JP3519689B2 - Vacuum processing equipment - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、プラズマ
ＣＶＤ装置、スパッタリング装置、ドライエッチング装
置などの真空処理装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vacuum processing apparatus such as a plasma CVD apparatus, a sputtering apparatus and a dry etching apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来より、母材に製膜を施す装置として
は、プラズマＣＶＤ装置、スパッタリング装置、ドライ
エッチング装置などの真空処理装置が知られている。こ
こで、この真空処理装置の構造を、図９に示すプラズマ
ＣＶＤ装置を例にとって説明する。2. Description of the Related Art Conventionally, as a device for forming a film on a base material, a vacuum processing device such as a plasma CVD device, a sputtering device or a dry etching device has been known. Here, the structure of this vacuum processing apparatus will be described by taking the plasma CVD apparatus shown in FIG. 9 as an example.
【０００３】図において、符号１は、製膜ユニットであ
り、１バッチあたり２枚の基板Ｋを処理出来るように、
この製膜ユニット１の両側部には、加熱ヒータ２が設け
られている。そして、これら製膜ユニット１及び加熱ヒ
ータ２が、真空チャンバ３内に収納されており、製膜ユ
ニット１は、真空チャンバ３の上部から吊り下げられて
支持されている。この加熱ヒータ２と製膜ユニット１と
の間には、移動機構１０によって製膜ユニット１に対し
て近接離間方向に移動されるヒータカバー４が設けられ
ており、製膜する母材である基板Ｋが図示されない基板
搬入搬出機構により搬入されて、このヒータカバー４に
支持され、図示されない支持ボルトを回転する機構によ
り製膜位置まで移動して製膜処理するようになってい
る。製膜処理終了後は逆の動作でヒータカバー４が製膜
ユニットから離れて、図示されていない基板搬出機構に
より、基板が搬出される。In the figure, reference numeral 1 is a film forming unit, so that two substrates K can be processed in one batch.
Heaters 2 are provided on both sides of the film forming unit 1. The film forming unit 1 and the heater 2 are housed in the vacuum chamber 3, and the film forming unit 1 is suspended from the upper portion of the vacuum chamber 3 and supported. Between the heater 2 and the film forming unit 1, there is provided a heater cover 4 which is moved by the moving mechanism 10 in the direction of approaching and separating from the film forming unit 1, and a substrate which is a base material for film formation. K is carried in by a substrate carrying-in / carrying-out mechanism (not shown), supported by the heater cover 4, and moved to a film-forming position by a mechanism for rotating a support bolt (not shown) for film-forming processing. After the film forming process is completed, the heater cover 4 is separated from the film forming unit by the reverse operation, and the substrate is carried out by the substrate carrying-out mechanism (not shown).
【０００４】製膜ユニット１には、中央に設けられた温
度制御ヒータ１１の両側部に防着板１２を介してラダー
電極１３が配設されており、外周がラダー電極１３を臨
む部分が開口された排気カバー１４によって囲われた構
造とされている。In the film forming unit 1, a ladder electrode 13 is provided on both sides of a temperature control heater 11 provided at the center through a deposition preventive plate 12, and an outer periphery of the ladder electrode 13 is open. The structure is surrounded by the exhaust cover 14.
【０００５】そして、この装置では、真空チャンバ３内
の製膜室１５内を減圧させた状態にてＳｉＨ4（シラン
ガス）などからなる原料ガスを含む製膜ガスを送り込
み、接地電極として設けられたヒータカバー４に基板Ｋ
を支持させて加熱ヒータ２によって基板Ｋを加熱しなが
ら、非接地電極として設けられたラダー電極１３に高周
波電力を供給することにより、製膜室１５内にてプラズ
マが発生し、シランガスなどからなる原料ガスを分解し
て、加熱ヒータ２によって加熱された基板Ｋ表面にシリ
コン系製膜が施されるようになっている。なお、上記構
造の真空処理装置において、プラズマ電極であるラダー
電極１３の対向電極とされるヒータカバー４は、図１０
に示すように、真空チャンバ３を構成する側面板３ａ
に、その四隅を支持する支持ボルト１６を介して導通さ
れてアースされる構造となっている。In this apparatus, a film forming gas containing a raw material gas such as SiH 4 (silane gas) is fed in a state where the film forming chamber 15 in the vacuum chamber 3 is depressurized, and is provided as a ground electrode. Substrate K on heater cover 4
While the substrate K is supported by the heater 2 and the substrate K is heated, high-frequency power is supplied to the ladder electrode 13 provided as a non-ground electrode, whereby plasma is generated in the film forming chamber 15 and is made of silane gas or the like. The raw material gas is decomposed and a silicon-based film is formed on the surface of the substrate K heated by the heater 2. In the vacuum processing apparatus having the above structure, the heater cover 4 serving as the counter electrode of the ladder electrode 13 which is the plasma electrode is shown in FIG.
As shown in FIG.
