pattern edge of the alumina film 20.
【０１１１】補助電極１６の縁部は、アルミナ膜２０表
面に直接接しておらず、補助容量の電極間絶縁層の厚さ
はアルミナ膜２０とＳｉＮ膜の和となっている。このた
め補助容量の耐圧が高くなるという効果を奏する。The edge of the auxiliary electrode 16 is not in direct contact with the surface of the alumina film 20, and the thickness of the interelectrode insulating layer of the auxiliary capacitor is the sum of the alumina film 20 and the SiN film. Therefore, the withstand voltage of the auxiliary capacitor is increased.
【０１１２】また、補助電極１６の縁辺の応力集中がａ
−Ｓｉ膜により緩和され、この応力によるＳｉＮ膜およ
びアルミナ膜の歪み、破壊が防止されるようになる。こ
のため、補助電極の縁辺部での耐圧低下を防止できるよ
うになる。The stress concentration on the edge of the auxiliary electrode 16 is a
-Si film is relaxed, and the SiN film and the alumina film are prevented from being distorted or broken by this stress. For this reason, it becomes possible to prevent the breakdown voltage from being reduced at the peripheral portion of the auxiliary electrode.
【０１１３】また、画素電極１３がアルミナ膜２０の縁
辺に直接接していないことから、該縁辺部でのアルミナ
膜２０の絶縁耐圧低下を防止できるようになる。Further, since the pixel electrode 13 is not in direct contact with the edge of the alumina film 20, it is possible to prevent the breakdown voltage of the alumina film 20 from decreasing at the edge.
【０１１４】コンタクトホールの断面においてＳｉＮ膜
はテーパ加工されていることから、該コンタクトホール
の縁辺における補助電極１６の応力が分散されるように
なる。このことから、コンタクトホールの縁辺において
も前記アルミナ膜２０の破壊による補助容量の耐圧低下
を防止できるようになる。Since the SiN film is tapered in the cross section of the contact hole, the stress of the auxiliary electrode 16 at the edge of the contact hole is dispersed. From this, it is possible to prevent the breakdown voltage of the auxiliary capacitance due to the destruction of the alumina film 20 even at the edge of the contact hole.
【０１１５】半導体／絶縁膜の積層膜の中央部はエッチ
ングで除去されたコンタクトホールが形成されため、該
積層膜の面積が低減し、半導体／絶縁膜の界面順位によ
る電荷の充放電が低減することになる。したがって、充
放電による保持期間中の液晶印加電圧の減衰で低減し、
保持特性を改善できることになる。Since the contact hole removed by etching is formed in the central portion of the semiconductor / insulating film laminated film, the area of the laminated film is reduced and the charge / discharge of charges due to the interface order of the semiconductor / insulating film is reduced. It will be. Therefore, it decreases due to the attenuation of the voltage applied to the liquid crystal during the holding period due to charge and discharge,
The retention characteristic can be improved.
【０１１６】また、前記自己酸化膜と補助電極１６が直
接接するため、面積当たりの容量を大きくでき、補助容
量部の面積を小さくできることから、開口率を向上でき
るようになる。Further, since the self-oxidizing film and the auxiliary electrode 16 are in direct contact with each other, the capacitance per area can be increased and the area of the auxiliary capacitance portion can be reduced, so that the aperture ratio can be improved.
【０１１７】走査電極１０がテーパ加工されているため
に、パターン縁辺への電界集中を防止でき、良好な絶縁
特性が得られる。Since the scanning electrode 10 is tapered, it is possible to prevent the electric field from concentrating on the edge of the pattern and obtain good insulation characteristics.
【０１１８】ＳｉＮ膜よりなるゲート絶縁膜２１、ａ−
Ｓｉ膜３０、ｎ型ａ−Ｓｉ膜３１の積層膜を同一のマス
クを用いて同時にエッチング加工するため、ほぼ同一な
パターンを持ちかつ積層膜側面がテーパ形状となる。こ
のため工程数を削減できるとともに、ソース電極１５、
映像信号電極１４、補助電極１６が段差乗り越え部で断
線することを防止できるようになる。The gate insulating film 21, a− made of a SiN film
Since the laminated film of the Si film 30 and the n-type a-Si film 31 is simultaneously etched using the same mask, the laminated film has almost the same pattern and the side surface of the laminated film is tapered. Therefore, the number of steps can be reduced, and the source electrode 15,
It is possible to prevent the video signal electrode 14 and the auxiliary electrode 16 from breaking at the step-over portion.
