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JP3517839B2 - Programmable cell array circuit - Google Patents
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JP3517839B2 - Programmable cell array circuit - Google Patents

Programmable cell array circuit

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JP3517839B2
JP3517839B2 JP2000362006A JP2000362006A JP3517839B2 JP 3517839 B2 JP3517839 B2 JP 3517839B2 JP 2000362006 A JP2000362006 A JP 2000362006A JP 2000362006 A JP2000362006 A JP 2000362006A JP 3517839 B2 JP3517839 B2 JP 3517839B2
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、プログラムにより
処理の内容が変更可能なプログラマブルLSIのうち、
ルックアップテーブルを演算および配線の構成要素とす
るプログラマブルセルアレイ回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a programmable LSI whose processing contents can be changed by a program,
The present invention relates to a programmable cell array circuit that uses a lookup table as a constituent element of calculation and wiring.

【0002】[0002]

【従来の技術】ハードウェアの高速性にソフトウェア処
理並のプログラマビリティを持たせる技術として、フィ
ールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)が実用
に供されている。市販のFPGAは論理演算を行う部分
にはSRAMを用いるものが多い。これは小規模なメモ
リのアドレス線を入力信号とすると、対応するメモリセ
ルに格納されたデータを演算結果としてそのまま出力す
るもので、この小規模メモリをルックアップテーブル
(LUT)と呼ぶ。
2. Description of the Related Art A field programmable gate array (FPGA) has been put into practical use as a technique for providing high-speed hardware with programmability equivalent to software processing. Most commercially available FPGAs use an SRAM for the part that performs logical operations. This is because, when an address line of a small-sized memory is used as an input signal, the data stored in the corresponding memory cell is directly output as a calculation result, and this small-sized memory is called a lookup table (LUT).

【0003】市販のFPGAは、このLUTを論理演算
の構成要素とし、その他専用のレジスタ、LUTおよび
レジスタの入出力を結線し信号を伝播することを目的と
するプログラマブル配線要素等からなる。このように従
来のFPGAは各種の別個な構成要素の組み合わせから
なっており、LSIの集積度の観点からは、メモリ技術
を用いているにもかかわらず通常のSRAMに比して実
装密度は劣る。
A commercially available FPGA includes the LUT as a constituent element of a logical operation, and other dedicated registers, a LUT and a programmable wiring element for connecting the input / output of the register and propagating a signal. As described above, the conventional FPGA is composed of a combination of various individual constituent elements, and in terms of the degree of integration of the LSI, the packaging density is inferior to that of the normal SRAM even though the memory technology is used. .

【0004】一方、メモリ技術の高密度化に着目し、プ
ログラマブル論理回路のすべての構成要素をLUTで実
現する技術が提案されている。例えば、特開2000−
49591で提案されている書き換え可能な論理回路の
技術では、すべての構成要素はLUTにより実現されて
いる。
On the other hand, a technique for realizing all the constituent elements of a programmable logic circuit by using an LUT has been proposed, paying attention to increasing the density of the memory technology. For example, JP 2000-
In the rewritable logic circuit technology proposed in 49591, all components are realized by LUT.

【0005】図3は上記公報に記載の基本構成である論
理セル、すなわちプログラマブルセルのブロック図であ
る。図に示すプログラマブルセル11は、w,n,e,
sと名付けられた4方向に対して1つずつ合計で4つの
隣接セルを持つ。例えば、図4のセル11Aは、セル1
1B,11C,11D,11Eの4つの隣接セルを持
つ。
FIG. 3 is a block diagram of a logic cell, which is the basic configuration described in the above publication, that is, a programmable cell. The programmable cell 11 shown in the figure has w, n, e,
It has a total of four adjacent cells, one for each of the four directions named s. For example, cell 11A in FIG.
It has four adjacent cells 1B, 11C, 11D and 11E.