In addition, the structure is such that it is electrically connected and grounded through the support bolts 16 that support the four corners.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年では、
製膜する製品の大型化の要求にともない、１ｍ角を超え
る大型基板を処理可能な大型の真空処理装置が開発され
つつある。しかしながら、上記構造の真空処理装置にあ
っては、装置の大型化にともないヒータカバー４が大型
化すると、支持ボルト１６だけでは、ヒータカバー４の
十分なアース電位が確保しずらくなってしまう。特に、
ヒータカバー４の中央付近では対向電極としての電流通
過距離が長くなるために電気抵抗が増加した分に影響さ
れて、顕著に電位が不安定となり易い。更にプラズマ電
極であるラダー電極１３へ供給する高周波周波数は製膜
速度向上と膜質向上のため従来の１３．５６ＭＨｚから
４０ＭＨｚ，６０ＭＨｚ，１００ＭＨｚなどと高高周波
数を用いることが多くなってきており、周波数の増加に
伴い高周波電流の表皮効果のために対向電極であるヒー
タカバー４上の電気抵抗が増加し、電位が不安定になっ
てしまい、基板Ｋへの製膜速度にばらつきが生じ、製膜
の均一性が確保されなくなってしまい、製品の品質の低
下を招いてしまうという問題があった。By the way, in recent years,
Along with the demand for a larger film-forming product, a large vacuum processing apparatus capable of processing a large substrate exceeding 1 m square is being developed. However, in the vacuum processing apparatus having the above-described structure, if the heater cover 4 becomes larger as the apparatus becomes larger, it becomes difficult to secure a sufficient ground potential of the heater cover 4 only with the support bolt 16. In particular,
In the vicinity of the center of the heater cover 4, the current passing distance as the counter electrode becomes long, so that it is affected by the increase in the electric resistance, and the potential is apt to be significantly unstable. Further, the high-frequency frequency to be supplied to the ladder electrode 13 which is a plasma electrode has been increased from the conventional 13.56 MHz to 40 MHz, 60 MHz, 100 MHz, etc. in order to improve the film-forming speed and the film quality. The electric resistance on the heater cover 4, which is the counter electrode, increases due to the skin effect of the high-frequency current, and the potential becomes unstable, and the film formation speed on the substrate K varies, resulting in film formation. However, there is a problem in that the uniformity of the product cannot be ensured and the quality of the product deteriorates.
【０００７】この発明は、上記事情に鑑みてなされたも
ので、大型の基板にも均一に製膜を行い高品質な製品を
製造することが可能な真空処理装置を提供することを目
的としている。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a vacuum processing apparatus capable of uniformly forming a film on a large-sized substrate and manufacturing a high quality product. .
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の真空処理装置は、製膜室を形成する
チャンバ内に設けられ、該チャンバに導通されてアース
された接地電極と、該接地電極の対向位置に設けらた非
接地電極とを有し、前記接地電極の表面に基板を支持し
た状態にて前記非接地電極に高周波電流を給電して前記
接地電極との間に放電を生じさせることにより、前記基
板に製膜を施す真空処理装置であって、前記接地電極の
周囲と前記チャンバとの間には、前記接地電極を前記チ
ャンバに導通させる導電性を有する金属箔からなる導電
フィルムが連結されていることを特徴としている。ま
た、請求項２記載の発明は、請求項１記載の真空処理装
置において、前記接地電極は、前記チャンバと導通可能
な支持ボルトによって該チャンバに支持されていること
を特徴としている。 In order to achieve the above object, a vacuum processing apparatus according to claim 1 is provided in a chamber forming a film forming chamber, and is connected to the chamber and grounded to a ground electrode. And a non-ground electrode provided at a position opposite to the ground electrode, and a high-frequency current is supplied to the non-ground electrode in a state where a substrate is supported on the surface of the ground electrode to provide a space between the ground electrode and the ground electrode. A vacuum processing apparatus for forming a film on the substrate by causing an electric discharge in the substrate, wherein a conductive metal for electrically connecting the ground electrode to the chamber is provided between the periphery of the ground electrode and the chamber. It is characterized in that conductive films made of foil are connected. Well
The invention according to claim 2 is the vacuum processing apparatus according to claim 1.
Position, the ground electrode can be electrically connected to the chamber
Supported in the chamber by various support bolts
Is characterized by.
【０００９】このように、非接地電極への高周波電流の
給電により放電を生じさせて、表面に支持した基板へ製
膜を施す板状の接地電極の周囲に、チャンバと連結して
アースを確保する導電性を有する金属箔からなる導電フ
ィルムが設けられているので、基板への製膜時に、高周
波電流が表皮効果によって導電フィルムの表面を通過す
ることにより、接地電極全体が十分かつ安定したアース
電位とされ、これにより、接地電極に支持した基板への
製膜速度を全体的に安定させることができ、製膜の均一
性を確保することができ、製品の品質を向上させること
ができる。したがって、大型の製品の要求に伴い装置を
大型化しても、均一な厚さの製膜が施された高品質な製
品を製造することができる。As described above, the high-frequency current is supplied to the non-grounded electrode to generate a discharge, and the grounded electrode is secured around the plate-shaped grounded electrode for forming a film on the substrate supported on the surface by connecting with the chamber. Since a conductive film made of a conductive metal foil is provided, a high-frequency current passes through the surface of the conductive film due to the skin effect during film formation on the substrate, so that the entire ground electrode is sufficiently and stably grounded. The potential is set so that the film formation speed on the substrate supported by the ground electrode can be stabilized as a whole, the film formation uniformity can be ensured, and the product quality can be improved. Therefore, even if the size of the apparatus is increased in accordance with the demand for a large product, it is possible to manufacture a high-quality product in which a film having a uniform thickness is formed.
【００１０】請求項３記載の真空処理装置は、請求項１
または請求項２記載の真空処理装置において、前記接地
電極が、矩形基板形状に対応し易くするために基板より
更に一回り大きいサイズの平面視矩形状に形成され、こ
の接地電極の各辺には、各辺の全長と略同一幅寸法の前
記導電フィルムが連結されていることを特徴としてい
る。According to a third aspect of the present invention, there is provided the vacuum processing apparatus according to the first aspect.