【０１１９】走査電極１０上には画素電極がなく、行方
向に隣接する画素電極間の距離は、画素電極を走査電極
１０上にまで延在させた場合より長い。よって画素電極
の加工不良により画素電極間が電気的に短絡する不良が
低減されるようになる。There is no pixel electrode on the scan electrode 10, and the distance between the pixel electrodes adjacent to each other in the row direction is longer than that in the case where the pixel electrode extends up to the scan electrode 10. Therefore, it is possible to reduce defects in which pixel electrodes are electrically short-circuited due to defective machining of the pixel electrodes.
【０１２０】補助容量の縦構造は、補助電極／ａ−Ｓｉ
／ＳｉＮ／アルミナ／走査電極となっている。したがっ
て、補助容量部に画素電極を使っていないので、補助容
量部の総膜厚はＴＦＴと同じですむ。液晶表示装置を形
成した場合に、膜の段差によるドメインの発生が低減さ
れることになる。The vertical structure of the auxiliary capacitor is as follows: auxiliary electrode / a-Si
/ SiN / alumina / scan electrode. Therefore, since the pixel electrode is not used in the auxiliary capacitance section, the total film thickness of the auxiliary capacitance section is the same as that of the TFT. When a liquid crystal display device is formed, the generation of domains due to the step of the film is reduced.
【０１２１】また、対向基板と接触した場合でも、接触
による応力は小さく、接触応力による不良が低減される
ようになる。Further, even when it comes into contact with the counter substrate, the stress caused by the contact is small, and defects due to the contact stress can be reduced.
【０１２２】補助容量の縦構造において、アルミナとＳ
ｉＮ膜に画素電極を設けていないため、容量の値の精度
は、補助電極１６と走査電極１０の加工精度のみで決ま
り、画素電極の加工の影響を受けなくなる。よって容量
のばらつきが小さく、液晶表示装置において画質のばら
つきが小さくなるようになる。In the vertical structure of the auxiliary capacitance, alumina and S
Since the pixel electrode is not provided on the iN film, the accuracy of the capacitance value is determined only by the processing accuracy of the auxiliary electrode 16 and the scanning electrode 10, and is not affected by the processing of the pixel electrode. Therefore, the variation in capacitance is small, and the variation in image quality is small in the liquid crystal display device.
【０１２３】なお、このような構成からなる液晶表示パ
ネルの製造方法は、実施例１に示した場合の工程とほぼ
同じであり、画素電極１３の形成にあたって補助容量の
形成領域部に上部電極１７を形成していないところに相
違があるのみである。The manufacturing method of the liquid crystal display panel having such a structure is almost the same as the process shown in the first embodiment, and the upper electrode 17 is formed in the auxiliary capacitor forming region when forming the pixel electrode 13. The only difference is that they are not formed.
【０１２４】実施例８．図１０は、上述した液晶表示パ
ネル１００における単位画素の他の実施例を示す断面図
（同図（ａ））および平面図（同図（ｂ））を示してい
る。同図（ａ）は同図（ｂ）のａ−ａ線に沿った断面図
である。 Example 8. FIG. 10 shows a cross-sectional view (FIG. 10A) and a plan view (FIG. 10B) showing another embodiment of the unit pixel in the liquid crystal display panel 100 described above. FIG. 3A is a sectional view taken along the line aa in FIG.
【０１２５】同図において、ガラス基板１上にＡｌから
なる走査電極１０と共通電極１１が形成され、その表面
は陽極酸化によるアルミナ膜２０で被覆されている。In the figure, a scanning electrode 10 and a common electrode 11 made of Al are formed on a glass substrate 1, and the surfaces thereof are covered with an alumina film 20 by anodic oxidation.