【0006】そして、セル11は、4つの隣接セルから
信号を入力するための入力信号線Pwi' ,Pni' ,
Pei,' Psi' と、4つの隣接セルに信号を出力す
るための出力信号線Pwo' ,Pno' ,Peo' ,P
so' を持つ。さらに、セル11は4つの入力信号線P
wi' ,Pni' ,Pei' ,Psi' の値によリアド
レス指定されるLUT Mw' ,Mn' ,Me' ,M
s' を持ち、そのうちのLUT Mw' の出力は出力信
号線Pwo' に、LUT Mn'の出力は出力信号線P
no' に、LUT Me' の出力は出力信号線Peo'
に、LUT Ms' の出力は出力信号線Pso' に、そ
れぞれ出力される。
The cell 11 has input signal lines Pwi ', Pni', for inputting signals from four adjacent cells.
Pei, 'Psi' and output signal lines Pwo ', Pno', Peo ', P for outputting signals to four adjacent cells.
has so '. Further, the cell 11 has four input signal lines P
LUT Mw ', Mn', Me ', M readdressed by the values of wi', Pni ', Pei', Psi '.
s ', of which the output of LUT Mw' is output signal line Pwo 'and the output of LUT Mn' is output signal line Pwo.
The output of LUT Me 'is the output signal line Peo'
Further, the output of the LUT Ms 'is output to the output signal line Pso'.

【0007】そして入力信号線Pwi' ,Pni' ,P
ei' ,Psi' により共通にアドレス指定されたアド
レスの記憶素子に任意の値を予め格納可能であり、従っ
て各LUT Mw' ,Mn' ,Me' ,Ms' は同じア
ドレス値を入力しながら、異なった演算を行うことが可
能である。各LUT Mw' ,Mn' ,Me' ,Ms'
には、それぞれ16個のメモリセルがあり、入力信号線
Pwi' ,Pni' ,Pei' ,Psi' の値によりそ
れぞれ16個のメモリセルのうちの1個を特定し、対応
するメモリセルに格納されている0または1のデータを
各出力信号線Pwo' ,Pno' ,Peo' ,Pso'
に出力する。
The input signal lines Pwi ', Pni', P
Any value can be stored in advance in the storage element of the address commonly addressed by ei 'and Psi', so that each LUT Mw ', Mn', Me ', Ms' inputs the same address value, It is possible to perform different operations. Each LUT Mw ', Mn', Me ', Ms'
Has 16 memory cells each, and one of the 16 memory cells is specified by the values of the input signal lines Pwi ', Pni', Pei ', and Psi' and stored in the corresponding memory cell. The output 0 or 1 data is converted into the output signal lines Pwo ′, Pno ′, Peo ′, Pso ′.
Output to.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
方法で図4のように直接隣接の論理セルと接続すること
には問題がある。以下、その問題点について述べる。一
般にSRAMは、LSIの電源を投入した直後、各メモ
リセルには0または1の値が格納されているが、その値
は電源投入以前に予測することは困難である。このよう
な状態で図3のセルを図4のように接続すると、メモリ
セルの値によっては隣接するセル間でリング発信機を構
成する可能性がある。
However, there is a problem in directly connecting to the adjacent logic cell as shown in FIG. 4 by the above-mentioned method. The problems will be described below. Generally, in SRAM, a value of 0 or 1 is stored in each memory cell immediately after the power of the LSI is turned on, but it is difficult to predict the value before the power is turned on. When the cells of FIG. 3 are connected as shown in FIG. 4 in such a state, a ring transmitter may be formed between adjacent cells depending on the value of the memory cell.

【0009】図5に図3のセル11を2個接続した例を
示す。いま図5(a)のセル接続における電源投入直後
の各メモリセルの内容が、第1のセル11AのうちのL
UT Me' 1の16個のメモリセルについて図5
(b)、第2のセル11BのうちのLUT Mw' 2の
16個のメモリセルについては図5(c)であったとす
る。この場合、Me' 1はセル11Aの入力信号Pei
' 1から出力信号Peo' 1ヘの結線として機能し、一
方Mw'2はセル11Bの入力信号Pwi' 2の極性を
反転して出力信号Pwo' 2へと出力する。このように
メモリセルに値が格納されているとき、2つのセル11
Aおよび11Bの直接の接続は論理的には図5(d)の
ようになり、この個所にリング発信機が構成されること
となる。
FIG. 5 shows an example in which two cells 11 of FIG. 3 are connected. Now, in the cell connection of FIG. 5 (a), the contents of each memory cell immediately after the power is turned on are the contents of the L cells of the first cell 11A.
FIG. 5 shows 16 memory cells of UT Me ′ 1.
(B) It is assumed that the 16 memory cells of the LUT Mw ′ 2 in the second cell 11B are as shown in FIG. 5 (c). In this case, Me ′ 1 is the input signal Pei of the cell 11A.
It functions as a connection from '1 to the output signal Peo' 1, while Mw'2 inverts the polarity of the input signal Pwi '2 of the cell 11B and outputs it as the output signal Pwo' 2. When the value is stored in the memory cell in this way, the two cells 11
The direct connection between A and 11B is logically as shown in FIG. 5 (d), and the ring transmitter is constructed at this point.