Alternatively, in the vacuum processing apparatus according to claim 2 , the ground electrode is formed in a rectangular shape in plan view having a size slightly larger than the substrate in order to easily accommodate a rectangular substrate shape, and each side of the ground electrode is formed. The conductive film having substantially the same width as the entire length of each side is connected.
【００１１】つまり、矩形状に形成された接地電極の各
辺に、各辺と略同一幅寸法の導電フィルムが連結されて
チャンバと導通されてアースが確保されているので、矩
形状の接地電極の全体を十分かつ安定したアース電位と
することができる。That is, since a conductive film having substantially the same width dimension as each side is connected to each side of the ground electrode formed in a rectangular shape so as to be electrically connected to the chamber and ground is secured, the rectangular ground electrode is formed. Can be set to a sufficient and stable ground potential.
【００１２】請求項４記載の真空処理装置は、請求項１
〜３のいずれか１項記載の真空処理装置において、基板
を搬入の後に前記接地電極を製膜位置に移動して製膜処
理するとともに、製膜後は基板を搬出するために、前記
接地電極を前記非接地電極に対して支持ボルトを真空処
理装置の外側より回転することにより近接離間方向へ移
動させる移動機構が設けられ、前記導電フィルムには、
前記接地電極の移動にともなって伸縮する蛇腹部が形成
されていることを特徴としている。A vacuum processing apparatus according to a fourth aspect is the first aspect.
The vacuum processing apparatus according to any one of claims 1 to 3 , wherein the ground electrode is moved to a film forming position for film formation after the substrate is loaded, and the substrate is unloaded after film formation. Is provided with a moving mechanism for moving the supporting bolt with respect to the non-grounded electrode in the approaching and separating directions by rotating the supporting bolt from the outside of the vacuum processing device, and the conductive film,
It is characterized in that a bellows portion is formed which expands and contracts as the ground electrode moves.
【００１３】すなわち、導電フィルムが蛇腹部にて伸縮
するので、接地電極を非接地電極に対して近接離間方向
へ移動させても、その移動に追従して導電フィルムが伸
縮し、これにより、この導電フィルムの破損、損傷を防
止することができる。That is, since the conductive film expands and contracts at the bellows portion, the conductive film expands and contracts following the movement of the ground electrode even if the ground electrode is moved toward and away from the non-grounded electrode. It is possible to prevent breakage and damage of the conductive film.
【００１４】請求項５記載の真空処理装置は、請求項１
〜４のいずれか１項記載の真空処理装置において、前記
接地電極の周縁に、前記導電フィルムを前記接地電極の
周方向に沿って挟持する押さえ具が設けられ、前記接地
電極及び前記押さえ具の前記導電フィルムを挟持する挟
持面には、少なくとも１歯、好ましくは３歯あり互いに
噛み合うノコ歯が形成されていることを特徴としてい
る。A vacuum processing apparatus according to a fifth aspect is the vacuum processing apparatus according to the first aspect.
The vacuum processing apparatus according to any one of claims 1 to 4 , wherein a presser for sandwiching the conductive film along the circumferential direction of the ground electrode is provided on the periphery of the ground electrode, and the presser for the ground electrode and the presser is provided. It is characterized in that at least one tooth, preferably three teeth are provided on the sandwiching surface for sandwiching the conductive film, and the saw teeth are meshed with each other.
【００１５】つまり、接地電極及び押さえ具の導電フィ
ルムを挟持する挟持面に、互いに噛み合うノコ歯が形成
されているので、導電フィルムを確実に接地電極へ連結
させることができるとともに、導電フィルムを接地電極
へ線あるいは面接触によって確実に導通させることがで
きる。That is, since the interlocking saw teeth are formed on the sandwiching surface for sandwiching the ground electrode and the conductive film of the pressing member, the conductive film can be reliably connected to the ground electrode and the conductive film is grounded. It is possible to surely conduct electricity to the electrode by wire or surface contact.
【００１６】請求項６記載の真空処理装置は、請求項１
〜５のいずれか１項記載の真空処理装置において、前記
チャンバに、前記導電フィルムを連結させる連結具が設
けられ、該連結具には、前記導電フィルムを、前記チャ
ンバの内面に押し付けて挟持する突条部が形成されてい
ることを特徴としている。A vacuum processing apparatus according to claim 6 is the vacuum processing apparatus according to claim 1.
The vacuum processing apparatus according to any one of claims 1 to 5 , wherein the chamber is provided with a connecting tool for connecting the conductive film, and the connecting tool holds the conductive film against the inner surface of the chamber. It is characterized in that a ridge is formed.
【００１７】このように、連結具に設けられた突条部に
よって導電フィルムをチャンバに押し付けて挟持するの
で、導電フィルムを確実にチャンバへ連結させることが
できるとともに、導電フィルムをチャンバへ線接触によ
って確実に導通させることができる。As described above, since the conductive film is pressed against the chamber and sandwiched by the ridges provided on the connector, the conductive film can be surely connected to the chamber and the conductive film is brought into line contact with the chamber. It can be surely conducted.