【０１２６】走査電極１０と共通電極１１のパターン周
辺はガラス基板１側に末広がりになったテーパが加工さ
れている。The periphery of the pattern of the scanning electrode 10 and the common electrode 11 is processed to have a taper that widens toward the glass substrate 1 side.
【０１２７】走査電極１０のアルミナ膜２０上にはＳｉ
Ｎ膜よりなるゲート絶縁膜２１、ａ−Ｓｉ膜３０、ｎ型
ａ−Ｓｉ膜３１、映像信号電極１４、ソース電極１５か
らなる薄膜トランジスタＴＦＴが形成されている。Si is formed on the alumina film 20 of the scanning electrode 10.
A thin film transistor TFT including a gate insulating film 21 made of an N film, an a-Si film 30, an n-type a-Si film 31, a video signal electrode 14, and a source electrode 15 is formed.
【０１２８】ガラス基板１上には、ＩＴＯからなる画素
電極１３が形成され、ソース電極１５は一つの画素電極
に接続されている。A pixel electrode 13 made of ITO is formed on the glass substrate 1, and the source electrode 15 is connected to one pixel electrode.
【０１２９】共通電極１１ののアルミナ膜２０上には、
ＳｉＮよりなるゲート絶縁膜２１、ａ−Ｓｉ膜３０、ｎ
型ａ−Ｓｉ膜３１の積層膜が形成され、その積層膜に形
成されたコンタクトホールを介して補助容量の補助電極
１６が前記アルミナ膜２０に接触されている。On the alumina film 20 of the common electrode 11,
Gate insulating film 21 made of SiN, a-Si film 30, n
A laminated film of the type a-Si film 31 is formed, and the auxiliary electrode 16 of the auxiliary capacitor is in contact with the alumina film 20 through a contact hole formed in the laminated film.
【０１３０】補助電極１６の端部は共通電極１１と隣接
するガラス基板１上の画素電極１３と接続されている。The end of the auxiliary electrode 16 is connected to the pixel electrode 13 on the glass substrate 1 adjacent to the common electrode 11.
【０１３１】また、ＴＦＴおよび補助容量を被覆するよ
うにＳｉＮ膜よりなる保護絶縁膜２３が形成されてい
る。A protective insulating film 23 made of a SiN film is formed so as to cover the TFT and the auxiliary capacitance.
【０１３２】本実施例においては、実施例７と異なり、
共通電極１１上に補助容量を形成している。このため共
通電極１１上にコンタクトホールを設けて、補助電極１
６と共通電極１１のアルミナ膜２０とを接触させてい
る。このように共通電極１１を走査電極１０から分離し
て形成することにより、走査電極１０の容量を小さくで
きることから、走査信号の伝播遅延を小さくでき、画面
が高精細化、大型化しても良好な画質を得られる。In this embodiment, unlike the seventh embodiment,
An auxiliary capacitance is formed on the common electrode 11. For this reason, a contact hole is formed on the common electrode 11 and the auxiliary electrode 1
6 and the alumina film 20 of the common electrode 11 are in contact with each other. By forming the common electrode 11 separately from the scan electrode 10 in this way, the capacitance of the scan electrode 10 can be reduced, so that the propagation delay of the scan signal can be reduced, which is preferable even when the screen is made fine and large. Image quality can be obtained.
【０１３３】なお、このような構成からなる液晶表示パ
ネルの製造方法は、実施例４に示した場合の工程とほぼ
同じであり、画素電極１３の形成にあたって補助容量の
形成領域部に上部電極１７を形成していないところに相
違があるのみである。The method of manufacturing the liquid crystal display panel having such a structure is almost the same as the process shown in the fourth embodiment, and the upper electrode 17 is formed in the region where the auxiliary capacitance is formed when the pixel electrode 13 is formed. The only difference is that they are not formed.
【０１３４】上述の各実施例においては、走査電極１０
及び共通電極１１の材料としてＡｌを用い、その自己酸
化膜のアルミナ膜を付加容量の誘電体として用いたが、
電極材料はこれに限定されるものではなく、例えばＴ
ａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｖ、Ｈｆ等の、自己酸化膜が良
好な絶縁特性を示すものであればよい。特に上記の高融
点金属の窒化合金を用いるとリーク電流を低減できるた
めより望ましくなる。また、上記の金属または上記高融
点金属の窒化合金の積層膜であってもよいことはいうま
でもない。In each of the above embodiments, the scan electrode 10 is used.