【0010】このように電源投入時にリング発信機が構
成されると、高周波で発振現象を起こし、過剰な電流が
LSIに流れ、LSIの正常動作が困難になったり、場
合によってはLSIを破壊する可能性もある。またLU
Tの各メモリセルに逐次内容を書き込んでいる途中につ
いても同様の可能性が存在する。また、上述の書き換え
可能な論理回路の各LUTを、回路構成情報以外の何ら
かのデータを格納し読み出すことを目的とした通常のS
RAMとして使用することを考えると、リング発信機を
構成しないように書き込むデータの内容に留意する必要
が生じ、一般的には任意のデータを書き込むことはでき
ない。
If the ring oscillator is configured when the power is turned on as described above, an oscillation phenomenon occurs at a high frequency, an excessive current flows through the LSI, which makes normal operation of the LSI difficult, or even destroys the LSI in some cases. There is a possibility. Also LU
There is a similar possibility even while the contents are sequentially written in each memory cell of T. In addition, an ordinary S for the purpose of storing and reading some data other than the circuit configuration information in each LUT of the above-described rewritable logic circuit.
Considering the use as a RAM, it is necessary to pay attention to the content of the data to be written so as not to configure the ring transmitter, and it is generally not possible to write arbitrary data.

【0011】本発明はこのようなことに鑑みてなされた
ものであり、電源投入時、およびメモリセルヘの書き込
み途中での発振動作を防止し、LSIに過剰な電流を流
すことなく正常に動作させることを可能とし、同時にS
RAMとして各LUTに対して任意のデータの格納を可
能とするプログラマブルセルアレイ回路を提供すること
を目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and prevents an oscillating operation during power-on and during writing to a memory cell, and allows the LSI to operate normally without flowing an excessive current. And at the same time S
An object of the present invention is to provide a programmable cell array circuit capable of storing arbitrary data in each LUT as a RAM.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によるプログラマブルセルアレイ回路では、
隣接するセルを直接接続せず、各セルを接続するか切り
離すかを適宜信号により制御することにより発振を防止
する。つまり、請求項1の発明は、複数の入力線と1個
の出力線を有するルックアップテーブルを複数内蔵する
プログラマブルセルを複数配列して構成するプログラマ
ブルセルアレイ回路において、前記プログラマブルセル
間に設けられ、このプログラマブルセルの出力線と、隣
接する前記プログラマブルセルの複数の入力線との接続
および切り離しを行う隣接セル接続制御回路と、前記プ
ログラマブルセルのルックアップテーブルにデータを書
き込む間は前記プログラマブルセル間の接続を切り離す
指示信号を前記隣接セル接続制御回路に出力し、書き込
みが終了したら前記プログラマブルセル間を接続する指
示信号をこの隣接セル接続制御回路に出力するメモリ制
御回路とを有することを特徴とする。請求項2の発明
は、複数の入力線と1個の出力線を有するルックアップ
テーブルを複数内蔵するプログラマブルセルを複数配列
して構成するプログラマブルセルアレイ回路において、
前記プログラマブルセル間に設けられ、このプログラマ
ブルセルの出力線と、隣接する前記プログラマブルセル
の複数の入力線との接続および切り離しを行う隣接セル
接続制御回路と、電源投入時は前記プログラマブルセル
間の接続を切り離す指示信号を前記隣接セル接続制御回
路に出力するメモリ制御回路とを有することを特徴とす
る。
To achieve the above object, in a programmable cell array circuit according to the present invention,
Oscillation is prevented by controlling the connection or disconnection of each cell with a signal as appropriate without directly connecting the adjacent cells. In other words, the invention of claim 1 has a plurality of input lines and one
Built-in multiple lookup tables with output lines
Programmer that arranges and configures multiple programmable cells
A programmable cell in a bull cell array circuit
Between the output line of this programmable cell and the
Connection with a plurality of input lines of the programmable cell in contact
And an adjacent cell connection control circuit for disconnecting the
Write the data to the look-up table of the programmable cell
Disconnect the connection between the programmable cells while setting
Output an instruction signal to the adjacent cell connection control circuit and write
After completing the steps, the finger that connects the programmable cells
A memory control that outputs an indication signal to this adjacent cell connection control circuit.
And a control circuit. Invention of Claim 2
Is a lookup with multiple input lines and one output line
Multiple programmable cells with multiple built-in tables
In the programmable cell array circuit configured as
This programmer is provided between the programmable cells.
The output line of the bull cell and the adjacent programmable cell
Adjacent cells that connect to and disconnect from multiple input lines in
Connection control circuit and the programmable cell when power is turned on
The instruction signal for disconnecting the connection between
And a memory control circuit for outputting to a path
It