【００１８】[0018]
【００１９】[0019]
【００２０】[0020]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態例の真空
処理装置を図面を参照して説明する。図１及び図２に示
すように、真空処理装置を構成するヒータカバー４は、
真空チャンバ３を構成する側面板３ａに、支持ボルト１
６によって四隅が支持されており、これらヒータカバー
４と側面板３ａとの間には、これらヒータカバー４と側
面板３ａとの隙間を囲うように、複数の導電フィルム２
１が設けられている。これら導電フィルム２１は、ヒー
タカバー４及び側面板３ａの四辺同士に、僅かにたるみ
を持たせた状態にて連結されている。これら導電フィル
ム２１は、耐食性に優れた非磁性材料であるＳＵＳ３０
４から形成されたもので、その厚さは、高周波電流の表
皮効果を考え電気抵抗増大が影響しない程度とする必要
があり、好ましくは０.１ｍｍ以上とされており、その
幅寸法は、ヒータカバー４の各辺の長さ寸法と略同一と
されている。なお、真空チャンバ３を構成する側面板３
ａを支持する支持ボルト１６は、図３に示すように、側
面板３ａに形成された挿通孔１７へ挿通されて側面板３
ａの外面に設けられたナット１８に螺合されており、こ
の支持ボルト１６が挿通される側面板３ａの挿通孔１７
には、真空チャンバ３内を真空引きした際に、支持ボル
ト１６との隙間にてリークすることのないように、Ｏリ
ングなどのシール機構１９が設けられている。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION A vacuum processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. As shown in FIGS. 1 and 2, the heater cover 4 which constitutes the vacuum processing apparatus,
The support bolt 1 is attached to the side plate 3 a that constitutes the vacuum chamber 3.
Four corners are supported by 6, and a plurality of conductive films 2 are provided between the heater cover 4 and the side plate 3a so as to surround the gap between the heater cover 4 and the side plate 3a.
1 is provided. These conductive films 21 are connected to the heater cover 4 and the side surface plate 3a at four sides with a slight slack. These conductive films 21 are made of SUS30 which is a non-magnetic material having excellent corrosion resistance.
The thickness of the heater is preferably 0.1 mm or more, and the width of the heater should be 0.1 mm or more in consideration of the skin effect of high frequency current. The length of each side of the cover 4 is substantially the same. The side plate 3 that constitutes the vacuum chamber 3
As shown in FIG. 3, the support bolt 16 for supporting the a is inserted into the insertion hole 17 formed in the side plate 3a to be attached to the side plate 3a.
a is inserted into a nut 18 provided on the outer surface of the side plate a, and the support bolt 16 is inserted into the side plate 3a.
A seal mechanism 19 such as an O-ring is provided so that when the vacuum chamber 3 is evacuated, it does not leak in a gap with the support bolt 16.
【００２１】次に、この導電フィルム２１のヒータカバ
ー４及び側面板３ａへの連結構造について説明する。ま
ず、ヒータカバー４への導電フィルム２１の連結構造に
ついて説明する。図４に示すように、ヒータカバー４に
は、その表面側における周縁に段部２２が形成されてお
り、この段部２２には、導電フィルム２１を介して押さ
え具２３が嵌め込まれて固定されるようになっている。Next, the structure for connecting the conductive film 21 to the heater cover 4 and the side plate 3a will be described. First, the structure for connecting the conductive film 21 to the heater cover 4 will be described. As shown in FIG. 4, the heater cover 4 is formed with a step portion 22 at the peripheral edge on the front surface side thereof, and a pressing member 23 is fitted and fixed to the step portion 22 via a conductive film 21. It has become so.
【００２２】ヒータカバー４の段部２２及び押さえ具２
３には、段部２２に押さえ具２３を配設させることによ
り、互いに噛み合うノコ歯２２ａ、２３ａが形成されて
いる。また、この押さえ具２３には、ビス２４が挿通可
能な孔部が形成されており、段部２２に導電フィルム２
１を介して押さえ具２３を配設させた状態にて、孔部に
ビス２４を挿通させ、ヒータカバー４側に形成されたね
じ孔へねじ込むことにより、押さえ具２３が段部２２に
嵌め込まれた状態に固定され、これにより、導電フィル
ム２１が、互いに噛み合わされたノコ歯２２ａ、２３ａ
に挟持されて、ヒータカバー４と確実に導電された状態
に連結されるようになっている。Step 22 of heater cover 4 and presser 2
By disposing the pressing tool 23 on the step portion 22, the saw teeth 22a, 23a that mesh with each other are formed on the step 3. In addition, a hole through which the screw 24 can be inserted is formed in the retainer 23, and the conductive film 2 is formed on the step 22.
In the state where the pressing tool 23 is disposed via the screw 1, the screw 24 is inserted into the hole and screwed into the screw hole formed on the heater cover 4 side, so that the pressing tool 23 is fitted into the step portion 22. And the conductive film 21 is fixed in the closed state, so that the saw teeth 22a, 23a are meshed with each other.
It is sandwiched between the heater cover 4 and the heater cover 4 so as to be surely electrically connected to the heater cover 4.
【００２３】次に、真空チャンバ３を構成する側面板３
ａへの導電フィルム２１の連結構造について説明する。
図５に示すように、真空チャンバ３を構成する側面板３
ａには、その内面側における周縁近傍に、複数の連結具
２５がビス２６によって固定されるようになっている。
これら連結具２５は、側面板３ａとの対向側に突出する
突条部２７が形成されている。Next, the side plate 3 which constitutes the vacuum chamber 3
The connection structure of the conductive film 21 to a will be described.
As shown in FIG. 5, the side plate 3 that constitutes the vacuum chamber 3
A plurality of connecting members 25 are fixed to a by screws 26 near the peripheral edge on the inner surface side thereof.
The connecting tool 25 is formed with a ridge 27 protruding toward the side facing the side plate 3a.