Also, Al was used as the material of the common electrode 11, and the alumina film of its self-oxidation film was used as the dielectric of the additional capacitance.
The electrode material is not limited to this, and for example, T
Any material such as a, Ti, Nb, Zr, V, Hf may be used as long as the self-oxidation film exhibits good insulation characteristics. In particular, it is more preferable to use the above-mentioned nitride alloy of the high melting point metal because the leak current can be reduced. Needless to say, it may be a laminated film of a nitride alloy of the above metal or the above refractory metal.
【０１３５】[0135]
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による液晶表示装置およびその製造方法によれ
ば、製造歩留を向上でき安価でかつ良好な画質を得られ
るようになる。As is apparent from the above description,
According to the liquid crystal display device and the method of manufacturing the same according to the present invention, the manufacturing yield can be improved, and the image quality can be obtained at low cost.
【図１】本発明による液晶表示装置の一実施例を示す構
成図である。FIG. 1 is a configuration diagram showing an embodiment of a liquid crystal display device according to the present invention.
【図２】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す
構成図である。FIG. 2 is a configuration diagram showing another embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention.
【図３】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す
構成図である。FIG. 3 is a configuration diagram showing another embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention.
【図４】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す
構成図である。FIG. 4 is a configuration diagram showing another embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention.
【図５】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す
構成図である。FIG. 5 is a configuration diagram showing another embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention.
【図６】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す
構成図である。FIG. 6 is a configuration diagram showing another embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention.
【図７】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す
構成図である。FIG. 7 is a configuration diagram showing another embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention.
【図８】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す
構成図である。FIG. 8 is a configuration diagram showing another embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention.
【図９】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す
構成図である。FIG. 9 is a configuration diagram showing another embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention.
【図１０】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示
す構成図である。FIG. 10 is a configuration diagram showing another embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention.
【図１１】本発明による液晶表示装置の等価回路を示す
図である。FIG. 11 is a diagram showing an equivalent circuit of a liquid crystal display device according to the present invention.
【図１２】本発明による液晶表示装置の概略構成を示す
断面図である。FIG. 12 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a liquid crystal display device according to the present invention.
【図１３】本発明による液晶表示装置の画素配列を示す
平面図である。FIG. 13 is a plan view showing a pixel array of a liquid crystal display device according to the present invention.
１…ガラス基板、１０…走査電極、１１…共通電極、１
３…画素電極、１４…映像信号電極、１５…ソース電
極、１６…補助容量の補助電極、１７…上部電極、２０
…アルミナ膜、２１…ゲート絶縁膜、２３…保護絶縁
膜、３０…真性非晶質Ｓｉ膜、３１…ｎ型非晶質Ｓｉ
膜、５０６…液晶層、５０７…カラーフィルタ、５０８
…対向ガラス基板、５１１…カラーフィルタ保護膜、５
１２…遮光膜、ＳＬ…シール、ＳＩＬ…銀ペースト、Ｏ
ＲＩ１、ＯＲＩ２…配向膜、ＢＬ…バックライト、Ｖ…
垂直走査回路、Ｈ…映像信号駆動回路、ＳＵＰ…電源回
路。1 ... Glass substrate, 10 ... Scan electrode, 11 ... Common electrode, 1
3 ... Pixel electrode, 14 ... Video signal electrode, 15 ... Source electrode, 16 ... Auxiliary capacitor auxiliary electrode, 17 ... Upper electrode, 20
... Alumina film, 21 ... Gate insulating film, 23 ... Protective insulating film, 30 ... Intrinsic amorphous Si film, 31 ... N-type amorphous Si
Film, 506 ... Liquid crystal layer, 507 ... Color filter, 508
... Counter glass substrate, 511 ... Color filter protective film, 5
12 ... Shading film, SL ... Seal, SIL ... Silver paste, O
RI1, ORI2 ... Alignment film, BL ... Backlight, V ...