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】上記課題を解決するために本発明
のプログラマブルセルアレイ回路は、複数の入力線と1
個の出力線を有するLUTを複数内蔵するプログラマブ
ルセルを複数配列して構成するプログラマブルセルアレ
イ回路において、互いに隣接する隣接プログラマブルセ
ルの接続線の接続・切り離しを行う隣接セル接続制御回
路をプログラマブルセル間に設けたことに特徴を有して
いる。
In order to solve the above problems, a programmable cell array circuit according to the present invention is provided with a plurality of input lines and one input line.
In a programmable cell array circuit configured by arranging a plurality of programmable cells having a plurality of LUTs each having an output line, an adjacent cell connection control circuit for connecting / disconnecting connection lines of adjacent programmable cells adjacent to each other is provided between the programmable cells. The feature is that it is provided.

【0014】また、本発明のプログラマブルセルアレイ
回路は、互いに隣接する隣接プログラマブルセルを制御
するメモリ制御回路を設け、このメモリ制御回路は、隣
接セル接続制御回路に対し接続切り離しを指示する隣接
セル接続制御信号を出力することに特徴を有している。
Further, the programmable cell array circuit of the present invention is provided with a memory control circuit for controlling adjacent programmable cells adjacent to each other, and this memory control circuit instructs the adjacent cell connection control circuit to perform connection / disconnection control. It is characterized by outputting a signal.

【0015】さらに、本発明のプログラマブルセルアレ
イ回路は、メモリ制御回路は、プログラマブルセルのL
UTにデータを書き込む間はプログラマブルセル間の接
続線を切り離す指示信号を隣接セル接続制御回路に出力
し、書き込みが終了したらプログラマブルセル間の接続
線を接続する指示信号を隣接セル接続制御回路に出力す
ることに特徴を有している。
Further, in the programmable cell array circuit of the present invention, the memory control circuit is a programmable cell L
An instruction signal for disconnecting the connection line between the programmable cells is output to the adjacent cell connection control circuit while writing data to the UT, and an instruction signal for connecting the connection line between the programmable cells is output to the adjacent cell connection control circuit when writing is completed. It is characterized by

【0016】また、本発明のプログラマブルセルアレイ
回路は、メモリ制御回路は、常にプログラマブルセル間
の接続線を切り離す指示信号を隣接セル接続制御回路に
出力することに特徴を有している。
Further, the programmable cell array circuit of the present invention is characterized in that the memory control circuit always outputs an instruction signal for disconnecting the connection line between the programmable cells to the adjacent cell connection control circuit.

【0017】さらに、本発明のプログラマブルセルアレ
イ回路は、メモリ制御回路は、プログラマブルセルアレ
イの使用状態に応じて、プログラマブルセルのLUTに
データを書き込む間はプログラマブルセル間の接続線を
切り離す指示信号を隣接セル接続制御回路に出力し、書
き込みが終了したらプログラマブルセル間の接続線を接
続する指示信号を隣接セル接続制御回路に出力し、ま
た、常にプログラマブルセル間の接続線を切り離す指示
信号を隣接セル接続制御回路に出力することに特徴を有
している。
Further, in the programmable cell array circuit of the present invention, the memory control circuit issues an instruction signal for disconnecting the connection line between the programmable cells while the data is being written to the LUT of the programmable cell, depending on the use state of the programmable cell array. Outputs to the connection control circuit, outputs the instruction signal to connect the connection line between programmable cells to the adjacent cell connection control circuit when writing is completed, and always outputs the instruction signal to disconnect the connection line between programmable cells to the adjacent cell connection control It is characterized by outputting to the circuit.