【００２４】つまり、この連結具２５の突条部２７と側
面板３ａとの間に、導電フィルム２１を配設した状態に
て、連結具２５をビス２６によって側面板３ａに締結固
定することにより、導電フィルム２１が、側面板３ａと
連結具２５の突条部２７とによって挟持されて側面板３
ａと確実に導電された状態に連結されるようになってい
る。That is, by fixing the connector 25 to the side plate 3a with the screw 26 with the conductive film 21 disposed between the ridge 27 of the connector 25 and the side plate 3a. , The conductive film 21 is sandwiched between the side surface plate 3a and the protruding portion 27 of the connector 25, and
It is configured so that it is surely electrically connected to a.
【００２５】そして、上記のように、周囲が真空チャン
バ３の側面板３ａと導電フィルム２１によって連結され
たヒータカバー４を有する真空処理装置によれば、ラダ
ー電極１３への高周波電流の給電により放電を生じさせ
て、表面に支持した基板Ｋへ製膜を施すヒータカバー４
の周囲に、真空チャンバ３を構成する側面板３ａと連結
してアースを確保する導電性を有する金属箔からなる導
電フィルム２１が設けられているので、基板Ｋへの製膜
時に、高周波電流が表皮効果によって導電フィルム２１
の表面を通過することにより、ヒータカバー４全体が十
分かつ安定したアース電位とされ、これにより、ヒータ
カバー４に支持した基板Ｋへの製膜速度を全体的に安定
させることができ、製膜の均一性を確保することがで
き、製品の品質を向上させることができる。As described above, according to the vacuum processing apparatus having the heater cover 4 whose periphery is connected to the side plate 3a of the vacuum chamber 3 by the conductive film 21, the ladder electrode 13 is discharged by supplying a high-frequency current. And a heater cover 4 for forming a film on the substrate K supported on the surface.
Since a conductive film 21 made of a metal foil having conductivity that is connected to the side plate 3a that constitutes the vacuum chamber 3 and secures the ground is provided around the substrate, a high-frequency current is generated when the film is formed on the substrate K. Conductive film 21 due to the skin effect
By passing the surface of the heater cover 4, the entire heater cover 4 is brought to a sufficient and stable ground potential, whereby the film formation speed on the substrate K supported by the heater cover 4 can be stabilized overall, and the film formation It is possible to ensure the uniformity and improve the product quality.
【００２６】したがって、大型の製品の要求に伴い装置
を大型化しても、均一な厚さの製膜が施された高品質な
製品を製造することができる。つまり、矩形状に形成さ
れたヒータカバー４の各辺に、各辺と略同一幅寸法の導
電フィルム２１が連結されて側面板３ａと導通されてア
ースが確保されているので、矩形状のヒータカバー４の
全体を十分かつ安定したアース電位とすることができ
る。Therefore, even if the size of the apparatus is increased in accordance with the demand for a large product, it is possible to manufacture a high quality product in which a film having a uniform thickness is formed. That is, since the conductive film 21 having substantially the same width dimension as each side is connected to each side of the heater cover 4 formed in a rectangular shape and is electrically connected to the side surface plate 3a to secure the ground, the rectangular heater is formed. The entire cover 4 can have a sufficient and stable ground potential.
【００２７】しかも、ヒータカバー４及び押さえ具２３
の導電フィルム２１を挟持する挟持面に、互いに噛み合
うノコ歯２２ａ、２３ａが形成されているので、導電フ
ィルム２１を確実にヒータカバー４へ連結させることが
できるとともに、導電フィルム２１をヒータカバー４へ
線あるいは面接触によって確実に導通させることができ
る。また、連結具２５に設けられた突条部２７によって
導電フィルム２１を真空チャンバ３の側面板３ａに押し
付けて挟持した構造であるので、導電フィルム２１を確
実に真空チャンバ３の側面板３ａへ連結させることがで
きるとともに、導電フィルム２１を側面板３ａへ線接触
によって確実に導通させることができる。Moreover, the heater cover 4 and the pressing member 23
Since the saw teeth 22a and 23a that mesh with each other are formed on the sandwiching surface that sandwiches the conductive film 21, the conductive film 21 can be reliably connected to the heater cover 4, and the conductive film 21 can be attached to the heater cover 4. It can be surely conducted by a line or surface contact. In addition, since the conductive film 21 is pressed against the side plate 3a of the vacuum chamber 3 by the protrusions 27 provided on the connector 25 to be sandwiched, the conductive film 21 is reliably connected to the side plate 3a of the vacuum chamber 3. In addition to the above, the conductive film 21 can be surely conducted to the side surface plate 3a by line contact.
【００２８】（実験例）図６に示すものは、約１ｍ×約
１．５ｍサイズのＳＵＳ３０４製のヒータカバー４の一
部にアースを接続した場合、ヒータカバー４のアースを
支持ボルト１６だけで確保した場合、及び上記実施形態
例のように、支持ボルト１６とともに周囲の導電フィル
ム２１によってアースを確保した場合において、ラダー
電極に６０ＭＨｚの高周波を印加して、それぞれの電圧
分布の比較実験を行った結果を示すものである。(Experimental example) In the example shown in FIG. 6, when the earth is connected to a part of the heater cover 4 made of SUS304 having a size of about 1 m × about 1.5 m, the heater cover 4 is grounded only by the support bolt 16. When secured, and when the ground is secured by the surrounding conductive film 21 together with the support bolt 16 as in the above embodiment, a high frequency of 60 MHz is applied to the ladder electrode, and a comparison experiment of respective voltage distributions is performed. It shows the result.