Vertical scanning circuit, H ... Video signal drive circuit, SUP ... Power supply circuit.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中原 良彦 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日 立製作所 電子デバイス事業部内 (72)発明者 鈴木 雅彦 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日 立製作所 電子デバイス事業部内 (72)発明者 肥田 宏之 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日 立製作所 電子デバイス事業部内 (72)発明者 中谷 光雄 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日 立製作所 電子デバイス事業部内 (56)参考文献 特開 平５−72553（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−67201（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−208134（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−194823（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1362 G02F 1/1343 G02F 1/1333 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Yoshihiko Nakahara 3300 Hayano, Mobara-shi, Chiba Hiritsu Manufacturing Co., Ltd. Electronic Device Division (72) Inventor Masahiko Suzuki 3300 Hayano, Mobara-shi, Chiba Hiritsu Manufacturing Co., Ltd. Electronics In the Device Division (72) Hiroyuki Hida, 3300 Hayano, Mobara-shi, Chiba, Hiritsu Manufacturing Co., Ltd.Inside Electronic Devices Division (72) Inventor, Mitsuo Nakatani, 3300, Hayano, Mobara-shi, Chiba In-house, Electronic Devices Division ( 56) References JP-A-5-72553 (JP, A) JP-A-6-67201 (JP, A) JP-A-6-208134 (JP, A) JP-A-4-194823 (JP, A) (58) ) Fields surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) G02F 1/1362 G02F 1/1343 G02F 1/1333
Claims (8)
側面が各々の自己酸化膜にて被覆された複数の走査電極
及び共通電極と、前記走査電極の自己酸化膜上及び前記共通電極の自己酸
化膜上に形成された第１絶縁膜と、 前記第１絶縁膜上に 前記走査電極及び前記共通電極と交
差するように形成された複数の映像信号電極と、前記映像信号電極の一つに接続され且つ前記第１絶縁膜
上に 前記走査電極の一つを跨ぐように形成された半導体
膜を各々有する複数の薄膜トランジスタと、前記透明基板上に夫々形成され且つ 前記薄膜トランジス
タの一つに夫々接続された複数の画素電極と、 少 なくとも前記薄膜トランジスタを被覆する第２絶縁膜
とを備え、 前記画素電極の各々には補助容量が接続され、 前記補助容量は、前記共通電極と該共通電極の自己酸化
膜に直接接触するように形成された上部電極からなり、 前記上部電極は前記画素電極と分離され且つ該上部電極
及びこれが形成された前記共通電極の自己酸化膜を覆う
前記第１絶縁膜及び該第１絶縁膜を覆う半導体層の上に
形成された補助電極により該画素電極に接続され、 前記補助電極は、前記上部電極を覆う前記第１絶縁膜及
び前記半導体層に形成されたコンタクトホールの開口部
を完全に被覆して該上部電極に接し且つそのパターン端
部は該上部電極及びこれが形成された前記共通電極の自
己酸化膜に直接接しない ことを特徴とする液晶表示装
置。1. A transparent substrate formed on each surface and
A plurality of scan electrodes and common electrodes whose side surfaces are covered with respective self -oxidation films, and self-oxidation films on the self-oxidation films of the scan electrodes and the common electrodes.
A first insulating film formed on the monolayer, a plurality of video signal electrode formed to intersect the scan electrodes and the common electrode on the first insulating film, in one of the video signal electrode Connected and said first insulating film
Semiconductor formed so as to straddle one of the scan electrodes in the upper
E Bei a plurality of thin film transistors each having a membrane, and a plurality of pixel electrodes respectively connected to one of each formed and the thin film transistor on the transparent substrate, and a second insulating film covering the thin film transistor even without least An auxiliary capacitance is connected to each of the pixel electrodes, and the auxiliary capacitance is formed by self-oxidation of the common electrode and the common electrode.
The upper electrode is formed to be in direct contact with the film, the upper electrode being separated from the pixel electrode and the upper electrode.
And covering the self-oxidation film of the common electrode on which it is formed
On the first insulating film and the semiconductor layer covering the first insulating film,
The auxiliary electrode is connected to the pixel electrode by the formed auxiliary electrode, and the auxiliary electrode covers the first insulating film and the upper electrode.