【0018】また、本発明のプログラマブルセルアレイ
回路は、メモリ制御回路は、電源投入時はプログラマブ
ルセル間の接続線を切り離す指示信号を隣接セル接続制
御回路に出力することに特徴を有している。
Further, the programmable cell array circuit of the present invention is characterized in that the memory control circuit outputs an instruction signal for disconnecting the connection line between the programmable cells to the adjacent cell connection control circuit when the power is turned on.

【0019】[0019]

【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説
明する。図1は、本発明の実施例におけるプログラマブ
ルセルアレイ回路のうちの基本的な構成を示す図であ
り、図2はプログラマブルセルを複数二次元状に配列し
た図である。図1には2つの隣接するプログラマブルセ
ル1Aおよび1Bとプログラマブルセル1A,1Bを制
御するメモリ制御回路3との構造が示されている。プロ
グラマブルセル1Aおよび1Bの構造は同一であり、以
下プログラマブルセル1Aについてその内部構造を説明
する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing a basic configuration of a programmable cell array circuit according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a diagram arranging a plurality of programmable cells in a two-dimensional array. FIG. 1 shows the structure of two adjacent programmable cells 1A and 1B and a memory control circuit 3 for controlling the programmable cells 1A and 1B. The programmable cells 1A and 1B have the same structure, and the internal structure of the programmable cell 1A will be described below.

【0020】図1に示すプログラマブルセル1Aは、
w,n,e,sと名付けられた4方向に対して1つずつ
合計で4つの隣接セルを持つ。たとえば図2のプログラ
マブルセル1Aは、セル1B,1C,1D,1Eの4つ
の隣接セルを持つ。そして、プログラマブルセル1A
は、4つの4入力1出力のLUT Mw1,Mn1,M
e1,Ms1を持つ。各LUT Mw1,Mn1,Me
1,Ms1はそれぞれ16個の1ビットのメモリセルか
らなる。この各メモリセルに対しては1系統の書き込み
制御と、2系統の読み出し制御用の回路が存在する。す
なわち各メモリセルをLUTのネットワークからなる論
理回路として使用するか、あるいは通常のSRAMとし
て使用するかにより使用される読み出し回路は異なる。
The programmable cell 1A shown in FIG.
It has a total of four adjacent cells, one for each of the four directions labeled w, n, e, and s. For example, the programmable cell 1A in FIG. 2 has four adjacent cells, cells 1B, 1C, 1D and 1E. And the programmable cell 1A
Are four 4-input 1-output LUTs Mw1, Mn1, M
e1 and Ms1. Each LUT Mw1, Mn1, Me
1 and Ms1 each consist of 16 1-bit memory cells. For each of these memory cells, there are circuits for one system of write control and two systems of read control. That is, the read circuit used differs depending on whether each memory cell is used as a logic circuit formed of a LUT network or as a normal SRAM.

【0021】まず、各メモリセルヘのデータの書き込み
制御について説明する。この場合、メモリ制御回路3か
らの出力信号であるSRAMアドレス線7Aで指定され
たアドレスのメモリセルに対してメモリ書き込み線5A
を伝播してメモリ制御回路3から各セルに内容が書き込
まれる。
First, the control of writing data to each memory cell will be described. In this case, the memory write line 5A is output to the memory cell at the address specified by the SRAM address line 7A which is the output signal from the memory control circuit 3.
And the contents are written from the memory control circuit 3 to each cell.