【００２９】このように、周囲が導電フィルム２１によ
って真空チャンバ３の側面板３ａに連結してアースを確
保した場合は、一部にアースを接続した場合に比べて大
幅に電圧分布が小さくされた支持ボルト１６だけでアー
スを確保した場合よりさらに電圧分布が半分以上小さく
されることが確認された。As described above, when the periphery is connected to the side plate 3a of the vacuum chamber 3 by the conductive film 21 to secure the ground, the voltage distribution is greatly reduced as compared with the case where the ground is partially connected. It was confirmed that the voltage distribution was further reduced by more than half compared to the case where the grounding was secured only by the support bolts 16.
【００３０】図７及び図８に示すものは、四辺に連結さ
せた導電フィルム２１に、蛇腹状に形成された蛇腹部２
１ａを設けたものである。そして、このように、導電フ
ィルム２１に蛇腹部２１ａを設けることにより、導電フ
ィルム２１に十分な余裕を持たせることができる。つま
り、基板Ｋを支持させたヒータカバー４を製膜ユニット
１に対して近接離間させる移動機構１０を有する構造の
真空処理装置において、ヒータカバー４の移動に対して
導電フィルム２１を確実に追従させることができる。7 and 8, the bellows portion 2 formed in a bellows shape is formed on the conductive film 21 connected to the four sides.
1a is provided. By providing the conductive film 21 with the bellows portion 21a in this manner, the conductive film 21 can have a sufficient margin. That is, in the vacuum processing apparatus having the moving mechanism 10 for moving the heater cover 4 supporting the substrate K close to and away from the film forming unit 1, the conductive film 21 is surely made to follow the movement of the heater cover 4. be able to.
【００３１】つまり、導電フィルム２１が蛇腹部２１ａ
にて伸縮するので、ヒータカバー４を移動させても、そ
の移動に追従して導電フィルム２１が伸縮し、これによ
り、この導電フィルム２１の破損、損傷を防止すること
ができる。なお、この導電フィルム２１の蛇腹部２１ａ
を、ヒータカバー４側に寄せて数段形成し、真空チャン
バ３の側面板３ａ側は、単にたるみを持たせて連結する
ことにより、ヒータカバー４の移動時に、導電フィルム
２１に負担や大きな変形をさせるような不具合をさらに
低減させて、ヒータカバー４の円滑な移動が可能であ
る。That is, the conductive film 21 has the bellows portion 21a.
Since the conductive film 21 expands and contracts even when the heater cover 4 is moved, the conductive film 21 expands and contracts in accordance with the movement of the heater cover 4, thereby preventing the conductive film 21 from being damaged or damaged. The bellows portion 21a of the conductive film 21
Are formed in several steps close to the heater cover 4 side, and the side surface plate 3a side of the vacuum chamber 3 is simply slackened and connected to the conductive film 21 when the heater cover 4 is moved. The heater cover 4 can be smoothly moved by further reducing the problems such as the above.
【００３２】また、上記の例では、導電フィルム２１を
押さえ具２３及び連結具２５によってそれぞれヒータカ
バー４及び側面板３ａに連結させたが、この導電フィル
ム２１の取外し取付けのメンテナンス頻度が少ない装置
に於いては、導電フィルム２１をヒータカバー４及び側
面板３ａの両方あるいはいずれか一方へスポット溶接の
ピッチを密にして極力接触面積を多くしたスポット溶接
等によって直接連結しても良い。Further, in the above example, the conductive film 21 is connected to the heater cover 4 and the side plate 3a by the pressing tool 23 and the connecting tool 25, respectively. In this case, the conductive film 21 may be directly connected to the heater cover 4 and / or the side plate 3a by spot welding or the like in which the pitch of spot welding is made dense and the contact area is increased as much as possible.
【００３３】そして、このようにスポット溶接によって
導電フィルム２１を連結した構造によれば、導電フィル
ム２１をヒータカバー４及び真空チャンバ３の側面板３
ａへ確実に導通させることができるとともに、導電フィ
ルム２１を設けるための余計な部品を不要とすることが
でき、装置のコストを低減させることができる。According to the structure in which the conductive films 21 are connected by spot welding as described above, the conductive films 21 are connected to the heater cover 4 and the side plate 3 of the vacuum chamber 3.
It is possible to surely conduct electricity to a, and it is possible to eliminate unnecessary parts for providing the conductive film 21 and reduce the cost of the device.
【００３４】また、導電フィルム２１としては、耐食性
を有する導電性に優れ、真空内で使用可能なフィルムで
あれば、ＳＵＳ３０４に限らず、例えば、アルミニウム
箔などでも良いことは勿論である。The conductive film 21 is not limited to SUS304 as long as it is a film having excellent corrosion resistance and conductivity and capable of being used in a vacuum. For example, aluminum foil may be used.
【００３５】[0035]
【発明の効果】以上、説明したように、本発明の真空処
理装置によれば、下記の効果を得ることができる。請求
項１または請求項２記載の真空処理装置によれば、非接
地電極への高周波電流の給電により放電を生じさせて、
表面に支持した基板へ製膜を施す板状の接地電極の周囲
に、チャンバと連結してアースを確保する導電性を有す
る金属箔からなる導電フィルムが設けられているので、
基板への製膜時に、高周波電流が表皮効果によって導電
フィルムの表面を通過することにより、接地電極全体が
十分かつ安定したアース電位とされ、これにより、接地
電極に支持した基板への製膜速度を全体的に安定させる
ことができ、製膜の均一性を確保することができ、製品
の品質を向上させることができる。したがって、大型の
製品の要求に伴い装置を大型化しても、均一な厚さの製
膜が施された高品質な製品を製造することができる。As described above, according to the vacuum processing apparatus of the present invention, the following effects can be obtained. According to the vacuum processing apparatus of claim 1 or 2, discharge is generated by supplying a high-frequency current to the non-grounded electrode,
Around the plate-shaped ground electrode for forming a film on the substrate supported on the surface, a conductive film made of a conductive metal foil that is connected to the chamber and secures the ground is provided.