And an opening of a contact hole formed in the semiconductor layer
Completely covering the upper electrode and contacting the upper electrode and its pattern end
The part is the self electrode of the upper electrode and the common electrode on which it is formed.
A liquid crystal display device that is not in direct contact with its own oxide film .
側面が各々の自己酸化膜にて被覆された複数の走査電極
と、前記走査電極の自己酸化膜上に形成された第１絶縁膜
と、 前記第１絶縁膜上に 前記走査電極と交差するように形成
された複数の映像信号電極と、前記映像信号電極の一つに接続され且つ前記第１絶縁膜
上に 前記走査電極の一つを跨ぐように形成された半導体
膜を各々有する複数の薄膜トランジスタと、前記透明基板上に夫々形成され且つ 前記薄膜トランジス
タの一つに夫々接続された複数の画素電極と、 少 なくとも前記薄膜トランジスタを被覆する第２絶縁膜
とを備え、 前記画素電極の各々には補助容量が接続され、 前記補助容量は、前記画素電極が設けられた画素に隣接
する他の画素に設けられた前記走査電極の一つを覆う自
己酸化膜に直接接触するように形成された上部電極から
なり、 前記上部電極は前記画素電極と分離され且つ該上部電極
及びこれが形成された前記隣接画素の走査電極の自己酸
化膜を覆う前記第１絶縁膜及び該第１絶縁膜を覆う半導
体層の上に形成された補助電極により該画素電極に接続
され、 前記補助電極は、前記上部電極を覆う前記第１絶縁膜及
び前記半導体層に形成されたコンタクトホールの開口部
を完全に被覆して該上部電極に接し且つそのパターン端
部は該上部電極及びこれが形成された前記隣接画素の走
査電極の自己酸化膜に直接接しない ことを特徴とする液
晶表示装置。2. A transparent substrate formed on each surface and
A plurality of scan electrodes whose side surfaces are covered with respective self -oxidation films, and a first insulating film formed on the self-oxidation films of the scan electrodes.
When the a plurality of video signal electrodes formed to cross the scan electrode on the first insulating film, connected to one of said video signal electrode and the first insulating film
Semiconductor formed so as to straddle one of the scan electrodes in the upper
E Bei a plurality of thin film transistors each having a membrane, and a plurality of pixel electrodes respectively connected to one of each formed and the thin film transistor on the transparent substrate, and a second insulating film covering the thin film transistor even without least An auxiliary capacitance is connected to each of the pixel electrodes, and the auxiliary capacitance is adjacent to the pixel on which the pixel electrode is provided.
To cover one of the scan electrodes provided in the other pixels.
From the upper electrode formed to directly contact the oxide film
And the upper electrode is separated from the pixel electrode and
And the self-acid of the scan electrode of the adjacent pixel on which it is formed.
First insulating film covering the oxide film and a semiconductor covering the first insulating film
Connected to the pixel electrode by an auxiliary electrode formed on the body layer
The auxiliary electrode covers the first insulating film and the upper electrode.
And an opening of a contact hole formed in the semiconductor layer
Completely covering the upper electrode and contacting the upper electrode and its pattern end
The area is the area where the upper electrode and the adjacent pixel on which it is formed run.
A liquid crystal display device characterized in that it is not in direct contact with the self-oxidation film of the inspection electrode .
記共通電極の自己酸化膜はテーパ状に加工され、 前記上部電極は 前記共通電極表面上でのみ前記自己酸化
膜と直接接触し且つ該自己酸化膜の前記テーパ状に加工
された周縁により前記画素電極と分離されていることを
特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。3. Before end and encases the previous SL common electrode
Self oxide film of the serial common electrode is processed into a tapered shape, machining the upper electrode to said tapered the only common electrode on the surface in direct contact with the self-oxide film and the auto-oxidation film
The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the liquid crystal display device is separated from the pixel electrode by a formed peripheral edge .