【0022】次に、各メモリセルをLUTのネットワー
クからなる論理回路として使用する際の読み出し制御に
ついて説明する。このとき使用されるプログラマブルセ
ル1A内部の回路としては4つの隣接セルから信号を入
力するための入力信号線Pwi1,Pni1,Pei
1,Psi1と4つの隣接セルに信号を出力するための
出力信号線Pwo1,Pno1,Peo1,Pso1が
ある。各LUT Mw1,Mn1,Me1,Ms1は4
つの入力信号線Pwi1,Pni1,Pei1,Psi
1の値により共通にアドレス指定され各LUT内部の対
応するメモリセルに格納された値が並列に読み出され
る。そのうちのLUT Mw1の出力は出力信号線Pw
o1に、LUT Mn1の出力は出力信号線Pno1
に、LUT Me1の出力は出力信号線Peo1に、L
UT Ms1の出力は出力信号線Pso1に、それぞれ
出力される。
Next, read control when each memory cell is used as a logic circuit composed of an LUT network will be described. As a circuit inside the programmable cell 1A used at this time, input signal lines Pwi1, Pni1, and Pei for inputting signals from four adjacent cells are used.
1, Psi1 and output signal lines Pwo1, Pno1, Peo1, Pso1 for outputting signals to four adjacent cells. Each LUT Mw1, Mn1, Me1, Ms1 is 4
Two input signal lines Pwi1, Pni1, Pei1, Psi
The values commonly addressed by a value of 1 and stored in corresponding memory cells within each LUT are read in parallel. The output of the LUT Mw1 is the output signal line Pw.
The output of the LUT Mn1 is the output signal line Pno1
The output of the LUT Me1 is output to the output signal line Peo1 at L level.
The output of the UT Ms1 is output to the output signal line Pso1.

【0023】各LUT内部のメモリセルには先に説明し
た書き込み機能により任意の値を予め格納可能であり、
従って各LUT Mw1,Mn1,Me1,Ms1は同
じアドレス値を入力しながら、異なった演算を行うこと
が可能である。各LUT Mw1,Mn1,Me1,M
s1が実行可能な論理演算の組合せは、4入力以下のす
ベての任意の組合せ論理演算であり、その個数はそれぞ
れ2の16乗、つまり65536通りとなる。
Any value can be stored in advance in the memory cell inside each LUT by the write function described above.
Therefore, each LUT Mw1, Mn1, Me1, Ms1 can perform different operations while inputting the same address value. Each LUT Mw1, Mn1, Me1, M
The combinations of logical operations that can be executed by s1 are all arbitrary combinational logical operations of 4 inputs or less, and the number of them is 2 16 powers, that is, 65536 ways.

【0024】次に、各メモリセルを通常のSRAMとし
て使用する際の読み出し制御について説明する。この場
合、メモリ制御回路3からの出力信号であるSRAMア
ドレス線7Aで指定されたアドレスのメモリセルに格納
されている0または1のデータがメモリ読み出し線6A
を伝播してメモリ制御回路3に内容が読み出される。
Next, the read control when each memory cell is used as a normal SRAM will be described. In this case, the data 0 or 1 stored in the memory cell at the address designated by the SRAM address line 7A, which is the output signal from the memory control circuit 3, is the memory read line 6A.
Is transmitted and the contents are read out to the memory control circuit 3.

【0025】次に図1の2つのプログラマブルセル1A
と1Bとの間の接続について説明する。プログラマブル
セル1Aからe方向への出力信号Peo1は、直接プロ
グラマブルセル1Bには入力されず、隣接セル接続制御
回路2Aに入力される。この隣接セル接続制御回路2A
では、メモリ制御回路3から出力される隣接セル接続制
御信号4の内容に応じて、Peo1をそのままプログラ
マブルセル1Bのw方向の入力信号Pwi2に伝播する
か、あるいは接続を切り離してPwi2を0固定とする
かが選択される。
Next, the two programmable cells 1A shown in FIG.
The connection between the and 1B will be described. The output signal Peo1 from the programmable cell 1A in the e direction is not directly input to the programmable cell 1B but is input to the adjacent cell connection control circuit 2A. This adjacent cell connection control circuit 2A
Then, depending on the content of the adjacent cell connection control signal 4 output from the memory control circuit 3, Peo1 is directly propagated to the input signal Pwi2 in the w direction of the programmable cell 1B, or the connection is disconnected and Pwi2 is fixed to 0. Whether to do is selected.