When a film is formed on the substrate, a high-frequency current passes through the surface of the conductive film due to the skin effect, so that the entire ground electrode has a sufficient and stable ground potential, which allows the film formation speed on the substrate supported by the ground electrode. Can be stabilized as a whole, the uniformity of film formation can be ensured, and the product quality can be improved. Therefore, even if the size of the apparatus is increased in accordance with the demand for a large product, it is possible to manufacture a high-quality product in which a film having a uniform thickness is formed.
【００３６】請求項３記載の真空処理装置によれば、矩
形状に形成された接地電極の各辺に、各辺と略同一幅寸
法の導電フィルムが連結されてチャンバと導通されてア
ースが確保されているので、矩形状の接地電極の全体を
十分かつ安定したアース電位とすることができる。According to the third aspect of the vacuum processing apparatus, each side of the rectangular-shaped ground electrode is connected to a conductive film having substantially the same width dimension as each side so as to be electrically connected to the chamber and ground is secured. Therefore, the entire rectangular ground electrode can be set to a sufficient and stable ground potential.
【００３７】請求項４記載の真空処理装置によれば、導
電フィルムが蛇腹部にて伸縮するので、接地電極を非接
地電極に対して近接離間方向へ移動させても、その移動
に追従して導電フィルムが伸縮し、これにより、この導
電フィルムの破損、損傷を防止することができる。According to the vacuum processing apparatus of the fourth aspect , since the conductive film expands and contracts at the bellows portion, even if the ground electrode is moved in the direction of approaching and separating from the non-ground electrode, the movement is followed. The conductive film expands and contracts, which can prevent breakage and damage of the conductive film.
【００３８】請求項５記載の真空処理装置によれば、接
地電極及び押さえ具の導電フィルムを挟持する挟持面
に、互いに噛み合うノコ歯が形成されているので、導電
フィルムを確実に接地電極へ連結させることができると
ともに、導電フィルムを接地電極へ線あるいは面接触に
よって確実に導通させることができる。According to the vacuum processing apparatus of the fifth aspect, since the interlocking saw teeth are formed on the sandwiching surface for sandwiching the ground electrode and the conductive film of the retainer, the conductive film is reliably connected to the ground electrode. In addition, the conductive film can be surely conducted to the ground electrode by a wire or surface contact.
【００３９】請求項６記載の真空処理装置によれば、連
結具に設けられた突条部によって導電フィルムをチャン
バに押し付けて挟持するので、導電フィルムを確実にチ
ャンバへ連結させることができるとともに、導電フィル
ムをチャンバへ線接触によって確実に導通させることが
できる。According to the vacuum processing apparatus of the sixth aspect, since the conductive film is pressed against the chamber and clamped by the protrusion provided on the connector, the conductive film can be reliably connected to the chamber. The conductive film can be surely conducted to the chamber by line contact.
【００４０】[0040]
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図１】 本発明の実施形態例の真空処理装置を説明す
る真空処理装置内のヒータカバー及びヒータカバーが支
持された真空チャンバの側面板の斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of a heater cover in a vacuum processing apparatus and a side plate of a vacuum chamber in which the heater cover is supported, illustrating a vacuum processing apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention.
【図２】 本発明の実施形態例の真空処理装置を説明す
る真空処理装置内のヒータカバー及びヒータカバーが支
持された真空チャンバの側面板の断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of a heater cover in a vacuum processing apparatus and a side plate of a vacuum chamber in which the heater cover is supported, which illustrates a vacuum processing apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention.
【図３】 真空チャンバを構成する側面板と支持ボルト
との連結部分の構造を説明する断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a structure of a connecting portion between a side plate and a support bolt that form a vacuum chamber.
【図４】 ヒータカバーと導電フィルムとの連結構造を
説明する連結部分の斜視図である。FIG. 4 is a perspective view of a connecting portion for explaining a connecting structure between a heater cover and a conductive film.
【図５】 真空チャンバを構成する側面板と導電フィル
ムとの連結構造を説明する連結部分の斜視図である。FIG. 5 is a perspective view of a connecting portion for explaining a connecting structure of a side plate and a conductive film that form a vacuum chamber.
【図６】 アースの取り方の異なるヒータカバーにおけ
る電圧の分布の比較を行った実験結果を示すグラフ図で
ある。FIG. 6 is a graph showing an experimental result of comparing voltage distributions in heater covers having different grounding methods.
【図７】 本発明の他の実施形態例の真空処理装置を説
明する真空処理装置内のヒータカバー及びヒータカバー
が支持された真空チャンバの側面板の斜視図である。FIG. 7 is a perspective view of a heater cover in a vacuum processing apparatus and a side plate of a vacuum chamber in which the heater cover is supported, for explaining a vacuum processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
【図８】 本発明の他の実施形態例の真空処理装置を説
明する真空処理装置内のヒータカバー及びヒータカバー
が支持された真空チャンバの側面板の断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view of a heater cover in a vacuum processing apparatus and a side plate of a vacuum chamber in which the heater cover is supported, for explaining a vacuum processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
【図９】 プラズマＣＶＤ装置からなる真空処理装置の
構成及び構造を説明するプラズマＣＶＤ装置の概略断面
図である。FIG. 9 is a schematic cross-sectional view of a plasma CVD apparatus for explaining the configuration and structure of a vacuum processing apparatus including the plasma CVD apparatus.