被覆する前記自己酸化膜はテーパ状 に加工され、 前記上部電極は 前記隣接画素の走査電極表面上でのみ前
記自己酸化膜と直接接触し且つ該自己酸化膜の前記テー
パ状に加工された周縁により前記画素電極と分離されて
いることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。Wherein said self-oxide film end and <br/> encases the scan electrodes of the adjacent pixels is processed into a tapered shape, wherein the upper electrode is the self only on the scanning electrode surface of the adjacent pixels The direct contact with the oxide and the tape of the self-oxide.
Separated from the pixel electrode by the edge processed into a pad
The liquid crystal display device according to claim 2, characterized in that there.
該補助電極のパターン縁より内側でのみ前記上部電極と
接することを特徴とする請求項１又は請求項３に記載の
液晶表示装置。5. Before Kiho assistant electrode on said common electrode
The said upper electrode is contacted only with the inside of the pattern edge of the said auxiliary electrode , The claim 1 or 3 characterized by the above-mentioned .
Liquid crystal display device.
で形成されている ことを特徴とする請求項１乃至５のい
ずれかに記載の液晶表示装置。 6. The upper electrode is formed in the same process as the pixel electrode.
Claims 1 to 5 gall, characterized in that in formed
The liquid crystal display device according to any one of the above.
を、該透明基板上に該複数の走査電極及び共通電極から
夫々離して複数の画素電極を、該走査電極及び該共通電
極の夫々の上に絶縁膜を、該絶縁膜の該走査電極及び該
共通電極を跨ぐ複数の部分に半導体膜を、該絶縁膜及び
該半導体膜の夫々の上にて該走査電極及び該共通電極と
交差する複数の映像信号電極を順次形成する液晶表示装
置の製造方法において、 前記複数の画素電極を形成する前に前記共通電極の表面
及び側面に該共通電極の自己酸化膜を形成する第１工程
と、 前記第１工程の後、前記画素電極とともに、前記共通電
極の表面に形成された自己酸化膜上に上部電極を該画素
電極から離して形成する第２工程と、 前記第２工程の後、前記絶縁膜及び前記半導体膜を順次
積層し、該絶縁膜と該半導体膜との積層膜に前記画素電
極及び前記上部電極の夫々を露出する開口を形成する第
３工程と、 前記第３工程の後、前記絶縁膜と前記半導体膜からなる
前記積層膜上を跨いで前記画素電極及び前記上部電極の
夫々に接する補助電極を形成する第４工程とを含み、 前記第４工程において、前記補助電極を、前記上部電極
を露出する前記絶縁膜と前記半導体膜からなる前記積層
膜の前記開口を完全に覆い且つ該補助電極のパターンの
縁が該上部電極及びこれが形成された前記共通電極の自
己酸化膜に接しないように形成することにより、 前記共通電極とこれを覆う前記自己酸化膜を介してこれ
に対向する前記上部電極とにより前記画素電極の補助容
量を形成する ことを特徴とする液晶表示装置。7. A plurality of scanning electrodes and a common electrode on a transparent substrate.
From the plurality of scanning electrodes and the common electrode on the transparent substrate.
A plurality of pixel electrodes, which are separated from each other, are connected to the scan electrode and the common electrode.
An insulating film is provided on each of the poles, the scan electrode of the insulating film and the insulating film
A semiconductor film is formed on a plurality of portions straddling the common electrode,
The scan electrode and the common electrode on each of the semiconductor films;
Liquid crystal display device in which a plurality of intersecting video signal electrodes are sequentially formed
The method of manufacturing a location, the surface of the common electrode before forming the plurality of pixel electrodes
And a first step of forming a self-oxidation film of the common electrode on the side surface
And, after the first step, together with the pixel electrode, the common electrode.
The upper electrode is formed on the self-oxidized film formed on the surface of the electrode.
A second step of forming the insulating film and the semiconductor film sequentially after the second step, in which the insulating film and the semiconductor film are formed separately from the electrodes.
The pixel electrodes are laminated on the laminated film of the insulating film and the semiconductor film.
Forming an opening exposing each of the pole and the upper electrode;
After the third step and the third step, the insulating film and the semiconductor film are formed.
Of the pixel electrode and the upper electrode across the laminated film.