【0026】同様に、プログラマブルセル1Bからw方
向への出力信号Pwo2は、直接プログラマブルセル1
Aには入力されず、隣接セル接続制御回路2Bに入力さ
れる。この隣接セル接続制御回路2Bでは、メモリ制御
回路3から出力される隣接セル接続制御信号4の内容に
応じて、Pwo2をそのままプログラマブルセル1Aの
e方向の入力信号Pei1に伝播するか、あるいは接続
を切り離してPei1を0固定とするかが選択される。
この隣接セル接続制御回路2Aおよび2Bの実現には、
たとえばANDゲート1個を用ることで上記のような働
きをさせることができる。
Similarly, the output signal Pwo2 from the programmable cell 1B in the w direction is directly fed to the programmable cell 1
It is not input to A but is input to the adjacent cell connection control circuit 2B. In the adjacent cell connection control circuit 2B, depending on the content of the adjacent cell connection control signal 4 output from the memory control circuit 3, Pwo2 is propagated as it is to the input signal Pei1 in the e direction of the programmable cell 1A, or the connection is made. It is selected whether to separate and fix Pei1 to 0.
To realize the adjacent cell connection control circuits 2A and 2B,
For example, by using one AND gate, the above operation can be performed.

【0027】次にメモリ制御回路3では、各プログラマ
ブルセル内部の各メモリセルをLUTのネットワークか
らなる論理回路として使用するか、あるいは通常のSR
AMとして使用するかをあらかじめ外部から設定してお
き、常にその状態を内部で保持する。また各プログラマ
ブルセルに対してメモリデータを書き込むタイミングを
管理し、メモリデータが書き込まれる時は隣接セル接続
制御信号4を0として各プログラマブルセル間を切り離
す。なお、書き込み時の切り離しは、書き込まれるセル
の隣接セル間のみでもよいし、全セル間でもよい。同様
に電源投入時にも接続制御信号4を0とする。さらに各
LUTを通常のSRAMとして使用する場合にも接続制
御信号4を0とする。
Next, in the memory control circuit 3, each memory cell inside each programmable cell is used as a logic circuit composed of an LUT network, or a normal SR is used.
Whether to use as an AM is set from the outside in advance, and the state is always held internally. Further, the timing of writing the memory data to each programmable cell is managed, and when the memory data is written, the adjacent cell connection control signal 4 is set to 0 to disconnect each programmable cell. Note that the disconnection at the time of writing may be performed only between cells adjacent to the cell to be written or between all cells. Similarly, the connection control signal 4 is set to 0 when the power is turned on. Furthermore, the connection control signal 4 is set to 0 when each LUT is used as a normal SRAM.

【0028】一方各プログラマブルセルに対してメモリ
データが書き込まれた後、各プログラマブルセルを論理
回路として使用する場合には接続制御信号4を1とし、
隣接プログラマブルセル間を接続する。このように隣接
プログラマブルセル間に対してANDゲートのような単
純な論理回路を挿入することにより、電源投入時をはじ
めとするLSIの動作が不安定な場合には各プログラマ
ブルセルは他のプログラマブルセルからは切り離されて
おり、各メモリセルにどのような値が代入されていても
発振現象が起きることはない。
On the other hand, after the memory data is written in each programmable cell, when each programmable cell is used as a logic circuit, the connection control signal 4 is set to 1,
Connect between adjacent programmable cells. In this way, by inserting a simple logic circuit such as an AND gate between adjacent programmable cells, each programmable cell can be replaced by another programmable cell when the operation of the LSI is unstable, such as when the power is turned on. Therefore, no oscillation phenomenon occurs even if any value is assigned to each memory cell.

【0029】[0029]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によるプロ
グラマブルセルアレイ回路では、均一な構造を特徴とす
るプログラマブルなセルアレイからなる回路の種々の利
点を損なうことなく、システムに対する電源投入時、メ
モリセルに対する書き込み時などの状態に対してリング
発信機の発生を防ぎ安定動作を保証することを可能と
し、また各LUTを通常のSRAMとして任意のデータ
の格納に用いることも可能とする。
As described above, in the programmable cell array circuit according to the present invention, the memory cells are protected against the memory cells at the time of power-on of the system without degrading various advantages of the circuit composed of the programmable cell array characterized by the uniform structure. It is possible to prevent the ring transmitter from being generated in a state such as at the time of writing and to guarantee a stable operation, and it is also possible to use each LUT as a normal SRAM for storing arbitrary data.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施例におけるプログラマブルセルア
レイ回路の基本的な構成を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a basic configuration of a programmable cell array circuit according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1におけるプログラマブルセルを複数二次元
状に配列した図である。
FIG. 2 is a diagram in which a plurality of programmable cells in FIG. 1 are arranged in a two-dimensional form.