【図１０】 従来構造の真空処理装置内のヒータカバー
及びヒータカバーが支持された真空チャンバの側面板の
斜視図である。FIG. 10 is a perspective view of a heater cover and a side plate of a vacuum chamber in which the heater cover is supported in a vacuum processing apparatus having a conventional structure.
３ 真空チャンバ（チャンバ） ４ ヒータカバー（接地電極） １０ 移動機構 １３ ラダー電極（非接地電極） １５ 製膜室 ２１ 導電フィルム ２１ａ 蛇腹部 ２２ａ、２３ａ ノコ歯 ２３ 押さえ具 ２５ 連結具 ２７ 突条部 Ｋ 基板 3 Vacuum chamber (chamber) 4 Heater cover (ground electrode) 10 Moving mechanism 13 Ladder electrode (ungrounded electrode) 15 Film forming chamber 21 Conductive film 21a bellows 22a, 23a saw teeth 23 Presser 25 connector 27 Ridge K board
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平11−251094（ＪＰ，Ａ) 実開 昭62−99176（ＪＰ，Ｕ) 実公 平５−11659（ＪＰ，Ｙ２) 実公 昭55−44307（ＪＰ，Ｙ１) 実用新案登録2557451（ＪＰ，Ｙ２) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 16/00 - 16/56 H01L 21/205 H01L 21/3065 H05H 1/46 H01R 9/58 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A-11-251094 (JP, A) SAIKAI Sho 62-99176 (JP, U) SUNKOKAI Hei 5-11659 (JP, Y2) SUNKO 55- 44307 (JP, Y1) Utility model registration 2557451 (JP, Y2) (58) Fields studied (Int.Cl. 7 , DB name) C23C 16/00-16/56 H01L 21/205 H01L 21/3065 H05H 1 / 46 H01R 9/58
Claims (6)
れ、該チャンバに導通されてアースされた接地電極と、
該接地電極の対向位置に設けらた非接地電極とを有し、
前記接地電極の表面に基板を支持した状態にて前記非接
地電極に高周波電流を給電して前記接地電極との間に放
電を生じさせることにより、前記基板に製膜等のプラズ
マ処理を施す真空処理装置であって、 前記接地電極の周囲と前記チャンバとの間には、前記接
地電極を前記チャンバに導通させる導電性を有する金属
箔からなる導電フィルムが連結されていることを特徴と
する真空処理装置。1. A ground electrode which is provided in a chamber forming a film forming chamber and which is electrically connected to the chamber and grounded,
A non-ground electrode provided at a position opposite to the ground electrode,
A vacuum for performing plasma processing such as film formation on the substrate by supplying a high-frequency current to the non-grounded electrode in a state where the substrate is supported on the surface of the ground electrode to generate discharge between the non-grounded electrode and the ground electrode. A processing apparatus, wherein a conductive film made of a conductive metal foil for electrically connecting the ground electrode to the chamber is connected between the periphery of the ground electrode and the chamber. Processing equipment.
能な支持ボルトによって該チャンバに支持されているこ
とを特徴とする請求項１記載の真空処理装置。 2. The ground electrode can be electrically connected to the chamber.
Supported in the chamber by a suitable support bolt.
The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein:
れ、この接地電極の各辺には、各辺の全長と略同一幅寸
法の前記導電フィルムが連結されていることを特徴とす
る請求項１または請求項２記載の真空処理装置。3. The ground electrode is formed in a rectangular shape in a plan view, and each side of the ground electrode is connected to the conductive film having a width dimension substantially the same as the entire length of each side. The vacuum processing apparatus according to claim 1 or 2 .
近接離間方向へ移動させる移動機構が設けられ、前記導
電フィルムには、前記接地電極の移動にともなって伸縮
する蛇腹部が形成されていることを特徴とする請求項１
〜３のいずれか１項記載の真空処理装置。4. A moving mechanism for moving the ground electrode in a direction of approaching and separating from the non-ground electrode is provided, and a bellows portion that expands and contracts as the ground electrode moves is formed on the conductive film. Claim 1 characterized in that
The vacuum processing apparatus according to any one of 1 to 3 .
ルムを前記接地電極の周方向に沿って挟持する押さえ具
が設けられ、前記接地電極及び前記押さえ具の前記導電
フィルムを挟持する挟持面には、互いに噛み合うノコ歯
が形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいず
れか１項記載の真空処理装置。5. A holding tool for holding the conductive film along the circumferential direction of the ground electrode is provided on the peripheral edge of the ground electrode, and a holding surface for holding the conductive film of the ground electrode and the holding tool. the claim 1-4 noise, characterized in that it is formed saw teeth meshing with each other
The vacuum processing apparatus according to item 1 .
連結させる連結具が設けられ、該連結具には、前記導電
フィルムを、前記チャンバの内面に押し付けて挟持する
突条部が形成されていることを特徴とする請求項１〜５
のいずれか１項記載の真空処理装置。6. The chamber is provided with a connector for connecting the conductive film, and the connector is formed with a ridge portion for pressing and sandwiching the conductive film against the inner surface of the chamber. claims 1-5, characterized in that
The vacuum processing apparatus according to claim 1.
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