A fourth step of forming auxiliary electrodes in contact with each other, wherein in the fourth step, the auxiliary electrodes are connected to the upper electrode.
The laminated film including the insulating film and the semiconductor film that exposes
Completely covering the opening of the membrane and of the pattern of the auxiliary electrode.
The edge is the self electrode of the upper electrode and the common electrode on which it is formed.
By forming it so as not to contact the self-oxidation film, the common electrode and the self-oxidation film covering the common electrode are used to form the common electrode.
The auxiliary electrode of the pixel electrode is
Liquid crystal display device you and forming amount.
板上に該複数の走査電極から夫々離して複数の画素電極
を、該走査電極の夫々の上に絶縁膜を、該絶縁膜の該走
査電極を跨ぐ複数の部分に半導体膜を、該絶縁膜及び該
半導体膜の夫々の上にて該走査電極と交差する複数の映
像信号電極を順次形成する液晶表示装置の製造方法にお
いて、 前記複数の画素電極を形成する前に前記走査電極の表面
及び側面に該走査電極の自己酸化膜を形成する第１工程
と、 前記第１工程の後、前記画素電極とともに、前記走査電
極の表面に形成された自己酸化膜上に上部電極を該画素
電極から離して形成する第２工程と、 前記第２工程の後、前記絶縁膜及び前記半導体膜を順次
積層し、該絶縁膜と該半導体膜との積層膜に前記画素電
極及び前記上部電極の夫々を露出する開口を形成する第
３工程と、 前記第３工程の後、前記絶縁膜と前記半導体膜からなる
前記積層膜上を跨いで前記画素電極及び前記上部電極の
夫々に接する補助電極を形成する第４工程とを含み、 前記第４工程において、前記補助電極を、前記上部電極
を露出する前記絶縁膜と前記半導体膜からなる前記積層
膜の前記開口を完全に覆い且つ該補助電極のパターンの
縁が該上部電極及びこれが形成された前記走査電極の自
己酸化膜に接しないように形成することにより、 前記走査電極とこれを覆う前記自己酸化膜を介してこれ
に対向する前記上部電極とにより前記画素電極の補助容
量を形成 することを特徴とする液晶表示装置。8. A plurality of scanning electrodes on a transparent substrate, the transparent substrate
A plurality of pixel electrodes separated from the plurality of scanning electrodes on the plate
An insulating film on each of the scan electrodes, and
A semiconductor film is formed on a plurality of portions straddling the inspection electrode, the insulating film and the semiconductor film.
A plurality of images intersecting the scan electrodes on each of the semiconductor films.
In a method of manufacturing a liquid crystal display device in which image signal electrodes are sequentially formed
And the surface of the scan electrode before forming the plurality of pixel electrodes.
And a first step of forming a self-oxidation film of the scan electrode on the side surface
And, after the first step, together with the pixel electrode, the scanning electrode.
The upper electrode is formed on the self-oxidized film formed on the surface of the electrode.
A second step of forming the insulating film and the semiconductor film sequentially after the second step, in which the insulating film and the semiconductor film are formed separately from the electrodes.
The pixel electrodes are laminated on the laminated film of the insulating film and the semiconductor film.
Forming an opening exposing each of the pole and the upper electrode;
After the third step and the third step, the insulating film and the semiconductor film are formed.
Of the pixel electrode and the upper electrode across the laminated film.
A fourth step of forming auxiliary electrodes in contact with each other, wherein in the fourth step, the auxiliary electrodes are connected to the upper electrode.
The laminated film including the insulating film and the semiconductor film that exposes
Completely covering the opening of the membrane and of the pattern of the auxiliary electrode.
The edges are the edges of the upper electrode and the scanning electrode on which it is formed.
By forming it so as not to contact the self-oxidation film, the scan electrode and the self-oxidation film that covers the scan electrode are used to form the scan electrode.
The auxiliary electrode of the pixel electrode is
Liquid crystal display device you and forming amount.
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|---|---|---|---|
| JP31989895A JP3508964B2 (en) | 1995-12-08 | 1995-12-08 | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
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| JP31989895A JP3508964B2 (en) | 1995-12-08 | 1995-12-08 | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
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