【図3】従来例におけるプログラマブルセルのブロック
図である。
FIG. 3 is a block diagram of a programmable cell in a conventional example.

【図4】図3におけるプログラマブルセルを複数二次元
状に配列した図である。
FIG. 4 is a diagram in which a plurality of programmable cells in FIG. 3 are arranged in a two-dimensional form.

【図5】(a)〜(d)は、従来のプログラマブルセル
の接続におけるセルの内容と実現される論理回路の一例
を示す図である。
5 (a) to 5 (d) are diagrams showing an example of cell contents and a logic circuit to be realized in connection of a conventional programmable cell.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,1A〜E プログラマブルセル 2A,B 隣接セル接続制御回路 3 メモリ制御回路 4 接続制御信号 5A,B メモリ書き込み線 6A,B メモリ読み出し線 7A,B SRAMアドレス線 11,11A〜E プログラマブルセル 1,1A-E Programmable cell 2A, B Adjacent cell connection control circuit 3 Memory control circuit 4 Connection control signal 5A, B memory write line 6A, B memory read line 7A, B SRAM address line 11, 11A-E programmable cell

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平10−4345(JP,A) 特開2000−49591(JP,A) 特開2000−232162(JP,A) 特開2000−36738(JP,A)   ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page       (56) References Japanese Patent Laid-Open No. 10-4345 (JP, A)                 JP 2000-49591 (JP, A)                 JP-A-2000-232162 (JP, A)                 JP 2000-36738 (JP, A)

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 複数の入力線と1個の出力線を有するル
ックアップテーブルを複数内蔵するプログラマブルセル
を複数配列して構成するプログラマブルセルアレイ回路
において、前記プログラマブルセル間に設けられ、このプログラマ
ブルセルの出力線と、隣接する前記プログラマブルセル
の複数の入力線との接続および切り離しを行う隣接セル
接続制御回路と、 前記プログラマブルセルのルックアップテーブルにデー
タを書き込む間は前記プログラマブルセル間の接続を切
り離す指示信号を前記隣接セル接続制御回路に出力し、
書き込みが終了したら前記プログラマブルセル間を接続
する指示信号をこの隣接セル接続制御回路に出力するメ
モリ制御回路と、 を有することを特徴とするプログラマブルセルアレイ回
路。
1. A programmable cell array circuit configured by arranging a plurality of programmable cells having a plurality of look-up tables each having a plurality of input lines and one output line, the programmable cell array circuit being provided between the programmable cells.
The output line of the bull cell and the adjacent programmable cell
Adjacent cells that connect to and disconnect from multiple input lines in
Data is stored in the connection control circuit and the look-up table of the programmable cell.
Disconnect the connection between the programmable cells while writing
Output a separation instruction signal to the adjacent cell connection control circuit,
When programming is completed, connect the programmable cells
Output to the adjacent cell connection control circuit.
And a memory control circuit .
【請求項2】 複数の入力線と1個の出力線を有するル
ックアップテーブルを複数内蔵するプログラマブルセル
を複数配列して構成するプログラマブルセルアレイ回路
において、 前記プログラマブルセル間に設けられ、このプログラマ
ブルセルの出力線と、隣接する前記プログラマブルセル
の複数の入力線との接続および切り離しを行う隣接セル
接続制御回路と、 電源投入時は前記プログラマブルセル間の接続を切り離
す指示信号を前記隣接セル接続制御回路に出力するメモ
リ制御回路と、 を有することを特徴とするプログラマブルセルアレイ回
路。
2. A rule having a plurality of input lines and one output line.
Programmable cell with multiple built-in backup tables
Programmable cell array circuit configured by arranging a plurality of cells
In this programmer, which is provided between the programmable cells,
The output line of the bull cell and the adjacent programmable cell
Adjacent cells that connect to and disconnect from multiple input lines in
Disconnect the connection between the connection control circuit and the programmable cell when the power is turned on.
To output an instruction signal to the adjacent cell connection control circuit
And a re-control circuit .
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